UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO NORTE

CENTRO DE TECNOLOGIA
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA







ANLISE ESPECTRAL DE REFLECTARRAYS COM SUBSTRATOS DE DUAS
CAMADAS DIELTRICAS ANISOTRPICAS UNIAXIAIS




ADRIANO GOUVEIA DE SOUZA

Orientador: Prof. Dr. Adaildo Gomes DAssuno



Dissertao de Mestrado apresentada ao
Programa de Ps-Graduao em Engenharia
Eltrica da UFRN (rea de concentrao:
Telecomunicaes), como parte dos
requisitos para a obteno do ttulo de
Mestre em Cincias.


Junho de 2006
NATAL RN




























Diviso de Servios Tcnicos
Catalogao da Publicao na Fonte / Biblioteca Central Zila Mamede

















Souza, Adriano Gouveia de.
Anlise espectral de reflectarrays com substratos de duas camadas
dieltricas anisotrpicas uniaxiais / Adriana Gouveia de Souza. Natal, RN,
2006.
078 p.

Orientador: Adaildo Gomes DAssuno.
Dissertao (Mestrado) Universidade Federal do Rio Grande do
Norte. Centro de Tecnologia. Programa de Ps-Graduao em
Engenharia Eltrica.

ANLISE ESPECTRAL DE REFLECTARRAYS COM SUBSTRATOS DE DUAS
CAMADAS DIELTRICAS ANISOTRPICAS UNIAXIAIS



ADRIANO GOUVEIA DE SOUZA


Dissertao de Mestrado em Engenharia
Eltrica, aprovada em 12 de Junho de
2006 pela Banca Examinadora formada
pelos seguintes membros:




NATAL RN





















A meu av, pelo exemplo de vida.


AGRADECIMENTOS

Agradeo primeiramente a meu Deus que criou minha vida e me deu a oportunidade
e capacidade de concluir mais essa etapa.

Agradeo ao meu orientador, professor doutor Adaildo Gomes dAssuno, sou
grato pela orientao e confiana.

Agradeo a minha famlia que me deu suporte para o meu crescimento.

Aos amigos com os quais eu compartilhei residncia, Paulo Farias Braga e Eduardo
Jorge Brito Rodrigues.

Agradeo a CAPES pelo apoio financeiro.


RESUMO


Os constantes avanos das telecomunicaes tornam-se cada vez mais evidentes nas
ltimas dcadas. As tecnologias de comunicaes mveis e da indstria aeroespacial so
um bom exemplo desta evoluo. Isto ocorreu devido ao aumento do fluxo de dados a
serem transmitidos. Para suprir essa demanda, novas tecnologias vm surgindo na
construo de antenas e na filtragem dos sinais de RF.
Este trabalho apresenta uma anlise de onda completa de estrutura de arranjos
refletores (reflectarray). A estrutura analisada composta por um arranjo de patches
condutores retangulares depositados sobre um substrato com duas camadas de materiais
iso/anisotrpicos, que por sua vez esto montadas sobre um plano de terra. A anlise foi
efetuada no domnio espectral, sendo utilizado o mtodo da linha de transmisso
equivalente em combinao com o mtodo de Galerkin. Como resultado foram obtidos os
coeficientes de reflexo (amplitude e fase) correspondentes para as estruturas analisadas.
Para validao desses resultados foi realizada uma comparao com os resultados
disponveis na literatura.
Especificamente, a anlise desenvolvida usa a teoria de linha de transmisso em
conjunto com os potenciais incidentes e com a imposio da continuidade dos campos nas
interfaces de contorno, para a obteno das expresses das componentes dos campos
espalhados em funo das densidades de corrente do patch e dos campos incidentes. O
mtodo de Galerkin utilizado na determinao numrica dos coeficientes pesos
desconhecidos. Desta forma, so determinados os coeficientes de reflexo (amplitude e
fase) das estruturas consideradas.
Palavras Chave: Eletromagnetismo, arranjo refletor, FSS, propagao.


ABSTRACT


Recently, an amazing development has been observed in telecommunication
systems. Two good examples of this development are observed in mobile communication
and aerospace systems. This impressive development is related to the increasing need for
receiving and transmitting communication signals. Particularly, this development has
required the study of new antennas and filters.
This work presents a fullwave analysis of reflectarrays. The considered structures
are composed by arrays of rectangular conducting patches printed on multilayer dieletric
substrates, that are mounted on a ground plane. The analysis is developed in the spectral
domain, using an equivalent transmission line method in combination with Galerkin
method. Results for the reflection coefficient of these structures are presented and
compared to those available in the literature. A good agreement was observed.
Particularly, the developed analysis uses the transmission lines theory in
combination with the incident potentials and the field continuity equations, at the structures
interfaces, for obtaining the scattered field components expressions as function of the patch
surface currents and of the incident field. Galerkin method is used to determine the
unknown coefficients in the boundary value problem.
Curves for the reflection coefficient of several reflectarray geometries are presented
as function of frequency and of the structural parameters.
Keywords: Electromagnetism, wave scattering, FSS, propagation.


i
SUMRIO

SUMRIO i

Lista de Figuras iii

Lista de smbolos e abreviaturas v

1 Introduo 1

2 Fundamentos das Estruturas Peridicas 4
2.1 Introduo 4
2.2 Forma dos elementos 4
2.3 Dimenso dos elementos 5
2.4 Tcnicas de anlise 6

3 Formulao do Problema de Espalhamento 7
3.1 Introduo 7
3.2 Deduo das equaes caractersticas 7
3.3 Soluo da equao caracterstica 10
3.4 Concluso 12

4 Determinao da Funo Didica de Green 13
4.1 Introduo 13
4.2 Anisotropia dieltrica 13
4.3 Mtodo da linha de transmisso equivalente 14

4.4 Determinao das impedncias equivalente (
TE TM
Z
,
~
)
17

5 Determinao dos Campos Incidentes 25
5.1 Introduo 25
5.2 Deduo dos campos incidentes 25
5.3 Concluso 34

ii
6 Determinao dos Coeficientes de Reflexo 35
6.1 Introduo 35
6.2 Determinao dos coeficientes de reflexo 35
6.3 Determinao dos campos refletidos 36
6.4 Concluso 37

7 Resultados Numricos 38
7.1 Introduo 38
7.2 Funes de base utilizadas 38
7.3 Resultados numricos 39

8 Concluso 55

Apndice A 56

Apndice B 59

Referncias bibliogrficas 62

iii
LISTA DE FIGURAS



2.1 Formas dos elementos 4
3.1 Arranjos peridicos genricos 9
4.1 Modulao do sistema de coordenadas (x,y,z) para o sistema (u,v,z) 15
4.2 Relao entre as correntes e o campo espalhado para posies diferentes em z 18
4.3 Estudo de um arranjo refletor com patch retangular condutor sobre dieltrico
composto por duas camadas de material anisotrpico uniaxial
23
5.1 Potenciais incidentes 25
5.2 Potenciais incidentes no patch condutor, sobre dieltrico composto por duas
camadas de material anisotrpico uniaxial.
26
7.1 Anlise de convergncia 39
7.2 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray usando patch retangular
e substrato anisotrpico uniaxial de
xx
=3,5. () Este trabalho e () [30]
40
7.3 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray usando patch retangular
e substrato anisotrpico uniaxial, com eixo ptico na direo z,
yy
=
xx
=3,5,
tan
e
= 0,002 e
zz xx z x
N N = / .
41
7.4 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray usando patch retangular
e substrato anisotrpico uniaxial, eixo ptico na direo z,
yy
=
xx
=3,5, tan
e
=
0,002 e
zz xx z x
N N = / .
42
7.5 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray com os substratos PBN
e fibra de vidro, tan
e
= 0,002.
43
7.6 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray com os substratos
PTFE, fibra de vidro e quartzo, tan
e
= 0,002.
44
7.7 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray suspenso. 45
7.8 Mdulo do coeficiente de reflexo versus a variao do ngulo de incidncia do
campo.
46
7.9 Coeficiente de reflexo versus a variao de . 47
7.10 Coeficiente de reflexo de fase versus tamanho do patch quadrado. 48

iv
7.11 Coeficiente de reflexo de fase versus tamanho do patch quadrado comparado
com resultado da literatura. () Este trabalho e (---) [7]
49
7.12 Fase do coeficiente de reflexo de fase de um reflectyarray com os substratos
PBN e fibra de vidro, tan
e
= 0,002.
50
7.13 Fase do coeficiente de reflexo para um arranjo refletor com os substratos
PTFE, fibra de vidro e quartzo, tan
e
= 0,002.
51
7.14 Fase do coeficiente de reflexo versus a variao do ngulo de incidncia do
campo.
52
7.15 Fase do coeficiente de reflexo versus a variao de . 53

v
LISTA DE SMBOLOS E ABREVIATURAS


FSS Frequency selective surface (Superfcie seletiva de freqncia)
x Vetor unitrio na direo x
y
Vetor unitrio na direo y
z Vetor unitrio na direo z
Operador nabla
Freqncia angular
j Nmero imaginrio igual a 1
0
Permissividade eltrica do vcuo
0
Permeabilidade do vcuo
E
r
Vetor intensidade de campo eltrico
H
r
Vetor intensidade de campo magntico
r
Permissividade eltrica relativa
A
r
Vetor potencial eltrico
F
r
Vetor potencial magntico
Derivada parcial
mn
Varivel espectral na direo x
mn
Varivel espectral na direo y
0
Varivel espectral na direo x para m = n = 0
0
Varivel espectral na direo y para m = n = 0
e
Constante de propagao na direo z para o modo TE
h
Constante de propagao na direo z para o modo TM
0
Constante de propagao no espao livre
S
x
E Campo eltrico espalhado na direo x
S
y
E Campo eltrico espalhado na direo y

vi
inc
x
E Componente do campo eltrico incidente na direo x
inc
y
E Componente do campo eltrico incidente na direo y
inc
x
H Componente do campo magntico incidente na direo x
inc
y
H Componente do campo magntico incidente na direo y
0
k Numero de onda no espao livre
t
E Campo eltrico tangencial
s
t
E Campo eltrico espalhado tangencial
inc
t
E Campo eltrico incidente tangencial
b a, Produto escalar entre a e b

a Conjugado complexo de a
J
r
Vetor densidade superficial de corrente eltrica
in
Y Admitncia de entrada
in
Z Impedncia de entrada
Nmero pi
w Largura do patch
L Comprimento do patch
t Espessura do substrato dieltrico
x
t Perodo da clula na direo x
y
t Perodo da clula na direo y
inc
ngulo de incidncia em relao ao eixo z
inc
ngulo de incidncia em relao ao eixo x
Potencia incidente
ngulo de defasagem entre as clulas peridicas
Tensor permissividade eltrica
xx
Componente do tensor permissividade relativa direo x

vii
yy
Componente do tensor permissividade relativa direo y
zz
Componente do tensor permissividade relativa direo z
mn
Delta de Kronecker
r
x
E
~
Transformada de Fourier do campo refletido na direo x
r
y
E
~
Transformada de Fourier do campo refletido na direo y
t
x
E
~
Transformada de Fourier do campo transmitido na direo x
t
y
E
~
Transformada de Fourier do campo transmitido na direo y
| | Z
~
Funo didica de Green
yy yx xy xx
Z Z Z Z
~
,
~
,
~
,
~
Transformada de Fourier das componentes da funo de Green
i
T I-sima funo de Chebshev de primeira ordem
i
J Funo de Bessel de primeira classe e i-sima ordem
TE
mn
R Coeficiente de reflexo para os modos TE
TM
mn
R Coeficiente de reflexo para os modos TM

