1

Projetando com IGBTs

Tudo o que voc sempre quis saber
Engenharia de Aplicaes
Powerex Inc. EUA


2
Tutorial Preperado pelo
Depto. De Engenharia de Aplicaes
Powerex, Inc.
173 Pavilion Lane
Youngwood, PA 15697, EUA
John Donlon jdonlon@pwrx.com +1 724-925-4377
Eric Motto emotto@pwrx.com +1 724-925-4304
Nick Clark nclark@pwrx.com +1 724-925-4312
Bill Kephart wkephart@pwrx.com +1 724-925-4487
www.pwrx.com
3
Temas do Tutorial
Caractersticas Bsicas dos IGBTs
Resumo, Caractersticias Estticas e Dinmicas, Resistncia Trmica, ASO de comutao, ASO de curto-circuito

Consideraes de Aplicao
Tenso nominal, Corrente nominal, Impedncia Trmica, Ciclos Trmicos, Conexo em paralelo

Exemplos de Projetos

Projeto do Circuito de Controle de Gate
V
GE(on)
, V
GE(off)
, R
G
, Corrente de gate e Potncia, Medindo V
CE
, Deteo de Desaturao, Layout, Controles de
Gate Hbridos.

Projeto do Circuito de Potncia
Indutncia parasita, Barramentos Laminados, Snubbers

Tecnologia dos Chips e Encapsulamentos
Avanos em Tecnologia, Estrutura Vertical, Encapsulamentos de alta confiabilidade

Linha de Produtos IGBT da Powerex
Mdulos IGBT Industriais, Mdulos IGBT de alta tenso (HVIGBT), IGBTs de alta freqncia, IPMs
4
Mdulo IGBT
Caractersticas
Bsicas
5
IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor

Controlado por Tenso
Conduz a corrente do coletor ao
emissor quando uma tenso positiva
aplicada entre o gate e o emissor
Mdulos IGBT geralmente incluem um
diodo Free Wheel (FWDi) Observao:
Este um chip individual, e no um elemento
parasita como no caso de um MOSFET.
Caractersticas Fundamentais
V
CES
tenso mxima de bloquieo, entre o
coletor e o emissor.
I
C
corrente nominal do colector
V
CE(SAT)
tenso de saturao, entre o coletor e o
emissor

Gate
Colector
Emisor
Fluxo de
Corrente
6
Por que um IGBT?
Transistores Bipolares de Alta Tenso tm uma baixa tenso em estado ligado
devido conduo de portadoras minoritrias (modulao de condutividade), mas tm
baixo ganho e exigem muita corrente e energia para a base.
Transistores Darlington (transistores bipolares de alta tenso em cascata)
melhoraram o ganho, mas tm maior tenso quando esto ligados (menos eficiente) e
tendem a chavear lentamente.
SCR no se pode controlar o desligamento (sem forar). Serve para as aplicaes com
comutao natural.
GTO baixo ganho de desativao requer alta corrente para desligar. Desligamento
instvel requer ajuda de um circuito snubber com grandes perdas. Um GTO de comutao
forada (GCT) elimina a necessidade de snubber, mas requer ainda mais corrente para
desligar.
MOSFETs so controlados por tenso; portanto, a energia requerida para a comutao
muito baixa e podem chavear muito rpido. Infelizmente, a resistncia em estado ligado
cresce mais do que o quadrado da sua tenso nominal de bloqueio. Assim, a rea de
silcio necessria para aplicaes industriais de alta tenso e potncias mais elevadas
torna-os proibitivamente caros. Alm disso, o diodo parasita integrado tem
caractersticas pobres em alta tenso.
IGBTs so feitos basicamente atravs da converso do diodo integrado do MOSFET em
um transistor bipolar. O dispositivo resultante requer pouca energia para comutar, assim
como o MOSFET, porm oferece a baixa tenso em estado ativo de um transistor
bipolar. Isto o torna adequado para aplicaes industriais de alta potncia.
7
Mdulo IGBT

Terminal Principal Gel de Silicone Tampa
Encapsulamento Plstico
Moldado

Fio Al de ligao
Placa base Cu Chips de
Potncia
Substrato de Cermica
Mdulos IGBT so encapsulamentos plsticos
contendo chips de IGBTs e diodos volantes
configurados em circuitos convenientes.
Normalmente eles tm uma base isolada para
permitir fcil montagem ao dissipador de calor.

Os chips so configurados em paralelo para a
obteno de altos valores de corrente O exemplo
mostrado esquerda um mdulo duplo de 300A, 1200V
(meia-ponte). Cada metade do mdulo feita de dois
chips IGBT em paralelo e dois chips de diodo volante em
paralelo.
8
Serie NF 600V, 200A
Estrutura do chip PT - Epitaxial
Serie S 1200V, 200A
Estrutura do chip LPT wafer FZ
Especificao V
CE(sat)

Tenso entre o Colector e Emisor em Estado Ligado
9
Especificao do V
EC
do Diodo Volante
Queda de Tenso do Diodo Volante
10
Caractersticas Dinmicas de Mdulos IGBT
Circuito Meia-Ponte
Typ. 5-10s
Typ. 200-500s
Transies de Interesse
Um circuito meia-ponte de comutao de carga indutiva o mais utilizado para a
caracterizao dinmica de mdulos IGBT. Este modo de comutao aproxima as
condies presentes em muitas aplicaes do mundo real. Durao e energia de comutao no
datasheet do IGBT so medidos utilizando este circuito. Caractersticas de recuperao do diodo
volante tambm so medidos utilizando este circuito.
11
Caractersticas Dinmicas de Mdulos IGBT
Formas de Ondas de Chaveamento de Carga Indutiva em Circuito
Meia-Ponte Tpico
Mdulo IGBT 600A/ 1200V
Desligar
Ligar
Pico de tenso ao desligamento,
causado pela indutncia parasita do
circuito de teste
Diodo Free Wheel
Corrente de recuperao reversa
12
Circuito de Teste de Chaveamento em
Meia-Ponte
Teste de Chaveamento Formas de Ondas
Especificaes de Tempo de Chaveamento

13
Perdas de energia ao chavear (E
SW
)

Circuito Meia-ponte Perdas de chaveamento ao ligar e desligar
A energia de chaveamento a rea abaixo da curva de potncia (I
C
*V
CE
).
Especificaes de energia de chaveamento so usadas para estimar perdas de chaveamento.
14
Curvas de perdas de
chaveamento de um
Mdulo IGBT
Exemplo:
CM300DU-24NFH
E
on
@ 300A = 14mJ/pulso
E
off
@ 300A = 7.5mJ/pulso

Com esta curva, as perdas de
chaveamento podem ser
estimadas com a equao
abaixo:


m
J
/
p
u
l
s
e

Psw = (Esw(on)+Esw(off)@Ic) x f
C

1200V Serie-NFH
15
Perdas de Energia de Recuperao (E
rr
)
Diodos de recuperao super suave:
Muitos mdulos IGBT modernos utilizam
diodos de recuperao super suaves para
minimizar o rudo e EMI causado por subidas
de tenso durante a recuperao. A
caracterstica de recuperao suave desses
diodos produz frequentemente significativas
perdas dinmicas. Para melhor estimar essas
perdas necessrio usar a curva de perdas
de energia de recuperao. Usando esta
curva, as perdas do diodo free wheel
podem ser estimadas com a equao
mostrada abaixo:
P
rr
= E
rr
(@I
E
) x f
C

16
SOA de Comutao (Area de Operao Segura)
IGBTs Powerex at 1700V tm SOA de Chaveamento Completamente
Quadrada at uma corrente 2x a nominal
Muitos IGBTs industriais modernos
tm uma SOA (rea de operao
segura) completamente
quadrada. Em outras palavras,
o segundo colapso clssico
exibido por transistores bipolares
no existe.

SOA quadrada de desligamento
significa que, contanto que no se
exceda a tenso nem a corrente do
dispositivo, estaremos dentro
da SOA de desligamento
permitida.
Linha vermelha: S Para Serie-S com150C<Tj175C
17
Capacidade de Resistir a um Curto-Circuito
V
CC
+
V
GE
Circuito de Teste
Forma de Onda Tipica: Mdulo IGBT 300A, 1200V
Module
V
CC
=700V, t
W
=10s, V
GE
=+15V/-10V
V
CE
:200V/div, I
C
:500A/div, t:2s/div
Muitos mdulos IGBT industriais so projetados para resistir a um curto-circuito de baixa
impedncia durante um tempo prescrito e uma tenso especfica do barramento CC. Neste
teste, a corrente limitada apenas pelo prprio dispositivo.
I
C
=1400A
4.7* I
C(nom)
18
IGBTs Powerex so projetados para resistir a um curto-circuito de
baixa impedncia (corrente limitada apenas pelo ganho do dispositvo)
durante um mnimo de 10s.
SOA de Curto-Circuito para Mdulos IGBT
SOA de Curto-Circuito Serie-NF, A e S
19
Especificao de Resistncia Trmica R
th(j-c)

Chip IGBT
Perdas Conduo
+
Perdas Comutao
Chip FWDi
Perdas Conduo
+
Perdas Comutao
R
t
h
(
j
-
c
)
Q

R
t
h
(
j
-
c
)
D

R
t
h
(
c
-
f
)

T
J
(IGBT)
T
J
(FWDi)
T
C

T
F
P
IGBT
P
FWDi
P
IGBT
+ P
FWDi
Especificaes de resistncia trmica so
usadas para estimar as temperaturas dos
chips IGBT e diodo free wheel quando as perdas e
a temperatura da placa base so conhecidas:

T
j
(IGBT) = T
C
+ R
th(j-c)
Q * P
IGBT
T
j
(FWDi) = T
C
+ R
th(j-c)
D * P
FWDi

Especificaes de resistncia trmica de contato so
utilizadas para estimar a temperatura da placa base
quando as perdas totais e temperatura do dissipador
de calor so conhecidas.

T
C
= T
f
+ R
th(c-f)
* (P
IGBT
+ P
FWDi
)
Observao: T
f
quer dizer a temperatura da aleta do dissipador.
20
Impedncia Trmica Transitria
Quando o IGBT dissipa pulsos de energia de
curta durao (transitria) a massa trmica
(silcio, solda, cermica, cobre, etc ...) do mdulo
absorve parte da energia que atua para limitar o
aumento da temperatura de juno.

Este efeito caracterizado pela curva de
impedncia trmica transitria. Um exmplo
para um mdulo IGBT 200A mostrado direita.
Esta curva mostra a impedncia trmica
normatizada entre juno e a placa base como
uma funo da durao do pulso.

