Projeto Curso Instrumentação Eletrônica - Nivelamento - Eletricidade, Eletronicas Analógica e Digital - Completa

CURSO INSTRUMENTAÇÃO ELETRÔNICA
NIVELAMENTO
Órbita
Elétron
Próton +
+ +
+ K
L
Nêutron
M
N
O
Núcleo P
Q
Professor: João Renato Aguiar Soares
Outubro/2019
Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Amazonas - IFAM
Campus Manaus Distrito Industrial – CMDIurso Instrumentação Eletrônica
Curso Instrumentação Eletrônica
Nivelamento: Eletricidade, Eletrônicas Analógica & Digital
Sumário
Revisão: Nivelamento de Conceitos Básicos de Eletricidade,
Eletrônica Analógica e Digital
N1: Conceitos Básicos de Eletricidade
INTRODUÇÃO
1.1 Definição . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2 Um pouco de História . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.3 Estrutura Atômica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
PRINCÍPIOS DE ELETROSTRÁTICA
1.6 Carga Elétrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.4.1 Condutores & Isolantes . . . . . . . . . . . . . . 8
1.4.2 Condutividade Elétrica . . . . . . . . . . . . . . 9
1.4.3 Isolantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.5 Eletrização dos Corpos . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.6 Campo Elétrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6.1 Comportamento do Campo Elétrico . . . . . . . . . . 11
1.7 Força Elétrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.7.1 Lei de Coulomb . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
PRINCÍPIOS DE ELETRODINAMICA
1.8 Diferença de Potencial - ddp . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.9 Tensão Elétrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.9.1 Tensão Contínua – DC . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.10 Corrente Elétrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.10.1 Corrente Contínua – DC . . 15
1.11 Fontes de Alimentação . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
RESISTÊNCIA ELÉTRICA & LEI DE OHM
1.12 Resistência Elétrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.13 Lei de Ohm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
POTÊNCIA ELETRICA
1.14 Potência Elétrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
DISPOSITIVOS REATIVOS
1.15 Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.16 Indutor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
TENSÃO E CORRENTE ALTERNADA
1.17 Tensão Alternada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

Professor: João Renato Aguiar Soares P á g i n a 1/118
1.17 Corrente Alternada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

1.13 Exercícios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
N2: Conceitos Básicos de Eletrônica Analógica
INTRODUÇÃO
2.1 Definição . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.2 Um pouco de História . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
2.3 Tecnologia de Processamento da Informação . . . . . . . . . 31
2.3.1 Tecnologia Analógica . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.4 Tecnologia de Fabricação dos Componentes . . . . . . . . . 31
2.4.1 Tecnologia Discreta . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.4.2 Tecnologia Integrada . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.4.3 Tecnologia de Dispositivo Montado em Superfície . . 32
MATERIAIS & DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
2.5 Materiais Semicondutores . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
2.6 Condução em Cristais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.7 Dopagem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.8 Diodo Semicondutor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.9 Junção PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2.10 Polarização Direta e Reversa . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.10.1 Polarização Direta -> VD  0 [V] . . . . . . . . . . . 40
2.10.2 Polarização Reversa -> VD  0 [V] . . . . . . . . . . 41
2.11 Curvas Características . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.12 Reta de Carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.13 Resistêcia DC de um Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.14 Aspecto Físico dos Diodos . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.15 Transistor Bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.15.1 Informações Gerais . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.15.2 Tipos/Simbologias . . . . . . . . . . . . . . . . 50
2.15.3 Transistor Não Polarizado . . . . . . . . . . . . . 50
2.15.4 Transistor Polarizado . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.15.5 Funcionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.15.6 Configurações do Transistor . . . . . . . . . . . . 53
2.15.7 Ganhos de Corrente – DC . . . . . . . . . . . . . . 54
2.15.8 Curvas Características dos Transistores . . . . . . 55
2.15.9 Curvas da malha de entrada – curvas da Base . . . . . 56

2.15.10 Curvas da malha de saída – curvas do Coletor . . . . . 57

2.15.11 Limites do Transistor . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.15.12 Reta de Carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.15.13 Regiões de Operação do Transistor . . . . . . . . . 59
2.15.14 Pontos de Operação - Q (quiescente) . . . . . . . . 59
2.16 Amplificadores Operacionais . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.16.1 Informações Gerais . . . . . . . . . . . . . . . . 62
2.16.2 Entrada com Terminação Única . . . . . . . . . . . 63
2.16.3 Entrada com Terminação Dupla - Diferencial . . . . . 63
2.16.4 Operação Modo-Comum . . . . . . . . . . . . . . . 64
2.16.5 Operação Rejeição de Modo-Comum . . . . . . . . . . 64
2.16.6 Operação Diferencial e Modo-Comum . . . . . . . . . 65
2.16.7 Entradas Diferenciais . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.16.8 Entradas Comuns . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.16.9 Tensão de Saída . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.16.10 Entradas de Polaridades Opostas . . . . . . . . . . 66
2.16.11 Entradas com Mesma Polaridade . . . . . . . . . . 66
2.16.12 Amplificador Operacional Básico . . . . . . . . . . 67
2.16.13 Circuitos Básicos do Amplificador Operacional . . . 70
2.16.14 Amplificador Inversor . . . . . . . . . . . . . . . 70
2.16.15 Amplificador Não-Inversor . . . . . . . . . . . . 71
2.16.16 Amplificador Multiplicador de Ganho Constante . . . 72
2.16.17 Amplificador Somador de Tensão . . . . . . . . . . 75
2.16.18 Amplificador Subtrator de Tensão . . . . . . . . . . 76
2.16.19 Amplificador de Tensão de Ganho Unitário - Buffer . . 78
N3: Conceitos Básicos de Eletrônica Digital
SISTEMAS DE NUMERAÇÃO
3.1 Definição . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.1 Sistema Decimal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.2 Sistema Binário . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.3 Sistema Hexadecimal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
CONVERSÃO ENTRE SISTEMAS NUMERICOS
3.4 Conversão Digital . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
CONVERSÃO BINÁRIO E HEXADECIMAL PARA DECIMAL
3.5 Conversão Binário/Decimal . . . . . . . . . . . . . . . . 81

CONVERSÃO HEXADECIMAL/BINÁRIO E BINÁRIO/HEXADECIMAL

3.6 Hexadecimal para Binário . . . . . . . . . . . . . . . . 82
3.7 Binário para Hexadecimal . . . . . . . . . . . . . . . . 82
3.8 Código ASCII (American Standard Code For Information Interchange) 83
PORTAS LÓGICAS
3.9 Porta E ou AND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.10 Porta OU ou OR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
3.11 Porta NÃO (Inversor) ou INVERTER . . . . . . . . . . . . . 84
COMBINAÇÃO DE PORTAS
3.12 Porta NE ou NAND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.13 Porta NOU ou NOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.14 Porta OU EXCLUSIVO ou EXCLUSIVE OR . . . . . . . . . . . 86
3.15 Porta NOU EXCLUSIVO ou EXCLUSIVE NOR . . . . . . . . . . 86
3.16 Porta com múltiplas entradas . . . . . . . . . . . . . . . 87
MULTIPLEXADORES
DEMULTIPLEXADORES
CONVERSÃO D/A E A/D
3.17 Conversores Digital/Analógico . . . . . . . . . . . . . . 92
3.17.1 Parâmetros dos Conversores . . . . . . . . . . . . 93
3.18 Conversores Analógico/Digital . . . . . . . . . . . . . 96
3.18.1 Conversores A/D de Contagem Ascendente . . . . . . . 96
3.18.2 Conversores A/D por Rastreamento . . . . . . . . . . 97
3.18.3 Parâmetros de Conversão . . . . . . . . . . . . . . 98
MEMÓRIAS
3.19 Conceitos de Palavra e Endereço . . . . . . . . . . . . . 100
3.19.1 Memória Apenas de Leitura - ROM . . . . . . . . . . 100
3.19.2 Organização de Memória . . . . . . . . . . . . . . 107
3.19.3 Memória Apenas de Leitura . . . . . . . . . . . . . 110
3.19.3 Amplicação da Capacidade de uma Memória ROM . . . . 110
3.20 Outros Tipos de Memórias . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.20.1 Memória PROM (Programmable Eresable Read Only Memory) 111
3.20.2 Memórias FLASH . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.20.3 Memórias FLASHFILE . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.20.4 Memórias FIELD . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
3.20.5 Memórias FIFO . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

3.20.6 Memórias SERIAIS . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

3.20.7 Memórias de Escrita e Leitura - RAM . . . . . . . . . 113
3.20.8 Memórias Estáticas . . . . . . . . . . . . . . . . 114
3.20.9 Memórias RAM Dinâmicas . . . . . . . . . . . . . . 114
3.21 Características de Memória . . . . . . . . . . . . . . . 116
Referências Bibliográficas . . . . . . . . . . . . . . . . . 118

Revisão: Nivelamento de Conceitos Básicos de Eletricidade, Eletrônica

Analógica e Digital
N1: Conceitos Básicos de Eletricidade
INTRODUÇÃO
1.1 Definição
ELETRICIDADE S. f. (a). 1.Fenômeno físico resultado do comportamento de
elétrons e prótons causado pela atração de partículas de cargas opostas ou de
repulsão de partículas com a mesma carga. 2. Corrente ou energia elétrica. 3.
Ramo da física que estuda as leis e os fenômenos da eletricidade. 4. Estado de
forte tensão emocional [1].
1.2 Um pouco de História

A eletricidade não pode ser vista nem ouvida, não tem cheiro nem sabor. Na
Antiguidade e na Idade Média pouco se sabia sobre ela. Fenômenos ligados à
eletricidade geralmente causavam medo, como, por exemplo, o relâmpago,
considerado um Deus dos povos primitivos, ou eram explicados como magia, como
é o caso da eletrização do âmbar, resina fóssil que em grego é chamada de
eletron, palavra de onde derivou a palavra eletricidade.
O sábio grego Tales de Mileto foi provavelmente o primeiro a observar a
capacidade da eletrização do âmbar.
Em 1750 o norte-americano Benjamin Franklin observou que os raios das
descargas atmosféricas são um tipo de eletricidade.
Por essa mesma época, o francês Charles François du Fay constatou dois
tipos de eletricidade: a atrativa e outra repulsiva.
1.3 Estrutura Atômica

A matéria possui massa, ocupa lugar no espaço e constitui-se de partículas
chamadas átomos. A matéria classifica-se em dois grupos: elementos e
compostos. Em um elemento, todos os átomos são iguais, por exemplo, alumínio,
cobre, ferro e etc. Um composto é formado pela combinação de elementos, por
exemplo, água, sal, madeira e etc. A menor partícula de qualquer composto
chama-se molécula.
Os átomos são constituídos pelas moléculas subatômicas: elétrons, prótons
e neutrons. Os prótons e os neutrons encontram-se na região central do átomo
chamado de núcleo, enquanto que os elétrons orbitam este núcleo em uma região
denominada de eletrosfera [2].
O físico inglês Lorde Ernest Rutherford idealizou o modelo atômico em que
o átomo é descrito como a miniatura do sistema solar [Figura N1.1] [3].
Figura N.1.1 – Diagrama do modelo atômico de Rutherford.
Este núcleo possui carga elétrica positiva (+) fixa em função dos prótons
que atrai os elétrons em torno deste com carga negativa (-). Os nêutrons não
possuem carga elétrica.
Os elétrons giram em torno do núcleo em trajetórias de camadas
concêntricas chamadas órbitas. Os átomos de diferentes elementos
caracterizam-se por apresentarem diferentes números de prótons e elétrons
entre sí. Quando um átomo qualquer dispõe do mesmo número de prótons e de
elétrons, ele está em equilíbrio, ou estável, porque as cargas de polaridade
positivas anulam as de polaridade negativa.
A energia de um átomo é a soma da energia de todos os elétrons e estes
possuem energias diferentes, chamados de níveis de energia, cujo nível é
proporcional à sua distância em relação ao núcleo. Os elétrons situados na
camada mais externa da eletrosfera são denominados de elétrons da camada de
valência. Quanto maior a órbita do elétron, maior será a sua energia potencial
e o seu raio orbital. Figura N1. 2. [2].
3ª. órbita → Níveis de Energia do Elétron

2ª. órbita →
r3
3º. nível
1ª. órbita →
r2 2º. nível
Núcleo → r1
r2 r1 1º. nível
Núcleo
r3 0
Figura N1.2 – Raios orbitais e níveis de energia do elétron no átomo.
Quando o átomo recebe energia externa como calor, luz ou diferença de

potencial, esta pode aumentar a energia em um dos elétrons e este sobre de
nível, muda de camada, para um imediatamente superior. Quando isto ocorre
diz-se que o elétron está excitado e instável. Quando o elétron desprende-se
da força de atração do seu núcleo ele é denominado de elétron livre e é atraído
pelo núcleo do átomo mais próximo. É o movimento dos elétros livres que
produz a corrente elétrica num condutor metálico.
Quando o átomo perde um elétron ele torna-se um íon positivo, por passar a
dispor de mais prótons que elétrons. Quando o átomo ganha um elétron, então
ela passa a ser um íon negativo, exatamente por nesta condição, possuir mais
elétrons do que prótons [4].
PRINCÍPIOS DA ELETROSTÁTICA
1.4 Carga elétrica
Alguns corpos são capazes de ceder elétrons e outros de receber elétrons.
Assim sendo, é possível que haja a transferência de elétrons de um corpo para
outro. Quando isso ocorre o corpo não está mais eletricamente equilibrado. O
corpo que tem excesso de elétrons passa a ter polaridade negativa (-), enquanto
que o com excesso de prótons a ter polaridade positiva (+).
Se dois corpos têm ambos cargas positivas (+) ou negativas (-), diz-se que os
corpos têm cargas com polaridades iguais. Quando os corpos têm cargas com
polaridades diferentes, diz-se que possuem polaridades opostas. A lei das
cargas elétricas foi definida por Du fay [2, 3]:
“Cargas elétricas com polaridades opostas se atraem e com polaridades
iguais se repelem”.
A quantidade de carga elétrica de um corpo é determinada pela diferença
entre o número de prótons e de ele´trons contidos neste corpo. È representada
pela letra Q e tem por unidade o coulomb (C).
Uma carga de um coulomb negativo, -Q , significa que o corpo tem uma carga
de 6,25  1018 mais elétrons que prótons [2].
1.4.1 Condutores & Isolantes

Observa-se na Figura N1.3 que existem níveis de energia máximos nos
quais qualquer elétron na rede atômica pode estar e que também existem os
intervalos, também denominados de gaps ou regiões proibidas, onde não há
elétrons, entre a banda de valência e o nível de ionização. A distância
entre as bandas de energia de condução e de valência, a largura da banda
proibida define o comportamento elétrico do material, isto é, se ele é
condutor, isolante ou semicondutor [2, 4, 7].

1.4.2 Condutividade Elétrica
É a propriedade existente nos materiais condutores, que permite a
transferência de elétrons considerados livres entre os átomos, ao que se
denomina de corrente elétrica. Ocorre nos metais onde os elétrons mais
afastados do núcleo estão fracamente ligados a ele e são deslocados para a
eletrosfera de outros átomos quando submetidos a uma energia externa. São
materiais como: prata, cobre, ouro, alumínio, tungstênio, níquel, ferro e
etc. Gases também são usados como condutores sob certas condições, por
exemplo, néon, vapor de mercúrio e o vapor de sódio que são usados algumas
lâmpadas.
1.4.3 Isolantes
São os materiais que possuem poucos elétrons livres e que é
necessário aplicar grande quantidade de energia para liberar os elétrons
da influência do núcleo. São também de dielétricos. Como exemplo, pode-se
citar: ar seco, vidro, mica, borracha, amianto, baquelita e etc. Não existem
condutores e nem isolantes perfeitos. Figura N1.3.
Energia (Isolante) Energia (Condutor) Energia (Semicond
Banda de Condução
Banda de Condução Banda de Conduçã
Banda Proibida Banda Proibida
Banda de Valência Banda de Valênci

Banda de Valência
Figura N1.3 – Níveis de energia: bandas de valência e de

condução do isolante e do condutor.
1.5 Eletrização dos Corpos

Pode-se eletrizar corpos com carga por meio da ionização dos seus átomos,
retirando ou inserindo elétrons das suas órbitas [8]:
a. Eletrização por atrito:
Atritando materiais isolantes diferentes, o calor gerado pode ser
o suficiente para transferir elétrons de um material para outro,
ficando ambos os matérias eletrizados, sendo um positivo (o que
cedeu elétrons) e o outro negativo (o que recebeu elétrons). Figura
N1.4.

Figura N1.4 – Eletrização por atrito [19].
b. Eletrização por contato:

Se um corpo eletrizado negativamente é colocado em contato com
outro neutro, o excesso de elétrons do corpo negativo será
transferido para o corpo neutro até que ocorra o equilíbrio
eletrostático. Doravante, o corpo neutro fica negativamente
eletrizado. Figura N1.5.
Figura N1.5 – Eletrização por contato [19].
c. Eletrização por indução:

É quando a eletrização de um corpo inicialmente neutro (induzido)
é aproximado de um corpo carregado (indutor), sem que haja contato
físico entre os corpos. O induzido deve estrar ligado à terra ou a
um corpo maior que possa lhe oferecer elétrons. Figura N1.6 [19].
Figura N1.6 – Eletrização por indução.