1
CAPTULO 1
INTRODUO

O desenvolvimento da tecnologia para aplicaes em rdiofreqncia (RF) tem sido
notvel desde a predio da existncia de ondas eletromagnticas por James Clark
Maxwell, em 1867, e as subseqentes comprovaes experimentais de Heinrich Hertz em
1887. Considera-se que o incio das comunicaes sem fio ocorreu na ultima dcada do
sculo 19, havendo registros de experimentos realizados por Roberto Landell de Moura, em
1894, e Guglielmo Marconi, em 1896 [1].
Existe hoje uma grande variedade de aplicaes de RF. Elas vo desde a interao
com a matria (tratamento, sinterizao, secagem, cozimento, etc.), a exemplo dos fornos
de microondas para aplicaes residenciais e industriais, at os sofisticados aparelhos para
comunicaes mveis (monitoramento, rastreamento, identificao, mapeamento, etc)
portteis ou no. Pode-se distinguir trs grandes reas de atuao das aplicaes de RF: a
rea para consumo pblico (entretenimento e pessoal), a rea militar (segurana e defesa) e
a rea de tecnologia aeroespacial (superviso e astronomia).
Os avanos cientficos e tecnolgicos na construo de dispositivos em estruturas
em duas dimenses (planares) decorreram da necessidade crescente de implementao de
dispositivos com dimenses e peso cada vez menores, multifuncionais, muitas vezes
operando em condies extremas, para aplicaes diversas, tal como na atividade
aeroespacial [2].
Os arranjos refletores de microfita (reflectarrays) foram primeiramente descritos em
1963 [3]. Um arranjo refletor de microfita um refletor de perfil fino que consiste na
disposio dos elementos irradiadores planares (patch) alinhados em uma microfita com
alimentao por campo incidente [4]-[6]. Esse tipo de estrutura pode ser utilizado como
uma antena que combina algumas das melhores caractersticas da tecnologia de antenas de
microfita com a tecnologia de refletores convencionais, tais como leveza, baixo custo e alto
ganho.
Em muitos estudos de AR (arranjos refletores), as pesquisas foram realizadas sem
considerar o efeito das caractersticas anisotrpicas do substrato dieltrico na determinao
dos seus parmetros. No entanto, sabe-se que a aplicao de substratos dieltricos altera as

2
caractersticas de funcionamento de circuitos, podendo contribuir de forma significativa
para o desenvolvimento de estruturas mais eficientes. Da, a importncia do estudo em
estruturas de arranjos refletores em substratos anisotrpicos [2].
A versatilidade dos AR que eles so planares, no caso de elementos passivos so
baratos e de concepo e instalao fceis; podem se ajustar a superfcies de montagem e
seu feixe principal pode ser projetado de forma a permitir o apontamento em um ngulo
fixo grande (at 60) a partir da direo broadside. Alm disso, a alimentao espacial
(onda plana) elimina a complexidade e as perdas de uma alimentao fsica do arranjo [7].
O conceito de antenas de AR baseado nas propriedades dispersivas dos patches
em microfita. Cada elemento patch da disposio em arranjo, impresso na superfcie
refletora, projetado para reirradiar o campo da onda incidente com um atraso de fase
apropriado e, dessa forma, guiar o feixe principal em um sentido especificado [5].
Por causa destas caractersticas, os arranjos refletores tm diversas aplicaes, tais
como em satlite ou aplicao de transmisso direta (DBS) nas misses espaciais, onde so
necessrias antenas de alto ganho com volume pequeno e peso reduzido.
O contedo deste trabalho est distribudo em oito captulos que tem como objetivos
principais: destacar a importncia e atualidade do tema considerado; descrever a anlise
terica atravs do mtodo de linha de transmisso combinado com o mtodo de Galerkin;
apresentar detalhes da anlise numrica desenvolvida no domnio espectral; mostrar os
resultados tericos obtidos coment-los e compar-los (entre si e com resultados
disponveis na literatura da rea) e, finalmente, apresentar as principais concluses e
algumas sugestes de trabalhos futuros na mesma linha da pesquisa.
No Captulo 2, apresentada uma descrio de reflectarrays, mostrando-se um
breve histrico, os tipos e as formas de elementos patches mais usados, dentre outros
aspectos.
No Capitulo 3 apresentada a formulao do problema de espalhamento.
No Capitulo 4 apresentada a configurao de reflactarray analisada, usando
elementos do tipo patch retangular condutor sobre substrato anisotrpico uniaxial de duas
camadas e emprega-se o mtodo de linha de transmisso equivalente para a obteno da
funo didica de Green da estrutura apresentada.
No Capitulo 5 so obtidos os campos incidentes para o arranjo refletor

3
(reflectarray) analisado neste trabalho.
No Capitulo 6 so obtidos os campos refletidos pelo reflectarray em anlise.
No Capitulo 7 so apresentados os resultados numricos para as caractersticas de
reflexo do arranjo refletor (reflectarray) usando elementos do tipo patch retangular
condutor sobre substrato anisotrpico uniaxial de duas camadas e feitas comparaes com
resultados existentes na literatura.
Finalmente, no Capitulo 8, so apresentadas as concluses dos principais aspectos
abordados neste trabalho e propostas sugestes de continuidade do mesmo.

4
CAPTULO 2

FUNDAMENTOS DAS ESTRUTURAS PERIDICAS

2.1 Introduo

Os arranjos refletores combinam as caractersticas de estruturas planares de
microfita com as dos refletores convencionas. Esses arranjos foram introduzidos
primeiramente em 1963 [3].
Os reflectarrays so estruturas seletivas em freqncia, pois atuam de forma
seletiva no sinal refletido pela mesma. Dadas as caractersticas de construo o arranjo
refletor pode funcionar como filtros passa-faixa ou como filtro rejeita-faixa.
Observa-se na literatura que estruturas reflectarrays de microfita so comumente
utilizadas como antenas planares. Dada a sua constituio com muitos elementos do tipo
patches condutores, impressos sobre um substrato dieltrico, elas podem ser projetadas
especificamente de modo que o campo reirradiado de cada um dos patches esteja em uma
fase diferencial apropriada para conseguir um efeito focalizado [8]-[12].

2.2 Formas dos elementos

Na literatura, encontram-se diversas pesquisas com as mais variadas formas de
elementos. As formas mais comuns so a retangular e a circular. A Figura 2.2 ilustra
algumas formas de elementos utilizadas em arranjos refletores: patch retangular [12], patch
circular [13], cruz de Jerusalm, dipolo em cruz [14], espira quadrada [15], espira quadrada
com grade [16], espira quadrada dupla [17] e espiras circulares concntricas [18].

5


FIGURA 2.1 Formas dos elementos patches condutores.

2.3 Dimenso dos elementos

Quando um elemento de dipolo alimentado por uma fonte e o comprimento do
dipolo um mltiplo de meio comprimento de onda, o dipolo irradia a energia [2]. Quando
dipolos so dispostos de forma de arranjo, a energia reirradiada de todos os elementos ser
direcionada coerentemente como se a reflexo estivesse ocorrendo, onde o ngulo de
reflexo igual ao ngulo de incidncia. Isso ocorre porque as correntes induzidas na
superfcie do elemento tm um atraso de fase relativo a estes elementos adjacentes. Este
atraso de fase faz o espalhamento das ondas de todos os elementos ser coerente com a
direo de reflexo. Para elementos na forma de espiras quadradas e espiras circulares, a
ressonncia ocorre quando o comprimento de cada meia espira um mltiplo de meio
comprimento de onda. O comprimento da espira, desta forma, precisa ser um mltiplo de
um comprimento de onda. Para evitar um nulo no diagrama de irradiao, o comprimento
da espira deve ser de um comprimento de onda em vez de um mltiplo de um comprimento
de onda. Para uma espira circular impressa em um substrato dieltrico, o comprimento
eltrico da circunferncia deve ser de um comprimento de onda efetivo, enquanto que a
dimenso da circunferncia deve ser menos que um comprimento de onda no espao livre.


6
2.4 Tcnicas de anlise

Vrios mtodos tm sido utilizados para anlise de reflectarrays. Alguns autores
vm desenvolvendo frmulas aproximadas para determinar as caractersticas de reflexo de
arranjos refletores. Outro mtodo bastante utilizado que produz resultados satisfatrios o
modelo de circuito equivalente [30]. Nesta anlise, vrios segmentos da fita que formam o
elemento patch em um arranjo peridico so modelados como componentes indutivos e
capacitivos em uma linha da transmisso.
Neste trabalho, empregado o mtodo de linha de transmisso equivalente [19] em
conjunto com o mtodo de Galerkin [20]. Esta uma anlise de onda completa, que produz
resultados precisos, alm de simplifica, relativamente manipulao matemtica.

7
CAPTULO 3
FORMULAO DO PROBLEMA DE ESPALHAMENTO

3.1 Introduo

O primeiro passo na formulao do problema de espalhamento eletromagntico de
um reflectarray consiste em relacionar os campos espalhados s correntes superficiais
induzidas nos patches devido aos campos incidentes. Inicialmente, ser considerado o
espalhamento de um patch condutor perfeito no espao livre. Ser mostrado como a
equao caracterstica correspondente a um patch modificada para incluir as
contribuies de um arranjo de patches.

3.2 Deduo da equao caracterstica

O campo espalhado por um patch x-y devido a uma onda plana incidente pode ser
calculado da corrente superficial induzida no patch no espao livre. O campo espalhado
dado por [23]:
( ) A
j
A j E
s
r r
.
1
0
0
+ =

(3.1)
onde, o vetor potencial A
r
definido como:
J Z A
r r
* = (3.2)
Em (3.2), o smbolo representa a operao de convoluo,
J
r
a corrente
superficial induzida no condutor e Z a funo didica de Green no espao livre.
Considerando o patch um condutor eltrico perfeito, tem-se que o campo eltrico
tangencial, denotado pelo subscrito t, dado por:
0 = + =
inc
t
S
t t
E E E
r r r
(3.3)

Em (3.3), os subscritos s e inc correspondem aos campos espalhados e incidentes,
respectivamente.

