1

a
lista de qumica tecnologia prof. Barbieri 5
o
Sem.
1) O que diferencia a nvel estrutural as propriedades entre o diamante e o
grafite?
a forma de como os tomos esto ligados
Diamante => ligaes covalentes de forma tetradrica.
Grafite => forma hexagonal formando camadas, ligadas entre si por foras de van der aals.
! nome desse fen"meno #$!%&!'(#.
2) O que torna os materiais a terem alta durea! alto ponto de fus"o e bai#a
dilata$"o t%rmicas?
As ligaes qumicas tem forte influncia sobre diversas propriedades dos materiais
Depende da energia envolvida na ligao de ligao e consequentemente da ligao
Quanto mais forte uma ligao qumica, maior a dureza, ponto de fuso e menor
dilatao.
&) 'o que % formado (tomo?
Um tomo formado por um centro, que fixo chamado ncleo. tambm
formado por uma parte exterior com eltrons que giram sua volta a uma
grande velocidade. Estes eltrons formam camadas que ficam dispostas ao redor
do ncleo, camadas essas que formam a nuvem eletrnica
O ncleo do tomo constitu!do por part!culas positivas " os prtons e por
part!culas negativas " os nutrons
)) *ual %+
a) ,eso do pr-ton e el%trons
assa dos el!trons ",#$". #$
%&#
'g
assa dos pr(tons #,)*+. #$
%+*
'g
b) .aman/o at0mico de um (tomo
,rdem nan-metro a angstrons #$
%"
m a #$
%#$
m
c) 1ela$"o de taman/o entre o n2cleo e a eletrosfera
, n.cleo pode c/egar de #$.$$$ a #$$.$$$ vezes menor que a eletrosfera
d) 3arga do el%tron
#,).#$
%#"
0
5) O 'iamante e a grafita s"o duas subst4ncias formadas a partir de (tomos de
3arbono e! no entanto apresentam propriedades muito diferentes. 5ssinale a
alternativa incorreta.

