Raman É A Dispersão Elástica de Luz em Forma de Um Sólido

Raman a disperso elstica de luz em forma de um slido (ou uma molcula) na qual as
mudanas de energia (ou mudanas de Raman) a partir da luz incidente frequentemente

medida em unidades de cm-1 (1 eV8065 cm-1) [1,2 ]. A espectroscopia Raman tem sido
amplamente utilizado em materiais nano-carbono, como o grafeno e os nanotubos de carbono
de parede nica (nanotubos de carbono), principalmente para caracterizao da amostra,
como para os estados de defeitos em amostras de grafeno [3] ou para a distribuio de
dimetro de nanotubos de carbono [4]. . Quando observamos o espectro de Raman, alterando
a energia da luz incidente, a intensidade de Raman reforada quando o incidente ou de luz
difusa tem a mesma energia que a energia de transio ptica do slido, o qual chamado de
espectroscopia de Raman.

Raman a disperso elstica de luz em forma de um slido (ou
uma molcula), em que a energia muda (ou deslocamentos Raman) a partir do
luz incidente so faq freqentemente medido em unidades de cm
-1
(1 cm eV8065
-1
) [1 , 2 ]. A espectroscopia Raman tem sido amplamente-
utilizado em materiais nano-carbono ,: como o grafeno e parede simples
Os nanotubos de carbono (nanotubos de carbono), principalmente para a
caracterizao da amostra,
: Tal como para os estados de defeitos em amostras de grafeno [3] ou para o
distribuio de dimetro de nanotubos de carbono [4] . Quando observamos o
Raman
espectros alterando a energia da luz incidente, o Raman
Quando a intensidade aumentada incidente ou dispersa a luz tem a
mesma energia que a energia de transio ptica do slido, que
chamado de ressonncia espectroscopia Raman. De ressonncia Raman
espectroscopia, podemos obter informaes sobre o trutura eletrnica
tura do que slida especialmente significativo em baixo-dimensional
materiais: como o grafeno ou nanotubos de carbono porque a densidade de
estados
na caracterstica original e original torna-se conhecido como os efeitos so
van Hove singularidade e exciton efeitos [5] .
A perda de energia (ou ganho) de luz incidente no inelstica
processo de espalhamento devido gerao (ou aniquilar) elementos
excitaes tares, ou fnons: como um par eltron-buraco. A
excitaes elementares so acoplados aos portadores foto-excitados, na
medida
como existem as interaes correspondentes. Por exemplo, um phonon
pode combinar com um eltron foto-animado por um eltron-fnon
(Ou exciton-phonon) interao. A gerao de um eltron-buraco
par metlico nas bandas de energia dos nanotubos metlicos (m-nanotubos de
carbono)
ou grafeno pode acoplar com eltrons foto-animado (ou excitons) por
a interao eltron-eltron. Alm disso, um phonon generat- Diretamente
o de um par de electres buraco conhecido como uma absoro de
infravermelho do
fnons, e um fton acoplado diretamente com um vibrao atmica por
uma interao eltrica-dipolo. Assim, a informao que temos muitas
possveis ptica
Processos para portadores foto-animado no espalhamento inelstico da luz
e preciso investigar que tipo de processos pticos so dominantes
Espectros Raman no Observado alterando parmetros: como o
energia laser incidente (o efeito de ressonncia de Raman), presso,
temperatura
ratura, ea energia de Fermi.
Quando o phonon Observado espectros Raman ocorrer por meio da gerao
Processos, podemos verificar o processo, observando phonon emitindo
a mudana do Raman muda quando substitumos
12
C durante
13
C
(O efeito isotpico, ver, por exemplo, ref. [6] ). Quando o Observado
Espectros Raman ocorrer atravs da gerao de um par eltron-buraco, ns
podemos
Este processo de avaliao por observao da alterao da Raman
Resultando espectros de mudar a energia de Fermi (porto modulada
Efeito de Raman). Por aumento aumentar (ou diminuir) a energia de Fermi, o
gerao do par de electres furo pode ser suprimido a fim Porque
estado (o estado inicial) torna-se ocupado (desocupado). Mesmo
Entenda que ns modulada por porto espectroscopia Raman
Que os espectros de Raman so devido a gerao de electres furo par

PAG 02
gerando um par eltron-buraco, uma vez que existem duas possibilidades
para a interao. Uma delas a interao eltron-eltron e
outra a interaco de electres fono, como discutido abaixo.
Assim, ao combinar combinar a teoria com a experincia, preciso analisar
Espectros medidos no detalhe para responder a esta pergunta.
Para o caso de nanotubos metlicos ou monocamada de grafeno, o
energia phonon na presena da interao eltron-fnon
Calculado utilizando uma perturbao Hamiltoniano, no qual o
freqncia de fnons e tempo de vida phonon so "renormalized" em
no sentido em que a energia de fones na forma de um slido geralmente
originalmente
zado pela interaco de electres fono que se baseia na
discusses por Bardeen e Pine na dcada de 1950. O soft phonon
Qual ening fenmenos por um par eltron-buraco praticamente
expanso da perturbao animado pelo eltron-fnon
Geralmente interao chamado de "o efeito anomalia Kohn" [7 , 8 ]. A
Kohn efeito anomalia um fenmeno no-adiabticos no sentido
Que o sistema de eltrons no podem permanecer no estado fundamental e
o sistema de eltrons sempre abalada por uma vibrao atmica. Em
um sistema para o qual uma aproximao adiabtica funciona, no
Por outro lado, os eltrons seguir rapidamente a vibrao atmica, enquanto
Sua manter estado fundamental eletrnico. Num sistema no adiabtica,
os eltrons no pode relaxar rapidamente s suas estados fundamentais, uma
vez que um
tempo tpico para a interao eltron-fnon relevante (100 fs)
comparvel ou superior ao do perodo da vibrao trelia
(10-100 fs). Tal situao para os eltrons podem ser imaginado por
Considerando-se a gua em um copo vibrando. O efeito Kohn anomalia pode
ser suprimida, alterando a energia de Fermi, e o efeito pode ser
sondado por espectroscopia Raman porto modulada. Aqui ns discutimos
como os espectros de Raman modificada alterando a energia de Fermi
original e as informaes que podemos obter a partir de um tal gateway
modulada Raman estudo espectroscopia.
Qual Outra interao pode gerar um par eltron-buraco
energia na banda metlica a interao eltron-eltron para
portadores foto-animado ou excitons em nanotubos de carbono. Uma parte da
energia
do exciton pode ser transferido gerar outro exciton no
banda de energia em nanotubos metlicos por uma interao eltron-eltron
o. O espalhamento inelstico do exciton que pode ser observado
por espectroscopia de Raman abordagem chamado de Raman electrnico
espectroscopia (ERS). Semelhante ao anomalia Kohn, o processo ERS
pode ser reprimida por mutao da energia de Fermi, de modo que o ERS
Tambm processo pode ser sondado por espectroscopia fechado modulada.
Finalmente, explicar brevemente: (1) de primeira ordem e de segunda ordem
Espalhamento Raman, bem como (2) a intravalley e Intervalley
disperso de excitons em nanotubos de carbono ou de um par eltron-buraco
na
grafeno [1] .
Na espectroscopia Raman, info, temos vrios traos caractersticos
Espectros Raman na Associated Com modos de fnons diferente e
Tambm temos ERS. Cada processo ptico qualquer uma de primeira ordem
ou
a segunda ordem processo de espalhamento Raman. Em primeira ordem
Stokes
(Ou anti-Stokes) espalhamento Raman, Raman phonon ativo emitido
(Ou absorvido). Se o wavevector phonon tem um - q, uma foto-animado
eltron em um estado com wavevector k est espalhado para um estado com
wavevector k + q. A fim de que o electro dispersa para recombinar
com um furo com o mesmo wavevector k, o wavevector phonon
da disperso de primeira ordem 0 q deve ser, a que chamamos
centro-zona modo phonon. Mesmo que tenhamos um phonon
Com muitos s disperso relao Q ', vemos apenas zona centro-a
phonon no ponto na rede recproca (ou zona de Brillouin) em
o processo de Raman de primeira ordem. Em segunda ordem de disperso pro
processos, por outro lado, duas fonones pode ser emitida de
processo ptica induzida por um eltron foto-animado. Neste caso,
um par eltron-buraco de q e - q com q 0 phonon pode ser
Emitida em um processo Raman de dois fnons. Se os dois fnons so
na mesma curva de disperso de fono, o espectro de Raman uma
modo harmnico com duas vezes a energia de fono da, enquanto em
outros casos, o espectro Raman consistem de um modo de combinao
Com a soma das energias dos dois fonones. Na segunda
ordenar os espectros de Raman, desde que a limitao de q 0 na primeira
ordem
Espectros Raman descontrado e uma vez que existem muitas combinaes
de modos de fnons, a atribuio dos modos para uma combinao
Espectros Raman dado no fcil, especialmente para casos em que o
energias de dois modos de combinao so prximas umas das outras. Aqui
ns damos uma viso geral mostrando como modulada-gate Raman
espectrofotometria
troscopy pode atribuir a combinao de modos, embora o
Recursos Raman esto perto da frequncia ou os recursos so quase
sobreposto na freqncia.
Na Seo 2 , apresentamos a tcnica experimental da
porto modulada espectroscopia Raman. Na Seo 3 , Discutimos a
Kohn anomalia teoricamente. Na Seo 4 que viso geral do principal
resultados dos espectros Raman modulada-gate e sua anlise por
consideraes tericas. Na Seo 5 , Espectros Raman Eletrnico
so de forma geral, e na Seo 6 Raman resulta para o plano em
e modos de intercalar do bicamada de grafeno so dadas. Na Seo 7 , um
resumo e direes futuras para a tcnica de gate-modulao
so dadas.
2 dispositivos Porto modulados
Aqui vamos explicar como mudar a energia de Fermi no
experimento por meio de dispositivos fechados para trs e top fechados. Dois
experimental
So empregadas tcnicas mentais: (1) os dispositivos de volta fechados em um
substrato de silcio do tipo p e (2) Usado com dispositivos top fechado
doping electro-qumica. Nos dispositivos de trs fechado, como mostrado nas
. Fig 1 (a), uma porta de tenso V aplicada
g
pode induzir potencial
Diferena entre o substrato e o silcio com uma grafeno
contacto metlico separado por um xido de silcio (SiO
2
, Isolador) camada.
Quando a V
g
positivo ou negativo em relao ao substrato se,
eltrons ou buracos, respectivamente, so acumulados na grafeno
camada. No topo dispositivos fechado, como mostrado na figura. 1 (B) o
polmero
electrlito (lquido, condutor inico) colocada sobre a amostra. Pela
eletrlito de polmero, por exemplo, a informao que temos usado uma
mistura de
perclorato de ltio (LiClO
4
) E poli (metacrilato de metilo)
(PMMA, massa molar de 120.000), com uma proporo em peso de 0,30: 1,
Dissolvido em carbonato de propileno (PC), para formar um precursor. Para
exemplos de outras solues de eletrlitos, ver Refs. [9 , 10 , 51 ]. Onze
o precursor est pronto para uso, aplic-lo para o dispositivo de grafeno.
O solvente evapora-se o precursor a partir de uma pelcula fina e de

PAG 03

Formada electrlito polmero transparente est no topo do dispositivo.
O dispositivo pode ser cozido em 90 1C ACERCA para remover residuais
umidade e lcool. Uma vez que o polmero e o sal so dissolvidas
num solvente, o material final um lquido, mas bastante viscoso e
O laser no evaporar com a exposio luz.
Quando a porta de voltagem V
g
Aplicada entre a amostra e a
contra eletrodo, ons positivos (negativos) a partir do eletrlito so
acumulado perto da amostra de grafeno e eles formam um eltrico
dupla camada ( Fig. 1 (c)), combinada com os eltrons (buracos) no
amostra de grafeno. Neste caso, no precisa de nenhum isoladores
separar os portadores negativos e positivos uma vez que os ies do
dupla camada so cercados por molculas que podem funcionar como um
camada isolante de dupla camada elctrica.
Note-se que aqui no vamos discutir aqui o convencional
topo-gated dispositivos semicondutores em uma camada de material isolante e
que
em seguida, a parte superior de porta so depositadas na parte superior da
amostra de grafeno.
Este tipo de dispositivo de topo fechado essencialmente o mesmo que o
fundo
dispositivos fechado, e um tal dispositivo no adequado para ptica
medies em que a luz incidente chega ao topo da
a amostra.
Os mritos do dispositivo fundo fechado so: (1) este um bem
tcnica estabelecida na tecnologia de semicondutores e (2) Tal
dispositivos tm uma resposta rpida a acumulao transportadora. Os mritos
de
a porta superior de dopagem com electro-qumica, que so: (1) no existe
precisa fazer quaisquer camadas de isolamento (e, portanto, ele fabricado
com facilidade
cado), (2) a porta superior transparente adequada para medies de Raman
mentos. Importante Outro mrito do dispositivo porta superior isso
(3) ns podemos mudar a energia de Fermi sobre uma relativamente ampla
faixa
uma vez que o tamanho da molcula de solvente muito menor (vrios nm)
do que a largura do SiO
2
camadas (100-300 nm) que so utilizados na
o fundo fechado dispositivos. A desvantagem do porto fundo
Essa abordagem que no podemos mudar a energia de Fermi em uma grande
Em comparao com a faixa de energia electro-qumica doping technicien
que. Se fizermos uma camada muito fina de xido da ordem de uma nm, o
tenso de ruptura do isolante OCORRE relativamente a um baixo V
g
.
As desvantagens do dispositivo de porto de topo com electro-qumica
dopagem so as seguintes: (1) a resposta de ies muito mais lento do que o
resposta de eltrons ou buracos e (2) que precisamos para cobrir o
eletrlito com uma camada protetora, se quisermos usar o dispositivo para
Aplicaes reais. Assim, um ou o outro dos dois dispositivos podem ser
seleccionado de um modo complementar Dependendo da finalidade da
dispositivo. A partir de agora, vamos discutir a relao entre o Fermi
energia e da tenso de porta para cada caso.
2.1. Voltar dispositivos fechados
A quantidade de carga induzida no grafeno pode ser modelada pela
Considerando-se o sistema como um condensador de placa paralela, onde um
placa a folha plana grafeno e o outro o
conduzindo substrato de silcio dopado-p. A camada de dixido de silcio
funciona como o meio dielctrico entre as duas condies (ver
Fig. One (A)). A capacitncia geomtrica por unidade de rea C
G
de this
sistema dado por
C
G

