U Un ni iv ve er rs si id da ad de e E Es st ta ad du ua al l d de e C Ca am mp pi in na as s

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O Or ri ie en nt ta ad do or r R Ri ic ch ha ar rd d L La an nd de er rs s







C Co on ns st tr ru u o o d de e m mo on nt ta ag ge em m e ex xp pe er ri im me en nt ta al l p pa ar ra a
E Ef fe ei it to o H Ha al ll l















Alunos: Leonardo V. Perdomo
Lus Fernando Maestro
UNICAMP - IFGW
Efeito Hall 1
CONTEDO
1 Resumo ...........................................................................................................................................................2
2 Introduo ......................................................................................................................................................2
3 Fundamentao terica ................................................................................................................................2
4 Controle de campo magntico ......................................................................................................................4
4.1 Testes ..............................................................................................................................................7
5 Controle de temperatura ..............................................................................................................................8
5.1 Termmetro ...................................................................................................................................8
5.2 Calibrao ......................................................................................................................................9
5.3 Fonte de corrente para variar temperatura .............................................................................10
6 Restaurao do Criostato e sistema de Vcuo ..........................................................................................10
7 Concluso .....................................................................................................................................................11
8 Agradecimentos ...........................................................................................................................................11
9 Biliografia .....................................................................................................................................................11








































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Efeito Hall 2
1 Resumo

Nesse trabalho construmos um equipamento para realizar diversas medidas atravs do
Efeito Hall. Este equipamento consiste em uma fonte de corrente de cerca de 20 A para poder gerar
um campo magntico de aproximadamente 0,5 T, a construo de um termmetro e uma fonte de
corrente varivel de 1 A para controlarmos e variarmos a temperatura da amostra no criostato e a
montagem do sistema de vcuo para o mesmo.

2 Introduo

O avano da computao, que provavelmente foi uma das cincias que mais evoluiu no
ltimo sculo, teve como um de seus principais pilares a inveno do transistor. Como esse at o
presente momento baseia-se em semicondutores, o estudo desses tornou-se de fundamental
importncia para que menores e melhores transistores pudessem ser fabricados, e no somente
transistores pois a indstria de semicondutores hoje expande-se por diversas reas desde aparelhos
de medida at no espao, onde temos clulas solares que mantm satlites energizados.
nesse aspecto que mtodos de caracterizao de semicondutores torna-se de extrema
importncia. Dentre muitos desses mtodos iremos apresentar nesse trabalho o que se baseia no
Efeito Hall que um dos mais usados na industria e laboratrios de pesquisa pois permite
determinar densidade de portadores de carga livres, resistividade eltrica, mobilidade de eltrons e
mobilidade de buracos.
O Efeito Hall teve inicio em 1879 quando Edwin H. Hall descobriu que ao passarmos uma
corrente (i) em um condutor ao longo da uma direo e aplicarmos um campo magntico (B)
perpendicular direo da corrente, surge uma diferena de potencial denominada diferena de
potencial Hall - entre os dois lados do condutor perpendiculares a (i) e (B). O que nada mais que
um resultado da Fora de Lorentz.


3 Fundamentao terica

Quando movemos uma partcula (A) com caga (q) com velocidade (v), estando (q) sobre a
ao de um campo magntico (B), passa a agir sobre (A) uma fora (F) dada p:

B v q F
B
r
r
r
= (1)

Essa a fora magntica, se a ele somarmos:

E q F
E
r r
= (2)

Temos ento:

) ( B v E q F
L
r
r
r r
+ = (3)

Que conhecida como fora de Lorentz.
O Efeito Hall ocorre quando ao passar uma corrente por um semicondutor, estando este
sobre a presena de um campo magntico, temos um acumulo de cargas positivas de um lado do
semicondutor e de cargas negativas do lado oposto o que gera um campo eltrico na mesma direo
da fora magntica, s que em sentido contrrio, at que as foras eltricas e magnticas se igualem.
Da:
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Efeito Hall 3
l
V
vB E
H
= = (4)

Onde l a largura do semicondutor e V
H
a teno de Hall.
Pode-se medir V
H
diretamente da amostra, ligando um voltmetro a suas laterais (as que
ficam perpendiculares a corrente e ao campo magntico). Essa magnitude igual a:

qnd
iB
V
H
= (5)

Manipulando a equao 5 e definindo a densidade de folha (n
s
= nd, sendo d a espessura da
amostra e n densidade por volume), podemos chegar a seguinte expresso:

q V
iB
n
H
s
= (6)

Sabendo isso fica fcil expressar a Mobilidade Hall:

s
qn
d
= (7)

