CAPTULO 7

CONCLUSES E PERSPECTIVAS

Os nitretos desencadearam uma busca acelerada pelo controle de suas propriedades quando
estes so preparados na forma de filmes finos, devidos as sua implicaoes tecnolgicas imediatas.
Este tese investigou a preparao do nitreto magntico FeN por sputtering dc reativo em
funo da concentrao do gs reativo (N2 ). O aumento da concentrao do gs produziu:
Diminuio da taxa de deposio
Alterao da morfologia da superfcie dos filmes, onde em concentraes maiores houve
um aumento da rugosidade e do tamanho mdios dos gro, produzindo efeitos diretos nas
suas propriedades eltricas e magnticas
Aumento de duas ordens de grandeza da resistividade nos filmes crecidos a 100% de N2
em relao ao filme com menor concentrao 16, 6%.
Alargamento das linhas de FMR at o limite do filme magntico (83, 3%), pelo aumento
dos tempos de ralaxao do sistema devido ao aumento dos gros e rugosidade
Este trabalho mostra tambm que controle do crescimento de fases de FeN continua sendo
um grande desafio aos pesquisadores, e complementando muitos outros [85, 86, 87, 88, 89] est
115

mostrado que foi crescido fases de FeN (amorfo) a baixa potncia e a temperatura ambiente pela
tcnica de sputtering DC a partir do alvo de Fe puro em uma mistura de Ar/N2 com diferentes
concentraes. Nestes filme foi encontrado resultados diversos dos apresentados na literatura
mas coerentes entre si no contexto da anlise de estrutura, morfolgica e propriedades eltrica
e magnticas.
Para o futuro cabe um controle preciso sobre outras variveis que foram desprezadas como
o fluxo gasoso ( gs de sputtering + reativo) que modifica diretame o comportamento dinmico
do plasma, das tenses e corrente sobre o alvo e como afetam as propriedades dos mesmos.
A reprodutibilidade da depopsio por sputtering est relacionada diretamento ao controle dos
parmetros: potncia (W/m2) e tenso sobre o alvo.
Na linha dos nitretos semicondutores de gap largo foi mostrado que possvel crecer filmes
de Nitreto de Alumnio pela tcnica de sputtering RF, no reativo, a partir do alvo puro de AlN
a baixa potncia, ainda no relatado na literatura especializada, a baixas taxas de deposio
produzindo filmes com estrutura de superfcie suave. Esta tese mostra tambm que mesmo em
pequenas concentraes os elementos adsorvidos nas partes metlicas da cmara de deposio
podem produzir contaminaes significativas nos filmes modificando sua propriedades eltrica
e magnticas. Neste contexto foi confirmado a contaminao dos filmes de AlN, por materiais
magnticos (Fe, Cr) de deposies anteriores, produzindo o que chamamos de semicondutores
magnticos diludos (DMS) comprovados pelo carter aletrio da colocao dos ons na rede
do AlN e/ou por deformaes nesta nas curvas de magnetizao FC e ZFC. Outra contribuio deste trabalho decorrente desta contaminao que se produz magnetoresistncia com alta
resistividade fugindo do convencional que resistividade metlica.
Para o futuro deste material temos duas linhas:
Produzir o AlN livre de contaminantes na forma de dispositivos, o mais simples possvel
e investigar o seu comportamento eltrico, ptico e piezoeltrico
Produzir o AlN controlando a concentrao dos contaminante (dopantes) magnticos e
estudar quais alteraes so produzidas em sua proprieades eltrica e magnticas
Para a tecnologia Peltier, o domnio das sua caractersticas eltricas/trmicas produziu um
sistema com aplicao imediata, uma Adega, passada para a indstria local. Isto nos impele a

116

caminhar na direo de dominar as tcnicas de produo dos termoelementos agregando valor

econmico produo cientfica.

