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Configuraes Bsicas de Amplificadores

1 -Amplificador Emissor Comum


O Amplificador Emissor Comum um dos blocos mais
utilizados em projetos de circuitos integrados, apresentando
caractersticas de ganho de corrente, ganho de tenso,
impedncia de entrada e impedncia de sada bastante
flexveis e teis.
O modelo de pequenos sinais (ac) deste amplificador
apresentado abaixo, onde:
gm = IC/VT;
r = /gm;
ro = VA/IC
No modelo de grandes sinais vemos que, para Vi variando de 500mV
at cerca de 800mV, o transistor Q1 vai do corte at a saturao.

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O ganho do emissor comum com carga resistiva dado por:


Av = - gm . (Rc // ro)

Logo,
|Av| = Ic . (Rc //ro)/ VT

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Se o circuito for polarizado de tal forma a proporcionar a maior


excurso possvel do sinal de sada (VCEo VCC/2), e pudermos
desprezar ro comparado com RC, o ganho deste circuito fica sendo
dado por:
|Av| = Ic .Rc / VT = VCC / 2VT

Para VT = 26mV,
|Av| 20Vcc

Portanto, ao se polarizar o circuito para obter excurso


mxima de sinal, o ganho fica limitado pela fonte de
alimentao, no importando os valores de RC e IC.

As impedncias de entrada e de sada deste circuito so facilmente


calculadas por inspeo no modelo de pequenos sinais. A corrente
na entrada do transistor Ii dada por:

Ii = Vi / r
A impedncia vista na base de Q1 simplesmente:

Zi = Vi / Ii = r = . (VT / IC)
A impedncia de sada (calculada com a entrada em curto), :

Zo = ro // RC
J que com a entrada em curto, a fonte de corrente controlada
gm.v1 igual a zero.
O ganho de corrente (com a sada em curto), Ai = Io / Ii, o
prprio ganho ac do transistor.
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bastante instrutivo fazer uma simulao de um amplificador


emissor comum e comparar os parmetros obtidos atravs do
SPICE e os calculados atravs do modelo.

Para executar a simulao, deve-se calcular Vbias de forma a


fornecer Ic = 0,1 mA .
Usar = 100, VA = 10000, Vcc = 10 Volts.
Os valores calculados so:
Zi = 46 Kohm; Zo = 3,33 Kohm; Av = -7,25

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2 -Amplificador Base Comum

O modelo T o mais interessante para ser usado nos clculos do


amplificador base comum. O modelo -hbrido pode ser usado
normalmente, porm mais difcil de se lidar algebricamente.

Zi = re = .(VT/Ic)
Zo = Rc
Comparado com o emissor comum, o base comum possui:
impedncia de entrada menor
ganho de corrente menor do que um;
ganho de tenso equivalente
impedncia de sada maior (no caso de RC ).
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A principal motivao para a utilizao do amplificador base


comum se d pelo fato de que:
A capacitncia base-coletor, que no amplificador emissor
comum fica entre a entrada e a sada do amplificador, sendo,
portanto, sujeita multiplicao pelo efeito Miller, no est
sujeita ao mesmo efeito, aumentando significativamente a
resposta em freqncia deste amplificador;
permite a realizao de fontes de corrente bastante
independentes da tenso que aparece sobre elas.

Como exemplo, sugerimos fazer a simulao do amplificador


abaixo e comparar com os dados calculados com as equaes
obtidas atravs do modelo.
So dados Vcc = 10Volts, = 100, VA = 100Volts. Ajustar Vbias
para que IC = 0,1 mA.

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3 -Amplificador Coletor Comum (Follower)

O modelo usado para clculo do coletor comum o mesmo usado


no emissor comum, o -hbrido. Podemos deduzir o ganho de
tenso facilemnte:

vo =
vs

1
1+ Rs + r
( +1)RL

A impedncia de entrada calculada a partir do circuito abaixo

Zi = r + ( +1)RL
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A impedncia de sada obtida do circuito abaixo:

+
Rs
Rs
Rs
Zo =
=
+

+

1+ +1 +1 gm +1

onde Rs a impedncia de sada da fonte de sinal (ou estgio


anterior, no caso de outro amplificador).
Conclumos que:

Av prximo de 1, se .RL >> r+Rs


Zi aproximadamente igual a (RL), se (RL)>> r
Zo aproximadamente igual a (r/ + Rs/ )

Ou seja,

na entrada aparecem as impedncias da


sada multiplicadas por ,
na sada aparecem as impedncias de
entrada divididas por .

