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Transistor Apostila PDF
Transistor Apostila PDF
Introduo
Tipos de transistores
Transistores 1
NPN
BIPOLARES
PNP
Canal N
JFET
Canal P
TRANSISTOR ES
UNIPOLARES Canal N
Depleo
Canal P
MOSFET
Enriquecim ento Canal N
Canal P
O transistor bipolar
Corrente de eltrons
I C alta
-
-
- -
-
- O coletor, levemente
- - - dopado, est "positivo"e
Corrente convencional (+)
N emissor
Corrente de eltrons
I alta
E
Corrente convencional (+)
Corrente de eltrons
Transistores 2
O emissor a regio rica em portadores de carga; sua tarefa enviar os portadores
para a base e dali para o coletor. O coletor como o nome diz, coleta os portadores que
atravessam a base. A base atua como regio de controle do fluxo de portadores de carga do
emissor para o coletor.
As regies tipo N contm eltrons livres como portadores majoritrios, enquanto que
a regio tipo P contm lacunas como portadores majoritrios. O nome transistor bipolar vem
do fato que ambos os portadores (eltrons livres e lacunas) tomam parte do fluxo de corrente
que atravessa o dispositivo.
C
Coletor
N
P Base
B
N Emissor
E
iC
C
+
B
A V VCE
iB -
+ -
Transistores 3
16
14 120 A
100 A
80 A
10
8 60 A
6 40 A
4
20 A
2
iB = 0 A
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Transistor PNP
O transistor bipolar PNP opera de maneira anloga ao transstor NPN, porm com
fluxo de portadores majoritrios de cargas sendo as lacunas.
I C alta
+ +
+ +
+
O coletor, levemente
+ + dopado, est "negativo" e
atrai as lacunas vindas do
Corrente de lacunas (+)
P emissor
Corrente de lacunas
+
+ +
- - A base est pobre
- - N de eltrons
++ + + + ++
+ +
I baixa + ++ + +
B + + + ++ +
+ ++ + P
+ O emissor, altamente
+ ++ + + ++ + dopado, est "rico"
++ + + + + de lacunas
+ ++ ++ +
+
- + + + + + + + + +++
+ + ++ + + + + + +
++ + + + + +
+
I alta
E
Transistores 4
C
Coletor
P
N Base
B
P Emissor
E
iB = 0 A 0
-2
-20 A
-40 A
-6
-60 A -8
-80 A -10
-12
-100 A
-120 A -14
-16
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0
Transistores 5
Transistor: Encapsulamento plstico TO-92
Base Coletor
4,2 Base 5,2
Coletor 1,27
5,2
1,27
E m issor
E m issor
Transistores 6
Circuitos de polarizao de transistores bipolares
R
C
i
C
R +
B
+
+
VCE VC C
-
-
+ i VBE -
B
VB B
-
i i B4
C
Regio de saturao
i
B3
i
B2
Regio ativa
i
B1
Regio de corte
iB = 0
-V 0 V CE
A
i C = I S e VBE / VT (1)
Transistores 7
i
= C (2)
iB
vem que:
i I
i B = C = S e VBE / VT (3)
partir da definio de :
i
= C (4)
iE
obtm-se:
i
i E = C = I S e VBE / VT (5)
Aplicaes
Transistores 8
AMPLIFICADOR
Sinal de sada
FONTE DE POTNCIA CC
O JFET opera no modo de depleo, isto , uma tenso aplicada no terminal porta
pode remover os portadores de carga presentes no canal N. Por exemplo, o transistor
mostrado na Fig. 4 conduzir normalmente do terminal fonte para o terminal dreno. O canal N
contm eltrons livres em quantidade suficiente para suportar o fluxo de corrente. Se a tenso
da porta se tornar negativa, os eltrons livres sero empurrados para fora do canal N, pois
cargas iguais se repelem. Isto deixa o canal com poucos eltrons livres e a sua resistncia
Transistores 9
aumentar vrias vezes, reduzindo assim a corrente entre dreno e fonte. Na realidade, se a
tenso no terminal porta se tornar negativo, o dispositivo pode ser desligado e nenhuma
corrente fluir. Existem algumas diferenas importantes entre transistores bipolares e
unipolares, a principal delas que o transistor bipolar controlado por corrente, e o transistor
unipolar controlado por tenso.
O JFET o mais simples tipo de transistor dentre todos eles e tem pequeno uso
atualmente, em funo das melhores caractersticas do MOSFET. Sua aplicao restrita aos
circuitos discretos, nos quais utilizado tanto como amplificador como chave. Nos circuitos
integrados as suas aplicaes esto limitadas aos estgios de entrada diferencial de alguns
amplificadores operacionais para os quais deseja-se uma alta impedncia de entrada em
comparao aos transistores bipolares.
Dreno (D)
Canal
Porta (G) P N P
S
Fonte (S)
Regio de depleo
iG
Dreno
Porta tipo P+
Fonte
iD
Canal tipo N
Porta tipo P+
iS
VDD
V
GG
Transistores 10
ID
+
+
V V V
DS DD
-
-
V V
GS
-
VG G
+
Dreno (D)
Canal
Porta (G) N P N
S
Fonte (S)
Transistores 11
Fig. 17 Curvas V-I caractersticas de um JFET canal N.
) SiO2
t e (S G)
Fon ta (
Por
N+ (D)
no
Dre
Can
al P
N+
Sub
stra
to ti
po P
Terminal do
substrato (B)
Fig. 18 Transistor de efeito de campo metal xido semicondutor (MOSFET) ou FET de porta
isolada (IGFET).
Transistores 12
Fig. 19 Princpio de funcionamento do MOSFET no modo enriquecimento.
SUBSTRATO SUBSTRATO
PORTA (G) (B) PORTA (G) (B)
Fig. 20 (a) Curvas V-I caractersticas e (b) curva de transferncia (para VDS = 10 V) para um
NMOSFET que tanto pode ser usado no modo de depleo quanto no modo de
enriquecimento (Millman, 1967).
Transistores 13
Circuitos digitais que empregam lgica CMOS
+VDD
Q1
Vin Vout
Q2
A lgica CMOS oferece algumas vantagens substanciais, tais como: baixa dissipao
de energia, excelente margem de rudo e elevada capacitncia. Esta ltima caracterstica,
embora reduza a velocidade do dispositivo, por outro lado torna-o bastante insensvel fonte
de potncia utilizada. Ainda, pode-se aumentar a sua margem de rudo aumentando-se o valor
de VDD.
Transistores 14
Fig. 22 Esquema de uma memria de computador RAM utilizando CMOSFET.
Transistores 15
Comparao entre o transistor bipolar e o MOSFET.
Referncias bibliogrficas
HOROWITZ, P., HILL, W. The art of electronics. New York: Cambridge University Press,
1993.
MALMSTADT, H.V., ENKE, C.G. Electronics for scientists: principles and experiments for
those who use instruments. New York: W.A. Benjamin, 1962.
Transistores 16
MILLMAN, J. & HALKIAS, C.C. Electronic devices and circuits (International student
edition). Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha, 1967.
SCHULER, C.A. Electronics principles and applications. New York: McGraw-Hill, 1985.
Transistores 17