Teoria 15

15.1

Conversor CC/CC Chopper - Modulador PWM (Pulse Width Modulation) - IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Técnicas de Modulação para Variação de Potência em Conversores:

Uma vez que as fontes de alimentação são, tipicamente, de valor de tensão constante, sejam elas CA ou CC, caso seja preciso variar ou controlar a potência aplicada a uma carga, é necessário o emprego de algum tipo de dispositivo que seja capaz de "dosar" a quantidade de energia a ser transferida para a carga. Se a variação ou controle for feito pela manipulação da tensão, o elemento de controle deve ter uma posição em série entre a fonte de alimentação e a carga, como indicado nas figuras a seguir: Pode-se ter um elemento atuador linear (a), sobre o qual tem-se uma queda de tensão proporcional à sua impedância. Mas a queda de tensão sobre a impedância do elemento atuador associada à corrente que flui por este e que segue suprindo a carga, certamente representa uma significativa perda de energia sobre o elemento atuador. A maneira mais eficiente e simples de manobrar valores elevados de potência é por meio de chaves (b). Como uma chave ideal apresenta apenas dois estados estáveis: • • Condução (a corrente é grande, porém a tensão sobre a chave é nula); Bloqueio (a tensão é considerável, porém a corrente pela chave é nula).

Devido a variável nula, então não existe dissipação de potência sobre ela, garantindo a alta eficiência energética deste tipo de arranjo. Obviamente este tipo de variação não é uma variação contínua, mas sim pulsada (chaveada). No entanto, dada a característica de armazenadores de energia presentes nas aplicações com cargas como os motores e como na maior parte dos casos práticos, a freqüência de comutação da chave é muito maior do que a constante de tempo deste tipo de carga, então a própria carga acaba atuando como um filtro, extraindo da tensão instantânea aplicada sobre ela o seu valor médio.

15.2

Modulação por Pulsos:

Neste curso até o presente momento estudamos uma técnica de modulação para variação de potência em conversores que tomando alimentação a partir da rede CA, a transformavam tendo como objetivo uma tensão contínua média na saída para alimentar a carga (motor CC). Quando a tensão de alimentação é alternada, é mais usual o uso de tiristores como interruptores, seja para um ajuste na própria tensão CA (variador de tensão CA), seja para a conversão de uma tensão CA em CC (retificação), utilizando a técnica de controle de fase, no qual, dado um
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semi-ciclo da rede, a chave (tiristor) é acionada em um determinado ângulo (α), fazendo com que a carga esteja conectada à entrada por um intervalo de tempo menor ou igual a um semi-ciclo. A técnica de modulação utilizada neste caso foi a Modulação por Posição de Pulso (em inglês: Pulse Position Modulation -PPM). Nessa técnica a potência é convertida por meio da manutenção constante da duração e da amplitude do pulso, mas deslocando o pulso de sua posição original, segundo a amplitude do sinal modulante (Tensão de controle do CI TCA 785); De agora em diante focalizaremos novas técnicas de modulação por pulsos, com objetivo de escolher uma de técnica de modulação adequada para conversão de potência para um conversor que toma energia a partir de uma fonte de corrente contínua, pois essa técnica contempla aplicações as quais permitem o controle tanto de um motor CC (conversores CC/CC), quanto o controle de um motor de indução trifásico (Conversores CC/CA usado nos Conversores de Freqüência ou Inversores). A modulação por pulsos iniciou a partir da teoria da amostragem, a qual estabelece que a informação contida em qualquer sinal analógico pode ser recuperada a partir de amostras do sinal tomadas a intervalos regulares de tempo. A modulação por pulsos pode ser analógica ou digital. No caso analógico, os valores das amostras do sinal são transferidos ou para a amplitude, ou para a duração ou para a posição de pulso de formato fixo conhecido. No caso digital, os valores das amostras são convertidos para números binários que por sua vez são codificados em seqüências de pulsos que representam cada um dos valores binários. As técnicas de modulação são importantes não apenas para aplicações de variação de potência em conversores, mas também para as aplicações em sistemas de transmissão digital de telecomunicações.

15.3

Teoria da Amostragem:

Nyquist provou, através da teoria da amostragem, que valores de um sinal analógico (o qual é continuo no tempo e em nível, contendo uma infinidade de valores) se tomados (amostrados) a intervalos regulares TA contém a mesma informação do sinal original desde que a taxa de amostragem seja maior que o dobro da largura de faixa do sinal analógico, ou seja, que a freqüência de amostragem (freqüência do sinal da portadora), seja maior que o dobro da maior freqüência contida no sinal a ser amostrado (sinal modulante):

fS > 2⋅ B
onde: fS B é a largura de faixa do sinal analógico; freqüência de amostragem f S =

1 TA

A relação acima é denominada segundo critério de Nyquist. “Aliasing” é a distorção que ocorre num sinal amostrado quando a taxa de amostragem não respeita a taxa mínima conforme Nyquist, impedindo a correta recuperação do sinal e denominada Aliasing que nada mais é do que a superposição dos espectros de cada raia por falta de espaço na banda. É obvio que quando maior a freqüência de amostragem, mais fácil será reproduzir o sinal, mas elevando-se demais a freqüência da portadora, haverá desperdício de banda ocupada, exigindo chaves semicondutoras mais rápidas, sem nenhuma melhoria na qualidade. É possível o uso de filtros passabaixa para retirar componentes indesejáveis devido ao chaveamento.

