Transstor

O transstor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se na dcada de 1950, tendo sido o
principal responsvel pela revoluo da eletrnica na dcada de 1960. So utilizados principalmente como
amplificadores e interruptores de sinais eltricos, tambm so usados como retificadores eltricos em um
circuito podendo ter variadas funes . O termo provm do ingls transfer resistor (resistor/resistncia de
transferncia), como era conhecido pelos seus inventores.
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O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa que a impedncia
caracterstica do componente varia para cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta
funo, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados
parmetros pr-estabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico. Esta variao feita atravs da variao
de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente, ocasiona o processo de
amplificao de sinal.
Entende-se por amplificar o procedimento de tornar um sinal eltrico mais fraco num mais forte. Um sinal
eltrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um microfone, injetado num circuito eletrnico
(transistorizado por exemplo), cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em
sinais eltricos com as mesmas caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A
este processo todo d-se o nome de ganho de sinal.
Inveno
O transstor de silcio e germnio foi inventado nos Laboratrios da Bell Telephone por John Bardeen e
Walter Houser Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John
Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Fsica
em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por
Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificao da corrente no ponto
de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de juno bipolar (BJT).
O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as vlvulas termoinicas
usadas nos sistemas telefnicos da poca.
Os transistores bipolares passaram, ento, a ser incorporados a diversas aplicaes, tais como aparelhos
auditivos, seguidos rapidamente por rdios transistorizados. Mas a indstria norte-americana no adotou
imediatamente o transistor nos equipamentos eletrnicos de consumo, preferindo continuar a usar as
vlvulas termoinicas, cuja tecnologia era amplamente dominada. Foi por meio de produtos japoneses,
notadamente os rdios portteis fabricados pela Sony, que o transistor passou a ser adotado em escala
mundial. No houve muitas mudanas at ento.
Nessa poca, o MOSFET
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(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor Transistor de Efeito de Campo
formado por Metal, xido e Silcio) ficou em segundo plano, quase esquecido. Problemas de interface
inviabilizavam a construo dos MOSFETs. Contudo, em 1959, Atalla e Kahng, da Bell Labs, fabricaram e
conseguiram a operao de um transistor MOS. Nessa poca, os transistores MOS eram tidos como
curiosidade, devido ao desempenho bastante inferior aos bipolares.
A grande vantagem dos transistores em relao s vlvulas foi demonstrada em 1958, quando Jack Kilby, da
Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um transistor, trs resistores e
um capacitor, implementando um oscilador simples. A partir da, via-se a possibilidade de criao de
circuitos mais complexos, utilizando integrao de componentes. Isto marcou uma transio na histria dos
transistores, que deixaram de ser vistos como substitutos das vlvulas e passaram a ser encarados como
dispositivos que possibilitam a criao de circuitos complexos, integrados.
Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a ser encarado como um dispositivo vivel
para circuitos digitais integrados. Nessa poca, havia muitos problemas com estados de impurezas, o que
manteve o uso do MOS restrito at o fim da dcada de 60. Entre 1964 e 1969, identificou-se o Sdio Na
como o principal causador dos problemas de estado de superfcie e comearam a surgir solues para tais
problemas.
No incio da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais utilizados, apesar de o conceito de
Complementary MOS (CMOS) j ter sido introduzido por Weimer. O problema ainda era a dificuldade de
eliminao de estados de superfcie nos transistores NMOS.
Em 1970, a Intel anunciava a primeira DRAM, fabricada com tecnologia PMOS. Em 1971, a mesma
empresa lanava o primeiro microprocessador do mundo, o 4004, baseado em tecnologia PMOS. Ele tinha
sido projetado para ser usado em calculadoras. Ainda em 1971, resolviam-se os problemas de estado de
superfcie e emergia a tecnologia NMOS, que permitia maior velocidade e maior poder de integrao.
O domnio da tecnologia MOS dura at o final dos anos 70. Nessa poca, o NMOS passou a ser um
problema, pois com o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente, pois surgem
grandes problemas com consumo de potncia (que alta nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia
CMOS comeava a ganhar espao.
A partir da dcada de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser usada em 75% de
toda a fabricao de circuitos, por volta do ano 2000.