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4 -Amplificador Emissor Comum Degenerado

O emissor comum degenerado apresenta


caractersticas semelhantes ao emissor comum no
degenerado, porm, devido realimentao negativa
provocada pela incluso do resistor RE, os seguintes
efeitos aparecem:
a sua transcondutncia menor
a impedncia de entrada maior
a impedncia de sada maior
A caracterstica mais fcil de analisar a impedncia
de entrada, uma vez que exatamente a mesma do
circuito coletor comum, uma vez que para a entrada,
os circuitos so exatamente iguais.
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O ganho deste circuito, calculado do modelo acima, pode ser


aproximado por:

Rc
Rc
Av Rc gm

1+ gm RE 1
+ RE re + RE
gm
Como vemos, o ganho muito
parecido com o do emissor
comum, a menos do resistor RE,
que aparece somado ao re, no
denominador, diminuindo o
ganho.

A impedncia de sada
calculada utilizando o circuito ao lado, e dada por:

Zo = (r// RE) + ro[1+ gm (r // RE)] ro 1+ gmRE ro(1+ gmRE)


1+ gmRE

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5 - Amplificadores com dois transistores


Algumas combinaes de pares de transistores so muito comuns
em circuitos analgicos, sendo normalmente tratadas com apenas
1 estgio de ganho (corrente ou tenso), embora sejam compostas

por dois ou mais transistores.


Os pares de transistores das figuras (a) e (b) acima so:
(a) - Coletor comum seguido de emissor comum
(b) - Coletor comum seguido de coletor comum
So empregados com bastante freqncia em circuitos onde
somente transistores bipolares so empregados. Uma forma
interessante de tratar o par de transistores considera-lo como um
nico transistor equivalente, com parmetros modificados.

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Usando o modelo abaixo podemos calcular os parmetros de um


transistor equivalente:

req = r1+ ( +1)r2


eq = ( +1)

roeq = ro2

Para um par que tenha = 100, esteja operando com Ic = 0,1mA e tenha

gmeq =

gm2
1+ r1
( +1)r2

Ibias = 0,01mA, temos:


r1 = 236K
r2 = 26K
req = 236k + (100+1) 26K = 2,8Mohm
eq = (101) . 100 = 10.100
gmeq = 3,5 mS

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Outra configurao bastante conhecida o Darlington convencional:

Se usado como coletor comum, o par Darlington tem exatamente o mesmo


comportamento da configurao CC-CC apresentada antes. Se usado como
emissor comum, ele semelhante ao par CC-EC, com a desvantagem de
que a impedncia de sada do par menor, devido realimentao do
coletor para a base de Q1 (ro e Cbc). Desta forma, a configurao CC-CE
preferida em CIs.
Como uma das principais funes da configurao composta a de
aumentar a impedncia de entrada do estgio amplificador, uma tcnica
muito usada em circuitos onde transistores bipolares e CMOS esto
disponveis, a de usar um NMOS no lugar de Q1.

Esta configurao tem impedncia infinita de entrada (por causa de M1) e


possui uma transcondutncia alta, devido contribuio do gm do
transistor bipolar.
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6 Amplificador composto CASCODE


O amplificador cascode uma combinao das configuraes
EC-BC, sendo que o transistor em base domum est diretamente
ligado sada do transistor em emissor comum.

As principais vantagens desta configurao so:


Minimizao do efeito Miller na capacitncia Cbc de
Q1, aumentado a sua resposta em freqncia;
Obteno de alta impedncia de sada, muito maior do
que a do emissor comum
Estas caractersticas so obtidas sem alterar a impedncia de
entrada e o ganho em relao ao emissor comum.