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br . 71 . Ideal: As amostras de um sinal analógico podem ser transmitidas em uma portadora pulsada de várias formas.Teoricamente.São Paulo . Natural: onde as amplitudes de um trem de pulsos são moduladas pelo sinal Analógico.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp.Vila Leopoldina” 174 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . PPM – Pulse Position Modulation (Modulação de Posição de Pulso). As quatro formas usuais são: • • • • PAM – Pulse Amplitude Modulation (Modulação de Amplitude de Pulso).senai. Instantânea: onde as amplitudes um trem de pulsos correspondem aos valores das Amostras. PAM - As figuras seguintes ilustram o principio da amostragem. um sinal analógico pode ser transmitido através da amostragem: • • • onde as amplitudes de um trem de impulsos correspondem aos valores das Amostras. PCM – Pulse Code Modulation (Modulação Codificada de Pulso). com um exemplo de Modulação de amplitude de pulso: SENAI Rua Jaguaré Mirim. PWM – Pulse Width Modulation (Modulação de Largura de Pulso).

na sua versão mais simples.senai.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. O modulador PWM utiliza: • • Um gerador de onda dente-de-serra com período igual ao intervalo de amostragem Ts.br .Pulse Width Modulation). realizando a comparação entre um sinal senoidal de controle na desejada freqüência f1 (freqüência moduladora) com um sinal de forma de onda triangular de freqüência fp (freqüência portadora). permite obter uma corrente na carga aproximadamente senoidal a uma desejada freqüência f1. O arranjo pode ser implementado na forma de um circuito eletrônico discreto baseado em Amplificador Operacional: Enquanto o valor instantâneo da tensão de controle for maior que o valor instantâneo da portadora temse um valor positivo constante na saída do circuito cuja duração será proporcional à amplitude da tensão de controle no momento de transição quando o valor instantâneo da tensão de controle se passa a ser menor que o valor instantâneo da portadora. SENAI Rua Jaguaré Mirim. fazendo com que se varie a tensão média aplicada ao motor bem como a sua freqüência. As vantagens do PWM incluem: maior imunidade com relação ao ruído e à distorção não-linear. Essa estratégia. embora. os inversores PWM que se utilizam desse método são chamados de senoidal-triangular ou senoidal-rampa. 71 . O resultado dessa comparação é a geração de sinais de chaveamento do inversor (pulsos de modulação).15. Os motores de indução trifásicos controlados e de aplicação industrial são usualmente alimentados com inversores de fonte de tensão modulados por largura de pulso PWM ("pulse width modulation"). sendo que este processo é denominado modulação da duração (largura) de pulsos (PWM . Um circuito comparador.Vila Leopoldina” 175 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . o qual produz a tensão de controle a partir a diferença aritmética da tensão de referência e da tensão de realimentação. A implementação tradicional deste método de modulação é analógica.São Paulo . que dessa forma controla a seqüência e os tempos de ligado e desligado das chaves do inversor (largura de pulsos). atualmente existam algoritmos simples e eficientes para a sua implementação digital.4 Modulador PWM: Os valores das amostras de um sinal analógico podem ser expressos através das durações de pulsos retangulares.

Vila Leopoldina” 176 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . 71 .5 Conversores CC/CC (Choppers): Os conversores CC/CC são aplicáveis onde a fonte de alimentação disponível é em CC. proveniente de um retificador sem controle (com diodos). A tensão CC fixa é convertida em uma tensão CC variável. mais usualmente. ou um banco de baterias e a carga necessita de uma tensão CC variável. trolebus. Simbologia Tomemos o circuito mostrado na figura a seguir na qual se tem um circuito alimentado por uma fonte CC (E) e do qual se deseja obter na saída uma tensão CC. Permitem frenagens regenerativas com economia de energia em sistemas com freqüentes partidas e paradas. em máquinas-ferramenta de dois ou mais eixos.br .senai. fontes chaveadas em geral (fonte do PC). SENAI Rua Jaguaré Mirim. por Modulação de Largura de Pulso (PWM). Os conversores CC/CC são aplicados em acionamentos e controle de máquinas de corrente contínua (tração elétrica): em locomotivas de trens e metrôs (onde uma tensão de cerca de 4000V do sistema de distribuição é transformada em 300V na alimentação de um motor CC).Os pulsos de saída do PWM (sinal modulado) são utilizados para comandar o chaveamento dos IGBT’s do circuito Chopper. através das técnicas de modulação por freqüência ou. 15.São Paulo . etc. automóveis elétricos. empilhadeiras.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. mas de valor variável (no caso igual ou menor que a entrada).

