Apostilas de Eletrnica e Informtica

J-FET

FET - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO

Os transistores de Efeito de Campo, JFET e MOSFET's, tem como

caractersticas bsicas e controle de uma corrente por um campo eltrico aplicado. A
corrente flui entre os terminais chamado Suplidouro - S,
S e Dreno - D,
D e o campo devido a
uma tenso aplicada entre um terminal de controle, a porta "Gate" - G,G e o suplidouro.
Este compartimento anlogo a das vlvulas eletrnicas pentodo.
A vantagem prtica dos FET's que os torna cada vez mais comuns, principalmente
os MOSFET's, sua alta inpedncia de entrada, no necessria praticamente nenhuma
corrente de entrada na porta para o controle da corrente de dreno.

JFET

O primeiro FET desenvolvido foi o de juno, FET (Junction Field Efect

Transistor). H dois tipos: Canal N e Canal P.
P
Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida
no centro com material P (ou N), a regio N (ou P) esta parte, estreita, chamado canal,
por influir a corrente controlada.
D - DRENO

N CANAL

P P

G - GATE S - SUPLIDOURO

Estrutura do JFET canal N

Obs.: No FET de canal P invertem-se camadas semicondutores N e P

D D

G G
S S

CANAL N CANAL P
Smbolos

Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno PN.
Esta barreira restringe a rea de conduo de canal ao outro.

FUNCIONAMENTO

http://www.li.facens.br/eletronica
1
 Apostilas de Eletrnica e Informtica
J-FET

MA
ID

VDS
VGS

Na figura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte varivel Ves, que
controla a corrente do canal ID. Note que Ves, na polarizao reversa (- no gate P).
Inicialmente fazemos Ves = 0. O canal N est normalmente aberto, pois a barreira
de potncia mnima, assim, circula uma corrente mxima chamado IDSS, caracterstica
do JFET para Vds.
Agora vamos aumentar Ves, fazendo que a largura da barreira de potencial
aumente. Ento a rea de conduo diminui, que diminui a corrente de dreno. O campo
eltrico entre a porta e o supridouro repele eltrons ao canal, nas proximidades da juno
e a corrente fica confinada ao centro, diminuindo. Este o efeito de campo, que d nome
ao transistor.
Quando maior a tenso reversa Ves, menor a corrente de dreno, com Vds fixa. Se
aumentarmos gradualmente, chegar num ponto em que a corrente se anular. A tenso
Vgs nesse ponto chamado Vgsoff ou Vgscorte, a tenso de estrangulamento do canal,
ou de corte.

CURVAS CARACTERSTICAS

H dois tipos:
Transcundncia;
Dreno.
ID
IDSS

VGS VESCORTE

Curva de Transcundncia

Esta curva, vlida para Vds > Vgs de corte, descreve o controle de corrente de
dreno pela tenso porta / apridouro. a curva da regio ativa do JFET.

ID

VGS 1 = 0V
VGS 0
REGIO
VGS 3
VGS 4
ATIVA
VGS 5
VGS = VGScorte
VDS
http://www.li.facens.br/eletronica
2
 Apostilas de Eletrnica e Informtica
J-FET

Curva Caracterstica de Dreno

anloga caracterstica de coletor do transistor bipolar, e semelhante

caracterstica de placa e uma vlvula pentodo. Descreve o comportamento nas trs
regies de operao, para diversos valores de Vgs.

REGIO DE OPERAO

Na regio ativa,
ativa a corrente de dreno controlada pela tenso Vgs, e quase no
varia com tenso Vds (compartimento de fonte de corrente controlada). Nesta o JFET
pode funcionar como multiplicador de fonte-de-corrente.
O JFET est nesta regio quando Vds > Vescorte nas curvas caractersticas a
parte horizontal da curva para uma certa Vgs (toda a rea fora de saturao, hachurada, e
entre as curvas Vgs1 e Vgs6)
A saturao ocorre quando Vds < Vgscorte. Aqui a corrente ID depende tanto de
Vgs como Vds (comportamento de resistor controlado). Nas curvas caractersticas de
dreno, a reta inclinada que une cada curva a origem do grfico. Repare que as
inclinao, relacionada resistncia do canal, diferente em cada uma das curvas
(valores de Vgs). Nesta regio, o JFET atua como resistor controlado por tenso, ou
chave, conforme a aplicao.
Quando Vgs Vgscorte, o JFET est na regio de corte,
corte e a corrente de dreno
nula. Usada na operao como chave (alternando com a saturao - chave fechada).

APLICAES

1) Fonte de Corrente:
+ VDD
RS

ID

RL

O valor de RS e a curva do JFET determinam a corrente ID.

O circuito opera o JFET fica na regio ativa, ou seja, Vds> Vgscorte, isso impe
limite ao valor de RL.
O circuito usado em polarizao, sendo freqncia dentro dos amplificadores
operacionais e outros CI's analgicos.

2) Amplificadores:

Na operao como amplificadores, usamos o conceito da Transcondutncia, que

define o ganho dos FET's.

gm = = ID
VGS

A Transcondutncia, gm ou a relao entre a variao na corrente Id e a

variao em Vgs que a provoca.
http://www.li.facens.br/eletronica
3
 Apostilas de Eletrnica e Informtica
J-FET

Nos FET, a Transcondutncia maior para tenso Vgs de polarizao menor e

corrente ID maior.
Assim, o ganho determinado pela polarizao como nos bipolares e vlvulas), e
o tipo de FET.

a) Polarizao: A corrente de dreno de JFET segue a relao quadrtica.

(
ID = IDSS
1 - VGS
(
VGS corte

Os valores de IDSS e Vgscorte variam conforme o tipo e o exemplar, dentro de

limites amplos.
Uma polarizao somente pode ser feita atravs de ajuste de trimpot, ou atravs
de uma fonte de corrente com bipolar.
O tipo mais comum a autopolarizao.
autopolarizao

RS + VDD

RG RS

Obs.: Nos amplificadores dreno comum Rd no usado. Ele no altera a corrente de

dreno.
A corrente circula em Rs, surgindo uma queda de tenso nele. A porta est
aterrada atravs de Rg, e ento a tenso em Rs aparece entre S e G, polarizando o JFET
com uma tenso reversa, que se ope corrente de dreno (Suplidouro), regulando-a
atravs de realimentao negativa. A corrente ento fica dada pelas caractersticas do
FET e o valor de Rs.
Tambm se usa polarizao por diviso de tenso, semelhante usada com
transistor bipolar, mas menos exata (pouco melhor que a autopolarizao).

b) Supridouro comum:

a mais usada, pois oferece ganho de tenso.

O sinal de entrada aplicado entre a porta e o Suplidouro, e a sada colhida no
dreno. A fase invertida.
A impedncia de entrada muito grande, j que a juno porta-suplidouro est
polarizada reversamente, circulando apenas uma desprezvel corrente de fuga. Na prtica,
a impedncia dada pelo resistor RE de polarizao. J a de sada um pouco menor que
RD.
O ganho de tenso dado por:

G = - gm RD

Seu valor na prtica fica entre 3 e 30 vezes, em geral (bem menor que no bipolar).
comum na entrada de instrumentos de medio, e dentro de C.I. analgicos,
pela alta impedncia.

http://www.li.facens.br/eletronica
4
 Apostilas de Eletrnica e Informtica
J-FET

+ VDD
RS

C ent. SADA
ENTRADA

RG RS

Obs: Cent. pode ser omitido, em algumas aplicaes. Nos amplificadores com
acoplamento direto, todos os capacitores so dispensados, mas o ganho diminui.

http://www.li.facens.br/eletronica
5