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2.
Tcnicas Computacionais Aproximao Clssica e
Aproximao Quntica
2.
29
energia livre (Onuchic et al., 2004), espera-se que a probabilidade desses estados
bio-ativos sejam bastante alta em relao ao nmero astronmico de possveis
conformaes desta macromolcula. Mas devemos mencionar que variaces na
estrutura tamben estan relacionadas com a atividade (enzimas).
Em nossos clculos vamos utilizar o pacote GROMACS (van der Spoel et
al., 2005). Os detalhes referentes a representao de energia e parmetros da
simulao so prprios deste campo de foras.
Neste captulo daremos a descrio clssica e explicaremos o hamiltoniano
do sistema, a energia cintica, a energia potencial e a representao das foras,
assim como a aplicao de restries de distncias, tratamentos de contorno, etc.
Tambm veremos os mtodos para a Minimizao de Energia (ME), Dinmica
Molecular, tratamento eletrosttico, superfcies de interao molecular, docking
molecular e a gerao de matrizes de correlao.
No final do captulo veremos a aproximao quntica no clculo de cargas
atravs do mtodo DFT e o formalismo RESP.
2.1
Aproximao Clssica - Funo de interao e equaes de
movimento
Referimos-nos a clculos clssicos como aproximaes onde so vlidas as
leis de Newton. Para descrever corretamente os sistemas devemos estabelecer os
30
(2)
(3)
sistema.
Uma partcula nesse sistema est submetida a uma fora
fi
que tem a
seguinte representao:
fi =
V (r1 , r2 ,..rN )
ri
(4)
(5)
dvi (t )
f
= i
dt
mi
(6)
31
2.2
O Hamiltoniano e a Funo de Interao: Campo de Foras
De uma forma geral a energia potencial no campo de foras pode ser escrito
da seguinte forma (van der Spoel et al., 2005: item 4.1, 4.2 e 4.3):
V (r ; g ) = V bonded (r ; g ) + V no bonded (r ; g ) + V especiais (r ; g )
(7)
bonded
aos
especiais
descrito por:
H ( p, r , m, g ) = V bonded (r ; g ) + V no bonded (r ; g ) + V especiais (r ; g ) + K ( p, m)
2.2.1
Interaes entre tomos (ou grupos) ligados
Na expresso para Vbonded (r;g)
V bonded = V bond (r ; g ) + V ngulo (r ; g ) + V diedro ( r ; g ) + V improp (r ; g )
(8)
Vbond = K bharmonico
(bn bon ) 2
n
n =1
32
K bn (bn2 bo2 )
n
Vbond =
4
n =1
Nb
(9)
K bharmonico
bon2
n
2
K n (cos n cos on ) 2
n =1
Vangulo =
(10)
improp
(r; g ) =
( n on ) 2
n=1
K o
(11)
diedro
(r; g ) =
K n [1 + cos( n ) cos(mnn )]
n =1
(12)
33
2.2.2
Interaes no ligadas
As interaes entre tomos no ligados so descritos por dois termos, VLJ
para as interaes de Lenard-Jones e VCoul para as interaes eletrostticas.
V no bond (r; g ) =
{V
LJ
C (i, j ) C (i, j )
V LJ = 12
6
12
6
(rij )
(
r
)
ij
(14)
34
Figura 2.1
(15)
Potencial de Lennard-Jones
Interaes eletrostticas
Coul _ RF
qi q j 1 C rf (rij ) 2 1 C rf 2
=
4 o 1 rij
Rrf
2 Rrf3
(16)
2.2.3
Potenciais especiais devido a restries
Existem potenciais especiais devido a restries que so impostas sobre o
sistema para se ter resultados prximos realidade, estes podem ser usados em
casos particulares. Por exemplo, constries sobre a distncia de ligao e
ngulos, ou restries sobre a posio.
Vemos o caso de restrio de posio.
35
N pr
(18)
2.3
Tratamento das interaes entre tomos no ligados, aproximaes.
2.3.1
Excluso ou modificao de interaes
Chamaremos de primeiros vizinhos (posies 1-2, Fig. 2.3) aos tomos i e j
ligados por uma ligao covalente e de segundos vizinhos aos tomos i e k, se k
est ligado a j (posies 1-3, Fig. 2.3).
Figura 2.3.
36
esta interao tratada reduzindo o dimetro das esferas de van der Waals dos
tomos envolvidos, para evitar colises estricas.