uma tensão contínua proporcional à tensão do sinal de controle.) Esta combinação de indutância e resistência dá origem a uma corrente de carga que tem uma forma de onda triangular. como desejado. O sinal de comando de manobra para a chave é obtido. A figura a seguir ilustra estas formas de onda. transformadores. o sinal da portadora deve apresentar uma variação linear (como uma forma de onda "dentede-serra".Vila Leopoldina” 177 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . motores Elétricos. a sua freqüência deve ser além de fixa. geralmente.Considerando a chave T como uma chave semicondutora ideal: a chave está ou no estado de bloqueio ou no estado de plena condução. além disso. O dispositivo semicondutor opera a uma freqüência alta. A tensão média de saída depende da razão entre o intervalo em que a chave permanece fechada (TON) e o período de chaveamento (TTOT). o qual chamamos de modulante. com período de chaveamento (TTOT) fixo. por exemplo) e. com uma onda periódica. Para que a relação entre o sinal de controle e a tensão média de saída seja linear. A maioria dos inversores produzem de algum tipo de tensão de saída de forma de onda retangular que é SENAI Rua Jaguaré Mirim. Define-se como ciclo de trabalho (largura de pulso ou razão cíclica) a relação entre o intervalo de condução da chave e o período de chaveamento.br . 15. À soma destes dois intervalos de tempos chamamos de período de chaveamento. Em Modulação por Largura de Pulso (em inglês. 71 . bem maior (nos casos prático um bom critério é dez vezes maior) do que a freqüência de variação da modulante.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. por exemplo.senai.6 Projetos Clássicos de Inversores: Inversores normalmente alimentam cargas RL (que são uma combinação de resistência e indutância como.São Paulo . quando comparada com variações na tensão de entrada. sobre a carga. permanecendo aberta por um certo tempo e fechada por outro de tempo. variando-se apenas o tempo em que o interruptor permanece em condução (TON) que pode ser ajustado pelo controle desde zero até o máximo ( TTOT ≥ TON ≥ 0 ). Considere então que a chave é manobrada em intervalos de tempo regulares. Pulse Width Modulation – PWM) opera-se com uma freqüência de chaveamento constante. de modo que seja relativamente fácil filtrar o valor médio do sinal modulado. recuperando. ou seja. pela comparação de um sinal de controle (VC). etc. o qual chamamos de portadora (VP).

São Paulo .8 Característica E/S dos Conversores Choppers: SENAI Rua Jaguaré Mirim.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. Com cargas altamente indutivas a corrente tende a uma reta horizontal.Vila Leopoldina” 178 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . 15. 15. Veja diagrama ao lado.br . A indutância da carga "integra" a tensão aplicada e as variações de corrente ocorrem durante todo o tempo das porções altas e das porções baixas da forma de onda da tensão de saída.7 Tipos Básicos de Conversores CC/CC Chopper: • • • • • Conversor abaixador ou conversor buck (step-down). Conversor abaixador-elevador ou conversor buck-boost Conversor CC operando em quatro quadrantes (H-Bridge) Conversor Cúk.aplicada à carga. A teoria da eletrônica de potência clássica é baseada nesta idéia de aplicar uma forma de onda retangular a uma carga indutiva que resulta em uma corrente triangular que flui do inversor pela carga. A taxa de variação da corrente (inclinação da rampa) depende da constante de tempo L/R da carga em contraponto ao período de chaveamento. assim os componentes ativos no inversor têm que comutar sob uma potência significativa.senai. Conversor elevador ou conversor boost (step-up). Note que a corrente de carga está a seu máximo quando a tensão muda polaridade de valor alto para valor baixo. 71 .

A corrente da carga L é praticamente contínua se a constante de tempo ⎛ ⎞ da carga for maior que o período de ⎜ ⎟ ⎝R⎠ chaveamento (t 1 + t 2 ) . 15.senai.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp.8. menor a ondulação da corrente da carga.1 Conversor CC/CC de operação abaixadora – Buck: Esta operação transfere energia de uma fonte de maior tensão para outra de menor tensão e apresenta característica de fonte de tensão na entrada e fonte de corrente na saída.15. 71 . Quanto maior a freqüência de chaveamento e a indutância na saída.br .2 Conversor CC-CC de operação elevadora – Boost: SENAI Rua Jaguaré Mirim.Vila Leopoldina” 179 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . Modo 1 – Chave fechada.São Paulo . Modo 2 – Chave aberta.8. A tensão de saída conserva a polaridade da tensão de entrada.

5 e ser elevador para k>0.br . • Fluxo de Potência da Fonte para a Carga. o Chopper pode ser classificado em cinco tipos. A tensão de saída apresenta difícil regulação para k>0. Altos picos de corrente na chave durante t1.. Chopper CLASSE A: • Operação somente no 1º quadrante. Modo 2 – Chave aberta. teoricamente variar entre (0 e ∞). • A polaridade da tensão de saída é invertida em relação à da entrada.7. SENAI Rua Jaguaré Mirim. • Em caso de falha na chave a corrente de curto é limitada pela indutância. • A tensão de saída será buck ou boost dependendo do ciclo de trabalho. 2.3 Conversor CC-CC Abaixador / Elevador or Buck/Boost: • A tensão de saída pode. Apresenta condução contínua na corrente da fonte.senai. dependendo do valor de k. • • • • • • • • O conversor Boost pode elevar uma tensão sem auxílio de um transformador.5. altos picos de corrente circulam pela chave.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. • A corrente de entrada é descontínua. A polaridade da tensão de saída é a mesma da tensão de entrada. logo. 1. 15. Dependendo dos Sentidos dos Fluxos da Corrente e da Tensão.São Paulo . O conversor será abaixador para k<0. 15. • Apresenta característica de fonte de tensão na entrada e na saída. 71 .5. É robusto contra curto-circuito na chave ou na carga. Chopper CLASSE B: • Operação somente no 2º quadrante.OBS: Modo 1 – Chave fechada.Vila Leopoldina” 180 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . Apresenta característica de fonte de corrente na entrada e fonte de tensão na saída. Em Máquinas CC esta é uma operação de Aceleração com sentido de Rotação Definido.9 Classificação dos Conversores CC Choppers: A classificação do circuito Chopper é determinada em função do quadrante em que o mesmo pode operar. • Tensão e Corrente sempre positivos. Transfere energia de uma fonte de menor tensão para outra de maior tensão.