0
d
Fm
-2
;
1
onde
0
8: 854 10
-12
Fm
-1
e so a permissividade do
vcuo e de SiO
2
camada, respectivamente, e d a espessura
do SiO
2
camada. Em seguida, o nmero de electres por unidade de rea,
n, Transferido para o grafeno, aplicando uma tenso V
g
Dada
por [11]
n

0
V
g
- V
0

ed
7: 2 10
10
cm
-2
V
-1
V
g
- V
0
;
2
onde e 1: 602 10
-19
C a carga do eltron. Aqui temos informaes
utilizado 300 nm e d 3: 9 para o dixido de silcio [12] e V
0

uma tenso constante para ajustar o nvel de Fermi para o ponto de Dirac,
isto , o ponto de neutralidade de carga. A posio do ponto de Dirac pode
ser localizado por colocao no mnimo na condutividade
Entre a fonte e os eletrodos de drenagem, Apropriadamente
Variando a V
g
.
O valor de n na Equao. (2) igual ao nmero de estados por unidade
rea de N / A em um sistema bidimensional, que dada por [13]
n
N
A

gk
2
F
4
;
3
onde N o nmero total de estados, A a rea da clula unitria
no espao recproco, g a rotao 4 (para cima e para baixo) e vale
DK; Degenerescncia k'sima, e k
F
o wavevector ao nvel de Fermi.
Quando assumimos a disperso linear E
F
v
F
k
F
, O Fermi
energia E
F
escrita em termos de V
g
de Equaes. (1) , (2) e (3)
E
F
v
F
ffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffiffi
C
G
V j
g
- V
0
j = e
q
:
4
Quando usamos C
G
01:15 10
-4
F = m
2
, V
F
1: 0 10
6
m = s e
V
g
- V
0
1: 0 V, ento ns comeamos E
F
31 de 2 MeV e as correspondentes
valor do Fermi wavevector k torna-se
F
4:75 a 10
-3

-1
.
2.2. Dispositivos com doping electro-qumica Top fechado
Encargos em monocamada de grafeno pode ser induzida por mtodos tambm
de um dispositivo de porta de topo. As vantagens da utilizao de um
electrlito de polmero
Isso o eletrlito de polmero permite a aplicao de grande
Isso campos eltricos so capazes de induzir transportadora significativa
densidades de mais de 10
13
cm
-2
. A transparncia da pelcula torna
conveniente para estudos pticos de dispositivos baseados em grafeno.
Os eletrlitos polimricos so formados pela dissoluo de sais em soft
materiais polimricos. O mecanismo de conduo eltrica Envolve
o movimento de ons de cargas opostas em direes opostas no
matriz de polmero. Na interface do elctrodo-polmero, o fluxo de ies
intencionalmente interrompida antes poderia ocorrer reaes qumicas no
interface. Uma dupla camada eltrica (tambm conhecido como uma camada
de Debye)
de cargas opostas ento formado entre os materiais de porta e
os materiais de matriz de polmero tal como mostrado na fig. 1 (c), e o
de dupla camada elctrica mantida enquanto a tenso da porta
no exceda o limite de reaes eletroqumicas
(~ 1: 5-2: 0 V em nosso caso). A distncia entre o oppositely-
camadas cobrado na eletrodos dada pela triagem Debye
Comprimento que tipicamente da ordem de alguns nanmetros [14] .
Devido ao pequeno comprimento de Debye, a capacitncia de geomtrico
o sistema (Eq. (1) ) muito maior do que em volta de costume fechado que
dispositivos usando Si / SiO
2
, Quando a distncia entre os dois
camadas com cargas opostas ACERCA 300 nm. Por conseguinte, o
amostra de grafeno pode ser carregada com uma ordem de grandeza
maior densidade de portadores.
A aplicao de uma tenso de porta V
g
Cria um eletrosttica
Entre o potencial de grafeno diferena eo eletrodo de porta
trode, ea adio de portadores de carga leva a uma mudana na
Fermi nvel E
F
. PORTANTO, V
g
dada por
V
g

E
F
e
;
5
com E
F
= E determinado a pelo (quantum) Capacidade de qumica
tncia do grafeno, e ne = C
G
sendo determinada a pela
geomtrica capacitncia C
G
[15] . Em electromagnetismo clssico, todos
cargas positivas e negativas na superfcie do metal e para aparecer
o campo elctrico no interior do metal zero Devido completa
por rastreio de cargas superficiais no original. A capacitncia assim obtida
chamado uma capacitncia geomtrica. No entanto, uma vez que o grafeno
uma camada de espessura atmica, o campo elctrico criado pelo porto
somente
Assim parcialmente blindado e capacidade torna-se menor do que o
capacitncia geomtrica. A capacitncia obtidos quando conside-
rando Tal efeito chamado rastreio a capacitncia quntica.

PAG 04
,
No dispositivo de porto de volta, o grafeno em Si / SiO
2
substrato
com 300 nm de SiO
2
tem uma pequena capacitncia geomtrico por unidade
rea C
G
01:15 10
-8
F cm
-2
(Eq. (1) ). Assim, para um valor tpico de
a densidade de portadores n 1 a 10
13
cm
-2
, A queda de potencial torna-se
140 V, que muito maior do que E
F
= E ~ 0: 37 V para monocamada
grafeno e da contribuio dos E
F
= E em Eq. (5) pode ento ser
negligenciado. Assim, no caso de a parte de trs fechado (bg) dispositivo, V
bg

ea concentrao de doping n expressa simplesmente por n V
bg
,
onde C
G
= E um fator que isso mostra a densidade de portadores pode
DADO ser acumulados pela V
bg
.
Semelhante para os sistemas de trs fechado discutido acima, topo fechado
Alm disso os sistemas podem ser modelados como um condensador de
placas paralelas, mas agora
a camada de Debye feita a camada dieltrica de molculas polimricas
De quem a espessura de alguns nanmetros (nm ~ 1-5) [15] . Como
exemplo, Assumindo um comprimento de Debye de 2 nm, e tendo o
constante dielctrica do polmero de PEG a ser ~ 5 [15] ou de PMMA
ser ~ 2 6 [16] , obtm-se uma capacitncia da porta por unidade de rea
C
G
2: 2 10
-6
F cm
-2
para PEG e C
G
1: 2 10
-6
F cm
-2
para
PMMA, que 100 vezes maior do que a capacitncia geomtrica
sistema para a porta traseira. Neste caso, o primeiro termo na equao. (5)
no pode ser negligenciado.
Substituindo ne = C
G
e Eq. (2) para n e Eq. (4) para o E
F
em
Eq. (5) , Obtemos
V
g

v
F
ffiffiffiffiffiffi
n
p
e

ne
C
G
:
6
Usando
o
numrica
valores
C
G
2: 2 10
-6
F cm
-2
e
v
F
1: 0 10
6
m = s, obtm-se uma relao de V
g
em termos da
dopagem n como densidade
V
g
01:16 10
-7
ffiffiffi
n
p
0: 728 10
-13
n;
7
onde n em unidades de centmetros
-2
. Por exemplo, para V
g
1 V, obtemos uma
valor de n = 9 a 10
12
cm
-2
E E
F
00:35 eV para Este top fechado
dispositivo. Os dispositivos de porta e porta traseira superior discutidos
na Seo 2
so utilizados experimentalmente para variar a densidade e o transportador de
Fermi
Percebendo a nvel fsico em conceitos envolvidos no uso de Raman
espectroscopia para estudar renormalizao phonon em nano metlico
tubos e grafeno.
Finalmente observa-se que os dois tipos de portas (fechado e soluo
eletrostaticamente fechado) tem uma conveno de sinais diferentes para
operadoras
em uma amostra de grafeno para tenso de porta DADO. Para uma porta
positiva
tenso, os electres so acumulados em grafeno para o fundo
medies de gaveta, quando os furos so acumulados com o grafeno para
as medies de topo do porto. Da mesma forma, para uma tenso de porta
negativo,
buracos so acumulados no grafeno porta inferior para medio
mentos e eltrons so acumulados para o topo porto medio
mentos. importante ressaltar que as diferentes convenes so
Porque as tenses necessrias Gate Principais so aplicadas atravs de um
dispositivo potenciostato (neste caso, o floco de grafeno no
ligao terra), ao passo que as tenses de porta de trs so aplicados atravs
de um
Gerador de fonte DC, em que o grafeno aterrado.
3 A anomalia Kohn
O formalismo usado para descrever renormalizao phonon
chamada de anomalia Kohn Qual o mais importante para
Determinar a freqncia de fnons e largura da linha em grafeno
Os nanotubos de carbono e metal e ambas as quantidades so
Espalhamento Raman uma medio. De modo mais geral, o Kohn
anomalia um phonon suavizando fenmenos na presena do
eltrons livres em uma banda de energia metlico. No metal normal, s
eltrons na energia de Fermi Com a wavevector - k
F
pode ser
excitado por absorver uma fnons atravs do eltron-fnon
interao. No caso de grafeno e carvo metlico nano
tubos, os estados finais so geralmente estados desocupados na mesma
banda metlica com uma energia wavevector k
F
e com phonon
Que assim wavevectors so 2k
F
(Como mostrado na FIG 2. (A)). O oposto
processo de relaxamento de k
F
a - k
F
possvel, tambm, se o estado em - k
F
no est ocupado. Usando segunda teoria de perturbao da ordem, o
energia phonon expressa por [8]

q

0
q
2
kk '
JV
kk '
j
2

0
q
- E
eh
I th
q
= 2
A D f
h
- F
e

8
onde k e k 'so, respectivamente, de onda vetores para a formao inicial e
acabar com estados eletrnicos, q k - k ' o phonon wave-vector;
E
eh
E
e
k '
- E
h
k
o e-h par de energia;
0
q
a freqncia de fnons;

q
o phonon decadncia largura f
h
f
e
a distribuio de Fermi
funo de buracos (eltrons) e V
kk '
D a phonon eltron
elemento de matriz. Para uma freqncia phonon especfico
q
, The phonon
freqncia termo de correo devido STI auto-energia dada por

q
-
0
q

q
; E
F
THS. Aqui
q
; E
F
uma quantidade complexa com
parte real Isso uma mudana do energia phonon
q
-
0
q
, Onde

0
q
a energia de fnons na aproximao adiabtica. A
imaginrio Im parte
q
; E
F
Ths da eq. (8) D a largura decadncia,
q
,
Que determina o tempo de vida inverso do phonon [8] . O
q

determinada a auto-consistente no sentido de que a parte imaginria
de
q

q
.
Em um metal normal, a energia de fones em q 2k
F
Torna-se macio
Como o denominador da equao de energia. (8) torna-se negativo desde
E
eh
q para um Dado maior do que
0
q
. Phonon suavizando em q 2k
F
pode
ser observado experimentalmente por nutrons inelstica disperso meato
me-. Este fenmeno em um metal tridimensional
Geralmente o chamado Kohn anomalia [7] . Especialmente para one
metais dimensionais (ou materiais de baixa dimensionalidade), com um
"assentamento
Fermi superfcie "(superfcies paralelas Fermi de k
F
e - k
F
), A Kohn
Torne-lata anomalia significativa. Na verdade, o freqncia phonon
q
Pode obter um valor negativo (ou mais corretamente a pur imaginrio) de
valor,
E esta situao chamado de anomalia gigante Kohn. No caso de
k
F
2
k
F
k
F
E
F
q = 0
q = 0
k
E
E
k
q = 0
K '
K

