Eletronica-Basica Capitulo 02 Transistor Completo 2014

Eletrnica Bsica - ELE 0316 / ELE0937
Captulo 2 Transistor
2.1 - Breve Histrico
Diodo vlvula inventado em 1904 por J. A.
Fleming;
De 1904 a 1947: uso predominante de vlvulas;
1906: Lee de Forest acrescenta terceiro
elemento, a grade de controle: triodo;
Rdios e televiso usavam intensivamente tais
dispositivos;
1922: 1 milho de vlvulas;
1937: 100 milhes de vlvulas;
Dcada de 30: tetrodo e pentodo;

1

1943, iniciam-se os trabalhos com o ENIAC, o primeiro
computador de grande escala, construdo com vlvulas:
18.000 vlvulas, consumindo 140 kW, 30 toneladas;
Caractersticas das vlvulas:
Alto consumo de potncia (calor);

Baixa velocidade;
Vida til reduzida;
Baixa confiabilidade;
Pesada;
1947: Transistor de ponto de contato: Bardeen e Brattain;

1948: transistor: dispositivo que tinha uma caracterstica de
transresistncia;
2
Rplica do primeiro Transistor

1951: Schockley inventa o transistor de juno;

1956: ganham o prmio Nobel;
Entre 1954 e 1956, 28 milhes de transistores haviam
sido fabricados, rendendo US$ 55 M.
No mesmo intervalo havia sido produzido 1,3 bilhes
de vlvulas, rendendo mais de US$ 1 B.

2.1.1 - Princpio de Funcionamento do Transistor
cristal npn emissor, base e coletor transistor npn;
emissor: densamente dopado injeta eltrons na base;

base: pequena e levemente dopada permite que os
eltrons vindos do emissor atinjam o coletor - dopagem
10 vezes menor que o emissor;
5

coletor: dopagem intermediria coleta os eltrons que
vm da base e a regio mais extensa, pois deve
dissipar mais calor;
tamanho do emissor + coletor > que 150 vezes tamanho
da base;
duas junes pn:
emissor/base: diodo emissor;
base/coletor: diodo coletor;
transistor pnp;


transistor pnp;

2.1.2 Transistor No-Polarizado
eltrons livres se difundem atravs da juno, criando
duas camadas de depleo;
para cada camada de depleo, a barreira de
potencial de 0,7 V;
quanto mais densamente dopada uma regio, maior a
concentrao de ons prximo da juno;
quanto mais fracamente dopada, mais a camada de

depleo avana na regio;
9

10

2.2 Transistor Polarizado
Polarizao direta nos diodos emissor e coletor (Figura 5.3a);
Correntes grandes;
Polarizao reversa nos diodos emissor e coletor (Figura 5.3b);

Correntes pequenas, portadores minoritrios;
Transistores no so usados nessas formas de polarizao;
11

2.2 Transistor Polarizado
Polarizao direta e reversa nos diodos emissor e coletor
12

2.2.1 Polarizao Direta-Reversa
Diodo emissor com polarizao direta e diodo coletor com
polarizao reversa;
Grande corrente no emissor e tambm no coletor;
Figura 5.4
13

Corrente injetada pelo emissor entra na base;

Dois caminhos: descer pelo terminal da base ou
seguir at o coletor;
Corrente pela base: corrente de
recombinao;
Corrente pequena pois a base levemente
dopada;
Base muito fina;
14

Figura 5.4.d: fluxo estvel de eltrons
Polarizao VEB fora os eltrons do emissor a entrarem na
regio da base;
Base fina e levemente dopada permite a passagem at o coletor;
Maioria dos transistores, mais de 95 % dos eltrons injetados do
emissor fluem para o coletor;
15

Resumindo, no Transistor:
Emissor: densamente dopado;
Base: fina e levemente dopada;
Coletor: grande e dopagem intermediria;
16

2.2.2 - Ponto de Vista de Bandas de Energia
Polarizao direta do diodo emissor: permite que alguns eltrons

livres se desloquem do emissor para a base;
Ao entrar na banda de conduo da base, tornam-se portadores
minoritrios;
Pela dopagem da base, a maior parte se difunde pela camada de
depleo do coletor;
Alguns eltrons se recombinam com lacunas na base, tornandose eltrons de valncia e fluem para o terminal da base;
Descida dos eltrons da base para o coletor gera calor: regio
mais extensa;
17

Polarizao reversa do diodo coletor:
no tem grande influncia no nmero de eltrons que entram
no coletor;
h pequena variao na corrente IC quando VCB aumentado;
18
Exemplo:
IC = 4,9 mA IE = 5 mA
CC = 4,9 mA / 5 mA = 0,98
19

