Ortiz Eletrônica de Potência 2000 PDF

Apresentação ii
Apresentação
Este texto foi elaborado como referência para a disciplina Eletrônica de

Potência ministrada no curso de graduação em Engenharia Elétrica da
Universidade Federal do Rio Grande do Norte. Foi empregada uma análise
simples e concisa dos fundamentos da Eletrônica de Potência, observando
também suas evoluções e novas tendências.
Inicialmente, é feita uma introdução ao conteúdo, trazendo conceitos,

definições, termos, dispositivos, esquemas, formulações e gráficos, que serão
empregados no decorrer do assunto, sendo, também, considerados uma breve
evolução histórica e aplicações práticas da Eletrônica de Potência, a fim de
situá-la no seu contexto atual. Além disso, é realizado um estudo sucinto da
Física envolvida nos dispositivos semicondutores de potência.
Em seguida, são abordados os dispositivos semicondutores de potência

mais comumente utilizados, observando suas camadas semicondutoras
(dopagem), modelos equivalentes, curvas características, propriedades de
disparo e chaveamento, tipos, ligações e aplicações.
Posteriormente, são analisados os circuitos conversores empregados, em

Eletrônica de Potência, para controlar ou condicionar a energia elétrica, através
da conversão de potência elétrica. Dentre estes circuitos, são analisados os
retificadores controlados e não-controlados, os choppers e os inversores, cada
qual tratado em um capítulo, de forma a permitir uma análise mais simples e
detalhada destes conversores.
Por fim, tem-se os Apêndices, que visam permitir um maior

aprofundamento do conteúdo, através de tópicos mais específicos e detalhados,
os quais foram omitidos, durante o desenvolvimento dos capítulos, com o
propósito de tornar o estudo mais claro e objetivo.
As referências bibliográficas, tratadas ao final, oferecem condições de um

maior desenvolvimento em assuntos de caráter específico, a cerca daqueles
apresentados. Ainda, vale a pena salientar que este trabalho é uma coletânea de
assuntos fundamentais relacionados à Eletrônica de Potência, sendo alguns
desenvolvidos, acrescentados e aperfeiçoados, para fornecer melhor ênfase e
didática ao conteúdo, e outros transcritos da bibliografia citada, para não
perder em qualidade e não descaracterizar a escrita do autor.
Além disso, este material deve sofrer freqüentes atualizações e possíveis

correções, em virtude da constante evolução tecnológica observada no campo
da Eletrônica de Potência e de eventuais erros cometidos no próprio texto, pelos
quais, desde já, pedimos a colaboração de todos os leitores, informando sobre as
falhas detectadas.
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar / Leonardo Wayland Torres Silva

Índice iii
Índice
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência .....................................1

1.1. Introdução..............................................................................................................1
1.2. Evolução Histórica................................................................................................2
1.3. Física dos Semicondutores ..................................................................................3
1.4. Dispositivos Semicondutores de Potência ........................................................5
1.5. Efeitos da Conversão de Potência .................................................................... 12
1.6. Tipos de Circuitos ............................................................................................... 13
1.7. Aplicações ............................................................................................................ 16
1.8. Projetos de Equipamentos ................................................................................. 17
Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência ...................... 18

2.1. Introdução............................................................................................................ 18
2.2. Diodos de Potência ............................................................................................. 18
2.2.1. Generalidades ....................................................................................................... 18
2.2.2. Aspectos Contrutivos ............................................................................................ 19
2.2.3. Características de Operação ................................................................................... 19
2.2.4. Tipos .................................................................................................................... 25
2.2.5. Ligações ............................................................................................................... 26
2.3. Tiristores............................................................................................................... 28
2.4. Transistores..........................................................................................................34
2.4.1. Transistor de Junção Bipolar .................................................................................. 35
2.4.2. Mosfet de Potência ................................................................................................ 39
Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados ............................................ 43

3.1. Introdução............................................................................................................ 43
3.2. Circuitos Básicos ................................................................................................. 43
3.3. Análises de Retificadores................................................................................... 45
3.3.1. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga Resistiva ..................................... 45
3.3.2. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RL .............................................. 48
3.3.3. Retificador Monofásico com Carga RL e Força Eletromotriz ..................................... 53
3.3.4. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RC.............................................. 56
3.3.5. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga LC .............................................. 57
3.3.6. Circuito Inversor de Carga do Capacitor ................................................................. 57
3.3.7. Retificador Monofásico de Onda Completa Tipo Ponte ............................................ 58
Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Índice iv
3.3.8. Retificador Multifásico .......................................................................................... 59

3.3.7. Retificador Trifásico Tipo Ponte ............................................................................. 59
Capítulo 4 – Retificadores Controlados ....................................................... 61

4.1. Introdução............................................................................................................ 61
4.2. Princípio de Operação........................................................................................ 61
4.3. Retificadores Controlados Monofásicos .......................................................... 63
4.3.1. Retificador Semicontrolado .................................................................................... 63
4.3.2. Retificador Totalmente Controlado......................................................................... 64
4.3.3. Retificador Duplamente Controlado ....................................................................... 65
4.3.4. Retificadores Controlados Monofásicos em Série ..................................................... 66
4.4. Retificadores Controlados Monofásicos .......................................................... 69
4.4.1. Retificador Semicontrolado .................................................................................... 69
4.4.2. Retificador Totalmente Controlado......................................................................... 70
4.4.3. Retificador Duplamente Controlado ....................................................................... 71
4.5. Considerações Sobre Projetos de Retificadores............................................. 71
Capítulo 5 – Choppers.......................................................................................... 73
5.1. Introdução............................................................................................................ 73
5.3. Conversor Buck (Redutor de Tensão ou Step-Down) ................................... 74
5.4. Conversor Boost (Elevador de Tensão ou Step-Up) ...................................... 76
5.5. Conversor Buck-Boost (Fly-back)..................................................................... 78
5.6. Conversor Cuk .................................................................................................... 80
5.7. Conversor Tipo Ponte ........................................................................................ 81
Capítulo 6 – Inversores ........................................................................................ 84

6.1. Introdução............................................................................................................ 84
6.3. Inversor Monofásico em Ponte ......................................................................... 87
6.4. Inversor Trifásico ................................................................................................ 88
6.5. Inversor Trifásico em Ponte .............................................................................. 89
6.6. Inversor de Fonte de Corrente (IFC) ................................................................ 91
6.7. Controle de Tensão de Inversores Monofásicos............................................. 93
CAPITULO 7 – APLICAÇÃO A FONTE DE ALIMENTAÇÃO...98

7.1. Introdução........................................................................................................... 98
7.2. Fontes Chaveadas vs Fontes Lineares............................................................. 99

Índice v
7.3. Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO..................................... 99

7.4. CONVERSOR FLYBACK..................................................................................99
7.5. CONVERSOR FORWARD (derivado do step-down) ................................ 100
7.6. CONVERSORES CC-CC BIDIRECCIONAIS .............................................. 103
7.7. CONTROLE DE UMA FONTE CHAVEADA CC. .........................................105
7.8 FONTES DE ALIMENTAÇÃO C.A..................................................................107

Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência 1
Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência
1.1. Introdução
A Eletrônica de Potência pode ser definida como a área da Técnica onde os
dispositivos semicondutores são usados em: conversão, controle, chaveamento
e processamento da energia elétrica. Desta maneira, a tarefa da Eletrônica de
Potência é oferecer o tratamento adequado ao fluxo de potência elétrica, através
da modelagem das fontes de energia elétrica e dos circuitos conversores,
usando dispositivos semicondutores de potência.
Basicamente, existem três áreas que interagem nas aplicações da Eletrônica

de Potência, a saber: Equipamentos de potência, estáticos ou rotativos;
Eletrônica, com dispositivos e/ou circuitos; Controle, analógico ou digital
(Figura 1-1). Assim, o projeto de circuitos de Eletrônica de Potência requer o
desenvolvimento dos circuitos de potência e de controle, sendo este último de
vital importância, visto que, além de definir e monitorar a conversão, também
reduz as tensões e correntes harmônicas geradas pelos conversores de energia.
Figura 1-1 – Áreas que interagem em aplicações da Eletrônica de Potência.
O potencial de aplicações da Eletrônica de Potência torna-se cada vez mais

amplo, à medida que são desenvolvidas novas tecnologias, para dispositivos
semicondutores de potência e circuitos integrados. Dispositivos de potência,
para chaveamento rápido, são desenvolvidos com limites de tensão e corrente
cada vez maiores. Tais dispositivos, juntamente com a aplicação de
microprocessadores modernos, na sintetização da estratégia de controle, estão
permitindo alcançar maiores especificações de conversão. Além disso, outro
fator importante, para essa crescente evolução, é a disponibilidade comercial de
um grande número destes dispositivos semicondutores de potência.

1.2. Evolução Histórica

Ocorreram grandes avanços nos dispositivos semicondutores de potência,
desde o primeiro tiristor. Até 1970, os tiristores convencionais eram usados
apenas no controle de potência de aplicações industriais. A partir daí, vários
tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos e
disponibilizados comercialmente. Toda esta evolução histórica da Eletrônica de
Potência (mostrada cronologicamente na Figura 1-2) teve início em 1900, com o
retificador a arco de mercúrio e continuou, gradativamente, com a introdução
de vários outros dispositivos, tais como: o retificador de tanque metálico, o
retificador em tubo a vácuo de grade controlada, o ignitron e o tiratron.
Figura 1-2 – Evolução histórica da Eletrônica de Potência.
Com invenção do transistor de silício, em 1948, por Bardeen, Brattain e

Schockley da Bell Telephone Laboratories, aconteceu a primeira revolução da
Eletrônica. Fato este que deu origem à maioria das tecnologias da Eletrônica
avançada de hoje. A evolução da Microeletrônica moderna se deu a partir da
destes semicondutores de silício. Em 1956, foi realizada, também pela Bell
Telephone Laboratories, a próxima grande descoberta, a invenção do transistor
disparável PNPN, denominado de tiristor ou retificador controlado de silício
(do inglês silicon-controlled rectifier – SCR).
O desenvolvimento do tiristor comercial, em 1958, pela General Electric

Company, deu início a segunda revolução da Eletrônica, o que originou
diferentes tipos de dispositivos semicondutores de potência e técnicas de
conversão, possibilitando a capacidade de determinar e controlar a forma de
enormes quantidades de potência, de maneira eficaz, revolucionando a
Eletrônica de Potência. Esta evolução permitiu, também, a revolução da
Microinformática, através do desenvolvimento do processamento de
informações, em grandes quantidades e velocidades.

Neste contexto, houve uma união entre os ramos da Eletrônica de Potência

e da Microeletrônica, fato que ampliou, de forma significativa, os seus
potenciais de aplicações. Esta tendência deve continuar, de maneira que, nos
próximos anos, a energia elétrica, em algum ponto de sua transmissão, estará
sujeita à Eletrônica de Potência.
1.3. Física dos Semicondutores

O fluxo de corrente elétrica, em um meio, depende da aplicação de um
campo elétrico e da existência de portadores livres (usualmente, elétrons), neste
meio. Nos metais, a densidade de portadores livres é alta (da ordem de
1023/cm3), enquanto, nos materiais isolantes, o valor é baixo (em torno de
103/cm3). Já, nos semicondutores, há densidades intermediárias (na faixa de 108
a 1019/cm3). Tais densidades, nos condutores e isolantes, são propriedades dos
materiais, enquanto, nos semicondutores, podem ser variadas pela adição de
outros materiais (impurezas), ou, pela aplicação de campos elétricos.
Isto ocorre pelo fato dos átomos (Carbono, Silício, Germânio etc.), ou
moléculas de mesma propriedade, dos materiais semicondutores possuírem
quatro elétrons na última camada, permitindo o estabelecimento de ligações
muito estáveis, através do compartilhamento dos elétrons externos, por átomos
vizinhos (ligação covalente), criando um arranjo com oito elétrons na camada
de valência (Figura 1-3).
Figura 1-3 – Estrutura cristalina de um material semicondutor.
A ionização térmica destes materiais, isto é, a quebra de ligações, criando

elétrons livres, ocorre em temperaturas acima do zero absoluto (–273 °C). O
átomo que perde elétrons se torna positivo. Enquanto isso, eventualmente,
elétrons também escapam de outras ligações e, atraídos pela carga positiva do
átomo, preenchem a ligação covalente. Desta forma, há uma movimentação
relativa da carga positiva, denominada de lacuna, devido ao deslocamento dos
elétrons de suas ligações covalentes, para ocupar outras. Assim, a ionização
térmica gera o mesmo número de elétrons e lacunas (Figura 1-4).

Figura 1-4 – Movimentação de elétrons e lacunas no semicondutor.
Assim sendo, quando se faz a dopagem, ou seja, adição de átomos de

materiais, que possuam três (Alumínio ou Boro) ou cinco (Fósforo) elétrons na
camada de valência, à estrutura dos semicondutores, os átomos vizinhos a estas
impurezas terão suas ligações covalentes com falta ou excesso de elétrons (Figura
1.5). Neste caso, não há mais equilíbrio, existindo excesso de elétrons livres, nos
materiais dopados com elementos de cinco elétrons, na camada de valência
(semicondutores tipo N), ou de lacunas, caso a dopagem seja com elementos de
três elétrons (semicondutores tipo P). Contudo, o material permanece
eletricamente neutro, já que a quantidade total de elétrons e prótons é a mesma.
Figura 1-5 – Dopagem de semicondutores.
A movimentação de lacunas, no material tipo P, ocorre quando uma

destas captura um elétron livre, de modo que as lacunas são denominadas de
portadores majoritários e os elétrons de portadores minoritários. Já, no material
tipo N, a movimentação do elétron excedente ioniza o átomo e este, então,
captura outro elétron livre, sendo os elétrons os portadores majoritários e as
lacunas, os minoritários.
A dopagem de impurezas (menor ou igual a 1019/cm3) é feita, tipicamente,

em níveis muito menores que a densidade de átomos do material semicondutor
(1023/cm3), de modo que as propriedades de ionização térmica não sejam
afetadas. Além disso, a concentração de impurezas é muitas ordens de
grandeza superior à densidade de portadores gerados por efeito térmico
(1010/cm3, para o Si, à temperatura ambiente), tornando as densidades de
lacunas e elétrons (embora diferentes entre si, neste caso) iguais,
respectivamente, às densidades de impurezas aceitadoras e doadoras de elétrons.

Quando um campo elétrico for aplicado a um material semicondutor, as

lacunas se movimentarão no sentido do campo decrescente, enquanto os
elétrons seguirão em sentido oposto. Esta corrente é função de um parâmetro
denominado mobilidade, que depende do material, do tipo de portador e, em
geral, diminui com o quadrado do aumento da temperatura. Outro fator
determinante da movimentação de portadores é a difusão, que ocorre quando há
regiões adjacentes com diferentes concentrações. O movimento aleatório dos
portadores tende a equalizar essa dispersão no meio, através da migração de
portadores das regiões mais concentradas, para as mais dispersas.
1.4. Dispositivos Semicondutores de Potência

Os dispositivos semicondutores de potência têm sofrido grandes
evoluções tecnológicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente.
Durante a análise de circuitos, é comum considerar estes dispositivos como
sendo ideais, isto é, atendendo as seguintes condições:
a. Têm uma queda de tensão nula, no estado de condução;

b. Suportam tensões infinitas, no estado desligado;
c. Admitem correntes diretas infinitas;
d. Apresentam correntes reversas nulas;
e. Possuem uma velocidade de chaveamento infinita;
A Figura 1-6 mostra a distribuição de valores de tensão de bloqueio, corrente de

condução e freqüência de comutação, para alguns dispositivos semicondutores.
Figura 1-6 – Valores de operação de dispositivos semicondutores de potência.
Em geral, tais dispositivos podem ser divididos em seis tipos: diodos de

potência; tiristores; transistores de junção bipolares (BJTs); MOSFETs de
potência; transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); e, transistores de
indução estática (SITs). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em tiristores
de comutação natural (pela rede) ou forçada. Os tipos mais comuns de tiristores
são: controlado de silício (SCR); indução estática (SITH); desligamento pelo

gatilho (GTO); controlado por MOS (MCT); condução em ambos os sentidos

(TRIAC); controlado de silício ativado por luz (LASCR); condução reversa
(RCT); e, desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT). O Quadro 1-1 mostra as
curvas características e os símbolos de alguns destes dispositivos, os quais são
tratados, de forma sucinta, a seguir, sendo feita uma análise mais profunda no
Capitulo 2 (Dispositivos Semicondutores de Potência), deste trabalho.
DISPOSITIVOS SÍMBOLOS CURVAS CARACTERÍSTICAS
Diodo
SCR
SITH
GTO
Tiristor MCT
TRIAC
LASCR
BJT
MOSFET
IGBT
SIT
Quadro 1-1 – Características e símbolos de alguns dispositivos semicondutores de potência.
Os diodos de potência, mostrados na Figura 1-7, tal qual os diodos de

circuitos eletrônicos de baixa potência, possuem dois terminais: um catodo e
um anodo. Eles conduzem quando a tensão de anodo for maior que a de
catodo, sendo a queda de tensão direta muito baixa (tipicamente de 0,5 a 1,2 V).
Se a tensão de anodo for menor que a tensão de catodo, o diodo não conduz,
ficando no denominado modo de bloqueio. Os diodos de potência são divididos
em três tipos:

a. Genéricos, fornecidos com faixas que podem ir até 5 kV, 5 kA e tempo de

recuperação reversa variando entre 0,1 e 5 µs;
b. Alta velocidade, com faixas chegando até 3 kV, 1 kA e tempo de
recuperação reversa de 0,1 a 5 µs, sendo essenciais no chaveamento, em alta
freqüência, dos conversores de potência;
c. Schottky, com valores nominais limitados a 40 V, 60A e tempo de
recuperação bastante pequeno, possuindo uma baixa queda de tensão, em
sentido direto, e uma corrente de fuga que aumenta com a faixa de tensão.
Figura 1-7 – Configurações de diodos de potência.
Os tiristores têm três terminais: anodo, catodo e gatilho. Estes dispositivos

conduzem quando o potencial do anodo é superior ao do catodo e uma
pequena corrente passa do terminal do gatilho para o do catodo, apresentando
uma a queda de tensão direta muito pequena (normalmente de 0,5 e 2 V). Uma
vez no modo de condução, o circuito do gatilho não tem mais controle sobre o
tiristor, o qual continua a conduzir. Para desligar o tiristor em condução, é
necessário tornar o potencial do anodo igual ou inferior ao do catodo, sendo o
tempo de desligamento definido como o intervalo entre o instante em que a
corrente principal (de anodo para catodo) é diminuída a zero e o instante em
que o tiristor é capaz de suportar uma tensão principal específica, sem ligar
novamente. Os tiristores se dividem em dois tipos:
a. Tiristores de comutação forçada: desligados por um circuito extra, chamado

circuito de comutação;
b. Tiristores de comutação natural (ou pela rede): desligados devido à
natureza senoidal da tensão de entrada.
Valores nominais fornecidos para os tiristores vão até 5 kV, 5 kA e o tempo de

desligamento de tiristores de bloqueio reverso de alta velocidade chega a ser de
10 a 20 µs. A Figura 1-8 apresenta várias configurações de tiristores.

