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Proteo e seletividade
Captulo XIII
Proteo de Bancos
de Capacitores Shunt
Por Cludio Mardegan*
A utilizao de bancos de capacitores em sistemas
eltricos industriais tem crescido ultimamente devido
ao fato de se constituir uma forma simples, prtica e
econmica de corrigir o fator de potncia. Entretanto, a
sua aplicao necessita de certos cuidados, pois podem
ocorrer alguns efeitos colaterais. Alguns cuidados e
ateno devem ser tomados, entre outros, quando se
chaveia um banco. Um disjuntor pode interromper vrios
kAs de corrente indutiva, mas suportar uma corrente
capacitiva de apenas algumas centenas de ampres.
Normas e guias
Existem vrias normas e guias para a proteo de
capacitores, entre as quais podem ser citadas:
IEEE Std C37.99-2002 Guide for protection of shunt
capacitors banks
IEEE Std 18-2002 Shunt Power Capacitors
Figura 1 Conexes mais usuais de banco de capacitores.
IEC 831-1 1988 Shunt Power Capacitors of the self
healing type for a.c. systems having a rated voltage up
to and including 660 V
ABNT NBR 5282 JUN 1998 Capacitores de
potncia em derivao para sistemas de tenso acima
de 1000 V Especificao
Tipos de conexes dos bancos de
capacitores Shunt
Os bancos de capacitores shunt trifsicos so
comumente conectados em uma das seguintes formas:
Delta
Estrela no aterrada
Estrela aterrada
Dupla estrela no aterrada
Dupla estrela aterrada
necessrio lembrar que quando os bancos de
capacitores ficam com potncia acima de 3.100 kVAr,
prtica utilizar as conexes em dupla estrela no aterrada
e com neutros interligados. H tambm a possibilidade
de utilizar os bancos na configurao H.
Ultimamente, encontram-se no mercado fornecedores
de bancos em que os capacitores suportam mais do que
10% de sobretenso. Dessa forma recomenda-se sempre
consultar os respectivos fabricantes dos equipamentos.
Principais protees de um banco de
capacitores
As protees mais usuais de um banco de
capacitores podem ser resumidas em:
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De sobrecorrente para falta na barra e/ou circuito do banco;

De sobrecorrente para faltas nas unidades do banco;
De sobretenso permanentes nas unidades restantes devido
falha de unidades individuais;
De sobretenso na barra do banco de capacitores;
De surto de tenso do sistema;
Descarga de corrente de unidades paralelas;
De corrente inrush devido ao chaveamento;
De arcos sobre a estrutura do capacitor;

Corrente inrush
Na energizao de um banco de capacitores, ocorre um
transitrio eletromagntico que se traduz pelo aumento dos valores
de corrente e de frequncia. Os valores atingidos nesse transitrio
e sua durao dependem do instante em que est passando a
tenso, da capacitncia, da indutncia do circuito, da carga inicial
do capacitor no instante da energizao e dos amortecimentos
promovidos pelas resistncias do circuito.

Observaes importantes sobre a corrente inrush de banco de

capacitores:

Quando o banco de capacitores est descarregado, sua

impedncia praticamente nula e assim os valores de corrente
podem atingir valores expressivos.
Quando existe um banco nico na barra, a corrente inrush
deste banco menor que a corrente de curto-circuito no ponto de
instalao do banco de capacitores.
Quando um capacitor chaveado, estando um outro j
energizado na mesma barra (conhecido como chaveamento back
to back), as correntes de energizao tendem a ser ainda maiores,
considerando que a contribuio de corrente do banco j conectado
na barra limitada apenas pela indutncia dos capacitores e dos
barramentos.
Quando um banco chaveado back to back, a corrente inrush
poder exceder o valor da corrente de curto-circuito no ponto onde
est o banco de capacitores.
Normalmente a corrente inrush mxima suportada por um banco
de capacitores de 100xIn. Deve-se consultar sempre o fabricante
e tambm verificar qual a norma de fabricao do capacitor para
certificar este valor.
A forma de onda no senoidal e aparece uma onda de alta
frequncia sobreposta senide da onda de tenso.
A durao do transitrio normalmente varia da ordem de uma
frao de ciclo a alguns ciclos da frequncia do sistema.