K
K
K '
K '
K
K '
. FIG 2 A Kohn anomalia, (a) no caso de um metal normal, um eltron
animado de - k
F
para k
F
por absorver um q 2k
F
phonon. Se considerarmos a segunda perturbao ordem
processo para a phonon, a energia de fnons com q 2k
F
Torna-se macia, (b) no caso do grafeno, um eltron animado do a
n
Dentro da mesma faixa de k por um absorvente
Qual phonon suave q se torna 0. H outra possibilidade da
excitao KK para q ' K para a disperso de um vale para outro vale K
K' (Intervalley
disperso), (c) o bidimensional zona de Brillouin do grafeno e os crculos
representam crculos equi-energia em todo o K e pontos K '. Uma seta indica a
Intervalley
disperso.
R. Saito et al. / Slidos Communications Estado () -
4
Por favor citar este artigo como :. R. Saito, et al, modulada espectroscopia
Raman Porto de nanotubos de carbono e grafeno, Solid State Commun

PAG 05

a anomalia gigante Kohn, torna-se distorcida da rede (Peierls '
instabilidade) e uma onda de densidade de carga (CDW) para a eletrnica
Aparece carga.
No caso do grafeno no dopado, uma vez que no so ocupados
e desocupado
n
De que as bandas de energia tocam no Dirac
Que ponto coincide com a energia de Fermi, um phonon com q 0
( FIG. 2 (b)) s pode excitar um eltron do a
n
banda.
Alm disso, uma vez que o declive da disperso de energia de fono muito
menor do que o declive da disperso de energia de electres, s q ~ 0
excitao de fnons permitido dentro de um cone de Dirac. No entanto, na
zona de Brillouin hexagonal de grafeno, como mostrado na fig. 2 (C) no
so dois cantos hexagonais inequivalent no espao k, de modo que ns
esperar a partir de excitao de electres em torno do cone de Dirac K
ponto a ser espalhados por
n
em torno do cone de Dirac ponto K 'como
mostrado na fig. 2 (b). Este processo de espalhamento de um eltron (ou
buraco)
chamado Intervalley (EV) de disperso, enquanto que a disperso No
mesmo cone de Dirac chamado intravalley (AV) de espalhamento [17] . No
EV caso de espalhamento, a onda phonon vetor q K corresponde
e, ou o phonon perto do ponto K ou um phonon perto do K '
ponto relevante. Na Seo 4 , vamos discutir a combinao
Correspondentes aos processos de disperso modos fnons EV.
Hereafter nesta seo, discutimos 0 fnons q AV.
Os fenmenos de amolecimento phonon centrada na zona 0 q pode ser
Observado por espectroscopia Raman como uma mudana de frequncia
phonon
e uma largura espectral Ampliao. A ampliao largura espectral
Porque o phonon OCORRE agora tm um tempo de vida finito que vem
a partir da interao dos eltrons com fnons. Esta interaco
Porque o phonon OCORRE frequncia do modo de fnons pticos
relativamente alta (47 THz, 20 fs) em comparao com o tempo para a
tempo de interao eltron-fnon (~ 100 fs) estimado pelo
relao de incerteza. A mecnica quntica nos diz que um elemento
trio de excitao com um tempo de vida finito se comporta como um
"quasiparticle".
Na presena de uma interao eltron-fnon, um fnon em
q 0 no grafeno torna-se Tal quasiparticle.
No caso de m-nanotubos de carbono, o modo de fono LO (G banda) Quais
visto no espectro de Raman com uma frequncia de 1.590 centmetros
-1
para
s-nanotubos de carbono torna-se macia para m-nanotubos de carbono e
observado em torno de
1.550 centmetros
-1
, Mas com uma frequncia que depende do nanotubo
dimetro. Nos espectros de Raman de um nanotubo de carbono de parede
nica
(SWNT), os modos de fones pticos em dois plano, isto , o
(LO e ITO) phonon longitudinal e no plano transversal ptico
modos ao ponto no centro da hexagonal, dois
dimensional zona de Brillouin (2D BZ), que so degenerados em
grafeno, divididos em dois picos, G
+
e G
-
picos, Respectivamente,
devido curvatura da superfcie cilndrica de nanotubos [4 , 18 , 19 ].
Uma vez que a separao dos dois picos de nanotubos de carbono depende do
nanotubo de curvatura, a freqncia entre o G
+
e G
-
modos
Assim inversamente proporcional ao quadrado do dimetro d
t
de
Nanotubos de carbono (curvatura). Para o caso de s-nanotubos de carbono,
a G
+
modo no
mudar com a mudana d
t
Devido vibrao paralelo ao
nanotubos de eixo, mas o G
-
freqncia, cuja vibrao direita
cular ao eixo de nanotubos, diminui com a diminuio d
t
[20] . Em
o caso de m-nanotubos de carbono, o pico para o modo G LO L
-
Aparece numa
freqncia menor que o G picos para o modo G Ito
+
[21] . A
Os espectros de L
-
nanotubos metlicos para mostrar um espectral muito maior
Largura para semicondutor nanotubos de carbono do que isso. Alm disso, o
G espectral
-
O recurso mostra um LineShape assimtrica em funo
de freqncia, que conhecido como o Breit-Wigner-Fano (BWF)
LineShape e expressa pela seguinte frmula [22] :
Eu I
0
1 -
BWF
= q
BWF

BWF

2
- 1
BWF
=
BWF

2
;
9
onde 1 = q
BWF
um fator de assimetria e
BWF
o pico BWF
freqncia com intensidade mxima I
0
, Enquanto
BWF
a metade da largura
o pico BWF. Se 1 = q
BWF
0, ento eu mostra uma Lorentzian de linha
Assim, a forma ea funo Eq. (9) uma extenso natural do
funo espectral. A origem do LineShape assimtrica o
efeito de interferncia (o efeito Fano) do discreto (fnons) afirma
Com o contnuo (excitao de electres) espectros [23] .
Os efeitos da anomalia Kohn dependem da energia de Fermi desde
a funo de distribuio de Fermi em Eq. (8) modificado pela auto
termo de correo de energia [24] Se os processos pticos na perturbao
expanso so suprimidas por ocupar um estado desocupado
(Ou unoccupying o estado ocupado) com o aumento crescente (decrescente)
Raman intensidade (arb. Unit)
(11.11)
Exp
1500
1600
Raman shift (cm
-1
)
Cal
Exp
(12,0)
1500
1600
Raman shift (cm
-1
)
Cal
Exp
(22.4)
1500
1600
Raman shift (cm
-1
)
Cal
FIG. 3 (a), (c), (e) os espectros de Raman Experimental banda L, que so
dadas para diversos valores de V
g
, Aproveitando o efeito doping electro-qumica. (A) V
g
= 1: 5 a -1,5 V,
(C) V
g
1: 9 a -1,3 V, (e) V
g
= 1: 3 at -1,3 V (b), (d), (f) Calculado G banda espectros Raman feita
alterando a energia de Fermi E
F
a partir de (b) de 0,45 a -0,45 eV, (d) de 0,60 a -0,42 eV
e (f) 0,39 a -0,39 eV. Quiralidades Nanotubos so: (a) e (b) (11, 11), (c) e (d)
(24, 4), (e) e (f) (12,0), e as curvas adjacentes diferem por V 0: 1 V.
Tomado de referncia. [27] .
R. Saito et al. / Slidos Communications Estado ( ) -
5

PAG 06

Que a energia de Fermi pode ser realizada atravs da utilizao de um
Voltagem da porta aplicada. Quando E
eh
menor (maior) do que
0
q
na
denominador da equao. (8) , os processos correspondentes Contribuir para
o endurecimento phonon (amolecimento) [25] . Assim a supresso de
a energia de excitao inferior abaixo
0
q
aumentar aumentar ou diminuir em
a energia de Fermi faz com que a freqncia de fnons se tornar macio e
ter um valor mnimo em E
F
7
0
q
= 2. O Fermi energia dependente
dncia de
q
evidente pode ser observada a uma baixa temperatura (10 K)
uma vez que a funo de distribuio de Fermi Torna-se um passo de energia
[26] . Alm disso, a anomalia Kohn de m-nanotubos mostrada para vrias
valores da tenso de porta V
g
na fig. 3 , onde a anomalia Kohn
visto que tm uma dependncia nanotubo quiralidade.
Na fig. 3 , ns tambm o Calculado show de espectros Raman (abaixo) como
uma funo da energia de Fermi para (b) (11,11) poltrona, (d) (22.4)
quiral e (f) (12.0) m-nanotubos zigzag, que reproduz o
espectros Raman experimental para o m-nanotubos de carbono bem do mesmo
quiralidade, Respectivamente, na fig. 3 (a), (c) e (e) (em cima). A razo
porque o efeito Kohn anomalia depende da quiralidade que o
eltron-fnon (exciton-phonon Precisamente mais) interao k
dependente em torno do ponto K na Brillouin bidimensional
zona (ver pormenores Refs. [25 , 27 , 28 ]).
Podemos recomendar tambm o efeito anomalia Kohn nos espectros Raman
para os modos radiais fnons respirao (RBM) [29] , mas a phonon
amolecimento efeito pequeno (2-3 cm
-1
) Para o MAE, porque: (1) o
energia de fones de um FRP muito menor do que para a banda L e
(2) o perodo de tempo de vibrao (100-200 fs) ainda mais longo do que
o perodo de tempo para a interao eltron-fnon (100 fs) [8] .
No caso de grafeno, o modo ptico mostra tambm Kohn
efeito anomalia [15] , mas a ampliao e assimetria no so to
Quando a grande energia de Fermi est localizado no ponto Como Dirac
a densidade eletrnica de estados de grafeno no ponto de Dirac
zero, enquanto que a densidade de estados de m-nanotubos de carbono no
ponto de Dirac
finito. A diferena na densidade de estados no comportamento grafeno
e em nanotubos de carbono vem da diferente dimensionalidade
dos dois sistemas. Quando a energia de Fermi deslocado do
Ponto de Dirac no grafeno, podemos ver alguma assimetria na
Os espectros de Raman.
No caso de grafite, Quando Ns intercalam muitos metal alcalino
Entre as camadas de grafeno ons (para formar grafite intercalao
Os compostos (GIC) [31] ) Tambm podemos observar formas linha BWF.
A forma assimtrica no GIC depende do nmero de fases [30]
como mostrado na fig. 4 .Aqui, o nmero da etapa n definido pela
nmero de camadas de grafeno subseqente on de metal alcalino Entre
camadas. Etapas 1, 2 e 3 correspondem gICs correspondncia Rb intercalados,
respectivos
pectivamente, para o C
8
Rb, C
24
Rb, e C
36
Estequiometrias Rb. No estgio n
GIC, uma camada de ons intercalada entre cada n grafeno
camadas. Com a diminuio do nmero estgio 3-1, ea mudana
A ampliao do G-banda e aumenta no caso de estgio 1, que
Claramente pode ver um LineShape Raman assimtrica. Ressalta-se
Isso aqui, no caso de GICs com estgio superior a 2, os eltrons
Doado dos ons de metais alcalinos para as camadas de grafeno so
no homogeneamente distribudo na direco perpendicular
plano de grafeno, e, portanto, as energias de Fermi da camada delimitadora
adjacente camada intercalada e E
F
para o grafeno interna
Camadas medido a partir do ponto de Dirac no so o mesmo que um
outro. Isto , o grafeno camada delimitadora para o prximo internacional
Fortemente camada Calate perturbado, mas apenas dentro das camadas so
fracamente perturbado. Assim, precisamos considerar as contribuies para
Ambos os espectros de Raman a partir das camadas interna e delimitam
separadamente na anlise dos espectros de Raman [31] .
4 A anomalia Kohn para o q 0 fnons do grafeno
Nesta seo, discutimos apenas a anomalia Kohn para
q 0 fnons em termos de porto modulada espectroscopia Raman.
Como mostrado na fig. 2 (C) h dois cones de Dirac em torno dos dois
hexagonal inequivalent, cantos da zona de Brillouin bidimensional,
K e pontos K '. Para um dado eltron-buraco (e-h) de energia par
excitado por uma q 0 phonon, existem dois possveis espalhamento
Processos, Nomeadamente intravalley (AV, q 0 e q ~ 0) e Intervalley
(EV, q 0) ( Figura 5. (A)) de espalhamento [17] . Para o phonon Raman
espectros, s q 0 acontece e portanto phonon AV disperso s pode
ser observada, pois aps a disperso de uma foto-animado
eltron em k + q que deve ser recombinados de eltrons com um buraco
em k , aquela que exige a condio q 0. No entanto, para dois
Espectro de fnons Raman, o q 0 espalhamento de fnons para ambos AV e
Processos EV possvel, e podemos observar qualquer tom ou
modos de combinao fnons para qualquer um dos dois AV ou EV
Processos com q e - q . , no entanto notei que uma combinao
Entre um modo AV e um phonon EV no possvel, uma vez que
deve selecionar o par de q e - q fnons para um modo de combinao.
Em dois espectroscopia Raman phonon, um conceito importante
a aplicao das condies de ressonncia duplos para o
phonon wavevector q , isto , q 2 k e q ~ 0 em que k o
valor absoluto do wavevector electres medido em relao ao
K ponto [3 , 19 , 32 ], tal como mostrado na fig. 5 (B). Na fig. 5 (a) e (b),
podemos
Fig. Quatro. espectros Raman de C
8
Rb (fase 1), C
24
Rb (etapa 2), e C
36
Rb (fase 3)
compostos de intercalao de grafite. No caso do C
8
Rb, o espectro de banda L
Significativamente suavizou e mostra um LineShape assimtrica com um pico
de intensidade
em torno de 1.400 centmetros
-1
. A figura feita a partir de Ref. [30] .
k
k + q
q
K
K '
E
L
E
L
k
K
K '
k + q
q

