Propriedades Eltricas do

Materiais

Por que estudar propriedades

eltricas dos materiais?
Apreciao das propriedades eltricas de
materiais muitas vezes importante, quando
na seleo de materiais e processamento.
Alguns materiais precisam ser altamente
condutores (por exemplo, fios de conexo),
enquanto outros se deseja que sejam
isolantes.
Por isso se faz necessrio tal conhecimento.

Mas afinal o que eletricidade?

Movimento de eltrons?

Mas afinal o que eletricidade?

Movimento de eltrons?
Movimento ordenados de eltrons, em
resposta a foras (eltricas) que atuantes
sobre eles, quando submetidos a uma
diferena de potencial eltrico.

Lei de OHM
Imaginemos o seguinte aparato:

Lei de OHM

A maioria dos materiais apresenta esta curva

caracterstica quando percorrida uma corrente
eltrica atravs dele.

Lei de OHM

Analisando o grfico, temos:

Equao 1

Resistividade
A

A
R
A

Equao 2

Condutividade Eltrica

Condutividade Eltrica
Os materiais slidos exibem uma faixa
surpreendente de condutividade eltrica,
se estendendo ao longo de 27 ordens de
grandezas, provavelmente nenhuma outra
propriedade fsica experimente esta
magnitude de variao.

Condutividade Eltrica
Metais bons condutores 107 (.m)-1

Condutividade Eltrica
Metais bons condutores 107 (.m)-1
Isolantes 10-10 e 10-20 (.m)-1

Condutividade Eltrica
Metais bons condutores 107 (.m)-1
Isolantes 10-10 e 10-20 (.m)-1
Semicondutores 10-6 e 104 (.m)-1

Conduo Eletrnica e Inica

+
-

d.d.p.

Conduo Eletrnica e Inica

No interior da maioria do materiais slidos
uma corrente tem origem a partir do
escoamento dos eltrons, a qual
conhecida como conduo eletrnica.

Conduo Eletrnica e Inica

No interior da maioria do materiais slidos
uma corrente tem origem a partir do
escoamento dos eltrons, a qual
conhecida como conduo eletrnica.
J em outros materiais possvel um
movimento liquido de ons carregados o
que produz uma corrente, tal fenmeno
chamado de conduo inica.

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Mecnica quntica:

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Para cada tomo individual existem nveis
energticos discretos que podem ser
ocupados por eltrons, nveis arranjados
em camadas e subcamadas;

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Para cada tomo individual existem nveis
energticos discretos que podem ser
ocupados por eltrons, nveis arranjados
em camadas e subcamadas;
As camadas so designadas por nmeros,
(1, 2, 3, etc.);

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Para cada tomo individual existem nveis
energticos discretos que podem ser
ocupados por eltrons, nveis arranjados
em camadas e subcamadas;
As camadas so designadas por nmeros,
(1, 2, 3, etc.);
As subcamadas s, p, d, f contendo
respectivamente 1, 3, 5 e 7 eltrons;

Estrutura da bandas de energia

nos slidos

Estrutura da bandas de energia

nos slidos

Estrutura da bandas de energia

nos slidos

Estrutura da bandas de energia

nos slidos

Estrutura da bandas de energia

nos slidos

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Assim quatros tipos de bandas so
possveis a 0 K.

Vazio

Vazio

Vazio

gap

gap

Vazio
gap
Ef

Vazio
Preenchido

Ef

Preenchido

Preenchido

Preenchido

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Vazio

gap

Vazio
Ef

Preenchido

Algum metais;

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Vazio

gap

Vazio
Ef

Preenchido

Algum metais;
Cobre - 1s2, 2s2, 2p6, 3s2,
3p6, 4s1;

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Vazio

gap

Vazio
Ef

Preenchido

Algum metais;
Cobre - 1s2, 2s2, 2p6, 3s2,
3p6, 4s1;
Como somente a metade
das
posies
est
preenchida, ainda tem-se
a outra metade para
serem ocupadas.

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Tambm encontrada em
metais;
Vazio

Ef

Preenchido

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Vazio

Ef

Preenchido

Tambm encontrada em
metais;
Mg 1s2, 2s2, 2p6, 3s2;

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Vazio

Ef

Preenchido

Tambm encontrada em
metais;
Mg 1s2, 2s2, 2p6, 3s2;
O nvel 3s est totalmente
preenchido, mas porem
quando
o
slido

formado os nveis 3s e 3p
se sobrepe.

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Essas
duas
semelhantes;
Vazio

Vazio

gap

gap

Preenchid
o

Preenchid
o

so

Estrutura da bandas de energia

nos slidos
Essas
duas
semelhantes;
Vazio

gap

Preenchid
o

so

Vazio

gap

Preenchid
o

Bandas
de
valncias
totalmente preenchidas,
separadas da bandas de
conduo
por
um
espaamento.

Estrutura da bandas de energia

nos slidos

Vazio

Vazio

gap

gap

Preenchido

Preenchido

Primeiro caso isolante

eltrico, pois o gap
relativamente amplo;

Estrutura da bandas de energia

nos slidos

Vazio

Vazio

gap

gap

Preenchido

Preenchido

Primeiro caso isolante

eltrico, pois o gap
relativamente amplo;
J no segundo caso
temos um material do tipo
semicondutor, o seu gap
estreito.

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
A saber: apenas eltrons que possuem
energias maiores que a energia de Fermi
podem sentir a ao e serem acelerados
na presena de um campo eltrico;

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
A saber: apenas eltrons que possuem
energias maiores que a energia de Fermi
podem sentir a ao e serem acelerados
na presena de um campo eltrico;
So chamados de eltrons livres

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
Uma outra entidade eletrnica carregada,
conhecida por buraco, encontrada em
semicondutores e isolantes.
Os buracos tambm participam da
conduo eletrnica.