Exemplo: Se este IGBT conduzisse um pulso de
400A por 10 ms, e o V
CE
(sat) a 400A fosse 2.5V e
sua temperatura na placa base fosse de 80C
ento a Tj seria:

T
j
= 80C + (0.11C/W)(0.33)(400A)(2.5V)
T
j
= 116C
21
V
CE
I
C
Exemplo Bsico de Aplicao:
Estimando a Dissipao de Energia e a Temperatura da
Juno para Chaveamento em Onda Quadrada
V
CE
I
C
Perdas ao ligar Perdas ao
desligar
Perdas de
conduo
Perdas de Comutao: P
SW
= (E
SW(on)
+ E
SW(off)
) * f
SW


Perdas de Conduo: P
cond.
= D * I
C
* V
CE(sat)
@ I
C

22
Perdas de Conduo do IGBT:
No caso de chaveamento em onda quadrada com o CM200DY-12NF
Duty = 50%, V
CC
= 360V, I
C
= 100A, F
SW
= 22kHz
V
CE(sat)
@ 100A = 1.4V
P
cond.
= D * V
CE(sat)
* I
C

= 0.5 * 100A * 1.4V = 70W

23
+
E
SW(on)
@ 100A, 300V = 1.9mJ
E
SW(off)
@ 100A, 300V = 5.0mJ
A curva de perdas de chaveamento
para um barramento CC (V
CC
)
= 300V; por isso, deve ser ajustado para
uma tenso mais elevada. Para fazer isso
multiplique o E
SW
destas curvas por
360V/300V para obter:

E
SW(off)
@ 100A, 360V = 6.0mJ
E
SW(on)
@ 100A, 360V = 2.3mJ


P
SW
= (E
SW(on)
+E
SW(off)
) * F
SW


P
SW
= (6.0mJ + 2.3mJ) * 22kHz
P
SW
= 183W
Perdas de Chaveamento do IGBT:
No caso de chaveamento em onda quadrada com o CM200DY-12NF
Duty = 50%, V
CC
= 360V, I
C
= 100A, F
SW
= 22kHz
24
V
F
@ 100A = 1.4V
P
cond.
= (1-D) * V
F
* I
F

= 0.5 * 100A * 1.4V = 70W

Observao: Para um Chopper I
F
= I
C
Perdas de Conduo do FWDi:
No caso de chaveamento em onda quadrada com o CM200DY-12NF
Duty = 50%, V
CC
= 360V, I
C
= 100A, F
SW
= 22kHz
25
E
rr
@ 100A, 300V = 2.0mJ
Devese ajustar para uma tenso mais
elevada no barramento. Multiplique a
Err desta curva por 360V/300V para
obter:

E
rr
@ 100A, 360V = 2.4mJ

P
rr
= E
rr
* F
SW


P
rr
= 2.4mJ * 22kHz
P
rr
= 53W
Perdas de Recuperao do Diodo Volante:
No caso de chaveamento em onda quadrada com o CM200DY-12NF
Duty = 50%, V
CC
= 360V, I
C
= 100A, F
SW
= 22kHz
26
Perdas totais do IGBT:
P
IGBT
= P
cond.
+ P
SW
= 70W + 183W = 253W

Perdas totais do diodo volante:
P
FWDi
= P
cond.
+ P
rr
= 70W + 53W = 123W


IGBT: Aumento na Temperatura entre a placa base e a juno = P
IGBT
*R
th(j-c)
Q = 253W * 0.13C/W = 33C
Diodo: Aumento na Temperatura entre a placa base e a juno = P
FWDi
*R
th(j-c)
D = 123W * 0.23C/W = 28C

Temperatura Mxima Permitida na Placa Base: T
j(max)
-T
(j-c)
= 150C33C = 117C
Clculo do Aumento de Temperatura:
No caso de chaveamento em onda quadrada com o CM200DY-12NF
Duty = 50%, V
CC
= 360V, I
C
= 100A, F
SW
= 22kHz
27
Pontos Importantes
Caractersticas Bsicas de um IGBT
IGBTs requerem pouca energia para controlar o gate como os MOSFETs e tm a baixa
tenso em estado ativo de um transistor bipolar.
Um mdulo IGBT um encapsulamento com placa base isolada que contm chips de
IGBT e diodo volante conectados em configuraes convenientes.
IGBTs so os dispositivos preferidos para uma ampla gama de aplicaes.
As caractersticas mais importantes de um IGBT so: V
CE(sat)
, E
SW(on)
,
E
SW(off)
, V
EC
, E
rr
, R
th(j-c)
, R
th(c-f)
e T
j(max)

A maioria dos mdulos IGBT industriais so projetados para resistir a um curto-circuito
de baixa impedncia durante 10s.
Especificaes de resistncia trmica R
th(j-c)
e R
th(c-f)
s se aplicam a pontos especficos
onde T
C
e T
f
so medidas. Medies utilizando pontos diferentes dos mostrados no
datasheet produziro erros significativos.
28
COMPARE
DELAY
tTRIP
GATE
DRIVE
AND
E
C
G
E
H-Series
IGBT
Module
VTRIP
V+
RG
+
Shut-Down
D1
Input

n
p
+


n -
p
+

n
+

n -

29
IGBT
Consideraes de Aplicao
30
Causas comuns de falhas de IGBT

Operao fora da SOA (rea de Operao Segura)
Sobre Tenso - Exceder V
CES

Sobre Temperatura na Juno
Sobre Corrente - Exceder I
C
ou I
CM

Fadiga Trmica
31
SOA quadrada no desligamento para os
Mdulos IGBT Sries NF, A e S
SOA quadrada no desligamento significa que, contanto que no se exceda a tenso ou a
corrente, estaremos dentro da SOA no desligamento.
C
o
r
r
e
n
t
e

n
o

C
o
l
e
t
o
r

(
R
a
z

o

d
a

C
o
r
r
e
n
t
e

N
o
m
i
n
a
l
)

Tenso entre coletor e emissor
V
CE
(Volts)
Limite de
Classe
600V
Limite de
Classe
1200V
Limite de
Classe
1700V
32
Tenso Mxima
A Powerex dispe de IGBTs com tenses
mximas desde 250V at 6500V

A capacidade de um IGBT para suportar uma
avalanche muito limitada, ento a tenso
mxima nunca deve ser excedida

Nem por um nanosegundo!!
33
Tenses Tpicas de
Mdulos IGBT

Tenso na linha CA
(VCA)


Tenso CC Mxima
Recomendada no
Barramento


V
CES
do IGBT

120/240


400V


600V


460/480


800V


1200V


575/690


1200V


1700V

34
Limites de tenso aplicada
continuamente aos Mdulos IGBT
(Tenso do Barramento CC)
A capacidade de suportar um curto-circuito e a
RBSOA de um IGBT so testadas com tenses
especficas no barramento CC.

Se a tenso estiver mais alta que a condio de
prova, as caractersticas no sero necessariamente
garantidas.
35
Como a maioria dos semicondutores de
potncia, a corrente de fuga aumenta com o aumento
de temperatura e tenso aplicada.


Assim, se uma tenso alta for aplicada continuamente,
perdas causadas pela corrente de fuga podem causar
uma disparada da temperatura.

Observao: HTRB (Estado Inativo com Alta Temperatura)
tipicamente confirmado a 85% da V
CES
.
Limites de tenso aplicada
continuamente aos Mdulos IGBT
(Tenso do Barramento CC)
36
Dispositivos HVIGBT com bloqueio de tenso
mxima de 2500V ou mais tambm tm limites devido
a falhas induzidas por raios csmicos.

Este modo de falha caracterizado como
a probabilidade estatstica de falha versus tenso
aplicada.

Limites de tenso aplicada
continuamente aos Mdulos IGBT
(Tenso do Barramento CC)
37
LTDS de um Mdulo IGBT 6500V
Module
Aplicaes tpicas so
projetadas para
~100FIT
(100 Falhas em Dez^9 dispositivohras)


Portanto, para este
dispositivo, V
CC
deve
ser limitada a
aproximadamente
3900V.
CM200HG-130H
38
Thermal Impedance Measurement
Edge Point Method Under Chip Method
T
Sink
3mm
T
Sink
3mm
T
Sink
IGBT
Chip
T
C
Thermal Impedance Measurement
Edge Point Method Under Chip Method
T
Sink
3mm
T
Sink
3mm
T
Sink
IGBT
Chip
T
C
Medio da Impedncia Trmica
Mtodo Ponto na Borda Mtodo Debaixo do Chip
Mdulo Mdulo
Placa Base Metlica
Placa Base
Aleta (Dissipador) Aleta
39
Comparao de Impedncia Trmica: Mdulo 300A, 1200V
Observao: O valor de impedncia trmica debaixo dos chips pode ser a
metade do valor no ponto da borda.

IMPORTANTE: A Seleo do ponto T
C
de medio tem um impacto
significativo nos dados R
th(j-c)
e R
th(c-s)
especificados no datasheet.


Deve-se usar o mesmo ponto T
c
de medio como o fabricante do dispositivo para
fazer uma estimativa precisa de T
j
.


Mtodo de
Medio
Terceira Gerao
Serie-H
Quinta Gerao
Serie-A
R
th(j-c)
R
th(c-f)
R
th(j-c)
R
th(c-f)
Ponto na borda 0.06C/W 0.035C/W 0.11C/W 0.035C/W
Debaixo do chip 0.04C/W 0.02C/W 0.066C/W 0.02C/W
Valores nos circulos aparecem no datashet.
40
Na Borda Debaixo do Chip
Tempo (s)
Tempo (s)
Estado estacionrio atingido
em aproximadamente 1
segundo.
Estado estacionrio atingido
em aproximadamente 0.1
segundo.
A Impedncia Trmica Transiente tambm
influenciada pela seleo do ponto de medio.
41
Corrente Nominal de um Mdulo IGBT.

T
j(max)
T
C

V
CE
(@i
T
) x R
th(j-c)

i
CC
=
Onde:
i
CC
= Corrente nominal CC
V
CE
(@i
T
) = Tenso entre o coletor e emissor a i
T

T
j(max)
= Mxima temperatura de juno
R
th(j-c)
= Resistncia trmica entre juno e base
T
C
= Temperatura fixa da base


Observao: Esta corrente nominal (i
CC
) depende do seguinte:
Seleo de T
c
Menor T
C
resulta em i
CC
mais alta.
Seleo de T
j(max)
Alguns fabricantes usam conservadoramente 125C em quanto outros usam 150 ou at
175C.
Maior T
j(max)
resulta em i
CC
nominal mais alta para o dispositivo em questo.
O mtodo de medio de Rth(j-c) Medindo debaixo dos chips resulta em menor impedncia trmica e maior i
CC

nominal.

A corrente nominal o valor mostrado no rtulo.
Por exemplo, a corrente nominal de um CM200DX-24S da Powerex 200A.

A corrente nominal CC a corrente CC que faz a temperatura de juno do chip atingir Tj(max) com
uma temperatura fixa T
c
na placa base do mdulo. Muitos fabricantes usam uma corrente CC como
a corrente nominal.


A corrente i
CC
nominal pode ser calculada assim:
42
Fatos Sobre Corrente CC Nominal
Uma corrente i
CC
nominal geralmente intil para a
seleo de um dispositivo. A i
CC
somente reflete as
perdas de CC e ignora as perdas por chaveamento e os
limites de SOA.

Uma corrente i
CC
nominal geralmente intil para
comparar dispositivos entre fabricantes. A i
CC

depende da seleo de T
C
, T
j(max)
e o ponto de medio
de impedncia trmica.

43
Correntes Nominais da Powerex
Correntes nominais para os mdulos IGBT da Powerex so definidas como:

I
C
a metade da corrente mxima repetitiva garantida ao desligar com T
j
=T
j(max)
.

I
CM
a corrente mxima repetitiva garantida ao desligar com T
j
=T
j(max)
.

Com dispositivos mais novos tambm marcamos a temperatura da placa base (T
C
) na qual uma corrente
contnua igual a I
C
far Tj = Tj (max). Isso feito principalmente para permitir a comparao com
dispositivos de outros fabricantes que usam correntes contnuas como nominais.
44
Correntes Nominais
Quais so os limites verdadeiros?
(1) T
j (max)
- No se pode exceder a temperatura mxima de
juno.