Figura 1-8 – Configurações de tiristores.
Os SITHs e os GTOs são tiristores autodesligáveis, isto é, não necessitam

de circuitos de comutação, mas não dependem, exclusivamente, da rede, para
serem desligados. Estes componentes são comandados pela aplicação, ao
gatilho, de curtos pulsos, positivos, para ligá-los, e negativos, para desligá-los.
Os SITHs são fornecidos em até 4 kV, 2,2 kA, sendo usados em conversores de
alta potência, com freqüências de dezenas de kHz e bem maiores que a faixa de
freqüência dos GTOs, os quais possuem valores nominais de até 4,5 kV, 3 kA,
também sendo atrativos para a comutação forçada de conversores. Os MCTs
são ligados por um pequeno pulso de tensão negativa, em relação ao anodo, na
porta MOS, e desligados por outro pulso, só que positivo. Possuem um alto
ganho de desligamento e estão disponíveis em até 600 V, 60 A.
Os TRIACs são amplamente utilizados em aplicações de corrente

alternada de baixa potência, como o controle simples de aquecimento,
iluminação, máquinas elétricas e chaves. As características dos TRIACs são
semelhantes aquelas de dois tiristores conectados em antiparalelo, tendo apenas
um terminal de gatilho, de maneira que a corrente, que flui através do TRIAC,
pode ser controlada em ambos os sentidos.
Para sistemas de potência em alta tensão, é apropriado o uso de tiristores

ativados por luz (LASCRs), encontrados em até 6 kV, 1,5 kA, com velocidades
de chaveamento de 200 a 400 µs. Além dos tipos de tiristores citados no Quadro
1-1, também merecem destaque os RCTs e os GATTs, por serem amplamente
usados no chaveamento, em altas velocidades. Os RCTs são similares a um
tiristor e um diodo ligados em antiparalelo, sendo oferecidos em até 2,5 kV, 1
kA, com uma velocidade de chaveamento de 40 µs. Os GATTs estão disponíveis
em até 1,2 kV, 0,4 kA, com um tempo de chaveamento igual a 8 µs.

Normalmente usados em conversores, com freqüências menores que 10

kHz, os transistores bipolares (BJTs) de alta potência, assim como nos circuitos
eletrônicos de baixa potência, possuem três terminais: base, emissor e coletor; e
sua faixa chega até 630 V, 50 A. Em geral, é encontrado operando como uma
chave, na configuração emissor comum, onde o transistor NPN permanece ligado
(em condução), enquanto a junção de coletor para emissor estiver
adequadamente polarizada e a corrente de base (devido à base possuir um
potencial maior que o do emissor) for suficiente para manter o transistor na
região de saturação. Caso seja retirada a tensão de excitação da base, o
transistor ficará desligado (não conduz). Em condução, um transistor apresenta
uma queda de tensão direta da ordem de 0,5 a 1,5 V. Variadas configurações de
transistores bipolares são mostradas na Figura 1-9.
Figura 1-9 – Configurações de transistores NPN.
Os MOSFETs de potência são empregados em conversores de potência de

alta velocidade, com valores nominais relativamente baixos, em torno de 500 V,
50 A. Sua faixa de freqüência é da ordem de várias dezenas de kHz, sendo
caracterizados por possuírem uma velocidade de chaveamento muito rápida. A
Figura 1-10 mostra várias configurações de MOSFETs.
Figura 1-10 – Configurações de MOSFETs.

Usados em tensões e correntes elevadas, com freqüências de até 20 kHz, os

IGBTs são fornecidos em até 1,2 kV, 0,4 kA. Em geral, são transistores de
potência controlados por tensão, com características de excitação e chaveamento
bastante superiores aquelas dos BJTs comuns, porém menos velozes que os
MOSFETs. Algumas configurações de IGBTs são apresentadas na Figura 1-11.
Figura 1-11 – Configurações de IGBTs.
Os SITs são dispositivos apropriados para aplicações de alta potência e

alta freqüência (amplificadores de áudio, VHF/UHF e microondas); pois, as
características de normalmente ligado e alta queda de tensão, em condução,
limitam o seu uso, em geral. Semelhantes aos JFETs, são considerados a versão,
em estado sólido, da válvula triodo a vácuo. Os SITs possuem valores nominais
de até 1,2 kV, 0,3 kA e tempos de disparo e desligamento muito curtos.
Apresentam pequenos valores de ruído e distorção. Tal qual para os SITs,
alguns valores nominais, disponíveis comercialmente, dos dispositivos
semicondutores de potência foram mostrados, anteriormente. Tais valores são
tratados, de modo mais detalhado, na Tabela 1-1.
Especificação Freqüência Tempo de

Dispositivo Tipo Tensão Corrente Superior Chaveamento
(V) (A) (kHz) µs)
(µ
Genéricos 5000 5000 1 100
Diodo Alta Velocidade 3000 1000 10 2-5
Schottky 40 60 20 0,23
SCR 5000 5000 1 200
SITH 4000 2200 20 6,5
GTO 4500 3000 10 15
MCT 600 60 20 2,2
Tiristor
TRIAC 1200 300 0,4 200-400
LASCR 6000 1500 0,4 200-400
RCT 2500 1000 5 40
GATT 1200 4000 20 8
Darlington 400 40 20 6
Transistor
Darlington 630 50 25 1,7
MOSFET Único 500 50 100 0,6
IGBT Único 1200 400 20 2,3
SIT Darlington 1200 300 100 0,55
Tabela 1-1 – Valores nominais de dispositivos semicondutores de potência.

Uma utilização comum dos dispositivos semicondutores de potência é a

sua operação como chave, através da aplicação de sinais de controle aos
terminais do gatilho (como nos tiristores) ou da base (como nos transistores).
Com a variação do tempo de condução destas chaves, a saída desejada é obtida.
A Figura 1-12 mostra as tensões de saída e de controle dos dispositivos de
chaveamento de potência mais usados, onde a queda de tensão, em condução,
foi considerada desprezível.
Figura 1-12 – Características de operação dos dispositivos de chaveamento de potência.
Tais dispositivos de chaveamento de potência podem ser classificados com

relação a vários fatores, os quais são relacionados na Tabela 1-2.
Fator Classificação Exemplos
Não-controlado Diodo
Disparo
Controlado SCR, SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
Não-controlado Diodo e SCR

Desligamento
Controlado SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
Contínuo BJT, MOSFET, IGBT e MCT

Sinal no gatilho
Pulso SCR, GTO e MCT
Unipolar GTO, BJT, MOSFET, IGBT e MCT

Tensão
Bipolar SCR e GTO
Unidirecional Diodo, SCR, SITH, GTO, MCT, BJT, MOSFET, IGBT e SIT
Corrente
Bidirecional TRIAC e RCT
Tabela 1-2 – Fatores de classificação dos dispositivos de chaveamento de potência.

Dependendo de sua tipologia, os conversores de potência podem exigir

dois, quatro ou seis dispositivos, de maneira que os dispositivos de potência
estão disponíveis comercialmente tanto na forma individual, quanto na forma
de módulos. Estes módulos consistem em conjuntos de dispositivos, sendo os
tipos mais comuns com dois (configurações meia-ponte ou dual), quatro (pontes
completas), ou, seis (circuitos trifásicos) dispositivos. Tais módulos possuem as
seguintes vantagens, em relação aos dispositivos convencionais: a) Menores
perdas, em condução; b) Chaveamento de altas tensões; c) Corrente e
velocidade maiores; d) Proteção contra transientes∗; e) Proteção ao circuito de
excitação da porta ou gatilho∗. Algumas configurações de módulos são
apresentadas na Figura 1-13.
Figura 1-13 – Configurações de módulos.
Também existem os chamados módulos inteligentes, cada vez mais usados

em Eletrônica de Potência, que integram o módulo de potência a um circuito
periférico, cabendo ao usuário apenas conectar a fonte de alimentação. Tal
circuito periférico consiste em: a) Isolação entre entrada e saída; b) Circuito de
excitação; c) Circuito de diagnóstico e proteção (contra excesso de tensão e
corrente, curto-circuito, carga aberta e superaquecimento); d) Controle da fonte
de alimentação; e) Controle por microcomputador.
1.5. Efeitos da Conversão de Potência

A qualidade da energia entregue a cargas sensíveis, utilizando a Eletrônica
de Potência na conversão, é um desafio a ser resolvido. Neste contexto, a
qualidade de um conversor de potência pode ser julgada pelas suas formas de
onda de tensão e corrente, na entrada e na saída. Expressando tais formas de
onda através da série de Fourier, é possível encontrar seu conteúdo harmônico
e, conseqüentemente, determinar os fatores, que medem a performance destes
conversores, tais como: a) Distorção harmônica total, do inglês total harmonic
distortion (THD); b) Fator de deslocamento, do inglês displacement factor (HF); c)
Fator de potência na entrada, também do inglês input power factor (IPF).
∗
Disponível apenas em alguns modelos de módulos.

Estes problemas, na qualidade da energia fornecida pelos conversores de

potência, ocorrem, principalmente, pelo fato de sua operação se basear no
chaveamento de dispositivos semicondutores de potência, o que resulta na
introdução de correntes e tensões harmônicas no sistema de alimentação e na
saída dos conversores (distorção da tensão de saída), além de poder causar
interferência nos circuitos de comunicação e sinalização. Desta forma, é
necessário reduzir o nível harmônico dos sistemas conversores a amplitudes
aceitáveis, através, geralmente, da introdução de filtros na entrada e na saída
dos conversores de potência. Na Figura 1-14, é mostrado o diagrama de blocos
de um conversor de potência generalizado.
Figura 1-14 – Diagrama de blocos de um sistema conversor de potência generalizado.
Além disso, no diagrama de blocos da Figura 1-14, também é tratado o

circuito de controle do chaveamento, componente básico da estratégia de controle
empregada, a qual é fundamental na redução da geração de harmônicos e da
distorção da forma de onda de saída. Tal circuito de controle pode sofrer
interferência, em radiofreqüência, devido à radiação eletromagnética dos
conversores de potência, gerando sinais de controle errôneos. Esta interferência
é corrigida, através do uso de blindagens aterradas.
1.6. Tipos de Circuitos

Os conversores estáticos realizam as funções de conversão de potência
elétrica, necessárias ao controle da energia, através das características de
chaveamento dos dispositivos semicondutores, sendo, assim, considerados
matrizes de chaveamento. Esta ação de chaveamento pode ser efetuada por
mais de um dispositivo semicondutor, de maneira que sua escolha é função das
exigências de tensão, corrente e velocidade da aplicação. Os circuitos utilizados
nos conversores de potência podem ser classificados em seis tipos, a saber:
a. Retificadores Não-Controlados: Os retificadores não-controlados, ou

retificadores com diodo, convertem tensões de corrente alternada (tensões
CA), monofásicas ou trifásicas, na entrada, em tensões de corrente contínua
(tensões CC) fixas, na saída, conforme mostrado no conversor da Figura 1-15.
Pelo fato da tensão CC de saída não ser controlável, é que estes conversores
são chamados de não-controlados.

Figura 1-15 – Circuito retificador não-controlado monofásico.
b. Retificadores Controlados: Também conhecidos como conversores CA-CC,

os retificadores controlados permitem, a partir de uma tensão de entrada
monofásica ou trifásica, o controle do valor médio da tensão de saída, através
da variação do tempo de condução dos dispositivos semicondutores de
potência empregados. Na Figura 1-16, é ilustrado um exemplo de retificador
controlado monofásico com dois tiristores, em comutação natural.
Figura 1-16 – Circuito retificador controlado monofásico.
c. Controladores de Tensão CA: Os controladores de tensão CA, também

chamados de conversores CA-CA, são empregados na obtenção de uma
tensão de saída CA variável, a partir de uma fonte CA fixa. Assim como nos
conversores CA-CC, o controle do valor da tensão de saída é feito pelo tempo
de condução do dispositivo semicondutor usado. Um controlador de tensão
CA monofásico com TRIAC é mostrado na Figura 1-17.
Figura 1-17 – Circuito controlador de tensão CA monofásico.

d. Choppers: Para uma tensão CC de entrada fixa, os choppers, ou conversores

CC-CC, controlam a tensão CC média de saída, pela variação do tempo de
condução do dispositivo semicondutor de potência em uso. A Figura 1-18
contem um chopper com transistor.
Figura 1-18 – Circuito chopper.
e. Inversores: Os inversores, ou conversores CC-CA, fornecem tensões CA, na

saída, a partir de tensões CC, na entrada, por meio da comutação
(chaveamento) adequada dos dispositivos semicondutores de potência
utilizados. A Figura 1-19 mostra um inversor monofásico com MOSFETs.
Figura 1-19 – Circuito inversor monofásico.
f. Chaves Estáticas: Conforme citado anteriormente e observado em boa parte

dos circuitos analisados, os dispositivos semicondutores de potência são
comumente usados como chaves. Tais chaves estáticas CA ou CC têm muitas
vantagens sobre as chaves e relés eletromecânicos convencionais, pois podem
ser interfaceadas a sistemas digitais de controle ou mesmo a computadores.
Uma chave CA monofásica é ilustrada na Figura 1-20.
Figura 1-20 – Circuito de uma chave CA monofásica.

1.7. Aplicações
Desde o antigo sistema Ward-Leonard, para obtenção de tensões CC
variáveis, que o controle da energia elétrica é uma necessidade, no acionamento
de máquinas elétricas, nos controles industriais e na conversão de potência
elétrica, em geral. Esta necessidade é cada vez maior e, junto com ela, também
cresce o desenvolvimento tecnológico na área da Eletrônica de Potência.
Combinando potência, eletrônica e controle, a Eletrônica de Potência vem

revolucionando e expandindo os conceitos e a gama de aplicações existentes,
para a conversão de energia elétrica, conforme também foi citado na seção 1.1.
Introdução, deste trabalho (ver Figura 1-1). A potência trata dos equipamentos
estáticos e rotativos, empregados na geração, transmissão e distribuição da
energia. Responsável pelos circuitos e dispositivos de estado sólido, a eletrônica
realiza o processamento de sinais, de modo a atingir os requisitos de controle
desejados. Por fim, o controle cuida das características dos regimes transitório e
permanente dos sistemas, em malha fechada.
Ocupando uma posição importante na tecnologia “de ponta”, a Eletrônica

de Potência possui uma ampla faixa de aplicações. Algumas destas aplicações
são mostradas a seguir, deixando claro como a Eletrônica de Potência é
utilizada no dia-a-dia:
– Aceleradores de partículas; – Ferramentas manuais;

– Alarmes; – Fontes de alimentação;
– Alta tensão CC (HVDC); – Fornos;
– Amplificadores de áudio; – Fotocópias;
– Bombas e compressores; – Gravações magnéticas;
– Brinquedos; – Guindastes e elevadores de cargas;
– Caldeiras; – Ignição eletrônica;
– Carregadores de bateria; – Jogos;
– Circuitos defletores de televisores; – Máquinas de lavar;
– Compensação de potência reativa; – Mineração;
– Computadores; – Projetores de filmes;
– Condicionadores de ar; – Refrigeradores;
– Contatores de estado sólido; – Reguladores de tensão;
– Controle de aquecimento; – Relés estáticos;
– Controle de iluminação; – Secadores elétricos;
– Controle de máquinas elétricas; – Servomecanismos;
– Controle de sinais de trânsito; – Sistemas de segurança;
– Dimmers; – Solda;
– Eletrodomésticos; – Trens;
– Eletroímãs; – Veículos;
– Exaustores; – Ventiladores.