a1 2o diamante a ligao entre os 3tomos de 0arbono tem uma geometria /e4agonal que
d3 simetria espacial ao cristal conferindo%l/e altssima dureza.
b1 A grafita pode conduzir eletricidade.
c1 2o Diamante a ligao entre os 3tomos de 0arbono tem geometria tetra!drica.
d1A grafita tem estrutura cristalina /e4agonal compacta.
e1 As ligaes dos 3tomos de 0arbono no Diamante so de natureza covalente.
5esposta A
6) *ual a influencia da for$a de atra$"o! repuls"o e energia de liga$"o em fun$"o
da dist4ncia dos el%trons ao n2cleo
A energia ! funo da dist6ncia dos el!trons ao n.cleo
Quanto mais perto do n.cleo mais ligado o el!tron
Quanto mais longe do n.cleo menos ligado
2a distancia de equilbrio, a fora de atrao entre os ons ! compensada pela fora de
repulso entre as nuvens eletr-nicas.
, ponto em que a fora de ligao ! zero corresponde ao ponto de mnima energia.
7alores tpicos para a$ so da ordem de $.&nm 8$.&4#$%"m1
7alores tpicos para a energia de ligao so entre )$$ e #9$$ ':;mol
A energia de ligao est3 diretamente relacionada com o ponto de fuso do material
7) 3alcule a for$a de repuls"o da subst4ncia 8a
2
O.
'ados+ r8a
9
: ;!;<=nm rO
>2
: ;!1&2 nm ?
;
: <.1;
<
@.mA3
a) =!6).1;
><
8
b) &)!6).1;
><
8
c) 1=!6=.1;
><
8
d) =!6).1;
><
8
e) 2=!&).1;
><
8
=) BgO e 8a3l s"o compar(veis ! e#ceto que os ons Bg
92
e O
>2
s"o bivalentes e os
ons 8a
9
e 3l
>
s"o monovalentes. 3onsequentemente! a dist4ncia interat0mica
Bg>>>O % ;!21nm! enquanto que a outra % ;!2=nm.3ompare as for$as de atra$"o
coulombiana C) que se desenvolvem nestas dist4ncias para os dois pares de ons.
'ados+ ?
;
: <.1;
<
@.mA3
a) DBg O : 2;!;=.1;
><
8 e D8a 3l : 2!<.1;
><
8
b) DBg O : &<!<.1;
><
8 e D8a 3l : &!<.1;
><
8
c) DBg O : 1<!<.1;
><
8 e D8a 3l : 1!<.1;
><
8
d) DBg O : ;<!<.1;
><
8 e D8a 3l : ;!<.1;
><
8
e) DBg O : 5<!<.1;
><
8 e D8a 3l : 6!<.1;
><
8
BgO
<) 'ada as proposi$Ees
F> Giga$"o covalente ou molecular % aquela que se d( por compartil/amento de
el%trons.
FF> 5 liga$"o covalente % a principal respons(vel pela forma$"o das estruturas
moleculares dos compostos org4nicos.
FFF> 5lguns compostos cer4micos tHm liga$Ees covalentes predominantes.
,odemos afirmar que+
a) F! FF e FFF est"o incorretas.
b) Somente F e FF est"o incorretas.
c) F! FF e FFF est"o corretas.
d) Somente a F est( incorreta.
e) Somente FF e FFF est"o incorretas.
5esposta b
1;) I#plique sucintamente como % caracteriada a liga$"o
a) i0nica
b) 3ovalente
c) met(lica
)*ando *m tomo forte +com grande eletronegatividade, se liga a *m tomo fraco +com -aixa
eletronegatividade,, h transfer.ncia definitiva de eltron do mais fraco para o mais forte. /e
tirarmos *m eltron de *m tomo, ele deixa de ser ne*tro, pelo dese0*il1-rio entre se* n2mero
de pr3tons e de eltrons. )*ando *m tomo perde eltron, ele fica com mais pr3tons do 0*e
eltrons, e s*a carga passa a ser positiva. /e o tomo ganhar eltrons, tam-m haver *m
dese0*il1-rio de cargas e, como ele ter mais eltrons do 0*e pr3tons, ele ser eletricamente
negativo. 4m tomo 0*e deixa de ser eletricamente ne*tro, se tornando positivo o* negativo,
passa a ser chamado de on.
#proximando *m tomo altamente eletronegativo de *m de -aixa eletronegatividade, ele
capt*ra eltrons tornando5se *m 1on negativo e tornando o o*tro *m 1on positivo. 6omo cargas
eltricas opostas se atraem, eles ficaro ligados por atrao eletromagntica e o tipo de ligao
ser chamada de ligao inica.
/e aproximarmos dois tomos de forte eletronegatividade, *m no ter fora para capt*rar o
eltron do o*tro permanentemente. 7le capt*ra o eltron mas o o*tro conseg*e capt*r5lo de
volta e, alm de retom5lo, capt*ra *m eltron do o*tro. 7sse 8ogo fica se repetindo fa9endo
com 0*e o par de eltrons +*m de cada tomo, fi0*e or-itando pelos dois tomos. importante
perce-er 0*e nesse caso no h formao de 1ons. 7sse tipo de ligao, onde no h
transfer.ncia definitiva de eltrons, e sim compartilhamento do par, designada ligao
covalente.
A grande maioria dos metais <3 identificados possui propriedades fsico%qumicas bem
semel/antes= facilidade em perder el!trons 8frente ao seu gan/o, em geral1, elevados pontos de
fuso e ebulio, boa condutividade eltrica e trmica, brilho caracterstico.
Boa parte dessas propriedades so frutos da interao entre os tomos na
rede cristalina que compe o metal: observa-se que h um mesmo tipo de
liao entre tomos, que se repete ao lono da rede. !ssim, definida
a ligao metlica.
11) Da$a a distribui$"o eletr0nica dos elementos s-dio C8a) e cloro C3l) e mostre+
a) quantos el%trons apresentam na 2ltima camada dos dois elementosJ
b) mostre a nota$"o de GeKisJ
c) que tipo de liga$"o ocorre neste tipo de composto?
a) 1 e no sodio e 7 e no cloro
b)
> onde os sinais x representam exatamente os eltrons mais externos e
chamado de notao de Lewis.Tendo cargas opostas, ctions e os anions se
atraem e se mantm !nidos pela ligao i"nica.
c) i"nica
12) Da$a a distribui$"o eletr0nica das seguintes subst4ncias a partir das f-rmulas
moleculares! mostre as f-rmulas estruturais e eletr0nicas.