A resistividade de um semicondutor convenientemente determinada pelo uso da Tcnica
de Medida da Resistividade de Van der Pauw. Nas medidas das diferenas de potencial executas
em amostras a baixas temperaturas, por exemplo, nitrognio liquido, os contatos pontuais da
amostra podem ter resistncias da ordem de Megohms, neste caso no teremos uma boa
determinao na medida da diferena de potencial hall. Para se evitar esse tipo de problema pode-se
usar amostras tipo ponte, com pontos de contatos com reas relativamente grandes. Com isso para
essa geometria e esses tipos de contatos na amostra teremos um fluxo de corrente paralelo pela
amostra de semicondutor. A dificuldade nesse tipo de amostra est em fazer esse tipo de amostra, e
alm do risco considervel de quebra.


















Figura 1 Deslocamento de cargas num campo magtico.
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Efeito Hall 4
4 Controle do campo magntico

Como j foi dito no relatrio parcial, uma das principais proposies desse experimento foi
montar, se possvel totalidade, ou pelo menos a maior parte desse projeto com material reciclado.
sabido que para montagem de fontes de alta corrente o uso de tiristores o mais
recomendado, tanto pela sua preciso quanto pela possibilidade de uma montagem mais potente e
compacta, infelizmente esses no se encontravam dentre os materiais disponveis no laboratrio do
professor Richard Landers.
Aps feito um levantamento do material disponvel optamos por usar um velho banco de
transistores que a primeira vista mostrou-se bem conservado.
Antes de decidir pelo uso do banco, foi feito seu levantamento de forma visual(figura 2).
Uma vez decidido o uso do banco de transistores deu-se incio uma pesquisa bibliogrfica para
determinar qual a melhor forma de ser construir uma fonte de corrente com o uso desse material.














Figura 2 Levantamento visual do banco de transistores pr-existente.

Dentre vrios modelos existentes optou-se pela ligao onde se coloca a carga em srie com
o coletor do transistor (figura 3).








Figura 3 Principio de fonte de corrente usando transistor.
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Efeito Hall 5

Esse modelo foi adotado por vrios motivos, dentre eles destacamos: o fcil controle da
corrente atravs da corrente de base, a capacidade de ligar vrios transistores em paralelo a fim de
aumentar a capacidade de corrente do circuito e a prpria disposio em que os transistores do
banco j se encontravam.
Antes de iniciarmos um desenho elaborado do circuito levantamos as caractersticas do
eletrom (figura 4) tais como sua resistncia interna e indutncia, esse procedimento foi realizado
com a ajuda de um multmetro digital, obtendo 1 de resistncia e 36 mH de indutncia.



















Figura 4 Eletrom em funcionamento.

Para o desenho do circuito foi escolhido o programa Circuitmaker, que alm de desenhar
permite a simulao do mesmo. Uma vez desenhado o circuito principal, que no permitia muitas
variaes, vrios circuitos de controle relativamente simples foram adaptados ao mesmo e
simulados no programa. Infelizmente nem um desses mostrou-se adequado as exigncias do
eletrom, ou seja, do campo magntico.
Sendo assim decidiu-se por um controle mais avanado; com o uso de integrados e com uma
realimentao, ou seja, ele mede a corrente do circuito principal e a cada instante faz uma
compensao (para mais ou para menos) mantendo a mesma o mais constante possvel.
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Efeito Hall 6
Um circuito parecido com esse j era usado para controlar uma fonte de corrente (5 A) no
laboratrio, restando assim uma implementao para nosso casso em particular. A figura desse
circuito com as devidas alteraes so mostradas na figura 5.














Figura 5 Projeto final do circuito utilizado na montagem.

Para se entender este circuito basta analisarmo-o da esquerda para a direita, o primeiro amp-
op inverte o sinal proveniente de R
2
, o segundo faz uma comparao ponderada por R
29
, o terceiro
soma ao sinal proveniente do segundo amp-op ao sinal de controle e por fim temos um Darlingtom
alterado que fornece o ganho de corrente necessrio para alimentar as bases de todos os transistores
do banco.
Esse circuito foi implementado em um protoboard (figura 6) para que pudesse ser testado
antes de se mandar fazer o circuito impresso com ele.
