(2) SWSOA - No se pode chavear repetidamente fora da
SWSOA garantida.

(3) Dessaturao - Se o dispositivo entrar em dessaturao, o
que significa no ter mais ganho e entrar na regio linear de
operao, falhar em microssegundos.

(4) Limites de corrente RMS nos terminais de potncia - Os
terminais no podem exceder a temperatura mxima do
encapsulamento.
45
Correntes Nominais
Como Selecionar o Dispositivo Adequado
(1) Calcular as perdas com as condies da aplicao real e estimar a
Tj usando R
th(j-c)
e R
th(c-s)
. T
j
deve ser inferior a T
j (max)
. prudente
aplicar margem de segurana. Por exemplo projetar para Tj = 125C mximo
usual.
(2) Considerar a SWSOA: Corrente de pico ao desligar deve ser menor do que a
SWSOA garantida (2X a nominal para dispositivos da Powerex). Margem de
segurana deve ser aplicada.
(3) Considerar a vida de ciclos trmicos: Grandes T
j
e / ou grandes T
C
podem
causar uma falha prematura em aplicaes cclicas.
46
Confiabilidade com Ciclos Trmicos
Caso 1: A temperatura varia na juno
mas a temperatura da placa base no
muda.



Caso 2: A temperatura da placa base
varia junto com a juno.
47
A Estrutura Tpica de um Mdulo
Variaes na temperatura
da placa base causam
uma falha deste unio de
soldadura.
Variaes na temperatura
do chip (juno) de
silcio causam uma falha
desta solda ultrassnica.
Chip de Silcio
Soldadura
Soldadura
Placa Base
Fios
de Ligao
Substrato Cermico com Folha de Cobre
48
Vida til com Ciclos Trmicos na Placa Base
A diferena nas caractersticas de expanso linear de vrios materiais usados nos
mdulos causa fadiga trmica. A falha ocorre por causa de rachaduras que se
formam devido fadiga lateral.
Fios de Al
Chip de Silcio
Substrato de Isolao
Placa Base de
Cobre
Rachadura
Placa Base de
Cobre
Substrato de Isolao
49
Indica o nmero de ciclos que se pode esperar antes do dispositivo falhar por causa
de uma dada excurso de temperatura na placa base.
Curva de Vida com Ciclos Trmicos na
Placa Base
50
Vida til com Ciclos Trmicos nos Fios

Falhas por causa de deformao entre o chip de silcio e os fios de ligao. A
deformao causada pelas diferenas nas caractersticas de expanso linear dos
diferentes materiais. Rachaduras se formam entre os fios de ligao e o chip de
silcio.
Fios de Al
Chip de Silcio
Substrato de Isolao
Placa Base de
Cobre
Rachadura
Chip de Silcio
Fio de Al
51
Curva de Vida com Ciclos Trmicos nos Fios
Indica o nmero de ciclos que se pode esperar antes do dispositivo falhar por causa
de uma dada excurso de temperatura nos fios de ligao.
52
Conexo em Paralelo

Circuito que Demonstra
Desequilbrio de um Circuito
Desequilbrio Mximo de Corrente
vs. AV
CE(sat)
Mdulos IGBT podem ser conectados em paralelo para aplicaes que requerem correntes muito elevadas. Tal
operao em paralelo s deve ser considerada quando o mdulo com a maior corrente disponvel no
for suficiente. O uso de um mdulo grande, em vez de pequenos mdulos em paralelo, recomendado
porque elimina as preocupaes com o equilbrio esttico e dinmico de corrente entre os dispositivos em
paralelo. Com a apropriada ateno ao projeto do circuito e seleo dos dispositivos, vrios mdulos podem ser
confiavelmente operados em paralelo.
53
Operao em Paralelo Diviso de Corrente
Observao: Equilbrio dinmico de corrente influenciado primariamente pela
configurao do circuito.
Fatores relacionados ao balano de corrente e seus efeitos
Fatores que influenciam o balano de corrente
Relao Existe No tem
Relao
Relao Fraca ou Ambgua
Ligao Desligamento di/dt=0 di/dt0
Caracterizao do
Dispositivo
Indutncia nos
Fios do
Circuito
Principal
Fios no
Controle de
Gate
Temperatura
L (Alimentao
para Dispositivo)
L (Total incluindo
a carga)
Diferena No
Comprimento dos Fios
Impedncia da Sada
do Controle de Gate
Chaveamento do IGBT Em Conduo
Categorias de balano de corrente
54
Diagrama de circuito mostrando as
conexes simtricas e assimtricas da carga
Desequilbrio tpico causado por uma conexo
assimtrica de carga.
Configurao Recomendada do Controle de Gate
Forma de onda de Corrente mostrando
Desequilbrio no desligamento devido a um
mal controle de Gate
Operao em Paralelo Diviso de Corrente
55
Configurao Recomendada para o Controle de Gate
Operao em Paralelo
Mesmo R
G
Conexes Simtricas
e de Baixa Indutncia
para o Gate e o
Emissor

Conexo curta
e de baixa
indutncia

56
Conexes Simtricas e Assimtricas do
Circuito Principal
Operao em Paralelo Diviso de Corrente
Desequilbrio tpico ao ligar causado por
uma conexo de barramento
assimtrica.
57
Pontos Importantes
Consideraes para Aplicaes
IGBTs so muito frgeis em termos de tenso excessiva.

Especificaes de resistncia trmica R
th(j-c)
e R
th(c-f)
s se aplicam a pontos
especficos de medio de T
C
e T
f
. Caso no se utilizem os mesmos
pontos indicados no datasheet certamente ocorrero erros significativos.

A "corrente nominal" de um IGBT no definida de forma consistente entre
fabricantes distintos.

Correntes nominais de CC so geralmente inteis para a seleo do dispositivo
porque ignoram as perdas de chaveamento e os limites de SOA.

Ao selecionar os IGBTs no se esquea de considerar a vida til em funo dos
ciclos trmicos na placa base e nos fios de ligao.

IGBTs podem ser conectados em paralelo para aplicaes de alta corrente.
58
COMPARE
DELAY
tTRIP
GATE
DRIVE
AND
E
C
G
E
H-Series
IGBT
Module
VTRIP
V+
RG
+
Shut-Down
D1
Input

n
p
+


n -
p
+

n
+

n -

59
Exemplos de Projetos
60
Passo 1: Clique neste cone para a seleo do mdulo
Passo 4: Selecionar o cdigo especfico do mdulo
Passo 3:
Selecionar a
srie do
mdulo
Passo 2:
Selecionar tipo
de mdulo da
lista
Ferramenta da Mitsubishi para Estimar as Perdas:
Selecionar o mdulo para estimar as perdas
61
v
out
i
out


cos=PF(Fator de Potncia)
i
t
Freqncia de
chaveamento

t
sw
=1/f
sw

i
t
Temperatura do dissipador
(direto debaixo dos chips)
T
f

CARGA
I
CP

V
CC

i
t
R
g

Para os IPMs,
Rg no preciso.
Amplitude F Fund
Amplitude F
Portadora
Ferramenta da Mitsubishi para Estimar as Perdas:
Colocar as Condies da Aplicao
62
Ferramenta da Mitsubishi para Estimar as Perdas:
Fazer a Estimao de Perdas
Estas so as
temperaturas de
juno calculadas e
as perdas de
potncia do IGBT e
diodo volante devido
s condies da
aplicao.
Cdigo do
mdulo
selecionado
Clicar em "=" para
calcular
63
+
=
Wa, Wb, Wc Wneutro
Wa+Wneutral,
Wb+Wneutral,
Wc+Wneutral
Freqncia Fundamental
vs. Portadora Forma de onda de uma fase Forma de onda entre
linhas
Reduz o chaveamento de cada IGBT por um tero.
Ferramenta da Mitsubishi para Estimar as Perdas:
Modulao de 3 braos vs. 2 braos
64
Exemplo de Aplicao #1
Drive de Motor de 150HP
A XYZ, S.A. precisa de um drive de motor para uma nova
mquina de cestaria. Voc foi contratado para
desenvolver o inversor. Os requerimentos da XYZ so os
seguintes:
Este inversor controla um motor de induo de
150HP.
O motor de 460V, trifsico, com uma corrente de
carga total de 180A RMS.

65
As especificaes do inversor so:
Tenso do barramento 650VCC; Max 800VCC
Tenso da sada 0 a 460 VCA, trifsica
Corrente da sada 180 A RMS
Sobrecarga 110% por 1 minuto
Frequncia de chaveamento 10 kHz
Fator de Potncia 0.83
Temperatura ambiente 50 C dentro da caixa

Exemplo de Aplicao #1
Drive de Motor de 150HP
66
Selecionar o dispositivo:

Tenso mxima: 2.5 vezes a tenso rms de sada = 2.5 x 460V = 1150V
Use um mdulo de 1200V

Corrente: de sada multiplicada por 1.414, por sobrecarga, por fator de
ondulao;
180A x 1.414 x 1.10 x 1.10 = 308A de pico.
Use um mdulo de 300 A

Escolha o CM300DX-24S da 5 gerao

Exemplo de Aplicao #1
Drive de Motor de 150HP
67
A sobrecarga precisa ser
analisada numa base transitria
com respeito subida de
temperatura de juno. Pelo
mdulo IGBT a impedncia
trmica acaba em 0.1 segundo,
ento uma sobrecarga de 1
minuto pode ser considerada
como continua.
Exemplo de Aplicao #1
Drive de Motor de 150HP
68
Selecione o mdulo duplo CM300DX-24S, de 1200V e 300A
So necessrios trs para o inversor.
Exemplo de Aplicao #1
Drive de Motor de 150HP
69
Calcule as perdas e subidas de temperatura
manualmente ou ento use o simulador de perdas da
Mitsubishi.

No nosso exemplo, vamos usar o Melcosim, j
mencionado nesta apresentao.

Exemplo de Aplicao #1
Drive de Motor de 150HP
70
Exemplo de Aplicao #1 Drive de Motor de 150HP
71
Resultados do Clculo:
Perdas de Energa (Mdia)
P(Q):Total 411.43 W
CC: 149.61 W
SW: 261.82 W
P(D):Total 120.98 W
CC: 25.41 W
SW: 95.57 W
P(Q): 822.87 W
P(D): 241.95 W
P(Total): 1064.82 W
Subida de Temperatura: (Mdia)
T
j-c
(Q): 27.15 C
T
j-c
(D): 14.52 C
T
C
(debaixo do chip):105.97 C
T
j
(Q): 133.13 C
T
j
(D): 120.49 C
As temperaturas esto
baseadas numa
temperatura de 90C na
superfcie do dissipador.
Exemplo de Aplicao #1 Drive de Motor de 150HP
72
Agora pode-se calcular a impedncia trmica (Rs-a) requerida do
dissipador como:


Dissipada Energia
T
R
A
=
Temperatura Mxima no Dissipador = 150 C 27.15 C 15.97 C = 106.88 C
Exemplo de Aplicao #1
Drive de Motor de 150HP
C/W 0.0178
3 * 1064.82W
C) 50 C (106.88
R =

=
73
Uma Fonte de Alimentao de um laser precisa produzir pulsos
bem regulados de 600A e 5ms a 10Hz.

preciso um chaveamento de 20kHz para regular a corrente. O
ciclo de trabalho (Duty) mximo limitado a 50%

A topologia um buck chopper bsico.