a) #
$

b) %
$

c) #&%
d) 3O
2
e) O
2
a)
b1
? 0 2
c1
d1 , @ 0@,
e1
2
a
lista de B33 prof. Barbieri 5
o
Sem.
1) 3alcular os par4metros de rede das estruturas c2bica de corpo centrado e
c2bica de face centrada.
2) 3alcular Ca)o fator de empacotamento at0mico de um metal 333.
&) 3alcular Ca)o fator de empacotamento at0mico de um metal 3D3! e Cb) o fator
de empacotamento i0nico do 8a3l C3D3)
resposta a:;!7) b:;!67
)) O cobre tem uma estrutura 3D3 e um raio at0mico de ;!127=nm 3alcule sua
densidade.'ados+ massa at0mica :6&!5u
1esposta: =!<&gAcm
&
5) 3alcule o fator de empacotamento i0nico do BgO. 'ados+ 1
Bg
: ;!;7=nm ! 1
O
:
;!1&2nm
1esposta+;!627
a
BgO
: 2.C;!;7=) 9 2.C;!1&2) : ;!)2;nm
@
27
6) 3alcule o Dator de empacotamento do 'iamante C3D3)
resposta+;!&)
: =

L )A&1
&
: &&!51 1
&
: ;!&)
C=1A&)
&
<=!5) 1
&
7) 5lumnio 5eron(utico tHm raio at0mico de ;!1)&nm C1!)& M)! uma estrutura cfc!
um peso at0mico de 27!; gAmol. 3alcule a densidade do alumnio em gAcm
&
?
1!)& 5 : 1!)&.1;
>=
cm ou ;!1)& nm : ;!1)&.1;
>7
cm

a: )# 1 A N2 :O )# ;.1)&

AN2 : ;!);).1;
>7
cm

: )
atmos
L 27!; gAmol
6!;2.1;
2&
atomoAmol
L C ;!);).1;
>7
cm)
&
: 1;= : 1;= : 2!72 gAcm
&
6!;2.1;
2&