2.3.2
Distncia de corte de interaes no ligadas
A soma da equao 13 se estende a todos os pares de tomos exceto aqueles
excludos pelas consideraes do pargrafo precedente. O nmero de interaes
aumenta com o tamanho do sistema estudado.
Grande parte do tempo de clculo se consome em procurar os pares de
tomos e avaliar suas interaes. Com o objetivo de limitar o tempo
computacional ns utilizamos uma dupla distncia de corte (twin cutoff) alm da
qual as interaes no ligadas (eletrostticas e de van der Waals) so
Figura 2.4
37
2.3.3
Interaes eletrostticas - limites sobre as interaes eletrostticas
As interaes coulombianas so inversamente proporcionais distncia rij
entre os tomos i e j. Em conseqncia, estas interaes so de longo alcance e
no podem ser omitidas para as cargas atmicas parciais da ordem de 0.1 a 0.4 e e
at a distncias de corte tpicas de 8 a 10 Ao. Dois mtodos permitem reduzir os
artefatos devidos ao truncamento de interaes no ligadas. Primeiramente, no se
consideram as componentes de alta freqncia da interao coulombiana na regio
R1c < rij < R2c, como descrito anteriormente. Em segundo lugar, a definio de
grupos de cargas (tomos de H podem se unir a tomos de C e formar um
tomo CH com uma carga que seria a suma das cargas componentes) dentro do
2.4
Tratamento das fronteiras
Em toda simulao deve-se levar em conta o tratamento das fronteiras. No
caso de um lquido ou uma soluo, os efeitos de fronteira devem ser reduzidos
com a aplicao de condies peridicas de contorno.
2.4.1
Condies peridicas
Para reduzir os efeitos de fronteira de um sistema finito, ns utilizamos as
condies peridicas de contorno. Os tomos de um sistema so introduzidos
dentro de uma caixa cbica rodeada de imagens idnticas eqidistantes Rcaixa
como se mostra na Fig. 2.5.
38
Figura 2.5
O clculo das foras sobre o tomo representado pela esfera cheia dentro da
caixa central se efetua a partir das contribuies de outros tomos desta caixa e
das caixas vizinhas, imagens da caixa central, que se encontram no interior da
distncia de corte Rc. Quando o tomo abandona a caixa por uma face, ele entra
novamente pela face oposta, transladando a distncia Rcaixa, com a mesma
velocidade. A aplicao das condies peridicas de fronteira lembra assim a
ordem dentro de um cristal. Desta forma no h fronteiras no sistema. O artefato
causado por condies indesejadas de um sistema isolado e o efeito de superfcie
so substitudos por condies peridicas.
Para evitar que uma molcula possa interagir com uma ou mais de suas
imagens, a menor dimenso da caixa deve exceder em duas vezes a distncia de
corte:
Rcaixa > 2 Rc
(19)
39
mesma direo mais duas vezes o raio de corte Rc. Uma estratgia comum fazer
a camada de solvatao o quanto menor para reduzir o custo computacional,
respeitando-se o estabelecido acima.
2.5
Gerao da topologia, coordenadas atmicas e adio do solvente
2.5.1
Topologia do Sistema
Para que os programas de simulao reconheam as molculas, ns
devemos fornecer informaes sobre as ligaes entre tomos, constituio de
cada molcula, massas e cargas a utilizar. Este conjunto de dados conhecido
como a topologia do sistema. No GROMACS o mdulo pdb2gmx permite gerar
2.5.2
Colocando o soluto numa caixa de gua
Para o clculo em soluo o soluto (porfirina, HSA e HSA-porfirinas) deve
ser inserido numa caixa de gua e ons Na+ e CL- para tentar simular o meio
fisiolgico. Este sero reproduzido periodicamente dentro das trs dimenses, tal
como mostrado na figura abaixo.
40
Figura 2.7
VMD)
2.6
Mecnica e Dinmica Molecular
2.6.1
Minimizao de energia
A mecnica molecular nos permite minimizar a energia calculada a partir da
equao (7) com o objetivo de obter as configuraes do sistema no estado
fundamental e de reduzir as foras iniciais muito grandes que poderiam produzir
trajetrias sem sentido fsico.