A Figura 1-21 apresenta uma relação entre as aplicações e a faixa de

freqüência dos dispositivos semicondutores de potência.
Figura 1-21 – Aplicações e faixas de freqüência dos dispositivos semicondutores de potência.
1.8. Projetos de Equipamentos

Conforme citado anteriormente, na seção 1.4. Dispositivos Semicondutores de
Potência, estes dispositivos, geralmente, são considerados ideais, para efeito de
análise. Além disso, o comportamento de fontes, cabos, conectores etc., também
é idealizado, desprezando os efeitos destas impedâncias adicionais ao circuito.
Desta forma, estes procedimentos serão adotados nas análises realizadas, em
capítulos subseqüentes, deste trabalho, a menos que seja informado o contrário.
No estágio inicial dos projetos, esta análise simplificada é bastante útil,

permitindo a compreensão dos circuitos e o desenvolvimento de uma estratégia
de controle. Entretanto, na prática, os dispositivos e circuitos diferem dessas
condições ideais, de modo que os projetos também deverão sofrer diferenças,
em suas análises finais. De um modo geral, os projetos de equipamentos,
usados na Eletrônica de Potência, podem ser divididos nas seguintes etapas:
1. Elaborar o projeto dos circuitos de potência;

2. Determinar a proteção dos dispositivos semicondutores de potência;
3. Criar uma estratégia de controle;
4. Desenvolver o projeto da lógica e dos circuitos de controle;
5. Investigar os efeitos dos parâmetros do circuito e dos dispositivos;
6. Construir um protótipo;
7. Realizar baterias de testes;
8. Estimar, mais precisamente, os parâmetros do circuito e dos dispositivos;
9. Verificar a validade do projeto;
10. Modificar o projeto, caso necessário.

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência 18
Capítulo 2
Dispositivos Semicondutores de Potência
2.1. Introdução
Os dispositivos semicondutores de potência têm passado por constantes
evoluções tecnológicas e se tornado cada vez mais comuns comercialmente, de
maneira que é extremamente importante entender o comportamento de suas
camadas semicondutoras (dopagem), modelos, tipos, características de disparo
e chaveamento, circuitos equivalentes, cargas e ligações. Na Figura 1-5 do
Capítulo 1, pode ser observada uma distribuição de valores práticos para a
tensão de bloqueio, a corrente de condução e a freqüência de comutação de
alguns dispositivos semicondutores de potência.
Em geral, tais dispositivos são divididos em seis tipos: diodos de potência;

tiristores; transistores de junção bipolares (BJTs); MOSFETs de potência;
transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); transistores de indução estática
(SITs). Os tiristores ainda podem ser subdivididos em vários tipos, tais como:
controlado de silício (SCR); indução estática (SITH); desligamento pelo gatilho
(GTO); controlado por MOS (MCT); condução em ambos os sentidos (TRIAC);
controlado de silício ativado por luz (LASCR); condução reversa (RCT);
desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT); controlados por FET (FET-CTHs).
2.2. Diodos de Potência

2.2.1. Generalidades
Os diodos semicondutores de potência (Ver Figura 1-6) atuam como
chaves, nas aplicações da Eletrônica de Potência, desenvolvendo vários tipos de
funções, tais como:
a. Chaveamento nos retificadores;

b. Comutação em reguladores chaveados (Free-Wheeling);
c. Inversão de carga de capacitores;
d. Isolação de tensões;
e. Transferência de energia entre componentes do circuito;
f. Recuperação de energia da carga para a fonte.
Apesar de considerados como chaves ideais, na maioria destas aplicações,

os diodos de potência reais têm certas características diferentes das ideais,
possuindo limitações práticas. Com relação aos diodos de sinais, os diodos de
potência guardam algumas semelhanças. Contudo, possuem maiores
capacidades de potência e velocidades de chaveamento bem menores.

2.2.2. Aspectos Construtivos
Os diodos semicondutores de potência são dispositivos de dois terminais

com uma junção pn, formada, comumente, por fusão, difusão e crescimento
epitaxial, que, dentro de seus limites de tensão e corrente, permitem a passagem
de corrente elétrica em um único sentido de condução. Em geral, detalhes de
funcionamento desprezados para os diodos de sinal, podem ser significativos
nos diodos de potência. A Figura 2-1 mostra um modelo simplificado da
estrutura interna e o símbolo de um diodo de potência.
Figura 2-1 – Estrutura interna e símbolo de um diodo de potência.
Devido à maior concentração de portadores, a resistência da região de

transição (junção) do semicondutor é bem maior que a do restante do
dispositivo. Desta maneira, ao aplicar uma tensão entre as regiões P e N, a
diferença de potencial aparecerá através da junção. Na verdade, a estrutura
interna de um diodo de potência é um pouco diferente da apresentada,
existindo uma região N intermediária de baixa dopagem, cuja função é permitir
tensões mais elevadas, através do alargamento da região de junção, que
mantém o equilíbrio da carga, diminuindo o campo elétrico. Já, as camadas dos
contatos externos dos diodos de potência são altamente dopadas, tornando os
contatos com características ôhmicas e não semicondutoras. Há também um
contorno arredondado, entre as regiões de anodo e catodo, com a função de
eliminar o efeito de pontas, criando campos elétricos mais suaves.
2.2.3. Características de Operação

Quando o potencial do catodo é positivo, em relação ao do anodo, diz-se
que o diodo está reversamente polarizado e, nestas condições, mais portadores
positivos (lacunas) migram para o lado N e vice-versa, aumentando a largura
da junção. Por difusão ou efeito térmico, uma dada quantidade de portadores
minoritários penetra na junção, sendo acelerados, pelo campo elétrico, até a
outra região do componente. Esta pequena corrente reversa, também chamada
de corrente de fuga, aumenta com a temperatura e com a amplitude da tensão
reversa, até atingir a tensão Zener ou de avalanche. Nesta tensão, há um campo
elétrico muito intenso, fazendo os portadores em atingir grandes velocidades,
de modo que, ao se chocarem com átomos da estrutura, estes portadores
produzirão outros, que, também acelerados, darão origem ao chamado efeito
avalanche. Com isso, a corrente aumenta sem redução significativa da tensão na
junção, produzindo um pico de potência que destrói o dispositivo.

O diodo está diretamente polarizado, quando o potencial do anodo é

positivo, em relação ao do catodo. Nesta situação, ocorre um estreitamento da
região de transição e, se a tensão aplicada superar o valor natural para a
condução, chamado de barreira de potencial ou tensão de limiar (Vγ), os
portadores negativos do lado N serão atraídos pelo potencial positivo do anodo
e vice-versa, levando o componente à condução. Conduzindo, o diodo possui
uma queda de tensão (Vγ), no sentido direto, relativamente pequena, cuja
amplitude, em torno de 1V, depende da fabricação e da temperatura da junção.
O diodo pode ser modelado por diversos circuitos equivalentes, sendo, o mais
comum, aquele que o representa pela associação em série de um diodo ideal,
uma fonte de tensão (Vγ) e um resistor (RD). A Figura 2-2 apresenta este modelo
e as curvas características v-i, ideal e real, para um diodo de potência.
Figura 2-2 – Modelos e curvas características v-i, ideais e reais, de um diodo de potência.
No modelo equivalente do diodo, a fonte é responsável pela barreira de

potencial à condução e pela queda de tensão direta, quando já conduzindo, e o
resistor representa a resistência ôhmica do dispositivo, dissipando calor, por
efeito joule. Já, o diodo ideal funciona apenas como chave, dando o sentido de
condução da corrente elétrica. A curva real ou prática do diodo, mostrada na
Figura 2-2 pode ser expressa pela equação do diodo Schockley, apresentada na
Equação 2-1, onde: ID e VD são a corrente e a tensão no diodo, Is é a corrente de
fuga, n é o coeficiente de emissão e VT é a tensão térmica, sendo k a constante
de Boltzmann, T a temperatura absoluta e q a carga do elétron.
( )
I D = I s ⋅ e VD /n⋅VT − 1 , VT =
k⋅T
q
[2-1]
É comum dividir a curva real do diodo em três regiões, a saber:
− Região de polarização direta: Nesta região, a tensão sobre o diodo (VD) é

positiva. Caso VD seja menor que Vγ, a corrente no diodo (ID) será muito
pequena. O diodo só conduzirá plenamente se VD for maior que Vγ.
− Região de polarização reversa: Aqui, VD é negativa. Para VD negativo e com

módulo bem maior que VT, ID será constante, no sentido reverso e igual a Is.

− Região de ruptura reversa: Nesta região, a tensão reversa é muito alta,

excedendo uma tensão específica, denominada tensão de ruptura reversa
(VBR). Com isso, a corrente reversa aumenta rapidamente, para pequenas
variações na tensão reversa. A operação na região de ruptura reversa não
será destrutiva, se a potência dissipada for limitada, pelo controle da corrente
reversa, dentro dos níveis especificados nas folhas de dados dos fabricantes.
No caso real, no estado de bloqueio, a junção do diodo pode ser analisada

como um capacitor, cuja carga é aquela presente na própria a região da junção.
Já, no estado de condução, não existe tal carga. Todavia, devido à alta dopagem
da camada P, existe uma penetração de lacunas na região N por difusão. Além
disso, à medida que cresce a corrente, mais lacunas são injetadas na região N
intermediária, que possui baixa densidade, atraindo elétrons da extremidade da
região N de maior concentração, para manter a neutralidade da carga. Desta
forma, cria-se uma carga espacial no catodo, que terá de ser removida, por
recombinação, para permitir a passagem para o estado de bloqueio.
Na realidade, o comportamento dinâmico de um diodo de potência é bem

diferente daquele de uma chave ideal, conforme se pode observar na Figura 2-3,
onde uma tensão degrau de entrada (vi) é aplicada a uma carga resistiva,
através de um diodo (outros tipos de cargas podem alterar as formas de onda).
Figura 2-3 – Curvas características de chaveamento de um diodo de potência.

A corrente, na região da junção diretamente polarizada, é devida aos

portadores majoritários e minoritários. Durante o intervalo de tempo t1,
remove-se a carga acumulada na junção. Neste momento, ainda não houve
injeção significativa de portadores, de maneira que a resistência da parte
intermediária da região N é elevada, produzindo um pico de tensão direta
(Vpd). Indutâncias parasitas do componente e das conexões também colaboram
com esta sobretensão. Durante t2, tem-se a chegada dos portadores e a tensão
reduz bastante, para cerca de 1V (Von).
Uma vez que o diodo esteja em condução e sua corrente seja reduzida a
zero, em função de um comportamento do próprio circuito ou pela aplicação de
uma tensão reversa, o diodo continuará conduzindo, devido aos portadores
minoritários, que permanecem armazenados nos semicondutores e na junção. A
redução de Von se deve à diminuição da queda ôhmica. O bloqueio do diodo é
iniciado quando a corrente reversa atinge seu pico negativo (Irr), causado pela
retirada do excesso de portadores. A taxa de variação da corrente, associada às
indutâncias do circuito, provoca uma sobretensão negativa (Vpr).
Desta forma, no desligamento, antes de reiniciar a formação da barreira de

potencial da junção, a carga espacial presente deve ser removida, pela
neutralização dos portadores minoritários, através da sua recombinação com as
cargas opostas. Este processo requer um certo tempo, denominado tempo de
recuperação reversa (trr), medido a partir do cruzamento inicial da corrente do
diodo com o zero (modo de condução para modo de bloqueio), até 25% da
corrente reversa máxima e é dependente da temperatura da junção, da taxa de
decaimento da corrente direta e do valor desta corrente, antes do chaveamento.
O trr é formado por dois componentes, a saber: t4 é o tempo entre o cruzamento
com o zero e o Irr, sendo originado pelo armazenamento de cargas na região da
junção; t5 é o tempo corrido de Irr a 0,25⋅⋅Irr, causado pelo armazenamento de
cargas no material semicondutor.
A soma, que representa o trr, é dada por:
t rr = t 4 + t 5 [2-2]
A relação entre t5 e t4 é conhecida como fator de suavidade, a saber:
t4
S= [2-3]
t5
Observando a taxa de variação da corrente reversa, na Figura 2-3, tem-se:
d
I rr = t a ⋅ ir [2-4]
dt

Das Equações 2-2, 2-3 e 2-4, observa-se:
 t  d
I rr =  rr  ⋅ i r [2-5]
 S + 1  dt
A carga de recuperação reversa armazenada (Qrr) é a quantidade de

portadores de cargas que fluem pelo diodo, no sentido reverso, devido à
mudança do modo de condução para o modo de bloqueio, sendo dada pela área
abrangida pela corrente de recuperação (região cinza na Figura 2-3):
t rr ⋅ I rr
Q rr ≅ [2-6]
2
Substituindo a Equação 2-5 na Equação 2-6, obtém-se:
 t 2rr  d
Q rr =  ⋅ i [2-7]
 2 ⋅ (S + 1)  dt r
 
Na prática, é necessário conhecer as expressões de trr e Irr, de modo que,

usando as Equações 2-5 e 2-7, tem-se:
2 ⋅ Q rr ⋅ (1 + S)
t rr = [2-8]
d
ir
dt
d 
2 ⋅ Q rr ⋅  i r 
 dt 
I rr = [2-9]
S+1
A partir das Equações 2-8 e 2-9, nota-se que o tempo de recuperação

reversa (trr) e o pico de corrente de recuperação reversa (trr) dependem da carga
armazenada (Qrr) e da taxa de variação da corrente reversa (dir/dt). Já a carga
armazenada depende da temperatura da junção e da corrente direta do diodo
(Id), antes do chaveamento (mais especificamente, da taxa de decaimento da
corrente direta (did/dt) e do valor desta corrente). Parâmetros como Irr, Qrr e S
são de grande importância nos projetos, sendo, normalmente, incluídos nas
folhas de dados dos diodos. Além disso, deve-se notar que, se um diodo estiver
no modo reverso, a aplicação de uma tensão direta forçaria uma corrente no
sentido direto. Todavia, é preciso um certo tempo, denominado tempo de
recuperação direta (trf) ou tempo limite de religamento, antes que os portadores
majoritários, distribuídos na junção, possam contribuir no fluxo de corrente.
Caso a taxa de crescimento desta corrente direta seja elevada, o diodo pode
falhar. Assim, o tempo de recuperação direta limita a velocidade de
chaveamento dos diodos.

Os tempos de recuperação reversa e direta são extremamente importantes,

visto que determinam o comportamento dos diodos de potência e,
conseqüentemente, os circuitos e aplicações, em que são empregados. Um
exemplo claro da influência destes tempos, sobre o funcionamento dos circuitos
com diodos, é mostrado na Figura 2-4, a qual destaca as formas de onda
observadas, durante a operação de liga/desliga da chave (CH), considerando,
ou não, o uso do indutor de limitação (LS).
Figura 2-4 – Efeitos dos tempos de recuperação, nos circuitos com diodos.
Inicialmente (t = 0), a chave é ligada, por um tempo suficiente, para

estabelecer um regime permanente, no circuito. Com isso, a corrente nominal
(IN = VS / R) flui, através da carga, e o diodo de comutação ou Free-Wheeling
(Dm) é reversamente polarizado. Em seguida (t = t1), chave é desligada e Dm
conduzirá IN; pois, devido ao comportamento indutivo da carga e aos intervalos
de tempo considerados serem muito curtos, a corrente da carga pode ser
considerada constante (fonte de corrente). Por fim (t = t2), a chave é novamente
ligada e Dm, que estava em condução, se comporta como um curto-circuito.
Caso LS não seja utilizado, as taxas de crescimento, para D1, e decaimento,

para Dm, da corrente direta seriam bastante elevadas, tendendo ao infinito.
Assim, de acordo com a Equação 2-9, o pico da corrente reversa (Irr) de Dm seria
muito alto, podendo danificar os dois diodos. Este problema pode ser resolvido
usando LS. Na prática, também deve ser considerado o tempo de recuperação
direta dos diodos, controlando a taxa de variação da corrente direta.
Considerando que a taxa de crescimento da corrente de D1 é igual à de

decaimento de Dm, observando a malha fechada VS-CH-D1-Dm, tem-se:
d d V d
VS = L S ⋅ i Dm = L S ⋅ i D1 ∴ S = i Dm [2-10]
dt dt L S dt

Como trr é o tempo de recuperação reversa do diodo Dm e observando a

Equação 2-10, tem-se que sua corrente de pico reversa (Irr) é:
d t ⋅ VS
I rr = t rr ⋅ i Dm = rr [2-11]
dt LS
A corrente de pico (IP), através do indutor de limitação (LS), é:
t rr ⋅ VS
I P = I N + I rr ∴ I P = I N + [2-12]
LS
Considerando uma recuperação abrupta de Dm, ele é desligado

subitamente, ao ser atingido o valor de pico (IP) da corrente i1, interrompendo o
fluxo de corrente. No entanto, a corrente de carga não muda instantaneamente
de IN para IP, devido ao caráter indutivo da carga empregada. Com isso, ocorre
um excesso de energia armazenada em LS, que induz uma elevada tensão
reversa em Dm, a qual pode danificá-lo. Esta energia excedente é dada por:
WR =
1
2
[
⋅ L S ⋅ (I N + I rr )2 − I N
2
] [2-13]
Este excesso de energia pode ser drenado pelo ramo do circuito disposto
paralelamente a Dm, que contém um capacitor (CS) em série com um resistor
(RS). A função de RS é amortecer eventuais oscilações transitórias. Sendo Vadm a
tensão reversa admissível do diodo e desconsiderando os efeitos de LS e RS, nos
períodos transitórios, o valor de CS pode ser obtido, aproximadamente, por:
1 2 2 ⋅ WR
WR = ⋅ C S ⋅ Vadm ∴CS = [2-14]
2 2
Vadm
2.2.4. Tipos
Em muitas aplicações, a forma de recuperação e as técnicas de fabricação

dos diodos de potência determinam se diodos mais baratos podem ser
utilizados. Assim, de acordo com as características de operação e as limitações
práticas, os diodos de potência podem ser classificados em três tipos, a saber:
a. Genéricos: Estes diodos são, geralmente, fabricados por difusão, sendo

fornecidos com faixas que podem ir de menos de 1 A até 5 kA e de 50 V a 5
kA, além de um tempo de recuperação reversa elevado, da ordem de 100 µs.
Sendo assim, são utilizados em aplicações de baixa velocidade, onde o tempo
de chaveamento não é crítico, tais como: retificadores e conversores com
freqüência de entrada de até 1 kHz e conversores comutados pela rede.