L 6!5<&<.1;
>2&
&<!6<52
&
a
lista de B33 prof. Barbieri 5
o
Sem.
1) O que s"o defeitos?
Defeito ! uma imperfeio ou um erro no arran<o peri(dico regular dos 3tomos em um
cristal.
, tipo e o n.mero de defeitos dependem do material, do meio ambiente, e das
circunst6ncias sob as quais o cristal ! processadoA
Apenas uma pequena frao dos stios at-micos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
enos sendo poucos eles influenciam muito nas propriedades dos materiais e nem
sempre de forma negativa
2) *uais s"o os tipos de defeitos e#istentes?
Defeitos Bontuais 8associao com # ou + posies at-micas1A
7ac6ncias
Cmpurezas intersticiais e substitucionais
Defeitos Dineares 8uma dimenso1A
Discord6ncias
&) I#plique o que s"o+
a) defeitos pontuais
Devido E agitao t!rmica, os 3tomos de um cristal real esto sempre vibrandoA
Quanto maior a energia t!rmica 8ou temperatura1,maior ser3 a c/ance de 3tomos sairem
de suas posies, dei4ando um vazio 8vac6ncia1 em seu lugarA
Bor outro lado, dentro da rede cristalina e4istem n.meros interstcios, espaos vazios
entre os 3tomos, nos quais ! possvel alo<ar outros 3tomosA
Finalmente, ! praticamente impossvel obter um material infinitamente puro. Gempre
/aver3 impurezas presentes na rede cristalina.
b) defeitos lineares
,s cristais apresentam defeitos alin/ados e contnuos= imperfeies em lin/aA
,s defeitos em lin/a, tamb!m c/amados de discord6ncias so imperfeies que causam
a distoro da rede cristalina em torno de uma lin/a e caracterizam%se por envolver um
plano e4tra de 3tomosA
As discord6ncias esto associadas com a cristalizao e a deformao 8origem:
trmica, mecnica e supersaturao de defeitos pontuais);
Hstas imperfeies podem ser produzidas durante o crescimento do cristal ou na
deformao pl3stica do cristalA
)) I#plique a diferen$a de defeito intersticial e substitucional.
A presena de um 3tomo em uma posio que no pertence E estrutura do cristal perfeito
como a ocupao de um vazio intersticial, por e4emplo, significa uma distoro na
estrutura devido ao desa<uste causado pela presena deste 3tomo 8tem efeito
endurecedor1. I importante lembrar que de acordo com a curva do potencial de ligao,
desvios ou distores na dist6ncia interat-mica de equilbrio causam aumento de
energia. ,corre quando 3tomos tm taman/o muito menor do que o solvente. Jem
maior mobilidade na rede, pois interdifuso no e4ige mecanismo de lacunas. 0aso do
? e do 0 nos aos.
,corre quanto 3tomos tm taman/os pr(4imos aqueles da matriz com diferenas entre
raios menor que #9 K. Lera distoro no reticulado= introduz tenses, atua como
barreira ao movimento de discord6ncias e aumenta a resistncia do material. I mais
difcil se mover 8interdifuso1 pela rede cristalina. H4emplos= 2i em aos ino4id3veis
austenticos esta dissolvido na austenita e Mn 8abai4o de &$ K1 no cobre forma lato.
5) O que di a regra de Pome>1ot/erQ.
6) O que s"o discord4ncias?
,s defeitos em lin/a, tamb!m c/amados de discord6ncias so imperfeies que causam
a distoro da rede cristalina em torno de uma lin/a e caracterizam%se por envolver um
plano e4tra de 3tomosA
As discord6ncias esto associadas com a cristalizao e a deformao 8origem:
trmica, mecnica e supersaturao de defeitos pontuais);
Hstas imperfeies podem ser produzidas durante o crescimento do cristal ou na
deformao pl3stica do cristalA
7) O que s"o movimentos de discord4ncias?
,s materiais podem ser solicitados por tenses de compresso, trao ou de
cisal/amentoA
0omo a maioria dos metais so menos resistentes ao cisal/amento que E trao e
compresso e como estes .ltimos podem ser decompostos em componentes de
cisal/amento, pode%se dizer que os metais se deformam pelo cisal/amento pl3stico ou
pelo escorregamento de um plano cristalino em relao ao outroA
, escorregamento de planos at-micos envolve o movimento de discord6nciasA
Quando um 3tomo de uma impureza esta presente, o movimento da discord6ncia fica
restringido, ou se<a, deve%se fornecer energia adicional para que continue /avendo
escorregamento. Bor isso solues s(lidas de metais so sempre mais resistentes que
seus metais puros constituintes
=) 5 regra de Pome>rot/erQ % satisfeita se tiver a mesma+
a ) raio at0mico! estrutura cristalina! eletronegatividade e valHnciaJ
b ) raio at0mico! estrutura cristalina! eletropositividade e valHnciaJ
c ) raio at0mico! impureas! eletronegatividade e valHnciaJ
d ) raio at0mico! estrutura cristalina! eletronegatividade e liga$"o qumicaJ
e ) n.d.a
5esposta= A
< ) I#plique com suas pr-prias palavras como funciona o processo de deforma$"o
pl(stica at% a fratura! quando o material % submetido a um ensaio de tra$"o.
Hm uma escala microsc(pica a deformao pl3stica ! o resultado do movimento dos
3tomos devido E tenso aplicada. Durante este processo ligaes so quebradas e outras
refeitasA 2os s(lidos cristalinos a deformao pl3stica geralmente envolve o
escorregamento de planos at-micos, o movimento de discord6ncias e a formao de
maclasA
Hnto, a formao e movimento das discord6ncias tm papel fundamental para o
aumento da resistncia mec6nica em muitos materiais. A resistncia ec6nica pode ser
aumentada restringindo%se o movimento das discord6ncias.
)
a
lista de B33 prof. Barbieri 5
o
Sem.
1) Rma barra redonda de a$o! de 6 mm de di4metro e esta submetida a uma for$a
de tra$"o de ) ;; 8. 3alcular a tens"o de tra$"o da barra
1esposta:1)!158Amm
2
Nrea@ d
+
;O di6metro inicial @ ) mm
8)1
+
;O @ +P,+* mm
+
@ F ;A @ O$$; +P,+* @ 1)!158Amm
2