Figura 6 Implementao do circuito no protoboard.
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Efeito Hall 7
4.1 Teste:

Foram realizados vrios testes a fim de descobrir os pontos fracos e a confiabilidade.
Para facilitar tais testes e minimizar os ricos (j que o trabalho feito com altas correntes) os
testes foram realizados em trs etapas, onde testamos individualmente o controlador, a parte de alta
corrente e s depois o conjunto completo.
Para o teste do circuito de controle foi montado um circuito onde o load (base dos
transistores e resistores em paralelo) foram substitudos simplesmente por uma resistncia
equivalente juntamente com a resistncia de referncia. Nesses testes foi feita a primeira calibrao
do sistema.
Esses testes foram realizados com o suporte do laboratrio de eletrnica do Instituto de
Fsica da Unicamp.
A alta corrente foi testada com uma simples fonte de corrente (feita com pilhas de 9 V)
ligada as bases dos transistores de nosso banco. E como load usou-se apenas um resistor de
potncia. Nesse teste foram apenas aplicadas correntes baixas em torno de 1A.
O teste do conjunto (figura 7), j foi feito tendo nosso eletrom como load. Antes de
darmos incio aos testes foi montado um sistema de refrigerao para atender tanto o eletrom
quanto o banco de transistores.






















Figura 7 Conjunto do controle do campo magntico.

Durante os testes vrios problemas foram detectados e resolvidos, tais como: Transistores do
banco que apresentaram defeito, resistores com resistividade nominal muito diferente da real, super
aquecimento de partes do banco (que inclusive provocaram a troca da resistncia de referncia e a
troca de todos os resistores dos emissores do banco, inicialmente projetados para 3 para 1). O
grande nmero de transistores defeituosos obrigou a reduo do nmero final de transistores, por
falta de repositores.
Uma vez funcionado o controle do campo magntico pudemos levantar a curva do campo
magntico apresentado pelo eletrom (sem os colimadores de campo) Vs. A corrente imposta a ele
figura 8.
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Efeito Hall 8

0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 5 10 15 20 25
Corrente [A]
C
a
m
p
o

M
a
g
n

t
i
c
o

[
m
T
]

Figura 8 Grfico experimental do campo magntico obtido no eletrom.



5 Controle de Temperatura:

A parte de Controle de Temperatura consiste na montagem de um circuito eletrnico que
funcione como um termmetro preciso, a calibrao do termmetro, a construo de uma fonte de
corrente que permite variar a temperatura, a restaurao de um criostato e a montagem do sistema
de vcuo.

5.1 Termmetro:

O termmetro que precisamos construir deve medir um intervalo de temperatura de
aproximadamente 150C e deve ter uma boa preciso.
O circuito que devemos montar para medir a temperatura de um diodo, que no nosso o
sensor de temperatura do sistema. A temperatura do diodo ir variar da temperatura do nitrognio
lquido at a temperatura ambiente. Devemos fazer com que a corrente no diodo seja de 10A, pois
essa a corrente mnima para que o prprio comece a conduzir, e que seja bem constante.
Para isso pesquisamos em livros de circuitos eletrnicos e encontramos um artigo na revista
Eletronics de 26 de Maio de 1977 na pgina 126 um circuito que atendia a todas as nossas
necessidades. O circuito (Fig. 9) construdo para medir variaes de temperatura de at 150C e
possui uma grande linearidade e sensibilidade.
As nicas alteraes que foram necessrias fazer do circuito original publicado na revista
foram a alterao do resistor R7 que era de 3K para um potencimetro de 200K, para podermos
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Efeito Hall 9
ajustar a corrente que passa atravs do diodo e o diodo de referncia que originalmente foi sugerido
ser o LM113 foi substitudo pelo ICL8069, que equivalente e de um custo bem mais acessvel.



















Figura 9 Esquema eltrico do termmetro.


Do circuito temos que os dois primeiros amplificadores operacionais, A
1
e A
2
, tm o
trabalho de manter uma corrente constante atravs do diodo de prova, para assegurar que qualquer
mudana de diferena de potencial atravs do diodo seja resultado direto da mudana de
temperatura do prprio diodo. A
1
serve como um buffer, produzindo uma diferena de potencial de
sada de 4,5V que atua como um ponto de referncia para os outros amplificadores operacionais
trabalharem na regio linear. A
2
em conjunto com o diodo de referncia ICL8069 produz uma sada
constante o qual praticamente independente de variaes da diferena de potencial da bateria ou
temperatura do circuito e fornece uma corrente constante para o diodo de prova.
A diferena de potencial de sada do diodo controlada por A
3
, e mudanas na sada de A
3

so refletidas em A
4
, fornecendo um ponto separado para ajuste da sensibilidade e calibrao.
Um procedimento de calibrao adequado para a correta operao. Uma vez determinado o
intervalo de operao ter sido determinado, o potencimetro do zero-adjust ajustado para dar
diferena de potencial de sada zero na mais baixa temperatura, e o potencimetro da sensitivity
ajustado para a diferena de potencial conveniente para a temperatura extrema a ser medida.
A preciso melhor que 0,1C.