Zi = r1
Zo = . ro2
Considerando que a variao de corrente em Q1 aproximadamente a
mesma de Q2, podemos aproximar o ganho por:

Av gm1 . Zo = gm1 . . ro2//RL


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Como exemplo, muito instrutivo comparar os resultados da


resposta em freqncia na simulao de um amplificador emissor
comum e um amplificador cascode.

Para tornar a comparao honesta, devemos fazer com


que tanto a corrente de polarizao como a carga Rc sejam
as mesmas em ambos os casos. Usaremos:

Rc = 10 K
Ic = 100 A
Vcc = 10 Volts
VB = 1,6 Volts
VEE = -5 Volts
C = 1000 F
Vi = 10 mVac
Obs.: Adicionar uma resistncia Rg = 1K em srie
com a fonte vi, simulando a sua impedncia de sada.

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7 - Amplificador com Par Diferencial


O bloco mais usado no projeto de circuitos analgicos , sem
dvida, o par diferencial.

Neste exemplo, temos um par de transistores idnticos


alimentados por uma fonte de corrente IEE (que possui impedncia
de sada finita, igual a REE). A carga existente nos dois lados do
circuito simtrica, neste caso apenas resistores de valor Rc.
Pode-se calcular as correntes IC1 e IC2 em funo da tenso
diferencial de entrada Vid:

Ic1 =

IEE
1+ exp(Vid )
VT

Ic2 =

IEE
1+ exp(Vid )
VT

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Devido presena do termo exp(Vid/VT), a corrente passa


rapidamente de um lado para o outro do par, sendo necessrio
apenas alguns VT para que isso ocorra.

De forma semelhante, a tenso diferencial de sada Vod, por


depender de IC1,IC2, tem um comportamento semelhante:

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Uma forma de se aumentar a faixa dinmica de tenses de entrada


utilizar a degenerao dos emissores, com a introduo dos
resistores RE.

A faixa dinmica pode ser bastante ampliada, como vemos abaixo,


sendo funo da queda de tenso RE.IEE. O preo que se paga com
o aumento da faixa dinmica a diminuio do ganho de tenso,
que da mesma ordem do aumento da faixa dinmica (se a faixa
dinmica for dobrada, o ganho reduzido aproximadamente por
2).

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Ao ser submetido a uma excitao diferencial, o par diferencial


apresenta um ganho diferencial igual ao do emissor comum
convencional, j que as parcelas de cada um dos transistores, Vo1
e Vo2, se somam.
Gvd = gm . RC

Devemos lembrar que o par


diferencial, ao ser excitado por uma
tenso Vid diferencial, geralmente
tambm excitado por uma tenso
de modo comum Vcm, caso a
tenso Vid no esteja referenciada
ao terra.

O ganho em modo comum, considerando


apenas um do lados do circuito, dado
por:

Gcm =

gm Rc
1+ 2gmREE (1+ 1 )

Devemos observar que, se o circuito for absolutamente simtrico,


o ganho diferencial de modo comum ser nulo, uma vez que a
mesma sada obtida dos dois lados do circuito.
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Na prtica, entretanto, o ganho de modo comum no zero, e pode


tornar-se importante no projeto do amplificador diferencial.
Podemos distinguir duas situaes:
Quando um descasamento entre os transistores do par
ou entre os resistores/carga ativa faz com que o ganho
em cada um dos lados do par diferencial seja
ligeiramente diferente, fazendo com que a tenso
diferencial de sada no seja nula;
Quando o par diferencial possui sada simples singleended, e no existe nenhuma forma de cancelamento
do ganho de modo comum, j que a sada no
diferencial.
Defini-se a Razo de Rejeio de Modo Comum (CMRR
Commom Mode Rejection Ratio) como sendo a razo entre o
ganho diferencial e o ganho em modo comum:

CMRR = Gdm
Gcm
Para o circuito apresentado, pode-se mostrar que:

CMRR =1+ 2gmREE (1+ 1 )

Este valor normalmente expresso em dB.