A Figura 2 apresenta o grfico de uma simulao feita do

chaveamento de um banco de 30 MVAr em 69 kV, atravs de um
programa de transitrios eletromagnticos.
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Do circuito da Figura 4 pode-se dizer que, a partir do

Proteo e seletividade

fechamento da chave, uma corrente i(t) ir circular e, pela Lei de

Kirchoff, das tenses pode-se tirar:

Equao 1

Como se pode observar, a soluo no domnio do tempo acaba

ficando um pouco complexa e o que se faz passar para o domnio
da frequncia atravs das transformadas de Laplace que transforma
as equaes diferenciais em equaes algbricas como segue:

Equao 2

Figura 2 Chaveamento de capacitor de 30 MVAr em 69 kV single na barra.

Corrente = 4074,5 Ap e frequncia = 528,8 Hz.
Isolando-se o valor da corrente I(s) na Equao 2, tem-se:

A Figura 3 apresenta o grfico de uma simulao feita, por meio

de um programa de transitrios eletromagnticos, do chaveamento
de um segundo banco de capacitores de 30 MVAr em 69 kV,
estando j energizado na mesma barra um banco de 30 MVAr.
Equao 3
Aplicando-se a antitransformada de Laplace, fica:

Equao 4
Chamando-se de:

Equao 5

Aplicando a Equao 5 na 4, tem-se:

Figura 3 Chaveamento de capacitor de 30 MVAr em 69 kV back to back, Equao 6

estando um banco de capacitores tambm de 30 MVAr j energizado na
barra. Corrente = 9431,8 Ap e frequncia = 2341,9 Hz.
Aplicando-se a Equao 5 em 6 e, manipulando, fica:
Como pode ser observado nas simulaes, o valor da corrente
inicialmente muito alto, porm o valor cai abruptamente e em
torno de 100 ms praticamente j atingiu o valor de regime.

Equao 7
(a) Valor da corrente inrush
(a1) Chaveamento nico (banco singelo) Equao 8

A Figura 4 mostra o modelo de circuito representativo de um

capacitor singelo sendo chaveado na barra.
Equao 9

Equao 10

Equao 11

A frequncia de chaveamento do banco simples dada pela

Equao 5, a qual pode ser expressa em Hz e em H e F, conforme
Figura 4 Circuito equivalente de um banco de capacitores sendo
chaveado. mostrado na Equao 9.
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30

A tabela a seguir apresenta a indutncia tpica dos bancos

Proteo e seletividade

Equao 12 e dos barramentos.

Tabela 1 Indutncia tpica de barramentos e bancos

(a2) Chaveamento de mais de um banco na barra (banco
Tenso Indutncia da barra Indutncia tpica dos capacitores
de mltiplos estgios)
[kV] [mH/m] [mF]
Ao chavear um banco (ou um novo estgio de um mesmo < 15.5 0,7021 5
banco), havendo outro j energizado na barra, praticamente, a 38 0,7808 5
nica impedncia que ir limitar o chaveamento ser a impedncia 48.3 0,8399 10
dada pela indutncia entre os bancos (visto que esta muito 72.5 0,8399 10

menor que a indutncia da rede). Dessa maneira, a corrente de 121.0 0,8563 10

145.0 0,8563 10
chaveamento que aparece atinge valores elevados. A Figura 5 traz
169.0 0,8793 10
o circuito representativo desta situao.
242.0 0,935 10

Ao manipular a Equao 13, chega-se ento Equao 14.

Equao 14

Em que:
kVFF = Tenso entre fases do banco em kV;
Leq = Indutncia equivalente entre os bancos em micro-henries
[H];
I1, I2 = Corrente nominal dos bancos j energizado (banco 1) e do
banco chaveado (2) em [A].

A frequncia de chaveamento deste banco mltiplo dada pela

Equao 15.
Equao 15

A Equao 16 expressa a frequncia em Hertz e L em H.