1.6 Campo Elétrico
É uma grandeza física vetorial usada para definir a força elétrica que uma
carga é capaz de produzir em outras cargas elétricas de prova e
de módulo unitário em função de suas distâncias [8].
O campo elétrico de uma carga pontual e no vácuo pode ser calculado por
meio da seguinte equação:
 k Q
E 0 2 01 
d

E  vetor campo elétrico [N/C ou V/m]
Q  carga geradora do campo elétrico [C]
k  8,99  10x  constante eletrostática no vácuo [Nm 2 /C]
d  distância [m]
1.6.1 Comportamento das linhas de campo

a. Cargas com polaridades opostas:
Quando duas cargas de polaridades opostas estão próximas, as
linhas de campo divergentes da carga positiva, tendem a convergir
para a carga negativa, por isso a força entre elas é de atração.
Figura N1.6.
Figura N1.6 – Cargas elétricas com polaridades opostas [19].
b. Cargas com polaridades opostas positivas:

Quando duas cargas de polaridades positivas estão próximas, as
linhas de campo são divergentes para ambas as cargas. A força entre
elas é de repulsão. Figura N1.7.
Figura N1.7 – Cargas elétricas com polaridades opostas positivas [19].

c. Cargas com polaridades opostas negativas:
Quando duas cargas de polaridades negativas estão próximas, as
linhas de campo são convergentes para ambas as cargas. A força entre
elas é de repulsão. Figura N1.8.
Figura N1.8 – Cargas elétricas com polaridades opostas negativas [20].
1.7 Força Elétrica

Quando é inserida uma carga Q em um ponto qualquer de um campo elétrico
 
E uniforme, essa carga fica sujeita a uma força F , cuja unidade é o newton [N],
sendo seu módulo calculado por [8]:
 
F  QE 02
F  intensidade da força de atração ou repulsão [N]


E  vetor campo elétrico [N/C ou V/m]
Q  carga geradora do campo elétrico [C]
1.7.1 Lei de Coulomb

Em 1911, Rutherford descobriu que o átomo consiste de um núcleo que possui
uma carga elétrica positiva fixa em função dos prótons, que atrai os elétrons
que giram em torno de si com carga negativa. A força de atração entre o elétron
e o próton é dada pela lei de Coulomb [4, 5]:
“A intensidade da força entre duas cargas puntiformes ou pontuais, varia
com o inverso do quadrado da distância entre elas e é diretamente
proporcional ao produto dos valores absoluto das cargas” [3, 8].
k  Q A  QB
F 03
d2

F  intensidade da força de atração ou repulsão [N]

m2
k  9  109 N   constante eletrostática no vácuo
C2
Q A e QB  módulos das cargas [C]
d  distância [m]
PRINCÍPIOS DA ELETRODINÂMICA
1.8 Diferença de Potencial - ddp
Um corpo carregado com carga positiva ou negativa, cria em torno de sí um
potencial elétrico, cujos símbolos podem ser V e U , cuja unidade de medida é
o volt [V] .
Se a carga é positiva, o potencial é positivo. Se a carga é negativa, o
potencial é negativo.
O potencial elétrico é maior, em módulo, quanto mais perto da carga,
reduzindo sua intesidade a medida que se distancia dela.
Por exemplo, na Figura N1.9, em torno da carga positiva Q , observam-se os
pontos A e B com potenciais VA e VB , sendo VB  VA .
Figura N1.9 – Potencial elétrico.
Caso o elétron seja colocado no ponto A , ele será atraído pela carga
positiva Q , deslocando-se na sua direção. Figura N1.10.
Figura N1.10 – Elétron se desloca para o maior potencial.
Assim sendo, o movimento do elétron ocorre do potencial menor para o

potencial maior.

Analisando-se as figuras N1.9 e N1.10, conclui-se que para que o elétron se
movimente de um ponto para outro, é necessário que haja uma diferença de
potencial, ddp, e que o movimento do elétron será sempre no sentido do menor
para o maior potencial [8].
1.9 Tensão Elétrica

A diferença de potencial é tecnicamente chamada de tensão elétrica, cujos
símbolos são V e U e sua unidade de medida é o volt [V] .
Na Figura N1.5, a tensão V entre os pontos A e B é dada por:
V  VB  VA 04
A unidade de medida de tensão elétrica pode vir acompanhada de prefixos

métricos. As unidades mais comuns são [9]:
V  volt 
kV  quilovolt   103 [V ]  1.000[V]
mV  milivolt   10-3 [V ]  0,001[V]
μV  microvolt   10-6 [V ]  0,000,001[V ]
A forma de onda da tensão elétrica depende do tipo de fonte de tensão

utilizada (contínua ou alternada) e dos dispositivos que compõem o circuito.
1.9.1 Tensão Contínua - DC

A fonte de tensão contínua mais comum é a que fornece tensão
constante, ou seja, não varia a sua intensidade e nem a sua polaridade ao
logo do tempo, como representado na Figura N1.11 [11].
Amplitude [V]
VDC −
tempo [s]
0
Figura N1.11 – Representação de tensão contínua.
A Figura N1.12 representa a simbologia de uma fonte de tensão

contínua [12].

Figura N1.12 – Símbolo-padrão de uma fonte de tensão DC.
1.10 Corrente Elétrica

O conceito de diferença de potencial e movimento de carga elétrica, leva-
nos ao estudo da eletrodinâmica, ou seja, ao estudo das carga elétricas em
movimento [8].
Aplicando uma diferença de potencial V sobre uma resistência R , fecha-

se o circuito e os elétrons livres passam a fluir do potencial menor para o
maior. Essa movimentação de elétrons denomina-se de corrente elétrica,
simbolizada pela letra I , cuja unidade de medida é o ampère [A].
A intensidade da corrente elétrica é proporcional à quantidade de
elétrons que se movimentam pelo condutor, isto é, proporcional à quantidade
de carga elétrica Q , em coulomb, que atravessa a seção transversal do
condutor por unidade de tempo t , em segundo.
Q
I 01 
t
A unidade de medida de corrente elétrica pode vir acompanhada de

prefixos métricos. As unidades mais comuns são [9]:
A  ampère 
kA  quiloampèr e   103 [A ]  1.000[A]
mA  miliampère   10-3 [A ]  0,001[A]
μA  microampèr e   10-6 [A ]  0,000,001[A ]
A carga elétrica de um elétron é, em módulo: e  1,6  10-19 [C]
1.10.1 Corrente Contínua – DC

A forma de onda da corrente elétrica depende do tipo de fonte de
tensão utilizada dos dispositivos que compõem o circuito.

Se uma tensão´contínua é aplicada à uma resistência elétrica, a
corrente produzida também é contínua, sendo por isso denominada de CC
(Corrente Contínua) ou DC (Direct Current, em inglês).
1.11 Fontes de Alimentação

O dispositivo que fornece tensão a um circuito é genericamente chamado
de fonte de alimentação [8].
São as funções das fontes de energia como: pilha, bateria, célula foto-
voltaica, dínamos, fonte DC e etc (Figura N1.13) [13].
(a) (b)
(c)
Figura N1.13 – Algumas fontes de tensão contínua: a) gerador DC; b) bateria de
notebook; c) bateria de carro.
Fontes: http://salaodocarro.com.br.; BOYLESTAD, 2006.
RESISTÊNCIA ELÉTRICA & LEI DE OHM

1.12 Resistência Elétrica
É a denominação dada à oposição oferecida pela material à condução de
eletricidade. Tem influência da temperatura do material, das dimensões e da
sua estrutura atômica, que definem a quantidade de elétrons livres e a
dificuldade de se deslocarem no seu interior.
É representada pela letra R e sua unidade de medida é o ohm [Ω].

A unidade de medida de resistência elétrica pode vir acompanhada de
  ohm 
k  quilo - ohm   103 []  1.000[]
M  megaohm   106 []  1.000.000[]
A Figura N1.14 apresenta alguns tipos de resistores fixos, variável e

ajustáveis [10].
(a) (b) (c) (d) (e)

Figura N1.14 – Resistores: (a) Fixos; (b) fixo de fios, (c) variável; (d) ajustável
trimpot; (e) ajustável trimmer.
1.13 Lei de Ohm
Uma resistência elétrica R comporta-se como um bipolar passivo, ou seja,

ele consome a energia elétrica que lhe é aplicada por uma fonte de alimentação
V , provocando o surgimento de uma corrente elétrica I e assim,
consequentemente uma queda de tensão no circuito [2, 8, 9]. Figura N1.15.
Figura N1.15 – Definição da lei de Ohm.
A relação entre a tensão elétrica V , a resistência elétrica R e a

corrente elétrica I é denominada de Primeira Lei de Ohm.
Pode ser representada matematicamente das seguintes formas:
a. Em função da corrente:
A corrente elétrica no circuito é igual à tensão aplicada dividida
pelo valor da resistência elétrica:

V
I 06
R
b. Em função da resistência:
A resistência elétrica do circuito é igual à tensão aplicada
dividida pelo valor da corrente elétrica:
V
R 07
I
c. Em função da tensão:
A tensão elétrica aplicada ao circuito é igual ao produto do valor
da resistência pela corrente:
V  RI 08
Onde:
I  corrente elétrica [A]
R  resistência elétrica []
V  tensão elétrica [V]
POTÊNCIA ELÉTRICA
1.14 Potência Elétrica
A potência elétrica P fornecida por uma fonte de alimentação à uma carga, é

o produto entre a tensão V e a corrente I que circula no circuito:
P  VI 09
Sendo a carga puramente resistiva, sua unidade de potência elétrica é o

watt [W].
A unidade de medida de potência elétrica pode vir acompanhada de

W  watt 
kW  quilowatt   103 [W ]  1.000[W]
MW  megawatt   10-3 [W ]  0,001[W]

μW  microwatt   10-6 [W ]  0,000,001[W]
DISPOSITIVOS REATIVOS
Diferentemente dos resistores, que são componentes elétricos que não
reagem à passagem de corrente, os componentes reativos – capacitores e
indutores, se opõem à passagem da corrente e seu valor ôhmico muda de
acordo com a velocidade da variação da corrente nele aplicada [8].
1.15 Capacitor
É um dispositivo elétrico composto basicamente de duas placas de metal
condutoras, separadas por um material isolante denominado dielétrico [2].
O capacitor armazena a carga elétrica no dielétrico. As duas placas do
capacitor mostradas na Figura N1.16a são eletricamente neutras considerando-
se que têm dimensões iguais e cada uma dispõem do mesmo número de prótons e de
elétrons. Consideremos agora que as placas são ligadas à bateria, porém com a
chave S aberta. Figura N1.16b.
Quando a chave S é fechada, Figura N1.16c, a carga negativa da placa A é

atraída pelo terminal positivo da bateria, enquanto que a carga positiva da
placa B é atraída para o terminal negativo da bateria. Esse movimento de cargas
dura até que a diferença de cargas entre as placas A e B seja igual à tensão da
bateria. Nessa condição o capacitor está carregado e assim permanecerá mesmo
que seja retirada a bateria. Figura N1.16a.
(a) Neutro b) Descarregado (c) Carregado

Figura N1.16 – Processo de carga do capacitor: (a) Neutro; (b) Descarregado;
(c) Carregado [2].

Se as placas do capacitor forem curto-circuitadas, Figura N1.17b, os
elétrons encontram caminho para voltarem à placa A e o capacitor é
descarregado. Figura N1.17a.
a) Carregado (b) Descarregado

Figura N1.17 – Processo de descarga do capacitor: (a) Carregado; (b) Descarregado [2].
A Figura N1.18 apresenta alguns tipos de capacitores fixos, variáveis,

ajustáveis e na tecnologia SMD.
(a) (b)
(c) (d)
Figura N1.18 – Resistores: (a) Fixos; (b) variáveis; (c) ajustáveis; (d) SMD [21].

A Figura N1.19 apresenta as simbologias de alguns tipos de capacitores
fixos, variáveis, não polarizados e polarizados.
Figura N1.19 – Simbologias de alguns capacitores [21].
1.16 Indutor
Indutor ou bobina é um dispositivo elétrico formado basicamente por um
fio enrolado em torno de um núcleo [8], podendo ser esse núcleo ser, inclusive,
de ar.
Ao passar corrente elétrica pelas espiras, voltas dos fio, cada uma delas
cria ao seu redor campo magnético que se somam no interior do componente.
A Figura N1.20 apresenta as figuras de alguns tipos de indutores fixos,
inclusive na tecnologia SMD.
Figura N1.20 – Simbologias de alguns capacitores [22].
A Figura N1.21 apresenta as simbologias de alguns tipos de indutores

fixos.
Figura N1.21 – Simbologias de alguns indutores [23].

TENSÃO E CORRENTE ALTERNADA
1.17 Tensão Alternada - AC
Grandeza elétrica que muda de fase ao logo do tempo, com frequência
constante formando ciclos, como representado na Figura N1.22 [9, 12].
Amplitude [V] Amplitude [V] Amplitude [V]
tempo [s] tempo [s] tempo [s]

0 0 0
(a) (b) (c)

Figura N1.22 – Algumas formas de tensão alternada: a) onda senoidal;
b) onda quadrada; c) onda triangular.
É o que ocorre com a energia fornecida pela Amazonas Energia, alternador

do carro, gerador de sinais e (Figura N1.23) [12].
Figura N1.23 – Fontes de corrente alternada: (a) usina geradora, (b) gerador AC
portátil, (c) gerador eólico, (d) painel solar, (e) gerador de sinais.
Fonte: BOYLESTAD, 2004.
A tensão alternada senoidal pode ser especificada, em termos de

amplitude, de diversas formas [2, 9]. Figura N1.24:
a. Tensão instantânea - v inst (t) : amplitude da tensão no instante t . É o

valor da amplitude medido em qualquer ponto da senóide. É
calculado pela expressão:
vinst  VP sen α 10

b. Tensão de pico - VP : amplitude máxima, positiva ou negativa, da

tensão. É o valor medido entre a linha de referência zero e o valor
máximo da onda. Pode ser de valor positivo  VP ou de valor negativo
 VP .
c. Tensão de pico-a-pico - VPP : amplitude total entre os pontos
máximos, positivo e negativo, e igual ao dobro da tensão de pico. É o
valor medido do ponto máximo positivo  VP ao valor máximo
negativo  VP . Tratando-se de valores simétricos, considera-se:
VPP  2  VP 11 
d. Valor eficaz Veficaz : é o valor de uma tensão alternada que produz a

mesma dissipação de potência de um valor de tensão contínua. É o
valor medido por um amperímetro e por um voltímetro AC. Também é
conhecido como VRMS , (Root Mean Square), que significa raiz média
quadrática. Calcula-se pela expressão
Veficaz  Vp .0,707 12 
Figura N1.24 – Parâmetros do sinal senoidal.
Para o entendimento do significado de tensão eficaz, considere que

na Figura N1.25 é aplicada uma tensão senoidal de valor de pico VP sobre a
resistência elétrica R .

Fig. 1.21Cruz
Figura N1.25 – Conceito de tensão eficaz.
A resistência converte a energia elétrica em calor por meio do efeito

Joule, dissipando uma potência P .
O valor eficaz dessa tensão é igual de uma tensão contínua V que

aplicada à mesma resistência R , faz com que ela dissipe uma potência
contínua igual à potência média P .
A relação entre a tensão eficaz e a tensão de pico, é definida por:
VP
V 13 
2
A tensão eficaz pode ser representada por: V , Vef ou VRMS .

Os valores normalmente fornecidos pelas concessionárias de energia
elétrica no Brasil são de 110 [V], 115 [V], 127 [V], 220 [V] e 230 [V], todas na
frequência de 60 [Hz] [9].
1.18 Corrente Alternada - AC

Se uma tensão´alternada é aplicada à uma resistência elétrica, a corrente
produzida também é alternada, sendo por isso denominada de CA (Corrente
Alternada ou AC (Alternate Current, em inglês).
Na prática, os termos CC (ou DC) e CA (ou AC) são utilizados para se
referirem às correntes e às tensões.
A intensidade de corrente alternada senoidal também pode ser
caracterizada pelas amplitudes instantâneas , de pico , de pico a pico e eficaz .

1.19 Exercícios nome: data:
1.19.1 Indique com um X sobre a alternativa mais correta:
Definição de Eletricidade
a. Fenômeno físico resultado do comportamento de elétrons e neutrons causado
pela atração de partículas de cargas opostas ou de repulsão de partículas com
a mesma carga.
b. Estado de forte tensão tracional.
c. Potência ou energia elétrica.
d. Ramo da física que estuda as leis e os fenômenos da eletricidade.
e. N.R.A.
Constatou dois tipos de eletricidade: uma atrativa e outra repulsiva.

a. Tales de Mileto.
b. Ernest Rutherford.
c. Benjamin Franklin.
d. Charles François du Fay.
e. N.R.A.
A menor partícula de qualquer composto chama-se:

a. Átomo.
b. Molécula.
c. Núcleo.
d. Elemento.
e. N.R.A.
Os prótons e os neutrons encontram-se na região chamada:

a. Núcleo.
b. Centrão.
c. Eletrosfera.
d. Camada externa.
e. N.R.A.
Os elétrons circulam na região denominada:

a. Somente na camada de valência.
b. Eletrosfera.
c. Núcleo.
d. Claude Elwood Shannon.
e. N.R.A.
Idealizou o modelo atômico em que o átomo é a miniatura do sistema solar:

a. Ernest Rutherford.
b. Heinrich Rudolf Hertz.
c. John Ambrose Fleming.
d. Thomas Alva Edison.
e. N.R.A.
Os elétrons giram em torno do núcleo em trajetórias excêntricas chamadas:

a. Órbitas.
b. Ovais.
c. Elípticas.
d. Concêntricas.
e. N.R.A.

Analise o texto e responda:
O ______ do ______ pussui carga elétrica ______ fixa em função dos
prótons que atrai os ______ em torno deste com carga negativa (-). Os
______ não possuem carga elétrica.
a. elétrons - núcleo - positiva (+) – átomo - nêutrons.
b. nêutrons - positiva (+) - núcleo - átomo - elétrons.
c. átomo - núcleo - elétrons – nêutrons - positiva (+).
d. núcleo - átomo - positiva (+) – elétrons – nêutrons.
e. N.R.A.
A energia de um átomo é a soma da energia de todos os elétrons e estes

possuem energias diferentes, chamados de __________, cujo nível é
proporcional à sua distância em relação ao núcleo. Os elétrons situados
na camada mais externa da eletrosfera são denominados de elétrons da
__________. Quanto maior a órbita do elétron, maior será a sua
__________ e o seu raio __________.
a. camada de valência - níveis de energia - orbital - energia potencial.
b. níveis de energia - camada de valência - energia potencial - orbital.
c. orbital - níveis de energia - energia potencial - camada de valência.
d. energia potencial - níveis de energia - camada de valência - - orbital.
e. N.R.A.
Quando o átomo recebe energia externa, esta pode aumentar a energia em um

dos elétrons e este sobre de nível, muda de camada, para um imediatamente
superior. Quando isto ocorre: diz-se que o elétron está excitado e
instável. Quando o elétron desprende-se da força de atração do seu núcleo
ele é denominado de elétron livre e é atraído pelo núcleo do átomo mais
próximo. É o movimento dos elétrons livres que produz a corrente
elétrica num condutor metálico.
a. O elétron nessa situação é denominado de elétron livre.
b. O elétron desprende-se da força de atração do seu núcleo.
c. Diz-se que o elétron está excitado.
d. O movimento dos elétrons livres produz a corrente elétrica.
e. T.R.A.
Quando o átomo perde um elétron ele torna-se um:

a. Isolante.
b. Íon negativo.
c. Átomo negativo.
d. Íon positivo.
e. T.R.A.
Alguns corpos são capazes de ceder elétrons e outros de receber elétrons.