• Tensão sempre Positiva.• Tensão sempre Positiva. Em ambas as situações a tensão e a corrente na carga são positivas: SENAI Rua Jaguaré Mirim. Chopper CLASSE E: • Operação em nos 4 Quadrantes.Vila Leopoldina” 181 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . 5. • Fluxo de Potência da Bidirecional. Chopper CLASSE D: • Operação em 1º e 4º Quadrante. • Corrente sempre Positiva.São Paulo . Em Máquinas CC é possível se realizar a inversão do Sentido de Rotação (entre 1º Quadrante e 3º Quadrante e vice-versa e fazer Frenagem nos dois sentidos). • Fluxo de Potência Bidirecional.senai. 71 .br . 3. • Fluxo de Potência da Carga para a Fonte. mas Corrente sempre Negativa. • Fluxo de Potência Bidirecional. que é indutiva.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp.10 Conversores CC/CC de Dois Quadrantes: A combinação de operação das chaves (diodos e transistores) determina se o chopper será abaixador ou elevador: Chopper de dois quadrantes O chopper será abaixador quando S1 conduz durante t1. mas Corrente podendo ser Positiva ou Negativa. transferindo energia da fonte para a carga. Quando S1 abre. circulará por D2. 15. mas Tensão podendo ser Positiva ou Negativa. 4. a corrente de carga. Em Máquinas CC esta é uma operação de Frenagem. • Tensão e Corrente podem ser Positiva ou Negativa. Chopper CLASSE C: • Operação somente no 1º e 2º Quadrante. Em Máquinas CC esta é uma operação de que combina Aceleração e Frenagem com sentido de rotação definido.

Regenerando carga ativa: S1e S4 estando conduzindo e são comandados a bloquear. quando S2 está conduzindo e é comandada a bloquear. Tornando-se nula a corrente por D2 e D3.São Paulo .11 Conversores CC/CC de Quatro Quadrantes: Há várias possibilidades de operação. S1 e S4 estão ligadas e conduzindo. fazendo com que a corrente decresça na mesma direção positiva. havendo regeneração de energia. S1e S4 estão ligadas: • • • • A tensão positiva é aplicada à carga aumentando a corrente de carga no sentido positivo. circulando por S2 e D4. havendo regeneração da energia armazenada na indutância. Deve-se observar que. D2 conduz. a corrente da carga é transferida para o diodo D1. Se S1 e desligada.br . mas é importante ressaltar que o funcionamento da estrutura está relacionado com o tipo de carga entre A e B e a estratégia de comando das chaves.Vila Leopoldina” 182 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . D3 conduz. fazendo com que a corrente decresça na mesma direção positiva. a corrente indutiva regenerará para fonte através de D1 e D4. Operação no segundo quadrante 15. 71 . SENAI Rua Jaguaré Mirim. a energia armazenada em E é dissipada em R.senai. a energia de E é regenerada para fonte através de D1e D4. Comandando-se S2 a abrir. A corrente de carga é transferida para D2 e D3.Operação no primeiro quadrante O chopper elevador é composto pela operação de S2 e por D1 durante o tempo em que S2 permanece aberta. Se S4 e desligada. O conversor de 4-Q permite o fluxo de energia entre carga e fonte em qualquer direção pelo controle de k e escolha das chaves. mesmo havendo sinal de base ativo. Neste modo. É um conversor extremamente versátil. as chaves S2 ou S3 não podem conduzir enquanto a corrente estiver circulando por D2 e D3. e são comandadas a bloquear.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp.

SIT’s (Static Induction Transistor). Por outro lado. os tiristores convencionais foram usados de forma exclusiva para o controle de potência em aplicações industriais. Tais capacitâncias parasíticas tendem a aumentar com a elevação da intensidade da corrente que deve ser controlada. há ainda a necessidade de se operar os dispositivos semicondutores em elevadas freqüências de chaveamento. os MOSFET’s de potência podem também controlar potências elevadas. e dos tiristores em geral (SCR. No entanto. Até os anos 70.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. IGBT’s (Insulated Gate Bipolar Transistor). Os dispositivos semicondutores de potência devem ser capazes de suportar elevadas correntes e elevadas tensões reversas em suas operações de chaveamento. • Característica de elevada impedância de entrada dos transistores de efeito de campo de porta isolada (MOSFET’s). No entanto trazem certas desvantagens nas aplicações de potência. 71 . tendo assim alta impedância de entrada.senai. em termos de transistores os dispositivos semicondutores de potência encontram-se atualmente divididos em quatro categorias: • • • • Transistores Bipolares de Potência. houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência.15.Vila Leopoldina” 183 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . Transistores de Efeito de Campo de Porta Isolada (MOSFET’s) de Potência. para baixas correntes de condução através do canal. em muitas aplicações de eletrônica de potência. pelos laboratórios Bell em 1957. A intensidade do campo elétrico gerado pela aplicação da tensão a porta (Gate) controla a largura do canal que dá passagem à corrente elétrica principal. Além disso.São Paulo . pelas características mais lentas – as quais são devidas às SENAI Rua Jaguaré Mirim.12 Semicondutor de Potência IGBT: Desde a invenção do primeiro tiristor de junção PNPN. uma vez que suas características de entrada exigem que as correntes de base sejam elevadas. Mas têm como desvantagem que para altas correntes não pode operar em altas velocidades de comutação devida às capacitâncias parasíticas de porta (Gate). a princípio. O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos Transistores Bipolares de Potência. Sua velocidade de chaveamento é determinada. O IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada. os dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas de potência durante o chaveamento. O IGBT reune em um único componente duas importantes características: • Característica de comutação dos Transistores Bipolares de Potência. normalmente superiores à freqüência máxima de operação de um Transistor Bipolar de Potência (TBPs).br . GTO. Dessa forma. Os transistores bipolares de potência possuem características que permitem sua utilização no controle de elevadas correntes com baixas perdas quando no estado de condução. já que operam como amplificadores de corrente. o MOSFET pode operar com freqüências bastante elevadas. GCT. Além dos diodos de potência. com a vantagem de serem dispositivos controlados por tensão. vários outros tipos de dispositivos semicondutores de potência foram sendo desenvolvidos e alguns vieram a se tornaram disponíveis comercialmente. SITh). Desde então.

