- Eletrnica Analgica 1 -

Captulo 3: Fundamentos dos transistores

bipolares

Captulo 3 Fundamentos dos transistores bipolares

Sumrio
1 O transistor bipolar de juno (TBJ)
2 Configurao em base-comum
3 Configurao em emissor-comum
4 Configurao em coletor-comum
5 Interpretao dos dados do TBJ
6 A reta de carga
7 Operao do TBJ

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Sec. 1 TBJ

1 O transistor bipolar de juno (TBJ)

Transistor npn e pnp

Bipolar: portadores + e Diferentes nveis de dopagem

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Sec. 1 TBJ

Operao do transistor:

I E = IC + I B
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Sec. 1 TBJ

Polarizao DIRETA do EMISSOR do transistor

PNP:

Polarizao REVERSA do COLETOR do transistor

PNP:

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Componentes de corrente:

Note:
sentido de IE e polaridade VEE
Sentido de IC e polaridade VCC

Sentidos de corrente

Convencional

Real
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Sec. 1 TBJ

Figuras retiradas de: http://www.st-andrews.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/info/comp/active/BiPolar/page3.html

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Sec. 1 TBJ

Tipos de conexo de um transistor:

Base-comum
casamento de impedncia (baixa
impedncia na entrada e alta na sada);
ganho de corrente menor do que 1;
a entrada aplicada ao emissor, a sada no
coletor;
a base comum tanto para a entrada
como sada.

Emissor-comum
bom ganhos de potncia (tenso e
corrente);
entrada aplicada ao circuito baseemissor e a sada no coletor-emissor
(emissor comum para entrada e
sada);
nica que reverte fase entre entrada
e sada

Coletor-comum
usado como um controlador de
corrente (as vezes conhecido como
seguidor-de-emissor);
alta impedncia na entrada e baixa
na sada;
o coletor comum tanto a entrada
como sada.
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Sec. 1 TBJ

Comparao entre os tipos de configuraes:

Caracterstica
Ganho tenso
Ganho corrente
Ganho potncia
Impedncia entrada
Impedncia sada

Base comum
Alto
Baixo ()
Baixo
Baixa
Alta

Tipo
Emissor comum
Mdio
Mdio ()
Alto
Mdia
Mdia

Coletor comum
Baixo
Alto
Mdio
Alta
Baixa

Considerando as relaes matemticas:

IC
=
IE

IC
=
IB

Nomeclatura tradicional:
Nmero junes+Identificao de semicondutor+Nmero+Verso

Exemplo: 2N3903A
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Sec. 2 Configurao base-comum

2 Configurao em base-comum (BC)

Parmetros:
de ENTRADA: IE e VBE
de SADA: IC e VCB

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Sec. 2 Configurao base-comum

IC IE
Trs regies de trabalho:
ATIVA
CORTE
SATURAO

Eletrnica Analgica
Eletrnica Digital

Quando IE=0 tem-se uma corrente ICBOA/nA

Na regio ativa para o base-comum

Polarizar diretamente BASE-EMISSOR
Polarizar reversamente BASE-COLETOR
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Sec. 2 Configurao base-comum

Na regio de CORTE:
Polarizar REVERSAMENTE a BASE-EMISSOR e BASE-COLETOR

Na regio de SATURAO:
Polarizar DIRETAMENTE a BASE-EMISSOR e BASE-COLETOR

No modo ativo temos a relao:

I C = I E + I CBO
Modelo simplificado (IC IE e IB 0mA)

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Sec. 2 Configurao base-comum

Ao de amplificao de tenso do BC:

Resistncia de entrada versus sada
Exemplo: considere a figura abaixo e uma resistncia de entrada de
20 (tpico de diodo polarizado diretamente)

Polarizao CC omitida

A amplificao de tenso ser 50V/200mV = 250 vezes!