Desta equao, podemos ver que a melhor forma de se aumentar a
CMRR aumentando a impedncia da fonte de corrente de
polarizao REE.
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Como exemplo, muito interessante simular o circuito abaixo,


variando REE, e fazendo v1 e v2, alternadamente, iguais a zero,
para verificar o efeito do sinal de modo comum em um par
diferencial.
Para tal, necessrio provocar um descasamento nos transistores
Q1-Q2, atravs da introduo de uma pequena diferena nas suas
correntes de saturao (5%).

Caso (a) REE = 1 M


Caso (b) REE = 0,1 M
v1 = 10 mVp
v2 = 1000 mVp

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Uma das principais limitaes de um par diferencial justamente


o fato de que os descasamentos, originrios de pequenas
imperfeies nos transistores e na carga, fazem com que aparea
na sada do par uma tenso diferente de zero, mesmo com a
entrada nula.
Define-se a tenso de off-set como sendo a tenso que deve ser
aplicada na ENTRADA do par diferencial para que a SADA
diferencial seja zero.
A corrente de off-set definida como a diferena das correntes de
base dos transistores Q1-Q2 do par.

Pode-se mostrar que:

Vos = VT ln( Ic1 Is2)


Ic2 Is1

Uma concluso da equao acima que, como VT = kT/q, e os


comportamentos trmicos de IC1/IC2 e IS1/IS2 se anulam, a tenso
de off-set AUMENTA de forma diretamente proporcional
temperatura absoluta.
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Se fizermos uma anlise detalhada dos parmetros dos resistores e


transistores, podemos escrever:

Vos = VT RC IS
IS
RC

Tipicamente, para um processo bipolar bem controlado, temos


valores de:

R = 0,01
R

IS = 0,05
IS

Dessa forma, a tenso de off-set de um par diferencial com carga


resistiva seria de aproximadamente 1.5 mV temperatura
ambiente. Outra relao importante o drift da tenso de off-set
com a temperatura, que dada por:

dVos = VOS
T
dT
Por exemplo, para o par diferencial que tem uma tenso de off-set
Vos = 3,0mV a T=300K, a variao de Vos com a temperatura
ser de dVos/dT = 3mV/300K = 10 V/C. Esta variao pode
levar a erros importantes em um projeto onde o sinal de entrada
DC seja muito pequeno, como em alguns amplificadores DC de
preciso.
Analogamente, podemos deduzir que:

IOS Ic ( RC + )
RC

No entanto, como / muito maior do que as variaes de


Is/Is e Rc/Rc (tipicamente, / = 0,1), a corrente de off-set Ios
chega a valores da ordem de 10% da corrente de base do par.
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Espelho de corrente simples

Como VBE1

= VBE2 -->

Desprezando o efeito Early, podemos afirmar que, para dois


transistores iguais (Q1 = Q2) na mesma temperatura, temos:

IC1 = IC2

Iref IC12

IC1=IC2=

IC1
=0
f

Iref
2
1
f

A corrente de sada IC2 menor do que a corrente de referncia.

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Erro de transferncia no espelho simples devido ao ganho de


corrente finito dos transistores
IC2/IREF
102,0%
100,0%
98,0%
96,0%
94,0%

IC2/IREF

92,0%
90,0%
88,0%

38
0

34
0

30
0

26
0

22
0

18
0

14
0

10
0

60

20

86,0%

A modulao da largura da base com a variao da tenso de coletor de Q2 (efeito


Early) tambm causa um erro significativo na transferncia de corrente do
espelho.Para VCE2 = 30 volts, temos:

Pois a corrente IC, considerando o efeito Early, dada por:

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SOLUES PARA MINIMIZAR OS ERROS DE


TRANSFERNCIA
Espelho com ganho de corrente

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O erro de transferncia bastante


minimizado, mesmo para valores baixos de
ganho de corrente F.

IC2/IREF
100,1%
100,0%
99,9%
99,8%
99,7%
IC2/IREF

99,6%
99,5%
99,4%
99,3%

38
0

34
0

30
0

26
0

22
0

18
0

14
0

10
0

60

20

99,2%

No entanto, os erros devido ao efeito Early continuam


presentes, no tendo sido afetados em nada pela adio
do transistor Q3.