K '
k
q
k + q
q
q = | 2k |
q0
K
AV
EV
E L
2
h
FIG 5.. (a) O intravalley (AV) e Intervalley (EV) de uma disperso processo
foto
eltron animado. Um eltron foto-animado com k em um crculo equi-energia
de uma Dirac
cone em torno do ponto K na zona de Brillouin hexagonal dispersa a
um k + q estado
em outro crculo equi-energia em torno de K ou ponto K ', respectivamente,
para um AV ou EV
processo atravs da emisso de um fnon com - q . (B) O q 0
e q 2 k condies de casal
Espectroscopia de Ressonncia Raman. Para um dado k ponto,
muitos k + q estados so possveis
sobre um crculo. Quando comeamos a rodar k em torno de uma linha de
equi-energia perto do ponto K, o
crculos de k + q so rodados em torno do ponto K se marcamos o q vetor do

ponto. Quando consideramos a densidade de estados de fnons para
tal q vetor, o interior
q ~ 0 e exterior q j2 k vetores singulares Torna-se j, o qual nos
identificamos identidade como q 0 e
q 2 k condies de ressonncia dupla espectroscopia Raman.
6

PAG 07

mostram um crculo equi-energia para wavevector electres k em torno do K
ponto onde a absoro ptica para um determinado OCORRE energia do
laser E
L
. Se
Que assumimos o e
n
bandas de energia so simtricas em torno de
a energia do ponto de Dirac, obtemos, E k = 7
ffiffiffi
3
p

0
ka (
0
o
vizinho mais prximo de ligao forte de energia, uma a constante de rede,
e k j k j.), neste caso, a energia do eltron fotoexcitada
E
L
= 2 Medido a partir da energia do ponto de Dirac e, assim,
k E
L
= 2
ffiffiffi
3
p

0
para . Para um dado k , os dispersa eltrons foto-animado
para k + q estados no ponto a K ', emitindo um - q phonon
(EV disperso, Fig. 5 (B)). Os possveis k + q estados so, em seguida, em
outro crculo equi-energia com uma energia de E
L
- = 2 q em
Qual a energia phonon - q muito menor do que E
L
e
Assim, podemos fazer a aproximao Que os dois crculos tm o
mesmo dimetro. Quando marcamos q para um dado k Medida desde a
ponto, o vetor se move em um crculo perto do ponto K e quando ns
gire k em torno do ponto K, em seguida, gire os crculos ao redor do K
ponto formando uma forma de rosca, tal como mostrado na fig. 5 (B). No caso
de
FIG. 5 (b), o exterior q 2j k j e interior q ~ 0 regies dar uma singularidade
na densidade de fnons de estados para os fnons EV espalhamento.
Assim, os dois espectros Raman phonon, fnons em q 2 k ou q ~ 0
Observadas so. Quando aumentamos E
L
, k tambm aumenta ea
Energia phonon observado para q 2 k mudanas ao longo do phonon
curva de disperso, que chamamos de "disperso do Raman
Os espectros de ". Por outro lado, a energia de fones para Observado q 0
no depende de E
L
[32] .
Assim, mesmo que haja muitos possveis q vetores que so
Envolvidos no processo de espalhamento de dois fnons, a phonon Observado
Espectros Raman no vetor de onda tem a Ou isso q 2 k ou q ~ 0.
Os espectros Raman correspondente reforada pela "dupla
ressonncia "Qual processo em dois dos trs estados intermedirios
estados eletrnicos so reais, de modo que a ressonncia dupla
Correspondente
Torna-se Raman intensidade comparvel ou at mesmo mais forte do que o
primeiro
ressonncia de Raman ordem intensidade. A ressonncia dupla Raman
Qual processo muito importante nos espectros Raman para Observado
grafeno e os nanotubos (veja mais em referncia. [19] ) Como o eltron
interao phonon no s forte prximo ao ponto , mas os espectros
Tambm muito forte esto perto dos pontos K (ou K ') [17] . Se formos
agora
Considerando-se os picos dos espectros de Raman para a induzida por defeito,
tal como ,:
a D, e as bandas D ', ento um dos dois processos um espalhamento elstico
espalhando por um defeito ea teoria de ressonncia dupla tambm pode ser
Aplicado para compreender os espectros Raman induzido por defeito [3 , 19 ].
Quando atribuir os modos de fnons Raman para um determinado
espectro de grafeno, vamos considerar as seguintes quatro condies
es: (1) ns selecionamos harmnicos ou combinao modos de fnons
a partir de seis modos de fnons; Ota, ITA, LA, OTO, Ito e LO; (2) ns
Ou selecione ressonncia simples ou dupla espectros Raman, e no
caso dos espectros de dupla ressonncia, selecionamos Ou (defect-
espalhamento elstico induzido) + (a fnons) ou dois fnons Raman
espectros; (3) Ou ns selecionar Processos AV ou EV disperso; e
(4) Ou ns selecionar q 0 ou q 2 k condies dupla ressonncia. Para
primeira ordem Processos Raman, apenas os fnons Ito e LO so
Espalhamento Raman no ativo original e Processos Ambos do uma banda G
sinal em torno de 1.580 centmetros
-1
. No caso de nanotubos de carbono, a respirao radial
modo ing (RBM) pode ser visto como o espectro Raman de primeira ordem, e
a frequncia de FRP inversamente proporcional ao nanotubo
dimetro [33] . No segundo processos de ordem, info temos 6-6
combinaes de modos de fones, processos 2 de espalhamento (ou AV
EV), duas condies dupla ressonncia ( q ~ 0 ou q 2 k ) e 144 ASSIM
combinao possvel ou modos de fnons harmnicos. O mtodo para
atribuindo os modos harmnicos e combinaes so dadas pela
seguintes trs condies: (1) soma da freqncia fica perto da
modos de fnons em (AV) ou K (EV), (2) Quando eu mudar o
energia laser incidente ( E
L
), O q 2 k ressonncia dupla phonon
Acordo com as mudanas de freqncia do modo como a disperso
organizado
cussed acima [32] , enquanto o q 0 ressonncia simples ou dupla
FIG. 6. (Color on-line) (a) Intravalley (AV) espalhamento com fnons
point ( q 0) Processos por e-h criao de pares devido a fnons (com
energia
q
) Absoro. E
eh
significa
a energia e-h par, (b) Intervalley (EV) espalhando com um ponto K phonon
( q 0 medido a partir do ponto K), (c) disperso AV com um q 0 phonon e
(d) com um EV espalhamento
q 0 phonon [38] . E
F
0 (linha superior) e E
F
0 (linha de fundo) so mostrados.
FIG. 7. (a) V
g
dependence de correo da freqncia phonon
G
-
0
G
(Linha preta)
ea mudana de decaimento correspondente largura
q
-
0
q
(Linha cinza) para a banda G. A
Correspondente insero mostra a ilustrao terica e (b) as previses
ilustrativos
es para a V
g
dependence de correo da freqncia phonon
G
-
0
G
(Black
linha) ea mudana de decaimento correspondente largura
q
-
0
q
(Linha cinza) para o q 0
fnons. Os comportamentos da freqncia e largura espectral esto em frente
ao
caso de (a) [38] .
7

Pag 08

Freqncia de ressonncia Raman no muda e (3) Quando um
Torna-se sinal Raman forte para o grafeno com defeito, o corrigida
pondente sinais Raman (D e D ') so defeito induzido Raman
sinais. Neste artigo, vamos explicar como porta modulada Raman
Fornece uma nova tcnica de espectroscopia para a atribuio do
combinao phonon e modos harmnicos.
A maior parte das discusses na literatura at o momento para o
correes de auto-energia dos fnons para ter sido TELEFONES centro-zona
nons (ponto ) COM q 0 observando o G-band espectros Raman
grafeno em monocamada (1LG) como uma funo do nvel de Fermi
energia ( E
F
) Ou da tenso da porta ( V
g
) [29 , 34 - 37 ]. Na fig. 6 (A) que
Correspondendo perturbao mostram o processo para a q 0 phonon
Que pode ser suprimida pelo aumento da crescente j E
F
j [38] . O phonon
frequncia
G
e sua correspondente largura espectral
G
so mostradas em
FIG. 7 . Explicado Estes so resultados experimentais pela convencional
cional da teoria Kohn anomalia [35 - 37 , 39 ], que mostra
para
G
endurecimento e
G
Quando estreitando j V
g
Aumenta j como uma funo
de E
F
.
A ressonncia dupla Raman apresenta com freqncias variando
Entre 2350 e 2850 centmetros
-1
(Que contm o G

(2450 centmetros
-1
)
e G '(ou 2D, em torno de 2,700 centmetros
-1
Bandas), como mostrado na figura. 8 (a),
Que foram estudados para mostrar a renormalizao phonon para q 0
D uma fnons diferente E
F
Isso de dependncia para a banda G
E este efeito pode ser utilizado na fabricao de phonon especfica Atribuio
tos. Figs. 7 e 8 (a) - (d) mostram os resultados experimentais.
O G

e bandas G 'so os mais proeminentes de ressonncia dupla
caractersticas nos espectros Raman no grafeno e uma atribuio de
G

banda a 2450 centmetros
-1
ainda no estava bem resolvida em prvia
publicaes. Originalmente, o G

banda havia sido designado para o
2iTO modo harmnico phonon ( q ~ 0, EV) [40] e, em seguida, Mafra et al.
Atribudo o G

banda como o modo de combinao phonon ITO + LA
( q 2 k EV), uma vez que "observado nos espectros de espalhamento Raman
em
de -18 cm
-1
/ VE alterando E
L
[41] .
Vamos agora entender o que acontece por fnons correspondente
o dos casos para o q ~ 0 EV e q 2 k AV / EV espalhamento
processos. Como mostrado na fig. 8 (b) - (d), o G

e bandas do G '
mostram um comportamento diferente quando j V
g
Em comparao com os aumentos de j
Comportamento observado para o AV q processo 0. Em relao a G

banda,
ns atribu-la em Fig. 8 como o ITO + LA eo 2iTO em que o
frequncia do modo de LA Ito +
iTOLA
Diminui com o aumento crescente
j V
g
j, enquanto seus largura de decaimento
iTOLA
Aumenta com o aumento crescente j V
g
j.
Para o G 2iTO

caracterstica em ~ 2.470 centmetros
-1
, Que um q 0 processo EV
em torno do ponto K ( Figura 8. (C) e (d)), a frequncia
2iTO
e a
largura decadncia
2iTO
quase no se alteram com o aumento crescente j V
g
j. Estes
Que os resultados significam que h dois picos Raman em torno de 2.450
centmetros
-1
Processos envolvendo diferentes excitao laser, embora eles
quase se sobrepem em freqncia com o outro. Estas concluses
Capacidade de seguir a partir do uso Ambos modulao porto e diferente
Estrategicamente energias de excitao laser para mostrar uma fsica diferente
processo responsvel por dois picos em Original. A fenomenolgica
formulao para o phonon auto-energia para o EV q 0 eo
AV / EV q 2 k Processos em camada nica de grafeno apresentado
Explicar os resultados experimentais anmalos e da maneira que
variao de V
g
e de a energia de excitao do laser pode cooperativamente
ser usado para atribuir fnons. Se lembrarmos o caso do
Processos para a AV q 0 fnons ( FIG. 6 (a)), que se aplica a
o recurso G-band ( Figura 7. (A)), a criao de um par e-h possvel
Quando E
F
0, o que implica que
q
amolecimento e um
q
Ampliao.
Com o aumento crescente j E
F
j,
q
endurece e
q
diminui, o que significa que
o e-h par de excitao suprimida pelo princpio Pauli Porque
a energia phonon est se tornando menor que 2 j E
F
j [39 , 42 ]. Este
abordagem agora pode ser usado tambm entender o q ~ 0 e q 2 k
. Figura 8. (linha colorida) (a) Os espectros de Raman experimental da L

e bandas do G '. O assimtrico G

caracterstica uma combinao dos modos de ITO + LA ( q 2 k lido a
partir do
K pontos) eo modo 2iTO ( q ~ 0 leitura do K pontos). O modo G ' um som
harmnico do modo de ITO ( q 2 k ). Para fins ilustrativos ministradores, o
sinal do G

O recurso foi
Multiplicada por um factor de 10 e os perfis de Lorentz utilizados para ajustar
o espectro esto indicados na construo de (a), (b) a tenso da porta V
g
e Fermi dependncia energtica do
2iTO ( q 2 k )
G '
Modo e
G '
valores (inserida no (b)), (c) e (d) mostram, respectivamente, a
q
e
q
dependncias de tenso da porta e E
F
visto para os modos de ITO + LA e 2iTO
(L

band). As barras de erro a partir do procedimento de ajuste de comer [38] .
8

PAG 09

Processos por considerar uma pequena diferena de abordagem: agora,
em vez de o princpio Pauli, a densidade de fono e electrnicos
estados, bem como a conservao exigncia energia e momento
mentos, sero solidariamente responsveis pela supresso do e-h par
excitao [38] .
Como mostrado acima, um comportamento diferente esperado para o q ~ 0
phonon (medido a partir de K -point) no processo de VE mostrado na fig. 6
(B) o que explica o G