117

APNDICE A
SPUTTERING YIELDS - S

118

APNDICE B
CALCULANDO A CARGA TRMICA

A eficiencia de um sistema de refrigerao est relacionada com a sua capacidade de dissipar

o calor retirado do sistema para o ambiente. Por isso determinar as fontes de calor que atuam
no sistema a ser refrigerado de fundamental importncia, pois determinar a quantidade de
calor a ser bombeada pelo mdulo peltier e o dimensionamento do dissipador de calor da face
quente.
Descobrir e minimizar estas cargas trmicas nos permitir alcanar o nvel de refrigerao
desejado e a potncia necessria para alcan-la. Aqui ser mostrado como estimar as cargas
ativa e passiva.

B.1

Carga trmica ativa

Esta fonte est relacionada a presena de dispositivos na regio refrigerada e esta carga
representada pela potncia dissipada por efeito Joule.
V2
= V I,
QA =
R
sendo,
119

(B.1)

QA - potncia ativa em W,
V - a tenso de alimentao do dispositivo (V),
R - resistncia do dispositivo () e
I - corrente no dispositivo (A) .

B.2

Carga trmica passiva

B.2.1

Carga trmica passiva - irradiao

Dois objetos em diferentes temperaturas trocam calor por emisso de radiao eletromagntica, isto chamado de radiao trmica. Em geral estas cargas so deprezveis. Este tipo de
carga trmica se torna significativo quando temos pequenas cargas ativas e altas diferenas de
temperatura principalmente quando operadas no vcuo.
A carga devido a efeitos irradiativos dado por:

4
QR = F.e.s.A(Tamb
TF4 ),

sendo,
QR - potncia de irradiao em W,
F - fator de forma (pior caso = 1),
e - emissividade (pior caso = 1),
s - constante de Stefan-Boltzmann (5, 667X108 W/m2 K 4 ),
A - rea da superfcie refrigerada (m2 ),
Tamb - temperatura ambiente (K) e
TF - temperatura da face fria do peltier (K).

120

(B.2)

B.2.2

Carga trmica passiva - conveco

A passagem de um fluido (lquido ou gs) por um objeto a uma temperatura diferente ocorrer uma troca de calor. A quantidade de calor trocado depender do fluxo do fluido. A carga
trmica convectiva em mdulos Peltier resultam em geral da conveco natural isto sem o uso
de ventiladores. A sua contribuio mais importante em sistemas gasosos em que a carga ativa
pequena e/ou grandes diferenas de temperatura. Quantitativamente representada pela eq.
B.3

Qconv = h.A(Tar TF ),

(B.3)

sendo,
Qconv - carga trmica de convecco W,
h - coeficiente para transferncia de calor convectiva (W/m2o C). Valor tpico para uma
superfcie plana no ar 21, 7 W/m2 .o C ,
A - rea da superfcie exposta a conveco (m2 ),
Tar - temperatura do ar circulante (o C) ,
TF - temperatura da superfcie (o C) e

B.2.3

Carga trmica passiva - conduo

A carga trmica de conduo em geral baixa quando se usa materiais que so isolantes
trmico e ocorre atravs das portas e paredes da regio refrigerada, no entanto podem ocorrer
perdas mais significativas se tivermos fios, parafusos, etc passando da regio refrigerada para o
exterior. Quantitativamente representada pela eq. B.4

Qcond =

k.A.T
,
L

sendo,

121

(B.4)

Qcond - carga trmica de conduo W,

k - condutividade trmica do material (W/m.o C),
A - rea da seco transversal que ocorre a conduo (m2 ),
T - diferena de temperatura entre os extremos do caminho trmico de conduo (o C) ,
L - Comprimento do caminho trmico em que se d a conduo (o C) e
A tabela B.1 mostra a condutividade trmica para os materiais mais comuns.
Material

k (W/m.o C) @ 25o C

Cobre

386

Alumnio

250

Bronze

109

Ferro

80

Maganina

22, 2

Tabela B.1: Condutividade trmica para os materiais mais utilizados

B.2.4

Carga trmica passiva - conduo e conveco combinados

Quando o sistema hermeticamente fechado ocorre o efeito combinado de conveco e

conduo resulando em perdas dadas por :
x 1
Qpass = A.T.( + )1 ,
k h
sendo,
Qpass - carga trmica passiva de conduo/conveco combinados W,
A - rea total externa (m2 ),
x - espessura da isolao (m),
k - condutividade trmica do material (W/m.o C),
122