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
Metais possuem bandas
semi-preenchidas
ou
sobrepostas;
E

Ef

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica

Ef

Metais possuem bandas

semi-preenchidas
ou
sobrepostas;
A energia necessria para
promover
um
eltron
acima da energia de
Fermi muito pequena.
Eltron
excitado

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
Isolantes e semicondutores

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
Isolantes e semicondutores

Para serem promovidos a

eltrons livre (banda de
conduo), os eltrons da
banda de valncia devem
receber energia para transpor o
gap (diferena de energia entre
as bandas).

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
Esse espaamento entre
as banda possui uma
largura de vrios eltronsVolts (eV);
E

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica

Esse espaamento entre

as banda possui uma
largura de vrios eltronsVolts (eV);
Mais frequentemente essa
energia vem de fontes no
eltricas,
como
por
exemplo luz e calor.

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica

Com
o
aumento
da
temperatura diferena de
energia entre as bandas
aumenta,
assim
a
probabilidade de que um
eltron seja promovido a
banda
de
conduo
diminue.

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica

A distino entre isolantes

eltricos e semicondutores
reside na largura do
espaamento
entre
as
banda.

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica

A distino entre isolantes

eltricos e semicondutores
reside na largura do
espaamento
entre
as
banda.
Nos semicondutores esse
espaamento

mais
estreito que nos isolantes.

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
Nos materiais isolante eltricos a ligao
interatmica inica ou fortemente
covalente, ou seja, os eltrons de valncia
esto firmemente ligados, ou seja, seja
no esto livre para vagar pelo cristal.

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
A ligao nos semicondutores covalente
(ou predominantemente covalente) e
relativamente fraca, o que significa que os
eltrons de valncia no esto firmemente
ligados ao tomos.

Conduo em termos de bandas e

modelos de ligao atmica
A ligao nos semicondutores covalente
(ou predominantemente covalente) e
relativamente fraca, o que significa que os
eltrons de valncia no esto firmemente
ligados ao tomos.
Consequentemente esses eltrons so
mais facilmente removidos por excitao
trmicas do que nos isolantes.

Mobilidade Eletrnica

d.d.p.

Mobilidade Eletrnica
Segundo a mecnica quntica no
existe nenhuma interao entre eltrons
me acelerao e os tomos em um
reticulo cristalino perfeito.

Mobilidade Eletrnica
Segundo a mecnica quntica no existe
nenhuma
interao
entre
eltrons
me
acelerao e os tomos em um reticulo
cristalino perfeito.
Assim todos os eltrons livre deve acelerar
enquanto o campo eltrico aplicado, fazendo
com que a corrente eltricas aumente
continuamente, no entanto, sabemos que a
corrente atinge um valor constante. Por qu?

ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA

MOVIMENTO

MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS

ALTA TEMPERATURA

DOS ELTRONS

EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS

Mobilidade Eletrnica
Velocidade de araste
Va = e
e chamado de mobilidade eletrnica
m2/V.s

Mobilidade Eletrnica
Velocidade de araste
Va = e
e chamado de mobilidade eletrnica m2/V.s
Condutividade
= n.|e|.e
|e| modulo de carga do eltron (1,6 x 10-19C)
proporcional tanto ao nmero de eltrons
como mobilidade eletrnica.

Resistividade Eltrica dos Metais

6
(10-8 Ohm-m)

Resistivity,

Em um condutor a resistividade aumenta

com o aumento da temperatura, com o
aumento da quantidade de impurezas e
com o aumento da deformao.
5
4
3
2
1
0

Ni
%
t
2a
3
.
+3
Ni %Ni
u
%
C
t
a
at
6
2
1
.
1
1.
+2
+
u
C
Cu
d
Ni
rme
%
o
t
f
a
2
de
1
.
+1
u
C
Cu

e
r
Pu

-200 -100

T (C)

Resistividade Eltrica dos Metais

i = Aci(1 ci)
ci -concentrao de impurezas;
A - constante que depende tanto do metal de impureza como do
hospedeiro.

Caractersticas Eltricas de Ligas

Comerciais
Boa condutividade

Caractersticas Eltricas de Ligas

Comerciais
Boa condutividade
Cu (OFHC), Al, Ag;

Caractersticas Eltricas de Ligas

Comerciais
Boa condutividade
Cu (OFHC), Al, Ag;
Cu + Be

Caractersticas Eltricas de Ligas

Comerciais

Boa condutividade
Cu (OFHC), Al, Ag;
Cu + Be
Fornos, elevada resistividade e resistencia
a oxidao.

Semicondutividade
Semicondutores intrnsecos so aqueles
que apresentam as caractersticas de
semicondutores com o material puro;
Semicondutores extrnsecos possuem
impurezas na sua estrutura eletrnica

Semicondutividade intrnseca

gap < 2 eV

Si, Ge (1,1 e 0,7 ev)

grupo IV A;
Grupos III A e V A
GaAs, InSb;
Grupos II B e IV B
CdS, ZnTe;

Semicondutividade
Cada
eltron
quando
promovido
deixa
um
buraco na banda de
valncia.
E

Buraco

Semicondutividade

Semicondutividade

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

campo

Semicondutividade

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

campo

Semicondutividade

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

campo

Semicondutividade

Semicondutividade Extrnseca do
Tipo n
si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

campo

Semicondutividade Extrnseca do
Tipo p
si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

si

campo

Juno p-n

Eltron -

Buraco +

Barreira de potencial
Cargas fixas
Cada material eletricamente neutro

Cargas mveis

Polarizao direta e reversa

Reversa = isolante

Eltron -

Buraco +

Direta = condutor

Transistor

Eltron Buraco +