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CURSO TCNICO EM ELETRNICA 133 MICROPROCESSADORES 1) Explique a diferena entre ROM e PROM. ROM (Read Only Memory) A memria ROM um tipo de memria que permite apenas a leitura, ou seja, as suas informaes so gravadas pelo fabricante uma nica vez e aps isso no podem ser alteradas ou apagadas, somente podem ser acedidas. So memrias cujo contedo gravado permanentemente. PROM - (programmable read-only memory) Uma PROM uma forma de memria digital onde o estadode cada bit est trancado por um fusvel ou anti fusvel. A memria pode ser programada s uma vez depois do fabrico pelo "rebentamento" dos fusveis (usando um PROM blower), o que um processo irreversvel. O rebentamento de um fusvel abre uma ligao, enquanto que o rebentamento de um anti fusvel fecha uma ligao (da o nome). A programao feita pela aplicao de pulsos de alta voltagem, que no so encontrados durante a operao normal (tipicamente, de 12 a 21 volts). Read-only, ou s de leitura, significa que, ao contrrio do que acontece com a memria convencional, a programao no pode ser alterada (pelo menos pelo utilizador final). EPROM - (Eraseble Programmable Read-Only Memory) um tipo de chip de memria de computador que mantm seus dados quando a energia desligada. Em outras palavras, no-voltil. Uma EPROM programada por um dispositivo electrnico que d voltagens maiores do que os usados normalmente em circuitos elctricos. Uma vez programado, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposio a uma forte luz ultravioleta. EPROMs so facilmente reconhecveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de silcio pode ser visto, e que admite luz ultravioleta durante o apagamento. O processo de apagamento dura de 10 a 30 minutos. EEPROM - (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) um chip de armazenamento no-voltil usado em computadores e outros aparelhos. Ao contrrio de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada vrias vezes, electricamente. Pode ser lida um nmero ilimitado de vezes, mas s pode ser apagada e programada um nmero limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milho. A memria flash uma variao moderna da EEPROM, mas existe na indstria uma conveno para reservar o termo EEPROM para as memrias de escrita bit a bit, no incluindo as memrias de escrita bloco a bloco, como as memrias flash. As EEPROM necessitam de maior rea que as memrias flash, porque cada clula geralmente necessita de um transstor de leitura e outro de escrita, ao passo que as clulas da memria flash s necessitam de um. RAM- (Random Access Memory) um tipo de memria que permite a leitura e a escrita, utilizada como memria primria em sistemas electrnicos digitais. O termo acesso aleatrio identifica a capacidade de acesso a qualquer posio em qualquer momento, por oposio ao acesso sequencial, imposto por alguns dispositivos de armazenamento, como fitas magnticas.
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SRAM- (Static Random Access Memory, que significa memria esttica de acesso aleatrio em Portugus) um tipo de memria de acesso aleatrio que mantm os dados armazenados desde que seja mantida sua alimentao, no precisando que as clulas que armazenam os bits sejam refrescadas (actualizadas de tempo em tempo), como o caso das memrias DRAM. Embora sejam mais caras e ocupem mais espao, quando comparadas s DRAMs, possuem a vantagem de serem bem mais rpidas, justificando seu uso nas memrias cache L1 e L2. Alm disso, as memrias estticas consomem mais energia e esquentam mais que as DRAMs. Memrias estticas usam circuitos no modelo flip-flop. DRAM - um tipo de memria de acesso direito que armazena cada bit de dados num condensador ou Capacitador. O nmero de elctrodo armazenados no condensador determina se o bit considerado 1 ou 0. Como vai havendo fuga de elctrodo do condensador, a informao acaba por se perder, a no ser que a carga seja refrescada periodicamente. Embora esse fenmeno da perda de carga no ocorra nas memrias SRAM, as DRAMs possuem a vantagem de terem custo muito menor e densidade de bits muito maior, possibilitando em um mesmo espao armazenar muito mais bits (o que em parte explica o menor custo). FLASH - Assemelha-se em tudo e para tudo com a EEPROM ou seja uma memria que pode ser apagada e modificada electricamente sem o auxilio de lmpada UV. 2) O a) b) c) d) pino I/O significa: ( X ) Entrada e Sada ( ) Ligado e Desligado ( ) Corrente (I) e Decibis (O) ( ) Nvel Lgico 1 (I) e zero (O)

