Materiais Semi Condutores

So aqueles que possuem alto nvel de condutividade eltrica (baixa resistncia).

Materiais semi condutores so aqueles cujos nveis de condutividade esto em uma escala
intermediria entre condutores e isolantes, e as principais lias para a sua constru!o e
dopaem so "eitas de silcio ou erm#nio.
$s materiais semi condutores produ%idos com o maior rau de pure%a possvel so
c&amadas de materiais intrnsecos.
Estrutura cristalina dos semi condutores
$ erm#nio ('()e) e o silcio (*+Si) esto na "amlia +, da tabela peri-dica pois possuem
+ eltrons na sua camada de valncia.
.m eral, com o aumento da temperatura, a maioria dos materiais tendem a aumentar
a sua resistividade que, por sua ve%, aumenta a resistncia eltrica. /orm, em materiais semi
condutores intrnsecos o aumento da temperatura dentro de aluns limites pode liberar eltrons
de suas lia!0es at1micas, redu%indo sua resistividade eltrica, este por sua ve% possui o
coe"iciente de temperatura neativo.
Materiais Extrnsecos
2 adi!o controlada de impure%as nos matrias semi condutores podem alterar
sini"icamente as suas propriedades eltricas. So c&amados materiais extrnsecos materiais
semi condutores que na sua constru!o so"reram o processo de dopaem, que nada mais a
adi!o de impure%as no material. 3ependendo da impure%a adicionada, o material extrnseco
pode ser sua caracterstica tipo 4p5 ou tipo 4n5.
1
Materiais Extrnsecos tipo N
So materiais obtidos com a adi!o de tomos de impure%a com 6 eltrons na camada
de valncia, sendo + eltrons de valncia e * quinto eltron livre. .sse eltrons livre "orma o
material extrnseco tipo 475, um mel&or condutor.
Materiais Extrnsecos tipo P
So obtidos com adi!o de tomo de impure%as com ' eltrons na camada de
valncia. 2s impure%as dispersas com ' tomos na camada de valncia so denominadas
tomos aceitadores. .ssa lacuna "a% do material extrnseco tipo 4/5 um pior condutor em
rela!o ao material intrnseco.
Portadores Majoritrios e Minoritrios
.m materiais tipo 475 os portadores majoritrios de caras so os eltrons,
provenientes das impure%as com 6 eltrons. .xistem tambm os portadores minoritrios, que
so lacunas, provenientes do e"eito de temperatura.
8 nos materiais tipo 4/5, os portadores majoritrios de cara so as lacunas e os
minoritrios so os eltrons. $s materiais tipo 475 e 4/5 so os blocos bsicos para a
constru!o dos componentes semi condutores.
2
Junes PN
3iodos so componentes eletr1nicos "ormados pela jun!o de um material semi
condutor extrnseco tipo 475 com um material tipo 4/5.
7a reio de jun!o, os eltrons e as lacunas se combinam resultando na ausncia de
portadores de caras. .ssa reio de ons positivos e neativos no combinadas
denominada %ona de deple!o.
Diodos no polari!ados
7a ausncia de uma tenso de polari%a!o, a corrente no diodo %ero.
Diodo com polari!ao re"ersa
3
2 corrente que sure soc condi!0es de polari%a!o reversa denominada corrente de
satura!o reversa e representada por 9S. .ssa corrente se deve ao "luxo dos portadores
minoritrios, muito baixa ("ra!0es de microamp:res) e no muda de "orma sini"icativa com o
aumento da tenso reversa.
Diodo com polari!ao direta
2 aplica!o de uma tenso direta "or!a os portadores majoritrios a se recombinarem
com os ons da %ona de deple!o, redu%indo o seu taman&o e viabili%ando o "luxo de
portadores majoritrios atravs da jun!o.
Cur"a caracterstica de um diodo #real e ideal$
4
%&'s( /ara um diodo ideal, ;3<= quando diretamente polari%ado e 93<= quando reversamente
polari%ado.
)e*io +ener
>rea de polari%a!o reversa onde & uma mudan!a brusca na curva caracterstica do
diodo (corrente de avalanc&e). 2 tenso reversa que causa essa mudan c&amada tenso de
ruptura ou tenso %ener, representado pela letra ;?.
7a reio %ener, a tenso ;? se mantm constante desde que a corrente 93 varie entre
9?M97 e 9?M2@. 3iodo %ener so componentes projetados para operar na reio %ener, cuja tenso
pode ser redu%ida a valores de + e +A;. $s diodos so utili%ados nos projetos de circuitos
reuladores de tenso, uma ve% que podem manter a tenso reversa constante ainda que a
corrente varie nos limites de 9?M97 e 9?M2@.
5
N"eis de resist,ncia de um diodo
2 resistncia eltrica de um diodo depende do seu ponto de opera!o na curva
caracterstica. 3e um modo eral, a resistncia interna de um diodo pode ser apresentada
comoB
Cesistncia 3D ou esttica
Cesistncia 2D ou din#mica
Cesistncia 2D mdia
6
)esist,ncia DC ou esttica
E a resistncia de"inida em um ponto determinado de opera!o na curva caracterstica
do diodo.
7a reio de polari%a!o reversa a resistncia do diodo alta. 7a reio de
polari%a!o direta, abaixo do 4joel&o5 a resistncia maior do que na reio acima do mesmo.
)esist,ncia -C ou din.mica
E de"inida como a reta tanente a curva caracterstica no ponto considerado.
2 resistncia 2D ou din#mica pode ser calculada ra"icamente ou atravs da derivada
da "un!o da curva caracterstica do diodo no ponto F.
)esist,ncia -C M/dia
2 resistncia 2D mdia determinada pela lin&a reta liando duas interse!0es
estabelecidas pelos valores mximos e mnimos, con"orme r"ico abaixoB
Circuitos E0ui"alentes de1inido por )2 Boylestad
7
Um circuito equivalente uma combinao de elementos adequadamente escolhidos
para melhor representar as caractersticas reais de um dispositivo, sistema ou regio partivular
de operao.
Circuito E0ui"alente 3inear por partes
Circuito e0ui"alente simpli1icado e ideal
Pot,ncia de um diodo
/otncia de um diodo a sua capacidade mxima de dissipa!o de calor e medida
em Gatts HIJ. Donsiderando que a potncia mxima calculada pelo produto da tenso de
opera!o do diodo ;3 e pela corrente mxima suportada 93M2@, temosB PM-456D 2 7DM-4
Diodo +ener
3iodo %ener um tipo de diodo dopado de "orma a redu%ir a tenso %ener ou de avalanc&e
para valores praticados em circuitos eletr1nicos, atuando na rande maioria das aplica!0es
como diodo %ener reti"icador de tenso. .sse diodo tem como caracterstica operar na %ona de
polari%a!o reversa, obedecendo a "orma de opera!o na reio %ener, variando seus valores
de corrente entre 9?M97 e 9?M2@, mantendo assim sua tenso constante.
8
3EDs operando em C-
Donsiderando que a tenso mxima reversa dos K.3s baixa, devemos tomar aluns
cuidados para que esse limite no seja excedido em circuitos com corrente alternada.
7o exemplo abaixo, o diodo 3 "unciona com um 4curto circuito5 para o K.3 no
semiciclo neativo.
7o exemplo abaixo a tenso D2 reti"icada antes de ser aplicada ao K.3 (meia onda)
.m ambos os exemplos o resistor C deve ser dimensionado de "orma a manter a
corrente no K.3 dentro da sua "aixa de opera!o.
9