8
Conseqentemente, a equao (3.1) torna-se:

( ) A
j
A j E
inc
r r
.
1
0
0
=

(3.4)
Onde, (3.4) a equao caracterstica do campo eltrico para patches condutores
eltricos perfeitos. Para uma superfcie plana de espessura infinitesimal, apenas A
x
e A
y
so
diferentes de zero. Dessa forma, pode-se escrever a equao (3.4) na forma matricial como:
(

(
(
(
(

=
(
(

y
x
inc
y
inc
x
A
A
k
y y x
y x
k
x
j E
E
2
0
2
2 2
2
2
0
2
2
0
1
(3.5)
|
|

\
|

=
y x
inc
z
A
y
A
x z j
E
0
1

(3.6)
onde:
x x
J Z A * =
(3.7)
y y
J Z A * =
(3.8)

Definindo a transformada e a anti-transformada de Fourier como:

( ) ( )
( )

+
= dxdy e y x f f
y x j
, ,
~
(3.9)
( )
( )
( )
( )

+
=

d d e f y x f
y x j
,
~
2
1
,
2 (3.10)

9
pode-se substituir a convoluo e as derivadas parciais que aparecem em (3.7) e (3.8) por
J Z J Z
~
~
*
r r
,
A j A
x
r r

e
A j A
y
r r

no domnio espectral [19]. Aplicando-se a

transformada de Fourier em (3.5), e considerando as relaes acima, obtm-se:
| |
(
(

=
(
(

y
x
inc
y
inc
x
J
J
Z
k
k
j E
E
~
~
~ 1
~
~
2 2
0
2 2
0
0

(3.11)

De (3.1), atravs da transformada inversa de Fourier, obtm-se:

( )
| |
( )





d d e
J
J
Z
k
k
j E
E
y x j
y
x
inc
y
inc
x +

(
(

=
(
(

~
~
~ 1
2
1
2 2
0
2 2
0
0
2
(3.12)

Para estender a anlise para um arranjo peridico de patches sobre substratos
dieltricos, deve-se considerar a periodicidade da estrutura, satisfazendo o Teorema de
Floquet e modificar a equao caracterstica, dada em (3.12), substituindo-se a funo
didica de Green, por uma nova funo dada para a estrutura considerada. Desta forma, a
equao (3.12) pode ser reescrita, para o caso de um arranjo peridico de patches
condutores, como:

( )
( )
( )
mn mn
y x j
m n mn mn y
mn mn x
yy yx
xy xx
inc
y
inc
x
e
J
J
Z Z
Z Z
E
E



+

=

(
(

(
(

=
(
(

,
~
,
~
~ ~
~ ~
(3.13)

onde,
( ) ( )

cos
2
0
sen k
t
m
x
mn
+ =
(3.14)
( )
( ) ( ) ( )

sen sen cot
2
sen
2
0
k g
t
m
t
n
x y
mn
+

=
(3.15)

onde t
x
e t
y
so os perodos das clulas nas direes x e y, respectivamente,

so os

10
ngulos de incidncia e o ngulo de defasagem entre as clulas. Todos estes parmetros
esto indicados na Figura 3.1.

Figura 3.1 Arranjo peridico de patches retangulares:
(a) vista superior e
(b) incidncia de onda plana

3.3 Soluo da equao caracterstica

Nesta seo sero discutidas as solues das equaes que governam as
caractersticas de um reflectarray, apresentado na seo anterior, usando o mtodo dos
momentos [21].
Na primeira etapa, reescreve-se a equao (3.13) em forma simblica, como:

g u L
r r
r
= *
(3.16)
onde
u
r
representa as correntes induzidas desconhecidas,
J
r
,
g
r
corresponde aos campos
incidentes conhecidos,
inc
E
r
, e L
r
o operador que relaciona o termo desconhecido
u
r
e
os campos incidentes. Atravs do mtodo dos momentos expressa-se o termo desconhecido
u
r
em funo de um conjunto de funes de base
f
r
como:

=
i
i i
f c u
r
r r
(3.17)

inc

inc
k
inc


11
onde
i
c
r
so os coeficientes pesos desconhecidos a serem determinados. Substituindo-se
(3.17) em (3.16) e escolhendo-se as funes de teste iguais s funes de base [19], a
equao (3.16) transforma-se na equao matricial seguinte:

g f f L c f
j
i
i i j
r
r r r
r
r
, * , =

j = 1,2,... (3.18)

onde o produto interno
b a,
definido como

=
erfcie
bdS a b a
sup
* ,
(3.19)

A eficincia com a qual a soluo da equao (3.18) pode ser resolvida, com uma
preciso desejada, depende criticamente da escolha adequada das funes de base.
As funes de base devem representar o comportamento fsico da densidade de
corrente no patch. Em geral, h dois grupos de funes de base para representar as funes
desconhecidas do mtodo dos momentos, que so as funes de base de domnio inteiro e
as de subdomnio [22].
Neste trabalho, sero consideradas as funes de base de domnio inteiro, devido ao
fato destas funes servirem tipicamente para a geometria da clula mostrada na Figura 3.1.
Outra vantagem importante do uso de funo de base do tipo domnio inteiro que o
tamanho da matriz resultante com a aplicao do mtodo dos momentos menor que
aquela obtida para funes de subdomnio [23].
Usando um grupo de funes de base e de teste adequadas em (3.13), obtm-se para
os coeficientes desconhecidos,
i
c
r
, a seguinte equao matricial:

(
(

(
(

(
(

=
(
(

j yj
xj
m n yj
xj
yy yx
xy xx
yj
xj
inc
y yj
inc
x xj
c
c
J
J
Z Z
Z Z
J
J
dS E J
dS E J
~
0
0
~
~ ~
~ ~
~
0
0
~
*
*
*
*
, j = 1,2,...

12
(3.20)

Para determinar os coeficientes
xj
c
e
yj
c
, precisa-se determinar os campos
incidentes e as componentes da funo didica de Green o que ser efetuado no captulo
seguinte.

3.4 Concluso

Neste capitulo, foi desenvolvida a equao caracterstica para um patch condutor
perfeitamente eltrico no espao livre e demonstrado como esta deduo pode ser estendida
para um arranjo peridico do tipo reflectarray, usando elementos do tipo patch retangular
condutor, perfeitamente eltrico, sobre substrato dieltrico. Foi demonstrado, ainda, como
solucionar a equao operadora utilizando-se o mtodo dos momentos.

13
CAPTULO 4
DETERMINAO DA FUNO DIDICA DE GREEN

4.1 Introduo

O primeiro passo para a determinao dos coeficientes peso da equao (3.20)
determinar a funo didica de Green que relaciona os campos incidentes com as
densidades de corrente superficiais. Para isso, ser usado o Mtodo da Linha de
Transmisso Equivalente que foi desenvolvido por Mittra e Itoh [20]. Neste mtodo, a
estrutura de reflectarray transformada em uma linha de transmisso equivalente e
solucionada atravs de teoria das linhas de transmisso. O mtodo considera o
desacoplamento dos modos TE e TM em relao direo z, simplificando a obteno da
funo didica de Green.

4.2 Anisotropia dieltrica

O estudo da anisotropia de grande interesse dentre outros motivos porque os
substratos anisotrpicos podem afetar o desempenho de circuitos e antenas. Dessa forma, a
caracterizao e o projeto de circuitos e antenas devem levar em considerao estes efeitos.
Alm disso, possvel que o uso de tais materiais pode ser vantajoso no desenvolvimento
de circuitos e antenas integradas de microondas. Um bom exemplo o uso de materiais
anisotrpicos para se conseguir velocidades de fase iguais para os modos par e mpar em
acopladores direcionais de linhas de microfita acopladas [24].
A anisotropia dieltrica se caracteriza pelo fato do material apresentar uma
permissividade eltrica na forma de tensor. Quando o material considerado sem perdas, e
com os eixos pticos orientados ao longo dos eixos principais do sistema de coordenadas,
x, y e z, tem-se [25]:

0 =
ij

para
j i
(4.1)


14
e, conseqentemente, obtm-se:
(
(
(

=
zz
yy
xx

0 0
0 0
0 0
(4.2)

Quando
xx

,
yy

e
zz

so diferentes entre si, o material denominado

anisotrpico biaxial. Se apenas dois desses elementos forem iguais, o material
denominado de anisotrpico uniaxial.
No caso de anisotropia uniaxial, o eixo de simetria, ou eixo ptico, aquele para o
qual o elemento da matriz diferente dos outros dois.
Para o caso do eixo ptico ser orientado na direo perpendicular ao plano de terra
(i.e. direo z, na Figura 4.3), tem-se:
(
(
(

=
zz
xx
xx

0 0
0 0
0 0
(4.3)

4.3 Mtodo da linha de transmisso equivalente

Como citado anteriormente, para se determinarem os coeficientes peso e,
conseqentemente os campos espalhados, deve-se primeiramente deduzir as componentes
da funo didica de Green.
Usando o mtodo da imitncia no domnio espectral [19], tem-se:
A H
S
r r
=
(4.4)

Das equaes (4.4) e (3.1), tem-se que:

x y
s
z
A
y
A
x
H

=
(4.5)

15
|
|

\
|

=
y x
s
z
A
y
A
x z j
E
0
1

(4.6)

No domnio da transformada de Fourier, (4.5) e (4.6) tornam-se:

x y
s
z
J J H
~ ~ ~
2 2 2 2




+
+
+

(4.7)
y x
s
z
J J E
~ ~ ~
2 2 2 2




+
+
+

(4.8)
sendo os subscritos em

omitidos por convenincia.

Considere que a onda plana se propaga numa direo

em relao ao eixo z.
Transformando-se o sistema de coordenadas (x,y) em um novo sistema de coordenadas
(u,v), obtm-se um novo sistema tal que o eixo v definido ao longo da direo de
propagao da onda plana e o eixo u transversal ao eixo v e ao eixo z como mostrado na
Figura 4.1 [26]. Desta forma, obtm-se que:

(

=
(

y
x
sen
sen
v
u
.
) ( ) cos(
) cos( ) (


(4.9)

onde

( )
2 2
cos

+
=
(4.10)
( )
2 2

+
= sen
(4.11)


16

Figura 4.1 Modulao do sistema de coordenadas (x,y,z) para o sistema (u,v,z).

A transformada de Fourier da densidade superficial de corrente induzida dada por:

v u y x
J v J u J y J x J
~

~
+ = + =
r
(4.12)

Das equaes (4.7) e (4.12), a componente u da transformada de densidade de
corrente produz:

u
s
z
J H
~ ~

(4.13)

Similarmente, das equaes (4.8) e (4.12), a componente v da transformada da
densidade de corrente produz:
v
s
z
J E
~ ~

(4.14)

Das equaes (4.13) e (4.14), pode-se notar que a componente u da transformada
da densidade de corrente gera os campos TE e TM. No domnio espectral, usa-se o modelo
da linha de transmisso equivalente para determinar a funo didica de Green, que
relaciona os campos espalhados e as correntes superficiais induzidas [19], para as
componentes u e v, separadamente.