Mas atingir o mnimo absoluto impraticvel pelas numerosas
conformaes que uma protena pode apresentar. O mtodo steepest-descent
permite encontrar o mnimo local mais prximo da superfcie de energia potencial
(Fig. 2.8), j o mtodo dos Gradientes Conjugados encontra o mnimo de energia
41
Figura 2.8
O primeiro mtodo utilizado nos nossos clculos o mtodo steepestdescent (Courant, 1943). Os n+1 passos de minimizao so feitos com base no
clculo das forcas f(tn) a partir da derivada da equao (7) para a configurao
r(tn) dada, e do clculo da configurao seguinte r(tn+1) com um passo x.
r (t n+1 ) = r (t o ) + N n xf (t n )
(19)
(20)
42
n =
< f (t n +1 ) | f (t n +1 )
< f (tn ) | f (t n ) >
(21)
(22)
2.6.2
Dinmica Molecular
Princpios
43
(23)
(24)
Figura 2.9
(25)
44
2.7
Controle da temperatura
H muitos mtodos para o controle da temperatura nas simulaes de DM.
Um mtodo simples que ns utilizamos no nosso sistema o Mtodo de
Acoplamento Fraco (weak coupling method) (Berendsen, 1991) onde a equao
de movimento dos tomos modificada a fim de obter uma relao de primeira
ordem da temperatura T perto da temperatura de referncia To .
dT (t )
= T1[To T (t )]
dt
(26)
correo (t)
(t ) = [1 +
1
t To
[
1]] 2
T T (t )
(27)
2.8
Controle da Presso
O controle da presso realizado por um mtodo de acoplamento fraco
(Berendsen, 1984) como o controle da temperatura, mas neste caso a presso faz o
papel da temperatura e as posies atmicas das velocidades. As equaes de
45
(28)
(29)
NN
R (t ) F (t )
(30)
<
(t ) = [1 T
[ Po P (t )]] 3
(31)
P T
(58)
46
2.9
Funo de distribuio radial
Para a correta descrio da posio mdia das partculas em soluo, usamos
a funo de distribuio radial g(r) (Funtion radial distribution -FDR). Calculamos
unicamente a funo normalizada por pares cortada pela funo g(r), a qual nos d
uma medida de como a matria est se distribuindo ao redor do tomo ou grupos
de tomos de interesse.
g ij (r ) =
N (r + dr ) N (r )
4 ((r + dr ) 3 r 3 )
3 j
(32)
47
Figura 2.10
(azul).
2.10
Modelo para a gua
Figura 2.11
48
2.10.1
O modelo SPC (Single Point Charge)
Para determinar as interaes entre as molculas de gua existem vrios
modelos, uns dos mais sucedidos por sua simplicidade e eficincia computacional,
usado em nosso caso, o modelo SPC (Berendsen et al., 1981) o qual contem o
efeito das cargas. No modelo SPC a molcula de gua tem trs centros de carga:
as cargas positivas dos tomos de hidrognio e a carga negativa do oxignio,
sendo um modelo de 3 stios.
O fato de assumir cargas pontuais uma aproximao que no reproduz de
maneira correta o momento dipolar da molcula. Para tentar reproduzir o
resultado experimental, este modelo considera o ngulo HOH 109.47o, como
Figura 2.12
oxignio tem duas vezes a carga parcial positiva dos tomos de hidrognio.
49
2.11
Tratamento eletrosttico da protena
O tratamento eletrosttico nos d informao a respeito dos aspectos
funcionais das diferentes regies da protena, sobre a posio dos stios de
interesses, sobre o componente eletrosttico na energia de ligao do ligante, etc.
A grande maioria dos aminocidos que constituem uma protena interage
atravs de foras de longo alcance, essencialmente de natureza eletrosttica. Os
campos eltricos gerados por protenas estendem-se significativamente a uma
distncia de 10-15 , dependendo de condies de temperatura, solvente e carga
eltrica da protena (em maiores distncias, as flutuaes trmicas aleatrias do
solvente predominam sobre grande parte do efeito que o campo eltrico da
protena pode exercer).
