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E-mail: <flavio.horowitz@ufrgs.br>
Fig. 1: Vitral Labors of the Months (Norwich, XV): as cores vermelho e amarelo so atribudas
adio de ouro e prata, respectivamente. (Fonte: Photo Victoria and Albert Museum, London).
materiais e aos mtodos de preparao. Por fim, alguns resultados de pesquisa recente
sero apresentados.
Princpios tericos da interao da luz com partculas
A descrio terica das propriedades pticas de meios compsitos constitui uma
importante ferramenta de trabalho para desenvolver esse tipo de material. Um dos
primeiros trabalhos tericos sobre esse assunto foi publicado no inicio do sculo
passado por Maxwell Garnett [5], com o objetivo de explicar a colorao de vidros
dopados por partculas metlicas.
Para que a teoria de Maxwell Garnett possa ser aplicada, a primeira condio
relevante que as partculas possam ser consideradas esfricas e que seu raio seja muito
menor do que o comprimento de onda da radiao incidente, isto : R << (Fig. 2).
Isso permite que a aproximao quase-esttica seja aplicada para o campo eltrico em
cada partcula.
A segunda aproximao importante se refere distncia mdia entre as partculas:
ela deve ser muito maior do que o raio mdio das partculas, b >> R . Essa condio
possibilita que cada partcula possa ser tratada como um dipolo puntiforme. A terceira e
ltima aproximao est ligada s duas anteriores e requer que a distncia mdia entre
as partculas seja muito menor que o comprimento de onda da radiao, b << . Dessa
maneira, a condio quase-esttica tambm pode ser aplicada para um conjunto de
nanopartculas no clculo da funo dieltrica efetiva do meio compsito. Essa ltima
aproximao o que diferencia um meio compsito do caso de um meio com partculas
que interagem isoladamente com a luz.
3 f ( i d )
ef = d 1 +
( i + 2 d ) f ( i d ) ,
(1)
(2)
a qual exige que a funo dieltrica de um dos constituintes seja negativa. No presente
caso, os metais apresentam a parte real da funo dieltrica negativa na maior parte do
espectro eletromagntico.
Na Eq. (1), possvel utilizar a funo dieltrica do meio bulk (espesso) para o
meio que envolve as partculas. Entretanto, isso nem sempre vlido para a funo
dieltrica das incluses metlicas. Quando o dimetro da partcula menor do que o
livre caminho mdio entre colises dos eltrons no metal, a funo dieltrica bulk das
incluses, i ,bulk , deve ser corrigida por [1]
1
P2
1
i
i ( , R ) = i ,bulk + P2 2
2
2
2
+ + ( R )
( R )
2
2 2 , (3)
2
+ ( R ) +
( R ) = + A
vF
,
R
(4)
(5)
Sem correo
R = 20 nm
R = 10 nm
R = 5 nm
R = 4 nm
0,9
0,6
0,3
0,0
350
1,2
2,0
nd = 1,0
1,5
nd = 2,0
1,0
nd = 1,5
nd = 2,5
nd = 3,0
0,5
0,0
400
450
500
Comprimento de onda (nm)
(a)
400
500
600
700
Comprimento de onda (nm)
800
(b)
Fig. 3: Coeficientes de extino calculados com as equaes (1-4) para partculas de Ag imersas em: (a)
SiO2, tendo o raio das partculas variado; (b) meios com ndices de refrao entre 1 e 3 e com raio das
partculas em 10 nm. A frao volumtrica de metal igual a 5%.
3(b). Porm, no caso da Fig. 1, essa variao provocada pela mudana do metal das
partculas, ou seja, variando i na Eq. (1).
Do ponto de vista microscpico, importante perceber que a condio de
ressonncia dada pela Eq. (2) para a funo dieltrica do meio compsito, tambm vale
para o campo eltrico. Isso pode ser facilmente verificado na soluo do problema
eletromagntico para o campo eltrico Ei , no interior de uma partcula, em funo do
campo eltrico incidente E0 [8]:
Ei =
3 d
E0 .
i + 2 d
(6)
spin coating ou dip coating. O segundo grupo envolve os mtodos fsicos de deposio
em vcuo, tais como sputtering e evaparao trmica.
Geralmente, a matria em forma de nanopartcula no est em um estado
termodinmico estvel. Por isso, para evitar sua aglomerao, sobretudo na sua
produo em lquidos por mtodos qumicos, deve-se estabilizar essas partculas.
10
A estabilizao das partculas pode ser obtida pela adio de ons em sua superfcie,
de forma que a repulso eletrosttica evite a aglomerao; ou pela adsoro de
polmeros, de forma que as partculas sejam separadas para estabelecer a concentrao
de equilbrio dessas molculas [18]. Dessa maneira, durante a formao das partculas, o
seu tamanho mdio pode ser controlado pela concentrao do estabilizador adicionado.