(B.5)

h - coeficiente para transferncia de calor convectiva (W/m2 .o C)

T - diferena de temperatura (o C),
A tabela B.2 mostra os coeficientes de tranferncia de calor por conveco para o fluido
mais utilizado, o ar e a tabela B.3 a condutividade trmica para os materiais isolantes trmico
mais utilizados.
Material

h (W/m2 .o C)

Ar - conveco natural

2 25

Ar - conveco forada

25 250

Tabela B.2: Coeficiente de tranferncia da calor por conveco

Material

k (W/m.o C)

Acrlico

0, 2

PVC

0, 19

Madeira

0, 12 0, 17

Isopor

0, 037

Poliestireno

0, 037

Poliuretano

0, 039

Espuma poliuretano

0, 02

Tabela B.3: Condutividade trmica dos materiais isolantes trmicos mais comuns e que foram
utilizados nesta trabalho

123

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

[1] PIERSON, Hugh O., HANDBOOK OF REFRACTORY CARBIDES AND NITRIDES: properties, characteristics,processing and applications, NOYES PUBLICATIONS (1996).
[2] MONROY, E., F OMNS, F. and CALLE, F. (2003)- Wide-bandgap semiconductor ultraviolet photodetectors Semicond. Sci. Technol., 18,R33R51.
[3] KHLER, U., AS, D.J., SCHTTKER, B., FREY, T., LISCHKA, K., SCHEINER, J.,
SHOKHOVETS, S., GOLDHAHN, R. (1999) J. Appl. Phys., 85, 404.
[4] NAKAMURA, S. (1999) Semicond. Sci. Technol., 14, R27.
[5] LI, Z.Q., CHEN, H., LIU, H.F., WAN, L., ZHANG, M.H., HUANG, Q., ZHOU, J.M., YANG,
N., TAO,K., HAN, Y.J., LUO, Y. (2000) Appl. Phys. Lett., 76, 3765.
[6] CHEN, G.D., SMITH, M., LIN, J.Y., JIANG, X.X., WEI, S.-H., ASIF KHAN, M. , SUN, C.J.
(1996) Appl. Phys. Lett., 68, 2784.
[7] MONEMAR, B. (1999) J. Mater. Sci., 10, 227.
[8] JAIN, S.C., WILLANDER, M., NARAYAN, J., VAN OVERSTRAETEN, R. (2000) J. Appl.
Phys., 87, 965.
[9] LIMA, A.P., TABATA, A., LEITE, J.R., KAISER, S., SCHIKORA, D., SCHTTKER, B.,
FREY, T., AS, D.J.,LISCHKA, K. (1999) J. Cryst. Growth, 201/202, 396.