Desta forma, para entender as foras de atrao-repulso entre biomolculas
necessrio compreender as leis da eletrosttica que regem as interaes
intermoleculares. Os fundamentos da fsica eletrosttica so bem estabelecidos e
podem ser expressos concisamente por equaes relativamente simples. Contudo,
a aparente simplicidade destas equaes esconde algumas dificuldades conceituais
e numricas da aplicao das mesmas ao estudo de sistemas complexos. Este um
50
2.11.1
Aplicao da Equao de Poisson-Boltzmann para o clculo de
energias eletrostticas em protenas
51
r
r
r
r
. [ ( r ) ( r )] = k 2 ( r ) 4 ( r )
Figura 2.13
(34)
Figura 2.14
52
2.12
Superfcies de interao molecular
Superfcie acessvel ao solvente
Figura 2.15
53
2.13
Docking Molecular - Algoritmo Gentico
Nos estudos de docking fizemos uso do programa AUTODOCK (Morris
et al., 1998), que utiliza o Algoritmo Gentico (do ingls, Genetic Algorithm,
GA), para otimizar a interao e descobrir os possveis stios de ligao entre as
porfirinas e o HSA. No programa AUTODOCK tambm foi implementado um
algoritmo gentico modificado que introduz passos de busca conformacional local
entre cada passo, possibilitando que as mudanas fenotpicas (adaptaes
conformacionais da molcula ao ambiente) possam ser adquiridas pelas prximas
geraes. Este hbrido do Algoritmo Gentico chamado de Algoritmo Gentico
Lamarchiano (do ingls, Lamarchian Genetic Algorithm, LGA). O mtodo de
busca local utilizado baseado no algoritmo de otimizao de Solis e Wets (SW)
PUC-Rio - Certificao Digital N 0610635/CA
2.14
Correlao em dinmica de biomolculas
Movimentos correlacionados em sistemas moleculares so essenciais para a
funo biomolecular, exemplos so os efeitos alostricos e efeitos cooperativos.
Muitas vezes a funo energtica da protena dominada por contribuies
entrpicas que esto diretamente relacionadas a movimentos atmicos
correlacionados (Lange et al., 2006). A correta compreenso destes movimentos
54
P ( X , Y ) = P ( X ) P (Y )
(35)
Figura 2.16
(36)
55
(37)
2.15
Aproximao Quntica - Teoria do Funcional de Densidade ( DFT)
Porque usamos o mtodo DFT (do ingls Density Funtional Theory) em
56
Himo et al., 2003) esto entre os mais usados. Em particular, B3LYP tem tido
xito ao reproduzir valores experimentais de entalpias de formao com desvio
mdio absoluto de 3 kcal.mol-1 (Curtiss et al., 2000). B3LYP clcula muito bem
um nmero de outras propriedades (Siegbanhn et al., 2000) ainda que no
reproduza bem as barreiras de reao. B3LYP geralmente o mtodo preferido
para um clculo DFT em sistemas biolgicos e na investigao de precursores e
derivados do heme (Ghosh et al., 2003; Himo et al., 2003).
2.15.1
Introduo DFT
A teoria do Funcional de Densidade est baseada na noo de que a
energia total, E, de um sistema eletrnico determinado pela distribuico da
densidade eletrnica.
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57
2.15.2
Descrio da teoria
Os mtodos tradicionais esto baseados nas funes de onda de muitos
eltrons, uma das ventagems do metodo DFT substituir a funo de onda
eletrnica de muitos corpos pela densidade eletrnica. A implementao mais
comum da teoria atravs do mtodo de Kohn-Sham (Kohn et al., 1965), que
reduz o sistema a um conjunto de eltrons interagentes num potencial efetivo. O
potencial efetivo inclui o potencial externo e a interao de Coulomb. Modelar as
ltimas duas interaes o problema, sendo a aproximao mais simples a
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2.15.3
Descrio matemtica
O presente item est baseado na informao disponibilizada em
http://en.wikipedia.org/wiki/Density_functional_theory.
No formalismo DFT, a varivel chave a densidade eletrnica
dada por:
r
r r
r
r r
v
n(r ) = N d 3 r2 d 3 r3 .... d 3 rN * (r , r2 ,...., rN ) (r , ,r2 ,...,rN )
, que
(38)
o = o [ no ]
(39)
um nico
58
externo:
E o = E[no ] =< o [no ] | T + V + U | o [no ] >
Onde a contribuio do potencial externo dada por
O Potencial redefinido por um potencial no interagente, onde s denota o
sistema no interagente e V o potencial efetivo no qual as partculas se esto
movendo. V escolhido tal que:
Vs = V + U + (T Ts )
(40)
(41)
2.15.4
O Mtodo RESP (Restrained Electrostatic Potential)
Como resultado de um clculo quntico, ns obtemos o potencial
eletrosttico (ElectroStatic Potential - ESP). a partir do ESP que se gera a
distribuio das cargas nas molculas.
59
Fig 2.17 Esquema representando a obteno das cargas a partir do ESP para o heme