17
Assumindo-se os campos espalhados TE, tem-se:
(
(

(
(

=
(
(

v
u
TM
TE
s
v
s
u
J
J
Z
Z
E
E
~
~
~
0
0
~
~
~
(4.15)

Retornando ao sistema de coordenadas (x,y,z), a equao (4.15) pode ser reescrita
como:
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
(
(

(
(

+
+
=
(
(

v
u
TE TM TE TM
TE TM TM TE
s
y
s
x
J
J
Z sen Z sen Z Z
sen Z Z Z sen Z
E
E
~
~
cos
~ ~
cos
~ ~
cos
~ ~
cos
~ ~
~
~
2 2
2 2


(4.16)

ou,
(
(

(
(

=
(
(

y
x
yy yx
xy xx
s
y
s
x
J
J
Z Z
Z Z
E
E
~
~
.
~ ~
~ ~
~
~
(4.17)

onde,
| |
TE TM
xx
Z Z Z
~ ~ 1 ~
2 2
2 2


+
+
=
(4.18)
| |
TE TM
yx xy
Z Z Z Z
~ ~ ~ ~
2 2

+
= =


(4.19)
| |
TE TM
yy
Z Z Z
~ ~ 1 ~
2 2
2 2


+
+
=
(4.20)

4.4 Determinao das impedncias equivalentes (
TE TM
Z
,
~
)

Como se pode observar da equao (4.17), os campos espalhados podem ser
calculados por meio da funo didica de Green. Estes campos so calculados no topo e na
base da estrutura. As componentes da funo didica de Green so obtidas a partir da
determinao das impedncias equivalentes (
TE TM
Z
,
~
) atravs dos circuitos equivalentes para
os modos TE e TM. As admitncias de entrada dos circuitos podem ser obtidas por meio do

18
uso da equao da linha de transmisso dada por:

( )
( )
|
|

\
|
+
+
=
t Y Y
t Y Y
Y Y
L
L
in
. coth
. coth
0
0
0

(4.21)

onde
0
Y
a admitncia caracterstica do meio.
As impedncias equivalentes para os modos TE e TM, no plano z=0, so dadas por:

h e h e
TE TM
Y Y
Z
, ,
,.
1 ~
+
+
=
(4.22)

onde
+
Y
e

Y
representam as admitncias de entrada olhando para cima e para baixo a
partir da fonte de corrente (como pode ser observado na Figura 4.3), respectivamente. O
sobrescrito e corresponde ao modo TM e o sobrescrito h corresponde aos modos TE.
Por outro lado, quando os campos espalhados so calculados a uma distncia t, da fonte
de corrente, como mostra a Figura 4.2, faz-se necessria uma modificao na equao
(4.22). Na Figura 4.2,
L
Y
a admitncia de entrada olhada para baixo a partir da estrutura.
Para transferir a impedncia para a distncia t, necessrio multiplicar a equao (4.22)
por uma admitncia de transferncia dada por:

( ) ( ) t sen Y t Y
Y
Y
L
Transf
. . cos
0
0
.
+
=
(4.23)

Desta forma, a equao (4.22) torna-se:

h e
Transf
h e h e
TE TM
Y
Y Y
Z
,
.
, ,
,.
1 ~
+
+
=
(4.24)

Em seguida, sero determinadas as impedncias equivalentes para uma estrutura de

19
reflectarray usando elemento tipo patch retangular condutor sobre duas camadas dieltricas
anisotrpicas uniaxiais.


Figura 4.2 Relao entre a densidade de corrente e o campo espalhado para posies
diferentes em z.

Para o caso anisotrpico uniaxial (com eixo ptico na direo z), definem-se:

0
0

j
Y
hi TE
i
=
(4.25)
ei
ixx TM
i
j
Y

0
0
=
(4.26)

onde,

0 1 ,
=
h e
(4.27)
0 1
=
(4.28)
(
(
(

=
zz
xx
xx
2
2
2
0 2
0 0
0 0
0 0

(4.29)

e


20
( )
izz mn mn
izz
ixx
ei

0 0
2 2 2
+ =
(4.31)
ixx mn mn hi

0 0
2 2 2
+ =
(4.32)

Considerando a primeira estrutura analisada, mostrada na Figura 4.3(a) e resolvendo
o circuito equivalente para os modos TM e TE, mostrado na Figura 4.3(b), tem-se que os
campos espalhados no topo da estrutura so dados por:

(
(

(
(

=
(
(

y
x
yy yx
xy xx
s
y
s
x
J
J
Z Z
Z Z
E
E
~
~
.
~ ~
~ ~
~
~
1 1
1 1
1
1
(4.33)

onde,
| |
TE TM
xx
Z Z Z
1
2
1
2
2 2
1
~ ~ 1 ~


+
+
=
(4.34)
| |
TE TM
yx xy
Z Z Z Z
1 1
2 2
1 1
~ ~ ~ ~

+
= =


(4.35)
| |
TE TM
yy
Z Z Z
1
2
1
2
2 2
1
~ ~ 1 ~


+
+
=
(4.36).

Como
h e h e
TE TM
Y Y
Z
, ,
,.
1
1 ~
+
+
=
(4.37)

ento
h e
Y
,
+
podem ser determinados a partir da equao (4.21):


21
( )
( )
|
|

\
|
+
+
=
+
1 0 01
1 0 01
01
coth
coth
l Y Y
l Y Y
Y Y
e e
L
e
L
e
e e

(4.38)
( )
|
|

\
|
=
+
1 0 01
01
01
coth l Y
Y
Y Y
e
e
e e

(4.39)

para

1
l
,
( ) 1 coth =
, ento:

e e
Y Y
01
=
+
(4.40)

Analogamente,

h h
Y Y
01
=
+
(4.41)

Da equao da linda de transmisso equivalente, dada em (4.21) pode-se obter as
expresses para
h e
Y
,

. Para tanto, primeiramente determina-se a admitncia de entrada

equivalente do meio 3:

( )
( )
|
|

\
|
+
+
=
3 3
,
3
,
3 3
, ,
3 ,
3
,
3
coth
coth
l Y Y
l Y Y
Y Y
h e h e
L
h e
L
h e
h e h e
in

(4.42)

Entretanto, como

h e
L
Y
,
, vem que:

( )
|
|

\
|
=
h e
L
h e
L h e h e
in
Y
l Y
Y Y
,
3 3
,
,
3
,
3
coth
(4.43)
( )
3 3
,
3
,
3
coth l Y Y
h e h e
in
=
(4.44)

22

Aps a determinao de
h e
in
Y
,
3
, pode-se determinar
h e
Y
,

:

( )
( )
|
|

\
|
+
+
=

2 2
,
2
,
3
2 2
,
3
,
2 ,
2
,
coth
coth
l Y Y
l Y Y
Y Y
h e h e
in
h e
in
h e
h e h e

(4.45)
( ) | | ( )
( ) | | ( )
)
`

+
+
=

2 2
,
2 3 3
,
3
2 2 3 3
,
3
,
2 ,
2
,
coth coth
coth coth
l Y l Y
l l Y Y
Y Y
h e h e
h e h e
h e h e


(4.46)

Para o modo TM, substitui-se a equao (4.26) em (4.46) e obtm-se:

( ) ( )
( ) ( )
|
|
|
|

\
|
+
+
=

2 2
2
2 0
3 3
3
3 0
2 2 3 3
3
3 0
2
2 0
2
2 0
coth coth
coth coth
l
j
l
j
l l
j j
j
Y
e
e
xx
e
e
xx
e e
e
xx
e
xx
e
xx e

(4.47)
( ) ( )
( ) ( )
|
|
|
|

\
|
+
+
=

3 2
2 2 2 3 3 3 3 2
2 2 3 3
3 2
3 2 2 3
2
2 0
coth coth
coth coth
e e
e xx e e xx e
e e
e e
xx e xx e
e
xx e
l l
l l
j
Y

(4.48)
( ) ( )
( ) ( )
|
|

\
|
+
+
=

2 2 2 3 3 3 3 2
3 3 2 2 3 2 2 3
2
2 0
coth coth
coth coth
l l
l l j
Y
e xx e e xx e
e e xx e xx e
e
xx e

(4.49)

Para o modo TE, substitui-se equao (4.25) em (4.46) e obtm-se:

( ) ( )
( ) ( )
|
|
|
|

\
|
+
+
=

2 2
0
2
3 3
0
3
2 2 3 3
0
3
0
2
0
2
coth coth
coth coth
l
j
l
j
l l
j j
j
Y
e
h
e
h
e e
h h
h h

(4.50)

23
( ) ( )
( ) ( )
|
|

\
|
+
+
=

3 3 3 2 2 2
3 3 2 2 3 2
0
2
coth coth
coth coth
l l
l l
j
Y
e h e h
e e h h h h

(4.51)




Da equao (4.37), obtm-se:
e e
TM
Y Y
Z
+
+ =
~
1
(4.52)

Substituindo (4.40) e (4.49) em (4.52), para o modo TM, determina-se:

( ) ( )
( ) ( )
|
|

\
|
+
+
+ =
2 2 2 3 3 3 3 2
3 3 2 2 3 2 2 3
2
2 0
0
0
coth coth
coth coth
~
1
l l
l l j j
Z
e xx e e xx e
e e xx e xx e
e
xx
TM

(4.53)
( ) ( )
( ) ( )
1
2 2 2 3 3 3 3 2
3 3 2 2 3 2 2 3
2
2
0
0
coth coth
coth coth 1 ~

(
(

|
|

\
|
+
+
+ =
l l
l l
j Z
e xx e e xx e
e e xx e xx e
e
xx TM

(4.54)

De forma semelhante, para o modo TE, substituindo (4.41) e (4.51) em (4.52),
determina-se:

( ) ( )
( ) ( )
|
|

\
|
+
+
+ =
3 3 3 2 2 2
3 3 2 2 3 2
0
2
0
0
coth coth
coth coth
~
1
l l
l l
j j Z
e h e h
e e h h h
TE

(4.56)
( ) ( )
( ) ( )
|
|

\
|
+
+
+
=
3 3 3 2 2 2
3 3 2 2 3 2
2 0
0
coth coth
coth coth
~
l l
l l
j
Z
e h e h
e e h h
h
TE

(4.57)

24

Figura 4.3 Arranjo refletor com patch retangular condutor sobre substrato dieltrico com
duas camadas de material anisotrpico uniaxial:
(a) seo transversal e
(b) circuito equivalente para os modos TM e TE.

25
CAPTULO 5
DETERMINAO DOS CAMPOS INCIDENTES

5.1 Introduo

O prximo passo para a obteno dos coeficientes pesos presentes na equao
(3.18), a determinao dos campos incidentes. Os campos incidentes para os modos TE e
TM, podem ser obtidos por meio dos potenciais incidentes ( ). Os campos incidentes so
calculados na presena da estrutura dieltrica, mas com todas as fontes ( elementos patch )
removidas [27].