Assim sendo, é possível que haja a transferência de elétrons de um corpo
para outro:
a. O corpo que tem excesso de elétrons passa a ter polaridade negativa (-).
b. O corpo com excesso de prótons a ter polaridade positiva (+).
c. Se dois corpos têm ambos cargas positivas (+) ou negativas (-), diz-se que os
corpos têm cargas com polaridades iguais.
d. Quando isso ocorre o corpo não está mais eletricamente equilibrado.
e. T.R.A.

Calcule e responda:
Corrente Elétrica
Qual é a intensidade da corrente elétrica em um fio condutor que durante
21 [s] em que houve uma variação de carga de 3.600 [µC]? [8]
Cálculo Resposta
Se uma corrente de 2 [A] passa em um ponto do ciruito durante um minuto,

quantos coulombs passaram naquele ponto? [2]
Cálculo Resposta
Por um ponto do condutor passam 60 trilhões de elétrons curante cinco

segundos. Determine o valor da intensidade da corrente elétrica: [9]
Cálculo Resposta
Converta o valor na unidade indicada: 2 [A] em [mA][2]:

Cálculo Resposta
Converta o valor na unidade indicada: 1.327 [mA] em [A][2]:

Cálculo Resposta

Calcule e responda:
Lei de Ohm
Calcule o valor da intensidade da corrente elétrica I quando V  120 [V] e
R  30 [] : [2]
Cálculo Resposta
Calcule o valor da resistência elétrica R quando V  220 [V] e I  11 [A] :

[8]
Cálculo Resposta
Calcule o valor da tensão elétrica V quando I  3,5 [A] e R  20 [] e: [8]

Cálculo Resposta
Em um circuito passa a corrente elétrica I  1 [A] submetida a uma tensão

elétrica CC de V  120 [V] . Qual o valor da resistência R da lâmpada?: [2]
Cálculo Resposta
Por uma resistência elétrica R  150 [] passa uma corrente de I  60 [mA] .
Qual o valor da queda de tensão no circuito? [8]
Cálculo Resposta

Calcule e responda:
Tensão Alternada
Considerando VP  9 unid , calcule e responda:

Vinst 00

Vinst 300

Vinst 45 0

Vinst 60 0

Vinst 900

Vinst 1200

Vinst 1500

Vinst 1800

Analisando o diagrama do circuito RETIFICADOR EM PONTE e os dados fornecidos,

calcule e preencha os valores dos parâmetros da tabela:
Dados:
V1  120 [V] (eficaz) , fent  60 [Hz] , r.t.  8 : 1 , RL  470 [] .
V1 (Vpp) V2 (Vpp) V2 (pico) VDC (V) IDC (mA) PRL(W) FOND (Hz)

N2: Conceitos Básicos de Eletrônica Analógica
INTRODUÇÃO
2.1 Definição
ELETRÔNICA S. f. (a). 1.Ciência que estuda o fluxo de elétrons no vácuo, em
condutores e em semicondutores. 2. Conjunto de dispositivos e sistemas
eletrônicos. 3. Ciência de todos os sistemas que utilizam aparelhos elétricos
usados em comunicação, informática, etc.[1].
2.2 Um pouco de História

Um dia no ano de 1879, o norte-americano Thomas Edison transformava o
invento da lâmpada incandescente em algo comercializável, usando uma haste
de carvão (carbono).
Desde o início do século XIX, vários inventores tentaram construir fontes
de luz à base de energia elétrica e a maior dificuldade era encontrar um
filamento que não queimasse a lâmpada - atualmente é usado o filamento de
tungstênio, cuja temperatura chega a 3000°C.
Para evitar a combustão dos filamentos, todo o ar da lâmpada é removido e,
em seu lugar, são inseridos gases inertes. O grande problema é que o rendimento
da lâmpada incandescente é muito baixo: apenas o equivalente a 5% da energia
elétrica consumida é transformada em luz, os outros 95% acabam como calor [14].
A criação da válvula eletrônica em 1904 pelo cientista John Ambrose
Fleming, do University College de Londres, acrescentando um filamento na
lâmpada incandescente do Edson, propiciou um rápido avanço na criação de
outros dispositivos e circuitos que permitiram a execução de muitas tarefas
que estavam sendo descobertas pelo homem naquela época. Esta válvula foi
denominada de diodo, por dispor de dois eletrodos: catodo e anodo.
Quatro anos mais tarde, Lee DeForest acrescentou mais um eletrodo, a grade,
inserida entre os dois eletrodos já existentes, com a finalidade de controlar o
fluxo de corrente elétrica entre eles, criando assim a possibilidade de
amplificar sinais elétricos. Esta nova válvula passou a ser denominada de
tríodo, por dispor de três eletrodos.
Desde a década de 20 vinham tentando desenvolver o diodo com material no
estado sólido. A partir dos anos 40, com o avanço das teorias atômica e
quântica, desenvolveu-se também a física do estado sólido, que investiga a
estrutura, as propriedades e o comportamento elétrico dos semicondutores. O
diodo semicondutor substituiu a válvula diodo com a vantagem de consumir
menos energia e ter menor dimensão [4].
Na evolução tecnológica, substituiu-se a válvula tríodo pelo transistor,
também construído com material semicondutor.
Os resto, a história ainda não parou e as evoluções continuam...

2.3 Tecnologias de Processamento da Informação
2.3.1 Tecnologia Analógica
Opera com sinais que podem variar continuamente a sua amplitude,
sua frequência e sua fase em função do tempo [15]. Estes sinais podem ser,
por exemplo, aqueles que representam funções aleatórias [16] (Figura N2.1a)
ou periódicas [11] (Figura N2.1b).
Amplitude [V]
Amplitude [V]
Fase +
tempo [s] Amplitude tempo [s]
0 0
Fase -
Período
(a) (b)
Figura N2.1 – Funções: (a) aleatória; (b) periódica.
Os principais componentes usados na eletrônica analógica são:

a. Resistores: potenciômetros, reostatos, trimpots e etc.
b. Capacitores: cerâmico, poliester, papel, eletrolítico e etc.
c. Indutores: transformador, bobina, motores, geradores e etc.
d. Semicondutores: diodo, transistor, circuito integrado e etc.
e. Miscelâneas: plugs, conectores, chaves e etc.
A expressão analógica deriva do fato de tal sinal ser análogo

(semelhante) ao sinal físico que ele representa.
2.4 Tecnologias de Fabricação dos Componentes

2.4.1 Tecnologia Discreta
É aquela cujos componentes são fabricados individulamente. São os
casos do diodo (Figura N2.2a) e do transistor (Figura N2.2b) [5].
(a) (b)
Figura N2.2 – Componentes discretos: a) diodo
retificador; b) transistor de junção.

2.4.2 Tecnologia Integrada
É aquela em que vários componentes são fabricados e incluídos em um
mesmo encapsulamento, denominados de circuitos integrados (chips), como é
o caso dos reguladores de tensão, microprocessadores (Figura N2.3)[7].
Figura N2.3 – Circuito integrado.

2.4.3 Tecnologia de Dispositivos Montados em Superfície

São componentes cujos terminais não necessitam de furos na PCI (Placa
de circuito impresso). Os mesmos são colados sobre a superfície da PCI e
posteriormente soldados (Figura N2.4) [17].
Figura N2.4 – Dispositivos de montagem

sobre superfícies – SMD.
Fonte: http://portuguese.alibaba.com.
MATERIAIS & COMPONENTES SEMICONDUTORES

2.5 Materiais Semicondutores
O Silício (Si) é o mais importante material semicondutor utilizado em
dispositivos eletrônicos [4]. A tecnologia dos diodos, transistores e circuitos
integrados é baseada quase que inteiramente neste elemento químico [7].
O átomo de silício (Figura N2.5) dispõe de 14 prótons (cargas positivas) no
seu núcleo e 14 elétrons (cargas negativas) distribuídos na eletrosfera. Na
órbita mais externa, camada de valência, este átomo dispõe de 4 elétrons, por
isso é denominado tetravalente [5].

Figura N2.5 – Diagrama do átomo de Silício.
Um cristal de silício puro, ou cristal intrínseco, tem uma organização

atômica regular em que os átomos são mantidos em suas posições por ligações
covalentes, formadas pelos quatro elétrons de valência associados a cada um
dos átomos de silício. Em baixas temperaturas as ligações covalentes estão
completas e praticamente não há elétron livre para formar a corrente elétrica.
A representação bidimensional do cristal de silício está representada na
Figura N2.6 [11, 4].
− − − −
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
− − − − Elétrons de
− − − −
valência
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
− − − − Ligações
− − − − covalentes
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
− − − −
− − − −
Átomo de
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
silício
− − − −
Figura N2.6 – Representação bidimensional do

cristal de silício.
2.6 Condução em Cristais

Em um condutor de cobre seus átomos possuem elétrons livres que se
deslocam em uma órbita extremamente grande e com um alto nível de energia,
sentindo pouca atração do núcleo, na chamada banda de condução.

No cristal de silício há outra situação. Uma fonte externa gera um campo
elétrico entre as placas do cristal, porém, para o surgimento da corrente
elétrica, é necessário que existam elétrons disponíveis neste cristal [4, 5, 7].
Na temperatura de Zero Absoluto não existem elétrons livres: todos estão
fortemente presos pelos átomos porque fazem parte das ligações covalentes
entre estes. As três primeiras bandas de energia (Figura N2.7) estão
completamente preenchidas e os elétrons destas não podem se deslocar com
facilidade, porque não existem órbitas com espaços disponíveis para estes,
lacunas, e assim são chamadas de bandas saturadas.
Acima da banda de valência existe a banda de condução e se um elétron
conseguir chegar até esta, estará livre para deslocar-se ao átomo mais
próximo. Na temperatura de zero absoluto a banda de condução está vazia, e não
há corrente no cristal de silício.
Bandas de Energia
banda de condução
banda de valência
2ª. banda
1ª. banda
Figura N2.7 – Bandas de energias saturadas.
Acima da temperatura de zero absoluto, 0 [0K] que corresponde a -273,15 [0C],

há fluxo de corrente. Na temperatura ambiente algumas ligações são quebradas,
rompidas, pela ionização térmica e alguns elétrons são liberados [11],
deslocando os elétrons da banda de valência para a banda de condução,
conseguindo assim, um número limitado de elétrons.
A ionização é o mecanismo pelo qual um elétron pode absorver energia
externa suficiente para sair da banda de valência de uma estrutura atômica e
ir para a banda de condução. Quando um elétron de valência é retirado para a
banda de condução, fica vazio o seu lugar e este espaço é denominado de lacuna
[5, 18]. Figura N2.8.

− − − −
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
− − − − Elétrons de
− − − −
valência
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
Lacuna − − − + Quebra de
disponível − − − − - ligações covalentes
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 − Elétron
− − − − livre
− − − −
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 − Átomo de
silício
− − − −
Figura N2.8 – Quebra de ligação covalente do cristal de silício.
Os elétrons sob a ação do campo elétrico (Figura N2.9) movem-se para a

esquerda, caracterizando então a corrente elétrica. Quanto mais alta a
temperatura, maior o número de elétrons empurrados para a banda de condução e
maior a corrente elétrica.
Bandas de Energia
banda de condução
banda de valência
e d c b a
+
Figura N2.9 – Corrente elétrica no semicondutor.
Na temperatura de 25 [0C], a corrente é muito pequena e nesta situação o

silício não é isolante e nem é condutor, por isso é chamado de semicondutor.
As lacunas também produzem uma corrente elétrica e é exatamente isto que
faz a diferença entre um semicondutor e um fio de cobre.
Pode-se dizer que um semicondutor oferece dois percursos para a corrente:
um através da banda de condução (elétrons, em órbitas maiores) e outro através
da banda de valência (lacunas, órbitas menores).
O sentido da corrente das lacunas é o oposto ao sentido da corrente dos
elétrons (Figura N2.10).

+4 +4 +4 +4
− − − −
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
− − − −
− − + −
− +4 − − +4 − − +3 − − +4 −
− − − −
− − − −
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
− − − −
Fluxo de lacunas
Fluxo de elétrons
Figura N2.10 – Condução em cristais.
Cada vez que um elétron passa para a banda de condução, cria uma lacuna na
banda de valência (Figura N2.11), tornando esta não mais saturada e cada lacuna
representa uma órbita disponível.
Bandas de Energia
banda de condução
banda de valência
+ +
+ + +
+ +
2ª. banda
1ª. banda
Figura 2.11 – Bandas de energias não saturadas.
Ocasionalmente, a órbita da banda de condução de um átomo, pode

interceptar a órbita de valência de outros, então, um elétron de condução
preenche uma lacuna e aí desaparece um elétron livre e uma lacuna.
Este fato é chamado de recombinação e ocorre a todo instante no
semicondutor, porém, são criadas novas lacunas pela energia térmica
incidente.
O tempo de vida de uma lacuna varia de poucos nanossegundos até vários
microssegundos, dependendo de fatores como a estrutura do cristal e outros.

2.7 Dopagem
É um processo onde são introduzidos átomos com diferentes números de
elétrons na camada de valência de uma estrutura cristalina pura. Estes átomos
recebem o nome de impurezas e servem para aumentar o número de elétrons ou
lacunas. Após o processo de dopagem, o cristal passa a ser chamado de
extrínseco [4, 5, 11].
Ao se dopar um cristal de silício puro com uma impureza doadora (átomo
pentavalente) (Figura N2.12a), dota-o da capacidade de dispor elétrons na
camada de valência numa quantidade acima de sua necessidade, ou seja, o átomo
da estrutura da ligação covalente que precisa de apenas 4 elétrons na sua
camada de valência, agora dispõe de 5.
O diagrama das cargas elétricas nas respectivas bandas de energia de
valência e condução são mostrados na Figura N2.12b.
− − − − Bandas de Energia
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
− − − − Elétrons de banda de condução
− − − − Valência
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 − Átomo de impureza
− − − - pentavalente
Elétron Livre − (doador)
− − − -
por um átomo de
impureza doadora − +4 − − +4 − − +5 − − +4 − banda de valência
− − − −
Átomo de +
− − − −
Silício +
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 − + + +
− − − −
(a) (b)
Figura N2.12 – Cristal de silício: a) dopado com impureza pentavalente;
b) diagrama das bandas de energia.
O elétron que está sobrando vai para a camada de condução. Mesmo assim,
existem estruturas com lacunas disponíveis.
O silício dopado desta maneira é chamado de semicondutor do tipo N, e tem
como carga majoritária os elétrons, e como carga minoritária as lacunas. As
impurezas podem ser o Arsênio, Antimônio ou o Fósforo.
Ao se dopar um cristal de silício puro com uma impureza aceitadora (átomo
trivalente) (Figura N2.13a), dota-o da capacidade de dispor lacunas na camada
de valência, ou seja, o átomo da estrutura da ligação covalente que precisa de 4
elétrons na sua camada de valência, agora dispõe de apenas 3. O elétron que está
faltando (lacuna) gerará a necessidade de um elétron para completar sua
estrutura.

O diagrama das cargas elétricas nas respectivas bandas de energia de
valência e condução é mostrado na Figura N2.13b.
− − − − Bandas de Energia
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 −
− − − − Elétrons de banda de condução
− − − − Valência
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 − Átomo de impureza
trivalente
Lacuna − − − − (aceitador)
− − + −
− +4 − − +4 − − +3 − − +4 − banda de valência
− Átomo de + + + + + + + + + + + +
− − −
Silício
− − − − + + + + + + + + + + + +
− +4 − − +4 − − +4 − − +4 − + + + + + + + + + + + +
− − − −
(a) (b)
Figura N2.13 – Cristal de silício: a) dopado com impureza trivalente;
b) diagrama das bandas de energia.
Mesmo assim, existem estruturas com elétrons disponíveis. O silício

dopado desta maneira é chamado de semicondutor do tipo P e tem como carga
majoritária as lacunas e como carga minoritária os elétrons. As impurezas
podem ser o Alumínio, Boro ou Gálio. Um semicondutor dopado apresenta
resistência ôhmica. Quando levemente dopado sua resistência é alta. Quanto
mais alta a dopagem, menor sua resistência, obedecendo a Lei de Ohm [5].
2.8 Diodo Semicondutor

É um dispositivo eletrônico formado pelo agrupamento de um cristal
extrínseco do tipo P, que tem carga majoritária as lacunas e um cristal
extrínseco do tipo N, que tem carga majoritária os elétrons, como mostrado na
Figura N2.14.
Elétron Lacuna Elétron Lacuna

Carga Carga
+ + + + + + +
minoritária + + + + + + + minoritária
+ + +
Carga + + + + Carga
+ +
majoritária + + + + + + + majoritária
(a) (b)
Figura N2.14 – Cristais da composição do diodo semicondutor: a) tipo P; b) tipo N.

2.9 Junção PN
É a região da fronteira entre os dois cristais tipo N e tipo P [5, 11]. A
partir do momento da união física dos dois cristais as cargas majoritárias de
cada cristal, seguido a lei de Charles Du Fay que define que “cargas de
polaridades iguais se repelem e com polaridades opostas se atraem”, tendem a se
recombinarem. Cada elétron livre do cristal N migra para uma coluna
disponível no cristal P, gerando assim uma corrente de difusão na junção do
diodo semicondutor. Consequentemente há um esvaziamento de cargas livres
nesta região, gerando a região ou camada de depleção.
Após haver a recombinação “total” das cargas livres na região da junção, em
que cada elétron livre que saiu do cristal N migrou para uma lacuna
disponível no cristal P, tem-se na região da junção o surgimento de íons, com
polaridades opostas a dos cristais (Figura N2.15).
Junção
Íons Negativos Íons Positivos
+ + + - - + + +
+ + + - - + + + +
Cristal P + + - - + + + Cristal N
+ + + - - + + +
+ + + - - + + + + +
Camada de depleção
Figura N2.15 – Região de depleção na junção PN.
Assim sendo, a região de depleção é um espaço dopado de ambos os cristais

que não dispõe mais de cargas livres e consequentemente apresenta uma
determinada resistência elétrica denominada de barreira de potencial. No
diodo de silício na temperatura de 25 [ C], é necessária uma diferença de
0
potencial de VD  0,7 [V] para fazer com que os elétrons possam rompê-la [5].
A Figura N2.16 mostra a simbologia do diodo semicondutor. O lado positivo
é denominado anodo e o lado negativo catodo.
+ -
P N
Anodo + - Catodo
Figura N2.16 – Simbologia do diodo de junção.