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EFEITO DA TEMPERATURA NESTES ESPELHOS


Como os dois transistores esto, supostamente, na mesma
temperatura, as variaes da corrente de coletor nos dois devem
ser iguais.
No entanto, as variaes de VBE no transistor de entrada e do
ganho de corrente F em funo da temperatura fazem com que a
razo de transferncia dos espelhos seja tambm dependente da
temperatura.
Sabemos que, de forma aproximada, a variao de VBE com
a temperatura pode ser descrita por:
dVBE/dT 2 mV/oC
Alm disso, sabe-se tambm, que o f do transistor bipolar
aumenta com a temperatura.
Portanto, podemos concluir que:
1. O aumento da temperatura faz com que a corrente de
referncia aumente, pois o VBE do transistor Q1 diminue;
2. O aumento da temperatura faz com que a transferncia de
corrente do espelho seja mais prxima de 1, j que ao
aumentar o ganho dos transistores, o erro devido ao ganho
finito diminui.
Como conseqncia, a corrente de sada do espelho aumenta
devido aos DOIS efeitos (VBE e f), fazendo com que o espelho
se torne bastante sensvel variaes de temperatura.
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Impedncia de sada dos espelhos


Em ambos os casos, Espelho Simples e Espelho com Ganho de
Corrente, o transistor de sada est isolado do resto do circuito,
sendo apenas polarizado pelo transistor(es) de entrada.

A impedncia vista pelo coletor do transistor de sada Q2, , em


ambos os caso, igual a impedncia de sada do modelo -hbrido
do transistor Q2.

Zo = ro = VA/ IC

Para um transistor NPN, com VA tpico de 80Volts e operando


com uma corrente IC de 100 A, temos uma impedncia de sada
de aproximadamente Zo = 800 K.

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Espelho de corrente com Degenerao do Emissor


Uma das formas mais usuais de se aumentar o desempenho
destes espelhos a utilizao da Degenerao do Emissor,
atravs da introduo de resistores.

A impedncia de sada vista nos coletores de Q3 ou Q4 dada por


Ro = ro (1 + gm.RE)

Usando Q3 como exemplo temos:

A corrente no espelho pode ser calculada usando a equao de


malha envolvendo R1,Q1,Q4,R4 ou R1,Q1,Q3,R3.

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Espelho de Corrente de Widlar


Uma forma de se conseguir baixas correntes em um espelho sem a
necessidade de se empregar resistores de alto valor utilizar o
chamado Espelho de Widlar.

Analisando a malha Q1-Q2-R2 temos:

Esta equao transcendental deve ser resolvida numericamente.


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Espelho de Corrente Cascode

O espelho Cascode usado em situaes onde


necessrio aumentar a impedncia de sada do espelho.
A impedncia vista pelo coletor de Q2 dada por:
Ro = ( . ro) /2
Onde ro = Va/Ic
Para um transistor NPN tpico, com = 200, Va = 80
Volts e operando com uma corrente Ic = 100 A,
teremos:
Ro = 80 M
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Espelho de Wilson
O espelho de Wilson utiliza uma realimentao negativa
para regular a corrente de sada. Apresenta vrias vantagens
encontradas em outras configuraes:

Baixa influncia do efeito Early na razo de transferncia (Q1


e Q3 trabalham com tenses muito prximas como no
espelho cascode, j que VCEQ1=2VBE e VCEQ3=VBE);

Transferncia prxima de 1, devido utilizao de Q2;


Alta impedncia de sada, semelhante ao espelho de Widlar.

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Para o espelho de Wilson, podemos escrever:

A razo de transferncia para = 200 igual a 0,99995,


podendo quase que ser considerado um espelho ideal.
A impedncia de sada dada por:

Ro = ( . ro2) /2
Onde ro2 = Va/Ic2,

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podendo chegar facilmente a dezenas de M.