5.2 Calibrao:

Para realizar a calibrao o objetivo era construir um termopar de cobre-constantan e
calibrar o circuito termmetro de acordo com a leitura do termopar e levantar a curva da
temperatura vs. diferena de potencial para o diodo sensor.
O termopar chegou a ser construdo e a funcionar, sendo que uma das junes no estava
soldada, havia apenas um n feito com o auxlio de um alicate e devido a isso no consideramos o
sistema confivel o suficiente para realizar as medidas, pois, qualquer movimentao do aparato
podia fazer com que o termopar parasse de funcionar.
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Efeito Hall 10
Houve uma grande dificuldade de se fazer as junes, devido aos fios serem finos demais e a
diferena de temperatura de fuso dos dois metais, tentamos fazer as junes utilizando solda ponta,
vidro (na vidraria do prprio Instituto) e maarico, mas sem sucesso na maioria das vezes e quando
fazamos com sucesso a juno quebrava facilmente a qualquer movimentao, portanto depois de
vrias tentativas abandonamos esta parte do projeto.


5.3 Fonte de Corrente para variar a Temperatura:

O criostato possui um resistor acoplado que nos permite variar a temperatura da amostra e
para isso tivemos que construir uma fonte de corrente varivel de at 800mA.
Para isso consultamos as notas de aula do curso de F-540 e readaptamos um circuito de fonte
de corrente para o nosso caso (Fig. 10) para funcionar na faixa que ns necessitamos e para que seja
varivel.


















Figura 10 Esquema eltrico da fonte de corrente do criostato.

Sendo que a resistncia de carga de 17 e queremos que no mximo passe 800mA nele
necessitamos no mnimo 16V, para isso colocamos um zener de 16V o qual vai limitar a queda de
diferena de potencial na carga em 15,3V, e atravs do potencimetro em paralelo com o zener
regulamos a diferena de potencial na base do transistor e consequentemente a corrente entre
coletor e emissor.


6 Restaurao do Criostato e Sistema de Vcuo:

Um criostato Meric foi doado pelo LPD do DFA para este fim. E foi necessrio refazer toda
a fiao do criostato. Quando o trabalho estava para ser concludo, os fios j estavam praticamente
colados houve um acidente e o resistor que estava acoplado no criostato quebrou e houve a
necessidade de reconstruir o prprio, o que demandou tempo demais e impossibilitou a concluso
do mesmo.
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Efeito Hall 11
Quanto o sistema de vcuo todas as conexes esto prontas faltando apenas a finalizao da
restaurao do criostato para seja feito os testes de vcuo para verificar se h vazamentos no
sistema.
7 Concluso:

O sistema de controle magntico foi implementado com sucesso restando apenas impresso
do circuito de controle em uma placa de circuito impresso definitiva e a confeco dos cones de
concentrao de campo magntico.
Para finalizar a montagem do criostato resta apenas terminar de colar os contatos do resistor
para podermos fazer vcuo e conectar os demais elementos ao criostato.
Uma vez concludas estas observaes finais a montagem estar apta para aplicao de
medidas caracterizadora de semicondutor na disciplina de F-740, como havamos proposto
inicialmente.
Espera-se que esta montagem resulte em um experimento com resultados bem mais
satisfatrios que os apresentados pela montagem atual. Pois, o novo criostato possibilita um vcuo
maior e um controle de temperatura mais preciso e um campo magntico mais estvel e poderoso.


8 Agradecimentos:

Agradecemos ao pessoal do laboratrio de eletrnica, Claudemir Campagnoli e Jos Carlos
Casilato, pela colaborao nos testes realizados.
Ao pessoal da vidraria pela ajuda na tentativa de fazer o termopar.
Ao professor Lunazzi pelo emprstimo da pequena cmera digital Aiptek.
Ao professor Marcelo Knobel por emprestar o Gaussmeter para medirmos o campo
magntico do eletrom.


9 Bibliografia:

[1] Fundaments of Physics Extended Halliday, Resnick e Walker.
[2] The Art of Eletronics Paul Horowitz e Winfield Hill.
[3] Fundamentos da Teoria Eletromagntica Reitz, Milford e Christy.

Sites pesquisados :

[5] http://www.eeel.nist.gov/812
[6] http://www.fairchildsemi.com
[7] http://www.motorola.com