A fonte de tenso de 750V
CC
.
20KHz
PWM
5ms
600A
100ms
20KHz
PWM
5ms
600A
100ms
Exemplo de Aplicao #2
Anlise Trmica Transitria
74
Selecionar um Dispositivo:
Tenso Mxima: Para um barramento de 750V, precisamos de um mdulo
de 1200V

Considerando 20kHz, um mdulo otimizado para alta frequncia ser o mais
eficiente.

Para um pico de 600A, um mdulo de 600A parece uma escolha inicial
razovel.
Selecione o CM600DU-24NFH
Exemplo de Aplicao #2
Anlise Trmica Transitria
75
Exemplo de Aplicao #2 Anlise Trmica Transitria
Calcular as Perdas: Usando o Melcosim no modo chopper, conseguimos
calcular as perdas durante o chaveamento.
2775W
Observao: O
simulador indica que
Tj alta demais, mas
este um pulso
estreito; portanto, a
massa trmica do
dispositivo deve ser
considerada. Para
fazer isso, usamos a
curva de impedncia
trmica transitria.
76
Efetivamente a impedncia
trmica de um pulso de 5ms :
(0.31)(0.034 C/W) = 0.011 C/W
Isto resulta em um aumento de
temperatura entre a placa base
e a juno de:
(2775W)(0.011 C/W) = 30 C
Portanto, para projetar para T
j

de 125C, precisa-se de uma
temperatura mxima na placa
base de:
T
C
= 125 C - 30 C = 95 C
Exemplo de Aplicao #2 Anlise Trmica Transitria
77
20KHz
PWM
5ms
600A
100ms
20KHz
PWM
5ms
600A
100ms
T
j
=T
C

T
j
=T
C
+ 30 C
t
0
< t < t
1
: T
j
= T
C
+ P * Z
th(t)
T
1
t t
2
: T
j
= T
C
+ P * [Z
th(t)
- Z
th(t-t
1
)
]
t
0
t
1
t
2
Exemplo de Aplicao #2 Anlise Trmica Transitria
78

Selecionar o dissipador:
Primeiro, precisamos saber a mdia das perdas:
P
avg
= 2775W(5ms/100ms) = 139W

Logo, ao considerar a impedncia trmica de contato, a temperatura do
dissipador tem que ser:
T
C
R
th(c-f)
* P
avg
= 95 C - (0.02 C/W*139W) = 92 C

E se a temperatura de ambiente de 50C, a impedncia trmica do dissipador
deve ser:
R
th(f-a)
= (92 C - 50 C)/139W = 0.30 C/W

Isto pode ser facilmente obtido atravs de um dissipador a extruso comum e
ar forado.
Exemplo de Aplicao #2 Anlise Trmica Transitria
79
Resumo do Exemplo de Projeto
Selecionar um dispositivo para uma aplicao
normalmente um processo iterativo.

Um bom projeto toma em conta os fatores seguintes:

Perdas em Estado Ativo (CC)
Perdas de Chaveamento
Impedncia Trmica (R
th
)
Transferncia de Calor
SOA ao Desligar
Utilizao do FWDi
Confiabilidade com Respeito aos Ciclos Trmicos
80
COMPARE
DELAY
tTRIP
GATE
DRIVE
AND
E
C
G
E
H-Series
IGBT
Module
VTRIP
V+
RG
+
Shut-Down
D1
Input

n
p
+


n -
p
+

n
+

n -

81
Projeto de Circuito de Controle de Gate
82
E
C
G
E
IGBT
MDULO
V ON
V OFF
+
+
R G
ISOLAO
Entrada
Circuito Bsico de Controle de Gate
Controle de Gate Tenso aplicada ao gate de um IGBT que o liga ou desliga.
Para ligar, necessria uma tenso positiva de 15V10%.
Para desligar, uma tenso entre -5 e -15V recomendada.
83
Regras Fundamentais do Controle de Gate
Regra #1: Siga as normas do fabricante.
Os IGBTs so otimizados para uso com certas condies no
controle de Gate. Um controle de Gate apropriado d as menores
perdas e confiabilidade melhorada.

Regra #2: No suponha que as normas de um
fabricante aplicam-se aos dispositivos de um
outro. As diferenas no projeto do chip resultam em diferenas
no melhor controle de Gate.
84
Requerimentos de Tenso (V
GE(on)
)
para Ligar
No Mnimo: O dispositivo deve ficar completamente
saturado com alta corrente e ligar eficientemente.
O limite de capacidade para suportar curto-circuito: A
corrente de saturao durante um curto-circuito aumenta
com um aumento de V
GE
. Aumento de corrente de SC (curto-
circuito) reduz o tempo que o mdulo suporta o curto t
SC
.
Limite superior absoluto: O Valor V
GES
do dispositivo. V
GES

normalmente 20V. Tenses superiores podem danificar a
camada de isolao de SiO
2
.
85
Tenso Mnima
Requerida para Ligar
O dispositivo deve ficar completamente
saturado com alta corrente.
O dispositivo deve chavear
eficientemente.
86
Caracterstica Esttica do IGBT
V
GE
=9V
11V
13V
15V
17V
200


160


120


80


40


0
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)

n
o

C
o
l
e
t
o
r

0 1 2 3 4 5
Tenso (V) entre coletor e emissor
Mdulo
100A, 600V
V
CE(sat)
= 2.4V

Observao: Parece
que V
GE
= 12V
suficiente para
operao at I
C
=
100A

87
IGBT: Ligao vs. V
GE

I
C

I
C

V
CE

V
CE

Condies: I
C
= 25A/div, V
CE
= 100V/div, t:200ns/div, R
G
= 6.2

Observao: V
GE
= 12V no suficiente para baixas perdas ao ligar.
V
GE(on)
= 15V
V
GE(on)
= 12V
88

Fator limitante: Tempo de exposio a um curto-
circuito t
SC.

I
sc
V
GE
e t
SC


Menor V
GE
resulta em mais resistncia a um
curto-circuito.
I
x
V
1
SC SC
Limite Tenso Mxima
Requerimento de Curto-Circuito
89
Recomendao para V
GE(on)

Para (a maioria dos) Mdulos IGBT da
POWEREX
15V 10%
Fornece:
Saturao com 2X a corrente nominal;
Chaveamento eficiente ao ligar;
Capacidade de Curto-Circuito de 10s
90
Proteo do Gate do IGBT:
Tcnicas para grampear a tenso de Gate
G
E
E
C
IGBT
Module V
ON
V
OFF
+
+
R
G
V
ON
V
OFF
+
+
R
G
G
E
E
C
IGBT
Module
Grampo Convencional com Zener Grampo com Capacitor-Diodo
Evita que transientes danifiquem o gate.
Ajuda a controlar um surto de corrente durante um curto-circuito.
91
Requerimentos de Tenso de
Desligamento (V
GE(off)
)
Recomenda-se uma tenso forte negativa de entre -5V e -15V.
As altas tenses de operao de um IGBT produzem uma elevada dv/dt que tende a
perturbar a tenso do Gate e podem causar uma ativao inesperada.
Os mdulos IGBT so bastante influenciados pelo efeito de capacitncia Miller.




Os mdulos grandes com chips em paralelo tm resistores de Gate internos e
indutncia parasita que podem permitir a tenso de Gate interna subir alm da
tenso do terminal.
Dispositivo
600V, 100A
C
ies
(Capacitncia de Entrada)
C
res
(Capacitncia Miller)
C
res
/C
ies

MOSFET 11nF 0.2nF 0.018
IGBT 4nF 0.8nF 0.2
92
Seleo de R
G

R
G
Grande
Chaveamento mais lento;
Menor rudo de chaveamento;
Recuperao mais suave do diodo
volante.
R
G
Pequeno
Menores perdas de chaveamento;
Mais controle sobre rudo no Gate.
93
Faixa de R
G
Permitida para os
Mdulos IGBT da Powerex
A faixa de R
G
permitida fica no datasheet. A faixa tipicamente
abrange uma ordem de grandeza..
94
Exemplo:
CM1400DU-24NF 1400A, 1200V
Mdulo IGBT Mega-Dual

Para f
PWM
= 10KHz, V
GE
= 15v:

Total de Carga do Gate (Q
G
) =
Q
G(-15v a 0v)
+ Q
G(0v a 15v)

Q
G
= 2200nC + 7200nC = 9400nC

A Corrente da fonte para o Gate :
i
S
= Q
G
x f = 9400nC x 10kHz = 94mA

Potncia Total Requerida: I
S
x V
S

94mA x 30V = 2.82W
Off Bias
V
GE
=0 to -15V
On Bias
V
GE
=0 to +15V
Off Bias
V
GE
=0 to -15V
On Bias
V
GE
=0 to +15V
Clculo de Potncia para Controle de Gate
95
Corrente de Pico do Gate
Supondo que o Gate de um IGBT como um capacitor descarregado, a mxima
corrente de pico do Gate seria:

I
G(pico)
= V
G
R
G


Com o CM1400DU-24NF normalmente usamos uma resistncia de Gate, R
G
= 1.0ohm

Com 15V para o controle de Gate: I
G(pico)
= 30V 1.0ohm = 30A

A verdadeira corrente de controle menor por causa do seguinte:
(1) Velocidade limitada de comutao da sada do controlador;
(2) Indutncia e resistncia parasitas no circuito de controle de Gate;
(3) A maioria dos mdulos IGBT que usam chips em paralelo tem resistores de Gate
internos para manter equilbrio dinmico de corrente. Para o CM1400DU-24NF
a resistncia interna equivalente 0.67 ohm.

No entanto, se for possvel, deve-se projetar um controle com a capacidade de
fornecer a corrente mxima terica e assim assegura-se que o desempenho e o
controle de Gate esto apropriados e confiveis sob todas as condies.
96
Sensor de Dessaturao
Proteo de Curto-Circuito
Se a V
ce
ficar mais elevada que a V
TRIP
por mais que t
TRIP
depois de se aplicar o
sinal de entrada, um curto-circuito detectado.
COMPARA
Demora
t TRIP
Controle
De Gate
AND
E
C
G
E
Mdulo
IGBT
V TRIP
V+
R G
+
Desativao
D1
Entrada
97
Controle de Gate Totalmente Isolado
98
Consideraes sobre o Layout do
Controle de Gate
O Layout deve minimizar a indutncia parasita entre a sada do
controle e o IGBT.

Evite o acoplamento de rudo, use blindagem, e evite colocar o circuito
de controle perto de fontes de rudo.

Use o terminal de emissor auxiliar do mdulo IGBT para fazer a conexo
com o controle de Gate.

Ligue a placa de controle diretamente aos terminais de Gate de IGBT, se
possvel.

Use cabo de par tranado ou cabo blindado se uma conexo direta no
for possvel.