3) A IBM-PC desenvolveu um sistema operacional chamado: a) ( X ) Quem desenvolveu o software no foi a IBM, foi a Microsoft e foi o MSDOS b) ( ) Quem desenvolveu o software no foi a IBM, foi a Intel e foi chamado de Visicalc. c) ( ) Zilog d) ( ) Ms-DOS 4) A instruo OUT DX,AX realiza: a) (x ) O envio dos dados contidos no registrador DX pelo canal mostrado por AX b) ( ) A entrada dos dados contidos no registrador DX pelo canal mostrado por AX c) ( ) A entrada dos dados contidos no registrador AX pelo canal mostrado por DX d) ( x ) O envio dos dados contidos no registrador AX pelo canal mostrado por DX 5 Complete a tabela com os nomes das memrias (ROM, PROM, EPROM, EEPROM, SRAM e DRAM): Esta memria possui um fenmeno chamado de wait state ou estado de espera. possvel apagar os dados iluminando-se sua janela com luz ultravioleta EPROM possvel apenas a leitura dos dados j presentes na memria Respostas

 composta por diversos flip-flops tipo D (data) Possui diodos internos cuja queima de alguns deles faz a gravao dos dados Pode-se escrever e apagar esta memria eletricamente por diversas vezes

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6)- Complete com o outro nome do barramento conhecido: 1 Barramento de endereos ou ________ADDRESS BUS________________. 2 Barramento de ____DADOS_____________ou data bus. 3 Barramento de controle ou ________CONTROL BUS__________. 7) Descreva a funo do pino read. Pino de sada de sinal eltrico. Quanto ativo, o microprocessador informa aos dispositivos externos que ele far uma leitura 8) O Pino Busreq (Bus Request): a) ( ) a requisio do processador para um perifrico utilizar o barramento de endereos como barramento de dados b) ( ) a requisio do flag para um perifrico sinalizar que est ocorrendo um problema no sistema de barramento de dados e de endereos c) ( ) a requisio da U.L.A. por um perifrico, pois este perifrico incapaz de realizar contas aritmticas d) ( x ) a requisio de barramento de endereos, dados e controle realizado por um perifrico ao processador 9) Abaixo esto descritas algumas das mudanas que ocorreram de processador para processador, associe estas mudanas: 1 2 3 4 80286 80386 80486 Pentium 100 ( ( ( ( 2 4 3 1 ) ) ) ) Endereos e Dados de 32 Bits (A0~A31 e D0~D31) No possui mais slots para 8 bits Unidade de ponto flutuante 24 linhas de endereo, 16 Mb de memria (A0~A23)

10) Qual o significado de DOS? Disk Operational System (Sistema operacional de disco) 11) Fazer um fluxograma que some os valores 1110H e 0001H e coloque o resultado no registrador A. 12) Faa um programa em Assembly que coloque o valor 34D no registrador BX. 13) Para que serve um ALE (Address Latch Enable)?
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ALE (Address Latch Enable): Sada que suporta os impulsos gerados pelo processador, assinalando a validao do byte menos signicativo dos endereos, em operaes de acesso memria externa. Tambm pode ser utilizada para excitar a entradas de relgio de perifricos (1/6 da frequncia dooscilador). 14) Escreva uma Rotina onde o programa dever guardar os valores de AX e BX na pilha e depois, recupera-las. 15) O que significa dar um refresh, em uma memria DRAM?

16) O que o TRI-STATE ? Terceiro estado lgico. No nvel lgico 1 e nem 0, mas de alta impedncia ou HI-Z. 17) O que causa o aquecimento em um microprocessador? Como resolver o problema? Entre as principais causas do superaquecimento do processador esto: O Overclocking; No utilizao de pasta trmica entre o cooler (ou dissipador) e o processador, ou ainda a utilizao de forma inadequada como uso em excesso de pasta trmica; Fixao incorreta do dissipador de calor no processador (geralmente virado a 180 do correto, em soquetes 462 por exemplo) ou mau funcionamento do mesmo; Excesso de programas, consumindo toda a utilizao do processador, elevando sua utilizao constante a at 100% durante todo o tempo em que o computador estiver ligado; Uso de dissipadores e de ventoinhas inadequados para processadores muito velozes. Nestes casos, para estes processadores, voc deve sempre colocar dissipadores grandes com ventoinhas grandes - de 8 ou de 9 cm de dimetro, dependendo do modelo do dissipador - e de boa qualidade para garantir uma tima refrigerao da CPU.

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18) Descreva: a) Como realizado o processo de gravao de uma memria tipo PROM? A memria pode ser programada s uma vez depois do fabrico pelo "rebentamento" dos fusveis (usando um PROM blower), o que um processo irreversvel. O rebentamento de um fusvel abre uma ligao, enquanto que o rebentamento de um anti fusvel fecha uma ligao (da o nome). A programao feita pela aplicao de pulsos de alta voltagem, que no so encontrados durante a operao normal (tipicamente, de 12 a 21 volts). Read-only, ou s de leitura, significa que, ao contrrio do que acontece com a memria convencional, a programao no pode ser alterada (pelo menos pelo utilizador final). b) Como se apaga o contedo de uma memria tipo EPROM? Uma vez programado, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposio a uma forte luz ultravioleta. 19) Faa um programa em Assembly que faa contagem regressiva de 1000D at 0D. 20) Para que utilizado o smbolo abaixo em fluxogramas?

a) ( X ) Incio ou fim do programa b) ( ) Nenhuma operao c) ( ) Qualquer operao

d) ( ) Emenda