5.2 Deduo dos campos incidentes

Uma configurao geral apresentada na Figura 5.1. O potencial de cada regio
definido como:
z y j x j z y j x j TM TE
e e e e e
0 0 0 0 0 0
Re
,
0

+ =
(5.1)
( ) ( ) | | z C z C e e
y j x j TM TE
1 12 1 11
,
1
senh cosh
0 0


+ =
(5.2)
( ) ( ) | | z C z C e e
M M M M
y j x j TM TE
M


senh cosh
2 1
,
0 0
+ =
M
(5.3)
z y j x j TM TE
M
e e Te
0 0 0
,
1

=
+
(5.4)

onde
0
e
0
so obtidos fazendo m = n = 0 nas equaes (3.11) e (3.12). Para o caso de
um reflectarray, com um plano de terra constitudo por um condutor perfeito e localizado
na interface inferior (z = -t
M
), a equao (5.4) se anula no havendo campo transmitido para
a regio M+1. A equao (5.3) modificada de tal forma que satisfaa as condies de
contorno que o campo eltrico tangencial produz no condutor (z = -t
M
)). A equao
modificada dada por:
Modos TE:
( ) | |
M M M
y j x j TE
M
t z senh C e e + =

2
0 0
(5.5)
Modos TM:
( ) | |
M M M
y j x j TM
M
t z C e e + =

cosh
2
0 0
(5.6)

26


Figura 5.1 Potenciais incidentes em uma estrutura de multicamadas dieltricas.

Modos TE:

y
E
TE
i i
x

=
1
(5.7)
x
E
TE
i i
y

=
1
(5.8)
z x j
H
TE
i i
x


=
1
2
0
1

(5.9)
z y j
H
TE
i i
y


=
1
2
0
1

(5.10)

Modos TM:

z x j
E
TM
i
ixx
i
x


=
1
2
0
1

(5.11)

27
z y j
H
TM
i
ixx
i
y


=
1
2
0
1

(5.12)
y
H
TE
i i
x

=
1
(5.13)
x
H
TE
i i
y

=
1
(5.14)

Inicialmente, sero determinados os campos incidentes para um reflectarray usando
duas camadas dieltricas anisotrpicas. Particularmente, para a estrutura da (Figura 5.2), os
potenciais incidentes so dados por:

z y j x j z y j x j TM TE
e e e e e
0 0 0 0 0 0
Re
,
0

+ =
(5.15)
( ) ( ) | | z senh C z C e e
y j x j TM TE
1 12 1 11
,
1
cosh
0 0


+ =
(5.16)
( ) | |
M
y j x j TE
t z senh C e e + =
2 22 2
0 0

(5.17)
( ) | |
M
y j x j TM
t z C e e + =
2 22 2
cosh
0 0

(5.18)


Figura 5.2 Potenciais incidentes no patch condutor, sobre um substrato dieltrico
composto por duas camadas de material anisotrpico uniaxial.

Para obter os campos incidentes necessrio determinar os coeficientes
desconhecidos R, C
11
, C
12
e C
22
presentes nas equaes (5.15) (5.18). A partir das

0

0

3

3

2

2

1
TM,TE

2
TM,TE

0
TM,TE

28
equaes (5.7) a (5.14) e garantindo-se as condies de continuidade dos campos
incidentes, determinam-se os coeficientes desconhecidos R, C
11
, C
12
e C
22
das equaes
(5.15) a (5.18). E, com isso, os campos incidentes, para os modos TE e TM.

Referindo-se Figura 5.2, tem-se para os modos TE:

Referente ao campo eltrico:
Para
0 = z
:

( )
y j x j
TE
x
e e R j
y
E
0 0
1
0
0 1
+ =

=
(5.19)
y j x j
TE
x
e e C j
y
E
0 0
11 0
1 2
=

=
(5.20)

Para
h z =
:

( ) ( ) | | h C h C e e j
y
E
h h
y j x j
TE
x 2 12 2 11 0
1 2
senh cosh
0 0


=

=
(5.21)
( ) ( ) h t C e e j
y
E
h
y j x j
TE
x
=

=
3 22 0
2 3
senh
0 0


(5.22)

Em relao ao campo magntico, tem-se:
Para
0 = z
:
( ) R e e
z x j
H
y j x j
TE
x
=


= 1
1
0 0
0
0 0 0
2
0
1

(5.23)
12
0
2 0 1
2
0
2
0 0
1
C e e
z x j
H
y j x j h
TE
x

=


=
(5.24)


29
Para
h z =
:
( ) ( ) | | h C h C e e
z x j
H
h h
y j x j h
TE
x 2 12 2 11
0
2 0 1
2
0
2
cosh senh
1
0 0

+ =


= (5.25)
( ) ( ) h t C e e
z x j
H
h
y j x j h
TE
x
=


=
3 22
0
3 0 2
2
0
3
cosh
1
0 0

(5.26)

Aplicando-se as condies de continuidade, obtm-se:
Para
0 = z
:

( ) R C E E
x x
+ = = 1
11
2 1
(5.27)
( ) R C H H
h
x x
= = 1
2
0
12
2 1

(5.28)

Para h z = :

( ) ( )
( )
2 3
2 12 2 11
22
3 2
senh
senh cosh
h
h C h C
C E E
h
h h
x x

= =
(5.29)
( ) ( ) | |
( )
2 3
2 11 2 12
3
2
22
3 2
cosh
senh cosh
h
h C h C
C H H
h
h h
h
h
x x

= =
(5.30)
Igualando as equaes (5.29) e (5.30), obtemos:

( ) ( )
( )
( ) ( ) | |
( )
2 3
2 11 2 12
3
2
2 3
2 12 2 11
cosh
senh cosh
senh
senh cosh
h
h C h C
h
h C h C
h
h h
h
h
h
h h

(5.31)

Define-se:
( ) ( )
2 3 2
cosh cosh h h A
h h R
=
(5.32)
( ) ( )
2 3 2
cosh senh h h B
h h R
=
(5.33)

30
( ) ( )
2 3 2
senh senh h h C
h h R
=
(5.34)
( ) ( )
2 3 2
senh cosh h h D
h h R
=
(5.35)
2
1
h
h
R
E

=
(5.36)
( ) ( )
2 3 2
senh cosh h h D
h h R
=
(5.37)
2
0
h
R
G

=
(5.38)

obtm-se, para a estrutura reflectarray com duas camadas de material anisotrpico uniaxial
(Figura 5.2), que:

R R R R R R R
R R R R R R R
D G C E B F A
D G C E B F A
R
+ + +
+ +
=
(5.39)

Depois de determinado o coeficiente de reflexo, R, determinam-se os campos
incidentes para a estrutura analisada. A partir dos potenciais incidentes obtm-se, para os
modos TE, as seguintes expresses para os campos incidentes:

( )
y j x j
R R R R R R R
R R R R inc
x
e e
D G C E B F A
D G B F j
E
0 0
0
2

+ + +
+
=
(5.40)
( )
y j x j
R R R R R R R
R R R R inc
y
e e
D G C E B F A
D G B F j
E
0 0
0
2

+ + +
+
=
(541)
( )
y j x j
R R R R R R R
R R R inc
x
e e
D G C E B F A
C E A
H
0 0
2
0
0 0

+ + +
+
=
(5.42)
( )
y j x j
R R R R R R R
R R R inc
y
e e
D G C E B F A
C E A
H
0 0
2
0
0 0

+ + +
+
=
(5.43)


31
Referindo-se Figura 5.2, tem-se para os modos TM:

Referente ao campo eltrico:
Para
0 = z
:

( )
y j x j
TM
x
e e R
z x j
E
0 0
1
1
0
0 0 0
2
0
1

=


=
(5.44)
y j x j
xx
e
TM
xx
x
e e C
z x j
E
0 0
12
2 0
2 0 1
2
2 0
2
1




=


=
(5.45)

Para
h z =
:

( ) ( ) | |
y j x j
e e
xx
e
x
e e h C h C E
0 0
2 11 2 12
2 0
2 0 2
senh cosh




=
(5.46)
( )
y j x j
e
xx
e
TM
xx
x
e e h C
z x j
E
0 0
2 3 22
3 0
3 0 2
2
3 0
3
senh
1

=


=
(5.47)

Em relao ao campo magntico, tem-se:
Para
0 = z
:

( )
y j x j
TM
x
e e R j
y
H
0 0
1
0
0 1
+ =

=
(5.48)
y j x j
TM
x
e e C j
y
H
0 0
11 0
1 2
=

=
(5.49)

Para
h z =
:

32
( ) ( ) | |
y j x j
e e
TM
x
e e h C h C j
y
H
0 0
2 12 2 11 0
1 2
senh cosh

=

=
(5.50)
( )
y j x j
e
TM
x
e e h C j
y
H
0 0
2 3 22 0
2 3
cosh

=

=
(5.51)

Aplicando-se as condies de continuidade, obtm-se:
Para
0 = z
:

( ) R C E E
e
xx
x x
= = 1
2
0 2
12
2 1

(5.52)
( ) R C H H
x x
+ = = 1
11
2 1
(5.53)

Para h z = :
( )
( )
( )
( )
(

= =
2 3
2
11
2 3
2
12
2 3
3 2
22
3 2
senh
senh
senh
cosh
h
h
C
h
h
C C E E
e
e
e
e
xx e
xx e
x x

(5.54)
( )
( )
( )
( )
2 3
2
12
2 3
2
11 22
3 2
cosh
senh
cosh
cosh
h
h
C
h
h
C C H H
e
e
e
e
x x

= =
(5.55)
Igualando as equaes (5.29) e (5.30), obtem-se:

( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
2 3
2
12
2 3
2
11
2 3
2
11
2 3
2
12
2 3
3 2
cosh
senh
cosh
cosh
senh
senh
senh
cosh
h
h
C
h
h
C
h
h
C
h
h
C
e
e
e
e
e
e
e
e
xx e
xx e

=
(

(5.56)

Define-se:
( ) ( )
2 3 2
cosh cosh h h I
e e R
=
(5.57)
( ) ( )
2 3 2
cosh senh h h K
e e R
=
(5.58)
( ) ( )
2 3 2
senh senh h h L
e e R
=
(5.59)

33
( ) ( )
2 3 2
senh cosh h h M
e e R
=
(5.60)
xx e
xx e
R
N
2 3
3 2


=
(5.61)
2
2 0
e
xx
R
P

=
(5.62)
3
3 0
e
xx
R
Q

=
(5.63)

obtm-se:
R R R R R R R
R R R R R R R
M L P K N I Q
M L P K N I Q
R
+ + +
+
=
(5.64)

Depois de determinado o coeficiente de reflexo, R, determinam-se os campos
incidentes para a estrutura analisada. A partir dos potenciais incidentes obtm-se, para os
modos TE, as seguintes expresses para os campos incidentes:

( )
R R R R R R R
R R R inc
x
M L P K N I Q
M K N
E
+ + +
+
=
2
0
0 0

(5.65)
( )
R R R R R R R
R R R inc
y
M L P K N I Q
M K N
E
+ + +
+
=
2
0
0 0

(5.66)
R R R R R R R
R R R R inc
x
M L P K N I Q
L P I Q
j H
+ + +
+
=
0
2
(5.67)
R R R R R R R
R R R R inc
x
M L P K N I Q
L P I Q
j H
+ + +
+
=
0
2
(5.68)





34
5.3 Concluso

Neste captulo, foram deduzidas as expresses dos campos incidentes para a
estrutura de reflectarray. A deduo dessas expresses para os campos incidentes uma
etapa necessria para determinao dos campos espalhados pela estrutura de reflectarray.
No Captulo 6 sero determinadas as expresses para as correntes superficiais
induzidas e, conseqentemente, para os campos espalhados.