Se usar optoacopladores para o lado superior do controle, eles devem
ter imunidade a transiente de modo comum de 15kV/s em alta tenso.
99
1 10 13 14
1 3 8 11
M57145L-01
+
+
C1 C2
DZ3
DZ1
DZ2
RG1
C4
+
R1
R3
C3
OP1
IGBT
Module
C1
C2E1
G1
E1
E2
G2
E2
1 10 13 14
M57959L/M57962L/M57160L
1 3 8 11
M57145L-01
+
+
C5 C6
D3
DZ6
DZ4
DZ5
RG2
C8
+
R2
C7 OP2
D4
CN1
+VL
IN2
FO
+VS
GND
IN1
J2
D1 D2
CN2
J1
M57959L/M57962L/M57160L
1
Plano de Terra do Sinal Lgico
Plano de Terra Lado Superior
Plano de Terra Lado Inferior
Layout de Controle de Gate Duplo
100
VLA106-15242, VLA106-24242
Conversores CC-CC
Voltage Regulator
Current Limiter
O
s
c
i
l
l
a
t
o
r

10
11
8
3
2
1
3.3K
V
CC

V
O

V
EE

R
e
c
t
i
f
i
e
r

V
Z
=8.2V
24V
9
V
IN

+
-
VLA503-01, VLA504-01, M57159L-01, Controles de Gate
V
CE

Detector
Fault Latch
and Timer
Interface
Buffer
14
13
2
8
1
4
5
6
Opto Coupler
Control
Input
180O
V
CC

Fault
t
trip
Adjust
V
CE
detect
V
O

V
EE

Circuito de Aplicao
C2
+
+
Control
5V
Fault
+
C3
R
G
C
TRIP
G
E
IGBT
Module
R1
M57159L-01/VLA503-01/VLA504-01
13 1 14 10
D1
DZ2
DZ3
OP1
VLA106-15242/VLA106-24242
8 1 11 3
+
C1
V
IN
+
DZ1
Circuitos
Hbridos para
Controle de
Gate Isolado
101
VLA500-01/VLA502-01/VLA500K-01R
Controles de Gate Hbridos com Conversor CC/CC e Sensor de Dessaturao

VLA500-01 Circuito de Aplicao
VLA500-01/VLA500K-01R/VLA502-01
150
F
+
15V
+
1 7
26 23 17 20
+
30 28
+
Control
5V
Fault
+
150F
1F
R
G

C
TRIP

150F
G
E
IGBT Module
3.3K
4.7KO
C
S




DC-DC
Converter

V
iso
=
2500V
RMS

Regulator
17.4 VDC
UV
Lock-Out
V
GE
Detector
Fault Latch and
Timer
Interface
Buffer
1
2
3
4
6
7
19
29
28
30
25
23
20
24
22
Opto Coupler
V
D

15V
+
-
Control
Input
5V
+
-7
390O
V
CC

GND
Fault
t
d
Adjust
V
CE
detect
V
O

V
EE

26
5
21
Caractersticas:
Ampla faixa de tenso de sada +15V/-8V
Conversor CC/CC isolado integrado
Proteo contra curto-circuito com sensor de
dessaturao.
Corrente de pico de controle +/- 12A
Encapsulamento SIL compacto
Entrada de controle por optoacoplador rpido
VLA500-01 para Serie-NF
VLA500K-01R para Mdulos de 1700V
VLA502-01 para Serie NFH (opto rpido interno
para reduzir o atraso de propagao)
102
Ferramentas para Projeto Rpido: Projetos de Referncia para o Controle de Gate
BG2A BG2B
103
Placa de Controle VLA536-01R
Aplicao: Mdulos IGBT Duplos NX
Caractersticas:
S requer uma fonte de +15V;
Conversores CC/CC e controles
embutidos;
Completa e pronta para usar;
Compatvel com interface CMOS
Tamanho Compacto (101x64mm)
Isolao de 2500Vrms
104
Resumo
Projeto de Circuito de Controle de Gate

Siga as normas do fabricante para a resistncia de gate (R
G
) e para as
tenses de controle (V
GE(on)
,V
GE(off)
).
O layout crtico evite fios longos, use camadas blindadas nas
placas, selecione componentes com imunidade de rudo dv/dt
apropriada.
Verifique se o controle de Gate pode fornecer corrente de sada
adequada.
Use 15V 10% para ligar.
Use um sinal forte negativo entre -5V e -15V para desligar.
105
COMPARE
DELAY
tTRIP
GATE
DRIVE
AND
E
C
G
E
H-Series
IGBT
Module
VTRIP
V+
RG
+
Shut-Down
D1
Input

n
p
+


n -
p
+

n
+

n -

106
Projeto de Circuito de Potncia
107
Circuito de Teste de Chaveamento de Meia-Ponte
Circuito Meia Ponte
5-10s Tpico
200-500s Tpico
Subida de
Tenso ao
desligar
A fonte mais comum de sobretenso a tenso de surto no desligamento.
108
Meia-Ponte com Indutncia Desviada
O surto de tenso
no desligamento
causado por
indutncia na
conexo do
barramento CC.

V
s
= L
B
*di/dt
109
O surto de tenso no desligamento aprximadamente a di/dt ao desligar multiplicado por L
B
. (di/dt
x L
B
). Portanto, minimizar a L
B
necessario para minimizar o surto de tenso ao desligar.
Indutncia Desviada Pequena
(Esboo Mostrado na Pgina Anterior)
Ic: 50A/div. Vce: 200V/div. t: 100ns/div.
Dispositivo Testado: CM100DY-12H (600V, 100A)
Vce(surto)=460V
Vce(surto)=600V
Efeito de Indutncia Desviada no Barramento CC
Indutncia Desviada Grande
(Com um fio de 15cm entre Terminal E e o Barramento)
110
Quanta indutncia aceitvel no
barramento?
Supondo-se que o tempo de descida de um IGBT 100ns e mantendo-se o surto de
tenso mximo em 200V a indutncia do barramento deve ser:

Exemplo 1: CM35MX-24S CIB 35A 1200V
di/dt ao desligar aproximadamente: 35A/100ns = 0.35A/nS
e L
BUS
= V
subida
di/dt = 200V/0.35A/ns = 570nH


Exemplo 2: CM200DX-24S Duplo 200A, 1200V
di/dt ao desligar aproximadamente: 200A/100ns = 2A/ns
e L
BUS
= V
subida
di/dt = 200V/2A/ns = 100nH


Exemplo 3: CM1400DU-24NF Duplo 1400A, 1200V

di/dt ao desligar aproximadamente: 1400A/100ns = 14A/ns
e L
BUS
= V
subida
di/dt = 200v/14A/ns = 14.3nH
111
O qu um nH?
Estas figuras de um ensaio antigo feito
por Harald Vetter mostram a
indutncia de varias configuraes de
condutores. No Tipo (1) abaixo os dois
fios um ao lado do outro tero uma
indutncia de pelo menos 5.5nH/cm.

Ento no Tipo (2) da pgina
anterior, o barramento de
conexo CC apenas pode ser de
18cm.

O exemplo 3 claramente requer
uma estrutura laminada como
mostrada no Tipo (4), uma vez
que um barramento como no
Tipo (1) limitaria o tamanho em
2.6cm.
112
Como Minimizar a L
B

Use uma Estrutura Laminada para o Barramento
Vista de Corte Transversal de um
Barramento Laminado
113
Exemplo de
Layout
para um
Inversor
Trifsico de
Alta
Corrente
114
Estimando a Indutncia Desviada no Circuito de Potncia
Indutncia Total na Conexo:
L = V
DEGRAU
di/dt
= 35v 1A/ns
= 35nH

Indutncia no Circuito de
Potncia:
L
s
= Indutncia Total na
Conexo Inductncia no
Encapsulamento do Mdulo
= 35nH - 18nH
= 17nH

Forma de Onda ao Ligar (Mdulo IGBT Duplo 100A, 600V)
115
Controle de Tenso de Transiente
Para a maioria das aplicaes usando Mdulos de 2 ou 6 IGBTs o snubber tipo A suficiente. Se o
snubber tipo A oscilar com o barramento CC e a indutncia no puder ser reduzida o snubber B
pode ser usado. O snubber C as vezes usado com mdulos IGBT simples e grandes. O snubber D
pode ser usado em aplicaes de baixa frequncia para controlar as oscilaes ou para reduzir
rudo EMI/RFI.
Circuitos de Snubber de IGBT Comuns
116
Circuitos Snubber para
Mdulos Duplos, de 6 e de 7
Muitos fornecedores de
capacitores fazem capacitores
projetados para montagem direta
nos terminais do mdulo IGBT.
A
Mdulo IGBT Duplo
B
Mdulo IGBT de 6
117
C1
C2E
1
E2
BG2A
BG2B
BG2C
15V
+
Control
Powerex NF, NFH or A
Series Dual IGBT module
Note: The gate of the unused
half of the module must be
shorted to the upper emitter E1
Powerex gate driver board:
Only the G2-E2 half of this dual
driver board needs to be populated.
G1
E1
G2
E2
12-
18V
Load
Snubber capacitor. Use at least
1uF per 100A of switched current.
Must Have extremely low loop
inductance (heavy lines in circuit).
DC bus stiffening capacitor.
This is used to prevent
voltage surges caused by
wiring inductance from the
Main DC source. Typical
values may be from zero to
several thousand uF
depending on the wiring
length to the DC source
+
VDC
Main power
supply
Apply short directly at the
modules terminals when using
a dual module as a chopper
Use Laminated Bus for
connecting the main
capacitor bank to the
IGBT module
(Red Lines in drawing)
C1
C2E
1
E2
BG2A
BG2B
BG2C
15V
+
Control
Powerex NF, NFH or A
Series Dual IGBT module
Note: The gate of the unused
half of the module must be
shorted to the upper emitter E1
Powerex gate driver board:
Only the G2-E2 half of this dual
driver board needs to be populated.
G1
E1
G2
E2
12-
18V
Load
Snubber capacitor. Use at least
1uF per 100A of switched current.
Must Have extremely low loop
inductance (heavy lines in circuit).
DC bus stiffening capacitor.
This is used to prevent
voltage surges caused by
wiring inductance from the
Main DC source. Typical
values may be from zero to
several thousand uF
depending on the wiring
length to the DC source
+
VDC
Main power
supply
Apply short directly at the
modules terminals when using
a dual module as a chopper
Use Laminated Bus for
connecting the main
capacitor bank to the
IGBT module
(Red Lines in drawing)
Usando um IGBT Duplo como
Chopper (Aplicao CC)
118
Electrolytic
Capacitor
Electrolytic
Capacitor
Laminated Bus Bar Example
Green=Insulator, Gold=Conductor
IGBT Module
Top
View
Side
View
Cross
Section
Top Layer
(+) bus
Bottom Layer
(-) bus
+
-
IGBT Module
C2E1 C1 E2
Snubber
Capacitor
Output bus
Snubber
Capacitor
Electrolytic
Capacitor
Electrolytic
Capacitor
Laminated Bus Bar Example
Green=Insulator, Gold=Conductor
IGBT Module
Top
View
Side
View
Cross
Section
Top Layer
(+) bus
Bottom Layer
(-) bus
+
-
IGBT Module
C2E1 C1 E2
Snubber
Capacitor
Output bus
Snubber
Capacitor
Usando um IGBT Duplo como
Chopper (Aplicao CC)
119
Resumo Projeto de Circuito de Potncia
Baixa Indutncia no Barramento CC mais eficaz
para controlar as tenses de transientes. Quanto
mais corrente for chaveada tanto mais crtica a
indutncia no barramento.