124

[10] MUOZ, M., HUANG, Y.S., POLLAK, F.H. , YANG, H. (2003) J. Appl. Phys., 93, 2549.
[11] STAMPFL, C. , VAN DE WALLE, C.G. (1999) Phys. Rev. B, 59, 5521.
[12] KAWASHIMA, T., YOSHIKAWA, H., ADACHI, S., FUKE, S. ,OHTSUKA, K. (1997) J. Appl.
Phys., 82, 3528.
[13] LEE, I.H., LEE, J.J., KUNG, P., SANCHEZ, F.J. , RAZEGHI, M. (1999) Appl. Phys. Lett.,
74, 102.
[14] NEUGEBAUER, J. , VAN DE WALLE, C.G. (1996) Appl. Phys. Lett., 69, 503.
[15] SCHUBERT, E.F., GOEPFERT, I.D., GRIESHABER, W. , REDWING, J.M. (1997) Appl.
Phys. Lett.,71, 921.
[16] YOSHIKAWA, M., KUNZER, M., WAGNER, J., OBLOH, H., SCHLOTTER, P., SCHMIDT,
R., HERRES, N. ,KAUFMANN, U. (1999) J. Appl. Phys., 86, 4400.
[17] NAKAMURA, S., SENOH, M., IWASA, N., NAGAHAMA, S., YAMADA, T., MATSUSHITA,
T., KIYOKO, H. ,SUGIMOTO, Y. (1996) Jpn. J. Appl. Phys., 35, L74.
[18] NAKAMURA, S., SENOH, M., NAGAHAMA, S., IWASA, N., YAMADA, T., MATSUSHITA,
T., SUGIMOTO, Y. , KIYOKO, H. (1997) Appl. Phys. Lett., 70, 868.
[19] NAKAMURA, S. ,FASOL, G. (1997) The Blue Laser Diode, Springer, Berlin.
[20] NURMIKKOY, A. and GUNSHORZ, R.L. , (1997) Blue and green semiconductor lasers: a
status report, Semicond. Sci. Technol., 12,13371347.
[21] NAKAMURA, (1999)- InGaN-based violet laser diodes, Semicond. Sci. Technol., 14,
R27R40.S.
[22] GOLDBERG, Y. A.,(1999) -Semiconductor near-ultraviolet photoelectronics, Semicond.
Sci. Technol., 14,R41R60.
[23] AKASAKI, J. I., AMANO, H. (1997), Crystal growth and conductivity control of group III
nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters - Jpn. J.
Appl. Phys., 36, 53935408.
125

[24] PANKOVE, I.,MILLER, E. A., RICHMAN, D.,BERKEYHEISER,J. E.,(1971), Electroluminescence in GaN. - J. Lumin., 4, 6366.
[25] NAKAMURA, S. et al. (1995), Superbright green InGaN SQW structure LEDs - Jpn. J.
Appl. Phys., 34, L1332L1335 .
[26] PONCE, F. A., BOUR, D. P. (1997), Nitride-based semiconductors for blue and green lightemitting devices - Nature, 386, 351359 .
[27] HAN, J. et al. (1998), AlGaN/GaN quantum well ultraviolet light emitting diodes - Appl.
Phys. Lett., 73, 16881690.
[28] NISHIDA, T.,KOBAYASHI, N. (1999), 346 nm emission from AlGaN multi-quantum-well
light emitting diode - Phys. Status Solidi A, 176, 4548.
[29] ADIVARAHAN, V. et al.(2004), 250 nm AlGaN light-emitting diodes - Appl. Phys. Lett.,
85,21752177.
[30] HIRAYAMA, H. (2005), Quaternary InAlGaN-based high efficiency ultraviolet lightemitting diodes - J. Appl. Phys., 97, 091101.
[31] DADGAR, A.,CHRISTEN, J., RIEMANN, T., RICHTER, S., BLASING, J., DIEZ, A., KROST,
A., ALAM, A. and HEUKEN, M., (2001),- Appl. Phys. Lett., 78, 2211.
[32] AKIYAMA, M., KAWARADA, Y. and KAMINISHI, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 23, L843
(1984).
[33] RUMYANTSEV, S., SHUR, M. S. and LEVINSHTEIN, M. E., (2005), Quaternary InAlGaNbased high efficiency ultraviolet light-emitting diodes - J. Appl. Phys., 97, 091101.
[34] CHAKRABORTY, A., HASKELL,B., KELLER, S., SPECK, J., DENBAARS, S., NAKAMURA,
S. and MISHRA,U. Jpn. J. Appl. Phys., 44, L173 (2005)
[35] OKAMOTO, K., OHTA, H., CHICHIBU, S., ICHIHARA, J., TAKASU, H. Jpn. J. Appl. Phys.,
46, L187 (2007).
[36] AADACHI, Sadao, Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors, Wiley Series in
material for electronics and optoelectronics applications (2005).
126