b. Alta velocidade: Seu tempo de recuperação é baixo, 0,1 a 5 µs, sendo, por
isso, chamados, também, de diodos de recuperação rápida. Possuem faixas
de menos de 1 A até 1 kA e de 50 V a 3 kV. São essenciais no chaveamento de
conversores CC-CC e CC-CA. Em especificações acima de 400 V, estes
dispositivos são feitos por difusão. Já, abaixo de 400 V, são fabricados diodos
epitaxiais, com velocidades de chaveamento bem superiores.
c. Schottky: Nestes componentes, o problema do armazenamento de carga na

junção PN é eliminado simulando o comportamento da junção por uma
barreira de potencial, criada pelo contato de uma camada metálica (anodo)
depositada em uma fina camada epitaxial de silício tipo N (catodo). A
retificação depende apenas dos portadores majoritários, não havendo
recombinação do excesso de minoritários. Assim, a carga recuperada é bem
menor, pois a recuperação é devida, somente, à capacitância própria da
junção semicondutora, sendo independente da taxa de corrente reversa. Os
valores nominais são limitados a 100 V, 60A, o tempo de recuperação é
bastante pequeno e há uma baixa queda de tensão, em sentido direto, sendo
que a corrente de fuga aumenta com a faixa de tensão e vice-versa. São
comuns em fontes CC de altas correntes e baixas tensões.
2.2.5. Ligações
De acordo com as aplicações, pode ser necessário aumentar a capacidade

de operação dos diodos de potência, tanto com relação à tensão, quanto no que
se refere à corrente. Esta maior capacidade de operação dos diodos é obtida
através de ligações, série ou paralelo, destes componentes, no circuito.
Em aplicações de alta tensão, como HVDC, diodos comerciais podem não

atender as especificações de tensão de bloqueio reverso, sendo preciso conectá-
los em série, de modo a dividir sobre eles a tensão reversa aplicada. Todavia,
esta ligação não pode ser efetuada somente pela conexão de diodos, como na
Figura 2-5, pois, na prática, mesmo que os diodos sejam de um só tipo, as suas
curvas v-i (Figura 2-5) serão diferentes, em virtude das tolerâncias de
fabricação. Assim, polarizados diretamente, os diodos conduzem a mesma
corrente e possuem uma queda de tensão direta, praticamente, idêntica; já,
reversamente polarizados, como têm de conduzir a mesma corrente de fuga
(IS), apresentam tensões reversas (VD1 e VD2) bastante distintas.
Figura 2-5 – Diodos ligados em série e suas curvas características v-i.

Uma forma simples de solucionar esse problema é inserir uma rede de

resistores, ao circuito da Figura 2-5, de maneira que haja uma mesma tensão
(VD1 = VD2 = VS / 2), sobre os diodos, o que dá origem a diferentes correntes de
fuga (Figura 2-6). A corrente de fuga total (IST) é dividida por um diodo e seu
resistor. Devido a eventuais desconformidades, nas curvas v-i dos diodos
empregados, a tensões sobre os mesmos podem ser um pouco diferentes.
Observando a lei de Ohm para a corrente de cada resistor (IRX = VDX / RX) e
considerando valores iguais para os resistores (R1 = R2 = R), tais tensões sobre
os diodos são encontradas a partir do sistema de equações abaixo:
VD1 + VD2 = VS [2-15]
VD1 − VD2 = R ⋅ (I S2 − I S1 ) [2-16]
É importante observar que o a rede resistiva, inserida ao circuito dos

diodos em série, é responsável apenas pela divisão de tensão em regime
permanente. Sob condições dinâmicas, como em chaveamento de cargas, além
dos resistores da rede, é necessário conectar, também em paralelo com os
diodos, uma associação série de um capacitor (CS) com um resistor (RS),
conforme indica a parte tracejada do circuito da Figura 2-6.
Figura 2-6 – Diodos ligados em série com rede de divisão de tensão.
Em alta potência, os diodos necessitam de uma maior capacidade de

condução de corrente, de modo que são conectados em paralelo. Com isso, a
corrente se divide de acordo com a queda de tensão direta (Vγ) sobre cada
diodo, sendo comum empregar diodos de mesmo tipo ou que possuam um
mesmo Vγ. Para obter uma divisão de corrente uniforme, também são utilizados
indutores e/ou resistores, conectados em série com os diodos. Os resistores não
são muito aconselháveis, devido às perdas de potência que introduzem.
Assim como no caso dos diodos ligados em série, o uso de resistores só é

responsável pelo regime permanente. Sob condições transitórias, são utilizados
indutores acoplados, dispostos em série com os resistores e diodos de cada ramo
(Figura 2-7). Aumentando a corrente sobre D1, a tensão sobre L1 (L1⋅di/dt)
também aumenta, induzindo outra tensão, mas de polaridade oposta, em L2.
Isto acarreta uma baixa impedância no ramo de D2, deslocando a corrente para
este ramo. O grande problema deste tipo de arranjo é o fato dos indutores
gerarem picos de tensão, que os tornam grandes e caros.

Figura 2-7 – Diodos ligados em paralelo com rede de divisão de corrente.
2.3. Tiristores
Usado em baixas freqüências (< 1khz) e alta potência (> 10MVA).
Características do tiristor:
Figura 2-8 – Estrutura do tiristor
Figura 2-9 – Curva de resposta estática do tiristor.

Modelo do tiristor com dois transistores:
Figura 2-10 – Modelo do tiristor com dois transistores

iC 1 i
Ganho de corrente do transistores: α 1 = ; α2 = C2
i E1 iE2
Ico é a corrente de fuga, gerada termicamente.
Corrente que passa pelo SCR: iA = iC1 + iC2 + ICO = αiE1+ αiE2 +ICO
Mas: iA = iE1 = iE2

I CO
∴ iA = ( α1 + α2)iA + ICO ⇒ i A =
1 − (α 1 + α 2 )
Existem várias formas de fazer com que α1 + α2 → 1, a saber:
2.3.1 Formas de disparo do tiristor:
1. Disparo devido à tensão VAK:
Figura 2-11 – Curva de resposta do DIAC.

2. Disparo devido à taxa de variação de tensão (dV/dt):
Figura 2-12 – Efeito de disparo do capacitor interno do tiristor
Se a tensão Anodo-Catodo variar → a corrente no capacitor será:
dV AK
iC = C
dt
A capacidade da junção J2 é função da tensão aplicada, isto é:
dV AK dC
iC = C + V AC
dt dt
Para que VAC aumente, dC/dt tem de ser negativo. Mas, se dVAK/dt for muito
grande, pode ser que se produza uma corrente tal que α1 + α2 → 1.
Proteção contra disparo por dV/dt:
a) RC entre “gate-catodo”;
b) Circuito Snubber - RC entre Anodo-catodo.
3. Disparo por temperatura:
O aumento muito acentuado da temperatura faz crescer ICO, e muda o

ponto de operação, como também se faz α1 + α2 ≈ 1. Deve-se usar proteção
utilizando os dissipadores térmicos.
4. Disparo por injeção de corrente de base (“Gate”):
É o método mais eficaz de disparo. A injeção de corrente no “gate” força o

α1 + α2 ≈ 1.

Figura 2-13 – Família de curvas do tiristor para diferentes correntes de gate.
Onde: IH = corrente mínima, em que o tiristor mantém o estado de condução.
Características de TURN-ON:
Figura 2-14 – Resposta dinâmica do disparo do tiristor.
Considerações no projeto do circuito do Gate:

− O sinal do gate deve ser removido depois que o ton;
− Enquanto VAK < 0, iG = 0, pois, se iG ≠ 0, a corrente de fuga aumenta;
− A largura do pulso do gate tG > ton.
5. Disparo por luz ou laser:
LAS (Light Activated Switch)

LASCR ( Light Activated Controller Rectifier)
Figura 2-15 – Disparo do tiristor por efeito luminoso.

2.3.2 Limitação de di/dt:
Figura 2-16 – Efeito de limitações de di/dt.

2.3.4 Proteção contra dV/dt:
Figura 2-17 – Efeito de dv/dt por maniobra.

− dV/dt devido à tensão aplicada.
dV
Ex.: v = 2 sen wt → = 2Vw
dt MAX
− dV/dt devido à manobra.

Existem duas formas de proteção contra dV/dt:
a) Sem a utilização do SNUBBER:
Figura 2-18 – Formas de proteção contra dv/dt.

b) Com a utilização do SNUBBER:
Figura 2-19 – Exemplo de disparo por maniobra.
Resolvendo o circuito:
 −t  L
V AK = 2V  1 − e τ  , onde: τ =
  R AK
t
dV AK R AK − dV AK
= 2Ve τ , sendo: , em t = 0, igual a:
dt L dt MAX
dV AK R AK
= 2V
dt MAX L
dV AK 30 ⋅ 10 −3
Para os valores dados: = −6
⋅ 400 = 2,4 ⋅ 10 6V / µs
dt MAX 5 ⋅ 10
dV
Com o aumento de L: = 300V / µs ⇒ L = 40mH
dt típi cos
Outra possibilidade é diminuir RAK, no transitório, colocando um

capacitor no circuito SNUBBER:
Figura 2-20 – Circuito de proteção “Snubber”.

2.3.5 Circuito de disparo do tiristor:
Figura 2-21 – Família de curvas para diferentes temperaturas
Figura 2-22 – Circuito de disparo de gate.

Circuito de acoplamento:
Figura 2-23 – Diferentes alternativas de disparo de tiristores.

2.4. Transistores
Os transistores em geral podem ser classificados em:
− Transistor de Junção Bipolar;

− Transistor de Efeito de Campo;
− IGBT.

2.4.1. Transistor de Junção Bipolar
Transistor NPN. Transistor PNP.
Figura 2-24 – Circuito de Polarização.
Figura 2-25 - Regioes de trabalho do transistor bipolar
Das Figuras acima, temos:
IE = I C + I B
β = hFE = IC/IB
IC = βIB + ICEO
IE = IB (1 + β) + ICEO, onde: ICEO → 0
IE ≈ (1 + β)⋅⋅IB

 1 β+1
I E ≈ I C  1 +  = I C
 β β
αI E = I C
Modelo do transistor NPN, para grandes sinais em operação CC:
Figura 2-26 - Modelo do transistor NPN

Usando o circuito em emissor comum:
VB − VBE
IB =
RB
RC
VC = VCE = VCC − I C R C = VCC − β (VB − VBE )
RB
Com o transistor es na região ativa, tem-se:
VCE ≥ VBE
Quando VCB = 0 e VBE = VCE, a máxima corrente de coletor acontece:
VCC − VCE VCC − VBE

I CM = =
RC RC
I CM
I BM =
β
I B >> I BM → VBE ↑ ; I C ↑ ; VCE ↓ ; VCE < VBE
O transistor satura quando VCE = 0,4 a 0,5 V, então:
VCC − VCE(sat)
I CS =
RC

β
IBS = ICS/β
O fator de saturação (FS) é dado por:
FS = IB / IBS
A potência de perda do transistor (PT):
PT = VBE⋅IB + VCE⋅IC
Características de chaveamento:
Figura 2-27 – Modelo dinâmico do transistor
Figura 2-28 – Diagrama de tempos da resposta de um transistor a um pulso.

Dos gráficos acima, tem-se:
− td: Tempo de retardo ou de carga do capacitor de junção BE;

− tr: Tempo de subida ou necessário para ic em atingir ICS;
− ts: Tempo de estocagem ou necessário para IB retirar as cargas da junção BE;
− tf: Tempo de queda ou decorrido até IC cair de ICS para zero.
ton = td+tr
toff = ts+tf

O controle da corrente de base pode ser feito aumentando a velocidade de

chaveamento (diminuindo o ton e toff):
Figura 2-29 – Alternativa de melhorar a resposta do transistor.

V1 − VBE V − VBE R R C
I B1 = ⇒ I BS = 1 ⇒ τ 1 = 1 2 1 ⇒ t 1 ≥ 5τ 1
R1 R1 + R2 R1 + R2
τ 2 = R 2 C 2 ⇒ t 2 ≥ 5τ 2
A freqüência máxima de chaveamento é:
1 1 0.2
fs = = =
T t1 + t2 τ1 + τ2
Controle de anti-saturação:
Figura 2-30 – Forma de evitar a saturação do transistor.

VB − VD1 − VBE
IB = I1 = ⇒ IC = IL = β ⋅ IB
RB
Assim que D2 passa ao estado on, tem-se:
VCE = VBE - VD1 - VD2
VCC − VCE VCC − VBE − VD1 + VD2

IL = =
RC RC
IC = βIB = β(I1 - IC + IL)
β
IC = (I 1 + I L )
1+β

2.4.2. Mosfet de Potência
É um dispositivo controlado por tensão, com baixo tempo de comutação

(da ordem de nanossegundos) e utilizado em aplicações de baixa potência e
altas freqüências.
Mosfet tipo depleção (Canal N):
Mosfet tipo Enhancement (Canal N):
Figura 2-31 – Tipos de transistores Mosfets

Características de estado estático:
Figura 2-32 – Características de estado estático

As regiões de operação, mostradas na figura anterior, são:
− Corte: Vgs < Vt;

− Ativa: Vds ≥ Vgs – Vt;

− Saturação ou Ôhmica: VDS ≤ VGS – VT.

Modelo do mosfet:
Figura 2-33 –Modelo estático do transistor mosfet.

Considerando VDS constante:
∆I
gm =
∆VGS
O valor de ro é:
∆VDS
ro =
∆I D
Onde:
− ro → MΩ na região de corte;
− ro → mΩ na região de saturação.
Características de chaveamento:
Figura 2-34 – Modelo dinâmico do mosfets.

Figura 2-35 – Resposta dinâmica do transistor ao chavemento

Projeto do circuito atuador de gate do transistor mosfet:
Figura 2-36 – Circuito acionamento com comparador

− É um circuito atuador para baixas freqüências (velocidades de chaveamento);
− R1 e projetado para limitar a corrente do coletor do LM311;
− A resposta da chave depende de R1 (R1 grande, resposta lenta).
Atuador de gate com saída na configuração TOTEM POLE:
Figura 2-36 – Atuador de gate com saída na configuração TOTEM POLE

Circuito de gate com isolamento elétrico:

Figura 2-37 Circuito de gate com isolamento elétrico:
Isolamento usando um simples transformador (para 0<D<0.5):
Figura 2-38 Isolamento usando um simples transformador

Para ciclo de trabalho D arbitrário:
Figura 2-39 Para ciclo de trabalho D arbitrário:

High voltage bridge driver (ir2110):
Características:
− Trabalha até 500v;

− 2 A de pico de saída por canal;
− 25 ns de tempo de chaveamento;
− Freqüência máxima de 1 Mhz;
− Entrada de controle CMOS e
comparadores Schmitt Triggres;
− Fonte de polarização 10-20 V;
− Consumo de 15 mA para 15 V.
Figura 2-40 Driver de 500V para dois
transistores

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados 43
3. Retificadores Não-Controlados
3.1. Introdução
Fig.3.1 Definição de retificador

3.2. Circuitos Básicos
Os retificadores não-controlados envolvem, necessariamente, o uso de
diodos de potência. Assim, a seguir, estão mostrados os principais tipos de
circuitos envolvendo diodos e suas respectivas formas de onda. Estes circuitos
serão mais bem estudados nas seções seguintes, sendo muito importantes em
análises futuras.
Retificador
monofásico de meia-
onda com
carga resistiva.
Retificador
monofásico de
meia-onda com
carga RL.

Retificador
monofásico de
meia-onda com
carga RL e força
eletromotriz.
Retificador
monofásico de
meia-onda com
carga RC.
Retificador monofásico
de meia-onda com carga
LC, ou, circuito
duplicador de tensão.
Circuito inversor de
carga do capacitor.
Retificador monofásico de
onda completa tipo ponte,
com filtro capacitivo.

Circuito equivalente do retificador

monofásico de onda completa, com
filtro capacitivo.
Formas de onda do
retificador monofásico
de onda completa, com
filtro capacitivo.
Figura 3.2 Diferentes tipos de retificadores

3.3. Análises de Retificadores
3.3.1. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga Resistiva
Figura 3.3 Retificador monofásico com carga resistiva.

Ângulo de início da condução do diodo: α = 0.
Ângulo de parada da condução do diodo: β = π.
Ângulo de condução do diodo: γ = β – α = π.