2.10 Polarizações Direta e Reversa
A aplicação de tensão externa à junção do diodo denomina-se polarização.
Quando a polarização aplicada é de uma tensão VD  0 [V], chama-se de
polarização direta. Quando a polarização aplicada é de uma tensão VD  0 [V]
chama-se de polarização reversa. Cada forma de polarização exige um
comportamento do diodo e, consequentemente, ele tem aplicações específicas
para cada uma destas aplicações.
2.10.1 Polarização Direta -> VD  0 [V]

Na polarização direta, o terminal positivo da fonte de tensão
contínua é ligado ao anodo (cristal P) e o terminal negativo da fonte
ligado ao catodo do diodo (cristal N). (Figura N2.17).
+
+ + + + -- + +
+
+ + + + +
+ + - + +
+ + + + - + + +
+ + + + - + + + +
Camada de depleção Carga

majoritária
+ -
VDD
Figura N2.17 – Junção PN diretamente polarizada.
O fluxo de cargas ocorre quando os elétrons do terminal negativo da

fonte de tensão contínua repulsam os elétrons do cristal tipo N,
empurrando-os em direção da junção PN. A partir do momento em que o valor
da tensão da fonte atinge VD  0,7 [V] , os elétrons atingem alta velocidade
e superam a barreira de potencial (estreita), atravessam a junção, chegam
ao cristal P, recombinam-se com as lacunas da camada de valência e em
seguida dirigem-se ao outro extremo do componente sendo atraídos pelo
terminal positivo da fonte.
Nesta polarização direta a camada de depleção é muito estreita e
consequentemente tem uma baixa resistência ohmica, em torno de algumas
dezenas de ohms, o que permite uma alta corrente sendo esta formada
principalmente por portadores majoritários dos cristais N (elétrons na
camada de condução) e P (lacunas na camada de valência). Nesta condição

diz-se que o diodo está no estado de condução e comporta-se idealmente
como uma chave fechada.
2.10.2 Polarização Reversa -> VD  0 [V]

Na polarização reversa, o terminal positivo da fonte de tensão
contínua é ligado ao catodo do diodo (cristal N) e o terminal negativo da
fonte ligado ao anodo (cristal P), como mostra a Figura N2.18.
+ + - - - + + + +
+ + + - - - + + + + +
+ + - - - + + + +
+ + - - - + + + +
+ + + - - - + + + + + +
Carga Camada de depleção

minoritária
- +
VDD
Figura N2.18 – Junção PN reversamente polarizada.
Na polarização reversa, o terminal positivo da fonte atrai os

elétrons do catodo e o terminal negativo da fonte atrai as lacunas do
anodo, até que não haja mais cargas disponíveis, o que teoricamente cessa
o fluxo de corrente, porém, a tensão aplicada ao componente gera
aquecimento, quebra as ligações covalentes e cria pares de elétrons-
lacunas que continuam a se recombinar, formando a corrente de cargas
minoritárias também chamadas de corrente de fuga ou corrente de
saturação IS . No diodo de silício, esta corrente de saturação dobra a cada
aumento de 10 [ C] de temperatura.
0
O aumento de movimento dos portadores minoritários gerará

colisões com os átomos dos cristais, com força suficiente para obter
portadores adicionais que serão também acelerados pelo campo elétrico.
Ocorre também a ruptura em avalanche e há um aumento muito rápido da
corrente para um pequeno aumento na tensão reversa (tensão zener). Desde
que não seja ultrapassada a capacidade de dissipação de potência na
junção, o diodo pode operar sem danos. Esta característica é aproveitada
no uso do diodo Zener.
A polarização reversa gera um aumento da camada de depleção e na
resistência interna do componente que chega a ser de alguns megaohms e a

corrente de saturação de alguns nanoamperes. Para esta situação, diz-se
que o diodo está em bloqueio. Idealmente, o diodo comporta-se como uma
chave aberta.
2.11 Curvas Características

A utilização de um diodo diretamente polarizado em um circuito elétrico
é exemplificada no diagrama mostrado na Figura N2.19. A fonte de tensão
contínua variável VDD (pode fornecer tensões positivas e negativas) está em
série com a resistência R e o diodo [4].
+ +
VDD VD
- -
ID
Figura N2.19 – Diagrama de um circuito com diodo
diretamente polarizado.
Aplicando-se a Lei das Malhas de Kirchhoff ao circuito representado na

Figura N2.19, tem-se que:
VDD  VD
ID  (N2.1)
R
Fazendo-se variar o valor da tensão fornecida pela fonte no circuito

representado pelo diagrama elétrico da Figura N2.19, por meio seu ajuste, a
partir de VD  0 [V] para tensões positivas, a junção do diodo vai recebendo
energia externa e vai aquecendo.
Observando-se a Figura N2.20, percebe-se que inicialmente o diodo não
conduz intensamente até que seja ultrapassada a tensão de VD  0,7 [V] , (Si),
tensão suficiente para superar a barreira de potencial da junção. À medida que
a tensão aproxima-se do valor de 0,7 [ V ] , os elétrons livres e as lacunas
começam a atravessar a junção em grandes quantidades e a partir daí a corrente
começa a subir rapidamente.
No ponto de aproximadamente 0,7 [ V ] o valor da tensão é denominado de
tensão de joelho. Acima da tensão de joelho, para um pequeno acréscimo de
tensão haverá um elevado valor na corrente.
A explicação está no fato de que após a barreira de potencial, o que impede
a passagem da corrente é a resistência de corpo, ou seja, a resistência ohmica
das partes P e N, sendo esta resistência linear. Com este experimento, pode-se
concluir que um diodo tem uma resistência altamente não-linear na junção e
uma resistência linear na região fora da camada de depleção [4].
Figura N2.20 – Gráfico da curva característica do

diodo diretamente polarizado.
A polarização reversa gera uma corrente extremamente baixa (corrente de

fuga) no dispositivo semicondutor, porém, se a tensão da fonte for elevada
negativamente, ocorrerá a ruptura do diodo e este passará a conduzir
intensamente, podendo inclusive, danificar-se.
Observa-se no diagrama elétrico da Figura N2.21 que a fonte de tensão
contínua ajustável VDD está com seu terminal positivo ligado ao catodo diodo
enquanto que seu terminal negativo está conectado ao anodo do diodo.
+ -
VDD VD
- +
ID
Figura N2.21 – Diagrama de um circuito com diodo
reversamente polarizado.

Comparando-se as Figuras N2.19 e N2.21, constata-se que as correntes de
ambos os circuitos têm o mesmo sentido, porém, passam em sentido oposto no
interior do componente [5].
O lado esquerdo do gráfico da Figura N2.22 representa o desempenho do
diodo no circuito elétrico do diagrama da Figura N2.21. O gráfico completo
representa a curva característica do diodo direta e reversamente polarizado
[4].
Figura N2.22 – Gráfico da curva característica do diodo.
Os diodos, assim como todos os outros componentes eletrônicos, trabalham

limitados por especificações que são valores que determinam suas condições
limites de operação. Por isso, os diodos não devem ser submetidos a situações
que excedam a sua especificação máxima de potência, o que põe em risco a
integridade física do componente por sobreaquecimento.
Os diodos para pequenos sinais são aqueles que dissipam menos que 0,5 [W]
e os diodos retificadores aqueles que dissipam potência acima deste valor.
Num circuito de teste com diodo, é sempre recomendado que seja inserido
um resistor em série, cuja finalidade é limitar a corrente do circuito,
evitando assim que um excesso de corrente danifique-o.

2.12 Reta de Carga
É um método gráfico utilizado para determinar o ponto de operação no
diodo. Também pode ser encontrada na literatura técnica como linha de carga.
Dado o circuito da Figura N2.23, pode-se encontrar os valores exatos da tensão
VD e da corrente ID no diodo.
Inicialmente deve-se analisar a malha e montar sua equação, tomando por
base a Lei das Malhas de Kirchhoff. Desta forma tem-se:
VDD  R  ID   VD (N2.2)
Em seguida, coloca-se (N2.2) em função de ID , tomando a forma de (N2.1) :
VDD  VD
ID  (N2.3)
R
Para uma fonte com VDD  2 [ V] e R  100 , pode-se fazer duas

considerações:
1ª.) Estando o diodo em curto-circuito, VD  0 V , então,
VDD  VD 2  0
IDsat    20 [mA]
R 100
e diz-se que o diodo está saturado, pois sua corrente é máxima.
2ª.) Estando o diodo aberto, VD  2 [ V ] , então,
VDD  VD 2  2
IDcorte    0 [mA]
R 100
e diz-se que o diodo está em corte, pois sua corrente é zero.
Deduz-se que no momento em que a corrente ID é máxima através do diodo

IDsat , este se comporta como um curto-circuito e a tensão em seus terminais é de
VD  0 [V] . Quando não passa nenhuma corrente pelo diodo, ID , a tensão em seus
sat

terminais é igual a tensão da fonte VDD , pois não há queda de tensão no
resistor R do circuito.
Usando o gráfico com a curva característica do diodo, podem-se aplicar os
valores calculados e estabelecer os pontos de saturação e de corte.
O ponto em que há a intersecção entre a linha de carga e a curva
característica do diodo chama-se ponto de operação, ponto quiescente ou ponto
Q , o qual define graficamente, por projeção nos eixos X e Y, os valores de
tensão VD e de corrente ID para a sua situação normal de trabalho (Figura
Q Q
N2.24) [4].
ID [mA]
VDD
IDsat  
R ← Reta de
Carga
ID 0   ← Ponto Q
0
  VDD [V]
 VD 0  VDcorte  VDD
Figura N2.24 – Gráfico da reta de carga do diodo e
determinação do ponto de operação Q .
ExemploN2.1:
Considere o diagrama elétrico da Figura N2.19, a curva característica da
Figura N2.24 e os seguintes dados:
Dados:
Diodo de Si  VD  0,7 [V] , R  1 [k] e VDD  10 [V].
Responda:
a. Calcule o valor de ID :
sat
b. Calcule o valor de VD corte

:
c. Desenhe o gráfico de ID  VDD e identifique os valores de ID , VD corte

;
sat
d. Trace no gráfico a reta de carga e insira a curva característica;

e. Identifique no gráfico o ponto de operação Q ;
f. Determine no gráfico o valor de VD ; Q

g. Determine no gráfico o valor de ID ; Q
h. Calcule o valor de VR quando o diodo estiver operando no ponto Q ;
Solução:
a. Cálculo do valor de ID :
sat
VDD 10
IDsat    10 [mA]
R 1000
b. Cálculo do valor de VD corte
:
VDcorte  VDD [V]

c. Utilizando o espaço quadriculado abaixo, desenhe a reta do eixo Y
(vertical - das correntes), estabeleça (utilizando como referência o valor
calculado de ID ) os valores da corrente em escala, identifique nesta reta
sat
a grandeza elétrica que representa no lado oposto ao valor 0 e sua

respectiva unidade. Identifique o ponto de ID . Desenhe a reta do eixo X
sat
(horizontal - das tensões), a partir do ponto 0 do eixo Y, estabeleça

(utilizando como referência o valor calculado de VD ) os valores das corte
tensões em escala, identifique nesta reta a grandeza elétrica que

representa no lado oposto ao valor 0 e sua respectiva unidade. Identifique
o ponto de VD : corte
d. Trace uma reta unindo o ponto da corrente de saturação ID sat

ao ponto da
tensão de corte do diodo VD corte
. Insira neste gráfico o gráfico da curva
característica da Figura 3.11.
e. Identifique na intersecção do gráfico da reta de carga e o gráfico da curva
característica do diodo o ponto de operação Q .
f. Estabeleça no gráfico o valor da tensão sobre o diodo VD quando operando Q
normalmente, fazendo a projeção horizontal do ponto de operação Q no eixo

X das tensões:
VDQ  0,7 [V]

g. Estabeleça no gráfico o valor da corrente que passa através do diodo ID Q
quando operando normalmente, fazendo a projeção vertical do ponto de

operação Q no eixo Y das correntes.
IDQ  9,3 [mA]

h. Utilize a equação da primeira Lei de Ohm para calcular o valor da queda de
tensão VR sobre o resistor R quando o diodo opera normalmente.
VR  R  IDQ  1000  9,3  103  9,3 [V]
2.13 Resistência DC de um Diodo

A resistência DC de um diodo é obtida pela aplicação da Lei de Ohm,
relacionando-se a tensão total e a corrente total no diodo [13].
A resistência medida pelos valores aplicados ao diodo quando polarizado
diretamente denomina-se de R D . É um valor não-linear e varia de acordo com a
corrente que passa através do componente.
Sendo I  10 [mA ] e V  0,65 [ V ] , tem-se que:
VD 65  102
RD    65 []
ID 10  103
A resistência obtida quando o diodo encontra-se reversamente polarizado

denomina-se de R R . Diminui de valor quando a tensão aplicada está mais
próxima da tensão de ruptura, embora ainda seja na faixa de megaohms.
Sendo I  25 [A ] e V  20 [V] , tem-se que:
VD 20
RR    800 [MΩ ] .
ID 25  10  9

2.14 Aspectos Físicos dos Diodos
Na Figura N2.25 são demonstrados os aspectos físicos de alguns tipos de
diodos:
Figura N2.25 – Aspectos físicos de alguns diodos.
Dependendo da sua construção, o diodo pode atuar como chave, estabilizador

de tensão, capacitor de capacitância variável e etc.
2.15 Transistor Bipolar

É um dispositivo semicondutor essencialmente amplificador e seu
funcionamento básico consiste em fazer o controle da passagem de corrente
entre o emissor e o coletor através da base. Isto é conseguido polarizando-se
adequadamente suas junções.
2.15.1 Informações Gerais

É formado por cristais com dopagens semelhantes, intercalados por
um cristal com dopagem oposta. Cada um dos cristais (com os seus
respectivos terminais) recebe um nome em relação à sua função no
transistor, que são:
a. Emissor: região larga fortemente dopada que emite cargas para o
interior do transistor;
b. Base: região estreita levemente dopada que controla o fluxo de
cargas;
c. Coletor: região larga com dopagem intermediária que recebe as
cargas emitidas pelo emissor e controladas pela base.
Apresenta três junções que são: base-emissor, coletor-emissor e
base-coletor.
Analisando-se as junções, pode-se deduzir que o mesmo dispõe de
duas camadas de depleção (Figura N2.26).

Figura N2.26 – Construção do Transistor.
2.15.2 Tipos/Simbologias
De acordo com a construção física, os transistores bipolares podem
ser dos tipos NPN e PNP . (Figura N2.27).
Figura N2.27 – Simbologias dos tipos de transistores bipolares.

(a) NPN (b) PNP .
2.15.3 Transistor Não Polarizado

De acordo com os estudos anteriores sabemos que os portadores
majoritários do cristal tipo N são os elétrons livres e do cristal tipo P
são as lacunas (Figura N2.28).
Figura N2.28 – Estrutura do transistor.

Da mesma forma que na junção PN do diodo retificador, nas duas

junções do transistor (Base-emissor e Coletor-emissor), surgem, devido a
recombinação dos portadores majoritários dos dois materiais, as
barreiras de potenciais, cujos valores são, em 25 [C] de temperatura, de
0,7 [V] para os semicondutores de silício. Com a aproximação dos cristais
de polaridades opostas, ocorre naturalmente o deslocamento dos elétrons
livres em direção às lacunas disponíveis, cujo fenômeno é denominado de
corrente de difusão, gerando as camadas de depleção nas respectivas
junções (Figura N2.29).
Figura N2.29 – Camadas de depleção do transistor.
2.15.4 Transistor Polarizado

É aplicar tensão externa suficiente nas junções do componente para
colocá-lo em operação de acordo com o projeto. Para isso é necessário
polariza-lo na forma direta-reversa.
A junção Base-emissor ( VBE no transistor NPN ) deve ser diretamente

polarizada, enquanto que a junção Coletor-emissor ( VCE no transistor NPN
) deve ser reversamente polarizada (Figura N2.30).

Figura N2.30 – O transistor polarizado.
2.15.5 Funcionamento
As cargas elétricas do terminal negativo da fonte VBB ligado ao
Emissor entram no dispositivo e pressionam suas cargas negativas em
direção à Base. Quando estas cargas superam a barreira de potencial da
junção Base-emissor elas entram na Base, que por dispor de lacunas, se
recombinam e são atraídos pelo terminal positivo da fonte VBB . Este é o
percurso da corrente IB na malha de entrada que deve se sempre
diretamente polarizada. Por ser a região da Base estreita e de leve
dopagem e não dispor de cargas disponíveis para uma total recombinação,
poucas são as cargas vindas do Emissor que se recombinam com as lacunas
da Base e que vão para o lado positivo da fonte VBB para gerar IB e assim
sendo, grande parte dessas cargas atingem alta velocidade, ultrapassam a
barreira de potencial da junção Base-coletor e vão para o Coletor, sendo
em seguida atraídos pelo lado positivo da fonte VCC ligado ao Coletor,
gerando a corrente IC . Observando-se a Figura N2.30 tem-se que valor de
IE é o somatório:
IE  IB  IC (N2.4)

Conclusão: de 100% das cargas que entram no Emissor, IE ,

aproximadamente apenas de 2 a 5% recombinam-se na Base, gerando IB ,
saindo aproximadamente de 95 a 98% pelo Coletor, gerando IC .
2.15.6 Configurações do Transistor

Por se tratar do principal componente de um amplificador
(transistorizado), é necessário que este disponha de terminais de entrada
e de saída. Como o transistor dispõe de apenas três terminais, um deles
deve ser utilizado para a entrada e para a saída.
Considerando-se o transistor como um quadripolo, podemos montá-
lo utilizando um mesmo terminal comum à entrada e à saída do
amplificador. As maneiras como o transistor é montado chamam-se
configurações e elas são três:
a. Base Comum – Os terminais do Emissor e da Base compõem a entrada
enquanto que os terminais do Coletor e da Base compõem a saída do
amplificador (Figura N2.33).
Figura N2.33 – Transistores na configuração Base Comum.

(a) PNP (b) NPN .
b. Emissor Comum – Os terminais da Base e do Emissor compõem a

entrada enquanto que os terminais do Coletor e do Emissor compõem
a saída do amplificador (Figura N2.34).
Figura N2.34 – Transistores na configuração Emissor Comum.