a velocidade dos IGBT’s é semelhante à dos Transistores Bipolares de Potência. Nesta figura podemos constatar entre outras coisas que: • Os tiristores são os dispositivos que conseguem suportar os maiores valores de corrente e tensão. Por fim. 71 . Apresentamos aqui nesta dissertação como operam fisicamente os IGBT’s e apresentaremos o modelo para descrição do seu funcionamento. • Os IGBT’s possuem uma capacidade de suportar maiores tensões e podem operar em freqüências mais altas que os transistores bipolares de potência. • A região de operação segura do IGBT é maior que as regiões reservadas ao MOSFET e ao transistor bipolar. no entanto. apresentamos um gráfico cujo conteúdo permite comparações entre os principais dispositivos semicondutores de potência atuais quanto às suas características de tensão. • Os IGBT’s podem suportar maiores tensões e correntes que os MOSFET’s de potência. em componentes para correntes na faixa de dezenas e até centenas de Ampères. corrente e freqüência de operação.br . SENAI Rua Jaguaré Mirim. nos últimos anos tem crescido gradativamente. o IGBT é um componente que vem se tornando cada vez mais recomendado para comutação de carga de alta corrente em regime de alta velocidade. mas não podem operar em freqüências de chaveamento elevadas. Juntando o que há de melhor nesses dois tipos de transistores. será apresentada uma aplicação dos IGBT’s em eletrônica de potência para mostrar a utilidade do dispositivo.características dos Transistores Bipolares de Potência. o que era desejado.Vila Leopoldina” 184 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 .São Paulo .senai. sejam conversores CA/CC ou sejam Conversores de Freqüência (CA/CA ou Inversores) têm a unidade de potência constituída principalmente de IGBTs Abaixo. Assim.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. permitindo a sua operação em freqüências de até algumas dezenas de kHz. praticamente todos os conversores modernos. De fato. Serão também mostradas as páginas do manual de um fabricante de IGBT para ilustrar as características de operação deste dispositivo.

a junção J1 ficará reversamente polarizada e nenhuma corrente irá circular através dessa junção. No caso o IGBT.br . Abaixo da região da porta (Gate). SENAI Rua Jaguaré Mirim.Vila Leopoldina” 185 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . o IGBT apresenta formação de dois canais ao invés de apenas um. como veremos. A principal diferença entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET é a inclusão de um substrato P+ (Os símbolo “+” e “-“ ou nenhum são usados para indicar o grau da intensidade de dopagem) onde é conectado o terminal de coletor. Esta mudança tem como efeito a inclusão de características bipolares ao dispositivo. 71 . O dispositivo de canal tipo P é análogo e possui uma operação física complementar àquela apresentada para o de canal tipo N. bloqueando a corrente. esta aplicação de tensão positiva no terminal de porta faz com que se forme um campo elétrico na região de óxido de silício responsável pela repulsão das lacunas pertencentes ao substrato tipo P e a atração de elétrons livres desse mesmo substrato para a região imediatamente abaixo da porta. Na estrutura do IGBT.senai. tal como é feito em um MOSFET para fazê-lo entrar em condução. não haverá condução de corrente entre o emissor e o coletor porque a junção J2 estará reversamente polarizada. é importante notar que o terminal de porta está conectado à duas regiões – isoladas do material semicondutor através de uma camada isolante de óxido de silício (SiO2) – ao invés de ser apenas uma região como costumamos ver em MOSFET’s. Se aplicarmos uma pequena tensão positiva no terminal de porta em relação ao terminal de emissor. assim como em um MOSFET. Estrutura do IGBT Enquanto não houver condução de corrente na região abaixo dos terminais de porta. temos uma dupla difusão de uma região do tipo P e uma do tipo N. No entanto. Assim. Esta camada P+ tem como objetivo a inclusão de portadores positivos – lacunas – na região de arrasto (Drift region) como é feito em um transistor bipolar do tipo PNP.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp.São Paulo .15. uma camada de inversão pode ser formada a partir da aplicação de uma certa tensão entre a porta e o emissor (emitter). A estrutura do IGBT é de certa forma semelhante à de um transistor MOSFET. Apresentaremos os princípios relacionados com o dispositivo de canal tipo N. O IGBT é freqüentemente utilizado como uma chave. Nesta situação somente uma corrente muito pequena flui entre o coletor e o emissor e a esta corrente damos o nome de corrente de fuga (leakage current). alternando os estados de saturação (On-state) e corte (Off-state) os quais são controlados pela tensão aplicada ao terminal de porta. apresentamos a estrutura típica de um IGBT de canal tipo N.13 Operação Física do IGBT: Na figura a seguir.