Corrente do circuito:
− i = vo / R, para 0 < ωt < π;
− i = 0, para π < ωt < 2π;
Considerando um caso geral e utilizando a teoria de Fourier, temos:
∞ ∞
v0 = V0 + ∑ an sennwt + ∑ bn cosnwt
n =1 n =1
Onde o valor contínuo (Vo) e os coeficientes (an e bn), que compõem o

“ripple”, são dados pelas expressões abaixo:
1 2π 1 β
V0 = 2π ∫0 v0 dwt = 2π ∫α v0 dwt
1 π 1 β
an = π ∫0 v0 sen(nwt )dwt = π ∫α v0 sen(nwt )dwt
1 π 1 β
bn = π ∫0 v0 cos(nwt )dwt = π ∫α v0 cos(nwt )dwt
O valor eficaz do enésimo harmônico da tensão é dado por:
[a ]
1
1 2 2 2
VnR = n
+b n
2
O valor eficaz ou rms da tensão de saída é:

1
[ ]
1
 1 β 2 2
= v 0 + ∑ vnR
2
VR =  2π ∫ v dwt 
α 0 
2
A tensão de “ripple” vale:

1
[V V]
1
 ∞ 2 2
∑
2 2 2
VR1  VnR  =
=  R
− 0
n=1 
O “fator de Ripple” é definido por:
VR1
Kv =
V0

A série de Fourier da corrente (i) pode ser escrita como:
∑ cn sen(nwt − φn )+ ∑ dn cos(nwt − φn )
∞ ∞
i = I0 +
n=1 n =1
Onde:
V0 ;
! I0 = R
an ;
! cn =
Zn
b
! dn = n ;
Zn
− 1 nwL
! φ = tan , se a carga for RL;
R
! Zn = Impedância da carga para a freqüência nw.
O valor rms do enésimo harmônico da corrente é:
[c ]
1
1 2 2 2
InR = n
+d n
2
O valor rms do ripple da corrente:
[I ]
1
 ∞ 2 2
IR1  ∑ InR  =
2 2 2
= R
−I 0
n=1 
O fator do ripple da corrente:
IR1
Ki =
I0
Assim, teremos o seguinte, para o circuito retificador de meia onda:
1 π 2V
V0 = 2π ∫0
− Tensão contínua: 2 Vsenwtdwt =
π

1
 1 π 2 2 v π v0
− Valor rms de v0:  ∫
 2π 0
2v sen 2 wtdwt  =
 2
=
2
[ ]
1
2 2 2
π2 2
− Contribuição de harmônicos: VRI = VR − V0 = V0  − 1 = 1.211V0
 4 
VR1
− O fator ripple da tensão: K v = = 1.211
V0
3.3.2. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RL
Figura 3.3 Retificador monofásico com carga indutiva

di
Do circuito, temos: v L + v R = v o = v ∴ L + Ri = 2 Vsenwt
dt
2 Vsen(wt − φ ) wL
Solução forçada: i F = e φ = tg − 1
[R ]
1 R
2
+ (wL )2 2
R
−  ⋅ t
Solução natural: i N = Ae  L 
R
[ ]
−  ⋅ t 1
2V
sen(wt − φ) + Ae  L  , onde: Z = R + (wL )
2 2
Solução geral: i = i F + i N = 2
Z
Para t = 0, temos: i = 0. Para o intervalo de 0 < wt < β, temos:

 R
−  t 
2V 2V 
A= senφ ; i = sen(wt − φ ) + e  L
senφ
Z Z  
 
Por fim, i = 0, no intervalo de β < wt < 2π.
O valor de β pode ser calculado para i = 0, em β = wt, ou seja:
 Rβ 
− 
sen(β − φ) + e  wL  senφ =0
Cálculo da corrente média:
di V L di 2V wL di
V−L − Ri = 0 ∴ i = − = ⋅ senwt −
dt R R dt R R dwt
Integrando a equação anterior:
1 β 1 β 2 V wL di 
I0 = ∫
2π 0
idwt = ∫ 
2π 0  R
senwt −  dwt
R dwt 
2V
I0 = (1 − cosβ )
2πr
Assim, a tensão média de saída é:
2V
V0 = R ⋅ I 0 = (1 − cosβ ) V
2π
Obtenção de dados do ckt utilizando curvas normalizadas de corrente:
Z
iN = i
2V
Obtenção das correntes contínua e eficaz:

1
  R 
2 2
 1 β −  t 
− Eficaz: I RN = ∫ sen(wt − φ ) − e  L
senφ d(wt )
0 
 2π   
  

  R
−  t  
 1 β
sen(wt − φ) − e senφ d(wt )

 2π ∫0 
 L
− Contínua: I N =
 
   
2V
Se R << wL ⇒ i = (1 − coswt )
wL
Figura 3.4 Retificador monofásico com carga indutiva muito grande.

O valor médio de i será:
2V
I0 =
wL
A corrente harmônica eficaz:
V I
I 1R = = 0
wL 2
A corrente harmônica:
= [I ]
1
2 2 2
IR 0 + I 1R = 1.225 ⋅ I
A tensão sobre a carga é: VL = v, e o valor médio é: Vo = 0.
V1R I
KV = → ∞ ; K i = 1R = 0.707
V0 I0

Carga RL com diodo free-wheeling:
Figura 3.5 Retificador monofásico com carga indutiva e diodo de retorno.

No primeiro ciclo (0 < wt < π):
V  
R
− t 
i 0 = 2 sen(wt − φ ) + e L senφ
Z 

No segundo ciclo (π < wt < 2π ou 0 < wt’ < π):
R
− t′
i 0 = i D = I 0π e L , onde: wt’ = wt - π
I 0π = i wt = π = i wt'= 0
No final, temos wt’ = 2π, então:
 R  π 
−  
I 02π = I 0π e  L  w 
Depois de vários períodos, I0π e I02π se estabilizarão.
A solução de i0, para o 2o ciclo, é:
2V − (R )t′′
i0 = i = (senwt ′′ − φ) + Ae L
Z
Solução inicial:

i0t’’= 0 = I’02π
Substituindo a solução inicial na equação anterior:
R
2V  2V  − L  t′′
i0 = (senwt ′′ − φ) +  I ′02π +
 senφ e
Z  Z 
Para wt” = π , D2 conduz:
 − (R L )w
π
2V  2V
i0 π = I ′0π =  ′
senφ +  I 02π + senφ e (*)
t′′ = Z Z
w  
No semiciclo seguinte, vo = 0 e iD circula:
i0 = iD = I’0πe - (R/L)(t”- π/w)
Em wt”= 2π:
i0 = I’0πe - (R/L)(π/w) = I’02π (**)
Das equações (*) e (**), obtemos outra, com duas incógnitas:
 −  ( π )
R
2V
senφ 1 + e  L  
 w
Z  

 
I ′ 02π =
( )( ) −( )(π w )
R π
e L w −e L
R
(R L )(π w )
I ′oπ = I ′02π e
Este problema pode ser analisado usando-se análise de Fourier. A

expansão de Vo, em série de Fourier, é a seguinte:
2 2 1 π 1 1 1 
V0 = V  + senwt − cos2wt + cos4wt − cos6wt − K
π 2 4 3 15 35 
O valor da tensão média vale:
2V
V0 =
π
O valor rms de Vo vale:

1
 1 π
VR =  ∫
 2π 0
[ 2Vsenwt] dwt
2  2
=
V
2
A tensão de “ripple”:
1
 V 2 2V 2  2
VRI = − 2  = 0.545V
 2 π 
O fator de “ripple” de tensão:
VR1 0.545π
KV = = = 1.21
V0 2
A corrente io é dada por:
2 2  1 π 1 1 
i0 = V + sen(wt − φ 1 ) − cos(2wt − φ 2 ) − cos(4wt − φ 4 ) − K
π  2R 4Z 1 3Z 2 15Z 4 
Onde:
[
− Z n = R 2 + (nwL )2 ]1
2
;
nwL
− φ n = tan − 1 ;
R
V0 2V
− I0 = = .
R πR
3.3.3. Retificador Monofásico com Carga RL e Força Eletromotriz
Figura 3.6 Retificador monofásico com carga R-L-E.

A componente de i, devido a v, é:

2V
i SF = sen(wt − φ )
Z
[
Z = R 2 + (wL )2 ] 1
2
; φ = tan − 1
wL
R
A componente devido a vc = Vc:
Vc
i CF = −
R
A solução natural:
i N = Ae
−R ( L )t
A corrente total:
2V V − (R )t
i= sen(wt − φ) − c + Ae L , α < wt < (γγ + α = β)
Z R
Vc
m= = senα
2V
Em wt = α e i = 0:
V 2V  (R )(α )
A= c − sen(α − φ ) e L w
R Z 
R = Zcosφ
Aplicando-se as três últimas equações na da corrente total tem-se:
Z  m − (R )t 
i = sen(wt − φ ) −  − Be L  , α < wt < γ + α
2V  cosφ 
Onde:
 m  (R )(α )
B= − sen(α − φ) e L w
 cosφ 

Para determinar γ, basta fazer i = 0, para wt = γ + α. Das duas últimas

equações:
m 
 cosφ  − sen(α + γ − φ) −
γ 
   tgφ 
=e
m 
 cosφ  − sen(α − φ )
 
Tensão na indutância:
dλ 2π
VL = , onde: λ = ∫ w v L dt = 0
dt 0
Tensão no resistor:
VRES =
1 α+ γ
2π ∫0
[ 2Vsenwt − V ]dwt = 0
2V 
2π 
1 − m 2 (1 − cosγ ) − m(γ − senγ )

VRES V
I0 = = RES
R Zcosφ
Z 1  1 − m 2 (1 − cosγ ) − m(γ − senγ )

IN = I0 =
2V 2ππcos  
V0 = RI0 + Vc
 1 α + γ 1 
VR =  
2π  ∫α
( 2Vsenwt ) dwt + ∫α+ γ
2 2π + α 2 
Vc dwt  

2
 
A tensão de ripple é:
[
VRI = VR2 − V02 ]1
2
VR1
KV =
V0
1
 1 α+ γ  Z  2  2
I RN = ∫  i
 2π α  2 V 
 dwt 

 
2V
IR = I RN
Z
I RI
Ki =
I0

3.3.4. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga RC
Figura 3.7 Retificador monofásico com carga R-C.

Quando o diodo D conduz:
1 t
idt + v c (0 ) + Ri = 2 Vsenwt
C ∫0
vc + vR = vo = v∴
A solução forçada é:
2V 1
iF = sen(wt + φ ) ; φ = tan − 1
Z wCR
1
 1 2
Z = R 2 + 
 (wC)2 
A solução natural é:
t
−
i N = Ae RC
t
2V −
i= sen(wt + φ ) + Ae RC
Z
Assumindo t = 0, vc = 0 e i = 0 temos:
2 V  
t
−
i= sen(wt + φ ) − e RC senφ 
Z  
 
O ângulo β pode ser determinado fazendo-se i = 0, wt = β e resolvendo:
β
−
sen(β + φ ) − e wRC senφ =0
3.3.5. Retificador Monofásico de Meia-Onda com Carga LC

Este tipo de circuito também é chamado de duplicador de tensão:
Figura 3.7 Retificador monofásico com carga LC.

Analisando o circuito, durante a condução, temos:
di 1
dt C ∫
VS = L + idt + VC (t = 0)
Observando as condições iniciais: i (t = 0) = 0 e VC (t = 0) = 0, temos:
C 1 t 1
i(t ) = VS senwt e VC (t ) = ∫ idt = VS (1 − coswt ) , onde: w =
L C 0 LC
O circuito se estabiliza no tempo t1, de modo que:
t 1 = π LC ∴ VC = 2VS
3.3.6. Circuito Inversor de Carga do Capacitor
Figura 3.7 Retificador monofásico com carga LC sem fonte CC.

Analisando o circuito, durante a condução, temos:
di 1
idt + Vc (t = 0 ) = 0
dt C ∫
+ L
Observando as condições iniciais: i (t = 0) = 0 e VC (t = 0) = – V0, temos:

C
i(t ) = V0 senwt
L
1
VC (t ) =
C∫
idt − V0 = − V0 coswt
3.3.7. Retificador Monofásico de Onda Completa Tipo Ponte

O retificador monofásico de onda completa tipo ponte, com filtro
capacitivo, é mostrado a seguir.
Figura 3.7 Retificador monofásico tipo ponte completa.

Este retificador pode ser representado pelo circuito equivalente abaixo,
que é bastante similar ao circuito de um retificador de meia-onda, com exceção
ao fato dos dois semiciclos da tensão de alimentação terem a mesma polaridade,
o que modifica um pouco as expressões já analisadas, para o caso de meia-onda.
Figura 3.8 Modelo do Retificador monofásico tipo ponte completa.

As formas de onda são apresentadas abaixo.
Figura 3.9 Formas de onda do retificador monofásico tipo ponte completa.

3.3.8. Retificador Multifásico
É usado em potências maiores que

15 W, diminuindo o nível de harmônicas e
o tamanho do filtro. Sua freqüência
fundamental é f1 = q⋅f e o tempo de
condução de cada diodo é igual a 2π/q.
Figura 3.10 Retificador trifásico de media onda.

As formas de onda são dadas a seguir:
Figura 3.11 Tensão de saída de um retificador trifásico de media onda.

Os valores médio e eficaz da tensão e o valor eficaz da corrente são:
2 πq q π
Vdc = ∫ Vm coswtd(wt ) = Vm sen
2π q 0 π q
1 1
 2 πq 2  2  q π 1 2π   2
Vrms = ∫ Vm cos 2 wtd(wt ) = Vm   + sen 
 2π q 0   2π  q 2 q  
1 1
 2 πq 2  2  1 π 1 2π  2
Is =  ∫ I m cos 2 wtd(wt ) = I m   + sen 
 2π 0   2π  q 2 q 
3.3.9. Retificador Trifásico Tipo Ponte

O circuito do retificador trifásico tipo ponte é mostrado abaixo.
Figura 3.12 Retificador trifásico ponte completa.

A sua forma de onda é dada a seguir.
Figura 3.13 Formas de onda de um retificador trifásico ponte completa.

A tensão de saída é:
2 π6 3 3
Vo = ∫
2π 6 0
3 Vm coswtdwt =
π
Vm = 1.6542Vm
1 1
 1 π6  2 3 9 3 2
Vrms =
π 6
∫0
3Vm cos 2 wtdwt 

=  +
2 4π

 Vm = 1.6554Vm
 
Corrente no diodo:
1 1
 4 π6 2  2 1 π 1 2π   2
Id =  ∫
 2π 0
I m cos 2 wtdwt 

= I m   + sen
π  6 2

6  
= 0.5518Vm
O valor rms da corrente do secundário:

12 12
 8 π6 2  2 π 1 2π 
Is =  ∫
 2π 0
I m cos 2 wtdwt 

= Im  + sen
π6 2

6 
= 0.78Vm
O efeito de fontes e cargas indutivas é mostrado em seguida.
Figura 3.14 Retificador trifásico ponte completa com efeito da indutância de linha Ls.

Capítulo 4 – Retificadores Controlados 61
4 Retificadores Controlados
4.1. Introdução
É uma aplicação típica dos tiristores, onde o tiristor conduz somente após
a aplicação de um pulso no gatilho e pára de conduzir por comutação natural
ou de linha. Se a carga for muito indutiva o tiristor precisará de comutação
forçada. Estes retificadores são simples e têm uma eficiência de 95%. Os
mesmos também podem ser chamados de conversores CA-CC, sendo usados
para controlar a velocidade em máquinas CC de poucos HP até MW. Tanto no
caso monofásico quanto no trifásico, estes conversores podem ser do tipo
semicontrolado, totalmente controlado ou duplamente controlado.
4.2. Princípio de Operação
Figura 4.1 Retificador monofásico de media onda.

Este retificador não é muito utilizado industrialmente, pois contém muitas
harmônicas. Sua tensão média de saída é:
1 π V V
VDC = ∫ Vm senwtd(wt ) = m [− coswt ]απ = m (1 + cosα )
2π α 2π 2π
A tensão eficaz de saída é dada por:
1 1
 1 π 2 V2 π 2
VRMS =  ∫
2
Vm sen 2 wtd(wt ) = m ∫α (1 − cos2wt )dwt 
 2π α   4π 
1
Vm 1  sen2α   2
VRMS = π π − α + 
2   2 

O circuito de disparo é sincronizado na freqüência de linha, conforme

mostrado na figura 4.2:
Figura 4.2 Alternativa de sincronismo para o retificador monofásico de onda completa.

A seguir, é mostrado o caso do retificador trifásico de meia onda
controlado:
Figura 4.3 Retificador trifásico de media onda.

Os valores médio, médio normalizado e eficaz da tensão de saída são
mostrados abaixo:
3 5π 6 + α 3 3
VDC = ∫π
2π + α
Vm senwtdwt =
2π
Vm cosα
6

VN = cosα
1 1
 3  5π 6 + α 2  2 1 3 2
VRMS =   ∫ Vm sen 2 wtd(wt )  = 3 Vm  + cos2α 
 2π  π 6 +α   6 8π 
4.3. Retificadores Controlados Monofásicos

4.3.1. Retificador Semicontrolado
Figura 4.4 Retificador monofásico hibrido.

A tensão média de saída é dada por:
2Vm
VDC =
2 π
∫ Vm senwtdwt = [− coswt]απ = Vm (1 + cosα )
2π α 2π π
O valor normalizado da tensão média é:
VDC
VN = = 0.5(1 + cosα )
VDCmax
O valor da tensão eficaz de saída é:

1 1
 2 π 2 2 V2 π 2
VRMS =  ∫ Vm sen 2 wtdwt  = m ∫α (1 − cos2wt )dwt 
 2π α   2π 
1
V 1  sen2α   2
VRMS = m  π − α + 
2 π  2  
4.3.2. Retificador Totalmente Controlado

É aplicado para potências de até 15 kW, sendo os tiristores comutados pela
tensão da linha de forma natural.
Figura 4.4 Retificador monofásico ponte completa totalmente controlado.

