AUTOMAO INDUSTRIAL

INTRODUO A SEMICONDUTORES
Disciplina: Professor:

Eletrnica Analgica Gilson Alves

Eletrnica Analgica Instituto Federal de Educao, Cincia

e Tecnologia Pr-Reitoria de Ensino

Prof. Gilson Alves

Objetivos desta aula:

Conceiturar material Condutor, Isolante e Semicondutor; Conceituar Semicondutor Intrnseco e Extrnseco; Identificar as principais caractersticas de semicondutor extrnseco do Tipo P e do Tipo N.
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Material Condutor
Todo material onde o movimento de eltrons ocorre com facilidade . EXEMPLO - Cobre, ferro, Alumnio, Prata, Ouro, entre outros. Nos tomos dos materiais CONDUTORES, os eltrons que se movem nas camadas mais distantes do ncleo atmico so fracamente atrados pelo ncleo, podendo escapar de um tomo para outro, tornando-se ELTRONS LIVRES, abundantes nos metais.
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Material Isolante
Todo material onde o movimento de eltrons dificultado em funo da sua prpria estrutura molecular. EXEMPLO - Borracha, Porcelana, Vidro, Madeira seca, entre outros. Os ISOLANTES so tambm conhecidos como DIELTRICOS. Nos tomos dos materiais ISOLANTES, a forte atrao exercida pelo ncleo atmico sobre os eltrons das camadas mais externas do tomo no possibilita a existncia dos ELTRONS LIVRES.

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APLICAO DE MATERIAL CONDUTOR E ISOLANTE

Chama-se CORRENTE ELTRICA ao fluxo de ELTRONS LIVRES num CONDUTOR. Os ISOLANTES tem tanta importncia na ELETRICIDADE quanto os CONDUTORES. O Isolante, para impedir a passagem de corrente eltrica; o Condutor, para facilitar essa passagem.

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Conceito de Semicondutor

Todo material com caractersticas intermedirias entre os Condutores e NoCondutores.

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Os Semicondutores aplicados em eletrnica

Os materiais semicondutores no so encontrados normalmente na natureza. Eles so criados por artifcio de dopagem de materiais isolantes como silcio(Si), com tomos de outros materiais, como o boro, cuja ultima rbita contm eltrons a mais ou a menos do que a ltima rbita dos tomos de silcio.

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Material Intrseco

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Semicondutores Intrnsecos
Semicondutores intrnsecos so substncias puras, sem qualquer tipo de impureza, e que, na temperatura 0 K comportam-se como isolantes; Quando sofrem contaminao por impurezas, tem suas caractersticas eltricas alteradas, de acordo com o tipo de impureza contaminante.

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Semicondutores Extrnsecos A condutividade de um semicondutor pode ser aumentada por diversas ordens de grandeza pela adio de quantidades muito pequenas de certas substncias, chamadas impurezas. Esse procedimento chamado dopagem e os semicondutores resultantes, de semicondutores extrnsecos.

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Extrnsecos Tipo P e Tipo N Aps sofrer a dopagem, as propriedades eltricas do material so alteradas. Para fabricao de dispositivos eletrnicos, os processos de dopagem de materiais so executados de modo a se obter dois tipos de materiais: do Tipo P e do Tipo N; eles so formados pela adio de um nmero predeterminado de tomos de impureza em um cristal de Silcio ou de Germnio.
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Semicondutor Tipo N obtido atravs da introduo de elementos de impureza que tm cinco eltrons de valncia (Pentavalente); como exemplo, temos o Antimnio, o Arsnio e o Fsforo; o efeito da adio de um elemento pentavalente visto no slide seguinte, ou seja, ocorrendo as ligaes covalentes entre os tomos de Silcio e o tomo de Antimnio(p. ex), sobrar um dos eltrons do tomo Sb que ficar fracamente ligado a este; por este motivo, estar relativamente livre para se mover dentro da estrutura recm formada.
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Semicondutor Tipo N

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Semicondutor Tipo N

Note Bem: Apesar da nova estrutura formada possuir eltrons relativamente livre, ela continua eletricamente neutra, uma vez que o nmero de prtons carregados no ncleo exatamente igual ao nmero de eltrons nela existente.

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Semicondutor Tipo P
Este material conseguido atravs da adio de elementos de impureza que tm trs eltrons de valncia(Trivalente); os elementos mais comumente utilizados para esse fim so o Boro, o Glio e o ndio; o efeito resultante dessa adio vista no slide seguinte , ou seja, agora h um nmero insuficiente de eltrons para que todas as ligaes covalentes que os tomos de Silcio(ou Germnio) podem ter sejam completadas, pois no tomo de Boro(p. ex) sejam falta um dos eltrons. dessa forma, restar um vazio dentro da estrutura recm formada Lacuna; esta lacuna tem predisposio para aceitar eltrons livres
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Semicondutor Tipo P

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Semicondutor Tipo P
Note Bem: Pelo mesmo motivo explicado para o semicondutor Tipo N, a nova estrutura Tipo P tambm eletricamente neutra.

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Fluxo de Eltrons x Fluxo de Lacunas Se um eltron de valncia ganhar energia suficiente para quebrar a ligao covalente de que faz parte, ele migrar para ocupar a lacuna existente mais prxima No seu lugar, consequentemente, restar uma lacuna, ou seja, como se a Lacuna vizinha houvesse se deslocado para a ligao covalente que acabou de perder um eltron. Portanto, h o deslocamento de eltrons num sentido(Real) e o deslocamento de lacunas no sentido inverso(Convencional). O sentido que adotaremos no decorrer de nosso curso ser o convencional.
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Portadores Majoritrios e Minoritrios

No estado intrnseco(quase puro), os poucos eltrons livres existentes devem-se ao fato de terem adquirido energia suficiente para quebrar as ligaes covalentes de quais faziam parte(energia esta proveniente de fontes trmicas ou luminosas). Estes poucos eltrons livres originam, por sua vez, poucas lacunas.

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Portadores Majoritrios e Minoritrios J no estado extrnseco de Tipo N o nmero eltrons quase livres muito maior que o nmero de lacunas(apenas as remanescentes do material enquanto ele era intrnseco). Por isso, no Material Tipo N o ELTRON PORTADOR MAJORITRIO e a LACUNA PORTADOR MINORITRIO. Pelas mesmas razes, no Material Tipo P a LACUNA PORTADOR MAJORITRIO e o ELTRON PORTADOR MINORITRIO.
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Matria-Prima para os semicondutores

Os semicondutores doTipo N e Tipo P so materiais bsicos na fabricao dos dispositivos semicondutores, ou seja, sua matria-prima; A unio desses dois tipos de materiais resulta em um tipo de dispositivo de muita aplicao nos sistemas eletrnicos, o diodo, que ser objeto de anlise de nossa prxima aula.
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Referncias:
Boylestad , Robert L. e Nashelsky, Louis - Dispositivos eletrnicos e teoria dos circuitos, 8 Edico. Editora Pearson Education, 2004.

At a prxima!

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