as lacunas encontram um campo elétrico favorável ao seu movimento. que atua como o dielétrico em um capacitor.são recombinadas nesta mesma região com os elétrons livres desta camada.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. a maior parte das lacunas que alcançam a região não se recombinam e alcançam a junção J2 que está reversamente polarizada. em virtude do fato de essa região estar fortemente dopada. determinada pela tensão breakdown da junção J2. temos uma ligação do tipo N entre a pequena região N+ e a região de arrasto.Uma característica desta região de operação é a tensão direta de breakdown. simbolizada por Vth. atingem valores muito mais elevados que àquela que a região N.Vila Leopoldina” 186 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . elétrons serão transportados através deste canal até a região de arrasto onde irão fazer parte da corrente que circula pela junção J3 que está diretamente polarizada. faz com que um campo elétrico se forme entre o terminal de porta e a porção de semicondutor P logo abaixo da porta. Essa injeção de lacunas da região de arrasto causa a modulação da condutividade da região de arrasto onde as densidades de ambos os portadores. em particular para dispositivos de potência. Com este efeito.da região de arrasto que é mais levemente dopada que a região tipo P da região de corpo (Body) para garantir um bom nível de tensão de breakdown. fazendo com que o “diodo” formado pela junção J3 entre em condução. conseqüentemente.geralmente apresenta. fenômeno conhecido como inversão – sendo a camada que sofreu o processo recebe o nome de camada de inversão. onde grandes tensões e correntes estão envolvidas. Isso ocorre enquanto o campo elétrico está se formando ou variando de intensidade.br . Quando a tensão entre a porta e o emissor atinge um determinado valor limite – que depende do dispositivo – conhecida como tensão de limiar (threshold voltage). Isso ocorre pois estes elementos estão isolados pelo oxido de silício. a quantidade de elétrons livres atraídos pelo campo elétrico é tamanha que a região imediatamente abaixo da porta acaba por se transformar do tipo P para o tipo N. mais comumente conhecida como canal. temos que a camada P+ conectada ao coletor injeta lacunas (cargas positivas) na região de arrasto N-. Com a formação deste canal. na entrada do IGBT temos uma capacitância parasítica e uma corrente de pequena intensidade e de bem curta duração circula pela porta de forma a carregar a capacitância parasítica que existe entre a porta e a porção semicondutora logo abaixo do terminal de porta. Assim. as lacunas serão arrastadas por meio da corrente de difusão pela região de arrastamento atravessando a junção J2 até serem coletadas pela região do tipo P onde está conectado o terminal de coletor. Este é um fator extremamente importante. 71 . o IGBT poderá drenar correntes elevadas com poucas perdas de potência. Assim. Os IGBT’s comerciais geralmente são projetados para tensões de breakdown entre 600 V e 1200 V. Com este campo elétrico da junção J2. assim como o que ocorre em um transistor bipolar. aumentamos a intensidade desse campo elétrico. Assim. Tal canal permite a condução de corrente através de uma pequena região na junção J1 que estava reversamente polarizada antes de a tensão entre porta e emissor atingir o valor limiar. e mais portadores negativos serão atraídos para a região imediatamente abaixo do terminal de porta. A tensão de breakdown da junção J2 é dependente da intensidade da dopagem da região N. Ao aumentarmos a tensão entre a porta e o emissor. Como vimos. SENAI Rua Jaguaré Mirim.senai. Dessa forma. justamente por causa da polarização reversa da junção. É esta modulação de condutividade que dá ao IGBT sua baixa tensão de condução entre os terminais de coletor e emissor (VCE) do IGBT por causa da reduzida resistência da região de arrasto – isto se deve ao fato de que a condutividade de um material semicondutor é proporcional à densidade de portadores deste material. No entanto. Algumas das lacunas injetadas na região N.São Paulo . elétrons livres e lacunas. aplicando-se uma tensão positiva entre a porta e o emissor do dispositivo. Este campo elétrico atrai alguns elétrons livres da própria região tipo P e alguns elétrons livres das porções N+ localizadas dentro desse substrato P.

br . a região de corpo do MOSFET do tipo P e a região de arrastamento tipo N-. Uma vez que o tiristor tenha sido disparado. Essa corrente de dreno do MOSFET atua como o disparo do transistor.Esta operação física do IGBT é ilustrada na figura apresentada abaixo: Analisando a figura acima e verificando como é a operação física do IGBT. geralmente conduz à destruição do dispositivo. teremos uma queda de tensão que irá polarizar diretamente a junção entre esta camada semicondutora e a região N+ ativando o transistor parasita que forma um tiristor parasita juntamente com o transistor PNP principal da estrutura do IGBT.Vila Leopoldina” 187 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 .SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. fazendo com que a tensão de gate não influa mais na operação do dispositivo – assim como o que ocorre com os tiristores – fazendo com que o controle da operação do IGBT seja perdido. Geralmente. A figura 3 (b) mostra um modelo mais completo para o circuito equivalente do IGBT que inclui o transistor parasita pela região tipo N+ da fonte do MOSFET. Neste modelo também é apresentada a resistência lateral da região tipo P da região de corpo. os fabricantes de IGBT constroem o molde da superfície do emissor em forma de uma SENAI Rua Jaguaré Mirim. quando ocorre. podemos facilmente deduzir um modelo para descrever o funcionamento do dispositivo usando apenas componentes eletrônicos conectados de forma a funcionar de modo equivalente ao IGBT. temos uma estrutura que opera exatamente como um MOSFET de Operação Física do potência cuja corrente de dreno é IGBT injetada na região de arrastamento que corresponde à base do transistor PNP de potência que temos ao longo do IGBT. Se a corrente fluindo através dessa resistência for elevada o suficiente. Olhando a figura acima. podemos modelar o IGBT pelo circuito equivalente da figura abaixo. 71 . há uma elevada injeção de elétrons livres oriundos da região tipo N+ na região tipo P do substrato do MOSFET. Este fenômeno – denominado latch-up –. Assim. vemos que temos ao longo do dispositivo três fatias de semicondutores formando uma junção PNP que é a mesma que forma um transistor bipolar de potência cuja base é conectada à região central e os terminais de coletor e emissor são conectados do mesmo modo que no TBP.São Paulo . Na parte de cima da figura.senai.