[37] STRITE, S., MORKO, H. J. Vac. Sci Tech., B10, 1237 (1992).
[38] TSUBOUCHI, K., MIKOSHIBA, N. IEEE Trans. Sonics Ultrasonics, 32, 634 (1985).
[39] AARDAHL, C. L., ROGERS, J. W., YUN, H. K., ONO, Y., TWEET, D. C. and HSU, S. T.,
Thin Solid Films, 346, 174 (1999).
[40] GEROVA, E. V., INANOV, N. A., KIROV, K. I., Thin Solid Films, 81, 201 (1981).
[41] FATHIMULLA, A., LAKHANI, A. A.,J. Appl. Phys., 54, 4586 (1986)..
[42] QUAY, Rdiger, Gallium Nitride Electronics, Springer Series in Materials Sciences
(2008).
[43] RUIZ, E. , ALVAREZ,S. and ALEMANY,P. (1994) Phys. Rev. B, 49, 7115.
[44] GORCZYCA, I. , CHRISTENSEN, N.E., PELTZER

B LANC, E.L., RODRIGUEZ, C.O.

(1995) Phys. Rev. B, 51,17 11936.

[45] GROZA, Joanna R. editor, MATERIALS PROCESSING HANDBOOK, CRC PRESS
(2007).
[46] MATSUNAMI,N., YAMAMURA,Y., ITIKAWA, Y., ITOH, N., KAZUMATA, Y., MIYAGAWA,
S., MORITA, K., SHIMIZU, R. and TAWARA, H., Energy Dependence of the Yields of
Ion-Induced Sputtering of Monatomic Solids, IPPJ-AM-32 (Institute of Plasma Physics,
Nagoya University, Japan), (1983).
[47] SAFI, I.,Surface and Coatings Technology, 127, 203-219 (2000).
[48] MATTOX, Donald M., Handbook of physical vapor deposition (PVD) processing, Noyes
Publications (1998).
[49] DING, X.Z. , ZHANG, F.M., SUN, Y.L.,ZHOU, Y.L. YAN, J.S., SHEN, H.L.,WANG, X.,
LIU, X.H, SHEN, D.F Surf. Coat. Technol, 103/104 156 (1998).
[50] DING, X.Z. , ZHANG,F.M, YAN, J.S.,SHEN, H.L., WANG, X., LIU, X.H, SHEN, D.F J.
Appl. Phys, 82 (1997) 5154.
[51] COEY, J.M.D. , SMITH,P.A.I J. of Mag. and Mag. Materials, 200 (1999) 405-424.
127