35
CAPTULO 6
DETERMINAO DOS COEFICIENTES DE REFLEXO

6.1 Introduo

Nos captulos 4 e 5, foram determinadas respectivamente a funo didica de Green
e as expresses para os campos incidentes para as estruturas reflectarrays analisadas. Uma
vez determinadas as componentes da funo didica de Green e os campos incidentes,
determinam-se as correntes superficiais induzidas e, conseqentemente, os campos
espalhados. A partir destes campos eltricos espalhados pode-se calcular as caractersticas
de reflexo da estrutura.

6.2 Determinao dos coeficientes de reflexo da estrutura

As equaes dos coeficientes de reflexo e transmisso foram deduzidas no
Apndice B e so dadas por:

( ) ( ) ( ) ( ) | |
( )
0
2 2
/
~
,
~ ~
,
~


mn n m
mn
r
y n m
S
y n mn
r
x n m
S
x m
TM
mn
E E E E
R
+
+ + +
=
(6.1)
( ) ( ) ( ) ( ) | |
2 2
~
,
~ ~
,
~
n m
mn
r
y n m
S
y m mn
r
x n m
S
x n TE
mn
E E E E j
R


+
+ +
=
(6.2)
( ) ( ) ( ) ( ) | |
2 2
~
,
~ ~
,
~
n m
mn
t
y n m
S
y m mn
t
x n m
S
x n TE
mn
E E E E j
T


+
+ +
=
(6.3)
( ) ( ) ( ) ( ) | |
( )
0
2 2
/
~
,
~ ~
,
~


mn n m
mn
t
y n m
S
y n mn
t
x n m
S
x m TM
mn
E E E E
T
+
+ + +
=
(6.4)
onde:
2
0
2 2
k
mn mn mn
+ =
(6.5)


36
Os termos dos campos refletidos e transmitidos so includos quando m = n = 0
[28].
As equaes (6.1) a (6.4) dos campos refletidos e transmitidos so apresentados em
[2] e [27].
Para a estrutura de reflectarray apenas os campos refletidos so calculados j que
devido presena do plano de terra no h campo transmitido atravs da interface
condutora em z = -t
M
(Figura 5.2)

Modo TE:

R j E
r
x 0
~
=
(6.6)
R j E
r
y 0
~
=
(6.7)

Modo TM:

R E
r
x
0
0 0
~

=
(6.8)
R E
r
y
0
0 0
~

=
(6.9)

Como pode-se observar, os campos refletidos esto em funo do coeficiente de
reflexo, R que foi determinado no Captulo 5. De posse da expresso para este coeficiente,
os campos podem ser determinados.

6.3 Determinao dos campos refletidos

Sero deduzidas equaes para os campos refletidos para a estrutura analisada nos
captulos 4 e 5.


37
Modo TE:

|
|

\
|
+ + +
+ +
=
R R R R R R R
R R R R R R R r
x
D G C E B F A
D G C E B F A
j E
0
~

(6.6)
|
|

\
|
+ + +
+ +
=
R R R R R R R
R R R R R R R r
y
D G C E B F A
D G C E B F A
j E
0
~

(6.7)

Modo TM:

|
|

\
|
+ + +
+
=
R R R R R R R
R R R R R R R r
x
M L P K N I Q
M L P K N I Q
E
0
0 0
~

(6.8)
|
|

\
|
+ + +
+
=
R R R R R R R
R R R R R R R r
y
M L P K N I Q
M L P K N I Q
E
0
0 0
~

(6.9)

6.4 Concluso

Neste captulo, foram deduzidas as expresses dos campos refletidos para a
estrutura de reflectarray analisada com elementos do tipo patch retangular condutor e patch
de microfita, sobre duas camadas dieltricas anisotrpicas.
No Captulo 7, so apresentados os resultados para os coeficientes de reflexo,
obtidos atravs das expresses determinadas neste trabalho.

38
CAPTULO 7
RESULTADOS NUMRICOS

7.1 Introduo

A partir das expresses desenvolvidas nos captulos anteriores, foi elaborado um
programa, em linguagem de programao, com o objetivo de obter valores numricos para
a caracterizao de reflectarrays sobre dieltricos isotrpicos e anisotrpicos.
A Tabela 1 apresenta alguns materiais dieltricos comerciais e algumas das suas
caractersticas [29]:

Tabela 1 Materiais dieltricos comerciais e suas caractersticas.
Material
r
x 10
4
(p/ 10 GHz)
RT-duroid 5880 2,16 2,24 5 15
RT-duroid 6010 10,2 10,7 10 60
Epsilam - 10 10 - 13 20
Alumina 9,6 10,4 0,5 3,0
Quartzo 3,78 1
Safira
6 , 11
4 , 9
2
1
=
=
r
r

0,4 0,7
PBN
12 , 5
4 , 3
2
1
=
=
r
r

___

7.2 Funes de base

As funes de base utilizadas na anlise numrica so funes de base do domnio
inteiro e foram propostas por Mitrra em [28], sendo dadas por:

( )
( )
( ) | |
2 / 1
2
/ 2 1
/ 2
2

,
L y
L y T
W
x
W
q
sin x y x J
q
xpq

\
|
+ =

(7.1)

39
( )
( )
( ) | |
2 / 1
2
/ 2 1
/ 2
2

,
W x
W x T L
y
L
r
sin y y x J
r
ypq

\
|
+ =

(7.2)

onde p, s = 0,1,2... e q, r = 1,2..., sendo T
i
a i-sima funo e Chebyshev de primeira ordem.
As dimenses do patch nas direes x e y so respectivamente W e L.
As transformadas de Fourier destas funes de base so dadas por [27]:
( ) |

\
|
(

\
|
+ |

\
|
+ =

2 2 2
1
2 2
'
~
1
L
J
W q
sinc
W q
sinc c J
p
q
xpq (7.3)
( ) |

\
|
(

\
|
+ |

\
|
+ =

2 2 2
1
2 2
' '
~
1
W
J
L s
sinc
L s
sinc c J
r
s
ypq (7.4)
As constantes de multiplicao podem ser absorvidas pelos coeficientes peso e,
desta forma, no so exigidas no clculo das correntes superficiais induzidas. J
p
e J
r
so as
funes de Bessel de p-sima e r-sima ordem, respectivamente.
Para o clculo das caractersticas de reflexo da estrutura em anlise (reflectarray),
foram usadas quatro funes de base na direo x e quatro na direo y, sendo p = s = 0,1 e
q = r = 1,2.

7.3 Resultados numricos

Para a obteno dos resultados apresentados neste trabalho foi necessrio
primeiramente realizar um estudo de convergncia para determinar o nmero mnimo
adequado de variveis espectrais (M,N) necessrias para que o programa computacional de
simulao gerasse resultados estveis. Algumas curvas obtidas neste estudo so mostradas
na Figura 7.1.
Para validao dos resultados numricos obtidos neste trabalho, foram efetuadas
comparaes com resultados extrados da literatura. Tais comparaes podem ser
observadas na figuras 7.2, na figura 7.10 e na figura 7.11.

40


7 8 9 10 11 12 13 14 15
-0.5
-0.45
-0.4
-0.35
-0.3
-0.25
-0.2
-0.15
-0.1
-0.05
0
Freqncia (GHz)
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)

M=N=3
M=N=5
M=N=10
M=N=15
M=N=30
M=N=60

Figura 7.1 Anlise de convergncia.

Na Figura 7.1 pode-se observar que para um nmero de variveis espectrais acima
de 15 a variao do resultado torna-se desprezvel. J para um nmero acima de 30
variveis espectrais, torna-se quase imperceptvel esta variao.

41



2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
Comprimento A [mm]
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)


z z
= 5

z z
= 3,5
z z
=1

z z
= 7


Figura 7.2 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray usando patch
retangular e substrato anisotrpico uniaxial de
xx
=3,5. () Este trabalho e () [30]

Na Figura 7.2, observa-se o mdulo coeficiente de reflexo da estrutura em funo
da variao de uma das dimenses do patch retangular (dimenso A). Verifica-se uma boa
concordncia entre resultados deste trabalho com o resultado de [30]. Observa-se tambm
uma variao da freqncia de corte para diferentes valores da permissividade eltrica no
eixo ptico e um acrscimo na banda de rejeio da estrutura em funo da diminuio do
valor de
zz
. Os resultados foram obtidos para a freqncia de 10 GHz.

42


0.5 1 1.5 2
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
N
x
/ N
z
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)


Figura 7.3 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray usando patch
retangular e substrato anisotrpico uniaxial, com eixo ptico na direo z,
yy
=
xx
=3,5,
tan
e
= 0,002 e
zz xx z x
N N = / .

A Figura 7.3 mostra o comportamento do mdulo do coeficiente de reflexo pela
estrutura em funo da variao do valor de
zz
(
zz xx z x
N N = / e
xx
constante e igual
3,5 ) para a freqncia de 10GHz.

43



0 2 4 6 8 10 12
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
N
x
/ N
z
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)


Figura 7.4 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray usando patch
retangular e substrato anisotrpico uniaxial, eixo ptico na direo z,
yy
=
xx
=3,5, tan
e
=
0,002 e
zz xx z x
N N = / .

Na Figura 7.4 tem-se o resultado da anlise do mdulo do coeficiente de reflexo da
estrutura em funo da variao de
zz
(
zz xx z x
N N = / e
xx
constante e igual 3,5 )
para a freqncia de 18GHz.

44


7 8 9 10 11 12
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
Freqncia (GHz)
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)

PBN
Fibra de Vidro

Figura 7.5 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray com os substratos PBN
e fibra de vidro, tan
e
= 0,002.

A Figura 7.5 mostra mdulo do coeficiente de reflexo de um arranjo refletor sobre
material anistrpico (PBN) comparada com o mdulo do coeficiente de reflexo do mesmo
arranjo refletor sobre material isotrpico (fibra de vidro). Esta comparao foi efetuada
para observar a validao da frmula aproximada
zz xx eq
=
[31]. O eq

para o PBN
igual a 4,172 que um valor aproximado da permissividade relativa da fibra de vidro
( 4 , 4 =
r
).