Circuitos Snubber podem ser teis para controlar
as tenses de transientes e as oscilaes no
circuito de potncia.
120
COMPARE
DELAY
tTRIP
GATE
DRIVE
AND
E
C
G
E
H-Series
IGBT
Module
VTRIP
V+
RG
+
Shut-Down
D1
Input

n
p
+


n -
p
+

n
+

n -

121
Tecnologia:
Chips e
Encapsulamentos
122
1
a
Ger
2
a
Ger.
E series
3
a
Ger.
H series
4
a
Ger.
F series
5
a
Ger.
NF series
Perdas de Potncia em
Aplicao de Inversor
1985 1990 1995 2000 2005
P
e
r
d
a
s

d
e

P
o
t

n
c
i
a

(
W
)

100W
1
a
Ger.
IGBT
Perdas de
conduo
IGBT
Perdas de
desligamento
2
a
Ger. 3
a
Ger. 4
a
Ger. 5
a
Ger.
75W
50W
40W
33W
Historia da Tecnologia do Chip de IGBT
Condies Calculadas
Classificao = 75A, 600V
Corrente de Sada (Io) = 45A r.m.s.
Frequncia portadora, fc = 15kHz
Fator de potncia, = 0.8
Aplicao: Inversor Senoidal 3
Tipo de Controle: PWM Convencional
IGBT
Perdas de
ligao
CSTBT
TM
Year
6
a
Ger.
IGBT
Tecnologia Imunidade Otimizao da Padro Fina Gate Trincheira CSTBT Wafer Ultra-delgada SiC
Chave: ante Latch-up Camada Buffer 5um --> 3um 1um LPT CSTBT Otimizado
2010
Novo
Dispositivo
26W
6
a
Ger.
123
Wafer PT Epitaxial - IGBT
Novo 600V, 1200V , 1700V
LPT - CSTBT
Wafer NPT FZ IGBT
Material de
wafer
Regio de
deriva n-
Material de
wafer
regio de
deriva n-
material de
camada de epi
Regio de
deriva n-
camada buffer n
Buffer n+
Camada epi
p+
p+
substrato p+
coletor
emissor
gate
colector
emissor
gate
Camada de
portadoras
enterradas
IGBT: Comparao de Estrutura Vertical
NPT convencional precisa de
um n- espesso para bloquear
alta tenso. A camada n-
espessa resulta em alta
Vce(sat) e maiores perdas de
comutao.
Projeto epitaxial d uma camada n-
muito fina necessria para baixa
Vce(sat) embora material de wafer
epitaxial mais caro do que FZ.
Estrutura LPT wafer delgada inclui
camada buffer difuso em material silcio
FZ de baixo custo para dar a melhor
relao entre custo e desempenho.
124
(1) Perfil de Dopagem Otimizado
Reduz o espalhamento de V
GE(th)

(2) Densidade da Camada de
Portadoras
Melhora a SCSOA

(3) Padro Fino
Reduz a V
CE(sat)

(4) Camada n- mais fina
Reduz a V
CE(sat)
& E
sw(off)

Conceitos Principais do Projeto do
IGBT de 6 Gerao
125
IGBT 6
a

Ger.
IGBT 5
a
Ger.
Reduo de 0.55V
@E
off
= 15mJ/pulso
Concorrncia 4
a
Ger. (medida)
(@T
j
= 125 C, I
C
= 150A)
IGBT 1200V 6
a
Gerao
Balano entre V
CE(sat)
e E
SW(off)

126
V
GE
IGBT da 6
a
Gerao IGBT da 5
a
Gerao
V
CE
I
C
(@I
C
= 150A, V
cc
= 600V, T
j
= 125 C)
E
off
= 14.5mJ/pulso
reduo de 25%
E
off
= 19.4mJ/pulso
Forma de Onda ao Desligar: IGBT 1200V da 6
a
Gerao
Corrente de Cauda Reduzida
127
Ig(0.5A/div.)
Ic(50A/div.)
Tempo (400ns/div.)
Ig(0.5A/div.)
Ic(50A/div.)
Qg = 650nC/pulso
Qg = 1130nC/pulso
(V
GE
-15V+15V)
(V
GE
-15V+15V)
IGBT da 6
a
Gerao IGBT da 5
a
Gerao
Ig
Qg
Pico de Ig cerca a 40% e Qg cerca a 60% do IGBT da 5 ger.
Requerimentos de Potncia do Controle de Gate
IGBT 1200V 6 Gerao
Capacitncia Miller Reduzida > Baixa Carga de Gate
(@I
C
= 150A, V
cc
= 600V, T
j
= 125 C)
Tempo (400ns/div.)
128
(1) Emissor N Fino
Baixa Vf

(2) Camada N- Espessa
Menor Coeficiente de Temperatura
Negativo
Projeto de Diodo Volante
1200V 6
a
Gerao

Anodo
Diodo Volante
Convencional
Catodo
Camada P Colector
Camada
N-
Emissor N
Novo Diodo
Volante Fino

Camada
N-
Corte Transversal
129
Desempenho do Diodo Volante de 6 Gerao
V
f
a E
rr
= 8mJ/Pulso Reduzida 0.4V
V
f
(V) (@T
j
= 125, I
F
= 150A)
0
2
4
6
16
18
20
1 1.5 2 2.5 3
8
10
12
14
E
r
r

[
m
J
/
p
u
l
s
o
]

Novo Diodo
Diodo Convencional
V
F
= 0.4V Melhor (@E
rr
= 8mJ)
130
Baixa Impedncia Trmica
Substrato cermico AlN Superior 130W/mK
(Outros usam 35W/mK alumina)

Subidas de Tenso Diminuidas
Eletrodo moldado inserido corta a indutncia em 60%
(indutncia entre C1-E2 mdulo 200A:
Convencional = 58nH, Novo encapsulamento U = 17nH)

EMI Conduzida Reduzida
Substrato otimizado para menor capacitncia de fuga.
(Outros 0.260mm Al
2
O
3
= 730pF
Encapsulamento U com 0.635mm AlN = 250pF)

Confiabilidade Melhorada
Junes de soldagem dos eletrodos eliminadas, Processo
de soldagem otimizado para juno dos chips, Fios de
ligao de alta integridade

Aquecimento de Eletrodo Reduzido
Eletrodos pr-formados baixa resistncia

Mais Resistncia contra
Deformao por Flexo
Cermica pequeno e placa base mais espessa.
(Aumento de 50% em torque de montagem permitido)
Tecnologia de Encapsulamento de Alta Confiabilidade
Eletrodo do Terminal Principal Gel Si Capa Encapsulamento de
Molde Inserido

Fios Al de conexo Placa Base Cu Chips de Potncia Substrato AlN
Eletrodo do terminal Principal Gel Si Resina Epxi
Encapsulamento
de Molde

Conexo de Soldadura Placa Base Cu Chips de Potncia Substrato AlN
Mdulo Convencional (Serie-H)
Novo Mdulo
131
COMPARE
DELAY
tTRIP
GATE
DRIVE
AND
E
C
G
E
H-Series
IGBT
Module
VTRIP
V+
RG
+
Shut-Down
D1
Input

n
p
+


n -
p
+

n
+

n -

132
Encapsulamento
Padro da Indstria

Perfil Delgado 17mm








Amplo Espectro
Numa furao

Termstor NTC Embutido

Configurao de Terminais
Fluxo-Transversal
Mdulos IGBT com Novo Encapsulamento NX
133
Moldura Universal
122mm x 62mm x 17mm
Terminal para
Parafuso
Pino para
soldagem
Simples/Duplo/Chopper Encapsulamento de
Seis/Sete
CIB
(Conversor-Inversor-Brake
(Freio))
Moldura comum usada para muitas configuraes Simplifica fabricao automatizada
Mdulo IGBT Serie-NX Conceito do Encapsulamento
134
Encapsulamentos NX Mestres
NX-M
122 * 62 mm
NX-L
122 * 122 mm
135
Configurao de Fluxo Transversal
N X - L
1 2 2 * 1 2 2 m m
N X - S
7 4 * 6 2 m m
N X - M
1 2 2 * 6 2 m m
1
2
2
m
m

6
2
m
m

N X - L
1 2 2 * 1 2 2 m m
N X - S
7 4 * 6 2 m m
N X - M
1 2 2 * 6 2 m m
1
2
2
m
m

6
2
m
m

N X - L
1 2 2 * 1 2 2 m m
N X - S
7 4 * 6 2 m m
N X - M
1 2 2 * 6 2 m m
1
2
2
m
m

6
2
m
m

Barramento Laminado
Controle de Gate
U
V W
Encapsulamento NX
Projeto de Fluxo Transversal
Layout e Barramento CC
Simplificados
Exemplo de Aplicao: Inversor 200A RMS
Mdulos IGBT Serie NX 6
a
Gerao: CM450DX-24S
136
NX: Vantagem com Ciclos de Potncia
137
Serie-NX Vida til vs. Ciclos de Potncia
Confiabilidade > 10x Vida til vs. a concorrncia
138
Srie NX - Melhorias na Placa Base
Depois dos mdulos serem
montados, a placa base de cobre
cortada em um perfil otimizado.
Objetivo da Especificao de
nivelamento:
0m ~ +100m (Convexo)
139
Tj (Max) mais alta para a 6
a
gerao Serie-NX
(1) Operao contnua deve ser limitada a 150C
(2) Tj Mxima Absoluta 175C
(3) Tc(max) 125C

Observao: Oferece 25% mais potncia com o mesmo projeto
de dissipador para um dado mdulo IGBT!


Observao: Considere o impacto da ciclagem trmica na vida til!
140
Caractersticas do Novo MPD
(Mega Power Dual)
Placa base de Al de baixo peso
Alta Durabilidade de Ciclos Trmicos com a Tecnologia de Ligao direta
entre Al e Cermica.
Configurao de Terminais em Fluxo Transversal como o MPD Anterior
Termstor Embutido Opcional
141
Caractersticas do Encapsulamento do Novo MPD
G
E
C
G
E
C
Espectro
Termstor NTC
1700V 1800A
1200V 2500A
Vermelho e azul so as conexes
(+) e (-) do barramento CC.
Verde a sada de CA.
Baixa Indutncia: O Novo MPD tem um barramento interno de mltiplas camadas que alcana
5.1nH entre os terminais P e N (C1 e E2). Isto crtico para reduzir surtos de tenso.
310mm x 142.5mm
142
Tecnologia de Placa Base Segmentada
Vista por
baixo
Vista
Interna
Dissipador
Placa base
Placa Base
vo
Placa Base Segmentada
Segmentos da Placa Base
Dissipador
Sem vos
O MPD grande constitudo de cinco segmentos idnticos;
Tamanho dos segmentos melhor adaptado para produo em massa;
Segmentos individuais podem ser pr-testados com mxima potncia para aumentar o
aproveitamento do processo produtivo.
Segmentos individuais ajustam-se melhor s deformaes de dissipadores maiores.
143
Nova Ligao Direta entre Cermica e Placa Base de Al Espessa
Durabilidade de ciclagem trmica aumentada em 3X comparado com cobre soldado
a AlN DBC;
Peso do mdulo reduzido em 30% comparado com cobre;
Camada de solda entre cermica e placa base eliminada.
Chip IGBT
Padro de Cobre
Substrato
Soldadura
Pasta
Placa Base Cobre
Padro de Cobre
Aleta Al
Solda
Estrutura Convencional
Chip IGBT
Solda
Padro Al
Substrato
Placa Base Al
Pasta
Aleta Al
Nova Estrutura
Rachadura
Camada de
solda
eliminada
aqui
Eliminao da camada de
solda compensa a mudana
de Cobre para Al na placa
base.
144
Resumo de Tecnologia: Chips e Encapsulamentos
Um chip IGBT estado-da arte hoje tem duas caractersticas
principais:
(1) Wafer Fino com Estrutura Vertical LPT
(2) Estrutura de Superfcie Gate Trincheira
Cermica AlN (Nitrito de alumnio) fornece desempenho trmico
superior comparada com Al
2
O
3
(Alumina)
IGBTs de 6 Gerao destacam-se por menores perdas, reduo em
potncia requerida para controle de Gate e temperaturas at T
j
=
175 C.
Novo encapsulamento NX delgado permite um amplo espectro de
classificaes numa mesma furao e uma configurao de fluxo
transversal
Novo MPD disponvel com classificaes de 2500A/1200V e
1800A/1700V.