(a) NPN (b) PNP .

c. Coletor Comum – Os terminais da Base e do Coletor compõem a
entrada enquanto que os terminais do Emissor e do Coletor compõem
a saída do amplificador (Figura N2.35).
Figura N2.35 – Transistores na configuração Coletor Comum.

(a) PNP (b) NPN .
2.15.7 Ganhos de Corrente - DC
O ganho A é a relação estabelecida entre a corrente de saída e a

corrente de entrada do amplificador: .
a) b)
Corrente de saída
A (N2.5)
Corrente de entrada
a. Ganho na configuração Base Comum - αDC

 Corrente de saída  IC
 Corrente de entrada  IE
Corrente de saída I
 α DC   C  0,98 (N2.6)
Corrente de entrada IE
b. Ganho na configuração Emissor Comum - βDC

 Corrente de saída  IC
 Corrente de entrada  IB
Corrente de saída I
β DC   C  hFE
Corrente de entrada IB
 (N2.7)
c. Ganho na configuração Coletor Comum
 A1
(N2.8)

2.15.8 Curvas Características dos Transistores
O desempenho do transistor pode ser analisado através de curvas
características das suas malhas de entrada e de saída. Para efeito de
estudo, analisaremos um transistor NPN , de silício, na configuração
Emissor Comum (Figura N2.36).
Figura N2.36 – Diagrama do transistor NPN na configuração EC.
a. Equação da malha de entrada:
VBB  RB  IB   VBE (N2.9)
b. Equação da malha de saída:
VCC  RC  IC   VCE (N2.10)

ExemploN2.2:
Dado o diagrama elétrico da Figura N2.36 e sendo VBB  2 [V], RB  100 k
VBE  0,7 [V], RC  1 k e DC  200
Responda:
a. Calcule o valor de VRB :
b. Calcule o valor de IB :
c. Calcule o valor de IC :
d. Calcule o valor de IE :
e. Calcule o valor de VRC :
f. Calcule o valor de VCE :
g. Calcule o valor da potência PC :

Solução:
a. Calculo do valor de VRB :
VRB  VBB  VBE  2  0,7  1,7 [V]
b. Calculo do valor de I B :
VRB 1,3
IB    13 μA 
RB 100  103
c. Calculo do valor de IC :
IC  β  IB  200  13  106  2,6 [mA]

d. Calculo do valor de IE :
IE  IB  IC  13  106  2,6  103  2,613 [mA]

e. Calculo do valor de VRC :
VRC  RC  IC  1  103  2,6  103  2,6 [V]

f. Calcule o valor de VCE :
VCE  VCC  VRC  10  2,6  7,4 [V]

g. Calculo do valor da potência PC :
PC  VCE  IC  7,4  2,6  103  19,24 [mW]
2.15.9 Curvas da malha de entrada – curvas da Base

Para que sejam geradas as curvas da Base, inicialmente fixa-se o
valor de VCE e varia-se o valor da tensão de entrada VBE , obtendo-se a
corrente de entrada IB , resultando no seguinte gráfico (Figura N2.37):
VCE1  VCE2  VCEn
Figura N2.37 – Curvas da Base do transistor NPN na configuração EC.

Observa-se que é possível controlar a corrente IB da Base variando-

se a tensão entre a Base e o Emissor.
2.15.10 Curvas da malha de saída – curvas do Coletor

Para que sejam geradas as curvas do Coletor, inicialmente fixa-se o
valor de entrada de VBE e varia-se o valor da tensão de saída VCE , obtendo-
se a corrente de entrada IC , resultando no seguinte gráfico (Figura
N2.38):
Figura N2.38 – Curvas do coletor do transistor NPN na configuração EC.
Neste gráfico percebem-se as três regiões de trabalho do

transistor:
 Corte  IC  0 A
 Saturação VCE  0 V
 Ativaregião entre corte e saturação
ExemploN2.3:
Utilizando os gráficos das Figuras N2.37 e N2.38,
Responda:
a. Determine o valor de IC para IB  30 μA e VCE  10 [V] :
b. Determine o valor de IC para VBE  0,7 [V] e VCE  15 [V] :

Solução:
a. Observando a Figura 4.11, para IB  30 μA , VCE  10 [V] e IC  3,4 [mA] .
b. Observando a Figura 4.10, IB  20 μA para VBE  0,7 [V] Na Figura 4.11 tem-se
que IC  2,5 [mA] na interseção de IB  20 μA para VCE  15 [V] .
2.15.11 Limites dos Transistores

Os transistores, assim como todos os outros dispositivos
eletrônicos têm limitações nos seus parâmetros que devem ser respeitados,
para evitar que os sinais sejam distorcidos ou até mesmo que estes
componentes se danifiquem. Os manuais técnicos fornecem pelo menos
quatro parâmetros que possuem valores máximos:
a. Tensão máxima do Coletor - VCE
máx
b. Corrente máxima do Coletor - ICmáx
Potência máxima do Coletor - PC  VCE  ICmáx (N2.11)

máx máx
c. Tensão máxima de ruptura das junções - B V (breakdown voltage)
A região definida para as curvas características são mostradas na

Figura N2.39.
Figura N2.39 – Definição da região linear, sem distorção, de

operação do transistor.
2.15.12 Reta de Carga

É uma linha que ao ser traçada, por exemplo, na curva de saída do
transistor, pode definir a corrente na malha de saída do amplificador,
assim como a tensão VCE , ou seja, o seu ponto de operação Q .

2.15.13 Regiões de Operação do Transistor
O Transistor pode operar em três regiões:
a. Região de Corte - VCEcorte :
É quando não circula corrente IC na malha de saída e não há

queda de tensão nos componentes dessa malha e a tensão VCE é
igual a tensão da fonte VCC . Nesta situação o transistor está
operando como uma chave aberta e IC  0 [A] , logo:
VCEcorte  VCC (N2.12)
b. Região de Saturação - ICsat :
É quando circula a corrente ICmáx na malha de saída, sendo

toda queda de tensão sobre os componentes dessa malha, logo a
tensão VCE  0 [V]. Nesta situação o transistor está operando
como chave fechada e VCE  0 [V], logo:
VCC
ICsat  (N2.13)
Resistores da malha de saída
c. Região Ativa:
É quando o transistor opera e não entra em corte nem em
saturação. A corrente que passa na malha de saída é ICQ e a
tensão entre o Coletor e o Emissor é VCE Q Nesta situação o

transistor está operando como amplificador (Figura N2.39).
2.15.14 Pontos de Operação - Q (quiescente)
O ponto Q depende do valor da corrente ICQ que circula pelo
Coletor e consequentemente, do valor da tensão VCE Q . Estes valores todos

dependem das polarizações aplicadas às junções Base-emissor e Coletor-
emissor.

A reta de carga é uma reta que, no gráfico de IC  VCE , vai de
VCC
ICsat  até VCEcorte (Figura N2.40).
RC
Figura N2.40 – Definição gráfica do ponto de operação Q .
O ponto de operação Q é, graficamente, a intersecção entre a reta de

carga e a curva característica de saída do Coletor para as condições de
operação do transistor.
A corrente de Coletor no ponto de operação, ICQ , é determinada

graficamente pela projeção deste ponto no eixo vertical das correntes
IC [mA] , enquanto que a tensão entre o coletor e o emissor no ponto de
operação, VCE Q , é determinada graficamente pela projeção deste ponto no
eixo horizontal das tensões VCE [V].

De posse do diagrama elétrico (Figura N2.41)
Figura N2.41 – Diagrama de aplicação.
e de alguns dados, os seus parâmetros são obtidos da seguinte forma:

a. Corrente no ponto de operação -> IC :

Q
Analisando-se a malha de entrada tem-se a Eq. (N2.14) .

Colocando-se a Eq. (N2.14) em função de IB , tem-se:
VBB  VBE
IB  (N2.14)
RB
Sendo o valor de IC estabelecido pela Eq. (N2.7) e, sendo este IC

o valor da corrente de Coletor no seu ponto de operação, tem-se
o valor de ICQ como sendo:
ICQ  βDC  IB (N2.15)
b. Tensão no ponto de operação -> VCE :

Q
Analisando-se a malha de saída tem-se a Eq. (N2.10) . Colocando-

se a Eq. (N2.10) em função de VCE e sendo este IC o valor da
corrente de Coletor no seu ponto de operação, este será o valor
de VCE :
Q

VCEQ  VCC  RC  ICQ  (N2.16)
c. Tensão no ponto de corte -> VCE :

corte
Analisando-se a malha de saída tem-se a Eq. (N2.10) .

Considerando-se que no transistor em corte o valor de IC  0 [A]
e colocando-se a equação em função de VCE , tem-se:
VCE  VCC  RC  0
então, VCE  VCC , ou seja:
VCEcorte  VCC (N2.17)

d. Corrente no ponto de saturação - ICsat :
Analisando-se a malha de saída tem-se a Eq. (4.7) .

Considerando-se que no transistor saturado o valor de
VCE  0 [V] e colocando-se a equação em função de IC , tem-se:
VCC  0 ,
IC 
RC
então,
VCC
IC 
RC
ou seja:
VCC
ICsat  (N2.18)
RC
2.16 Amplificadores Operacionais

São amplificadores do tipo diferencial com alto ganho, alta impedância
de entrada e baixa impedância de saída. São amplificadores de DC linear (e
também executa algumas operações não-lineares) que usa externamente uma rede
de realimentação negativa para controlar suas características de operação [5,
16].
2.16.1 Informações Gerais

Foram inicialmente utilizados para executar operações matemáticas
em computação analógica e instrumentação eletrônica, tais como: somar,
subtrair, integrar, diferenciar etc. Atualmente tem vasta aplicação em
circuitos de controle e regulação, osciladores, filtros, processamento e
geração de sinais e outras [5, 16].
Tem grande aceitação devido a sua versatilidade, tamanho pequeno,
alta confiabilidade, custo reduzido, temperatura equalizada, dentre
outras vantagens [15]. Na Figura N2.42 tem-se a representação simbólica de
um amplificador operacional básico.
Figura N2.42 – Amplificador operacional básico – simbologia.

Cada sinal, por exemplo, senoidal, aplicado em uma das entradas,
apresenta na saída um sinal com a mesma polaridade (mesma fase) ou com
polaridade oposta (fase invertida), dependendo de onde ele foi aplicado,
se foi na entrada positiva (+) ou na entrada negativa (-).
A seguir, as diversas formas de operação do amplificador
operacional.
2.16.2 Entrada com Terminação Única

É quando um sinal de entrada é aplicado a uma entrada positiva (+)
ou negativa (-) e a outra é conectada ao GND (“terra”).
Na Figura N2.43a tem-se o sinal senoidal aplicado na entrada
positiva (+) enquanto que a entrada negativa (-) é aterrada e o sinal de
saída tem a mesma fase da entrada e amplificado.
Na Figura N2.43b tem-se o sinal senoidal aplicado na entrada
negativa (-) enquanto que a entrada positiva (+) é aterrada e o sinal de
saída é amplificado com fase oposta a da entrada.
(a) (b)
Figura N2.43 – Amplificador operacional com terminação única: (a) sinal aplicado na
entrada positiva com a entrada negativa aterrada; (b) sinal aplicado na entrada
negativa com a entrada positiva aterrada.
2.16.3 Entrada com Terminação Dupla - Diferencial

É quando se aplica sinal em ambas as entradas.
Na Figura N2.44a tem-se o sinal senoidal aplicado em ambas as
entradas (nenhuma está aterrada) e o sinal de saída tem a mesma fase da
entrada e amplificado.
Na Figura N2.44b tem-se os sinais senoidais aplicados separadamente
em cada entrada positiva (+) e negativa (-) com fases iguais e o sinal de
saída é a diferença ente eles, sendo Vi 1  Vi 2 .

(a) (b)
Figura N2.44 – Amplificador operacional com terminação dupla: (a) mesmo sinal
aplicado em ambas as entradas; (b) sinais com mesma fase aplicados separadamente nas
entradas.
2.16.4 Operação Modo-Comum

Quando o mesmo sinal é aplicado em ambas as entradas, o resultado é
uma operação modo comum. Os sinais das duas entradas são igualmente
amplificados, porém com fases opostas, que se cancelam não produzindo
sinal expressivo na saída. Figura N2.45.
Figura N2.45 – Amplificador operacional em operação modo-comum.
2.16.5 Operação Rejeição de Modo-Comum

O amplificador do tipo diferencial tem a característica de
amplificar os sinais com fases opostas aplicados em suas entradas e
rejeitar os sinais comuns (com a mesma fase) às duas entradas. Quando o
mesmo sinal é aplicado em ambas as entradas, como, por exemplo, o ruído ou
qualquer sinal indesejado, estes tendem a serem rejeitados e amplificados
os sinais resultantes da diferença entre os aplicados nas duas entradas.

2.16.6 Operação Diferencial e Modo-Comum
A função do amplificador diferencial é, de maneira geral,
amplificar a diferença entre dois sinais, o que é útil nas medidas físicas
onde são necessárias respostas de frequência desde sinais DC até na faixa
de megahertz [15].
Como no amplificador diferencial os sinais na entrada com fases
opostas são mais amplificados que os sinais que são comuns às duas
entradas, o circuito apresenta uma rejeição de modo-comum descrita por
um parâmetro denominado de razão de rejeição de modo comum – CMRR.
2.16.7 Entradas Diferenciais

Nos casos em que os sinais de entrada são aplicados separadamente
no amplificador operacional, o sinal diferença resultante na entrada Vd é
a diferença entre as duas entradas, definida pela expressão:
Vd  Vi 1  Vi 2 (N2.19)
2.16.8 Entradas Comuns

Nas situações em que os sinais de entrada são aplicados juntos no
amplificador operacional, o sinal comum resultante é a média aritmética
entre os dois sinais:
1
Vc  (Vi  Vi 2 ) (N2.20)
2 1
2.16.9 Tensão de Saída

Como qualquer sinal aplicado no amplificador operacional tem
componente em fase ou em contra-fase, o sinal de saída pode ser expresso
por:
Vo  Ad Vd  Ac Vc (N2.21 )
sendo:
Vd = tensão de diferença dada pela Equação (N2.19)
Vc = tensão comum dada pela Equação (N2.20)

Ad = ganho diferencial do amplificador
Ac = ganho de modo-comum do amplificador
2.16.10 Entradas de Polaridades Opostas

Se sinais de polaridades opostas são aplicados nas entradas do
amplificador operacional, então:
Vi 1  Vi 2  Vs
logo, aplicando-se a Equação (N2.19) , tem-se:
Vd  Vi 1  Vi 2  Vs  (Vs )  2Vs
A tensão comum resultante na entrada dimensionada pela Equação

(N2.20) é:
1 1
Vc  (Vi 1  Vi 2 )  [Vs  (Vs )]  0
2 2
e, assim sendo, a tensão de saída, aplicando-se a Equação (N2.21 ) , é

expressa por:
Vo  Ad Vd  Ac Vc  Ad (2Vs )  0  2Ad Vs
Resumindo, quando são aplicados apenas sinais idealmente

opostos, o sinal de saída é o ganho diferencial vezes o dobro do sinal
aplicado a uma das entradas:
Vo  2A d Vs
2.16.11 Entradas com Mesma Polaridade

Se sinais de mesma polaridade são aplicados nas entradas do
amplificador operacional, então:

Vi 1  Vi 2  Vs
logo, aplicando-se a Equação (N2.19) , tem-se:
Vd  Vi 1  Vi 2  Vs  Vs  0
A tensão comum resultante na entrada dimensionada pela Equação

(N2.20) é:
1 1
Vc  (Vi 1  Vi 2 )  [Vs  Vs )  Vs
2 2
e, assim sendo, a tensão de saída, aplicando-se a Equação (N2.21 ) , é

expressa por:
Vo  Ad Vd  Ac Vc  Ad (0)  Ac Vs  Ac Vs
Resumindo, quando são aplicados apenas sinais em fase, o sinal de

saída é o ganho de modo-comum vezes o sinal aplicado na entrada.
2.16.12 Amplificador Operacional Básico

O circuito básico é construído utilizando-se um amplificador de
diferença com duas entradas, uma positiva e outra negativa, e pelo menos
uma saída [4, 5, 15, 16]. A Figura N2.46a mostra uma unidade de um amp-op
básica. Na Figura N2.46b tem-se o diagrama elétrico do circuito
equivalente AC real e na Figura N2.46c tem-se o diagrama elétrico do
circuito equivalente AC ideal.

(a)
(b) (c)
Figura N2.46 – Amplificador operacional básico: (a) simbologia;

(b) diagrama elétrico do circuito equivalente real; (c) diagrama
elétrico do circuito equivalente ideal.
Na Figura N2.47 tem-se a representação de um amplificador

operacional básico com seus componentes periféricos operando como um
multiplicador de ganho constante.
Figura N2.47 – Conexões do amplificador operacional básico.
Tomando-se por referência a Figura N2.47, um sinal de entrada V1 é

aplicado ao circuito por meio do resistor R1 na entrada negativa. O
sinal de saída do circuito é reenviado à entrada através do resistor de
realimentação R f (f- feedback). A entrada positiva é conectada ao GND.
O sinal de saída Vo será amplificado e terá a fase invertida em

relação à entrada pelo fato do sinal ter sido aplicado na entrada
negativa.
Na Figura N2.48a, a simbologia do amplificador operacional foi
substituída pelo diagrama elétrico do seu circuito equivalente AC ideal.