Equao 16

Os valores de corrente de chaveamento, frequncia e os

respectivos tempos de durao do inrush podem ser utilizados
no programa ATP (Alternative Transient Program). As frequncias
de chaveamento de banco so da ordem de kHz e a durao do
Figura 5 Circuito equivalente do chaveamento de um banco mltiplo
na barra. transitrio de chaveamento de alguns semiciclos da frequncia
de chaveamento.
A Figura 5(a) mostra o banco sendo chaveado. A Figura 5(b)
mostra a associao equivalente da indutncia e a Figura 5(c)
Pontos a serem protegidos
o equivalente final. Analisando ainda a Figura 5(c), vemos que
Os capacitores, assim como os motores eltricos, constituem
corresponde Figura 4. Logo, a Equao 8 pode ser aplicada, a
equipamentos muitos sensveis, como pode ser visto pelas
qual, na condio de valor mximo, corresponde ao seno igual
prescries normativas de projeto das normas IEEE Std 18 e C37.99.
a 1, cujo resultado aplicado Equao 13.
Os capacitores podem:

Equao 13 Operar permanentemente com 110% de Vn (incluindo-se

sobretenses harmnicas);
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Operar at 180% de In (incluindo a fundamental e as harmnicas);
Operar no mximo a 115% kVAr nominal para a fundamental;
Operar permanentemente com 135% dos kVAr nominais (desde
que no exceda a 110% Vn).
Nota: Deve-se sempre consultar o fabricante para verificar as
condies de suportabilidade do respectivo banco.
(a) Pick up da unidade temporizada
Deve ser escolhido em funo da norma em que o capacitor
foi fabricado. Normalmente deve ser ajustado entre 1.2 e 1.35 x In.
Valor sugerido: 1.2. Embora a corrente permissvel possa ser maior
(por exemplo 8 x In ANSI), a limitao imposta pela potncia.
(b) Temporizao da unidade
No deve atuar para a corrente de energizao do banco.
Assim, seu ajuste deve ficar acima do Ponto (Inrush [A]; 0.1 s),
embora, parte das vezes este transitrio pode durar menos que 100
ms para o valor da corrente inrush.
(c) Pick up da unidade instantnea
Deve ser ajustada para 110% do valor da corrente de
energizao.
(d) Resumo dos critrios de proteo
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Para proteo de um capacitor ou banco, deve-se prever a
limitao da:
Sobretenso em 10%;
Sobrecorrente de 130% a 135% (Conforme norma de fabricao).
Ajustes recomendados:
Pick up sobrecorrente: 1,2 x In
Temporizao da unidade temporizada: acima do ponto (0.1 s;
Inrush)
Instantneo: > 1,1 x Inrush
Bancos em dupla estrela
Bancos em mdia e alta tenses normalmente so conectados
em dupla estrela, pois, dessa forma, podem ser utilizados
capacitores de menor isolao, implicando menor custo. A estrela
normalmente isolada, porm, interligada e, nessa interligao,
instalado um rel que consegue identificar desequilbrios de
corrente que surgem em funo da queima de algum fusvel de
alguma lata (unidade) de capacitor.
Assim, deve-se promover o ajuste deste rel, montando uma tabela,
excluindo lata por lata (unidade por unidade), de modo que a
tenso fique abaixo de 110%, limite mximo normalizado para a
fabricao dos capacitores.
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Apresenta-se a seguir as principais equaes para banco dupla

Proteo e seletividade

estrela. Equao 25

Tenso remanescente nas unidades restantes do Equao 26

grupo e corrente de desequilbrio no neutro de
bancos dupla-estrela (d) Corrente de falta com uma unidade curto-circuitada
Apresenta-se a seguir a Equao 34 para o clculo corrente de
(a) Tenso no restante do grupo
falta na fase, para um banco em dupla estrela.
A Equao 17 apresenta o clculo da sobretenso das unidades
restantes de um grupo.
Equao 27

Equao 17

Equao 28

(b) Corrente de desequilbrio

A Equao 18 traz o clculo da corrente de desequilbrio no neutro
da dupla estrela na sada (queima de fusveis) de um grupo. Equao 29

Equao 30
Equao 18

Equao 31
Em que:

Equao 32
P = Nmero de unidades em paralelo por grupo
S = Nmero de grupos srie por perna
F = Nmero de fusveis queimados Equao 33

(c) Tenso remanescente em cada grupo srie com o

grupo em falta Equao 34
A Equao 26 apresenta o clculo da tenso remanescente em
cada grupo srie com o grupo em falta para um banco em dupla
estrela. Para se determinar a corrente de falta no grupo curto-circuitado,
utiliza-se a Equao 35.