[52] JACK, K.H. Proc. r. Soc. London, Ser A, 208 (1951) 200.
[53] JACK, K.H. Proc. r. Soc. London, Ser A, 208 (1951) 216.
[54] KIM, T.K. Appl. Phys. Lett., 20 (1972) 492.
[55] WRIEDT, H.A., GOKCEN, N.A., NAFZIGER, R.H Bull Alloy Phase Diagr, 8 (1997) 355.
[56] TAKAHASHI, H., SHOJI, H., TAKAHASHI, M. J. Magn. Magn. Mater., 174 (1997) 57.
[57] WANG, S., KRYDER,M.H. J. Appl. Phys., 67 (1990) 5134.
[58] TERADA, N., HOSHI,Y. , YAMANAKA,S.IEEE Trans. Magn., 20 (1984) 1451.
[59] RUSAK, M.A. , JAHNES,C.V ,KLOKHOLM,E. , LEE, J.W., RE, M.E., WEBB, B.C., J. of
Mag. and Mag. Materials, 104-107 (1992) 1853.
[60] HUANG, M.Q. , WALLACE,W.E ,SIMIZU,S. , SANKAR, S.G., J. of Mag. and Mag. Materials, 135 (1994) 226.
[61] SUGITA, Y. , TAKAHASHI,H. ,KOMURO,M. , MITSUOKA, K., SAKUMA, A., J. Appl.
Phys., 76 (1994) 6637.
[62] BREWER, M.A. , ESCHER,C.J. ,KRISHNAN, K.M. , KOBAYASHI, T., NAKANISHI, A., J.
Appl. Phys., 81 (1997) 4128.
[63] OKAMOTO, S., KITAKAMI,O.,SHIMODA, Y., J. Appl. Phys., 79 (1996) 1678.
[64] COEY, J.M.D., ODONNELL,K.,QI, Q.,TOUCHAIS, E., JACK, K.H., J. Phys.: Condens.
Matter, 6 (1994) L23.
[65] BEZDICKA, P., KLARIKOVA,A., PASEKA, I. , ZAVETA, K., J. Alloys Compounds, 274
(1998) 10.
[66] SUGITA, Y. , TAKAHASHI,H. ,KOMURO,M. , IGARASHI, M., IMURA, R., KAMBE, T., J.
Appl. Phys., 79 (1996) 5576.
[67] KOMURA, M. , HOSHIYA,H. , MITSUOKA,M. , KOZONO, Y., HANAZONO, M., SUGITA,
Y. , J. Appl. Phys., 67 (1990) 5126.
128

[68] SHINNO,H., SAITO, K., Surf. Coat. Technol., 103-104 (1998) 129.
[69] NAKAJIMA, K., OKAMOTO,S. J. Appl. Phys., 65 (1989) 4357.
[70] OKAMOTO, S., KITAKAMI,O.,SHIMODA, Y., J. Appl. Phys., 79 (1996) 5250.
[71] YAO, Z.Y. , JIANG,H., LIU,Z.K. , HUANG,D.D., Q IN,F.G., ZHU,S.C., UN,Y.X., J. of Mag.
and Mag. Materials, 177-181 (1998) 1291.
[72] WEBER, T., WIT,L. de, SARIS, F.W.,SCHAAF, P., Thin Solid Films, 279 (1996) 216.
[73] OKAMOTO, S., KITAKAMI,O., SHIMADA, Y., J. Appl. Phys., 85 (1999) 4952.
[74] KERR, J., On rotation of the plane of polarization by reflection from the pole of a magnet,
Phil. Mag., 3 332 (1877).
[75] GONALVES, Charlie S., Montagem e construo de um magnetmetro a efeito Kerr
magneto-ptico, Dissertao de mestrado, DFTE/UFRN (2006).
[76] GRIFFITHS, J. H. E. , Nature, 158 670 (1946).
[77] YAGER, W.A. , BOZORTH, R.M. , Phys. Rev., 72 80 (1947).
[78] KITTEL, C. , Phys. Rev., 71 270 (1947).
[79] KITTEL, C. , Phys. Rev., 73 155 (1948).
[80] MOURA, J.A.S., Ressonncia ferromagntica em filmes finos de Ag/Ni & Fe/Cu, Tese de
mestrado, DF/UFPE (1994).
[81] http://gwyddion.net/documentation/user guide/data-analysis.html (2008).
[82] GIESSIBL, F.J, Rev. Mod. Phys., 75 3 (2003) 949-983.
[83] WELLER, R. A., Rev. Sci. Instrum., 72 9 (2001) 3580-3586.
[84] AVILS, F., CEH, O., OLIVA, A. I., Surface Review and Letters, 12 1 (2005) 101106.
[85] WANG, X., et al. Appl. Surf. Sci., 220 (2003) 30-39.
[86] GUPTA, M., GUPTA, A., CHAUDHARI, S.M., , et al. Vacuum, 60 (2001) 395.
129