45


7 8 9 10 11 12 13 14
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
Freqncia (GHz)
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)

PTFE
Fibra de Vidro
Quartzo
r
= 2,2
r
= 3,78

r
= 4,4



Figura 7.6 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray com os substratos
PTFE, fibra de vidro e quartzo, tan
e
= 0,002.

A Figura 7.6 mostra o mdulo coeficiente de reflexo de um arranjo refletor sobre
diversos materiais isotrpicos. Observa-se que a freqncia de ressonncia inversamente
proporcional ao valor de
r

. Nota-se tambm quem a largura de banda e o nvel de

rejeio do sinal foram mais acentuados para os arranjos refletores sobre o material
dieltrico com o menor valor de
r

.

46



14 15 16 17 18 19 20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
Frequencia (GHz)
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)

h =0.0 mm
h =0.1 mm
h =0.76mm
h =1.52mm

Figura 7.7 Mdulo do coeficiente de reflexo de um reflectyarray suspenso.

A Figura 7.7 apresenta o mdulo do coeficiente de reflexo para uma estrutura de
reflectarray suspensa. Observa-se o mdulo do coeficiente de reflexo em funo da
freqncia para diferentes medidas de afastamento do reflectarray com relao ao plano de
terra. Um benefcio desse tipo de estrutura pode ser observado na curva azul (h=1,52mm),
onde obtm-se uma significativa atenuao do sinal refletido para a banda de freqncia de
15 a 19 GHz.

47


-89 -60 -30 0 30 60 89
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
ngulo de incidncia (Graus)
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)


Figura 7.8 Mdulo do coeficiente de reflexo versus a variao do ngulo de incidncia
do campo.

A Figura 7.8 apresenta o mdulo do coeficiente de reflexo para uma estrutura de
reflectarray sobre material dieltrico PBN na freqncia de 18,9 GHz. Os resultados foram
obtidos variando-se o ngulo de incidncia do campo sobre a estrutura e demonstra que o
mdulo do coeficiente de reflexo da estrutura muda em funo da variao do ngulo de
incidncia do campo.

48


7 7.5 8 8.5 9 9.5 10
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
Frequencia (GHz)
M

d
u
l
o

d
o

C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

R
e
f
l
e
x

o

(
d
B
)

= 45
= 67.5
= 90

Figura 7.9 Coeficiente de reflexo versus a variao de .

Na figura 7.9 observa-se que com a variao do na estrutura ocorre uma ligeira
variao do coeficiente de reflexo, tanto na amplitude quanto na freqncia de
ressonncia. Desta forma, deve ser considerado no projeto de reflectarrays.

49



0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
-180
-120
-60
0
60
120
180
Tamanho do Patch (L=W)
C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

r
e
f
l
e
x
a
o

-

f
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)


Este Trabalho

[11]

Figura 7.10 Coeficiente de reflexo de fase versus tamanho do patch quadrado.

A Figura 7.10 faz um comparativo dos resultados obtidos nesse trabalho com o
resultado da referencia [11]. Observa-se uma boa convergncia entre os resultados. Os
resultados foram obtidos para uma estrutura de reflectarray com patches quadrados,
33 , 2 =
r
na freqncia de 10 GHz.

50


Figura 7.11 Coeficiente de reflexo de fase versus tamanho do patch quadrado
comparado com resultado da literatura. () Este trabalho e (---) [7]

A Figura 7.11 apresenta o comparativo do resultado obtido neste trabalho com os
resultados de [7]. Percebe-se uma boa concordncia entre os resultados para os patches
quadrados de dimenses aproximadas a 0,926cm. J para os patches com dimenses
inferiores a 0,748 e superiores a 1,111 a diferena se torna mais acentuada com relao ao
coeficiente de reflexo de fase (graus), contudo para os piores casos esta diferena no
supera em muito os 5% de erro. Os resultados foram obtidos para a freqncia de 10 GHz,

xx
=2,3

51


7 8 9 10 11 12 13
-180
-120
-60
0
60
120
180
Freqncia (GHz)
C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

r
e
f
l
e
x

o

d
e

f
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)

PBN
Fibra de Vidro

Figura 7.12 Fase do coeficiente de reflexo de fase de um reflectyarray com os substratos
PBN e fibra de vidro, tan
e
= 0,002.

A Figura 7.12 mostra a fase do coeficiente de reflexo para um arranjo refletor
sobre material anistrpico (PBN) comparada com a potncia refletida de um arranjo refletor
sobre material isotrpico (fibra de vidro). Esta comparao foi efetuada para observar a
validao da frmula aproximada
zz xx eq
=
[31]. O eq

para o PBN igual a 4,172

que um valor aproximado da permissividade relativa da fibra de vidro ( 4 , 4 =
r
).

52



7 8 9 10 11 12 13 14
-180
-120
-60
0
60
120
180
Freqncia (GHz)
C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

r
e
f
l
e
x

o

-

f
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)

Quartzo
Fibra de Vidro
PTFE
r
= 4,4
r
= 3,78
r
= 2,2




Figura 7.13 Fase do coeficiente de reflexo para um arranjo refletor com os substratos
PTFE, fibra de vidro e quartzo, tan
e
= 0,002.

A Figura 7.13 mostra a fase do coeficiente de reflexo para um arranjo refletor
sobre diversos materiais isotrpicos. Observa-se que a resposta em freqncia da estrutura
inversamente proporcional ao valor de
r

.

53


-89 -60 -30 0 30 60 89
50
60
70
80
90
100
110
Angulo de Incidncia (Graus)
C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

r
e
f
l
e
x

o

-

f
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)


Figura 7.14 Fase do coeficiente de reflexo versus a variao do ngulo de incidncia do
campo.

A Figura 7.14 apresenta a fase do coeficiente de reflexo para uma estrutura de
arranjo refletor sobre material dieltrico PBN na freqncia de 18,9 GHz. Os resultados
foram obtidos variando-se o ngulo de incidncia do campo sobre a estrutura.


54


7 7.5 8 8.5 9 9.5 10
-180
-120
-60
0
60
120
180
Freqncia (GHz)
C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

d
e

r
e
f
l
e
x

o

-

f
a
s
e

(
g
r
a
u
s
)

= 45
= 67.5
= 90

7.15 Fase do coeficiente de reflexo versus a variao de .

Na Figura 7.15 observa-se que com a variao do na estrutura ocorre uma ligeira
variao na fase do coeficiente de reflexo da estrutura.

55
CAPTULO 8
CONCLUSO

Neste trabalho, foram apresentados o desenvolvimento terico e resultados
numricos obtidos para a caracterizao da reflexo em arranjos refletores (reflectarrays),
com elementos do tipo patch condutor retangular, como clulas peridicas, montadas sobre
duas camadas de dieltricos anisotrpicos uniaxiais. Para isto, foi usado o mtodo da linha
de transmisso equivalente, no domnio espectral, em combinao com o mtodo dos
momentos.
Os arranjos refletores (reflectarrays) mostraram-se estruturas leves e fceis de
fabricar e tanto pode ser usada em estruturas planares como em estruturas curvas.
Na anlise, observou-se que h uma flexibilidade muito boa no que diz respeito aos
parmetros de projeto dos reflectarrays. Variaes nas dimenses fsicas das clulas
unitrias, na espessura dos substratos, no tipo de material dieltrico empregado, no ngulo
de incidncia ( e ), bem como no ngulo de defasagem entre as clulas, , provocam
alteraes na freqncia de ressonncia e na largura de banda da estrutura analisada.
O reflectarray apresentou o fenmeno de seletividade de freqncia com relao ao
coeficiente de reflexo de amplitude e sua fase.
As comparaes realizadas com os resultados existentes na literatura para
reflectarrays sobre substratos isotrpicos serviram para validao da anlise efetuada. Os
resultados obtidos neste trabalho apresentaram uma boa concordncia com os resultados
existentes na literatura.
Verificaram-se vantagens significativas na utilizao de materiais anisotrpicos em
estruturas reflectarrays. Os materiais anisotrpicos apresentam, ainda, uma baixa tangente
de perdas, consistindo uma vantagem a mais na utilizao destes dieltricos.
Quanto aos mtodos de anlise, observa-se que os mesmos mostraram-se eficientes,
precisos e prticos, podendo ser aplicados, por exemplo, para outros tipos de patches,
modificando-se as funes de base das correntes superficiais induzidas.
Como continuidade desta pesquisa, sugere-se a anlise de reflectarrays com
elementos do tipo abertura, a anlise de reflectarrays com outros tipos de elementos do tipo
patch e a anlise de reflectarrays em superfcies curvas.

56
APNDICE A
DEDUO DAS EXPRESSES PARA OS CAMPOS INCIDENTES.

Neste apndice, apresenta-se a deduo das equaes dos campos incidentes para o
caso com anisotropia dieltrica.
Para o modo TE escolhe-se o vetor potencial z F
TE
=
r
, e as equaes, para
deduo dos campos eltricos e magnticos so dadas por [32].
F E
r r
=
(A.1)
( ) F
j
F j H
r r r
.
1
0
+ =

(A.2)
tem-se que:
y
x
x
y z y x
z y x
F
TE TE
TE

0 0

=
(
(
(
(

=
r
(A.3)
( ) z
z
y
z y
x
z x
F
TE TE TE
.
2
2 2 2

+


+


=
r
(A.4)

Substituindo-se (A.3) em (A.1), obtm-se:
y
x
x
y
E
TE TE

=
r
(A.5)
A equao (A.5), produz as seguintes componentes de campo eltrico:
y
E
TE
x

=
(A.6)
x
E
TE
y

=
(A.7)
Substituindo-se (A.4) e o vetor potencial, F
r
, em (A.2), obtm-se:

57
|
|

\
|

+


+


+ = z
z
y
z y
x
z x j
z j H
TE TE TE
TE

1

2
2 2 2
0

r
(A.8)
A equao (A.8), produz as seguintes componentes de campo magntico:
z x j
H
TE
x


=
2
0
1

(A.9)
z y j
H
TE
y


=
2
0
1

(A.10)
TE
TE
z
j
z
j
H

2
2
0
1
(A.11)

Para o caso TM escolhe-se o vetor potencial z A
TM
=
r
, e as equaes para
deduo dos campos eltricos e magnticos so dadas por [33]:
( ) A
j
A j E
r r r
.
1
0
+ =

(A.12)
A H
r r
=
(A.13)
tem-se que:
( ) z
z
y
z y
x
z x
A
TM TM TM
.
2
2 2 2

+


+


=
r
(A.14)
y
x
x
y z y x
z y x
A
TM TM
TM

0 0

=
(
(
(
(

=
r
(A.15)

Substituindo-se (A.14) e o vetor potencial, A
r
, em (A.12), tem-se:
|
|

\
|

+


+


+ = z
z
y
z y
x
z x j
z j E
TM TM TM
TM

1

2
2 2 2
0

r
(A.16)