conversores de freqüência.br . O Efeito Miller nada mais é do que a realimentação da tensão entre coletor-emissor (VCE) através da capacitância existente entre a porta e o coletor do dispositivo (CGC). As maiores variações de CGC ocorrem justamente com pequenas tensões entre emissor e coletor.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. normalmente uma carga indutiva é ligada e desligada. IGBT produzido pela empresa International Rectifier Os IGBT’s são componentes usados principalmente como comutadores em conversores CA/CC. Quando o IGBT desliga.senai. 71 . Este pico de tensão é responsável por perdas e exige um aumento no tempo morto entre a condução de dois dispositivos semelhantes quando estes são usados numa configuração de meia-ponte. Nestas aplicações. e isso faz com que o pico de sobretensão apareça devido à variação de corrente nas indutâncias parasitas. inversores etc.Vila Leopoldina” 188 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . onde a intensidade desta corrente é dada pela expressão: I G = C GC (VCE ) ∂VCE ∂t Infelizmente. Quando o IGBT liga novamente. O máximo de corrente IRR ocorre quando a soma das tensões instantâneas sobre o IGBT e o diodo se iguala à tensão de alimentação. Essa proteção é feita com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor para evitar que uma elevada tensão reversa seja aplicada ao IGBT. Isso faz com que apareça uma corrente que se soma à corrente de carga a qual é chamada de corrente reversa de recuperação do diodo IRR. CGC não è constante. contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Em conseqüência disso temos explicações para alguns comportamentos do IGBT: SENAI Rua Jaguaré Mirim. mudando de valor com a tensão entre coletor e emissor.São Paulo . temos o símbolo utilizado em circuitos para designar o IGBT. podendo com isso aparecer tensões inversas elevadas. Também apresentamos um desenho do aspecto do IGBT produzido como componente discreto pela International Rectifier. o resultado é uma variação de corrente. Isso que dizer que uma variação da tensão entre o coletor e emissor (VCE) tem o mesmo efeito que uma fonte de corrente interna no circuito de polarização . Neste símbolo vemos detalhes que lembram tanto o símbolo usado para transistores bipolares como o símbolo usado para MOSFET’s.tira estreita. Na figura apresentada a seguir. como o que será mostrado no exemplo de aplicação desse dispositivo. A carga armazenada tem que ser removida inicialmente para que o diodo bloqueie a tensão. o fluxo de corrente no diodo funciona inicialmente como se fosse praticamente um curto. tal fato permite que se evite o disparo do tiristor parasita existente na estrutura do IGBT. Um ponto importante que deve ser levado em consideração em todo dispositivo de comutação é o Efeito Miller. enquanto que a geometria utilizada em MOSFET’s é baseada em células concentradas.