2) Rm corpo de prova de alumnio % marcado o comprimento de ); mm. Isse
corpo % deformado por tra$"o de tal modo que o comprimento final % de )2!&mm.
3alcular a deforma$"o?
1esposta: 5!7S
D
$
@ O$mm
D @ O+,&mm @ D QD
$
; D
$
4 #$$@ O+,& Q O$ ; O$ 4 #$$ @ 9,*9K
&) Rm corpo de prova de cobre tem comprimento &;5 mm e % tracionado com uma
tens"o de 276B,a. Se a deforma$"o % completamente el(stica! qual ser( a
resultante do elongamento?
'ado+ m-dulo de elasticidade do cobre I : 11;T,a
1esposta:&;5!;;77mm
Atrav!s da lei de /oo' @ H. sendo @ D%D
$
; D
$
4#$$
@ H. @R +*) @ ##$.$$$. D %&$9 . #$$ @ R D @ &$9,$$$**mm
&$9
)) Rm arame de a$o de ;!5 mm
2
de (rea de se$"o transversal! com 1; m de
comprimento % tracionado elasticamente 1!6= mm por uma for$a de 17!2)8.
3alcular o m-dulo de elasticidade desse a$o?
1esposta : 2;5!2 U8Amm
2
@ F ;A @ #*,+O ; $,9 @ &)!)=8Amm
2

@ D; D
$ . 4
#$$ @ #,)P ; #$$$$ @ #,)P.#$
%+
mm
@ H. @R H @ ; @ &O,OP ; #,)P.#$
%+
@ 2;5!2 U8Amm
2
ou T,a
5) Doi efetuado o ensaio de tra$"o no laborat-rio em um corpo de prova
com comprimento inicial de 5; mm! di4metro inicial igual a 1; mm. Doram
medidos os seguintes valores+ 3arga de ruptura+ &5;;; 8! 3arga m(#ima de
5;;;;8! comprimento final+ 65 mm! di4metro final 7!5 mm. 'etermine+
a) a tens"o de rupturaJ
b) a tens"o m(#imaJ
c) 'eforma$"o especifica
0alculo da 3rea Nrea@ d
+
;O di6metro inicial @ #$ mm
8#$1
+
;O @ *P,9O mm
+
a) .ens"o de ruptura
5
@ F ;A @ &9$$$ ;*P,9O @ OO9,)&Ba
b) .ens"o m(#ima