Na Figura N2.48b, a impedância de entrada Ri foi substituída por uma

impedância infinita Ri   e a impedância de saída Ro por uma impedância
nula Ro  0 . A Figura 6.8c, apresenta o diagrama elétrico redesenhado com
as novas considerações.
Figura N2.48 – Amplificador operacional operando como multiplicador de

ganho constante: (a) circuito equivalente AC; (b) circuito equivalente AC
do amp-op ideal; (c) circuito equivalente AC ideal redesenhado.
 Cálculo da Tensão de Entrada Vi :
Rf
Vi  V1 (N2.22)
R f  (1  A v )R1

 Cálculo do Ganho de Tensão A v :
Vo R
Av   f (N2.23)
V1 R1
que é válido apenas para grandes valores de A v .
 Cálculo do Ganho de Tensão Unitário:

Se
R f  R1
então, o ganho de tensão A v é unitário:
Rf
Av    1
R1
cujo sinal negativo representa a inversão da fase do sinal de entrada

obtido na saída com a mesma amplitude.
2.16.13 Circuitos Básicos do Amplificador Operacional

Uma grande variedade de circuitos é possível utilizando-se os
amplificadores operacionais. Serão apresentados aqui os mais básicos.
2.16.14 Amplificador Inversor

Trata-se do amplificador de ganho constante mais utilizado. Está
representado na Figura N2.49. O sinal na saída é obtido pela
multiplicação do sinal da entrada pelo ganho fixo do circuito
estabelecido pela relação entre os valores dos resistores de entrada R1 e
de realimentação R f . Aplicando-se a Equação (N2.23) tem-se:

Rf
Vo   V1
R1
Figura N2.49 – Amplificador operacional como multiplicador

inversor de ganho constante.
ExemploN2.4:
Considerando que o diagrama da Figura N2.49 tem R1  100 k , Rf  500 k e
V1  2,0 V ,
Responda:
a. Calcule o valor da tensão de saída Vo :
Solução:
a. Calculo do valor da tensão de saída Vo :
Utilizando-se a Equação (N2.23) , tem-se
Rf 500  103
Vo   V1   (2)  10 V 
R1 100  103
2.16.15 Amplificador Não-Inversor

Está representado na Figura N2.50a. É a conexão mais utilizada por
ter melhor estabilidade de frequência. A determinação do ganho do
circuito é estabelecida utilizando-se a representação equivalente da
Figura N2.50b. Nesta figura observa-se que tensão sobre R1 é V1 , pelo fato
do valor de Vi  0 [V] . Análise também é válida para o cálculo da tensão de
saída Vo sobre os resistores R1 e R f , tal que:
R1
V1  Vo
R1  R f

Cuja conclusão é:
Vo R1 R
 1 f (N2.24)
V1 R1  R f R1
Figura N2.50 – Amplificador operacional como multiplicador não-inversor de ganho

constante.
ExemploN2.5:
Considerando que o diagrama da Figura N2.50 tem R1  100 k , Rf  500 k e
V1  2,0 V ,
Responda:
Solução:
b. Calculo do valor da tensão de saída Vo :
 R   500  103 
Vo   1  f V1   1  (2)  12 [V]
 R1   100  103 
2.16.16 Amplificador Multiplicador de Ganho Constante

É um amplificador bastante utilizado por fornecer ganho ou
amplificação precisa. Está representado na Figura N2.51 na sua
configuração padrão cujo ganho é determinado pela expressão:

Rf
A (N2.25)
R1
Figura N2.51 – Amplificador operacional inversor com ganho fixo.
ExemploN2.6:
Dada a Figura N2.52 e considerando Vi  2,5 [mV] ,
Figura N2.52 – Diagrama elétrico do Exemplo N2.6.
Responda:
a. Calcule o valor do ganho A do circuito:

b. Calcule o valor da tensão de saída Vo :
Solução:
a. Calculo do valor do ganho A do circuito:

Rf 200  103
A   100
R1 2  103

Vo  AV1  100(2,5  103 )  250 [mV]
Um amplificador operacional não-inversor de ganho fixo está

representado na Figura N2.53. Nesta configuração o ganho é determinado
pela expressão:
Rf
A1 (N2.26)
R1
Figura N2.53 – Amplificador operacional não-inversor com ganho fixo.
ExemploN2.7:
Dada a Figura N2.54 e considerando Vi  120 μV  ,

Responda:
a. Calcule o valor do ganho A do circuito:

b. Calcule o valor da tensão de saída Vo :
Solução:
a. Cálculo do valor do ganho A do circuito:
Rf 240  103
A1 1  101
R1 2,4  103

Vo  AV1  101(120  106 )  12,2 [mV]
2.16.17 Amplificador Somador de Tensão

É uma aplicação muito comum o uso do amplificador operacional
como somador de tensões. Na Figura N2.55 tem-se uma configuração na qual
são somadas três tensões diferentes e a tensão de saída é dada pela
expressão:
R R R 
Vo   f V1  f V2  f V3  (N2.27)
 R1 R1 R1 
Figura N2.55 – Amplificador operacional somador.

ExemploN2.8:
Dada a Figura N2.56 e considerando V1  50 mV sen (1.000t) e
V2  10 mV sen (3.000t)
Responda:
Solução:
R R   330  103 330  103 

Vo   f V1  f V2    V  V2   (10V1  33V2 )
 33  10 10  103
3 1
 R1 R1  
Vo  [10(50  10 3 ) sen (1.000t)  33(10  10 3 ) sen (3.000t)] 

Vo  [0,5 sen (1.000t)  0,33 sen (3.000t)]
2.16.18 Amplificador Subtrator de Tensão

Há aplicação do amplificador operacional como subtratador de
dois sinais. Na Figura N2.57 tem-se uma configuração para esta situação e
a tensão de saída é dada pela expressão:
 R3 R2  R 4  R 4
Vo   V1   V2 (N2.28)
 R 1  R3 R2  R2

Figura N2.57 – Amplificador operacional subtrator.
ExemploN2.9:
Dada a Figura N2.58,
Responda:
Solução:
a. Calculo do valor da tensão de saída Vo :
Utilizando-se a Equação (N2.27 ) , tem-se

R3 R2  R 4 R
Vo  V1  4 V2
R 1  R3 R2 R2
20  103 100  103  100  103 100  103
Vo  V  V2  V1  V2
20  103  20  103 100  103 100  103
1

2.16.19 Amplificador de Tensão de Ganho Unitário - Buffer
É um circuito que proporciona a isolação do sinal de entrada de
uma carga utilizando um estágio de ganho unitário sem a inversão de fase
operando como um circuito ideal de alta impedância de entrada e baixa
impedância de saída, conforme o diagrama elétrico mostrado na Figura
N2.58. A tensão de saída é dada pela expressão:
Vo  V1 (N2.29)
Figura N2.58 – Amplificador operacional de ganho unitário - buffer.
ExemploN2.10:
Responda:
a. Desenhe o diagrama elétrico de um amp-op na configuração de ganho
unitário:
Solução:
a. O desenho do diagrama elétrico de um amp-op na configuração de ganho
unitário está representado na Figura N2.59:

N3: Conceitos Básicos de Eletrônica Digital
SISTEMAS DE NUMERAÇÃO
3.1 Sistema Decimal
O Sistema Decimal é o mais utilizado. Composto por 10 símbolos ou dígitos
(0,1,2,3,4,5,6,7,8 e 9), tem como base o 10. Portanto podemos representar qualquer
número por intermédio de potências de 10.
Ex. Considere o número 436,27.

436,27 = 400 + 30 + 6 + 0,2 + 0,07=4x102 + 3x101 + 6x100 + 2x10-1 +7x 10-2
MSD LSD
Obs.: O dígito situado à extrema esquerda do número será o de maior valor
(pois está sendo multiplicado pela maior potência de 10), ou seja, o dígito
mais significativo (MSD – Most Significant Digit) e o dígito da extrema
direita é o menos significativo (LSD - Least Significant Digit).
3.2 Sistema Binário

É o sistema mais utilizado em equipamentos digitais. Utiliza apenas 2
símbolos ou dígitos (0 e 1), tem como base o 2, portanto podemos representar
qualquer número por uma série de potências de base 2 (base do sistema).
Os dígitos binários são chamados de bits (da contração do Inglês binary
digits).
Ex.: 10101(2) = 1x24 + 0x23+ 1x22 + 0x21 + 1x20
MSB LSB
MSB - Most Significant Bit) (LSB - Least Significant Bit)
3.3 Sistema Hexadecimal

É o sistema mais utilizado em computação. Formado por 16 dígitos
alfanuméricos (0,1,2,3,4,5,6,7,8,9, A, B, C, D, E e F) tem como base o 16.

Ex.: 2A5(16) = 2x 162 + Ax161+ 5x160
MSD LSD
CONVERSÃO ENTRE SISTEMAS NUMERICOS
Binário
3.4 Conversão Decimal
Hexadecimal
Para convertermos um número decimal em binário, octal ou hexadecimal,

basta dividirmos sucessivamente o número decimal pela base do sistema (2,8 ou
16) em questão, até que o quociente seja menor que o divisor. O último quociente
(menor que a base do sistema em questão), seguido pelos restos colocados na
ordem inversa, correspondem ao número decimal transladado para o sistema
desejado.
Binário
Ex.: Converter 89
Hexadecimal
Decimal para Binário
89 2
LSB 1 44 2
0 22 2
0 11 2
1 5 2
1 2 2
0 1 MSB
89  1011001

Decimal para Hexadecimal 89 16

LSD 9 5 MSD
89  59(16)
Por meio das conversões de base, podemos representar qualquer número

decimal em binário ou hexadecimal.
CONVERSÃO – BINÁRIO E HEXADECIMAL PARA DECIMAL
Binário
3.5 Conversão Decimal
Hexadecimal
O processo de conversão para base 10 é extremamente simples, basta

somarmos os produtos das séries de potências para obtermos o resultado.
Binário para Decimal 1 0 1 1 0 0 1(2) = 1x26 + 0x25 + 1x24 + 1x23 + 0x22 +0x21 + 1x20
64 + 16 + 8 + 1 = 89
1011001(2)  89
Hexadecimal para Decimal 59(16) = 5x161 + 9x160
80  9  59
59(16)  89
CONVERSÃO HEXADECIMAL/BINÁRIO E BINÁRIO/HEXADECIMAL

Basta converter individualmente cada dígito hexadecimal em 4 binários ou
cada grupo de 4 binários em um hexadecimal.
A tabela abaixo mostra a equivalência do sistema hexadecimal com os outros
sistemas.
BINÁRIO HEXADECIMAL DECIMAL

0000 0 0
0001 1 1
0010 2 2
0011 3 3
0100 4 4
0101 5 5
0110 6 6
0111 7 7
1000 8 8
1001 9 9
1010 A 10
1011 B 11
1100 C 12
1101 D 13
1110 E 14
1111 F 15
3.6 Hexadecimal para Binário
5 9
0101 1001 59(16) = 01011001(2)
3.7 Binário para hexadecimal
101 1001
5 9 1011001(2) = 59(16)
Considerando todos os sistemas vistos anteriormente podemos, concluir que

a conversão de base 10 para qualquer outra será efetuada pelo processo de
divisões sucessivas por suas respectivas bases. Qualquer número de qualquer
sistema poderá ser convertido à base 10, pelo método da série de potências de
suas respectivas bases. As conversões do hexadecimal para binário não
necessitam de cálculo, observando sempre a separação de 4 bits.

3.8 Código ASCII (American Standard Code for Information Interchange)
Código binário de sete bits (2 = 128), usado nos teclados de um computador,
7
permite representar 128 caracteres, que podem ser números, letras, sinais ou
instruções.
COLUNA 0 1 2 3 4 5 6 7
LINHA BITS
4321 765 000 001 010 011 100 101 110 111
0 0000 NUL DLE SP 0 @ P ` p
1 0001 SOH DC1 ! 1 A Q a q
2 0010 STX DC2 “ 2 B R b r
3 0011 ETX DC3 # 3 C S c s
4 0100 EOT DC4 $ 4 D T d t
5 0101 ENQ NAK % 5 E U e U
6 0110 ACK SYN & 6 F V f V
7 0111 BEL ETB ‘ 7 G W g W
8 1000 BS CAN ( 8 H X h X
9 1001 HT EM ) 9 I Y i Y
10 1010 LF SUB * : J Z j z
11 1011 VT ESC + ; K [ k {
12 1100 FF FS , < L \ l |
13 1101 CR GS - = M ] m }
14 1110 SO RS . > N ^ n ~
15 1111 SI US / ? O _ o DEL
PORTAS LÓGICAS
Operações booleanas (+, •, ¯) sobre variáveis booleanas (A, B, C...) são
denominadas funções booleanas. Tais funções podem ser desempenhadas por
determinados circuitos que, em eletrônica digital, são denominados portas
lógicas ou blocos lógicos.
As portas lógicas básicas E, OU e NÃO desempenham as funções lógicas
básicas, as portas NE, NOU, OU EXCLUSIVO e NOU EXCLUSIVO resultam da
combinação de duas ou mais portas básicas.
Se o número de variáveis for n, a Tabela da Verdade tem 2 possibilidades.
n
Assim, se as variáveis são duas, a Tabela da Verdade tem 2 = 4 combinações; se

2
são três variáveis, tem-se 2 possibilidades, e assim sucessivamente.

3
3.9 Porta E ou AND

Realiza a função E que corresponde à operação multiplicação.
Duas ou mais variáveis executam a função E se a saída assumir o valor 1
quando todas as entradas forem 1, e o valor 0 quando pelo menos, uma entrada
for 0.

Circuito equivalente com chaves

Tabela da verdade
Símbolo Lógico
Entradas Saída
A B S = AB
0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1
Os bits 0 e 1 na tabela acima, que são os valores possíveis das variáveis A

e B, recebem a designação de Níveis Lógicos.
3.10 Porta OU ou OR
Realiza a função OU que corresponde a operação adição.
Duas ou mais variáveis executam a função OU se a saída assumir nível
lógico 1 quando pelo menos uma entrada for 1, e nível lógico 0 quando todas as
entradas forem 0.
Tabela da verdade Símbolo Lógico Circuito equivalente com chaves
Entradas Saída
A B S = A+B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 1
3.11 Porta NÃO (Inversor) ou INVERTER

Realiza a função NÃO que corresponde à operação de complemento, ou
inversão.
A saída terá nível lógico 1 se, e somente se, a entrada tiver nível lógico
0.

Tabela da verdade Símbolo Lógico Circuito equivalente com chaves
Entradas Saída
A S= A
0 1
1 0
COMBINAÇÃO DE PORTAS
3.12 Porta NE ou NAND
Esta porta resulta da combinação de uma porta E com uma porta NÃO,
realizando assim o complemento da função E.
A saída de uma porta NE terá nível lógico 1 se pelo menos uma entrada
tiver nível lógico 0.
Tabela da verdade Símbolo Lógico

Entradas Saída
A B S=A.B
0 0 1 A
0 1 1
1 0 1
1 1 0
3.13 Porta NOU ou NOR

A porta NOU é o resultado da combinação de uma porta OU com uma porta NÃO
e realiza o complemento da função OU.
A saída de uma porta NOU terá nível lógico 1 se, e somente se, todas as
entradas tiverem nível lógico 0.

Entradas Saída
A B S = A+B A
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0
3.14 Porta OU EXCLUSIVO ou EXCLUSIVE OR

Resulta da combinação de portas E, OU e NÃO.
A saída de uma porta OU EXCLUSIVO será igual a 1 se, e apenas se, existir
um número ímpar de entradas iguais a 1.
A representação algébrica desta função é:
S= AB+AB ou S=A B
Entradas Saída
A B S = A B
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0
3.15 Porta NOU EXCLUSIVO ou EXCLUSIVE NOR

Esta porta resulta da combinação de uma porta OU EXCLUSIVO e uma porta
NÃO, realizando assim o complemento da função OU EXCLUSIVO.
A saída de uma porta NOU-Exclusivo de duas entradas terá nível lógico 1 se
e somente se os níveis lógicos das entradas forem iguais, por este motivo, é
chamada também de porta coincidência.
A representação algébrica desta função é:

S= A B +AB ou S=A B
Entradas Saída
A B S = A B
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 1
3.16 Porta com múltiplas entradas

Algumas das portas lógicas vistas anteriormente, podem apresentar duas
ou mais entradas, sem que suas funções básicas sejam alteradas. Estas são: E, OU,
NE e NOU.
Para as funções OU EXCLUSIVO e NOU EXCLUSIVO, quando necessitamos mais
que duas entradas, devemos cascatear uma ou mais portas. Vejamos a seguir, um
OU EXCLUSIVO com 3 entradas e sua Tabela da Verdade:
Entradas Saída
A B C S = A B C A
S
0 0 0 0 B
0 0 1 1 C
0 1 0 1
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
Algumas portas são providas de uma entrada adicional de controle,

chamada STROBE. Tais portas são: OU e NOU. Vejamos a seguir, uma porta NOU com
STROBE e sua

Tabela da Verdade Símbolo Lógico
Entradas Saída
G A B S = G (A + B)
0 0 0 1 A
0 0 1 1 S
0 1 0 1 B
0 1 1 1
1 0 0 1 G
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 0
Caso tenhamos nível lógico 0 na entrada G, a saída terá nível lógico 1

independente das outras entradas. Se tivermos a entrada G em nível lógico 1, a
saída da porta dependerá exclusivamente das entradas A e B.
O entrada STROBE é, algumas vezes, chamada de ENABLE, que significa
habilitação.
Exercício
1. Construir o diagrama com portas lógicas do circuito que desempenham as
seguintes funções:
a) S = A. (B + C ) + A . (C + D )
b) S = ABC + A B + AB D

2. Supondo que a tabela abaixo represente uma situação qualquer, escreva as
suas expressões características, e esquematize os circuitos simplificados.
Entradas Saídas
A B C S0 S1
0 0 0 0 0
0 0 1 1 0
0 1 0 0 1
0 1 1 1 0
1 0 0 1 1
1 0 1 0 1
1 1 0 1 0
1 1 1 1 1
MULTIPLEXADORES
Multiplexador é um circuito lógico que, tendo diversas entradas de
dados, permite que somente uma delas atinja a saída por vez.
Os Multiplexadores têm numerosas aplicações em sistemas digitais, tais
como: seleção de dados, encaminhamento de dados, operação sequenciada,
conversão paralela série, etc.
D0
Entradas
M
D1
de U
S Saída
D2
Dados X
D3
A1 A0
Entradas
de
Seleção
A quantidade de Entradas de Dados é 2 , onde n é a quantidade de entradas

n
de seleção.

