TRANSISTOR BIPOLAR

1 - A Revoluo

Com o passar dos anos, a indstria dos dispositivos semicondutores foi

crescendo e desenvolvendo componentes e circuitos cada vez mais
complexos, a base de diodos. Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de
pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por
trs camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um
dispositivo com duas junes. O dispositivo recebeu o nome de TRANSISTOR.

O impacto do transistor, na eletrnica, foi grande, j que a sua capacidade de

amplificar sinais eltricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito
menor e consumindo muito menos energia, substitusse as vlvulas na maioria
das aplicaes eletrnicas. O transistor contribuiu para todas as invenes
relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto - eletrnicos e
microprocessadores. Praticamente todos os equipamentos eletrnicos
projetados hoje em dia usam componentes semicondutores.

As vantagens sobre as difundidas vlvulas eram bastantes significativas, tais

como:

Menor tamanho
Muito mais leve
No precisava de filamento
Mais resistente
Mais eficiente, pois dissipa menos potncia
No necessita de tempo de aquecimento
Menores tenses de alimentao.

Hoje em dia as vlvulas ainda sobrevivem em alguns nichos de aplicaes e

devido ao romantismo de alguns usurios.

2. O TransistorBipolar

O principio do transistor poder controlar a corrente. Ele montado numa

estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de
cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto,
que controla a passagem de corrente entre as outras duas. Cada uma dessas
camadas recebe um nome em relao sua funo na operao do transistor,
As extremidades so chamadas de emissor e coletor, e a camada central
chamada de base. Os aspectos construtivos simplificados e os smbolos
eltricos dos transistores so mostrados na figura abaixo. Observe que h duas
possibilidade de implementao.

1
O transistor da esquerda chamado de NPN e o outro de PNP.

O transistor hermeticamente fechado em um encapsulamento plstico ou

metlico de acordo com as suas propriedades eltricas

2.1 - Caractersticas Construtivas

O emissor fortemente dopado, com grande nmero de portadores de carga.

O nome emissor vem da propriedade de emitir portadores de carga.

A base tem uma dopagem mdia e muito fina, no conseguindo absorver

todos os portadores emitidos pelo emissor

O coletor tem uma dopagem leve e a maior das camadas, sendo o

responsvel pela coleta dos portadores vindos do emissor.

Da mesma forma que nos diodos, so formadas barreiras de potencial nas

junes das camadas P e N.

O comportamento bsico dos transistores em circuitos eletrnicos fazer o

controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor atravs da base.
Para isto necessrio polarizar corretamente as junes do transistor.

3. Funcionamento

Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-

coletor, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

Fig. 1 Polarizao de um transistor

2
 Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de
coletor IC e vice-versa.
A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma
pequena variao de IB provoca uma grande variao de IC, Isto significa
que a variao de corrente de coletor um reflexo amplificado da
variao da corrente na base.
O fato do transistor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que
ele seja considerado um dispositivo ativo.

Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente pode ser expresso

matematicamente pela relao entre a variao de corrente do coletor e a
variao da corrente de base , isto :

IC
= (1)
IB

3.1 - Tenses e Correntes nos Transistores NPN e PNP

Fig.2 Transistores NPN e PNP

Aplicando as leis de Kirchoff obtemos:

IE = IC + IB

NPN: VCE = VBE + VCB (2.1)

PNP: VEC = VEB + VBC (2.2)

4 - Classificao dos Transistores

Os primeiros transistores eram dispositivos simples destinados a operarem

apenas com correntes de baixa intensidade, sendo, portanto, quase todos
iguais nas principais caractersticas. Com o passar dos anos, ocorreram muitos
aperfeioamentos nos processos de fabricao que levaram os fabricantes a
produzirem transistores capazes de operar no s com pequenas correntes

3
mas tambm com correntes elevadas, o mesmo acontecendo com s tenses
e at mesmo com a velocidade.

O estudo das caractersticas principais efetuado por famlias (grupo de

transistores com caractersticas semelhantes), que so:

Pequenos Sinais

Baixas frequncias

Uso Correntes IC entre 20 e 500mA

Geral
Tenso mxima entre 10 e 80 V

Frequncia de transio entre 1 Hz e 200 MHz

Correntes elevadas

Potncia Baixas frequncias

Correntes IC inferior a 15A

Frequncia de transio entre 100 kHz e 40 MHz

Uso de radiadores de calor

Pequenos sinais

RF Frequncia elevada

Correntes IC inferior a 200mA

Tenso mxima entre 10 e 30V;

Frequncia de transio em 1,5 GHz

4
5 - Configuraes Bsicas

Os transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: Base

Comum (BC), Emissor comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo
comum significa que o terminal comum a entrada e a sada do circuito.

Fig. 3 Configuraes de transistor

5.1 - Configurao BC

Ganho de tenso elevado

Ganho de corrente menor que 1
Ganho de potncia intermedirio
Impedncia de entrada baixa
Impedncia de sada alta
No ocorre inverso de fase

5.2 - Configurao CC

Ganho de tenso menor que 1

Ganho de corrente elevado;
Ganho de potncia intermedirio
Impedncia de entrada alta
Impedncia de sada baixa
No ocorre a inverso de fase.

5.3 Configurao EC

Ganho de tenso elevado

Ganho de corrente elevado
Ganho de potncia elevado
Impedncia de entrada baixa
Impedncia de sada alta
Ocorre a inverso de fase.

Esta configurao a mais utilizada em circuitos transistorizados. Por isso, os

diversos parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos tm
como referncia a configurao de emissor comum.

5
Podemos trabalhar com a chamada curva caracterstica de entrada. Nesta
curva, para cada valor constante de VCE, variando-se a tenso de entrada VBE,
obtm-se uma corrente de entrada IB, resultando num grfico com o seguinte
aspeto.

Fig. 4 Configurao de entrada

Observa-se que possvel controlar a corrente de base, variando-se a tenso

entre a base e o emissor.

Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada

VCE, obtm-se uma corrente de sada IC, cujo grfico tem o seguinte aspeto.

Fig. 5 Configurao de sada.

Atravs desta curva, podemos definir trs estados do transistor, o CORTE, a

SATURAO e a DATIVA

CORTE: IC = 0
SATURAO: VCE = 0
ATIVA: Regio entre o corte e a saturao.

Para a configurao EC a relao entre a corrente de sada e a corrente de

entrada determina o ganho de corrente denominado de ou hFE (razo de
transferncia direta de corrente)

6
 IC
=
IB

O ganho de corrente b no constante, valores tpicos so de 50 a 900.

Exemplo 1

Dadas as curvas caractersticas de entrada e sada de um transistor NPN,

determine:

a) A corrente na base para VBE=0,8

b) O ganho de corrente

c) Um novo ganho de corrente , caso a corrente IB dobre de

valor.

6 - Os Limites dos Transistores

Os transistores, como quaisquer outros dispositivos tm suas limitaes

(valores mximos de alguns parmetros) que devem ser respeitadas, para
evitar que os mesmos se danifiquem. Os manuais tcnicos fornecem pelo
menos quatro parmetros que possuem valores mximos:

Tenso mxima de coletor - VCEMAX

7
 Corrente mxima de coletor - ICMAX
Potncia mxima de coletor - PCMAX
Tenso de ruptura das junes

Na configurao EC, PCMAX = VCEMAX.ICMAX

Exemplos de parmetros de transistores comuns.

Tipo Polaridade VCEMAX ICMAX

(V) (mA)
BC 548 NPN 45 100 125 a 900
2N2222 NPN 30 800 100 a 300
TIP31A NPN 60 3000 20 a 50
2N3055 NPN 80 15000 20 a 50
BC559 PNP -30 -200 125 a 900
BFX29 PNP -60 -600 50 a 125

7 Transistor como chave

A utilizao do transistor nos seus estados de SATURAO e CORTE, isto ,

de modo que ele ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o
coletor, ou desligue sem conduzir corrente alguma conhecido como operao
como chave.

A figura abaixo mostra um exemplo disso, em que ligar a chave S1 e fazer

circular uma corrente pela base do transistor, ele satura e acende a lmpada. a
resistncia ligada a base calculado, de forma que, a corrente multiplicada
pelo ganho d um valor maior do que o necessrio o circuito do coletor, no
caso, a lmpada.

BD139

Fig 7.1 Transistor controlando um rel Fig. 7.2 Viso de um rel

8
Veja que temos aplicada uma tenso positiva num transistor NPN, para que ele
sature e uma tenso negativa, para o caso de transistores PNP, conforme
mostra a figura abaixo.

Fig. 8 Chave transistorizada com transistor PNP

8 - Exerccio

1. Quais as vantagens dos transistores em relao as vlvulas?

2. Quais as relaes entre as dopagens e as dimenses no emissor,
coletor e base de um transistor?
3. Para o funcionamento de um transistor, como devem estar polarizadas
suas junes?
4. Quais as relaes entre as correntes e tenses num transistor NPN e
PNP?
5. Explique por que o ganho de corrente na configurao BC menor que
1.
6. Explique por que o ganho de corrente na configurao EC muito maior
que 1.
7. Explique por que o ganho de tenso na configurao CC menor que 1.
8. Quais os trs estados do transistor quais so as suas caractersticas.

9 - Polarizao de Transistores

9.1 - Ponto de Operao (Quiescente)

Os transistores so utilizados como elementos de amplificao de corrente e

tenso, ou como elementos de controle ON-OFF. Tanto para estas como para
outras aplicaes, o transistor deve estar polarizado corretamente.

Polarizar um transistor fix-lo num ponto de operao em corrente contnua,

dentro de suas curvas caractersticas.

Tambm chamado de polarizao DC, este ponto de operao (ou quiescente)

pode estar localizado nas regies de corte, saturao ou altiva da curva
caracterstica de sada.

Os pontos QA, QB e QC da figura a seguir caracterizam as trs regies citadas.

QA: Regio ativa

QB: Regio de saturao

9
QC: Regio de corte

9.2 - Reta de carga

A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pontos de operao possveis
para uma determinada polarizao.

Podemos defini-la a partir de dois pontos conhecidos.

9.3 - Circuitos de Polarizao EC

Nesta configurao, a juno base-emissor polarizada diretamente e a juno

base-coletor reversamente. Para isso, utilizam-se duas baterias e duas
resistncias para limitar as correntes e fixar o ponto de operao.

Fig. 9 Polarizao do transistor

Anlise da malha de entrada: RB.IB + VBE = VBB. Logo, IB dado por:

VBB VBE
IB = e IC = .IB
RB

10
 VCE = VCC IC.RC

Exemplo2 : anlise da figura 6.

A corrente de base :

12 0,7
IB = = 11,3 x 10-4 A = 1,13 mA
10000

Supondo-se um ganho = 100, tem-se:

IC = 100x1,13mA = 113 mA

Suficiente para acender a lmpada.

Exemplo 3

Para a figura 9 considere RB = 200K, RC = 3K, = 100 e VBE = 0,7V. VBB = 5V

e VCC = 10V.

Determine as correntes de base IB e de coletor IC e a tenso coletor-emissor

VCE.

Soluo:

VBB VBE 5 0,7

IB = = = 0,0215 mA
RB 200.000

IC = xIB = 100x0,086 ma = 2,15mA

VCE = VCC ICXRC = 10 2,15mAx3,0K = 3,55 V

VCE = VCC+ VBE => VCB = 3,55 0,7 = 2,85

Assim, a juno coletor (N) est num potencial maior que a base (P). Portanto,
a juno coletor-emissor est reversamente polarizada, o que caracteriza um
transistor na regio ativa, ou seja, que est amplificando.

Mas, em ltima anlise, basta ver que a tenso coletor-emissor maior que
0,2V.

11
Exemplo 4

Suponha agora a figura abaixo com tudo igual ao exemplo 3 acrescentando-se

RE = 2K

Fig. 10 Polarizao do transistor com resistncia de emissor.

Pela figura,

VBB = IBxRB + VBE + IExRE = IBxRB + VBE + (IC + IB) xRE

= IBxRB + VBE + (xIB + IB) xRE = IBxRB + VBE + IBx( + 1) xRE

VBB VBE 5 0,7

IB = IB = = 0,017 mA
R B + (1 + )R E 200K + (1 + 100) x 2K

IC = x IB = 100 x 0,017 = 1,7mA

Por outro lado,

VCC = IC x RC + VCE + RE x IE

Com IE IC (porque?), tem-se:

VCE = 10 1,7mAx3K - 1,7mAx2K = 4,65V

Bem maior que 0,2V. Bem maior, portanto que 0,2V, continuando o transistor
na regio ativa.

Refaa os exerccios 3 e 4 trocando RB = 200K por RB = 50K. O que aconteceu

com VCE?

12
9.3.1 - Circuito de polarizao com corrente de base constante

Para eliminar a fonte de alimentao da base VBB, pode-se utilizar somente a

fonte VCC.

Fig. 11- Circuito de polarizao de transitor

Para garantir as tenses corretas para o funcionamento do transistor RB deve

ser maior que RC.

Equaes:

VCC VBE VCC VCE

IB = e IC =
RB RC

Neste circuito, como VCC e RB so valores constantes, e VBE praticamente no

varia, a variao da corrente de base desprezvel. Por isso este circuito
chamado de polarizao EC com corrente de base constante.

Exemplo 5:

Dado um transistor com =200 e uma fonte de 12V, determinar as

resistncias de polarizao (valores comerciais) para o ponto de operao
VCEQ=VCC/2, ICQ = 15mA e VBEQ=0,7V na figura 11.

Soluo:

VCC VCEQ 12 6
RC = = = 400
I CQ 15mA

VCC VBE
RB = IBQ = ICQ/ = 15mA/200 = 0,075mA
I BQ

12 0,7
RB = = 151 K
0,075mA

13
OBS.: Este circuito de polarizao apresentado bastante sensvel a variaes
de temperatura e do do transistor. Por seu ponto de operao ser bastante
instvel, o seu uso restrito ao funcionamento como chave eletrnica.

9.3.2 - Influncia da temperatura

Nos transistores a temperatura afeta basicamente os parmetros , VBE e a

corrente de fuga.

A variao de VBE desprezvel, porm a corrente de fuga e o ganho podem

ter variaes acentuadas, ocasionando variaes na corrente de coletor, sem
que haja variaes na corrente de base, deixando o circuito instvel.

9.3.3 - Circuito de Polarizao com corrente de Emissor constante.

Neste circuito de polarizao inserido uma resistncia RE entre o emissor e a

fonte de alimentao.

Fig. 12- Circuito de polarizao com resistncia de emissor

A idia compensar possveis variaes de ganho devido a mudanas de

temperatura.

Se houver um aumento de ganho, haver aumento de IC, com aumento de VRC

e de VRE e diminuio de VCE. Mas devido ao aumento de VRE a corrente de
base diminui, induzindo IC a uma estabilizao.

Perceba que no circuito anterior esta variao de ganho levaria a um aumento

de IC e diminuio de VCE tirando o transistor de seu ponto de operao
original.

A resposta dada por RE para o aumento de IC, chama-se de realimentao

negativa e garante a estabilidade do ponto de operao.

Equaes:

14
 VCC VBE I E R E VCC VCE I E R E
RB = RC =
IB IC

Como temos trs incgnitas (RB, RC e IB), e apenas duas equaes, temos
que arbitrar um dos valores. Neste caso, adotamos VRE = IE.RE = VCC / 10, de
modo que o resto da tenso seja utilizada pela sada do circuito (IC x RC).

Exemplo 6

Dado um transistor com =250 e uma fonte de 20V, determinar as resistncias

de polarizao (valores comerciais) para o ponto de operao VCEQ=VCC/2, ICQ
= 100mA e VBEQ=0,7V

Resposta:

Primeiro se determina RC:

VCC VCEQ I E R E 20 10 2
RC = = = 80
I CQ 100mA

IBq = 100mA/250 = 0,4mA

VCC VBE I E R E 20 0,7 2

RB = = = 47K
I BQ 0,4mA

VEQ 2V
RE = = = 20
IC 0,1A

Exemplo 7

Para o circuito da figura abaixo, considere = 100. Calcule a IC.

15
 Soluo:

Ver exemplo 4

9.3.4 - Circuito de Polarizao com Divisor de Tenso

Uma outra forma de solucionar o problema da instabilidade com a temperatura

o circuito de polarizao mostrado na figura abaixo.

9.3.5 - Determinao do Ponto de Operao a Partir dos Valores das

Resistncias.

At agora realizamos a sntese de circuitos, isto , calculamos os valores das

resistncias para os valores especificados de tenso e corrente.

Podemos, tambm, a partir das resistncias determinarmos o ponto de

operao analiticamente ou graficamente. Isto a anlise do circuito.

Caso o circuito utiliza divisor de tenso podemos utilizar o teorema de Thvenin

para reduzir para a forma abaixo.

16
Onde:

(VTH VBE ) x VTH VBE

IC = IBx =
R TH + (1 + )R E R E + R TH /

VTH VBE
IC IE se RE>>RTH/
RE

Graficamente temos que ter acesso a curva caracterstica de sada do

transistor. Traando a reta de carga sobre a curva encontramos o ponto de
operao.

Exemplo 8

Determinar IC e VCE para o circuito abaixo. VBE = 0,7V

VTH = 3,85V; RTH = RB1//RB2 = 0,87K = 870. Supondo-se um 100,

tem-se:

3,85V 0,7V
IC IE = = 4,2mA
750

VC = VCC ICxRC = 30 (4,2mA)x(3K) = 17,4 V

VE = IE x RE = (4,2mA)xRE = 3,15V; VCE = VC VE = 17,4 3,15 = 14,3V

17
Problema:

Um circuito integrado fornece na sada no mximo 5mA. Para acender um LED

de alto brilho precisa-se de pelo menos 20mA. Para isso, usa-se um transistor
para amplificar a corrente. Quando o nvel de tenso de sada do CI for 0V, o
transistor no conduz. Logo, a corrente no LED zero e o LED no acende.
Quando a voltagem 5V, a corrente no LED (coletor) deve ser 20mA, com o
transistor saturado (VCE = 0,2V). A tenso de conduo do LED 2,2V

Quais os valores mnimos que RC e RB devero ter? Considere = 100.

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