Para permitir uma comparao do desempenho dos vrios espelhos
apresentados, recomenda-se fazer uma simulao para cada um
dos espelhos, nas seguintes condies:
ajustar a corrente de referncia para Iref = 100 A
aplicar uma fonte de sinal DC+AC no terminal de sada, com
VDC = 15V e VAC = 0V
verificar na sada do SPICE a razo de transferncia
(Iout/Iref)
aplicar uma fonte de sinal DC+AC no terminal de sada, com
VDC = 15V e VAC = 12V
verificar o comportamento da razo de transferncia em
funo da variao da tenso do terminal de sada.
VDC + VAC
Iref

Iout

I x 0,1 I

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ESPELHOS DE CORRENTE COMO


CARGAS ATIVAS

O ganho do emissor comum com carga resistiva dado por:


Av = - gm . Rc , onde

gm = Ic / VT . Logo, |Av| = Ic . Rc / VT

Portanto, para que o ganho de tenso de um amplificador seja alto,


o produto Ic.Rc deve tambm ser alto, o que pode inviabilizar a
polarizao correta do transistor.
No caso da figura acima, o resistor Rc foi substitudo pelo
transistor Q2, e a impedncia que atua como carga ac do transistor
Q1 a impedncia de sada do espelho de corrente Q2-Q3, ou seja,
aproximadamente roQ2, que pode ser de alto valor (dezenas de
M), sendo funo da corrente de polarizao de Q2 e da sua
tenso Early.
No entanto, a queda de tenso sobre Q2 no do tipo resistivo, e
fica determinada pela interseco das curvas de sada dos dois
transistores, ou seja a polarizao do amplificador no
perturbada pela carga ac do transistor Q1.
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O ganho de tenso dado por:

Av = gm1(ro1// ro2) ; Como Ic1 = Ic2 = Ic, temos que:


Ic /VT
1
=
Av = Ic /VT
Ic + Ic = V V
1 + 1
VA
VA
VAnpn VApnp
ro1 ro2

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npn

pnp

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Portanto, o ganho do amplificador emissor comum com carga


ativa s depende das tenses Early dos transistores de carga e de
amplificao.
Tipicamente, para valores convencionais de tenso Early, este
ganho da ordem de:
VA(npn) 60 Volts
VA(pnp) 80 Volts
VT = 26mV

Av 1318
Evidentemente, a carga representada pelo prximo estgio a
ser acoplado na sada deste amplificador pode alterar
significativamente este ganho, se a impedncia de entrada
do prximo circuito for da mesma ordem de grandeza de
ro1 ou ro2.
A corrente de polarizao do estgio no tem influncia no
ganho, desde que a impedncia do prximo estgio no seja
importante o clculo do ganho. Caso a impedncia do
prximo estgio tenha papel importante na determinao do
ganho, a corrente de polarizao torna-se muito importante
para o ganho, pois a variao de gm com a polarizao ser
determinante.
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Uma utilizao muito comum da carga ativa o seu emprego em


amplificadores diferenciais, como carga do par diferencial.
A utilizao deste tipo de carga em um par diferencial seria, por
exemplo, atravs do circuito abaixo, onde os transistores Q3 e Q4
servem como carga para os transistores Q1 e Q2. A corrente de
polarizao de Q3-A4 fornecida pelo espelho que tem com
entrada Q5, e a polarizao do par diferencial obtida de outro
espelho, Q6-Q7.

Este circuito, no entanto, apresenta um problema grave de


polarizao, caso a corrente em Q7 seja muito diferente de duas
vezes a corrente em Q3-Q4. Se isto acontecer, a tenso DC nos
coletores de Q1-Q2 varia excessivamente, ficando muito
imprevisvel o seu comportamento, tornando-o pouco til do ponto
de vista prtico.
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Um circuito muito mais til, e que ainda possui ganho de tenso


duas vezes maior do que o apresentado pelo circuito anterior
apresentado abaixo, onde a carga ativa constituda por um
espelho cuja entrada est em dos coletores do par diferencial
(coletor de Q1) e a sada do espelho no outro coletor do par
(coletor de Q2).