Para duas entradas de seleção (A0 e A1), teremos consequentemente 22 = 4

entradas de dados (D0, D1, D2 e D3), conforme esquema anterior.
A entrada de seleção irá selecionar que informação ou dado será conectado à
saída.
Observe a tabela I abaixo:
Entrada de - Se A1 e A0 são iguais a 1, teremos o dado D3 na

Entrada Endereço Saída saída S.
de Dados
A1 A0 - Se A1 = 1 e A0 = 0, teremos a informação D2 na
D0 0 0 S0 saída.
D1 0 1 S1
D2 1 0 S2
D3 1 1 S3
Pela tabela anterior podemos retirar a expressão de saída que dará origem
ao esquema do MUX com portas lógicas.
S = D0 A 1 A 0 + D1 A 1 A0 + D2 A1 A 0 + D3 A1 A0
D0
D1
S
D2
D3
A1 A0

DEMULTIPLEXADORES
O Demultiplexador executa a operação inversa do Multiplexador, ou seja,
recebe dados de uma única entrada e os distribui, separadamente, para uma das
diversas saídas.
S0
D
Entrada
S1
de D Saídas de Dados
E
Dados S2
M
S3
A1 A0
Entradas
de
Endereçamento
Observe que o número de saídas de dados é função das entradas de seleção,

ou seja, é 2 onde n é a quantidade de entradas de endereçamento.
n
Tabela II
Pela Tabela II podemos retirar a

Entradas Saídas expressão de saída que dará origem ao
D esquema do DEMUX com portas lógicas.
A1 A0 S0 S1 S2 S3
0 x x 0 0 0 0
1 0 0 1 0 0 0
1 0 1 0 1 0 0
1 1 0 0 0 1 0
1 1 1 0 0 0 1
S0 = D A 1 A 0
S1 = D A 1 A0
S2 = D A1 A 0
S3 = D A1 A0

CONVERSÃO D/A E A/D
A conversão digital para analógico (D/A) e de analógico para digital (A/D)
constituem dois aspectos muito importantes no processamento de dados digital.
A conversão D/A envolve a tradução da informação digital para a informação
analógica equivalente. Como um exemplo a saída de um sistema digital poderia
ser transformada para a forma analógica com a finalidade de acionar um
registrador de pena. Da mesma forma, um sinal analógico poderia ser requerido
para servomotores que acionam braços cursores de um traçador de gráficos,
estes tipos de conversores são às vezes chamados de dispositivos de
decodificação.
O processo de transformar um sinal analógico em sinal digital
equivalente é feito como uso de um conversor A/D. Por exemplo um conversor A/D
é usado para transformar os sinais de saída analógicos de transdutores
(medindo temperatura, pressão, vibração, etc.) em sinais digitais equivalentes.
Estes sinais estariam em uma forma adequada para entrar em um sistema digital.
Este conversor é frequentemente referido como um dispositivo de codificação.
3.17 Conversores Digital/Analógico

O circuito somador amp-op pode ser usado para construir um conversor
D/A selecionando-se os resistores de entrada que são ponderados em progressão
binária. A figura abaixo mostra este circuito onde Vref é uma tensão de
referência precisa, e os resistores são de precisão para se obter correntes de
entrada precisas. As chaves podem estar abertas ou fechadas. Quando todas as
chaves estiverem abertas, todas as correntes serão zero e a corrente de saída
será zero.
Quando todas as chaves estiverem fechadas, as correntes de entrada serão:
I3 = Vref/R I2 = Vref/2R I1 = Vref/4R I0 = Vref/8R Eq 1
A corrente de saída com todas as chaves fechadas é a soma de todas as

correntes de entrada e igual a:
I = Vref/R (1 + 0,5 + 0,25 + 0,125) I = 1,875 Vref/R Eq 2
Abrindo e fechando as quatro chaves podemos produzir 16 diferentes

correntes de saída desde 0 até I = 1,875 Vref/R.

No circuito a seguir temos um conversor D/A com resistores ponderados
em binário.
I3 I2 I1 I0
Se 0 significa uma chave aberta e 1 significa uma chave fechada, podemos

reescrever a equação Eq 2 da seguinte forma:
I = Vref/ R (D + 0,5D + 0,25D + 0,125D )

3 2 1 0 Eq 3
Em potência de 2 temos:
I = Vref/ R (D + 2 D + 2 D + 2 D )
3
1
2
2
1
3
0 Eq 4
Esta equação nos informa que a corrente de saída é a soma das correntes
de entrada ponderadas. Em outras palavras temos um conversor D/A por exemplo,
supondo que Vref=5V e R=5K. Então a corrente de saída total variará de 0 a
1,875 mA.
3.17.1 Parâmetros dos Conversores

Já existem disponíveis conversores D/A sob a forma de circuitos
integrados. A escolha de um determinado tipo dentre os vários existentes
é feita com base nas características de cada um. As principais
características de um conversor D/A são: a sua resolução e o valor do
fundo de escala.

a. Resolução de um Conversor D/A
A resolução de um conversor D/A está relacionada com o número de
bits do conversor, ou seja:
Quando maior for o número de bits de entrada de um conversor

D/A, melhor será sua resolução.
Observe a figura abaixo:
7,0
6,0
5,0
4,0
t
Como pode ser visto, temos apenas oito níveis distintos na tensão
analógica de saída, que variam com o tempo. Portanto, a figura
retrata a saída de um conversor D/A de 3 bits. Nela são
representados apenas os instantes de tempo nos quais a saída
varia.
Se tentarmos ligar as setas de modo a formar uma curva,
encontraremos dificuldades em saber como ela se comporta entre
dois instantes de tempo consecutivos. Assim a curva que
desenharmos poderá estar incorreta, ou seja, a curva pode não
corresponder realmente aos dados digitais que entraram no
conversor, durante o intervalo de tempo em questão. Dizemos,
então, que a curva possui baixa precisão devido a baixa precisão
do conversor D/A.
Observe agora esta outra figura, onde só são representados os
instantes de tempo nos quais houve mudança na saída analógica.

V
7,5
7,0
6,5
6,0
5,5
5,0
4,5
4,0 t
Na figura há 16 níveis na tensão analógica de saída. Portanto, ela

corresponde a um conversor D/A de 4 bits.
Se ligarmos as setas encontraremos mais pontos nos quais podemos
basear o traçado da curva, ou seja a curva obtida tem uma precisão
maior do que a curva anterior. Portanto um conversor D/A de 4 bits
tem uma precisão maior do que m de 3 bits.
Por exemplo, um conversor D/A tem a saída máxima de 6V e aceita 4
bits binários como entrada o cálculo de sua resolução é:
6/16 = 0,375V/degrau. Quanto maior o número de bits maior a
resolução.
b. Fundo de Escala
O valor de fundo-de-escala de um conversor D/A é o máximo

valor de saída analógica que o conversor pode fornecer.
Supondo por exemplo um conversor D/A do tipo R-2R de 4 bits. A

expressão que nos fornece o valor de saída analógica para um
Vref = 16V e um R= 100 com todas as saídas em nível lógico 1 será:
I = 1,875 * Vref/R = 1,875 * 16/100 = 300mA

3.18 Conversores Analógico/Digital
Uma das formas mais simples de se converter dados analógicos em digitais,
é a que utiliza conversores D/A são chamados FEEDBACK CONVERTERS, ou
conversores por realimentação. E dentro desta classe temos:
3.18.1 Conversores A/D de Contagem Ascendente

A figura a seguir mostra o diagrama em bloco do conversor A/D de
contagem ascendente.
AMPLIFICADOR
DE CONVERSOR
D/A
ENTRADA
SAÍDA
ANALÓGICA
DIGITAL
COMPARADOR
CLEAR CONTADOR CLOCK
CRESCENTE
O amplificador de escala fornece a variação da saída analógica

do conversor D/A. Ajustando-se o resistor de realimentação,
pode-se variar a altura do degrau da forma de onda.
a. Análise de Funcionamento
 Após ser inicializado em “0”, o contador inicia sua contagem
ascendente, numa frequência igual à do sinal de clock.
 As saídas deste contador servem como entrada digital para o
conversor D/A. A saída analógica vai crescendo á medida em que a
contagem vai aumentando.
 A saída do conversor D/A é comparada com a entrada analógica no
comparador. O comparador é um dispositivo que fornece um nível
lógico “0” quando a tensão presente na entrada (+) é menor ou igual à
tensão presente na entrada (-). Quando o inverso ocorre, ou seja, o
nível da tensão da entrada (+) é maior que a entrada (-), a saída do
comparador assume nível lógico “1’’.

 Enquanto a entrada analógica é maior que a saída do conversor D/A, a

saída em nível lógico “0” permite a contagem ascendente. No momento
em que a entrada analógica se torna menor que a saída do conversor
D/A, a saída do comparador assume nível lógico “1” e inibe a contagem,
neste momento a saída digital do contador é equivalente à entrada
analógica, e o ciclo de conversão está terminado.
Caso a entrada analógica varie com o tempo, o conversor A/D executa

vários ciclos de conversão, de tal modo que a saída digital acompanhe a
variação do sinal analógico de entrada.
A principal desvantagem do conversor A/D por contagem ascendente é
que, para cada ciclo de conversão, o contador é inicializado e sua
contagem inicia, portanto em zero. Isto ocasiona uma baixa velocidade de
conversão.
Se por exemplo uma entrada analógica estiver em um nível pouco
acima da precedente, bastaria que o contador fosse incrementado a partir
do ponto onde havia parado, sem ter que retornar a zero.
Por outro lado, o mesmo acontece se o novo nível estivesse um pouco
abaixo do anterior, sendo que neste caso o contador seria decrementado.
Esta característica de não retorno a zero entre ciclos sucessivos
de conversão é apresentada pelo chamado Conversor A/D por Rastreamento.
3.18.2 Conversores A/D por Rastreamento

A figura abaixo mostra o diagrama de blocos de um conversor A/D por
rastreamento. Podemos notar que a única diferença para o contador
anterior é que temos agora um contador crescente/decrescente.
CONVERSOR
D/A
SAÍDA
DIGITAL
MODO DE
CONTAGEM CONTADOR CLOCK
CRESCENTE /
DECRESCENTE

Inicialmente suponhamos que o contador foi inicializado em “0”.
Enquanto a tensão na entrada (+) é menor que a na entrada (-), o contador é
incrementado a cada pulso de clock.
No momento em que a tensão de entrada (+) é maior que a na entrada (-),
o modo de contagem é decrescente, e o mesmo é decrementado a cada pulso de
clock.
Eventualmente a saída do conversor A/D se tornará novamente menor
que a entrada analógica, e o contador passará a contar no modo crescente.
Deste modo, a saída digital do conversor fica oscilando entre dois
valores, o que pode resultar numa perda de precisão.
3.18.3 Parâmetros de Conversores D/A

a. Resolução de um Conversor D/A
A resolução é função do número de bits na saída. Seu cálculo é o
mesmo do conversor D/A.
b. Erro de Quantização
A resolução de um conversor A/D está intimamente ligada com o
erro de quantização do conversor A/D.
A quantização de um sinal analógico é o processo de aproximação

deste sinal por níveis discreto e valores bem definidos.
A figura abaixo ajuda a esclarecer o que seja o processo de

quantização:
SAÍDA
DIGITAL
111_
110_
101_
100_
011_
010_
001_
ENTRADA
1 2 3 4 5 6 ANALÓGICA
7
A figura acima representa a relação entre entrada e saída para um

conversor A/D de três bits.

Para entradas inteiras tais como: 1, 3 ou 5V, as saídas digitais são
precisas, correspondendo com exatidão as entradas.
Consideramos agora entradas não inteiras, tais como: 1.5, 3.2 ou
6.8V. Neste caso, as saídas não correspondem precisamente às entradas,
pois a saída só pode assumir valores discretos e bem definidos. Devido a
estes fatos temos que:
 para uma entrada de 1.5V, a saída será 001, o que corresponde, na

realidade, a uma entrada de 1.0V;
realidade, a uma entrada de 3.0V;
realidade, a uma entrada de 7.0V.
Em todos estes casos, e nos semelhantes que possam acontecer, haverá

um erro na saída digital. Este é chamado de erro de quantização.
O erro de quantização é devido a aproximação da entrada pelos valores

discretos existentes.
Para uma entrada não inteira, entre 4.0 e 5.0 por exemplo, a saída será
aproximada para 100 ou 101.
O erro máximo será 101 – 100 = 001.
Veja que 001 em decimal é o próprio valor do LSB, ou seja 2 =1. No 0
entanto para entradas que diferem de uma quantidade menor do que 1 de u m

valor inteiro adjacente, o erro é menor que 1, ou seja, menor que o LSB.
Por convenção diz-se que um conversor A/D tem um erro de quantização

inerente de pelo menos 1/2 LSB.
MEMÓRIAS
A memória de um computador é o local onde o programa e os dados são
armazenados antes de começar os cálculos. Durante o processamento do
computador, a seção de controle pode armazenar respostas parciais na memória.
A memória é portanto uma das partes mais ativas do computador, armazenando
não somente o programa e os dados mas também os dados processados.

Em uma Memória, toda informação é armazenada na forma binária.
De acordo com este conceito, podemos considerar o flip-flop como uma

unidade básica de memória, uma vez que é capaz de armazenar um bit (0 ou 1) por
tempo indeterminado.
Embora possamos considerar que um dos campos que mais evoluiu nos
últimos anos, com o aparecimento de memórias muito complexas, estudaremos
apenas os dois modelos básicos de memórias.
Memória de apenas leitura ou ROM (Read Only Memory) e

Memória de escrita e leitura RAM (Random Access Memory)
3.19 Conceitos de Palavra e Endereço

Como visto, toda memória armazena bits. Um grupo de bits constitui uma
Palavra e esta é a menor quantidade de informação que entra e sai da memória, e
então tanto para entrar quanto para sair da memória a palavra necessita de um
Endereço.
Um endereço indica qual é a localização de uma palavra na memória. Para
isto, é necessário que cada palavra tenha um único endereço.
Com isso indicamos abaixo a configuração básica de uma memória:
PALAVRA PALAVRA
MEMÓRIA
(ESCRITA) (LEITURA)
ENDEREÇO
A entrada ou saída de uma palavra na memória, caracteriza-se por uma

operação de escrita ou de leitura.
Escrever em uma memória significa armazenar dados na mesma, e Ler uma

memória corresponde a obter os dados escritos ou armazenados.
3.19.1 Memória Apenas de Leitura - ROM

Uma memória do tipo ROM, permite apenas a leitura de uma palavra
previamente armazenada, ou seja aplicando-se sinais de controle,
podemos ler a palavra em qualquer endereço de memória o que significa
fazer os conteúdos dos endereços de memória aparecerem nos terminais de
saída da ROM.
As palavras ou o conteúdo de uma memória ROM são armazenados
durante o processo de fabricação ou, então, gravadas pelo próprio
usuário somente uma vez.
Esta característica permite a uma memória ROM uma grande
vantagem: o seu conteúdo nunca é destruído, mesmo durante a ausência de
alimentação. Por este motivo uma ROM é considerada uma memória não
volátil.
Uma memória é dita volátil se durante a ausência de alimentação seu

conteúdo é destruído.
a. ROM com Portas Lógicas

Observe o circuito abaixo:
E0 S0
S1
E1 S2
Trata-se de um CODIFICADOR de 3 entradas (E – E ) e 5 saídas (S – S ).

0 2 0 4
Conforme estudado anteriormente, somente uma das entradas poderá

ser levada ao nível lógico 1 de cada vez, e, para cada entrada
ativada, teremos um código correspondente na saída (combinação S – 0
S ).
4
Desta forma, poderíamos utilizar este codificador como uma

memória ROM, em que cada combinação na entrada corresponderia a um
ENDEREÇO e cada combinação de saída uma PALAVRA.
Explicando melhor, consideremos a seguinte tabela:
E0 E1 E2 S0 S1 S2 S3 S4
1 0 0 1 0 1 1 1
0 1 0 0 1 1 1 0
0 0 1 1 1 0 1 1
O circuito correspondente a esta tabela será:

S0
E0 S1
E1 S2
S3
E2
S4
Por exemplo para o endereço 100 a palavra será 10111.

Entretanto a implementação de uma ROM utilizando apenas
codificadores, torna-se limitada, uma vez que cada conteúdo requer
um único endereço.
Podemos melhorar fazendo uma modificação, na qual colocamos um
decodificador antes do codificador.
O diagrama de blocos abaixo mostra esta modificação.
ROM
E0 S0
A0
E1
DECODIFICADOR CODIFICADOR
E2
Considerando um codificador de 4 entradas, necessitamos de um

decodificador de 4 saídas e consequentemente 2 entradas, então
teremos a seguinte tabela:
A0 A1 E0 E1 E2 E3
0 0 1 0 0 0
0 1 0 1 0 0
1 0 0 0 1 0
1 1 0 0 0 1

O circuito a seguir representa a implementação desta tabela.
A0 A1
E0
E1
E2
E3
Observe que a cada combinação das entradas A e A corresponde a

0 1
uma entrada do codificador e, consequentemente, a uma saída

preestabelecida do circuito (S ....S )
0 n
A este novo circuito, podemos chamar as entradas A e A de entrada

0 1
de endereçamento, enquanto que as saídas S0-Sn corresponderiam às

palavras.
Observe que a palavra não se perde quando não há alimentação.
A vantagem deste novo modelo é o aumento da capacidade de
armazenamento com um número reduzido de linhas de endereçamento,
pois:
Se tivermos “N” linhas de endereçamento (A – A ), teremos 2
0 N-1
N
entradas do codificador e, consequentemente, 2 palavras (conteúdos

N
diferentes).
Se chamarmos de M o número de palavras, podemos generalizar o
modelo anterior da seguinte forma.

ROM
A0 E0 S0
A1 E1 S1
A2 E2 S2
DECODIFICADOR CODIFICADOR
AN-1 EM-1
Onde M = 2N

Exercício
Use o espaço abaixo para projetar uma memória ROM cujos endereços e
conteúdo (palavras) são mostrados na tabela abaixo.
ENDEREÇO PALAVRAS
A0 A1 A2 S0 S1 S2 S3
0 0 0 1 0 1 0
0 0 1 1 1 0 0
0 1 0 0 1 0 0
0 1 1 0 0 0 1
1 0 0 0 1 1 0
1 0 1 0 0 1 1
1 1 0 1 1 1 1
1 1 1 0 1 1 1

b. ROM com Diodos
A figura a seguir representa uma ROM com diodos
MSB E0 E0 E2 LSB E0
S0
S1
L
S2
I
N
S3
H
S4
COLUNAS
Vamos supor que as entradas E0 – E3 estejam em 0100 (ou seja, VCC em

E1). Nestas condições, teremos condução dos diodos correspondentes à
coluna E1.
O resultado em S0 – S4 será 10111. Então, associando-se coluna a
Endereço e linha a Palavra, podemos dizer que:
A palavra cujo endereço é 0100 é 10111

Exercício
Como exercício determine as palavras dos endereços restantes. Observe
que apenas uma entrada poderá ser ativada por vez.
Na realidade uma matriz de diodos é um codificador.
Uma ROM implementada com diodos apresenta, entretanto, algumas
desvantagens por exemplo o consumo de corrente, se comparada a outra
E0 E1 E2 E3
VCC VCC VCC VCC
S0
implementada com transistores bipolares ou unipolares. Abaixo mostramos uma

ROM implementada com transistores bipolares.
Neste caso a corrente drenada da fonte, quando E1 estiver ativado, será
menor do que aquela exigida pelos diodos.
Se usarmos MOSFETs o resultado será ainda melhor, pois o mesmo apresenta
uma escala de integração muito maior.
Porém qualquer tecnologia utilizada na matriz, a presença do
decodificador para otimizar as linhas de endereçamento será necessária. A
estrutura de uma ROM por matriz está mostrada a seguir.
ROM
ENDEREÇO PALAVRA
DECODIFICADOR MATRIZ DA MEMÓRIA BUFFER DE SAÍDA
3.19.2 Organização de Memória

O tamanho de uma palavra varia de acordo com a disposição com que a
memória é construída. Na matriz de diodos vimos que cada endereço
corresponde a uma palavra de saída com 5 bits.