145
COMPARE
DELAY
tTRIP
GATE
DRIVE
AND
E
C
G
E
H-Series
IGBT
Module
VTRIP
V+
RG
+
Shut-Down
D1
Input

n
p
+


n -
p
+

n
+

n -

146
Espectro de Produtos IGBT da Powerex
147
Famlias de Produtos Principais
Serie-A
(Serie de Alta Densidade de Corrente)
Melhor desempenho vs. Dispositivos I
80
Europeus.
Menores, Encapsulamentos Otimizados por custo

Serie-NF
(Aplicaes Industriais de Alto Desempenho at 10kHz)
Compatvel com 3a Gerao (Serie-H)
Desempenho Lder da Industria
Novo Encapsulamento Mega-Dual

Encapsulamento-NX
Nova Plataforma com Encapsulamento Flexvel Universal
Termistor Embutido
Desempenho Lder da Industria

Serie-NFH
(Alta Frequncia ~15kHz-60kHz)
Baixa E
off
Encapsulamento-U Baixa Indutncia

Mdulos HVIGBT
(Aplicaes Industriais de Alta Potncia)
Encapsulamentos Padres Industriais
Correntes Nominais at 3600A
Tenses Mximas at 6500V
Mdulos IGBT - Powerex
148
Espectro da Srie-A
(Srie de Alta Densidade de Corrente)
75 100 150 200 300 400 500/600 600
S
i
n
g
l
e
CM400HA-
24A
CM600HA-
24A
CM600HB-
24A
D
u
p
l
o
CM100DY-
24A
CM150DY-
24A
CM200DY-
24A
CM300DY-
24A
CM400DY-
24A
CM600DY-
24A
S
i
n
g
l
e
CM500HA-
34A
D
u
p
l
o
CM75DY-
34A
CM100DY-
34A
CM150DY-
34A
CM200DY-
34A
CM300DY-
34A
CM400DU-
34A
Corrente Nominal (A)
Vce (V)
1
2
0
0
1
7
0
0
11080
10862
944
8
11080
10862
140130
Melhor Desempenho vs. Dispositivos Europeus Classificados com T
c
= 80 C
Menores, Encapsulamentos Otimizados por Custo
149
Corrente Nominal
100 150 200 300 400 600 900 1000 1400
6
0
0CM150DY-
12NF
CM200DY-
12NF
CM300DY-
12NF
CM400DY-
12NF
CM600DY-
12NF
1
2
0
0
CM100DY-
24NF
CM150DY-
24NF
CM200DY-
24NF
CM300DY-
24NF
CM400DY-
24NF
CM600DY-
24NF
CM900DU-
24NF
CM1400DU-
24NF
1
7
0
0
CM1000DU-
34NF
Serie-NF
Vce (V)
M

d
u
l
o
s

D
u
p
l
o
s
9448
11080
140130
150166
Mega-Dual
10862
Espectro da Srie-NF
(Aplicaes Industriais de Alto Desempenho ~10kHz)
Compatvel com a 3a Gerao (Series-H)
Desempenho Lder da Industria
Mais Alta Confiabilidade
Novo Encapsulamento
Mega-Dual
150
Encapsulamento
->
NX-M NX-L



Corrente (A)
CIB 6-Pack 7-Pack Duplo Duplo
35
50
75
100
150
200
300
400/450
600
1000
Espectro de Mdulos IGBT no Encapsulamento NX
600V Serie-A 1200V 6
a
Gerao Serie-S
1700V 6
a
Gerao*
* Em Desenvolvimento
151
Espectro de HVIGBT
Padro Industrial Robusto, Alta Confiabilidade, Encapsulamento Testado em Campo
Cdigo do Encapsulamento:
HB/DB = Base de Cobre
HC/DC = Base de AlSiC
HG = Tipo Alta Isolao
Sufixo:
H = Convencional
N = CSTBT
200 400 600 800 900 1200 1800 2400
1
7
0
0
CM800HA-34H CM1200HA-34H CM1800HC-34N CM2400HC-34N
2
5
0
0
CM800HB-50H CM1200HC-50H
3
3
0
0
CM400HG-66H CM800HB-66H
CM1200HC-66H
CM1200HG-66H
4
5
0
0
CM400HB-90H CM600HB-90H CM900HB-90H
6
5
0
0
CM200HG-130H CM400HG-130H CM600HG-130H
1
7
0
0
CM600DY-34H CM800DZ-34H CM900DC-34N
CM1200DB-34N
CM1200DC-34N
2
5
0
0
CM400DY-50H
3
3
0
0
CM400DY-66H
1
7
0
0
CM600E2Y-34H CM1200E4C-34N
3
3
0
0
CM800E2C-66H
6
5
0
0
CM400E4G-130H
C
H
O
P
P
E
R
73mm x 140mm
Tamanho da
Placa Base
130mm x 140mm 190mm x 140mm
Ic (A)
V
c
e

(
V
)
S
I
N
G
L
E
D
U
P
L
O
152
Mdulos CSTBT de Alta Frequncia
Por que fazer um dispositivo mais rpido?

IGBTs de Padro Industrial so otimizados para inversores PWM de
comutao forada com frequncias portadoras de pouco menos de 15kHz

(Baixa V
CE(sat)
o enfoque principal)


Algumas aplicaes tais como fontes de alimentao e aquecimento
indutivo requerem frequncias de operao mais altas (30kHz a 60kHz).

(Baixa E
SW(off)
mais importante)

153
Escolha entre E
off
e V
CE(sat)

Mdulo 1200V, 200A (T
j
= 125 C)
0
5
10
15
20
25
30
1.6 2.6 3.6 4.6 5.6
Vce(sat
E

O
F
F

(

m
J

)

New NFM series
High Frequency 5
th
Generation
CM200DU - 24NFH
Standard 5
th
Generation Module
CM200DY - 24NF
0
5
10
15
20
25
30
New NFM series
High Frequency 5
th
Generation Module
CM200DU - 24 NFH
Standard 5
th
Generation Module
CM200DY - 24 NF
0
5
10
15
20
25
30
1.6 2.6 3.6 4.6 5.6
Vce(sat)
E

O
F
F

(

m
J

)

New NFM series
High Frequency 5
th
Generation
CM200DU - 24NFH
Standard 5
th
Generation Module
CM200DY - 24NF
0
5
10
15
20
25
30
Mdulo Alta Freqncia 5
a
Gerao
CM200DU - 24 NFH
Mdulo Padro 5
a
Gerao
CM200DY - 24 NF
154
100A 150A 200A 300A 400A 600A
600V
2 in 1
CM100DUS-
12F
CM150DUS-
12F
CM200DU
-12NFH
CM300DU
-12NFH
CM400DU
-12NFH
CM600DU
-12NFH

1200V
2 in 1
CM100DU
-24NFH
CM150DU
-24NFH
CM200DU
-24NFH
CM300DU
-24NFH
CM400DU
-24NFH
CM600DU
-24NFH
Espectro de Mdulos Srie-NFH CSTBT de Alta Frequncia
108mm x 62mm 94mm x 48mm 110mm x 80mm
155
a. Resonant Switching with Hard Turn-Off b. Resonant Switching with Hard Turn-On a. Resonant Switching with Hard Turn-Off b. Resonant Switching with Hard Turn-On
Comparao entre CSTBT de Alta Frequncia sob
Chaveamento Ressonante
156
Famlia DIPIPM Famlia IPM Serie L/L1
IPMs 600V para aplicaes 230VCA:
Corrente Nominal (A)
3 8 10 15 20 30 50 75 100 150 200 300 400 600
DIPIPMs IPM Serie-L/L1
IPMs 1200V para Aplicaes 460VCA:
Corrente Nominal (A)
5 10 15 25 35 50 75 100 150 200 300 400
DIPIPM IPM Serie-L/L1
IPMs (Intelligent Power Modules) Confiabilidade mpar!
157
Atualizao de Tecnologia do DIPIPM:
Moldura de baixo custo com superficie isolada para
montar o dissipador ideal para produo em massa.
(Conceito Original da Mitsubishi apresentado em 1998)
IGBT com baixas perdas e um diodo volante super
suave. (Tecnologia 5
a
gerao da Mitsubishi)
HVIC (High Voltage Integrated Circuit) para cambio-
nvel e controle de gate (Projetos originais da Mitsubishi)
600V HVIC using conventional
level shifting structure
New HVIC with 1200V level shift
using divided RESURF structure
High Voltage
Floating
Circuits
High Voltage
Level
Shifters
600V HVIC using conventional
level shifting structure
New HVIC with 1200V level shift
using divided RESURF structure
High Voltage
Floating
Circuits
High Voltage
Level
Shifters
Encapsulamento
de Molde
Marco de
Terminais
HVIC nu
Chip IGBT
Chip Diodo de
Recuperao Ultrarrpida
Mold
resin
IGBT
Insulated thermal radiating sheet
(Cu foil + insulated resin)
IC
FWDi
Al Wire
Cu Frame
Au Wire
Gen. 4 Super Mini DIP-IPM
Mold
resin
IGBT
Insulated thermal radiating sheet
(Cu foil + insulated resin)
IC
FWDi
Al Wire
Cu Frame
Au Wire
Mold
resin
IGBT
Insulated thermal radiating sheet
(Cu foil + insulated resin)
IC
FWDi
Al Wire
Cu Frame
Au Wire
Gen. 4 Super Mini DIP-IPM
Novo: Tecnologia de encapsulamento Gerao 4
Folha de resina fina isoladora de baixa impedncia resulta em muito
melhor desempenho trmico comparado com geraes prvias.
158
DIPIPM: Circuito Tpico de Aplicao

W
V
U
P
G
a
t
e

D
r
i
v
e

Input Signal
Conditioning
LVIC
+VCC
Fault
Logic
UV
Prot.
O
v
e
r

C
u
r
r
e
n
t

P
r
o
t
e
c
t
i
o
n

G
a
t
e

D
r
i
v
e

U
V

P
r
o
t
.

L
e
v
e
l

S
h
i
f
t

I
n
p
u
t

C
o
n
d
i
t
i
o
n

H
V
I
C

+VCC
G
a
t
e

D
r
i
v
e

U
V

P
r
o
t
.

L
e
v
e
l

S
h
i
f
t

I
n
p
u
t

C
o
n
d
i
t
i
o
n

H
V
I
C

+VCC
G
a
t
e

D
r
i
v
e

U
V

P
r
o
t
.