Alguns nmeros
O primeiro processador de 8 bits (Intel 8008) usava tecnologia PMOS e tinha frequncia de 0,2 MHz. Ano
de fabricao: abril/1972 3500 transistores com 10 um ou 10000 nm, com uma tenso de trabalho de 5 V;
10 anos depois, a Intel lanou o 80286, com frequncias de 6, 10 e 12 MHz, fabricado com tecnologia
CMOS 134.000 transistores 1,5 mcron ou 1500 nm, com uma tenso de trabalho de 5 V;
O Pentium 4, lanado em janeiro de 2002, trabalha com frequncias de 1300 a 4000 MHz, com 55 milhes
de transistores CMOS 130 nm. A srie de chips Radeon 2000, por exemplo, atinge os 500 milhes de
transistores, chegando casa dos 40 nm.
A placa de vdeo da AMD Radeon HD 6870, lanada em outubro de 2010, trabalha com frequncias de 900
MHz na GPU, 4200 MHz de frequncia de memria do tipo GDDR5 (interface de 256 bits), tem 1,7 bilho
de transistores, com processo de fabricao de 40 nm e um Core de 255 mm2.
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Importncia
O transistor considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenes da histria moderna, tendo
tornado possvel a revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do
transistor na sociedade moderna sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando
tcnicas simples, resultando preos irrisrios.
conveniente salientar que praticamente impossvel serem encontrados circuitos integrados que no
possuam, internamente, centenas, milhares ou mesmo milhes de transistores
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, juntamente com outros
componentes como resistncias e condensadores. Por exemplo, o microprocessador Cell do console
Playstation 3 tem aproximadamente 234 milhes de transistores, usando uma arquitetura de fabricao de 45
nanmetros, ou seja, a porta de controle de cada transistor tem apenas 45 milionsimos de um milmetro.
Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase universal para tarefas no-mecnicas.
Visto que um dispositivo comum, como um refrigerador, usaria um dispositivo mecnico para o controle,
hoje frequente e muito mais barato usar um microprocessador contendo alguns milhes de transistores e
um programa de computador apropriado para realizar a mesma tarefa. Os transistores, hoje em dia, tm
substitudo quase todos os dispositivos eletromecnicos, a maioria dos sistemas de controle, e aparecem em
grandes quantidades em tudo que envolva eletrnica, desde os computadores aos carros.
Seu custo tem sido crucial no crescente movimento para digitalizar toda a informao. Com os
computadores transistorizados a oferecer a habilidade de encontrar e ordenar rapidamente informaes
digitais, mais e mais esforos foram postos em tornar toda a informao digital. Hoje, quase todos os meios
na sociedade moderna so fornecidos em formato digital, convertidos e apresentados por computadores.
Formas analgicas comuns de informao, tais como a televiso ou os jornais, gastam a maioria do seu
tempo com informao digital, sendo convertida no formato tradicional apenas numa pequena frao de
tempo.
Fabricao


Smbolos dos transistores bipolares
Os materiais utilizados na fabricao do transistor so principalmente o Silcio (Si), o Germnio (Ge), o
Glio (Ga) e alguns xidos. Na natureza, o silcio um material isolante eltrico, devido conformao das
ligaes eletrnicas do seu tomo, gerando uma rede eletrnica altamente estvel. Atualmente, o transistor
de germnio menos usado, tendo sido substitudo pelo de silcio.
O silcio purificado e passa por um processo que forma uma estrutura cristalina em seus tomos. O
material cortado em finos discos, que a seguir vo para um processo chamado de dopagem, onde so
introduzidas quantidades rigorosamente controladas de materiais selecionados (conhecidos como impurezas)
que transformam a estrutura eletrnica, introduzindo-se entre as ligaes dos tomos de silcio. O Silcio
realiza ligaes covalentes de quatro eltrons. Quando adicionamos uma impureza com 3 eltrons na ltima
camada, faltar um eltron na ligao covalente, formando os buracos e caracterizando a pastilha como
pastilha P.