Esta disposição ou arranjo de uma memória é referenciada como
Organização.
Uma memória é organizada em: Número de palavras X Tamanho da palavra
O número de palavras é a capacidade total, em palavras, que a memória pode

armazenar.
Na matriz de diodos exemplificada, a ROM tem uma capacidade total de 4
palavras com 5 bits cada uma, então sua organização é de:
Tamanho da palavra
Capacidade de
armazenamento
4x5
(bits)
Desta maneira, uma memória referenciada apenas como tendo 1024 bits,
pode ter diversas organizações:
1024 x 1 tamanho da palavra (1 bit)

256 x 4 tamanho da palavra (4 bits)
128 x 8 tamanho da palavra (8 bits)
a. Tipos de ROM
Vimos anteriormente que uma ROM poderia ser gravada pelo próprio
usuário, observe a seguinte figura:

Ao invés de usarmos simples diodos, utilizamos fusíveis em série
com os diodos. Assim, caso quisermos que um determinado ponto não
haja diodo, basta circularmos por ele uma corrente suficientemente
grande para queimar o fusível correspondente.
Desta maneira podemos “gravar” as palavras que queiramos
armazenar. Entretanto, uma vez gravadas, não poderão mais ser
alteradas. Este tipo de ROM é chamada de PROM-FUSE.
Este tipo de memória exige alguma habilidade do programador,
pois um eventual erro irá inutilizar o chip.
Este problema resolvido usando-se uma EPROM (Eresable
é
Programmable Read Only Memory) ou seja uma ROM reprogramável, cujo
conteúdo pode ser apagado e novamente ser submetido a um processo de
gravação.
A tecnologia usada neste tipo de memória só pode ser do tipo
unipolar. Uma EPROM pode ainda ser de dois tipos de acordo com o
processo de apagamento do conteúdo já gravado.
UVPROM (Ultraviolet Eresable Programmable Read Only Memory) –
memória ROM reprogramável por luz ultravioleta. Neste tipo, com o
auxílio de luz ultravioleta incidindo através de uma janela
existente na própria pastilha, é possível apagarmos o seu conteúdo.
EAPROM (Electrically Alterable Programmable Read Only Memory) –
memória ROM reprogramável eletricamente. Neste tipo, utilizam-se
pulsos elétricos para apagamento do conteúdo.
Uma memória do tipo EPROM permite a execução, com determinada
frequência, de alterações do conteúdo gravado. Esta característica a
torna bastante versátil. Entretanto, pela sua complexidade, é uma
memória com um custo elevado.
A figura abaixo mostra os diversos tipos de ROM vistos.

3.19.3 Memórias Apenas de Leitura
ROM
ROM
Previamente PROM
PROM FUSE
fusível EPROM
UVPROM EAPROM
Quando o usuário solicita ao fabricante uma ROM com conteúdo

específico, isto é, gravados pelo próprio fabricante, mas com um
programa particular do usuário, a memória é denominada ROM máscara
3.19.4 Ampliação da Capacidade de Memória

Para certas aplicações necessitamos de memórias de maior
capacidade do que as encontradas no mercado. Neste tópico, veremos como
podemos ampliar a capacidade de uma ROM.
Por exemplo vamos formar uma memória ROM 16 x 1 a partir de dois
blocos de estruturas ROM 8 x 1.
Para esta conexão não bastam somente essas duas memórias,
precisamos também de um bloco multiplex que, devidamente endereçado, irá
indicar qual das memórias deve ser conectada à saída. A figura a seguir
mostra o tipo de ligação para essa ampliação.

ROM
S1
8X1 E0
S
ROM MUX
S2
8X1
ROM
16X1
ABC
D
Ao aplicarmos um dos 16 possíveis endereços (ABCD), a parte menos
significativa da palavra de endereço (BCD), fará com que nas saídas S1 e S2
apareçam os bits fixados nestas memórias, na localidade referente ao
endereço. O bit mais significativo da palavra (A), fará com que o multiplex
selecione qual dessas saídas deve ser conectada à saída S. Assim sendo,
podemos considerar esse circuito como uma ROM 16 x 1 com as seguintes
localidades.
ENDEREÇO LOCALIDADE ENDEREÇO LOCALIDADE

0000 0 1000 8
. . . .
. . . .
. . . .
3.20 Outros Tipos de Memória
3.20.1 Memórias PEROM (Programmable Eresable Ready Only Memory)
0111 7 1111 15
Uma linha de memórias programáveis e apagáveis apenas para
leitura, de 3V e5V, apenas dentro do sistema. Fabricadas com avançada
tecnologia CMOS, não voláteis, suas características incluem:
 operação de leitura e programação em apenas 3V e 5V.

 proteção de dados de software e hardware.

 operação de programação por setor.
 1000 ciclos de programa.
 retenção de dados por 10 anos.
 baixa dissipação de potência.
 tempo de ciclo de programa rápido.
 detecção de fim de programa.
3.20.2 Memórias FLASH

É um dispositivo de armazenamento confiável, não volátil, de boa
relação custo/benefício e que possui características de leitura da EPROM,
EEPROM e SRAM, porém quando aplica-se 12V sobre o dispositivo, este pode
ser gravado com base em bytes. No caso da memória FLASH-5V, o projeto foi
feito para que sejam programadas dentro do sistema com o fornecimento
padrão de 5V. Em programadores de EPROM convencionais não há a
necessidade de 12V nem para a programação e nem para a apagamento. É
composta de uma arquitetura de apagamento de setor (qualquer combinação
pode ser apagada simultaneamente) e 100.000 ciclos de
apagamento/programação.
3.20.3 Memórias FLASHFILE

A memória FLASHFILE simetricamente bloqueada da Intel, oferece
uma solução não volátil com leitura e programação de mais alta densidade
para armazenamento em massa. O armazenamento de aplicações de software e
a operação com código de sistema em RFAs (Residential Flash Arrays)
proporcionam execução instantânea, rápida e no local (in place). RFAs são
protegidos também contra o envelhecimento do software, já que esse pode
ser atualizado no sistema. O software RFA prolonga a vida da bateria e
aumenta a confiabilidade do sistema através da redução do número de
acessos ao disk drive. Permite 100.000 ciclos de apagamento/programação
3.20.4 Memórias FIELD

São para utilização em filmes digitais e sistemas multimídia. Eles
fornecem dados através de acesso serial de alta velocidade. Sua
capacidade de memória preenche o arquivo de uma tela de TV NTSC. Cada um
dos bits possui porta de leitura e gravação assíncronas, de controle
independente a diferentes velocidades de clock, proporcionando uma
operação FIFO, renovando as células de armazenamento RAM
automaticamente.
3.20.5 Memórias FIFO

Os dispositivos FIFO proporcionam armazenamento temporário de
dados em sequência de tal forma que a primeira palavra na porta de
entrada será a primeira na porta de saída. As portas operam de forma
independente e os dados podem ser lidos e gravados em velocidades
diferentes.
Os dispositivos FIFO possuem posições de memória que inibem a
entrada de dados adicionais caso estejam ocupadas, podendo apenas enviar
dados armazenados para fora.
O tempo utilizado para completar uma operação, chama-se tempo de
acesso, este valor pode determinar a velocidade do sistema no qual o
dispositivo está operando.
3.20.6 Memórias Seriais

Estes dispositivos são de tamanho reduzido podendo ser ligado a um
barramento serial PC (Inter-Integrated Circuit Bus) ou SPI (Serial
Peripheral Interface) junto com outros dispositivos seriais, com muita
vantagem sobre as memórias paralelas.
3.20.7 Memórias de Escrita e Leitura - RAM

As memórias tipo RAM (Random Access Memory), além da operação de
leitura, também permitem a operação de escrita, é equivalente a um grupo
de registradores endereçáveis. Depois de fornecer um endereço, podemos
ou ler os conteúdos armazenados do local da memória ou gravar novos
conteúdos no local da memória.
As RAMs podem ser estáticas ou dinâmicas. A RAM estática usa
biestáveis MOS ou bipolares. Já as RAMs dinâmicas usam MOSFETs e
capacitores que armazenam dados. Devido às fugas na carga do capacitor,
os dados armazenados deverão ser reavivados (recarregados) a cada poucos
milissegundos. Em ambos os casos, as RAMs serão voláteis, pois se
desligarmos a alimentação perderemos os dados.

3.20.8 Memórias Estáticas
As memórias RAM têm estruturas semelhantes às memórias do tipo
ROM. Enquanto nas memórias ROM a matriz de células de memória é
constituída por diodos ou transistores, as memórias RAM do tipo estática
têm sua matriz constituída por flip-flops.
A informação (dado) é retida por um estado do flip-flop. Este estado
permanece armazenado até que se deseje mudar a informação, bastando para
isso mudarmos o estado do flip-flop.
A figura abaixo mostra uma célula básica de armazenamento com
lógica de controle, escrita e leitura:
SELEÇÃO DE
LINHA Xi ESCRITA
LEITURA
CONTROLE
DE
100 KHz SELEÇÃO DE

COLUNA Yi
Conforme podemos verificar, o endereçamento da posição de matriz

Xi Yi, libera a célula desejada para escrita ou leitura. Se a entrada de
controle tiver nível lógico 0, a operação de escrita é selecionada e a
frequência de 100 KHz fornece o clock para o flip-flop armazenar o dado (a
ser escrito) presente na entrada D.
Com a entrada de controle em nível lógico 1, a operação de escrita é
desabilitada e a leitura do dado armazenado no flip-flop será possível.
3.20.9 Memórias RAM Dinâmicas

Estas memórias são somente implementadas com tecnologia MOS
(Metal Oxide Semiconductor) pois aproveitam uma característica dos
transistores MOS de capacitância parasita situada internamente nos
transistores para reter a informação.
Abaixo mostramos uma célula básica deste tipo de RAM.
SELEÇÃO DE LEITURA
SAÍDA DE DADO
ENTRADA DE DADO T3 (LEITURA)
(ESCRITA) T2
T1
CP
SELEÇÃO DE ESCRITA
A capacitância parasita, simbolicamente representada na figura

anterior, é formada entre porta e dreno de um transistor PMOS. A
habilitação tanto de escrita quanto de leitura, é obtida pela aplicação de
um pulso negativo nas linhas correspondentes.
Supondo que se queira escrever um nível lógico 1, a tensão aplicada
deverá ser –V. Com a habilitação da escrita o capacitor carrega-se também
negativamente.
Nestas condições, T2 estará conduzindo. A leitura do dado é obtida
com a habilitação da linha de leitura. Desta forma, T3 passa a conduzir e,
com T2 conduzindo (pela atuação do C ), teremos a leitura de 0 (terra) no
P
terminal de saída de dado.

Veja que a escrita de 1, nos fornece a leitura do seu complemento.
A escrita de um nível lógico 0 se fará de forma análoga, com a
restrição de que o capacitor CP não se carregará. Isto provocará o corte, e
a manutenção do corte de T2. Caso quiséssemos ler o dado armazenado,
veríamos que o terminal de saída de dado estaria flutuando, ou seja, não
haveria presença de sinal. A não presença de sinal será interpretado como
nível lógico 1.
Mais uma vez podemos observar que o circuito atua como inversor.
Isto significa que o dado lido deverá ser complementado para o
correspondente valor real.
Um outro ponto importante no funcionamento da célula básica,
prende-se ao fato de como o dado é armazenado. Considerando-se que a
retenção é efetuada pelo capacitor, devemos levar em conta sua descarga
automática devido às correntes de fuga. O tempo de descarga é de
aproximadamente 2ms. Nestas condições, para não perdermos o conteúdo

armazenado, deveremos restaurá-lo sempre ao final de cada 2ms. O ato de
restaurar o dado armazenado em uma RAM dinâmica é designado REFRESH.
3.21 Características de Memória

Alguns parâmetros são importantes quando da utilização prática das
memórias. Tais parâmetros são:
Tempo de acesso – é o tempo decorrido entre a aplicação do endereçamento de
uma entrada específica, durante a operação de leitura, e a obtenção dos dados
na saída. É um parâmetro importante, pois caracteriza a velocidade de leitura
dos dados de uma memória.
Tempo de ciclo – é referenciado a dois tempos:

Tempo de ciclo de leitura – é o intervalo de tempo decorrido entre o início e
o fim do ciclo de leitura. Observe a semelhança entre os conceitos de tempo
de acesso e tempo de ciclo. Em uma memória RAM dinâmica, o ciclo é maior que
o tempo de acesso por incluir o tempo despendido para o refresh.
Tempo de ciclo de escrita – é o intervalo de tempo entre o início e o fim do
ciclo de escrita.
Dissipação máxima – parâmetro que determina o consumo de uma pastilha de

memória (máxima). Temos ainda a dissipação em standby (fora de operação) e a
dissipação típica.
Grau de integração – o grau de integração de uma pastilha de memória

determina a sua capacidade de armazenamento (por exemplo: 4Kbits, 1kbit, etc).
Velocidade de obsolescência – em função da organização, uma pastilha pode

tornar-se obsoleta rapidamente e, consequentemente, ter sua produção
interrompida. Portanto na elaboração de projetos, devemos ter cuidado na
escolha de pastilhas de memória para que, numa eventual substituição, não
encontremos dificuldades.
Necessidade de lógica adicional – no projeto de um sistema digital que utiliza

pastilhas de memória, pode exigir lógica adicional. Este fato, naturalmente,
influencia o custo do sistema. Como por exemplo temos as memórias dinâmicas
que necessitam de refresh.

Compatibilidade com o sistema – na escolha de um determinado tipo de memória
a ser interfaceada com o resto do sistema, devemos levar em consideração a sua
tecnologia de fabricação, principalmente no que diz respeito ao nível de
tensão e corrente exigidos em suas entradas e saídas.
Custo – quando da elaboração de um projeto a escolha da pastilha deve conduzir

a um menor custo. Na escolha da memória a ser utilizada em um determinado
projeto, deve-se levar em consideração as características apresentadas e o
tipo de memória propriamente dito (volátil ou não volátil).
As memórias não voláteis (ROMs) devem ser utilizadas quando o programa

(algoritmo para resolução de determinada função) a ser armazenada for
constantemente empregado.

Referências Bibliográficas
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Idioma

Projeto Curso Instrumentação Eletrônica - Nivelamento - Eletricidade, Eletronicas Analógica e Digital - Completa

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CURSO INSTRUMENTAÇÃO ELETRÔNICA

Professor: João Renato Aguiar Soares

Curso Instrumentação Eletrônica

1.17 Corrente Alternada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

Curso Instrumentação Eletrônica

2.15.10 Curvas da malha de saída – curvas do Coletor . . . . . 57

Curso Instrumentação Eletrônica

CONVERSÃO HEXADECIMAL/BINÁRIO E BINÁRIO/HEXADECIMAL

Curso Instrumentação Eletrônica

3.20.6 Memórias SERIAIS . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

Curso Instrumentação Eletrônica

Revisão: Nivelamento de Conceitos Básicos de Eletricidade, Eletrônica

1.2 Um pouco de História

1.3 Estrutura Atômica

Figura N.1.1 – Diagrama do modelo atômico de Rutherford.

3ª. órbita → Níveis de Energia do Elétron

Figura N1.2 – Raios orbitais e níveis de energia do elétron no átomo.

Quando o átomo recebe energia externa como calor, luz ou diferença de

1.4.1 Condutores & Isolantes

Curso Instrumentação Eletrônica

Energia (Isolante) Energia (Condutor) Energia (Semicond

Banda Proibida Banda Proibida

Banda de Valência Banda de Valênci

Figura N1.3 – Níveis de energia: bandas de valência e de

1.5 Eletrização dos Corpos

Curso Instrumentação Eletrônica

Figura N1.4 – Eletrização por atrito [19].

b. Eletrização por contato:

Figura N1.5 – Eletrização por contato [19].

c. Eletrização por indução:

Figura N1.6 – Eletrização por indução.

Curso Instrumentação Eletrônica

1.6.1 Comportamento das linhas de campo

Figura N1.6 – Cargas elétricas com polaridades opostas [19].

b. Cargas com polaridades opostas positivas:

Figura N1.7 – Cargas elétricas com polaridades opostas positivas [19].

Figura N1.8 – Cargas elétricas com polaridades opostas negativas [20].

1.7 Força Elétrica

F  intensidade da força de atração ou repulsão [N]

1.7.1 Lei de Coulomb

Curso Instrumentação Eletrônica

F  intensidade da força de atração ou repulsão [N]

Figura N1.9 – Potencial elétrico.

Figura N1.10 – Elétron se desloca para o maior potencial.

Assim sendo, o movimento do elétron ocorre do potencial menor para o

Curso Instrumentação Eletrônica

1.9 Tensão Elétrica

A unidade de medida de tensão elétrica pode vir acompanhada de prefixos

A forma de onda da tensão elétrica depende do tipo de fonte de tensão

1.9.1 Tensão Contínua - DC

Figura N1.11 – Representação de tensão contínua.

A Figura N1.12 representa a simbologia de uma fonte de tensão

Curso Instrumentação Eletrônica

Figura N1.12 – Símbolo-padrão de uma fonte de tensão DC.

1.10 Corrente Elétrica

Aplicando uma diferença de potencial V sobre uma resistência R , fecha-

A unidade de medida de corrente elétrica pode vir acompanhada de

A carga elétrica de um elétron é, em módulo: e  1,6  10-19 [C]

1.10.1 Corrente Contínua – DC

Curso Instrumentação Eletrônica

1.11 Fontes de Alimentação

RESISTÊNCIA ELÉTRICA & LEI DE OHM