[87] RISSANEN, L., SCHAAF, P., NEUBAUER, M., , et al. Appl. Surf. Sci., 138/139 (1999) 261.
[88] RISSANEN, NEUBAUER, M., LIEB, K.P., , et al. J. Alloy. Comp., 274 (1998) 74.
[89] MIOLA, E.J., DE S OUA, S.D., NASCENTE, P.A.P., , et al. Appl. Surf. Sci., 144/145 (1999)
272.
[90] HUI, JIA, et al. Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 19 (2009) 353-358.
[91] RAMAN, C.V. A new radiation Indian Journal of Physics 2, (1928) 387-398.
[92] RAMAN, C.V. A change in wavelenght in light scattering Nature 121, (1928) 619-620.
[93] LIDE, D. R. (ed), Handbook of Chemistry and Physics, 76th edn (1996) Boca Raton, FL:
Chemical Rubber Company.
[94] STRASSBURG, M. , SENAWIRATNE, J., DIETZ, N., HABOECK, H., HOFFMAN, A.,
VOVESKI, V., DALMAU, R., SCHLESSER, R. and SITAR, Z., J. Appl. Phys., 96,5870
(2004), DOI:10.1063/1.1801159.
[95] OLIVEIRA, Ivo de Castro, ESTUDO DAS PRPRIEDADES DE FILMES FINOS DE NITRETO DE ALUMNIO PRODUZIDOS POR PROCESSO DE MAGNETRON SPUTTERING EM REGIMES CONTNUOS (DC) E ALTERNADO (RF), Tese de Doutorado, ITA
(2004).
[96] FOX, M., Optical properties of solids, Oxford master series in condensed matter physics
(OUP) (2008).
[97] KAZAN, M. , RUFFLL, B., ZGHEIB, Ch., MASRI, P., Diamond & Related Materials, 15,
(2006) 1525-1534.
[98] DAVYDOVAZAN, V. Yu. , KITAEV, E., GONCHARUK, I.N.., SMIRNOV, A.N., GRAUL,
J., SENCHINOVA, O., UFFMANN, D., SMIRNOV, M. B., MIRGORODSKI, A.P. and
EVARESTOV, R.A. PhysicalReview B, 58 19, (1998) 12899 - 12907.
[99] KUMAR, D. , ANTIFAKOS, J., BLAMIRE, M.G., BARBER, Z.H.,Appl. Phys. Lett., 84,
(2004) 5004.

130

[100] WU,S.Y., LIU, H.X., GU, L., SINGH,R.K., BUDD, L., SCHILFGAARDE, M. van,
MC C ARTNEY, M.R., SMITH, D.J., NEWMAN, N., Appl. Phys. Lett., 82, (2003) 3047.
[101] KO, K.Y., BARBER, Z.H., BLAMIRE,J. Appl. Phys., 100, (2006) 083905.
[102] FRAZIER, R. M., THALER, G. T., GILA, B. P., STAPLETON, J., OVERBERG, M. E.,
ABERNATHY, C. R., PEARTON, S. J., REN, F. and ZAVADA, J. M., J. Electronic Materials,34, 4 (2005).DOI:10.1007/s11664-005-0112-7.
[103] AKINAGA, H., OHNO, H., IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 1, 1
(2002).
[104] CHOWDHURY, I., PRASHER, R., LOFGREEN, K., CHRYSLER, G., NARASIMHAN, S.,
MAHAJAN, R., KOESTER, D., ALLEY, R. and VENKATASUBRAMANIAN, V., Nature Nanotechnology, On-chip cooling by superlattice-based thin-film thermoelectrics 4,235 238 (2009).DOI:10.1038/nnano.2008.417.
[105] TRITT, Terry M. (ed), Recent Trends in Thermoelectric Materials Research I - Semiconductors and semimetals, Academic Press (2001).
[106] NOLAS, G. S., GOLDSMID ,,H. J. J. Appl. Phys., 85 (1999) 4066. DOI:10.1063/1.370311
.
[107] Thermoelectric Cooling Systems Design Guide, 1998 Marlow Industries, Inc (1998).

131