Comportamento de modo 2iTO como j E
F
j variada
VARIANDO j com V
g
j, mostrado na fig. 8 (a) e (b). De acordo com o
Fermi golden-regra, a probabilidade de que par verdadeiro eltron-buraco
existe em E
F
= 0 (painel superior da Figura 6. (B) - (d)) muito pequeno, desde
a densidade de estados de ambos os eltrons e fnons em E
F
0
quase desaparece [2 , 34 ]. Portanto, nem o amolecimento de
q
Norte
Ampliao de
q
esperado, j que quase nenhum e-h pares est animado.
Quando j E
F
Aumenta j (painel inferior na Figura 6. (b) - (d)), a probabilidade
para um K ponto q 0 energia de fones para conectar inequivalent k e k '
Aumenta estados, porque a densidade de fnons e eletrnica estados
Tambm aumenta medida que nos afastamos do ponto K [2 , 34 ]. Como a
resultado, o nmero de e-h par Aumenta eo modo phonon
amolecimento e efeito de amortecimento aumento progressiva poder ser
observado com
j E
F
j. Isto significa que o phonon auto energia ser uma pequena
correo e, portanto, pequeno
q
amolecimento e pequena
q
amortecimento
efeitos so esperados para qualquer j E
F
valor de j (fraco E
F
dependence).
Ao considerar os modos de fnons com q 2 k Processos AV e VE,
como mostrado na fig. 6 (c) e (d), os wavevectors fones so Ou
ou volta do ponto em torno do ponto K. Desde o phonon e
densidade de electres de estados so pequenas perto do ponto K e desde
a disperso de energia de fnons para o grafeno tem uma muito menor
inclinao
q
= q do que para as disperses de energia eletrnica
E k = q [2] , No h acoplamento entre Essencialmente q 0 fnons
e e-h pares (uma vez que no h q valor tal que q k - k ') se E
F
0
e, portanto, o amolecimento e de amortecimento do modo phonon
no ocorre ressonante, ou seja , onde E
eh

q
. No entanto,
Quando E
F
0, o eltron eo phonon densidade de estados aumenta
e modos de fnons com q 2 k agora podem conectar estados eletrnicos
Com diferentes k e k valores ", no sentido de que h um q Tal
Isso q k - k '(entre as diferentes vertentes
q
= q e E k = q
Quando nos movemos diminuir longe do ponto K [2] ). Isto d origem
a um forte acoplamento eltron-fnon que aumenta a criao
de reais e-h pares. Como conseqncia, o modo phonon amolece
(
q
Diminui) e fica amortecida (
q
Amplia). Isso q 2 k AV / EV
o comportamento do processo ilustrado na fig. 7 (B), onde visto que a
amolecimento freqncia (linha slida preta) deve aumentar com cres-
ing j E
F
j enquanto a largura de decaimento (cinza linha slida) devem expandir com
aumentar aumentar j E
F
j.
4.1. Os modos de combinao redor 1700 - 2300 cm
- 1
Recentemente, a ateno tem sido dada -estudando alguns fracos Raman
recursos na faixa de freqncia 1700oo2300 cm
-1
( Fig 9. ), Que
esto associados com sobretons e combinaes de modos Raman
grafeno [45 - 47 ]. Estes modos de combinao e so vistos sobretons
em vrias formas de nano carbonos, mas no foram estudados sistema-
camente at recentemente. Em primeiro lugar, o estudo dos modos de grafeno

Estabelecer uma linha de base para desejvel que pode ser aplicado mais tarde
para outro
nano carbonos. Historicamente, a energia do laser de excitao ( E
L
) Dependente
Espectroscopia Raman tem-se utilizado para realizar o phonon Atribuio
mentos desses recursos, como o caso nas Refs. [45 - 47 ]. No entanto,
Estas obras [45 - 47 ] discordam uns dos outros Quanto ao nmero
do phonon picos fnons e atribuies atribudas a cada
pico. A principal razo por trs dessa divergncia que, penho
o s E
L
Experimentos dependent Raman, que no fcil de Adequadamente
Ao atribuir os modos de combinao de modos de combinao originais so
juntos em freqncia e da sobreposio espectral apresentam Frequentemente
Em seus perfis de LineShape. , Alm disso, uma experincia limitada a
E
L
medidas dependentes de no nos diz em direes em que
k espao os vrios processos de espalhamento esto acontecendo.
Quanto grafeno nica camada (1LG), os primeiros estudos sobre a
modos de combinao na regio de frequncia entre 1690 e
2150 centmetros
-1
foi relatado por Cong et al. [46] e Rao et al. [45] ,
enquanto Cong et al. Atribudos apenas trs picos e Rao et al. Informou
dois picos adicionais. Recentemente, Mafra et al. [44] Proposta de
atribuio diferente para alguns desses cinco picos e mostrou
Que o k interao eltron-fnon dependente Investigado por
estudar os espectros de Raman em funo da Tanto a energia de Fermi
E
F
e tenso de porta V
g
Variando de ambos E
F
e V
g
Importante a
ACERCA dar informaes precisas / confivel em combinao Original
modos.
Fig 9. (A) mostra os modos de combinao da regio espectral
1700-2300 cm
-1
por quatro linhas de laser diferentes: 488 nm,
532 nm, 575 nm e 590 nm. Cinco picos pde ser observada no Este
regio espectral. As disperses de frequncias experimentais para o
Foram cinco picos retirado do procedimento de ajuste para a Applied
Raman apresenta na fig. 9 (A) e esto representados aqui em conjunto com o
disperses fnons tericas para o grafeno monocamada adaptado
de Popov e Lambin [43] ( . Figura 9 (b)). Os smbolos correspondem a
correspondncia para
as freqncias dos picos 1-5 para cada laser de energia E
L
ao longo da
alta simetria K e KM direes. Quadrados, crculos, tringulos,
diamantes e estrelas denotam picos 1-5, respectivamente. As linhas cheias
so os ramos fnons tericas [43] para a combinao
iTA + LO modos (preto), Ito LA + (vermelho), LO + LA (azul), Oto + ITO
. Fig 9. (linha colorida) (a) Os espectros de Raman para os modos de
combinao da regio da frequncia de 1700-2300 cm
-1
por quatro linhas de laser diferentes: 488 nm (2,54 eV),
532 nm (2,33 eV), 575 nm (2,16 eV) e 590 nm (2,10 eV), (b) disperso de
fono 1LG (linhas slidas) e adaptado de Popov Lambin [43] que mostra o
ramo phonon
iTA + LO combinaes (preto), Ito LA + (vermelho), LO + LA (azul), Ito Oto
+ (roxo), Oto + LO (cinza) e Ito iTA + (verde) perto do eo K ponto. As
atribuies dos fnons
Proposto por Mafra et al. [44] so dados por quadrados, tringulos, diamantes
e estrelas correspondente aos picos de 1 a 5, respectivamente. Os picos 1, 2 e
3 de uma alimentao
processo DRR intravalley, enquanto os picos 4 e 5 de um processo de comer
Intervalley DRR [44]

PAG 10

Processos por considerar uma pequena diferena de abordagem: agora,
em vez de o princpio Pauli, a densidade de fono e electrnicos
estados, bem como a conservao exigncia energia e momento
mentos, sero solidariamente responsveis pela supresso do e-h par
excitao [38] .
Como mostrado acima, um comportamento diferente esperado para o q ~ 0
phonon (medido a partir de K -point) no processo de VE mostrado na fig. 6
(B) o que explica o G

Comportamento de modo 2iTO como j E
F
j variada
VARIANDO j com V
g
j, mostrado na fig. 8 (a) e (b). De acordo com o
Fermi golden-regra, a probabilidade de que par verdadeiro eltron-buraco
existe em E
F
= 0 (painel superior da Figura 6. (B) - (d)) muito pequeno, desde
a densidade de estados de ambos os eltrons e fnons em E
F
0
quase desaparece [2 , 34 ]. Portanto, nem o amolecimento de
q
Norte
Ampliao de
q
esperado, j que quase nenhum e-h pares est animado.
Quando j E
F
Aumenta j (painel inferior na Figura 6. (b) - (d)), a probabilidade
para um K ponto q 0 energia de fones para conectar inequivalent k e k '
Aumenta estados, porque a densidade de fnons e eletrnica estados
Tambm aumenta medida que nos afastamos do ponto K [2 , 34 ]. Como a
resultado, o nmero de e-h par Aumenta eo modo phonon
amolecimento e efeito de amortecimento aumento progressiva poder ser
observado com
j E
F
j. Isto significa que o phonon auto energia ser uma pequena
correo e, portanto, pequeno
q
amolecimento e pequena
q
amortecimento
efeitos so esperados para qualquer j E
F
valor de j (fraco E
F
dependence).
Ao considerar os modos de fnons com q 2 k Processos AV e VE,
como mostrado na fig. 6 (c) e (d), os wavevectors fones so Ou
ou volta do ponto em torno do ponto K. Desde o phonon e
densidade de electres de estados so pequenas perto do ponto K e desde
a disperso de energia de fnons para o grafeno tem uma muito menor
inclinao
q
= q do que para as disperses de energia eletrnica
E k = q [2] , No h acoplamento entre Essencialmente q 0 fnons
e e-h pares (uma vez que no h q valor tal que q k - k ') se E
F
0
e, portanto, o amolecimento e de amortecimento do modo phonon
no ocorre ressonante, ou seja , onde E
eh

q
. No entanto,
Quando E
F
0, o eltron eo phonon densidade de estados aumenta
e modos de fnons com q 2 k agora podem conectar estados eletrnicos
Com diferentes k e k valores ", no sentido de que h um q Tal
Isso q k - k '(entre as diferentes vertentes
q
= q e E k = q
Quando nos movemos diminuir longe do ponto K [2] ). Isto d origem
a um forte acoplamento eltron-fnon que aumenta a criao
de reais e-h pares. Como conseqncia, o modo phonon amolece
(
q
Diminui) e fica amortecida (
q
Amplia). Isso q 2 k AV / EV
o comportamento do processo ilustrado na fig. 7 (B), onde visto que a
amolecimento freqncia (linha slida preta) deve aumentar com cres-
ing j E
F
j enquanto a largura de decaimento (cinza linha slida) devem expandir com
aumentar aumentar j E
F
j.
4.1. Os modos de combinao redor 1700 - 2300 cm
- 1
Recentemente, a ateno tem sido dada -estudando alguns fracos Raman
recursos na faixa de freqncia 1700oo2300 cm
-1
( Fig 9. ), Que
esto associados com sobretons e combinaes de modos Raman
grafeno [45 - 47 ]. Estes modos de combinao e so vistos sobretons
em vrias formas de nano carbonos, mas no foram estudados sistema-
camente at recentemente. Em primeiro lugar, o estudo dos modos de grafeno

Estabelecer uma linha de base para desejvel que pode ser aplicado mais tarde
para outro
nano carbonos. Historicamente, a energia do laser de excitao ( E
L
) Dependente
Espectroscopia Raman tem-se utilizado para realizar o phonon Atribuio
mentos desses recursos, como o caso nas Refs. [45 - 47 ]. No entanto,
Estas obras [45 - 47 ] discordam uns dos outros Quanto ao nmero
do phonon picos fnons e atribuies atribudas a cada
pico. A principal razo por trs dessa divergncia que, penho
o s E
L
Experimentos dependent Raman, que no fcil de Adequadamente
Ao atribuir os modos de combinao de modos de combinao originais so
juntos em freqncia e da sobreposio espectral apresentam Frequentemente
Em seus perfis de LineShape. , Alm disso, uma experincia limitada a
E
L
medidas dependentes de no nos diz em direes em que
k espao os vrios processos de espalhamento esto acontecendo.
Quanto grafeno nica camada (1LG), os primeiros estudos sobre a
modos de combinao na regio de frequncia entre 1690 e
2150 centmetros
-1
foi relatado por Cong et al. [46] e Rao et al. [45] ,
enquanto Cong et al. Atribudos apenas trs picos e Rao et al. Informou
dois picos adicionais. Recentemente, Mafra et al. [44] Proposta de
atribuio diferente para alguns desses cinco picos e mostrou
Que o k interao eltron-fnon dependente Investigado por
estudar os espectros de Raman em funo da Tanto a energia de Fermi
E
F
e tenso de porta V
g
Variando de ambos E
F
e V
g
Importante a
ACERCA dar informaes precisas / confivel em combinao Original
modos.
Fig 9. (A) mostra os modos de combinao da regio espectral
1700-2300 cm
-1
por quatro linhas de laser diferentes: 488 nm,
532 nm, 575 nm e 590 nm. Cinco picos pde ser observada no Este
regio espectral. As disperses de frequncias experimentais para o
Foram cinco picos retirado do procedimento de ajuste para a Applied
Raman apresenta na fig. 9 (A) e esto representados aqui em conjunto com o
disperses fnons tericas para o grafeno monocamada adaptado
de Popov e Lambin [43] ( . Figura 9 (b)). Os smbolos correspondem a
correspondncia para
as freqncias dos picos 1-5 para cada laser de energia E
L
ao longo da
alta simetria K e KM direes. Quadrados, crculos, tringulos,
diamantes e estrelas denotam picos 1-5, respectivamente. As linhas cheias
so os ramos fnons tericas [43] para a combinao
iTA + LO modos (preto), Ito LA + (vermelho), LO + LA (azul), Oto + ITO
. Fig 9. (linha colorida) (a) Os espectros de Raman para os modos de
combinao da regio da frequncia de 1700-2300 cm
-1
por quatro linhas de laser diferentes: 488 nm (2,54 eV),
532 nm (2,33 eV), 575 nm (2,16 eV) e 590 nm (2,10 eV), (b) disperso de
fono 1LG (linhas slidas) e adaptado de Popov Lambin [43] que mostra o
ramo phonon
iTA + LO combinaes (preto), Ito LA + (vermelho), LO + LA (azul), Ito Oto
+ (roxo), Oto + LO (cinza) e Ito iTA + (verde) perto do eo K ponto. As
atribuies dos fnons
Proposto por Mafra et al. [44] so dados por quadrados, tringulos, diamantes
e estrelas correspondente aos picos de 1 a 5, respectivamente. Os picos 1, 2 e
3 de uma alimentao
processo DRR intravalley, enquanto os picos 4 e 5 de um processo de comer
Intervalley DRR [44]