Este circuito apresenta um ganho de tenso que o dobro do


circuito anterior, devido ao efeito do espelho de corrente.
Pode-se mostrar que:
Av = gm. (ronpn // ropnp)
Ro = (ronpn // ropnp)
Ri 2 r (desde que os efeitos das impedncias de sada de Q2
e Q4 sejam desprezados).
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Enquanto que para um par diferencial com carga resistiva a tenso


de off-set depende fundamentalmente do descasamento dos
transistores do par e dos resistores de carga, no caso de carga ativa
os descasamentos dos transistores de carga e do fato de que a
razo de transferncia do espelho de carga no igual a 1.
Pode-se mostrar que:

Vos = V

Isp + Isn + 2
Isp
Isn

Para valores tpicos de Is/Is e considerando pnp = 40, temos


Vos da ordem de 4 mV.
Portanto, o off-set nestes circuitos muito maior do que no caso
de circuitos com cargas puramente resistivas.
Uma soluo simples e eficiente para reduo do efeito das
correntes de base do espelho pnp a utilizao de um dos espelhos
modificados j apresentados anteriormente, como, por exemplo, o
espelho com ganho de corrente, apresentado abaixo.

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Os espelhos de corrente apresentados at aqui apresentavam um


problema grave com relao estabilidade da corrente de
referncia em funo da tenso de alimentao, pois todos eles
definiam a corrente de referncia atravs de uma relao do tipo:

Iref = Vcc Vbe


R
Uma forma de se eliminar esta sensibilidade utilizar a tenso
Vbe ou a tenso sobre um zener para gerar a corrente de
referncia. Os circuitos abaixo so exemplos muito usados em
projetos de CI`s da tcnica de usar a tenso Vbe para gerar Iref.
No caso do circuito da figura (a), a corrente Iout dada por:

Iout Vbe(Q1)
R2
No caso do circuito da figura (b), a corrente Iout dada por:

Iout Vbe(Q1)
R

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No circuito da figura (a), ainda temos a variao da tenso Vbe(Q1)


com a tenso de alimentao, o que implica numa pequena
variao da corrente de sada com Vcc.
No entanto, para o circuito da figura (b), este problema no ocorre.
No grfico abaixo vemos que esta clula possui dois pontos de
operao, um deles com corrente zero, que deve ser evitado,
atravs de um circuito de start-up, como o apresentado a seguir.

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Embora a realimentao interna da clula permita que a corrente


de sada seja praticamente independente de Vcc, ainda temos uma
variao trmica nesta corrente, uma vez que ela funo direta de
Vbe, que diminui cerca de 2mV por oC. Dessa forma, se o resistor
for constante com a temperatura, a variao da corrente com a
temperatura ser de (2mV/R)/ oC. No caso de um resistor
difundido, que tem tipicamente um T.C. positivo, esta variao sra
maior ainda.
Outro circuito til para gerar uma corrente de polarizao
apresentado na figura abaixo. O espelho de corrente Q3-Q4 fora
que os transistores Q1-Q2 operem com a mesma corrente
(desprezando as no idealidades do espelho). Com isso, como a
rea de Q2 o dobro da de Q1, podemos escrever que a diferena
de tenso Vbe entre estes dois transistores :
Vx = Vbe = VT ln 2

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Como a tenso Vbe est aplicada ao resistor R2, a corrente Ic2


(que espelhada para os transistores NPN e PNP da direita),
dada por:

Ic2 [k ln 2]T
q R2
sendo, portanto, Proporcional a Temperatura Absoluta (em Ingls,
Proportional to the Absolute Temperature PTAT).
Uma das possveis aplicaes de uma fonte de corrente PTAT ,
por exemplo, na polarizao de um par diferencial com carga
ativa, como na figura abaixo. Sabemos que o ganho com sada
diferencial dado por:
Av = - gm . Rc , onde

gm = Ic / VT . Logo, |Av| = Ic . Rc / VT
ou seja, como VT = k.T/q, o ganho
inversamente proporcional
temperatura absoluta.

Av =[ Ic Rc ] 1
kq T

Se usarmos o circuito gerador de corrente PTAT apresentado


anteriormente para definir a corrente de polarizao 2.IEE,
podemos escrever que:

Av = (

k ln 2
T )( Rcq 1 )
k T
q R2

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Esta equao pode ser simplificada para:

Av = ( Rc )ln 2
R2
que depende de uma razo de resistores e praticamente no varia
com a temperatura.
Outro lugar onde as fontes de corrente PTAT so muito
empregadas so nos sensores de temperatura e nas referncias do
tipo band-gap.

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