Em conseqüência. e a tensão de porta permanece constante. um aumento linear da tensão de porta é obtido. a porta tem sua velocidade de resposta reduzida.São Paulo . Quando o IGBT desliga . resulta em aumento da tensão.Vila Leopoldina” 189 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . Somente quando a corrente necessária à carga se reduz novamente é que a tensão de porta aumenta.partindo de Vce alto e VGE igual a zero ou negativo – com uma corrente constante carregando a porta. O problema foi resolvido instalando-se um retificador de potência que transforma a tensão a ser transmitida em tensão contínua e a energia é transmitida em DC até os centros consumidores (o principal é a cidade de São Paulo) onde é novamente alternada. CGC aumenta de valor de tal forma que. SENAI Rua Jaguaré Mirim. Deve ser mencionado que as mudanças de CGC e VCC regulam por si próprias de tal forma que apenas a corrente disponível na porta é usada.partindo de VCE baixa. quando a tensão entre o coletor e o emissor cai. sendo que metade da produção (pertencente ao Brasil) é gerada em 60Hz e a outra metade (pertencente ao Paraguai) é gerada em 50Hz. Tal processo é muito utilizado em sistemas de transmissão de energia elétrica CA na construção de filtros ativos de potência e em sistemas de transmissão HVDC (High Voltage Direct Current). os quais produzem tensão alternada através de tensão contínua. Isto explica porque. Como existe uma fonte de polarização que está drenando corrente da porta. a tensão entre porta e emissor se mantém constante. As características de tensão e corrente de um IGBT se assemelham muito com as características de um transistor MOSFET e de um transistor bipolar de potência.senai. boa parte da energia produzida pela parte paraguaia é vendida ao Brasil que consome tensão alternada em 60Hz.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. apresentamos aqui o manual dos IGBT’s fabricados pela Mitsubishi.PDF. agora em 60Hz para ser enviada aos transformadores que irão abaixar a tensão para a distribuição entre os consumidores de energia.br . No caso de inversores de tensão que serão aplicados na construção de filtros ativos de potência dá-se preferência ao emprego de IGBT’s devido à sua possibilidade de operar em elevadas freqüências. VCE aumenta e a maior parte da corrente de descarga da porta é usada para manter a tensão de porta constante. 71 . 15. No entanto. O processo de carga termina quando VCE alcança a tensão de operação. VGE positiva ou maior que a tensão limiar – Vth – a tensão de porta inicialmente decresce quase que linearmente (pela fonte de corrente constante de descarga). Com a queda da tensão entre coletor e emissor VCE a corrente de polarização de porta é usada para carregar CGC. carregando ou descarregando . Mais tarde. A Usina de Itaipu pertencente ao Brasil e ao Paraguai (que durante muitos anos foi a maior usina hidrelétrica do mundo) produz energia com o sistema de corrente alternada. É devido ao Efeito Miller que a corrente de porta durante a comutação (ligado ou desligado) é usada antes de tudo para mudar a carga CGC. Para uma visualização das características de um IGBT real. Isso esclarece porque um resistor de grande valor ligado em série com a porta faz que todos os eventos que envolvam a comutação de uma IGBT tenham seu tempo de duração aumentado. Este inversor de tensão pode geralmente ser construído com o uso de GTO’s (Gate Turn-Off Thyristor) ou IGBT’s.14 Aplicações do IGBT – Um Inversor de Tensão: Uma das aplicações do IGBT das mais utilizadas em eletrônica de potência é na construção de inversores de tensão. uma pequena variação de VCE é suficiente para levar a um aumento da corrente de porta. A diminuição da capacitância a qual ocorre com o aumento da carga.Quando o IGBT liga (turn-on) . no formato .

A ordem de chaveamento é mostrada na tabela a seguir: GQ1 1 1 1 0 0 0 GQ2 0 0 1 1 1 0 GQ3 1 0 0 0 1 1 GQ4 0 0 0 1 1 1 GQ5 1 1 0 0 0 1 GQ6 0 1 1 1 0 0 Nos gráficos apresentados a seguir temos as tensões que são conectadas para a carga por cada uma das chaves com o intervalo de tempo da comutação e a tensão total entre a fase C e o neutro da associação em Y na saída do transformador apresentado na figura acima.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. onde cada estado corresponde ao chaveamento de: • • • Sempre três (e apenas três) IGBT’s são ligados simultaneamente de cada vez. Nunca são acionados simultaneamente todos os três da parte de cima.Vila Leopoldina” 190 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . 71 . SENAI Rua Jaguaré Mirim.senai.O bloco básico de construção de um inversor de tensão usando IGBT’s é apresentado no esquema abaixo: A B C As tensões de porta de cada um dos IGBT’s são controladas a partir de uma Máquina de Estados Finitos.São Paulo . Nunca são ligados simultaneamente dois IGBT’s da mesma associação em série.br . nem todos os três da parte de baixo.

como mostrado na figura.br .Vila Leopoldina” 191 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . Por isso. Para melhorar o desempenho do inversor. da seguinte forma apresentada na figura abaixo: SENAI Rua Jaguaré Mirim. vemos que a forma de onda da tensão na fase C com respeito ao neutro é formada por seis segmentos idealmente retos. Esta forma de onda na saída é semelhante a uma forma de onda senoidal. com apenas uma diferença de fase de 120° de uma em relação à outra.São Paulo . este bloco funcional é denominado de um inversor de 6 segmentos. embora ainda possua muita distorção harmônica (possui componentes harmônicos de freqüências mais altas).SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. As formas de onda nas demais fases apresentam a mesma forma de onda que a da fase C. 71 .senai. geralmente o que se usa é a associação de mais blocos de inversores de 6 segmentos como o mostrado acima em série.Assim.

Vila Leopoldina” 192 Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial ESCOLA SENAI “MARIANO FERRAZ" NAI CEP: 05311-020 . Este exemplo foi apresentado aqui para ilustrar uma forma de aplicação do IGBT na prática. 71 . essa forma de onda se aproxima mais de uma senóide do que a forma de onda anterior. que elimine as componentes de altas freqüências. o primeiro transformador é do tipo Y-Y. a saída deste inversor será formada pela forma de onda de 6 segmentos normal somada a esta mesma forma de onda deslocada de 30°. como uma chave em aplicações de elevadas potências. as quais são responsáveis pelas transições abruptas dessa forma de onda e causam um elevado fator de distorção harmônica. Para suavizar esta forma de onda de modo que ela se aproxime mais de uma forma senoidal.br .São Paulo . Allenz 2005-2007 SENAI Rua Jaguaré Mirim.Cada um dos inversores mostrados na figura acima é idêntico ao inversor de 6 segmentos do esquema anterior e geram as mesmas formas de onda. é necessário que ser utilize um filtro passa-baixas.SP Fone/Fax: (011)3641-0024 E-Mail: ahp106@sp. temos que a saída será defasada em 30° com relação à forma de onda original. já no caso do segundo transformador do tipo Δ-Y. o que irá gerar uma forma de onda na saída de 12 segmentos como mostrado abaixo: Como podemos ver. Assim. No entanto. fazendo com que a forma de onda na saída não apresente nenhuma defasagem com relação ao sinal original.senai.

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