58
A equao (A.16), produz as seguintes componentes de campo eltrico:
z x j
E
TM
xx
x


=
2
1

(A.17)
z y j
E
TM
xx
y


=
2
1

(A.18)
TM
TM
zz
z
j
z
j
E

=
0
2
2
1

(A.19)
Substituindo-se (A.15) em (A.13), obtm-se:
y
x
x
y
H
TM TM

=
r
(A.20)
A equao (A.20), produz as seguintes componentes de campo magntico:

x
y
H
TM
x

=
(A.21)
y
x
H
TM
y

=
(A.22)

59
APNDICE B
DEDUO DAS EXPRESSES PARA COEFICIENTES DE REFLEXO E
TRANSMISSO.

Neste apndice apresenta-se a deduo das equaes dos coeficientes de reflexo
para os modos TE e TM.
Considerando-se uma onda plana incidente com os vetores potenciais eltricos
dados por:
z y j x j
e e e z A
0 0 0

=
r
(B.1)
z y j x j
e e e z F
0 0 0

=
r
(B.2)
O campo total espalhado para z = 0, pode ser escrito como a superposio das
harmnicas de Floquet e tem a seguinte forma:

+ =
p q
z y j x j
s
pq
z y j x j r S pq pq pq
e e e E e e e E E


r r r
0 0 0
00
(B.3)
onde:
2
0
2 2
k
q p pq
+ =
(B.4)
Uma forma alternativa de
S
E
r
dada por:
( )
s s s S
A
j
A j F E
r r r r
.
1
0
0
+ =

(B.5)
onde os potenciais espalhados, para z = 0, so dados por:

=
=
p q
pq
TM
pq
s
R z A
r
(B.6)

=
=
p q
pq
TE
pq
s
R z F
r
(B.7)



60

Desta forma os campos espalhados nas direes x e y so dados por:

=

|
|

\
|
=
p
pq
q
TM
pq
pq p
TE
pq q
s
x
R R j E
0

(B.8)

=

|
|

\
|
=
p
pq
q
TM
pq
pq p
TE
pq q
s
y
R R j E
0

(B.9)
Multiplicando-se a equao (B.3), (B.8) e (B.9) por
mn
e integrando-se sobre a clula
unitria, obtm-se:

+ =
. .
*
. .
*
00
. .
*
0 0 0
unit cel
p q
mn
z y j x j
s
xpq
unit cel
mn
z y j x j r
x
unit cel
mn
S
x
dS e e e E dS e e e E dS E
pq q p



(B.10)

+ =
. .
*
. .
*
00
. .
*
0 0 0
unit cel
p q
mn
z y j x j
s
ypq
unit cel
mn
z y j x j r
y
unit cel
mn
S
y
dS e e e E dS e e e E dS E
pq q p



(B.11)

=

|
|

\
|
=
. .
*
0
. .
*
unit cel
p q
mn pq
TM
pq
pq p
TE
pq q
unit cel
mn
S
x
dS R R j dS E

(B.12)

=

|
|

\
|
=
. .
*
0
. .
*
unit cel
p q
mn pq
TM
pq
pq p
TE
pq q
unit cel
mn
S
y
dS R R j dS E

(B.13)

Note que o lado esquerdo das equaes (B.10) a (B.13) so as transformadas de
Fourier de
S
x
E e
S
y
E , respectivamente, calculadas para
m
e
n
, devido propriedade de
ortogonalidade das harmnicas de Floquet e igualando a equao (B.10) a (B.12) e a
equao (B.11) a (B.13), obtm-se:
( )
TM
mn
mn
mn
TE
mn mn mn mn
S
x mn
r
x
R R j E E
0
,
~ ~

= +
(B.14)

61
( )
TM
mn
mn
mn
TE
mn mn mn mn
S
x mn
r
y
R R j E E
0
,
~ ~

= +
(B.15)
Multiplicando-se (B.14) por
mn
e (B.15) por
mn
e somando-se as duas obtm-se:
( ) ( ) ( ) ( ) | |
( )
0
2 2
/
~
,
~ ~
,
~


mn n m
mn
r
y n m
S
y n mn
r
x n m
S
x m
TM
mn
E E E E
R
+
+ + +
=
(B.16)
Multiplicando-se (B.14) por
mn
e (B.15) por
mn
e somando-se as duas obtm-se:
( ) ( ) ( ) ( ) | |
2 2
~
,
~ ~
,
~
n m
mn
r
y n m
S
y m mn
r
x n m
S
x n
TE
mn
E E E E j
R


+
+ +
=
(B.17)

Executando procedimento anlogo ao utilizado na seo B.1, pode-se obter os
coeficientes de transmisso para os modos TE e TM.
As equaes dos coeficientes de transmisso para os modos TE e TM so dadas por:

( ) ( ) ( ) ( ) | |
2 2
~
,
~ ~
,
~
n m
mn
t
y n m
S
y m mn
t
x n m
S
x n
TE
mn
E E E E j
T


+
+ +
=
(B.18)
( ) ( ) ( ) ( ) | |
( )
0
2 2
/
~
,
~ ~
,
~


mn n m
mn
t
y n m
S
y n mn
t
x n m
S
x m
TM
mn
E E E E
T
+
+ + +
=
(B.19)

62
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS


[1] http://www.aminharadio.com/biografia_landell.html, Bibliografia do padre Landell de
Moura, consulta feita em 21/05/2006.
[2] A. L. P. S. Campos, Superfcies Seletivas de Freqncia sobre Dieltricos
Anisotrpicos Uniaxiais, Dissertao de Mestrado, DEE CT UFRN, 1999.
[3] D. G. Berry, R. G. Malech, e W. A. Kennedy, The reflectarray antenna, IEEE Trans
Antennas Propagat., vol AP-11, pp. 645-651, Nov. 1963.
[4] J. Huang, Microstrip reflectarrays, Proc. IEEE Int. Symp. Antennas Propagat., 191,
pp. 612-615.
[5] D. M. Pozar, S. D. Targonski e H. D. Syrigos, Design of millimeter wave microstrip
reflectarrays, IEEE Trans. Antennas Propagat., vol.45, pp. 287-296, Feb. 1997.
[6] J. A. Encinar, Design of two-layer prited reflectarray using patches of variable size,
IEEE Trans. Antennas Propagat., vol.49, pp.1403-1410, Oct. 2001.
[7] F. Venneri, L. Boccia, G. Angiukki, G. Amendola e G. Massa, Analysis and Design of
Passive and Active Micristrip Reflectarrays
[8] D.C. Cang e M.C Huang, Microstrip reflectarray antenna with offset feed, Electronics
Letters, vol. 28, pp. 1489-1491, July 1992.
[9] R. D. Javor, X. D. Wu e K. Chang, Design and performance of a microstrip
reflectarray antenna, IEEE Trans. Antenna Propagat., vol 43, pp. 932-939, sept. 1995.
[10] D. M. Pozar e T.A. Metzler, Analysis of a reflectarray antenna using microstrip
patches of variable size, Eletronic Letters, vol. 32, . 1049-1050, June 1996.
[11] K. M. Shum, Q. Xue, C. H. Chang e K. M. Luk, Gain Enchanement of Microstrip
Reflectarray Incorporating a PBG structure, IEEE , 2000.
[12] T. A. Cwik e R. Mittra, Scarttering from a periodic array of free-standing arbitrary
shaped perfectly conducting or resistive patches, IEEE Trans. Antennas Propagat. 35,
1226-1234, 1987.
[13] R. Mttra e R. C. Tsao, Spectral-domain analysis of acircular patch frequency selective
surfaces, IEEE Trans. Antennas Propagat. 32 (5), 533-536, 1984.


63
[14] C. H. Tsao e R. Mittra, Spectral-domain analysis of frequency selective surfaces
comprised of periodic arrays cross dipoles and Jerusalm crosses, IEEE Trans. Antennas
Propagat. AP-32 (5), 478 486, 1984.
[15] R. J. Langley e E. A. Parker, Equivalent circuit model for arrays of square loops,
Eletronics Letters. 18 (7), 294-296, 1982.
[16] C. K. Lee, R. J. Langley e E. A. Parker, Equivalent circuit models for frequency
selective surfaces at obliqe angles of incidente, IEEE Proc. 132 (6), 395 399, 1985.
[17] R. J. Langley e E.A. Parker, Double-square frequency selective surface and their
equivalent circuit Eletronics Letters. 19 (17), 675 677, 1983.
[18] E. A. Parker e J. C. Vardaxoglou, plane-wave illumination of concentric-ring
frequency selective surface, IEEE Proc. 132 (3), 176 180, 1985.
[19] T. Itoh, Spectral domain immitance approach for dispersion characteristics of
generalized printed transmission lines, IEEE Trans. Antennas Propag. (28),.pp. 733 736,
1980.
[20] T. Itoh e R. Mttra, Spectral domain approach for calculating the dispersion
characteristics of microstriplines, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 21, pp. 496-499,
1973.
[21] T. Itoh Numerical techniques for microwave and millimeter wave passive
structure, Jonh Wiley & Sons, New york, E.U.A., 1989.
[22] C. H. Tsao e R. Mittra, A spectral-iteration approach for analyzing scattering from
frequency selective surface, IEEE Trans. Antennas Propag. 30,pp. 303 380, 1982.
[23] C. H. Chang e R. Mittra, On the analysis of frequency selective surface using
subdomain basis functions, IEEE Trans. Antennas Propag. 38(1),pp. 40 50, 1990.
[24] D. M. Pozar, Radiation and scattering from a microstrip patch on a uniaxial
substrate, IEEE Trans. Antennas and Propag. 35(6), pp. 613- 621, 1987.
[25] J. R. S. Oliveira, Antenas de microfita sobre substrato dieltrico anisotrpicos e
ferrimagnticos magnetizados, Tese de Doutorado, DEE CT UFPB, 1996..
[26] Matlab Users guide, The Hath Works inc., 1994.
[27] T. K. Wu, Frequency selective surface and grid array, Jonh Wiley & Sons. New
York, E.U.A.,1995.
[28] R. Mittra, C. H. Chan e T. Cwik, Techniques for analyzing frequency selective

64
surface a review, IEEE Proc. 76 (12), 1593 1615, 1988.
[29] B. Bhat e S. K. Koul, Analysis, design and applications of fin lines, Artech House
inc., 1987.
[30] M. Bozzi, S. Germani e L. Perregrini, A figure of merit for losses in printed
reflectarray elements, IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters, vol.. 3, pp. 257-
260, 2004.
[31] J. R. S. Oliveira, A. G. dAssuno e F. J. V. Sousa, Microstrip patch antennas on
uniaxial anisotropic substrates with several optical axis orientations, SBMO/IEEE Proc.
IMOC, pp 297-302, 1997.
[32] R. F. Harrington, Time-Harmonic Eletromagnetics Fields, McGraw-Hill, New York,
1968.
[33] W. H. Hayt, Jr., Eletromagnetismo, Livros tcnicos e cientficos editora, Rio de
Janeiro, 1978.