O processo de produo de solues coloidais de partculas est muito bem
estabelecido na rea da qumica. Atualmente, podem-se produzir partculas com
diferentes formatos (esferas, prismas e cilindros) [19]. Para aplicaes biolgicas das
partculas, essas podem ser funcionalizadas para tirar melhor proveito das propriedades
pticas [16].
No caso de produo de materiais nanocompsitos por mtodos fsicos, pode-se
utilizar o processo de co-deposio ou deposio direta [20]. O primeiro processo
consiste em depositar simultaneamente dois materiais sobre um mesmo substrato, que
normalmente levado a tratamento trmico para promover a aglomerao em partculas
do material disperso.
J o segundo, utiliza favoravelmente algumas propriedades de crescimento de
filmes finos para produzir diretamente as partculas sobre uma superfcie. Basicamente,
quando a interao entre os tomos do material que se est depositando maior do que a
interao com os tomos do substrato, obtm-se o regime de crescimento de ilhas sobre
esse substrato [21]. Esse modo de crescimento dos filmes, conhecido como VolmerWeber, muito dependente da temperatura do substrato e da energia com que os tomos
chegam superfcie. Alm disso, para a produo de partculas, necessrio
interromper a deposio antes do limiar de percolao do filme.
Na Fig. 4, esto apresentados dois casos distintos. No primeiro, cromo (Cr)
depositado sobre slica e no segundo prata depositado sobre slica, sendo que, em
11
(a)
(b)
Fig. 4: Filmes de: (a) Cr e (b) Ag depositados por sputtering sobre SiO2 nas mesmas condies,
mostrando a diferena entre o crescimento dos filmes. Ambos os filmes foram produzidos no Laboratrio
de Espectroscopia Laser e ptica de Filmes da UFRGS.
Isto , substrato depositado simultaneamente com a amostra, com calibrao prvia do fator geomtrico
entre suas posies.
Verifica-se que a condio de ressonncia de plasmon caracterizada por uma reduo na transmitncia
da amostra originada por absoro.
13
95
440
Transmitncia (%)
90
85
445
80
0,5 nm Ag
1,0 nm Ag
2,0 nm Ag
75
70
480
65
400
500
600
(nm)
700
800
(a)
(b)
Fig. 5: (a) Espectro de transmitncia de uma srie de amostras produzidas para estudar o efeito da
concentrao de Ag no filme; (b) Micrografia correspondente amostra com espessura equivalente de 1,0
nm de Ag.
diretamente sobre o substrato de vidro (ndice de refrao de 1,51). Por isso, o pico de
ressonncia de plasmon deslocado de 445 nm, no caso de partculas sobre uma
superfcie de vidro (Fig. 5 (a)), para 535 nm, quando so recobertas com TiO2 (Fig.
6.(a)). J para um filme de partculas completamente envolto por TiO2, a ressonncia
deslocada para o infravermelho prximo, em 815 nm.
Na Fig. 6 (b) so apresentados os espectros de transmitncia em diversos ngulos
de incidncia para a polarizao p (campo eltrico paralelo ao plano de incidncia da
luz). Os resultados foram obtidos para um filme de nanopartculas Ag imersas em SiO2.
95
85
Transmitncia
Transmitncia (%)
1,00
90
80
75
75
70
60
45
30
0
0,95
0,90
70
535
65
377
815
452
0,85
400
600
800
1000
(nm)
1200
1400
(a)
400
500
600
(nm)
700
800
(b)
Fig. 6: Curva de transmitncia para filmes de nanopartculas de Ag: (a) variando o ndice de refrao
do entorno pela adio de TiO2; (b) e envolto por SiO2, variando o ngulo de incidncia da medida para
polarizao p.
O pico da ressonncia de plasmon calculado com a Eq. (2) para esse tipo de sistema
fica em torno de 410 nm. Porm, o surgimento de duas bandas de absoro em sistemas
bidimensionais, comentado na seo de anlise terica, pode ser percebido na Fig. 6(b).
Para incidncia normal (0), o vetor do campo eltrico est no plano do filme de
partculas e o pico da ressonncia de plasmon est em 452 nm. No entanto, conforme o
vetor do campo eltrico sai do plano das partculas (ngulos de incidncia maiores), o
15
Concluso
Neste captulo foram abordados os principais aspectos da interao da luz com
meios compsitos nanoestruturados. Foram discutidas algumas teorias para descrio
das propriedades pticas desses materiais, bem como resultados experimentais que
evidenciam suas caractersticas. Alm disso, foi dada nfase s possibilidades de
aplicaes desses materiais nas mais diversas reas, o que tem fomentado a pesquisa e o
desenvolvimento dessas nanoestruturas.
Agradecimentos
Os autores so gratos ao apoio da CAPES e do CNPq, que permitiram o alcance de
seus resultados recentes aqui relatados.
Agradecimento CME. (Flavio, no sei qual o atual procedimento estabelecido pelo centro
de microscopia).
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