@ F ;A @ 9$$$$ ;*P,9O @ )&),)#Ba

c) 'eforma$"o especifica
D
$
@ 9$mm
D @ )9mm @ D QD
$
; D
$
4 #$$@ )9 Q 9$ ; 9$ 4 #$$ @ &$K
6) Rma amostra cilndrica de a$o tem um di4metro original de 12!= mm! e sua
deforma$"o % ensaiada at% fraturar e foi encontrada uma tens"o de engen/aria de
fratura de )6;B,a . Se o di4metro da se$"o at% fraturar foi 1;!7 mm. 'etermine+
a ductilidade em termos percentuais da redu$"o da (rea?J
1esposta+ S51:&;S
Nrea@ d
+
;O di6metro inicial @ #+,P mm
A
$
@ 8#+,P1
+
;O @ #+P,)* mm
+
di6metro final

@ #$,* mm
A @ 8#$,*1
+
;O @ P","+ mm
+
S51 : 5
;
5 A5
;
L1;; : #+P,)* % P","+ ; #+P,)*4#$$ @ &$,##K
7) 3alcule a espessura mnima que deve ter uma c/apa que ser( ensaiada pelo
m%todo 1ocUKell! sabendo que a durea estimada do material % )5 P13.
Benetrador de diamante=
?5 normal= B @ $,$$+ 4 8#$$ % ?51 @ $,$$+4 8#$$%O91 @ $,##mm
De modo geral, a espessura mnima do corpo de prova deve ser #* vezes a profundidade
atingida pelo penetradorA p@ $,## 4#* @ #,P* mm 8espessura mnima1
=) O resultado do ensaio de durea 1ocUKell para uma c/apa de a$o de 2!; mm de
espessura % de &7 P13. Iste resultado % v(lido? Vustifique.
Benetrador de diamante=
?5 normal= B @ $,$$+ 4 8#$$ % ?51 @ $,$$+4 8#$$%&*1 @ $,#+) mm
De modo geral, a espessura mnima do corpo de prova deve ser #* vezes a profundidade
atingida pelo penetradorA A p@ $,#+) 4#* @ +,#O mm 8espessura mnima1
2o ! valido, pois pela norma a c/apa teria que ter pelo menos +,#Omm de espessura,
ou se<a, mais que + mm.
<) Rm material com um alongamento de ;S % considerado+
a) ,ouco resistente.
b) 'util.
c) Buito resistente.
d) Dr(gil LLLLLL
1;) > 5$o 5FSF 1;)5
,reenc/er a tabela abai#o+

'ados+ 'i4metro inicial do 3', : = mm 'i4metro final Cruptura) do 3', : 7!<5mm
'etermine+
a1
3alcule S C(rea) : Nrea@ d
+
;O di6metro inicial @ P mm A
$
@8P1
+
;O @
9$,+) mm
+
b)
.race a curva .ens"o # 'eforma$"o e determine as propriedades mec4nicas
solicitadas.
d) 'etermine a 'eforma$Ees Ispecficas Calongamento e estric$"o)
D
$
@ +9mm
D @ $,*9$mm @ D ; D
$
4 #$$@ $,*9$ ; +9 4 #$$ @ &K
Nrea@ d
+
;O di6metro inicial @ P mm
A
$
@ 8P1
+
;O @ 9$,+) mm
+
di6metro final

@ *,"9 mm
A @ 8*,"91
+
;O @ O",)& mm
+
S51 : 5
;
5 A5
;
L1;; : 9$,+) % O",)& ; 9$,+)4#$$ @ 1,25 %
e) 'etermine as .ensEes de ruptura e m(#ima

@ F

;A @ O9$$$ ;9$,+) @ 895,52 MPa

5
@ F
5
;A @ &"O$$ ;9$,+) @ 784,07 Mpa
f) B-dulo de elasticidade do material
0oeficiente ang .reta 8primeiros pontos na regio el3stica1
@ H. @R H @ ; @ +9P,)9O Q #+",&+* ; $,$$#O Q $,$$$&

@ 117.57 GPa