Do gráfico, temos:
− Modo Retificador: Intervalo [α, π]; v, i > 0; potência > 0; Fonte → Carga.
− Modo Inversor: Intervalo [π, π + α]; v < 0; i > 0; potência < 0; Carga → Fonte.
2 π +α 2Vm 2Vm
VDC = ∫ Vm senwtdwt = [− coswt ]α =
π+α
cosα
2π α 2π π
O valor normalizado da tensão média é:

2Vm
VDCmax = ⇒ VN = cos(α )
π
O valor da tensão eficaz de saída é:
1 1
 2 π +α 2 2  Vm2
π +α 2
VRMS =  ∫ Vm sen 2 wtdwt  = ∫α (1 − cos2wt )dwt 
 2π α   2π 
Vm
VRMS =
2
4.3.3. Retificador Duplamente Controlado
Figura 4.5 Retificador monofásico duplamente controlado.
2VM 2VM
VDC1 = cosα 1 e VDC2 = cosα 2
π π
VDC1 = − VDC2 ∴ cosα 2 = -cosα 1 = cos(π - α 1 )∴α 2 = π − α 1

O indutor L r serve para limitar a corrente que circula pela fonte.

1 wt 1 wt
ir =
wL r ∫−α 1
v r dwt =
wL r ∫−α (vo1 − v o2 )dwt
1
Vm  wt 2Vm
− senwtdwt − ∫ senwtdwt  =
wt
ir =  ∫ (coswt − cosα 1 )
wL r  −α 1 −α 1  wL r
4.3.4. Retificadores Controlados Monofásicos em Série
Usados em aplicações de alta tensão e melhoramento do fator de potência.
Figura 4.6 Retificador monofásico ligados em serie.

Vm V
VDC1 = (1 + cosα 1 ) e VDC2 = m (1 + cosα 2 )
π π
Vm
VDC = VDC1 + VDC2 = (2 + cosα 1 + cosα 2 )
π

O valor máximo da tensão média, VDCmax, é obtido em α1 = α2 = 0, sendo

igual a 4Vm/π. O valor normalizado da tensão média é dado por intervalos
abaixo:
− Para 0 ≤ α1 ≤ π e α2 = π:
Vm
VDC = VDC1 + VDC2 = (1 + cosα 1 )
π
VDC
VDCN = = 0.25(1 + cosα 1 )
VDCmax
− Para α1 = 0 e 0 ≤ α2 ≤ π:
Vm
VDC = VDC1 + VDC2 = (3 + cosα 2 )
π
VDC
VDCN = = 0.25(3 + cosα 2 )
VDCmax
Outro exemplo de retificador ligado em série é mostrado a seguir:
Figura 4.6 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie.

Figura 4.6 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie.Exemplo-2.
4.4. Retificadores Controlados Trifásicos

Retificador Semicontrolado
Figura 4.7 Retificador trifásico híbrido controlado
 π
v an = Vm senwt v ac = v an − v cn = 3 Vm sen wt − 
 6
 2π   5π 
v bn = Vm sen wt −  v ba = v bn − v an = 3 Vm sen wt − 
 3   6 
 2π   π
v cn = Vm sen wt +  v cb = v cn − v bn = 3 Vm sen wt + 
 3   2
Para α ≥ π/3, os valores médio e eficaz da tensão de saída são:
3 7π 6 3 7π 6  π 3 3 Vm
VDC = ∫ v ac dwt = ∫ 3 Vm sen wt − dwt = (1 + cosα )
2π π 6 +α 2π π 6 + α  6 2π
1 1
 3 7π 6  π 2  3  1  2
∫
2
VRMS = 3Vm sen 2  wt − dwt  = 3 Vm   π − α + sen2α  
 2π π 6 + α  6   4π  2 

4.4.1. Retificador Totalmente Controlado
Figura 4.8 Retificadores totalmente controlados monofásico ligados em serie.
 π
v an = Vm senwt v ab = v an − v bn = 3 Vm sen wt + 
 6
 2π   π
v bn = Vm sen wt −  v bc = v bn − v cn = 3 Vm sen wt − 
 3   2
 2π   5π 
v cn = Vm sen wt +  v ca = v cn − v an = 3 Vm sen wt + 
 3   6 
Os valores médio, médio normalizado e eficaz da tensão de saída são:
3 π 2+α 3 π 2+α  π 3 3 Vm
VDC =
π ∫π 6 + α
Vab dwt = ∫
π π 6 + α
3Vm sen wt + dwt =
 6 π
cosα
VN = cosα
1 1
 3 π 2+α 2  π 2 1 3 3 2
VRMS =  ∫ 3Vm sen 2  wt + dwt  = 6 Vm  + cos2α 
 π π 6+α 6 
  4 8π 

4.4.2. Retificador Duplamente controlado
Figura 4.9 Retificador Dual.

4.5. Considerações Sobre Projetos de Retificadores
Os tiristores e diodos devem ser especificados, para uso nos retificadores
controlados, devem sempre considerar o pior caso (α = 0). Deve-se determinar o
IDC, IRMS, IP, Vpico reverso. Eis alguns parâmetros de comportamento dos
retificadores:
− Tensão média de saída: VDC;
− Corrente média de saída: IDC;
− Potência média de saída: PDC = VDC·IDC;
− Tensão eficaz de saída: VRMS;
− Corrente eficaz de saída: IRMS;
− Potência de saída AC: PAC = VRMS⋅IRMS (contínua + harmônicos);

PDC
− Eficiência ou taxa de retificação: η = ;
PAC
2 2
− O valor RMS efetivo: VAC = VRMS − VDC ;
VRMS
− Fator de forma: FF = ;
VDC
2
V V 
− Fator de Ripple: FR = AC =  RMS  − 1 = FF 2 − 1 ;
VDC  VDC 
PDC
− Fator de utilização do transformador: TUF = , sendo VS e IS valores
VS I S
eficazes da tensão e corrente no secundário do transformador;
− Ângulo de deslocamento: φ (Ângulo entre a tensão de entrada e a harmônica

fundamental da corrente de entrada);
− Fator de deslocamento: FD = cos φ;
1 1
 I S2 − I 21 2  I 
2 2
− Fator harmônico da corrente de entrada: FH =   =  S  − 1 ,
  I 21  I 1  
   
onde I1 é o valor eficaz da componente fundamental e IS é o valor eficaz da
corrente do secundário do transformador;
VS I 1 cosφ I 1
− Fator de potência: FP = = cosφ .
VS I S IS

Capítulo 5 – Choppers 73
5 Choppers
5.1. Introdução
Para uma tensão CC de entrada fixa, os choppers, ou conversores CC-CC,
controlam a tensão CC média de saída, pela variação do tempo de condução do
dispositivo semicondutor de potência em uso. É aplicado na regulação de
tensão de fontes chaveadas e no controle de máquinas.
Figura 5.1 Representação de Chopper a nível de bloco.

A figura-1 mostra um chopper com transistor, onde, para fins de análise,
considera-se ideais a fonte de entrada e as chaves, além do circuito em regime
permanente.
Figura 5.2 Representação de Chopper redutor a transistor.

O controle de um conversor CC-CC é feito pelo valor médio e/ou pela
freqüência do sinal aplicado, ao gatilho, da chave de operação do circuito
conversor. O mais comum é controlar o valor médio, deste sinal, através da
variação do tempo de condução (ton) e do tempo de desligamento (toff) da chave,
para um período de chaveamento (Ts = ton + toff) fixo. Assim, este controle,
conhecido como PWM (Pulse-Width Modulation), controla o ciclo de trabalho
(D) da chave, definido por: D = ton /Ts.

Figura 5.3 tecnica PWM para chopper.

O diagrama de blocos do circuito de controle e suas principais formas de
onda são mostrados na figura a seguir, onde: D = Vcontrol / Vst.
Figura 5.4 Diagrama de bloco de um CI PWM

5.3. Conversor Buck (Redutor de Tensão ou Step-Down)
Figura 5.5 Chopper redutor ou step down

Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda são mostrados
a seguir, para o modo de condução contínuo, onde a corrente do indutor nunca
é menor que zero (iL(t) ≥ 0).

Figura 5.6 Tensão sobre o indutor de um choopper redutor.

Pela conservação de energia, sabe-se que as áreas A e B são iguais, assim:
Vo t on
∫0 VL dt + ∫t on VL dt = 0 ∴ (Vd − Vo ) ⋅ t on − Vo ⋅ (Ts − t on ) = 0 ∴ Vd = Ts = D
t on Ts
Considerando que as perdas no chopper sejam nulas, tem-se:

I V
Pin = Pout ∴ Vd ⋅ I d = Vo ⋅ I o ∴ d = o = D
I o Vd
O ripple da tensão de saída de um conversor Buck pode ser observado nas

formas de onda da figura abaixo:
Figura 5.7 Ripple na saída de um choopper redutor.

Considerando a expressão física, que relaciona tensão e corrente no

indutor, e que o indutor possui tensão (VL), somente em toff, tem-se:
dI L ∆I L ∆I V V
vL = L ⋅ ∴ VL = L ⋅ ∴ Vo = L ⋅ L ∴ ∆I L = o ⋅ t off ∴ ∆I L = o ⋅ (1 − D )⋅ Ts
dt ∆t t off L L
Matematicamente, o triângulo, cuja área é ∆Q, possui uma altura igual a

∆IL/2 e uma base igual a Ts/2, de modo que:
Q ∆Q 1 1 T ∆I T ⋅ ∆I L
V= ∴ ∆Vo = ∴ ∆Vo = ⋅ ⋅ s ⋅ L ∴ ∆Vo = s
C C C 2 2 2 8⋅C
Ts  Vo  (1 − D)⋅ Ts2
∆Vo = ⋅ ⋅ (1 − D )⋅ Ts  ∴ ∆Vo = ⋅ Vo
8⋅C  L  8⋅L⋅C
Sabendo que fc (= 1/2π√(LC)) é a freqüência natural e fs (= 1/Ts) é a

freqüência de chaveamento, tem-se que o ripple percentual é:
∆Vo (1 − D )⋅ Ts2 ∆Vo (1 − D )⋅ π 2

2
f 
= ∴ = ⋅  c 
Vo 8⋅L⋅C Vo 2  fs 
5.4. Conversor Boost (Elevador de Tensão ou Step-Up)
Figura 5.8 Chopper elevador de tensão.

Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda do conversor
Boost são mostrados a seguir, com a comparação entre os ganhos (Vo/Vd) ideal
(tende ao infinito) e real (satura por efeito de elementos parasitas) do conversor.
Figura 5.9 Modos de trabalho em um chopper elevador.

Figura 5.10 Tensão no indutor e função de transferencia do conversor.

VL dt + ∫ VL dt = 0 ∴ Vd ⋅ t on + (Vd − Vo ) ⋅ (Ts − t on ) = 0
t on Ts
∫0 t on
Vd Ts − t on V 1
Vd ⋅ Ts + Vo ⋅ t on − Vo ⋅ Ts = 0 ∴ = = 1 − D∴ o =
Vo Ts Vd 1 − D
I d Vo 1
Pin = Pout ∴ Vd ⋅ I d = Vo ⋅ I o ∴ = =
I o Vd 1 - D
O ripple da tensão de saída de um conversor Boost pode ser observado

nas formas de onda da figura abaixo:
Figura 5.101Corrente no capacitor e tensão de saída.

Como a carga líquida do capacitor, num período (Ts), é igual a zero, tem-se
que as áreas azul e vermelha, na figura acima, são iguais, sendo dadas por:

Vo
∆Q = I o ⋅ (D ⋅ Ts )∴ ∆Q = ⋅ (D ⋅ Ts )
R
Sabendo que τ (= RC) é constante de tempo do circuito e utilizando a

expressão da carga do capacitor, tem-se que o ripple percentual é:
Q ∆Q I o ⋅ (D ⋅ Ts ) V (D ⋅ Ts ) ∆Vo D ⋅ Ts
V= ∴ ∆Vo = = ∴ ∆Vo = o ⋅ ∴ =
C C C R C Vo τ
5.5. Conversor Buck-Boost (Fly-Back)
Figura 5.11 Chopper Flyback.

As formas de onda do conversor Buck-Boost são mostradas a seguir,
incluindo a comparação entre os ganhos (Vo/Vd) ideal (tende ao infinito) e real
(satura em 1, devido ao efeito de elementos parasitas) do conversor.
Figura 5.11 Tensão sobre o indutor e função de transferencia.

t on Ts
∫0
VL dt + ∫ VL dt = 0 ∴ Vd ⋅ t on − Vo ⋅ t off = 0
t on
Vo D
Vd ⋅ D ⋅ Ts = Vo ⋅ (1 − D ) ⋅ Ts ∴ =
Vd 1 − D

I d Vo D
I o Vd 1 - D
O ripple da tensão de saída de um conversor Buck-Boost pode ser

observado nas formas de onda da figura abaixo:
Figura 5.12 Corrente sobre o copacitor e ripple de saída.

Como a carga líquida do capacitor, num período (Ts), é igual a zero, tem-se
que as áreas azul e vermelha, na figura acima, são iguais, sendo dadas por:
Vo
∆Q = I o ⋅ (D ⋅ Ts )∴ ∆Q = ⋅ (D ⋅ Ts )
R
Sabendo que τ (= RC) é constante de tempo do circuito e utilizando a

expressão da carga do capacitor, tem-se que o ripple percentual é:
Q ∆Q I o ⋅ (D ⋅ Ts ) V (D ⋅ Ts ) ∆Vo D ⋅ Ts
V= ∴ ∆Vo = = ∴ ∆Vo = o ⋅ ∴ =
C C C R C Vo τ
Uma maneira empregada para isolar a entrada da saída do conversor é

utilizar um transformador, desempenhando o papel do indutor:
Figura 5.12 Circuito Fly Back com acoplamento de transformador

5.6. Conversor Cuk
Figura 5.13 Chopper tipo Cuk.

Os circuitos equivalentes, para ton e toff, e as formas de onda do conversor
Cuk são mostrados abaixo.
Figura 5.14 Modos de trabalho e formas de onda sobre os indutores.

Em regime, tem-se que:
VL1 = 0 e VL2 = 0 ∴ Vd + Vo = VC1

Pela conservação de energia, tem-se:
− L1:
VL1 dt + ∫ VL1 dt = 0 ∴ (Vd − VC1 ) ⋅ t off + Vd ⋅ t on = 0

t on Ts
∫ 0 t on
Vd
(Vd − VC1 )⋅ (1 − D )⋅ Ts + Vd ⋅ D ⋅ Ts = 0 ∴ VC1 =
1−D
− L2:
VL2 dt + ∫ VL2 dt = 0 ∴ − Vo ⋅ t off + (VC1 − Vo ) ⋅ t on = 0

t on Ts
∫0 t on
Vo
− Vo ⋅ (1 − D ) ⋅ Ts + (VC1 − Vo ) ⋅ D ⋅ Ts = 0 ∴ VC1 =
D
Igualando as expressões obtidas, para VC1, tem-se:
Vd V V D
VC1 = = o∴ o =
1 − D D Vd 1 − D
I d Vo D
I o Vd 1 - D
5.7. Conversor Tipo Ponte
Figura 5.15 Chopper tipo ponte

A tensão e a corrente de carga são tanto positivas quanto negativas, sendo
chamado, também, de chopper classe E ou chopper de quatro quadrantes. Suas
formas de onda são mostradas na Figura abaixo.

Figura 5.15 Formas de onda para uma ponte tipo ponte.

As chaves TA+
e TB– ficam no estado “on”, enquanto as chaves TA– e TB+
ficam no estado “off” e vice-versa. As expressões do sinal de controle (Vcont)
escolhido e do tempo de condução (ton), determinado pelo sinal de controle,
estão abaixo:
v cont =
t1 ˆ e t = 2t + Ts
Vtri on 1
ts 4 2
Utilizando estas expressões, é possível expressar o ciclo de trabalho, com a

chave ativa (D1), em função das tensões de controle (Vcont) e de pico da onda
triangular ( V̂tri ):
t on 1  v 

D1 = = 1 + cont
Ts 2  ˆ
V tri


Da forma de onda de VAN – VBN e sabendo que D2 é o ciclo de trabalho,

para a chave está desativada (D2 = toff/Ts = 1 – D1), tem-se que:
1
Vo = ⋅ (t on ⋅ Vd − t off ⋅ Vd ) = D 1 ⋅ Vd − D 2 ⋅ Vd ∴ Vo = (2 ⋅ D 1 − 1) ⋅ Vd
Ts
Usando a relação entre D1 e as tensões Vcont e V̂tri , tem-se que o valor

médio (Vo) de VAN – VBN é dado por:
Vd
Vo = ⋅ Vcont
ˆ
Vtri

Outra forma de obter o mesmo valor médio da tensão de saída (Vo),

porém, sendo esta tensão unipolar, é mostrada nas formas de onda abaixo, onde
a corrente de saída (io) passa a ser bipolar.
Figura 5.16 Formas de onda para uma ponte tipo ponte com modulação unipolar.

