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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SO CARLOS

ANLISE DE CIRCUITOS ELETRNICOS ENGENHARIA MECNICA


5o PERODO (1o SEM / 2017) Prof. Dr. Lus Bara

EXPERINCIA NR. 1

DATA PREVISTA PARA ENTREGA:


DATA EFETIVA DA ENTREGA:

INTEGRANTES DO GRUPO:

NOME RA ASSINATURA
Guilherme Camargo 592927

Isac 628964

ANLISE DE CIRCUITOS ELETRNICOS PROF. GIUSEPPE CIRINO / LUS BARA


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1. RESUMO

No dado experimento, monta-se dois circuitos constitudos por um resistor


e um diodo, que para o primeiro circuito ser de silcio (1N4007) e para o
segundo ser de germnio (1N60). O sistema ser alimentado por um
gerador de funes e os resultados sero obtidos analisando, com o auxlio
de um osciloscpio digital, os terminais dos diodos.

2. INTRODUO

Os materiais semicondutores so de grande importncia para a sociedade


moderna, sendo amplamente utilizados em dispositivos eletrnicos. Entre tais
materiais, os mais utilizados no ramo da eletrnica so o germnio (Ge), o silcio
(Si) e o arseneto de glio (GaAs), os quais podem ser encontrados em
dispositivos como o diodo semicondutor.
Os diodos semicondutores so dispositivos polares constitudos de materiais
do tipo n e do tipo p, os quais so impurezas com cinco e trs eltrons na camada
de valncia respectivamente. As ligaes qumicas dos materiais n e p com que a
passagem de corrente seja facilitada em um sentido do diodo e bloqueada no
outro.
Tal caracterstica amplamente utilizada na transformao de corrente
alternada em contnua, permitindo que diversos sistemas eletrnicos sejam
alimentados por fontes de tenso alternada e funcionem adequadamente, mesmo
que em condies no desejveis.
Os diodos tm propriedades que variam conforme a mudana de sua
composio. No experimento, foram utilizados componentes de silcio e germnio,
os quais apresentam regio ativa de 0,7V e 0,3V, respectivamente. A regio ativa
ter grande importncia para a anlise e compreenso dos resultados finais.

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3. OBJETIVOS

O experimento tem como objetivo a introduo do funcionamento do diodo


semicondutor e de suas caractersticas em um circuito RC. Ainda, busca-se
analisar um sistema com um diodo em regime condutivo, observando suas
caractersticas principais de distribuio de tenso em funo do tempo.

4. METODOLOGIA

O desenvolvimento do relatrio se deu com a montagem de dois circuitos


constitudos por um resistor de 470 e um diodo semicondutor, no primeiro
circuito ele ser de silcio (1N4007) e no segundo, de germnio (1N60). Ambos os
circuitos sero alimentados por um gerador de funes ajustado com uma
amplitude (pico a pico) de 5V e frequncia de 2.6kHz. Os resultados sero
mesurados com o auxlio de um osciloscpio digital, conectado aos terminais do
diodo, como pode ser visto na figura 01.

Figura 01.

Por fim, atravs do osciloscpio digital, obtm-se as curvas de tenso por


tempo de ambos os canais, revelando as tenses no resistor e na fonte. Com os
dados obtidos e salvos em formato CSV, analisa-se e plota-se novos grficos no
programa Excel. Repete-se o processo para os dois diodos citados.

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Desta maneira, os materiais utilizados no experimento foram:


Protoboard
Resistor de 470
Diodos de silcio (1N4007) e germnio (1N60)
Gerador de funes
Osciloscpio Digital

5. RESULTADOS E DISCUSSO

Parmetros caractersticos dos diodos utilizados:

PARMETRO SMBOLO, UNID 1N4007 (Si) 1N60 (Ge)

Corrente direta PIV, mA 700 500


mxima

Potncia mxima PPK, W 15000

Tenso de ruptura Vbr,V 7,88~39,60

Corrente reversa Ir,A 5 40


tpica

Tenso direta tpica Vf,V 1,1 1

Tabela 01.

Anlise da Equao de Volt-Ampre (equao de Shockley)


VD
I D (VD ) I 0 {exp[ ] 1} ; VT kT / q
VT

Parmetro Unidade Valor tpico / Significado


(SI)
ID A Corrente no diodo

I0 A Corrente de Saturao Inversa

VD V Tenso de polarizao direta aplicada ao diodo

VT V Tenso Trmica

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- Fator de idealidade / 12

k J/K Constante de Boltzmann / k=1,38E-23

T K Temperatura Absoluta em Kelvin


Tabela 02.

O parmetro VT conhecido como tenso trmica, em temperatura ambiente,


tem valor prximo de 25,7mV.
O termo o fator de identidade, o qual funo das condies de

operao e da construo fsica. Tem valor 12. comum atribuir =1.

As curvas mostradas a seguir foram obtidas atravs do tratamento dos


dados dos canais 1 (CH1), que apresenta a tenso no diodo, e 2 (CH2), que
apresenta a tenso no resistor.
O Grfico 01 refere-se ao diodo de silcio.

Grfico 01. Tenso Diodo 1N4007, Resistor X Tempo.

O Grfico 2 refere-se ao diodo de germnio.

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Grfico 02. Tenso Diodo 1N60, Resistor X Tempo.

Analisando ambas as curvas, nota-se que a queda de tenso menor no


dispositivo de diodo. Ainda, tem-se que o diodo, como esperado, bloqueia a
tenso de sinal negativo, quando a polarizao invertida.
Nota-se tambm diferenas na corrente mdia quando comparados os dois
components. I0 igual a 1,036 mA para o diodo de germnio e 0,793 mA para o
diodo de silcio

6. CONCLUSO

No experimento, confirmou-se os resultados tericos esperados.


Houve maior queda de tenso no diodo de silcio em comparao com o diodo de
germnio. Concluiu-se tambm, que houve, o barramento da corrente quando em
polarizao invertida.

7. REFERNCIAS

BOYLESTAD,Robert;NASHELSKY,Louis.Dispositivoseletrnicoseteoriade
circuitos.

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MSPC, Informaes Tcnicas http://www.mspc.eng.br/eletrn/semic_210.shtml.


Acessoem14demarode2017.
Mundo educao - http://mundoeducacao.bol.uol.com.br/fisica/diodo-
semicondutor.htm. Acessoem14demarode2017.

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