PAG 11

FIG. 11. A dependncia da frequncia phonon
q
(tringulos preto slido) e decadncia phonon largura
q
(pontos abertos) em tenso de porta ( V
g
) Para o (a) 1, (b) 2 (c) 3, (d) e 4
(E) 5 modos de combinao na Fig. 9 .Todos os grficos, exceto para a banda
G, esto na mesma escala para melhores comparaes entre a combinao de
cinco modos. Observe que todas
cinco modos de combinao mostram uma diminuio da
q
e um alargamento do
q
aumentar com o aumento V
g
. As linhas tracejadas so guias para os olhos e as barras de erro da
alimentao
procedimento de ajuste de [44]

CONFIRMA a razo para as atribuies para os picos 1 (ITA + LO) e 3
(LO + LA). Desde as magnitudes para a correo de auto energia de
Picos similares 1 e 3 so uns aos outros, vamos fechar o comercial que o
modos acsticos tm zero (pequeno) de energia a (cerca de) o ponto assim
Que eles fazem uma contribuio negligencivel para o phonon renorma-
Que come lizations dos modos acsticos ITA e LA.
O comportamento observado para os picos 4 (OTO + ITO) e 5 (ITO + ITA)
devido ao forte acoplamento el-ph do ITO phonon ramo que
esperado no K ponto 1LG. Outra observao interessante
que o pico 2 (ITO + LA), que identificado com um q modo 0
em torno do ponto , mostra que o renormalizaes devido
Torne-se o modo de Ito forte Quando se afastando do ponto .
Isso totalmente consistente com o que foi observado para os picos 1 e
Marcha no ponto . Enquanto o modo de renormalizao LO
enfraquece, o ITO reforada modo de renormalizao em movimento
distncia a partir do ponto . O comportamento dependente do porto
Observado
Dadas as atribuies consistentemente CONFIRMA combinao
modos de Mafra et al. [44] , Mostrando a porta modulada Isso
Espalhamento Raman realmente uma tcnica poderosa para confirmar a
atribuies modo phonon atribudo a dois picos Raman que
so prximos em freqncia Quando o V
G
e E
L
Ambas as dependncias so
E sua relao com o outro. Note-se que no que diz respeito
pico de 4, os resultados modulada-gate para escolher que so importantes
combinao o modo correto para essa atribuio de pico, uma vez que
Este pico tambm pode ter sido atribudo ao phonon OTO + LO
modo de combinao, no incio como indicado [45] . Entretanto, se este
Atribuio
mento eram correctas, o acoplamento el-ph seria esperado para ser
semelhante ao que visto na fig. 11 (A) e (C), que o modo
combinaes que contm o modo de fnons LO. Note que a OTO
No se espera que o modo de demonstrar um forte acoplamento el-ph [50] .
5 Eletrnico espectros Raman e sua dependncia porto
Um dos problemas na espectroscopia Raman do grafeno
Nanotubos de carbono e tambm que ainda no est resolvido a origem do
Breit-
Wigner-Fano (BWF) espectros discutidos abaixo. Na presena de
eltrons livres no dopado com grafite, o grafeno dopado com ou metlico
Nanotubos de carbono, os espectros de banda L mostram uma LineShape
assimtrica com
um deslocamento da posio do pico de E
F
alterado. Este espectral
O recurso mostra um LineShape BWF, como foi mencionado no
Introduo. Na presente seo, uma viso geral de Ns fornecemos
nossa recente medio dos espectros Raman eletrnico (ERS) de
nanotubos metlicos (m-nanotubos de carbono) que mostram uma LineShape
espectral BWF.
O ERS investigado tambm sensivelmente modulada pelo porto
Tcnica Raman.
Quando consideramos um espectro Raman assimtrica, precisamos
Considere o espectro contnuo, para que possamos estudar o interno
efeitos confern- Entre um contnuo e um espectro discreto
espectro de fnons, que conhecido como o efeito Fano [23] . Quando
construtivo (ou destrutivo) efeito de interferncia aparece em
Ou uma regio de energia maior ou menor do que a energia de fono,
Observado os espectros apresentam uma forma assimtrica que
Descrito pela forma de linha BWF (Eq. (9) ), como discutido na Seo
Abril . Se o efeito de interferncia construtiva aparece tanto no inferior e
regies de energia maior do que a energia de fnons, os espectros ASSIM
Obtidos mostram uma simtrico (Lorentz) LineShape mas a inteno
dade aumentada pelo efeito de interferncia. O efeito Fano Aparece
Em muitas situaes de fsica quando: (1) Tanto um contnuo e
espectros discretos existem em relao ao mesmo intervalo de energia, (2)
dois diferentes
Processos existem ptica Com os mesmos estados inicial e final
(Processos coerente), e (3) o sinal da interaco muda
ao nvel de energia discretos. A interao entre o discreto
caractersticas espectrais e contnuo faz com que o tempo de vida da excitao
o do nvel discreto para tornam-se assim o finito e discreto
Torna-se de amplo espectro. No caso dos espectros de Raman, a
nveis discretos so modos fnons Raman ativos da zona centrada
fnons (um processo de primeira ordem) ou fnons dupla ressonncia
(Um segundo processo ordem). Tal como para os espectros de continuidade
para o carvo
nanotubos ou grafeno, pensamos no passado, que o plasmon
era relevante para o espalhamento inelstico da luz, porque: (1) a
plasmon Torna-se espectro contnuo de energia zero em baixo
materiais tridimensionais e (2) a assimetria BWF LineShape
significativa apenas quando a energia de Fermi deslocado para longe da
Ponto de Dirac por doping.
No entanto, recentemente, um novo amplo espectro tem-se observado
experimentalmente e identificados como o espectro Raman eletrnico
(ERS) de nanotubos metlicos carvo isolado, como mostra a figura. 12 para
um (23,14) SWNT [51] . As ERS aqui em 2,08 eV aparece entre as
FRP e a banda L Quando a energia do laser incidente E E
L
selecionado como 2,14 eV. Aqui 2,08 eV Corresponde E
-
22
transio
o de energia, onde o sinal - no expoente de E
-
22
Denota o
FIG. 11. A dependncia da frequncia phonon
q
(tringulos preto slido) e decadncia phonon largura
q
(pontos abertos) em tenso de porta ( V
g
) Para o (a) 1, (b) 2 (c) 3, (d) e 4
(E) 5 modos de combinao na Fig. 9 .Todos os grficos, exceto para a banda
G, esto na mesma escala para melhores comparaes entre a combinao de
cinco modos. Observe que todas
cinco modos de combinao mostram uma diminuio da
q
e um alargamento do
q
aumentar com o aumento V
g
. As linhas tracejadas so guias para os olhos e as barras de erro da
alimentao
procedimento de ajuste de [44] .
11

PAG 12

FIG. 12. (Color on-line) Espectro Raman Eletrnico (ERS) para o (23,14)
metlico
SWNT. Os espectros ERS em 2,08 eV Entre Aparece a RBM ea banda G
Quando
a energia do laser incidente E E
L
selecionado como 2,14 eV. Aqui 2,08 eV
Corresponde E
-
22
electrnico de energia de transio. Os espectros ERS aparecem apenas
para m-nanotubos de carbono [51]

menor energia do E
22
Essa transio dividido pelo trigonal
efeito deformao [52] . A largura total a meia intensidade mxima
(FWHM) da ampla linha espectral de cerca de 60 MeV (cm 484
-1
)
Que muito mais amplo do que a FWHM mdio da phonon
Observado em funo espectros Raman (10 cm
-1
). As ERS no est
relacionado com qualquer espectros Raman phonon porque: (1) a energia de
pico
posio das ERS no muda, alterando E
L
, (2) a
largura espectral dos ERS muito maior do que a largura espectral
do fnon, e (3) a ERS Aparece apenas para m-nanotubos de carbono e no
para S-nanotubos de carbono.
O ERS corresponde a um (~ 10 fs) espalhamento inelstico mais rpido
que o processo de espalhamento atravs da emisso de um fnon (~ 100 fs)
pelo qual um exciton faz uma transio de E E
L
(Este estado
Geralmente, um estado virtual) a E
ii
excitando outra exciton no
banda metlica energia. A interao entre os dois excitons
uma interao eltron-eltron. Desde o excit no metlico
energia de banda pode ser gerado por qualquer valor de energia, o
relaxamento
de E E
L
a E
ii
possvel para qualquer valor de E
L
. Pode-se observar
Este processo ERS sondando a luz espalhada em E
ii
. Uma vez que um tpico
tempo para a interao eltron-eltron de 10 fs, consistente
Com o facto de que a largura espectral da ERS da ordem de
100 centmetros
-1
. No caso de um SWNT metlico, o excit no
banda de energia metlico no pode ser excitado por um fton Porque o
transio opticamente proibido para uma interao dipolo eltrico
[53] . Por outro lado, uma excit energia em uma banda metlica pode
Tambm ser gerado por um phonon e Isto resulta na Kohn
efeito anomalia. No entanto, no caso de o efeito Kohn anomalia,
Espectros Raman so amplas Lorentzian observado no phonon
energia, que podem ser distinguidas a partir de ERS Claramente.
Isto uma prova importante excit pode ser formado num metal
que o sinal eletrnico Raman banda de energia desaparece
mudando a energia de Fermi e isso pode ser verificado diretamente
A espectroscopia de Raman porto modulada [51] . Deve ser mencionado
Esse relaxamento portador de um laser de estado excitado E E
L
Van
Hove transio singular energia E
ii
Alm disso possvel atravs da emisso de um
phonon (por exemplo, uma banda phonon G), se a diferena de energia de
E
L
- E
ii
combinado com a energia de uma banda de fono G, que
Geralmente chamado a ressonncia de Raman dispersos espectros. Nesta
caso, os espectros Raman Isso seria observado exibidas para ambos
m-s-e nanotubos de carbono, e tm uma largura espectral mais estreita do que
Geralmente ERS e vemos uma grande valorizao do Raman
intensidade em comparao com o caso no-ressonncia.
Quando agora selecionar E E
L
De modo que o espectro de fnons G banda
Aparecer perto da regio do espectro Raman eletrnico, ento podemos
ver dois efeitos Raman que ocorrem em quase a mesma freqncia
De modo que suas larguras de linha sobrepem uns aos outros, dando Ambos
G
Isso banda larga e banda G com uma intensidade reforada. Ns
Isso pode ver o fator de assimetria 1 = q
BWF
da faixa G alterado
observando as mudanas na posio do pico do parente ERS para
a banda L, como mostrado na fig. 13 .Na fig. 13 ( direita), vemos que o
valor de q
BWF
Diminui (e da banda G Torna-se mais assimetria
mtrico) com o aumento crescente E
L
com exceo de E
L
02:33 eV. No caso de
E
L
eV 02:33, uma vez que a diferena de E
L
- E
ii
fica perto da phonon
energia, os picos ERS tornam-se fracos e os efeitos anomalia Kohn
Pode ser facilmente visto. Os espectros G-banda so simtricas em ASSIM
E
L
02:33 eV e 1 = q
BWF
~ 0. A origem da linha BWF em um m- SWNT
, Pois, considerado um efeito de interferncia entre o phonon
modo, a ERS, na presena do efeito anomalia Kohn.
Que os fenmenos semelhante ao mostrado na figura. 13 pode ser observado
nas
grafeno, tambm. Estudo terico Mais sobre este tema agora On
indo.
Recentemente, um aumento effect've Raman tambm foram observados
Quando outro espectro de fnons em uma amostra baseada em nanocarbon de
de molculas selecionadas ou nanotubos so colocados em grafeno [54] .
O aumento da superfcie de o sinal de Raman de uma molcula em
grafeno chamado grafeno reforada espectroscopia Raman
FIG. 12. (Color on-line) Espectro Raman Eletrnico (ERS) para o (23,14)
metlico
SWNT. Os espectros ERS em 2,08 eV Entre Aparece a RBM ea banda G
Quando
a energia do laser incidente E E
L
selecionado como 2,14 eV. Aqui 2,08 eV
Corresponde E
-
22
electrnico de energia de transio. Os espectros ERS aparecem apenas
para m-nanotubos de carbono [51] .
Fig. 13. (Color on-line) espectros ERS ( esquerda) e espectros G-band
(direita) de um SWNT com
com diferentes energias de laser de excitao E
L
valores: 2.00, 2.07, 2.10, 2.14, 2.20, 2.33 eV
da parte superior para a parte inferior da figura. As linhas vermelhas so
instalados ERS espectros
Lorentzians. Quando a posio ERS perto da banda de Raman a 1580
centmetros L
-1
,
em seguida, o espectro entre as ERS e da banda G muda o fator de assimetria
Breit-Wigner na formulao Fano- q
RBM
drasticamente, apesar do pico do centro