2.2.4 Tenses de Ruptura
junes so semelhantes a diodos: tenso reversa pode

danificar o transistor;
tenso de ruptura depende da largura da camada de depleo
e dos nveis de dopagem;
diodo emissor: alto nvel de dopagem tenso reversa baixa,
de 5 a 30 V;
diodo coletor: baixa dopagem tenso reversa de 20 a 300 V;
Funcionamento normal: diodo emissor diretamente polarizado

e diodo coletor reversamente polarizado;
20

Se VCB for grande demais, muita potncia dissipada
e pode danificar o dispositivo;
Diodo emissor pode ser polarizado reversamente em
alguns circuitos;
Tenses mximas reversas VBE e VCB no devem ser
atingidas;
21

2.2.5 Ligao Emissor Comum (EC)
Polarizao do transistor tendo o emissor como ponto
comum (referncia);
22

Figura 5.7. b, c e d
23

24

Obter cc
Obter CC
para CC = 0,9; 0,95; 0,98

para cc = 10; 100; 1000.
25

Diodo emissor deve estar polarizado diretamente;
Diodo coletor deve estar polarizado reversamente;
Tenso no diodo coletor deve ser menor que a
tenso de ruptura;
Ligao EC: mais usada pois uma pequena

corrente de base controla uma grande corrente
de sada fonte de corrente;
26

corrente do emissor e a soma da corrente do coletor mais a corrente da base;

corrente do coletor aproximadamente igual corrente do emissor;
27

2. 2.6 Curvas Caractersticas do Transistor
grficos que relacionam correntes e tenses no transistor
Figura 5.10
variao das tenses VBB e VCC: gerar diferentes correntes

e tenses;
fixa-se IB e varia VCC: mede-se IC e VCE;
28

29

VCE entre 0 e 0,7 V: IC aumenta fortemente e depois se
torna constante (polarizao reversa no diodo coletor);
VCE > 0,7V : no influencia muito a corrente IC ;
VCE elevada: diodo coletor rompe-se;
Tenso de compliance: faixa de tenso do coletoremissor na qual o transistor funciona como uma fonte
de corrente.
Quanto maior IB, maior o valor de IC;
Vrias curvas para IB diferente num mesmo grfico.
30

cc = 100;
curva inferior, IB = 0, e IC prxima de zero (corrente de fuga
ordem de nA);
tenses de rupturas: ficam menores conforme IB aumenta;
31

2.2.8 - Curvas de Ganho de Corrente
varia muito entre os transistores (at 3:1):
variao com temperatura Figura 5.13;
variao de IC e de temperatura: pode variar em 9:1;
projetos no podem depender de valor exato de
32

2.2.9 - Corte e Ruptura
IB = 0 : terminal de base aberto e gera ICE0 (Figura 5.14);
Produzida por portadores gerados termicamente e corrente de fuga
superficial;
Tenso de ruptura para IB = 0 : BVCE0;

VCE deve ser mantido abaixo de BVCE0, regra de projeto: menor que
a metade desse valor;
33

2.2.10 - Tenso de Saturao do Coletor
Regies das curvas do transistor (Figura 5.15):
Regio de Saturao:
Parte inicial da curva;

Toda curva entre a origem e o joelho;
Diodo coletor polarizado diretamente
Porta-se como uma pequena resistncia;
34

Regio Ativa
Parte plana da curva;
Transistor funcionando como fonte de corrente
controlada;
VCE (SAT) tenso acima da qual o transistor opera na

regio ativa;
Regio de Ruptura
Parte final da curva;
Regio que deve ser evitada;
35

36

37

Interseco da linha de carga cc com os eixos:
Figura 5.16b: linha de carga cc superposta as

curvas do coletor
Ponto de operao (quiescente): Q
38

Corte: Interseco da linha de carga com curva IB = 0;
Saturao: interseco da linha de carga e a curva IB = IB(SAT);

corrente de coletor mxima
39

2.3 - Circuitos Bsicos com Transistores Bipolares
2.3.1 O transistor como chave
Operao em dois pontos: corte e saturao
40

41

42

2.3.2 Transistor como Fonte de Corrente
Acionamento do LED:
Fonte de corrente corrente fixa apesar da variao em VLED;
Circuito com Resistor de Emissor
43

44

VBE aproximadamente 0,7 V;