L
e
v
e
l

S
h
i
f
t

I
n
p
u
t

C
o
n
d
i
t
i
o
n

H
V
I
C

+VCC
N
RSHUNT
Motor
+
AC Line
VN1
VNC
CIN
CFO
FO
WN
VN
UN
VUFS
VUFB
VP1
UP
VVFS
VVFB
VP1
VP
VWFS
VWFB
VP1
WP
+
+
+
+15V
+
RSF
CSF
+3.3 to +5V
C
o
n
t
r
o
l
l
e
r

DIP-IPM
Opera com uma fonte s (Com
a Tcnica Boot-Strap)
Conexo Direta do Controle
aos Seis Sinais de Nvel de
Lgica.
Compatvel com Controle de
3.3V ou 5V.
Proteo de Sobre Corrente
(Com Resistor Shunt Externo).
Emissores abertos no lado
inferior disponveis como opo
para a maioria dos tipos.
Bloqueio de Baixa Tenso para
Todos Seis Elementos.
Retroalimentao do sinal de
erro.
Configurao do Circuito
Simplificado (Parasitas de
Circuitos Crticos controlados
dentro do Mdulo)
Poucos Componentes Externos
159
Gama de Produtos DIPIPM Verso 4
Encapsu
-lamento
IGBT
tenso
mxima
Corrente
Nominal / Pico
Corrente de Sada Aplicao Inversor
(A RMS / fase)
Tsink=80C, Tj=125C, Ipico 1.7*Ic, fo=60Hz, PF=0.8
Vcc=300V (mdulo 600V) 600V (mdulo 1200V)
Cdigo
V
CES
I
C
/I
CP
Fsw=5kHz Fsw=15kHz
Super
Mini-DIP
600V 3A/6A 3.6 3.6 PS21961-4
600V 5A/10A 6.0 6.0 PS21962-4
600V 8A/16A 9.6 7.4 PS21963-4E
600V 10A/20A 11.2 8.1 PS21963-4
600V 15A/30A 14.0 9.6 PS21964-4
600V 20A/40A 16.2 11.0 PS21965-4
600V 30A/60A 23.2 16.5 PS21997-4
Mini-DIP
600V 20A/40A 24.0 17.8 PS21765
600V 30A/60A 31.3 22.1 PS21767
DIP
600V 50A / 100A 44.4 30.0 PS21A79
600V 75A / 150A 54.0 36.1 PS21A7A
1200V 5A / 16A 6.0 6.0 PS22A72
1200V 10A / 20A 12.0 9.7 PS22A73
1200V 15A / 30A 18.0 13.1 PS22A74
1200V 25A / 50A 30.0 19.3 PS22A76
1200V 35A / 70A 39.0 25.8 PS22A78E
DIP
79mmX31mmX8mm
Mini DIP
52.5mmX31mmX5.6mm
Super Mini DIP
38mm
X24mmX3.5mm
160
Intelligent Power Modules (IPM) para Aplicaes Industriais Gerais
Serie-L1 NOVO: Serie-V1
Custom LV-ASIC provides gate drive and
protection
50A-300A@600V, 25A-150A@1200V 400A-600A@600V, 200A-450A@1200V
IPMs fornecem melhor confiabilidade e menor tempo para comercializar seu produto!
Chip de Potncia com Sensor
de corrente e de temperatura
Catodo
Anodo
Gate
Sensor de
corrente
Emissor
Diodos para
medio de
Temperatura
161
Caractersticas dos IPMs Serie-L1/V1
IGBTs CSTBT 5
a
Gerao e
diodos volantes
otimizados para serem
sper suaves.

Controle de Gate
Fonte de Corrente Otimizada
para baixas perdas e menor EMI

Mtodos de Proteo
Curto-Circuito
Por emissor de corrente espelho
Sobre temperatura
por sensor de temperatura
embutido
Bloqueio de Baixa Tenso

Retroalimentao do sinal
de erro.
Componentes que o Usurio Fornece para a Interface:
Optoacopladores rpidos para o sinal de controle
Optoacopladores lentos para retroalimentao do sinal de erro
15V CC Isolado para fontes de alimentao de controle
162
Gama dos IPMs Serie-L/L1
C
B
A
120mm x 55mm
131mm x 67mm
135mm x 110mm
D
150mm x 172mm
(*) Opo de Encapsulamento: A=Parafuso, B=Pino para Soldagem
(#) Opo de Circuito: R=Inversor + Freio , C=Inversor
Exemplo: PM75RLB120 um inversor + freio de 75A, 1200V num encapsulamento com terminais para soldagem
* Tj 125C e I
PICO
1.7* I
NOMINAL
so selecionadas para manter as margens recomendadas
Os limites verdadeiros so: Tj 150C, I
Pico
Trip
* Tj
PM450CLA120 120 240 450A/900A
PM300CLA120 100 194 300A/600A
PM200CLA120 86 160 200A/400A
D
PM150(#)LA120 60 125 150A/300A
PM100(#)LA120 57 108 100A/200A
C
PM75(#)L(*)120 37 72 75A/150A
PM50(#)L(*)120 35 60 50A/100A
PM25(#)L(*)120 18 30 25A/50A
A or B
PM600CLA060 225 320 600A/1200A
PM450CLA060 180 260 450A/900A
D
PM300(#)LA060 138 220 300A/600A
PM200(#)LA060 125 190 200A/400A
C
PM150(#)L(*)060 83 128 150A/300A
PM100(#)L(*)060 70 100 100A/200A
PM75(#)L(*)060 64 90 75A/150A
PM50(#)L(*)060 34 50 50A/100A
A or B
fsw =15kHz fsw =5kHz I
C
/Trip
Inversor Sinoidal
Corrente de Sada* (A RMS)
Tsink 80C, Tj 125C, I
Pico
1.7* I
Nom .
PF=0.8, V
CC
= 0.5*V
CES
Nom./ Trip de Sobre
Corrente
Encapsul-
amento
PM450CLA120 120 240 450A/900A
PM300CLA120 100 194 300A/600A
PM200CLA120 86 160 200A/400A
D
PM150(#)L1A120 60 125 150A/300A
PM100(#)L1A120 57 108 100A/200A
C
PM75(#)L1(*)120 37 72 75A/150A
PM50(#)L1(*)120 35 60 50A/100A
PM25(#)L1(*)120 18 30 25A/50A
A ou B
PM600CLA060 225 320 600A/1200A
PM450CLA060 180 260 450A/900A
D
PM300(#)L1A060 138 220 300A/600A
PM200(#)L1A060 125 190 200A/400A
C
PM150(#)L1(*)060 83 128 150A/300A
PM100(#)L1(*)060 70 100 100A/200A
PM75(#)L1(*)060 64 90 75A/150A
PM50(#)L1(*)060 34 50 50A/100A
A ou B
IPM Serie L1 600V para Inversores 240VCA
fsw fsw I
C
Cdigo
Tsink 80C, Tj 125C, I 1.7* I
Nom .
PF=0.8, V
Corrente Nominal



IPM Serie L1 600V para Inversores 460VCA
163
Tenso Corrente Cdigo Tamanho
600 400 PM400DV1A060 120x70mm
600 600 PM600DV1A060 120x70mm
1200 200 PM200DV1A120 120x70mm
1200 300 PM300DV1A120 120x70mm
1200 450 PM450DV1A120 120x70mm
600 900 PM900DV1B060 120x90mm
1200 600 PM600DV1B0120 120x90mm
IPMs Srie-V1
120x70mm
120x90mm
164
BP7B:
VLA106-24154
VLA106-24151
Conversores Isolados DC/DC para a Fonte de Controle
COM
Conector para o IPM Serie-L1
J2
F
O

W
N

V
N

U
N

B
R

V
WP1

W
P

WF
O

V
WPC

V
N1

V
NC

V
VP1

V
P

VF
O

V
VPC

V
UP1

U
P

UF
O

V
UPC

+
C1
+
C2
+
C3
+
C4
+V
J3
J1
R4
VLA106-24154/VLA106-24151
1 2 3 11 10 8 9 16 17
1
2
3
8
11
10
9 V
L
A
1
0
6
-
2
4
1
5
1

1
2
3
8
11
10
9
1
2
3
8
11
10
9
+
LED5
C5
IC12
IC5
IC4
IC3
+V
L
W
N
V
N
U
N
BR W
P
V
P
U
P
FO GND
R3
V
L
A
6
0
6
-
0
1
R

R2
IC1
IC2
IC6
R1
LED4
LED3
LED2
LED1
V
L
A
1
0
6
-
2
4
1
5
1

V
L
A
1
0
6
-
2
4
1
5
1

VLA606-01R
Placa de Desenvolvimento
Para o circuito de interface
Dos IPMs Serie L1 Tpos:

600V 50A-300A
1200V 25A-150A
Interface opto-
isolada para os
IPMs Serie-L1
165
Projetado para os IPMs Serie-L
Encapsulamento D
450A a 600A, 600V
200A a 450A, 1200V
VLA106-24151
Conversor CC/CC Isolado
para a Fonte de Controle
do IPM
CN1
+V
L
W
N
V
N
U
N
W
P
V
P
U
P
FOGND
R7
C7
CN3
D2
C2
R2
IC2
IC8
+
V
UP1
U
P
U
PFO
V
UPC
C9
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
+
V
UN1
U
N
U
NFO
V
UNC
C10
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
D1
C1
R1
IC1
IC7
R8
CN4
D4
C4
R4
IC4
IC10
R10
+
V
VP1
V
P
V
PFO
V
VPC
C11
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
+
V
VN1
V
N
V
NFO
V
VNC
C12
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
D3
C3
R3
IC3
IC9
R11 R9
CN5
D6
C6
R6
IC6
IC12
R12
+
V
WP1
W
P
W
PFO
V
WPC
C13
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
+
V
WN1
W
N
W
NFO
V
WNC
C14
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
D5
C5
R5
IC5
IC11
R13
+
+
C8
+V C
R14 D7
CN2
IC13
IC14
IC15
IC16
IC17
IC18
CN1
+V
L
W
N
V
N
U
N
W
P
V
P
U
P
FOGND
R7
C7
CN3
D2
C2
R2
IC2
IC8
+
V
UP1
U
P
U
PFO
V
UPC
C9
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
+
V
UN1
U
N
U
NFO
V
UNC
C10
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
D1
C1
R1
IC1
IC7
R8
CN4
D4
C4
R4
IC4
IC10
R10
+
V
VP1
V
P
V
PFO
V
VPC
C11
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
+
V
VN1
V
N
V
NFO
V
VNC
C12
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
D3
C3
R3
IC3
IC9
R11 R9
CN5
D6
C6
R6
IC6
IC12
R12
+
V
WP1
W
P
W
PFO
V
WPC
C13
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
+
V
WN1
W
N
W
NFO
V
WNC
C14
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
1 2 3 8 11 10 9
VLA106-24151
D5
C5
R5
IC5
IC11
R13
+
+
C8
+V C
R14 D7
CN2
IC13
IC14
IC15
IC16
IC17
IC18
Esquemtico do Circuito BP6A
BP6A:
Placa de Desenvolvimento para o Circuito de
Interface para os IPMs Serie-L1
166
COMPARE
DELAY
tTRIP
GATE
DRIVE
AND
E
C
G
E
H-Series
IGBT
Module
VTRIP
V+
RG
+
Shut-Down
D1
Input

n
p
+


n -
p
+

n
+

n -