LO
e larguras espectrais
LO
no mudam muito.
12

PAG 13

(Gers) [54] e da origem do aumento deve ser considerado
Quais origem qumica de transferncia de carga na molcula Entre
OCORRE e as superfcies de grafeno. O mecanismo de GERS
diferente de espalhamento Raman eletrnico para que, com a
Sinal Raman sendo afetado pela transferncia de carga, no caso de GERS
e por um Kohn relacionada com anomalia efeito para o caso de ERS.
Outro efeito de interferncia quntica no porto modulador Observado
espectroscopia Raman lada no grafeno a valorizao do
Isso observado G banda, alterando o Fermi energia E
F
para uma
Dada energia de excitao laser, E
a laser
. Kalbac et al. Observou-se um
melhoria da L-banda Raman intensidade como uma funo do
Fermi energia enquanto o G
0
Intensidade Abandonadas monotonicamente
Diminui com o aumento crescente potencial de eletrodo ou j E
F
j [55] . Quando
a energia E
a laser
da luz do laser foi aumentada, o elctrodo
potencial (ou j E
F
j) que proporciona a melhoria banda G foi encontrado para
deslocar para uma energia mais elevada. Por outro lado, no entanto, que, a L
0
Abandonadas
no mostrou qualquer alterao na dependncia potencial de eletrodo de
a intensidade alterando E
a laser
. Este efeito de aumento da G
banda independente do efeito de anomalia Kohn Porque o
Diminuies de intensidade espectral Raman devido ao alargamento
pelo Kohn anomalia ocorrer em um potencial de eltrons muito menor
Do que para observar o aumento da intensidade. Basko pre
Isso dicted do clculo da intensidade da banda L reforada
Quando a condio de E
F
E
a laser
= 2 satisfeito Devido a Pauli
Efeito de suprimir algumas possveis Processos Raman de bloqueio que
Contribuir para a interferncia destrutiva [56] . Chen relatou
Que a interferncia construtiva entre a banda G e quente
luminescncia (HL) espectros aparece quando o 2j E
F
j semelhante ao
E
a laser
e que a interferncia no observado para o 2D (G
0
) Banda
[57] que consistente com os resultados de Kalbac et al. [55] . Em
fim de obter a interferncia quntica construtiva entre as
HL fotes dispersos e a fotes, as fases dos dois
Caso ftons semelhantes uns aos outros. A intensidade HL Fortemente
depende do j E
F
Dessa forma os valores de j e alguns processos de recombinao
Tal como a emisso de fnons pticos suprimida. Uma anlise detalhada
da dinmica dos portadores foto-animado necessria para entender
espectros fase do HL, que ser um trabalho futuro.
6 A anomalia Kohn de bi-camada de grafeno
Por fim, apresentamos nossos resultados para intercalar (IL)
RELACIONADA COM TELEFONES
no sobretons e modos de combinao, bem como seus phonon
renormalizaes auto-energia no grafeno bicamada (2LG), usando tanto
e modulados-gate laser de energia dependente de espalhamento Raman
espectroscopia. A interao da IL 2LG d duas bandas de energia
para a valncia e
n
e bandas de conduo da dupla DESSA FORMA
processo de ressonncia disperso chegarmos at quatro possveis phonon q
vetores. A interaco de IL no resulta em um efeito sobre as informaes
modos de fones Calculado plano desde que a mudana de LO, LA, Ito
e freqncias dos fnons ITA em ir de 1LG para 2LG inferior a
1 polegada
-1
. Como para os modos de fones para fora-de-plano (OTA OTO de 1LG)
Ambos h um movimento para fora e de fase em fase dos dois
camadas grafene com respeito um ao outro, respectivamente, dando
subir para a modos ZA e ZO 'por 2LG proveniente do modo OTA
e os dois modos de quase-degenerados de modo a OTO ZO
Os quais so mostrados na figura. 14 (a) - (d) [47] . Entre os quatro phonon
modos de 2LG, os ZO 'ZO modos fnons centrada na zona e uma
so Raman activa desde o volume da clula unitria alterada por
Esta vibrao. Para uma geral q ao longo da disperso de fones, como
mostrado na fig. 14 (E) Geralmente ns eltron-fnon interao tem
o ocorrendo. Estes fnons so relevantes para a baixa energia
fenmenos ,: tais como transporte e absoro de infravermelho. Note-se
Isso foi utilizada uma notao diferente em [47] , mas aqui vamos ajustar o
notao utilizada em [47] para ser compatvel com as muitas referncias
utilizado neste artigo.
Na fig. 15 (A) mostra os modos de combinao fnons e
Observado em tons 2LG na faixa espectral 1600-1800 cm
-1
.
As inseres mostram esquematicamente as vibraes fones and Their
simetrias (P Tambm seguinte
1
, P
2
E P
3
notaes) juntamente com
Seus respectivos E
L
Disperses de frequncia dependent para a CHINA
Modo (P1, o modo de combinao de LO + ZA) e os dois Lozo '
modos (P2, ZO LO th '), na caixa superior na Fig. 15 (a)), e os dois
Modos 2ZO (P3 sobretons de ZO) na caixa inferior na fig. 15 (A)). Como
que se refere s relaes de disperso eo pico phonon Atribuio
mentos, os nossos resultados para o barro e associao administrada Lozo '
modos concordam bem com os relatados por Lui et al. [59] . O LOZA
mode (P1 na Fig 15. (a)) vem de uma q ~ 2 k phonon intravalley
processo de espalhamento ( q ~ 2 k AV) que mostra uma disperso de
frequncias

LOZA
= E
L
26: 1 centmetro
-1
= EV. Ao olhar para a P2 recurso no Fig. 15
(A), observa-se que o modo de Lozo '( q ~ 2 k de processo AV)
Desdobramentos
em dois picos, e LOZO' LOZO'-, cujo dispositivo de freqncia
persions so
LOZO'
= E
L
55: 1 cm
-1
= EV e
LOZO'-
= E
L

34 de 2 cm
-1
= VE, respectivamente. Como esquematizado na fig. 16 (c), os dois
Picos P2 no surgem a partir da disperso de fnons, mas sim, eles
diferente de comer ressonantes q vetores da combinao do Lozo '
Com o modo de duas bandas de energia eletrnica (
n
1
e
n
2
) De 2LG. Em
Ou seja, os dois picos, e LOZO' LOZO' observados in-
espectros Raman, comer da mesma combinao phonon
Modo Lozo 'mas sondado em duas diferentes q pontos ligados com
x
e
z
A
1
A
2
B
2
B
1
ZA
ZO '
x
e
z
A
1
A
2
B
2
B
1
x
e
z
A
1
A
2
B
2
B
1
ZO
+
x
e
z
A
1
A
2
B
2
B
1
ZO
-
0.0
0,5
1.0
1.5
k
x
(Para
-1
)
0
500
1000
1500
Freqncia de fnons (cm
-
1
)

ZO
-
M
ZO '
ZA
ZO
+
2.6 eV
1.6 eV

0 centmetros
-1
91,3 centmetros
-1
886,5 centmetros
-1
887,0 centmetros
-1
Fig. 14. As vibraes da rede dos quatro modos fora de avio para bi-camada
de grafeno (2LG). Aqui ns mostramos (a) o modo acstico out-of-plane
(ZA), (b) a respirao (ZO ')
Modo, (c) o modo simtrico (ZO
+
), (D) o anti-simtrica (ZO
-
tangenciais) modos de fnons pticos. Dois ZO
+
e ZO
-
modos so quase degenerada e (e) a phonon
disperso relao de grafeno bi-camada ao longo da linha M. Os pontos setas
para ressonncia dupla espalhamento Raman ressonncia Tambm so
mostrados, respectivamente.
M 2 =
ffiffiffi
3
p
um 3:63 para
-1
. Aqui um a estrutura 0.246 nm constante de grafite bidimensional. A
insero a zona de Brillouin do grafeno. Notar que uma pessoa diferente
notao usada em [47] , mas ns ajustamos a notao para outras
obras [58] para ser coerente com o outro no presente artigo.
13

PAG 14

Fig. 15. (Color on-line) (a) CHINA (P1) e Lozo '(P2) e os modos de
combinao 2ZO (P3) como eles aparecem modo harmnico nos espectros
Raman tiradas com o laser de 532 nm
linha. As linhas slidas so curvas lorentzianas utilizados para ajustar o
espectro. As caixas superiores e inferiores em (a) mostram as vibraes da
rede associada a cada modo normal Envolvidos
nos modos de combinao e sobretons e A disperso de frequncia como uma
funo de E
L
, Como mostrado em (b), (b) o deslocamento Raman como uma funo de E
L
, Mostrando Lozo Isso
(P2) Modo de combinao ser atravessada pelo 2ZO q 2 k harmnica para
2,58 eV e, de acordo com a disperso obtidos neste trabalho, provavelmente
vai ser atravessado novamente a 2,78 eV.
Os smbolos correspondem a correspondncia com os dados
experimentais. As linhas a cheio so os resultados de ajuste de curva [58]

Fig. 16. (Color on-line) O V
g
dependncia de (a)
LOZO'
e (b)
LOZO'-
. As inseres mostram a V
g
dependncia das LineWidth
Lozo '
(C) fnons q vetores mostrados para o
Combinao Lozo 'Modos ZO
+
e ZO
-
bicamada de grafeno 2LG, (d) a V
g
dependncia de
2LO
. A insero mostra a V
g
2LO
, (E) de densidade
estados eletrnicos das bandas de valncia 2LG para
1
e
2
(curvas pretas) e bandas de conduo para o
n
1
(Curva vermelha) e
n
2
(Curva azul) [58]

Disperso de fnons Lozo ' [59] . Na verdade, o LOZO' Corresponde
a um processo de ressonncia Envolvendo o
n
1
banda, enquanto o LOZO'-
Corresponde a um processo de ressonncia Envolvendo o
n
2
banda. Estes
condies de ressonncia (ver Figura 16. (C)) exige o momento phonon
tum q LOZO' para o modo de ser maior do que para o
LOZO'-mode ( q
LOZO'
4 q
LOZO'-
). Como conseqncia, o phonon
Essas energias so Isso
LOZO'
4
LOZO'-
como mostrado na fig. 16 .
Em seguida, discute-se a dois 2ZO (P3) espectros. Em sistemas 2LG (ver
Fig. 15 ), o 2ZO tom devem ser observados para a frente ( q 0)
e para trs ( q ~ 2 k ) disperso AV, onde o q ~ 2 k modo mostra um
disperso negativa freqncia [47] (para maior clareza, em referncia. [47] , O
abreviaturas para os modos de fnons so os seguintes: OTO representa
ZO, M significa 2ZO, enquanto OTA significa ZA e ZO significa
ZO ')). Enquanto o 2ZO ( q 0) foi discutida por Lui et al. [59] , A 2ZO
( q 2 k ) permaneceu uma incgnita at mais tarde. Em 2012, Arajo et
al. [58]
Relataram o 2ZO ( q 2 k ) o modo que se verificou apresentar um
freqncia negativa disperso
2 ZO q 2 k
= E
L
-48: 1 cm
-1
= VE, conforme
visto na fig. 15 (B). Como indicado na figura. 15 , O 2ZO ((B) q 2 k mode)
atravessa a LOZO' em 2,58 eV (tambm previstas teoricamente por
Sato et al. [47] ).O 2ZO ( q 2 k ) deve ter um outro modo de cruz
Com o modo de ponto LOZO' em 2,78 eV, de acordo com a estimativa
com base na disperso de fono [58] . A segunda passagem em
2,78 eV no estava prevista nas Ref. [47] , mas uma consequncia da
Observado pela Lozo diferentes disperses "Quando Este phonon
est em ressonncia phonon Com o
1
(
n
1
) Com as bandas ou
2
(
n
2
)
bandas (apenas o processo de ressonncia com o
1
(
n
1
) Bandas era
Considerado em referncia. [47] ). Estes cruzamentos modo phonon poderia
afetar
Ambas as dinmicas dos portadores fotoexcitada ea trmica
propriedades de muitos sistemas, j que em cruzamentos modo fnons
Original
Processos dependem de relaxamento mediado por alta energia ptica e
fnons acsticos [60 , 61 ].
A atribuio dos modos de combinao de 2LG foi-
sensivelmente modulada Investigado por Raman porto espectroscopia
[47] . O efeito anomalia Kohn para modos fono que ocorre
interaes eltron-fnon ter: como a ZO, ZO 'e ZA
modos de combinao [34 , 47 , 62 ]. Note-se que o modo LO faz
no par com a interao intralayer eo modo LO faz
no mudam com tenso de porta em 2LG [58] . Como ser descrito na insero
da fig. 16 (c), o modo de o Lozo 'vem de uma combinao q ~ 2 k AV
processo. Note-se que, Fig. 16 (A) e (b) mostram, respectivamente, a E
F
dependncia de
LOZO'
e
LOZO'-
Quando V
g
variada. Ambos,

LOZO'
e
LOZO'-
amolecer com o aumento crescente j E
F
Qual j
Fig. 15. (Color on-line) (a) CHINA (P1) e Lozo '(P2) e os modos de
combinao 2ZO (P3) como eles aparecem modo harmnico nos espectros
Raman tiradas com o laser de 532 nm
linha. As linhas slidas so curvas lorentzianas utilizados para ajustar o
espectro. As caixas superiores e inferiores em (a) mostram as vibraes da
rede associada a cada modo normal Envolvidos
nos modos de combinao e sobretons e A disperso de frequncia como uma
funo de E
L
, Como mostrado em (b), (b) o deslocamento Raman como uma funo de E
L
, Mostrando Lozo Isso
(P2) Modo de combinao ser atravessada pelo 2ZO q 2 k harmnica para
2,58 eV e, de acordo com a disperso obtidos neste trabalho, provavelmente
vai ser atravessado novamente a 2,78 eV.
Os smbolos correspondem a correspondncia com os dados
experimentais. As linhas a cheio so os resultados de ajuste de curva [58] .
Fig. 16. (Color on-line) O V
g
dependncia de (a)
LOZO'
e (b)
LOZO'-
. As inseres mostram a V
g
Lozo '
(C) fnons q vetores mostrados para o
Combinao Lozo 'Modos ZO
+
e ZO
-
bicamada de grafeno 2LG, (d) a V
g
dependncia de
2LO
. A insero mostra a V
g
2LO
, (E) de densidade
estados eletrnicos das bandas de valncia 2LG para
1
e
2
(curvas pretas) e bandas de conduo para o
n
1
(Curva vermelha) e
n
2
(Curva azul) [58] .
14

PAG 15

Fig. 17. (Color on-line) e 2ZO LOZA fnons renormalizaes auto-
energia. (A) e (b) mostram, respectivamente, a V
g
dependncia de
LOZA
,
2ZO
para o q 2 k processo e AV
(C) mostra V
g
dependncia de
2ZO
para o q processo 0 AV. As inseres mostram a V
g
dependncia da larguras de linha
LOZA
,
2ZO
para o q 2 k processo AV ((a) e (b), respectivamente)
e
2ZO
para o q processo AV 0 (c).

controlado pelo aumento crescente j V
g
j. De forma correspondente, como mostrado no
inseres de Fig. 16 (A) e (b), a linha de fono larguras
LOZO'
e

LOZO'-
Amplie aumento crescente com j E
F
j. Analogamente, fig. 17 (A) apresenta
Que
LOZA
(
LOZA
) Suaviza (amplia) com o aumento crescente j E
F
j, enquanto que para
2ZO o tom, quase nenhuma dependncia de V
g
Observa para
Ambos
2ZO
e
2ZO
na fig. 17 (c).
Como discutido na Seo 4 , este comportamento oposto ao que
acontece o q nos point 0 fonones [38] , como o caso de
o recurso G-band, onde
q
endurece e
q
Quando se estreita j E
F
j
Aumenta. Por outro lado, os comportamentos em Relatado Figs. 16
e 17 de acordo com o que esperado para q 0 AV e q 2 k AV / EV
renormalizaes auto-energia dos fnons. Para quantificar o ZO '
correes de auto-energia dos fnons, a V
g
dependncia de
2LO
e

2LO
para o tom 2LO em cerca de 3244 centmetros
-1
(Veja fig. 16 (d)), voc
Foi medido, que conhecido como a banda de 2D 'Com a banda D
ocorrendo a 1,608 centmetros
-1
[58] . Em analogia com a combinao Lozo '
point sobre o modo, o tom 2LO est associado a um
q 2 k AV processo de ressonncia dupla e uma escolha frutfero para
desvendar a dois phonon auto-energia que as contribuies que so
fundiram em combinao modo a Lozo '.
Ao inspecionar Fig. 16 (A) e (b), vemos que o renormaliza-
correes o so
LOZO'
9 centmetros
-1
e
LOZO'-
= 7 centmetros
-1
,
respectivamente. Por outro lado, observando a fig. 16 (D), vemos
Isso
2LO
= 5 centmetros
-1
, O que significa que o renor- freqncia LO
malizao para AV Este processo
LO
2: 5 cm
-1
. A auto-energia
Quanto s correes do modo LO ser o mesmo para a LO
Tanto a contribuio para os recursos LOZO' e LOZO' . L-
tona a correo phonon auto-energia
ZO
'
Modo para o ZO '(+)
ser dado por
LOZO'
-
LO
6: 5 cm
-1
enquanto o auto-phonon
correo da energia
ZO'-
para o modo de ZO' ser dado por

LOZO'-
-
LO
4: 5 cm
-1
. A partir da anlise acima, e lem-
Isso Bering, maiores as correes de auto-energia
q
, O
mais forte so os engates e-ph, deduzimos o intercalar Esse e
Mediar as renormalizaes acoplamento ph para o modo de o ZO '
mais forte do que a renormalizao para o modo de LO. nota-
Que os dignos renormalizaes auto-energia para LOZO' e
LOZO'- so diferentes, mesmo que eles envolvem os mesmos LO
phonon. Entendemos expats em Original da seguinte forma: o phonon
correes de auto-energia para q 0 fnons contar com a densidade de
eltrons e fnons estados [62] . A densidade de estados fnons
ser o mesmo, porque o mesmo phonon est envolvido. No entanto,
como mostrado na fig. 16 (E), para energias menores que J2J eV, a densidade
de estados eletrnicos para o
2
(
n
2
banda sempre menor do que a
para o
1

n
1
Bandas Th. Isto significa que o phonon auto-energia
correes so mais fracos para a ZO'- em comparao ao do
Este resultado, em ZO' e no devido a um acoplamento diferente de e-ph
simetria, mas porque a densidade de estados eletrnicos para
2

n
2

Isso menor em comparao com para
1

n
1
, como pode ser visto na fig. 16 (e). Por
seguindo a mesma estratgia, poderamos estimar Tambm o phonon
correes de auto-energia para o modo de ZA, cuja combinao LOZA
frequncia do modo (linewidth) Tambm endurece (amplia) como esperado
para os q processos AV 0. Como mostrado na fig. 17 (a),
LOZA
8 centmetros
-1
.
Portanto, o modo ZA correes de auto-energia
ZA
Ser dada
por
LOZA
-
LO
5: 5 cm
-1
. interessante notar que, a
renormalizao para o modo ZA semelhante ao de renormalizao
correo de modo a ZO " [58] .
Finalmente, discute-se a V
g
dependncia do tom para 2ZO
ambos, os q ~ 0 e q 2 k processos AV. Curiosamente, os resultados
Fig. 17 (b) e (c) mostram que, para ambos os casos, o phonon auto-energia
correces frequncia phonon
2ZO
e para a largura da linha

2ZO
, So fracos e, como conseqncia, a
2ZO
e
2ZO
renor-
malizations mostram um comportamento constante com o aumento crescente
j E
F
j. Este
Resultado entendido a seguinte: para phonon correo auto-energia
es, as energias dos fnons vai determinar onde em si mesmos
o Dirac cones a criao de e-h par (aniquilao) ser
acontecer e, portanto, as energias de fones determinar
a densidade inicial (final) dos estados electrnicos e vibracionais.
Em cima de this, a conservao do momento exigncia q k - k ',
Qual principalmente determinada pelas encostas na eletrnica e
relaes de disperso de vibrao, devem ser obedecidas a fim de
observar forte acoplamento. Comparando todos os casos, o phonon ZO
modo criaria (aniquilar) um e-h par em muito maior
~ 110 MeV energias e, portanto, com uma densidade muito maior de
estados eletrnicos e vibracionais comparao com as energias do
ZA (~ 3: 1 MeV) e ~ 11 a ZO 'D: 2 MeV) modos. Porque phonon
renormalizaes podem ser observados para a ZA e ZO de ambos os modos,
os autores de referncia. [58] entender que a razo por trs da
Observado renormalizao fraco para o modo ZO devido falta
de um phonon momento q tal que q k - k ', e esta falta
Impede qualquer renormalizao ressonante acontea. Este
confirmado por argumentos de simetria desde o potencial de deformao
CIAL mediando o acoplamento e-ph est relacionado com o modo de ZO,
Que
uma camada intercalar de vibrao anti-simtrica (tal como visto na fig.
15 (a)). A
potencial de deformao est previsto para permitir um acoplamento Entre
estados electrnicos ortogonais desde a vibrao ZO quebra o
simetria estrutura, o que implica V
kk '
0 na equao. (8) . Assim, no
renormalizaes so esperadas para o modo 2ZO [63] .
7 Resumo e perspectivas futuras
Neste artigo, vamos mostrar como modulao porto faz Raman
espectroscopia, que j tinha sido mostrado para fornecer um controle de
potncia
tcnica ful para nanocarbons caracterizao como nano carbono
tubos e grafeno, ainda mais poderoso do que nunca tinha estado
previsto antes. O fenmeno fsico aqui relatada
Envolve o uso de uma tenso positiva ou negativa porto ou voltar ao topo
Controlo tenso de porta para a posio de nvel de Fermi, ou equivalente
lently para controlar a concentrao de eltrons ou buracos doping do
nanocarbon.
Fig. 17. (Color on-line) e 2ZO LOZA fnons renormalizaes auto-
energia. (A) e (b) mostram, respectivamente, a V
g
dependncia de
LOZA
,
2ZO
para o q 2 k processo e AV
(C) mostra V
g
dependncia de
2ZO
para o q processo 0 AV. As inseres mostram a V
g
dependncia da larguras de linha
LOZA
,
2ZO
para o q 2 k processo AV ((a) e (b), respectivamente)
e
2ZO
para o q processo AV 0 (c).
15

PAG 16

Ao longo dos anos, muitos recursos nos espectros Raman de
nanocarbons foram identificadas e estudadas. As caractersticas tais como ,:
o G-banda eo modo respiratrio radial, tornaram-se amplamente
Conhecido por engenheiros para a caracterizao de nanotubos de Sua metal-
Licity e ( n , m ) quiralidade. Usando modulao porto, ele mostrado neste
Esse artigo analisar cada caracterstica no espectro Raman de nanocar-
materiais bon tem suas prprias caractersticas distintivas. Depois
rever alguns dos aspectos tcnicos do uso de trs portas e
Principais portas em sistemas nanocarbon, os aspectos essenciais do
Kohn anomalia, que regula a interao eltron-fnon em
Geralmente os materiais, discutido, dando especial nfase ao porqu
a anomalia Kohn to especial para materiais nanocarbon, e por
o linear e ( k ) a dependncia e os pontos K e K 'na Brillouin
zona, que esto relacionados por tempo de inverso de simetria e ter um
desaparecendo densidade de portadores no zero wave, so to especiais. A
artigo analisa como pequenas mudanas na tenso da porta pode ter um
efeito profundo sobre o eltron eo buraco populaes e na
wave q no nvel de Fermi. Estes efeitos fsicos so vividamente
visto em cada um dos modos de fnons no plano e fora do plano, combinado
Modo o e harmnica. Efeitos de muitos corpos e renormalizao
sobre a frequncia e durao dos vrios modos so considerados
e dirigiu, explicando assim muitos detalhada wave-vector
efeitos dependentes e distinguir os q 0 e q 0
efeitos relacionados. Ele mostrado como identificar modulao porto
identidade Ajuda
cada recurso com um modo Raman phonon especfica e identificar identidade
quantos recursos esto presentes em um espectro Raman e Dado
Relevante para o que simetrias so cada recurso Raman. O que
especial sobre o presente estudo a variao correlacionada de porto
tenso e energia de excitao de laser E
L
de observar e interpretar
Raman cada processo fsico.
No futuro, o uso da modulao porto deve ser combinada
Com outras tcnicas experimentais, estudando expatriados na
Os espectros de Raman observadas quando a amostra submetida a dois
,: diferentes condies, tais como o uso do istopo
13
C em vez de
12
C que dever permitir uma para separar efeitos eletrnicos de
efeitos vibracionais fnons. Outros exemplos poderiam ser os rena
cias e mudanas eletroqumicas tenso porto da Between
Nvel de Fermi, a utilizao de campos magnticos para perturbar a
electrnica
estrutura, ou de perturbao dependente do tempo, efeitos de tenso pulsada,
ea combinao destas perturbaes diferentes. Finalmente, o
Aqui apresentados vrios resultados para o estudo do grafeno Sugerir
Cada um desses fenmenos fsicos em outros materiais em camadas, como
MoS
2
e outros metais de transio. dichalcogenides

Raman É A Dispersão Elástica de Luz em Forma de Um Sólido

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mudanas de energia (ou mudanas de Raman) a partir da luz incidente frequentemente

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