A amplificao aconteceu porque transferiu I de um

circuito de baixa resistncia para um de alta resistncia
TRANSFERNCIA + RESISTOR = TRANSISTOR

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Sec. 3 Configurao emissor-comum

3 Configurao em emissor-comum (EC)

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Sec. 3 Configurao emissor-comum

Caractersticas de entrada e sada

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Sec. 3 Configurao emissor-comum

Note que para IB=0, temos IC 0

I C = I E + I CBO I C = ( I C + I B ) + I CBO I C =

I B I CBO
+
1 1

Considerando IB=0 e =0,995 temos:

I C = 200 I CBO
Assim, IB=0 para definiremos o parmetro ICEO

I CEO =

I CBO
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para I B = 0

Relembre o parmetro para o EC

CC
ou hFE

IC
=
IB

I C
ca =
I B

ou hfe

VCE = constante

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Sec. 3 Configurao emissor-comum

Exemplo: estimar ca e cc para o ponto Q e suas

excurso CA

cc =

IC
IB

ca =

I C
I B

VCB = con tan te

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Sec. 3 Configurao emissor-comum

Algumas relaes importantes

Considerando que
temos

IC
=
IE

IC
=
IB

I E = IC + I B
IC

= IC +

IC

+1

=
1

Outras relaes bsicas:

I C = I B
I E = ( + 1) I B
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Sec. 4 Configurao coletor-comum

4 Configurao em coletor-comum (CC)

Alta impedncia de entrada e baixa de sada

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Sec. 4 Configurao coletor-comum

CC tem curvas caractersticas semelhantes ao EC

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Sec. 5 Interpretao dos dados do TBJ

5 Interpretao dos dados do TBJ

Limites de operao
Variar Vcc e medir IC e VCE

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Sec. 5 Interpretao dos dados do TBJ

Anlise de datasheets

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Sec. 6 A reta de carga

6 A reta de carga
A reta de carga (EC com polarizao da base):

Saturao
O diodo coletor NO est reversamente polarizado
Mxima corrente possvel para o coletor

Corte
IB=0 e IC0 (existe uma pequena corrente de corte do coletor)
Mximo VCE possvel
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Variaes de IB
Variaes de Rc

Variaes de Vcc

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Sec. 6 A reta de carga

Ponto de operao quiescente (Q):

Considere o circuito abaixo de um =100
Considere um variando entre 50 e 150

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Captulo 3 Fundamentos dos transistores bipolares

Sec. 6 A reta de carga

Identificao da saturao
A) Reduo ao absurdo: Calcule IB, IC e VCE considerando o
transistor na regio ativa e veja se tem resultados absurdos
B) Estime IC(sat)
Observao: quando saturado, o ganho de corrente menor!

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Sec. 6 A reta de carga

Saturao forte: existe IB mais do que suficiente

para saturar o transistor
Regra 10:1 (s quando VBB=VCC)

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Sec. 6 A reta de carga

Tempos do transistor no corte/saturao

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Sec. 7 Operao do TBJ

7 Operao do TBJ
Modelo transistor
Respostas CC e CA
A amplificao CA a transferncia de energia das fontes CC
(polarizao).
Projeto: anlise CC e CA
Teorema de superposio

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Sec. 7 Operao do TBJ

EC com polarizao da base:

Muito usado para corte/saturao
Pouco usado na regio ativa: grandes variaes de

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Captulo 3 Fundamentos dos transistores bipolares

Sec. 7 Operao do TBJ

Polarizao do emissor
Ponto Q mais estvel

Polarizao base: corrente fixa na base

Polarizao emissor: corrente fixa no emissor
Menor efeito de pois:
IC =

cc
cc + 1

IE
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Sec. 7 Operao do TBJ

Exemplo aplicao: acionador de LED

Polarizao da base fortemente saturado

Polarizao emissor
Independe da queda de tenso no LED

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Sec. 7 Operao do TBJ

O fototransistor
Mais sensvel a luz que o fotodiodo

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 Exemplo 1: Determine para a configurao abaixo

os valores IB, IC, VCE, VB, VC, VBC

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 Exemplo 2: Determine para a configurao abaixo

os valores IB, IC, VCE, VB, VC, VE, VBC

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