Quando adicionamos uma impureza com 5 eltrons na ltima camada, vai sobrar um eltron na ligao
covalente com o silcio. Esses eltrons livres tm pouca interao com seu tomo, ento qualquer energia
fornecida o faz sair, sendo assim um eltron livre (assim se forma a pastilha N, que tem esse nome por ter
maior nmero de eltrons livres). A pastilha P tem menos eltrons livres e mais "buracos" e a Pastilha N tem
mais eltrons livres que buracos. No podemos dizer que a pastilha P positiva nem que a pastilha N
negativa, porque a soma total de eltrons igual soma total de prtons. Quando unimos a pastilha P e a
pastilha N, os eltrons livres em excesso na pastilha N migram para a pastilha P e os buracos da pastilha P
migram para a pastilha N. Deste modo a pastilha P fica negativa e a pastilha N fica positiva. Isto o diodo.
O transistor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P (unindo-se dois diodos), criando-se
um transistor do tipo PNP. O transistor do tipo NPN obtido de modo similar. A camada do centro
denominada base, e as outras duas so o emissor e o coletor. No smbolo do componente, o emissor
indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o componente for PNP, ou para fora, se for
NPN.
Cientistas portugueses do Centro de Investigao de Materiais (Cenimat) da Faculdade de Cincias e
Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa, conseguiram fabricar pela primeira vez transistores com papel.
Essa equipe de investigadores foi liderada por Elvira Fortunato e Rodrigo Martins.
Funcionamento
No transistor de juno bipolar ou TJB (BJT Bipolar Junction Transistor na terminologia inglesa), o
controle da corrente coletor-emissor feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a
juno coletor-base polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma
pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor-emissor.
Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o ganho. Isso permite que o
transistor funcione como amplificador pois ao se injetar uma pequena corrente na base se obtm uma alta
tenso de sada. No entanto o transistor de silcio s permite seu funcionamento com uma tenso entre base e
emissor acima de 0,7V e 0,3V para o germnio.
O fator de multiplicao da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta do transistor ou por hFE, que
dado pela expresso iC = iB x
iC: corrente de coletor
iB: corrente de base
: beta (ganho de corrente DC)
Configuraes bsicas de um transistor:
Existem trs configuraes bsicas (BC, CC e EC)
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, cada uma com suas vantagens e desvantagens.
Base comum (BC)
Baixa impedncia(Z) de entrada.
Alta impedncia(Z) de sada.
No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada.
Amplificao de corrente igual a um.
Coletor comum (CC)
Alta impedncia(Z) de entrada.
Baixa impedncia(Z) de sada.
No h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada.
Amplificao de tenso igual a um.
Emissor comum (EC)
Mdia impedncia(Z) de entrada.
Alta impedncia(Z) de sada.
Defasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180.
Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes.
Os transistores possuem diversas caractersticas. Seguem alguns exemplos dos parmetros mais comuns que
podero ser consultadas nos datasheets dos fabricantes:
Tipo: o nome do transistor.
Pol: polarizao; negativa quer dizer NPN e positiva significa PNP.
VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor.
IC: corrente mxima do coletor.
PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar
hFE: ganho (beta).
Ft: frequncia mxima.
Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a identificao
dos terminais.
Existem tambm outros tipos de transistores, notadamente os de efeito de campo (transistores FET, de
Field Effect Transistor); neste caso, o controle da corrente feito por tenso aplicada porta.
Referncias
1. Morimoto, Carlos E. (26 de junho de 2005). Transstor. Guia do Hardware. Pgina visitada em 13 de
fevereiro de 2012.
2. Fet - Transistores de Efeito de Campo. Radiopoint. Pgina visitada em 13 de fevereiro de 2012.
3. AMDs Radeon HD 6870 & 6850: Renewing Competition in the Mid-Range Market (em ingls).
AnandTech.com (21 de outubro de 2011). Pgina visitada em 10 de abril de 2013.
4. Circuitos Integrados. Electrnica-pt. Pgina visitada em 13 de fevereiro de 2012.
5. idPT (Ideias Portuguesas
6. Transistor. ARVM. Pgina visitada em 13 de fevereiro de 2012.
Resistor
FET
TJB
UJT
Transistor Darlington
Diodo
Juno PN
Porta lgica
Flip-flop