IE ser aproximadamente constante para todos
transistores: no depende de cc;
45

Fonte de Corrente X Chave
IE fixa resistor de emissor emissor amarrado a tenso da
base (- 0,7 V) Fig. 5.20.a);
IB fixa emissor aterrado atua como chave (Fig. 5.20.b) ;
Fonte de Corrente
Chave
46

Exerccio: Calcular corrente no LED na Figura 5.21 a),
as linhas de carga e os pontos Q considerando que
a queda de tenso no LED varia entre 1,5 e 2,5 V.
47

Exerccio: Calcular corrente no LED na Figura 5.21 a),
as linhas de carga e os pontos Q considerando que
a queda de tenso no LED varia entre 1,5 e 2,5 V.
48
49
50
51

Polarizao com Realimentao do Emissor
opo para compensar parte da variao de cc ;
presena de resistor no emissor e VBB = VCC (figura 6.2.b);
52

Polarizao com Realimentao do Emissor
realimentao: corrente de sada (IE) usada compensar uma variao na entrada
(IC);
tenso atravs de RE para compensar possvel variao em cc ;
aumenta cc-> IC aumenta -> IE aumenta -> VE aumenta -> VB diminui -> IB
diminui -> IC diminui e compensar variao de cc ;
para funcionar adequadamente, precisaria de RE muito grande;
Linha de carga cc
53

- Obter Expresses de Ic pela malha de controle e malha de carga

54

Se RB = RC, ento
menor que IC
ou
que ligeiramente
55

Exemplo: Calcule o valor da corrente de saturao do coletor na
Figura 6.3. Calcule a corrente do coletor para dois valores de
cc 100 e 300.
56

cc 100 e 300.
I C(SAT)
15
14,9mA
910 100
57

Para RE,
58

2.4.3 - Polarizao com Realimentao do Coletor
tambm chamado de autopolarizao (Figura 6.4);

resistor da base ligado ao coletor;
realimentao:
aumento de cc (com temperatura);
IC aumenta e VCE diminui;
VB diminui e fora IC a diminuir;
59

60

cc : 100 e 300.
Icsat, Vcorte
61

Exemplo: Calcule o valor da corrente de saturao do coletor
na Figura 6.5. Calcule a corrente do coletor para dois
valores de cc : 100 e 300.
62

63

2.4.4 - Polarizao com Divisor de Tenso
chamada polarizao universal;
divisor de tenso nos resistores R1 e R2;
R2 polariza a base (diodo emissor);
64

Tenso da base (Tenso Thevenin Figura 6.7):
65

Tenso da base (Tenso Thevenin Figura 6.7):
66

cc no aparece nas expresses: circuito imune
variaes desse parmetro;
Divisor estabilizado:
67

68


Exemplo: O circuito da Figura 6.9.a tem um divisor de tenso quase-ideal.
Desenhe a linha de carga cc e mostre o ponto Q.
VCE (CORTE) e Icsat
69


VCE (CORTE) = 30 V;
70


VCE (CORTE) = 30 V;
71

72


Exemplo: Amplificador de dois estgios. Quais as tenses cc do
emissor para cada estgio? Quais as tenses cc do coletor?
73


Exemplo: Amplificador de dois estgios. Quais as tenses cc do
emissor para cada estgio? Quais as tenses cc do coletor?
Calcule: ICSAT , VTH , IE , VC, VCE

74

ICSAT = Vcc / (RE + RC) = 15 / 590 = 25,4 mA
75

Capitulo 5 Malvino (Edio revisada):
76

Trabalho 3 Transistores (Para 09/04)
5.8; 5.10; 5.11; 5.12; 5.13; 5.14; 5.15; 5.16; 5.17
6.1; 6.2; 6.3; 6.4, 6.5, 6.6; 6.7; 6.8; 6.9 ;
77
78
79

80

81

82

83

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Alto consumo de potncia (calor);

1947: Transistor de ponto de contato: Bardeen e Brattain;

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quanto mais fracamente dopada, mais a camada de

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Polarizao reversa nos diodos emissor e coletor (Figura 5.3b);

Transistores no so usados nessas formas de polarizao;

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Corrente injetada pelo emissor entra na base;

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Emissor: densamente dopado;

Base: fina e levemente dopada;

Coletor: grande e dopagem intermediria;

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para CC = 0,9; 0,95; 0,98

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Ligao EC: mais usada pois uma pequena

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corrente do emissor e a soma da corrente do coletor mais a corrente da base;

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Parte inicial da curva;

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VCE (SAT) tenso acima da qual o transistor opera na

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Interseco da linha de carga cc com os eixos: