UNIVERSIDADE FEDERAL DO VALE DO SO FRANCISCO

CAMPUS JUAZEIRO BA
COLEGIADO ACADMICO DE ENGENHARIA ELTRICA
LABORATRIO DE ELETRNICA INDUSTRIAL

4 EXPERIMENTO: MOSFET

Aluno:
Paulo Victor Silva Dantas

Juazeiro
2017
MOSFET

Trabalho do curso de Engenharia Eltrica,

apresentado Universidade Federal do Vale
do So Francisco- UNIVASF, como requisito
parcial para a obteno de conceito na
disciplina de Laboratrio de Eletrnica
Industrial.

Professor: Jos Amrico Moura

Juazeiro
2017
OBJETIVO

O experimento consiste em verificar o comportamento do dispositivo MOSFET

com ajuda de um dissipador de calor em laboratrio e compar-lo com resultados
elencados na literatura.

FUNDAMENTAO TERICA

O MOSFET (Transistor de efeito de campo metal- xido-semicondutor) um

transistor de trs camadas que pode ser tipo canal N ou canal P e tem como
caractersticas: alta impedncia de entrada, na ordem de 104 , alta frequncia de
chaveamento em torno de centenas kHz, utilizado em aplicaes de baixa potncia, na
ordem de dezenas de watts, possui uma baixa resistncia trmica RDS(ON) abaixo de 1
e seu funcionamento pode ser controlado totalmente atravs de aplicao de tenses
positivas (VGS) na porta. A figura 01 mostra o desenho do MOSFET modelo IRF 540
tipo canal N, o qual foi utilizado no experimento. Pode-se observar na figura 02 que ele
tem trs terminais, a saber: G(porta), S(fonte) e D(dreno) e um diodo de retorno, onde a
fonte responsvel por fornecer os eltrons livres, o dreno por drenar os eltrons e a
porta por controlar a largura do canal, ou seja, o fluxo dos eltrons entre a fonte e o
dreno e o diodo pela proteo contra tenses reversas.

Figura01- Desenho do modelo IRF540.

Figura02- Smbolo do MOSFET tipo canal N.

Seu funcionamento se d de maneira que o terminal do dreno ligado carga e

quando a tenso no dreno supera levemente a da fonte ele fica apto para conduzir,
apenas esperando que um sinal de tenso adequado seja aplicado na porta G. Dessa
forma como a tenso VDS (dreno-fonte) muito pequena, ele opera na regio conhecida
como regio de corte ou estado desligado do MOSFET at alcanar a indesejada tenso
de ruptura BVDSS ou exceder a tenso limiar VTH, que geralmente entre 2 e 4V. No
momento em que a tenso VDS for maior que VTH, o dispositivo passa para o estado
ligado podendo funcionar nas regies conhecidas como ativa ou no-saturada a
depender do valor de VGS que est sendo aplicado. As regies de maior interesse em
aplicaes industriais so a de corte e a no-saturada, pois assim ele pode operar como
chave liga desliga. A figura abaixo ilustra as regies de operao[1]:

Figura03- Curva caracterstica de um MOSFET de potncia.

PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL E RESULTADOS

Para o experimento foi utilizado um dispositivo modelo IRF 540, uma placa de
alumnio utilizada como dissipador de calor, um cooler de PC, um termmetro digital
comum e duas fontes CC pertencente ao laboratrio de eletrnica da Univasf de
Juazeiro- BA. Os instrumentos foram montados sob a bancada para a verificao do
comportamento do dispositivo.
Primeiramente fixou- se adequadamente o MOSFET no dissipador de calor em
seguida conectou o termmetro ao dissipador e os terminais transistor s fontes de
alimentao conforme figuras 04 e 05.

Figura 04- Equipamentos utilizados no experimento.

 Figura05- Circuito com o MOSFET e duas fontes variveis.

Com o circuito montado iniciou-se o experimento incrementando os valores de

VDS a partir do zero at o limite de variao da corrente ID que a fonte 02 ligada nos
terminais do dreno propiciou e ento anotou-se os valores da corrente e temperatura
para cada valor fixo de VGS. Foi verificado o desempenho do dispositivo para seis
valores diferentes de VGS como mostra o grfico abaixo:

Grfico1- Curva caracterstica ID x VDS para valores fixos de VGS.

 Pode constatar que o traados das curvas encontradas no grfico 1 est em
consonncia com a figura 03. Pode-se observar que para a tenso VGS de 4 V, o
transistor encontra-se na regio de corte quando comparado com grfico abaixo
extrado do datasheet do instrumento. Ainda nota-se que o MOSFET passa a conduzir
efetivamente para os valores acima de 4 V. Para valores de 4,5 5 V ele encontra-se na
regio de operao ativa e acima de 5V na regio no-saturada. Verifica-se ainda que
em comparao ao grfico do datasheet que as correntes adquiridas no ensaio ID so
bem menores, devido as condies impostas ao elemento como: limitao de potencia
da fonte 02 que limitou a 3 A, temperatura do ambiente, e arranjo de dissipao de
calor.

Grafico2- Curva caracterstica ID x VDS para valores fixos de VGS 25C.

O grafico3 ilustra a curva da corrente do dreno ID versus a temperatura para cada

valor de VGS fixo. Como o transistor possui coeficiente de temperatura positivo de
RDS(ON) espera se que para altos valores de corrente ID e de tenso VDS o dispositivo
dissipe maior potncia em forma de calor conforme equaes abaixo:

() = ()
= () 2
 Grfico3- Curva da corrente do dreno ID versus a temperatura para valorres fixos de
VGS.

Devido ao fato de que os valores colhidos da temperatura a cada incremento de

VDS no terem sido em tempo real, o grfico 03 no pode ser validado, pois a constante
de tempo do ciclo de leitura do termmetro foi bem maior que a do incremento dos
valores da tenso VDS, logo foram colhidos antes do momento correto. Pde-se observar
durante o experimento a diferena notvel do valor da temperatura do dispositivo
quando acoplado ao arranjo de dissipao de calor em relao a operao isolado.

CONCLUSO

Pode-se concluir que apesar das condies em que o transistor foi exposto e da
limitao de potncia dos instrumentos de alimentao de energia, comprovou-se que o
comportamento de operao est de acordo com a teoria vista em sala de aula.
BIBLIOGRAFIA
[1] A. Asfaq, Eletrnica de potncia I. Vol. 1; So Paulo: Pearson Prentice Hall,2000.