Capítulo 6 – Inversores 84
6 Inversores
6.1. Introdução
Os inversores, ou conversores CC-CA, fornecem tensões CA, na saída, a
partir de tensões CC, na entrada, por meio da comutação (chaveamento)
adequada dos dispositivos semicondutores de potência utilizados. Possuem
dois tipos, monofásico e trifásico. Suas entradas podem ser baterias, células
solares etc. e suas saídas típicas dependem do tipo, isto é:
− Monofásicas: 220 V, 50Hz; 120 V, 60Hz; 115 V, 400Hz.

− Trifásicas: 220/380 V, 50Hz; 120/208 V, 60Hz; 115/200 V, 400Hz.
Figura 6.1 Definição de inversor.

É aplicado em fontes de potência ininterruptas ou de emergência,
atuadores de máquinas CA, fornos de indução etc.. A figura abaixo mostra um
inversor monofásico com MOSFETs.
Figura 6.2 Inversor monofásico tipo ponte.

Além da classificação em monofásico e trifásico, os inversores também são
divididos de acordo com:
− Técnica de comutação utilizada:

! Inversor com modulação de largura de pulso;

! Inversor ressonante;
! Inversor com comutação auxiliar;
! Inversor com comutação complementar.
− Tipo de fonte de entrada:
! Inversor de Fonte de Tensão, do inglês Voltage Source Inverter (VSI);

! Inversor de Fonte de Corrente, do inglês Current Source Inverter (CSI).

O princípio de operação do inversor pode ser entendido, através da figura
abaixo, que consiste em um inversor de meia-ponte, formado por dois
choppers, devendo ser notado que a tensão sobre um transistor, no estado “off”,
é igual a duas vezes a tensão da fonte.
Figura 6.3 Inversor monofásico de media ponte

Somente o transistor Q1 conduz, durante To/2, sendo a tensão instantânea,
sobre a carga, igual à tensão de uma das fontes CC (vo = Vss). Para uma carga
indutiva, a corrente não muda imediatamente, com a tensão de saída, isto é,
quando Q1 é cortado, em t = To/2, a corrente da carga continua fluindo, através
de D2, da carga e da fonte superior, até cair a zero. Um processo semelhante
ocorre para Q2 e D1, no intervalo de tempo t = To/2 até t = To, sendo a tensão
instantânea, na carga, igual à tensão da fonte, porém, negativa (vo = – Vss).
Quando os diodos conduzem, a energia está sendo devolvida à fonte CC. A
figura acima também mostra as formas de onda da tensão e da corrente, numa
carga puramente indutiva, onde cada transistor conduz somente 90o; contudo,
dependendo do fator de potência da carga, este período de condução pode
variar desde 90 até 180o.
A tensão de saída é dada por:
− Instantânea:

∞
2 ⋅ (2Vss )
vo = ∑ ⋅ sen(n ⋅ ωt )
n = 1,3,5,... n⋅π
− RMS:
1/2
 1 To 
Vo =  ⋅ ∫ Vss2 dt  ∴ Vo = Vss
 To
0

As estruturas básicas do atuador de controle e do circuito de potência do

inversor são mostradas na figura a seguir, sabendo que o circuito lógico é
projetado de maneira que Q1 e Q2 não conduzam simultaneamente.
Figura 6.4 Inversor com realimentação de corrente.

Os parâmetros de performance dos inversores são citados a seguir, onde Vn é
o valor eficaz (RMS) do enésimo harmônico:
− Fator Harmônico:
Vn
FH =
V1
− Distorção Harmônica Total:
1/2
1  
DHT = ⋅  ∑ Vn2 
V1  n = 2,3,... 
− Fator de Distorção:
1/2
1   Vn  
2
FD = ⋅ ∑  2  
V1  n = 2,3,...  n  

− Fator de Distorção Individual:
Vn
FD n =
V1 ⋅ n 2
6.3. Inversor Monofásico em Ponte
Figura 6.5 Inversor monofásico tipo ponte.

Após explicar o princípio de funcionamento dos inversores, através de um
inversor monofásico meia-ponte, a figura acima mostra o inversor monofásico
tipo ponte e suas formas de onda. Pode-se dizer que este tipo de inversor é
formado por quatro choppers, onde os semicondutores conduzem aos pares
(D1–D2, Q1–Q2, D3–D4, Q3–Q4).
A tensão de saída é dada por:
− Instantânea:
∞
4Vs
vo = ∑ ⋅ sen(n ⋅ ωt )
n = 1,3,5,... n ⋅ π
− Componente fundamental (n = 1):
4Vs
V1 = ∴ V1 = 0,9Vs
2 ⋅π
− RMS:
1/2
 2 To /2 
Vo =  ⋅ ∫ Vs2 dt  ∴ Vo = Vs
 To 0 
6.4. Inversor Trifásico

Figura 6.5 Inversor trifásico com três ponte monofásicas.

Geralmente, os inversores trifásicos são utilizados em aplicações de
potência elevada. Na figura acima, três inversores monofásicos de meia-ponte
ou ponte completa são conectados em paralelo, para formar a configuração de
um inversor trifásico. Para que as tensões trifásicas fundamentais obtidas sejam
equilibradas, é necessário que os sinais de comando dos inversores monofásicos
sejam adiantados ou atrasados de 120o, um em relação ao outro. Os
enrolamentos primários dos transformadores devem ser isolados, uns dos
outros, já os secundários podem ser conectados em estrela ou em triângulo,
sendo mais empregada a ligação em estrela, por eliminar os harmônicos triplos
(n = 3, 6, 9, ...) das tensões de saída. Se as tensões de saída dos inversores
monofásicos não forem perfeitamente equilibradas, em amplitude e fase, as
tensões de saída trifásicas serão desequilibradas.

6.5. Inversor Trifásico em Ponte
Figura 6.6 Inversor trifásico.

Uma saída trifásica também pode ser obtida por uma configuração com
seis transistores e seis diodos, como na figura acima, onde podem ser
empregados dois tipos de sinais de controle, nos transistores, um de 180o de
condução e outro de 120o. Neste trabalho, somente será tratado o controle por
condução de 180o, na qual, conforme sugere seu nome, cada transistor conduz
por 180o, de maneira que três transistores permanecem conduzindo em
qualquer instante de tempo. Os sinais de comando são mostrados na figura
acima, onde estão defasados 60o uns dos outros, para que as tensões trifásicas
fundamentais de saída sejam equilibradas.
Desta forma, quando Q1 conduz, o terminal a é conectado ao positivo da

fonte CC. Ao entrar Q4, o terminal a é levado ao negativo da fonte CC. Assim,
existem seis modos de operação de 60o, em cada ciclo. Os transistores são
numerados de acordo com sua seqüência de comando, por exemplo: 123, 234,
345, 456, 561 e 612.

A carga pode ser ligada em triângulo, onde as correntes podem ser

diretamente determinadas das tensões de linha, ou estrela, onde as tensões
entre fase e neutro têm de ser encontradas, a fim de determinar as correntes.
Este procedimento pode ser feito considerando que, em cada semiciclo, existem
três modos de condução, mostrados na figura abaixo (carga em estrela), onde
também pode ser observada a forma de onda, entre a fase a e o neutro, com os
valores da tensão já calculados, para cada modo citado.
Figura 6.7 Modos de trabalho do inversor trifásico.

Tensão de linha de saída é dada por:
− Instantânea:
∞
4Vs n⋅π  π
v ab = ∑
n = 1,5,7,... n ⋅ π
⋅ cos  ⋅ sen ωt + 
 6   6
∞
4Vs n⋅π  π
v bc = ∑
n = 1,5,7,... n ⋅ π
⋅ cos  ⋅ sen ωt − 
 6   2
∞
4Vs n⋅π  7⋅π
v ca = ∑
n = 1,5,7,... n ⋅ π
⋅ cos  ⋅ sen ωt −
 6  

6 
− Componente de linha fundamental (n = 1):
4Vs ⋅ cos30°
VL1 = ∴ V1 = 0,7797 ⋅ Vs
2 ⋅π
− RMS:
1/2
 2  2
⋅ ∫ Vs2 d(ωt ) ∴ Vo =
2ππ/
VL =  Vs
2⋅π 0
 3
A tensão eficaz de saída, entre fase e neutro, é dada por:

VL 2 ⋅ Vs
VF = = ∴ VF = 0,4714 ⋅ Vs
3 3
Com cargas resistivas, os diodos em paralelo com os transistores não têm

função. Caso a carga fosse indutiva, a corrente, em cada ramo do inversor, seria
atrasada, em relação a sua tensão. Assim, quando o transistor Q4 cortar, o único
caminho para a corrente negativa de linha seria através de D1. Com isso, o
terminal a da carga seria conectado à fonte CC, através do diodo D1, até a
corrente inverter sua polaridade. Durante este período de tampo, Q1 não
conduz. Como o tempo de condução varia com o fator de potência da carga, os
transistores têm de ser continuamente excitados.
6.6. Inversor de Fonte de Corrente (IFC)
Figura 6.8 Inversor de corrente monofásico.

Nos casos anteriores, os inversores são alimentados por uma fonte de
tensão e a corrente de carga é forçada a variar entre o positivo e o negativo e
vice-versa; sendo empregados chaves de potência, com diodos de comutação,
no caso de cargas indutivas. Já no inversor de fonte de corrente (IFC), a entrada
comporta-se como uma fonte de corrente, enquanto a corrente de saída é
mantida constante, independentemente da carga, e a tensão de saída é forçada a
variar. O diagrama do IFC monofásico transistorizado e a forma de onda da
corrente de saída são mostrados na figura acima. Como a fonte exige um fluxo
contínuo de corrente, duas chaves sempre conduzirão, uma na parte superior e
outra na inferior, sendo a seqüência de operação dada por: 12, 23, 34 e 41. Os
diodos em série bloqueiam tensões reversas nos transistores.

Figura 6.9 Inversor de corrente a tiristores.

Conforme mostra a figura acima, no IFC tiristorizado, a comutação é feita
apenas utilizando capacitores. A figura abaixo ilustra a operação do circuito,
durante um semiciclo, assim como suas formas de onda. Para fins de análise,
considera-se que T1 e T2 estão conduzindo e os capacitores C1 e C2 estão
carregados com a polaridade mostrada. Então, o disparo de T3 e T4 polariza
reversamente T1 e T2, que são desligados, através de comutação por impulso.
Agora, a corrente circula através de T3-C1-D1, carga e D2-C2-T4. Assim, os
capacitores C1 e C2 são descarregados e recarregados, em uma taxa constante,
determinada pela corrente de carga. Quando C1 e C2 são carregados, para a
tensão de carga, e suas correntes caem a zero, a corrente de carga é transferida
de D1 para D3 e de D2 para D4. D1 e D2 são desligados quando a corrente de
carga for completamente invertida. Neste momento, os capacitores estão
prontos para desligar T3 e T4, se T1 e T2 forem disparados no próximo semiciclo.
O tempo de comutação depende da amplitude da corrente e da tensão da carga.
As expressões das formas de onda são mostradas a seguir.
Figura 6.10 Forma de trabalho do inversor de corrente a tiristores.

IL + io
i c = i o + i d = i o + (I L − i c )∴ i c =
2
∴ i c = I L e − t 2R oC

ic IL + io di di I + io
∫ C dt + R i = 0∴
L o
2C
+ Ro o = 0∴ o = − L
dt dt 2R L C
∴ i o = 2I L e − t 2R oC − I L
A figura abaixo ilustra um inversor trifásico corrente-tensão, com carga

indutiva, assim como, os períodos de condução de cada semicondutor, as
tensões de fase e a corrente da fase “A”.
Figura 6.11 Inversor de corrente a tiristores.

6.7. Controle de Tensão de Inversores Monofásicos
Há várias técnicas de controle do ganho e, conseqüentemente, da tensão
de saída, de um inversor, sendo o controle por modulação da largura de pulso
(PWM) o mais eficiente. Os objetivos do controle de tensão, nos inversores em
geral, são:
− Manter a tensão de saída independente de variações na tensão de entrada;

− Manter a tensão de saída independente da carga (regulação);
− Manter constante a relação entre a tensão e a freqüência de saída.
As técnicas mais comumente utilizadas são tratadas a seguir:
− Modulação por Largura de Pulso Único: Existe somente um pulso por

semiciclo e a sua largura é variada, para controlar a tensão de saída do inversor.
A figura abaixo mostra os sinais de comando e a tensão de saída do inversor
monofásico em ponte completa. Os sinais de comando são gerados por
comparação, entre um sinal de referência retangular de amplitude Ar e uma

onda portadora triangular de amplitude Ac. A freqüência do sinal de referência

determina a freqüência fundamental da tensão de saída. Pela variação de Ar,
desde 0 até Ac, a largura do pulso (δ) pode ser variada de 0 até 180o. A relação
entre Ar e Ac é a variável controlada, sendo definida como índice de modulação:
(M). A figura abaixo também mostra o perfil de harmônicos com a variação de
M, onde o harmônico dominante é o terceiro e fator de distorção aumenta
bastante, para baixas tensões de saída. As expressões do índice de modulação
(M), da tensão eficaz de saída (Vo), da série de Fourier da tensão de saída (vo) e
da largura de pulso (δ) são mostradas abaixo.
Figura 6.11 Técnica de modulação por largura de pulso.

Ar
M=
Ac
12
 2 (π + δ ) 2  δ
Vo =  ∫( V d(wt )
s
2
= Vs
π −δ ) 2
 2π  π
∞
4Vs nδ
vo (t ) = ∑ sen sen(nwt )
n = 1,3,5,K nπ 2
δ = π⋅M

− Modulação por Largura de Pulsos Múltiplos: O uso de muitos pulsos, em

cada semiciclo da tensão de saída, pode reduzir o conteúdo harmônico. A
figura abaixo mostra a geração dos sinais de comando dos transistores e a
tensão de saída, para inversores monofásicos. Esta geração permite ligar e
desligar os transistores, sendo feita por comparação por comparação de um
sinal de referência com uma portadora triangular. A freqüência do sinal de
referência estabelece a freqüência de saída (fo) e a freqüência da portadora (fc)
determina o número de pulsos, por semiciclo (p). O índice de modulação (M)
controla a tensão de saída e sua variação de 0 até 1 varia largura de pulso de 0
até π/p e a tensão de saída de 0 até Vs. A figura a seguir também possui o perfil
de harmônicos pela variação de modulação, para cinco pulsos por semiciclo,
onde o fator de distorção é bem menor que aquele da modulação por pulso
único; porém, devido ao maior número de processos de chaveamento dos
transistores, aumenta as perdas. As expressões do número de pulsos por
semiciclo (p), da tensão eficaz de saída (Vo), da série de Fourier da tensão de
saída (vo, onde o valor de Bn pode ser encontrado por um par de pulsos, com
duração de δ, sendo que o positivo começa em ωt = α, enquanto o negativo
começa em ωt = π+α) e da largura de pulso (δ) são mostradas abaixo.
Figura 6.12 Técnica de modulação por mutipulso

fc m
p= = f , onde mf = fc/fo é a razão da freqüência de modulação.
2 ⋅ fo 2

12
 2P (π P + δ ) 2 2  P⋅δ
Vo =  ∫ Vs d(wt ) = Vs
 2π ( π P − δ ) 2
 π
∞
vo (t ) = ∑B n ⋅ sen(nwt )
n = 1,3,5,K
π
δ= M
P
− Modulação por Largura de Pulsos Senoidal: A largura de cada pulso é

variada, em proporção à amplitude de uma onda senoidal, analisada no centro
do mesmo pulso. O fator de distorção e os harmônicos de mais baixa ordem são
reduzidos de maneira significativa. A figura abaixo mostra a tensão instantânea
de saída (considerando que dois transistores do mesmo ramo não podem
conduzir ao mesmo tempo). Além disso, a figura também mostra os sinais de
comando, os quais são gerados através da comparação de um sinal de
referência senoidal com uma portadora triangular de freqüência fc. A
freqüência do sinal de referência (fr) determina a freqüência de saída do
inversor (fo) e sua amplitude máxima (Ar) controla o índice de modulação (M),
que, por sua vez, controla a tensão eficaz de saída (Vo). O número de pulsos por
semiciclo depende da freqüência da portadora. Na figura a seguir, também
pode ser observado que os mesmos sinais de comando podem ser gerados via
uma onda portadora triangular unidirecional. Além disso, a figura mostra o
perfil de harmônicos da modulação senoidal, para cinco pulsos por semiciclo,
sendo o fator de distorção bastante reduzido, quando comparado àquele da
modulação por pulsos múltiplos. As expressões da tensão eficaz de saída (Vo,
estendida da expressão do valor médio, para modulação por pulsos múltiplos),
e da série de Fourier da tensão de saída (vo, semelhante ao caso anterior).
Figura 6.13 Técnica de modulação modulação senoidal

12
 P δ 
Vo = Vs  ∑ m 
 n= 1 π 
∞
vo (t ) = ∑B n ⋅ sen(nwt )
n = 1,3,5,K
Outros tipos de técnicas de controle de tensão bastante difundidas são a

Modulação por Largura de Pulsos Senoidal Modificada

Capítulo 7 –Aplicações em fontes de alimentação 98
7 - APLICAÇÕES A FONTES DE ALIMENTAÇÃO

========================================================
7.1 Introdução
Figura 7.1 Esquema de uma fonte de alimentação CC chaveada ( 70% < η < 60%)
Figura 7.2 Fonte de Alimentação CC Linear ( 30% < η < 60%) recomendável para
potências < 25W
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA Prof. Andrés Ortiz Salazar