Equao 19 Equao 35

Em que:
Equao 20
IN = Corrente nominal do capacitor.

(e) Nmero mnimo de unidades por grupo para uma

Equao 21 sobrenteso de 10%
Na equao seguinte, determinado o nmero mnimo de unidades
por grupo para uma sobretenso de 10%.

Equao 22
Equao 36

Equao 37
Equao 23
Equao 38

Equao 24 Equao 39
 Apoio
34

Exemplo 1 O valor da corrente inrush calculado como segue:

Proteo e seletividade

Dado um banco de capacitores de 3600 kVAr, instalado em

13.8 kV, em um local em que o nvel de curto-circuito de 8519
A. A caracterstica do banco apresentada a seguir. Pede-se para
ajustar as protees do banco. A durao 0.1 s. Assim, a temporizao do rel deve ficar
acima deste tempo, ou seja, 0.15 s. Escolhendo uma caracterstica
Conexo: dupla estrela no aterrada muito inversa, fica:
kVAr de 1 unidade = 200
Nmero de grupos srie por fase (S) = 1

Nmero de unidades em paralelo por grupo (P) = 3

kVn 1 unidade = 7,967 A unidade instantnea tem que ser ajustada 10% acima do valor
TC de fase = 400-5 A da corrente inrush:
TC do neutro da dupla estrela = 15-5 A

Soluo

....
O clculo a seguir mostra a sobretenso nas unidades restantes.
Do grupo, quando so retiradas unidades e a corrente de
.... desequilbrio no neutro, sabe-se que a sobretenso das unidades
restantes do grupo e a corrente de desequelbrio no neutro da dupla
estrela so dadas por:
 Apoio
35

Com nenhuma unidade retirada (F=0), para P=3 e S=1, fica: 10% de sobretenso. Neste caso, com uma unidade retirada, d-se
o alarme e, com duas, d-se o trip.

Ajuste da unidade de alarme

Com uma unidade retirada (F=1), para P=3 e S=1, fica:

....
Ajuste da unidade de trip

....

Com duas unidades retiradas (F=2), para P=3 e S=1, fica:

Nota: O valor de 0.9 utilizado para garantir que, mesmo com
.... subtenso na barra, a proteo ir operar adequadamente.

....
*CLUDIO MARDEGAN engenheiro eletricista formado pela Escola
Federal de Engenharia de Itajub (atualmente Unifei). Trabalhou como
A tabela a seguir resume o exposto: engenheiro de estudos e desenvolveu softwares de curto-circuito,
load flow e seletividade na plataforma do AutoCad. Alm disso, tem
N de Tenso nas Tenso nas Tenso nas Corrente no experincia na rea de projetos, engenharia de campo, montagem,
manuteno, comissionamento e start up. Em 1995 fundou a empresa
unidades unidades unidades restantes unidades restantes neutro da dupla
EngePower Engenharia e Comrcio Ltda, especializada em engenharia
retiradas restantes (pu) (kVsistema) (pu - kVBanco) estrela (A)
eltrica, benchmark e em estudos eltricos no Brasil, na qual atualmente
0 1,000 7,967 1,000 0,00 scio diretor. O material apresentado nestes fascculos colecionveis
1 1,059 8,436 1,059 13,29 uma sntese de parte de um livro que est para ser publicado pelo autor,
2 1,125 8,963 1,125 28,24 resultado de 30 anos de trabalho.
3 1,200 9,561 1,200 45,18
CONTINUA NA PRXIMA EDIO
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