7.2 Fontes Chaveadas vs Fontes Lineares
• Fonte chaveada é altamente eficiente de 70 a 90 %

• Tamanho e peso das fontes são menores devido a trabalhar a freqüências altas.
• Fontes chaveadas são mas complexas e geram interferências
electromagnéticas.
7.3 Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO
Classificação:
• UNIDIRECIONAL
• FLYBACK
• BUCK ou Strep Down
• BIDIRECIONAL
• Push-Pull
• Half-Brige(media ponte)
• Full-Brige(ponte completa)
7.4 CONVERSOR FLYBACK
CHAVE “ON” CHAVE “OFF”

Figura 7.3 Chopper tipo Flyback
(a) Com dois Transistores (b) Conversor paralelo a Flyback

Figura 7.4 Outras configurações fly back
7.5 CONVERSOR FORWARD (derivado do step-down)
Figura 7.5 Chopper Forward

N
v L = 2 vd − vo (0 < t < ton ) Vo =
N2 
N1  D
v L = − vo (t on < t < Ts ) Vd N1 

Fig.7.6 CONVERSOR FORDWARD PRATICO

OUTRAS TOPOLOGIAS
(a) COM DUAS CHAVES
(b) CONFIGURAÇÃO PARALELA
Fig.7.7 Outras configurações

7.6 CONVERSORES CC-CC BIDIRECCIONAIS

CONVERSOR PUSH PULL
Fig.7.8 Conversor Push Pull

N
v L = 2 vd − vo (0 < t < t on )
N1
v L = − vo (t on < t < Ts )
Vo N2 
 =2 D( 0 < D < 0,5)
 d
V N 1 
N2
vL = vd − vo (0 < t < ton )
N1
v L = − vo (t on < t < Ts )
Vo N 2 
 = D( 0 < D < 0,5)
 d
V N 1 

CONVERSOR TIPO PONTE
Fig.7.9 Conversor tipo Ponte

N
v L = 2 vd − vo (0 < t < t on )
N1
v L = − vo (t on < t < ∆ )
T 
t on + ∆ =  s 
 2
Vo N2  t
 =2 D; onde .... D = on
Vd N1  Ts
Comparando fontes de media ponte e ponte completa, com tensões de

entrada e saída, e potências similares obtém-se:
 N2  N 
  = 2 2 
 N 1  1/ 2 P  N1  P
(I CHAVE )1/ 2 P = 2(I CHAVE )P

7.7 CONTROLE DE UMA FONTE CHAVEADA CC
A variação de Vo < ±
Fig.7.10 Diagrama de blocos do sistema de controle
7.8 FONTES DE ALIMENTAÇÃO C.A

UPS (Uninterruptiple Power Supplies)
Usado para alimentar cargas criticas como:

• Computadores controlando processos importantes
• Equipamentos médicos
Características de tensão de sadia:
• freqüência de saída devera ser de 60 Hz.
• Puramente senoidal distorção menor de 1%
• Para um sistema 3φ as três sinais deveram ter a mesma amplitude e estar
desfasadas 120°.
PROBLEMAS TÍPICOS:
• SOBRE TENSÃO
• SUB TENSÃO
• SAIDA DO SISTEMA
• PICOS TRANSITORIOS DE TENSÃO (SPIKES)
• FORMAS DE TENSÃO RECORTADA

• HARMONICOS
• EMI
Fig.7.11 TIPICA TOLERANCIA DE TENSÃO DE SISTEMAS COMPUTARIZADOS (

STD.446)
RECOMENDAÇÃO PRATICA PARA SISTEMAS DE POTENCIA DE EMERGENCIA PARA APLICAÇÕES
INDUSTRIAES E COMENCIAES.

7.9 NO-BREAKS - PARA QUE SERVEM?
Em alguns setores da população os apagões provocaram mudanças no día a día. Para quêm não
sabe fazem já 20 anos que os no-breaks (aparelhos que armazenam energia elétrica em
baterias). E que hoje a causa de todos estes problemas, adquiriram seu verdadeiro valor perante
este problema. Por estas horas nem fabricantes nem lojistas conseguem dar conta dos pedidos
do setor informatizado em indústrias, hospitáis, lojas, escolas, etc...etc...
Estes equipamentos ajudam a continuar os trabalhos em desenvolvimento e protegem o

hardware do sistema quando a rede elétrica fica instável ou diretamente quando a energía falta.
Existem no-breaks para uso doméstico , e outros para uso corporativo. Os primeiros de 400 a
600 VA (Volt-Ampère) e os segundos de até160 kVA (kiloVolt-Ampère). Porém existem
alguns fabricantes que podem fornecer no-breaks de até 1.000 kVA".
A autonomía destes equipamentos é de 15 a 20 minutos, o que permitiría encerrar os trabalhos

que estão sendo feitos, e ainda alguns deles possúem circuitos inteligentes que, fazem com que
a máquina guarde o trabalho em disco e o feche se o usuário estiver longe no momento do
apagão. Tambem podem incorporar-se módulos externos de bateria ao no-break se éste for
expansivel e obviamente no caso de aqueles usuários que necessitem mais tempo de autonomía.
Para se ter uma idéia de preços, um no-break de 650 VA (suficientes para o micro, monitor,
impressora e scanner), custa R$ 280 para uma autonomia de 30 minutos e aceita bateria externa
para 370 minutos (por R$ 250).
Clientes corporativos vão gastar um pouco mais: é possível manter o no-break no ar por até 24
horas, mas isso encarece o equipamento. "Um no-break de 3 kVA, que suporta 15 micros por
15 minutos, custa em torno de RS 6 mil. Se o cliente quiser uma autonomia de 2 horas, vai
gastar mais R$ 8 mil em baterias".
Para garantir que a atividade profissional seja mantida em caso de blecautes (e agora também
durante o racionamento), muitas empresas usam geradores. Eles demoram alguns minutos para
entrar em funcionamento. O ideal é que um no-break faça a transição.
Além dos equipamentos de informática, os outros eletrodomésticos também precisam de

proteção. Filtros de linha e estabilizadores ajudam nessa tarefa. Mesmo sem blecaute, a rede
elétrica é instável. Na volta de um eventual apagão, a energia produz um pico que pode
danificar tevês, rádios, geladeiras....
De uma forma geral, os sistemas ininterruptos de energia, conhecidos popularmente no Brasil

como No-Breaks, possuem como função principal fornecer à carga crítica energia condicionada
(estabilizada e filtrada) e sem interrupção, mesmo durante uma falha da rede comercial.
Ao receber a energia elétrica da concessionária, o No-Break transforma esta energia não
condicionada, isto é; abundante em flutuações, transitórios de tensão e de freqüência, em
energia condicionada, onde as características de tensão e freqüência são rigorosamente
controladas. Desta forma oferece parâmetros ideais, o que é fundamental para o bom
desempenho das cargas críticas (sensíveis).
Figura 9.12 - Sistema No-Break alimentando carga crítica

Transitórios e deformações da forma de onda de tensão, variações de freqüência e mini-

interrupções (duração de até 0,1 segundo) dependem de uma série de fatores, tais como:
proximidades de cargas reativas ou não lineares (retificadores controlados), comutação de
cargas na rede, descargas atmosféricas, ruídos, etc.
Estes fenômenos perturbam a operação e comprometem a confiabilidade dos sistemas
computacionais. De acordo com sua magnitude podem afetar até o hardware pela danificação
de semicondutores, discos rígidos, cabeças de gravação, entre outros.
Composição do Sistema
Um sistema No-Break é composto por circuito retificador/carregador de baterias, banco de

baterias, circuito inversor de tensão e chave estática ou bypass automático (item opcional).
Circuito Retificador/Carregador- converte tensão alternada em contínua, mantendo o banco de

baterias carregado e alimentando o inversor (ver No-Break On-Line);
Banco de Baterias- armazena energia para alimentar a carga durante falhas da rede elétrica e
atua como filtro (ver No-Break On-Line);
Circuito Inversor- converte tensão contínua (proveniente do banco de baterias) em tensão
alternada para alimentar a carga;
Chave Estática- transfere a carga para a rede em caso de falha no sistema.
Topologias Principais:
Em função da disposição dos circuitos, são geradas diferentes arquiteturas (topologias) com
características bem distintas. Os sistemas No-Breaks podem ser divididos em ON-LINE e OFF-
LINE.
No-Break Off-Line
Na figura 9.13 é mostrado o diagrama em blocos da topologia off-line. Nesta topologia existem
duas condições de operação, definidas pela situação da rede de alimentação:
Rede Presente- a chave CH é mantida fechada. A carga é alimentada pela rede elétrica (em
alguns casos passando por um circuito estabilizador de tensão).
Falha na Rede- a chave CH é aberta. A carga passa a ser alimentada pelo banco de baterias
através do inversor.
Figura 9.13 - Diagrama em blocos do No-Break Off-Line
Nos equipamentos onde há um circuito carregador do banco de baterias específico o inversor

permanece inoperante (estado passivo) enquanto a rede estiver presente, passando a alimentar a
carga somente em uma falha da rede. Estes equipamentos são tipicamente denominados como
No-Breaks Stand-By.

Nesta mesma linha se encontram os Short-Breaks, diferenciando-se dos No-Breaks Off-Line,

basicamente, por: maior tempo de interrupção nas transferências, inexistência de circuito
estabilizador (via rede), inversor alimenta a carga com onda quadrada não estabilizada, etc.
Existem equipamentos, denominados como Bidirecionais ou Tri-Port, onde o inversor atua
também como carregador do banco de baterias.
Nesta configuração (Off-Line) existem, portanto, duas fontes de alimentação da carga; rede e
inversor, existindo desta forma transferência da carga de uma fonte para outra em função da
situação da rede. Estas transferências são pontos muito críticos, submetendo a carga a
transitórios de sub ou sobretensão e, em alguns casos, interrupções no fornecimento de energia.
Neste caso, principalmente, o seu computador pode ter desde perda de dados até danificações
no hardware.
O circuito retificador nesta topologia limita-se exclusivamente a carregar o banco de baterias.
Normalmente possuem pequena capacidade de corrente de carga e, portanto, não são
recomendados para as aplicações que necessitam de longo tempo de autonomia (acima de uma
hora).
No-Break On-Line
O diagrama em blocos desta configuração é apresentado na figura 9.14. Nos equipamentos

desta topologia sempre existe dupla conversão de energia: no primeiro estágio o retificador
opera como conversor de tensão alternada (rede) em contínua (banco de baterias) e no segundo
estágio o inversor converte tensão contínua (baterias) em alternada (saída).
Figura 9.14 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line
Na figura 9.15 é mostrado o fluxo de potência com rede presente. O circuito retificador
alimenta inversor e carrega o banco de baterias. A carga é continuamente alimentada pelo
inversor, não dependendo da situação da rede. Além de manter a rede comercial eletricamente
isolada da carga, a principal vantagem dos sistemas On-Line em relação aos sistemas Off-Line
é que não há tempo de transferência e/ou transitórios da tensão de saída nos eventos de falha ou
retorno da rede comercial.
Figura 9.15 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line/Rede presente
Devido à dupla conversão de energia, os sistemas On-Line, normalmente, apresentam maior

custo de fabricação e possuem rendimento global inferior aos sistemas Off-Line. Em outros

itens como: regulação estática, regulação dinâmica (variação da carga e/ou da tensão da rede
comercial), estabilidade da frequência e taxa de distorção harmônica da tensão de saída os
sistemas On-Line apresentam melhor desempenho.
Durante uma falha na rede comercial, a energia armazenada no banco de baterias é utilizada
pelo inversor para alimentar a carga. Este modo de operação está representado na figura 9.16.
Figura 9.16 - Diagrama em blocos do No-Break On-Line/Rede presente
Os sistemas On-Line operam com tensão mais elevada no barramento de tensão contínua
(utilizam maior número de baterias). Este fator faz com que o rendimento do circuito inversor
seja superior nos sistemas On-Line.
Na figura 9.17 é mostrado o diagrama em blocos do No-Break On-Line com chave estática.
Esta configuração apresenta extrema confiabilidade, operando normalmente pelo inversor e em
caso de falha do inversor, sobrecarga ou outro evento que prejudique o fornecimento, a chave
estática transfere a carga para a rede. Após a normalização da situação a chave estática retorna a
carga para o inversor. Por esta razão a maior parte dos fabricantes de No-Breaks, nacionais e
internacionais, nas potências acima de 10kVA, tipicamente, utilizam esta topologia.
Figura 9.17 - No-Break On-Line com chave estática

Os problemas de alimentação eléctrica, podem provocar a perda da informação que circula

numa rede de dados ou simplesmente de um PC. O risco que corre é tanto maior quanto mais
importante for a informação com que trabalha no seu PC. A Back-UPS PRO da APC, alimenta,
em caso de emergência, o seu computador através da bateria permitindo-lhe trabalhar durante
breves falhas de energia ou desligar o seu sistema no caso de uma falha de rede prolongada. A
Back-UPS Pro da APC, utiliza o PowerChute® plus (software de gestão) com WorkSafe® para
guardar ficheiros e para desligar o seu computador de forma segura e ordeira em caso de falha
de rede. O seu elevado desempenho contra problemas de sobretensão, protege o seu
computador dos danos provocados pelo ruído eléctrico, picos de tensão e descargas
atmosféricas. Para informações complementares consulte a tabela de autonomias da Back-UPS
Pro.
Site para pesquisa:
http://www.instrutec.com.br/represen/MCM/nobreakbstec.html
http://www.adi-sa.com.ar/upsetII.htm
http://www.qrs.pt/index.html?target=UPSziUnidzode_Energia_Inetzozj.html
http://www.emersonenergy.com.br/ups.htm

Ortiz Eletrônica de Potência 2000 PDF

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Apresentação ii

Este texto foi elaborado como referência para a disciplina Eletrônica de

Inicialmente, é feita uma introdução ao conteúdo, trazendo conceitos,

Em seguida, são abordados os dispositivos semicondutores de potência

Posteriormente, são analisados os circuitos conversores empregados, em

Por fim, tem-se os Apêndices, que visam permitir um maior

As referências bibliográficas, tratadas ao final, oferecem condições de um

Além disso, este material deve sofrer freqüentes atualizações e possíveis

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar / Leonardo Wayland Torres Silva

Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência .....................................1

Capítulo 2 – Dispositivos Semicondutores de Potência ...................... 18

Capítulo 3 – Retificadores Não-Controlados ............................................ 43

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

3.3.8. Retificador Multifásico .......................................................................................... 59

Capítulo 4 – Retificadores Controlados ....................................................... 61

Capítulo 6 – Inversores ........................................................................................ 84

CAPITULO 7 – APLICAÇÃO A FONTE DE ALIMENTAÇÃO...98

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

7.3. Conversor CC-CC com ISOLAMENTO ELETRICO..................................... 99

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Capítulo 1 – Introdução à Eletrônica de Potência

Basicamente, existem três áreas que interagem nas aplicações da Eletrônica

Figura 1-1 – Áreas que interagem em aplicações da Eletrônica de Potência.

O potencial de aplicações da Eletrônica de Potência torna-se cada vez mais

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

1.2. Evolução Histórica

Figura 1-2 – Evolução histórica da Eletrônica de Potência.

Com invenção do transistor de silício, em 1948, por Bardeen, Brattain e

O desenvolvimento do tiristor comercial, em 1958, pela General Electric

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Neste contexto, houve uma união entre os ramos da Eletrônica de Potência

1.3. Física dos Semicondutores

Figura 1-3 – Estrutura cristalina de um material semicondutor.

A ionização térmica destes materiais, isto é, a quebra de ligações, criando

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 1-4 – Movimentação de elétrons e lacunas no semicondutor.

Assim sendo, quando se faz a dopagem, ou seja, adição de átomos de

Figura 1-5 – Dopagem de semicondutores.

A movimentação de lacunas, no material tipo P, ocorre quando uma

A dopagem de impurezas (menor ou igual a 1019/cm3) é feita, tipicamente,

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Quando um campo elétrico for aplicado a um material semicondutor, as

1.4. Dispositivos Semicondutores de Potência

a. Têm uma queda de tensão nula, no estado de condução;

A Figura 1-6 mostra a distribuição de valores de tensão de bloqueio, corrente de

Figura 1-6 – Valores de operação de dispositivos semicondutores de potência.

Em geral, tais dispositivos podem ser divididos em seis tipos: diodos de

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

gatilho (GTO); controlado por MOS (MCT); condução em ambos os sentidos

DISPOSITIVOS SÍMBOLOS CURVAS CARACTERÍSTICAS

Quadro 1-1 – Características e símbolos de alguns dispositivos semicondutores de potência.

Os diodos de potência, mostrados na Figura 1-7, tal qual os diodos de

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

a. Genéricos, fornecidos com faixas que podem ir até 5 kV, 5 kA e tempo de

Figura 1-7 – Configurações de diodos de potência.

Os tiristores têm três terminais: anodo, catodo e gatilho. Estes dispositivos

a. Tiristores de comutação forçada: desligados por um circuito extra, chamado

Valores nominais fornecidos para os tiristores vão até 5 kV, 5 kA e o tempo de

Eletrônica de Potência Andrés Ortiz Salazar

Figura 1-8 – Configurações de tiristores.

Os SITHs e os GTOs são tiristores autodesligáveis, isto é, não necessitam

Os TRIACs são amplamente utilizados em aplicações de corrente

Para sistemas de potência em alta tensão, é apropriado o uso de tiristores