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FACULDADE de Engenharia de Ilha Solteira - Departamento de Engenharia Eltrica

Circuitos Digitais II - Profa. Suely C. A. Mantovani - 1o.sem/2011

Memrias ROM
1-Introduo
Rom (Read-Only Memories) memria de apenas leitura a semicondutor,
que armazena informao em caratr permanente.
Durante sua operao normal nenhum dado pode ser escrito na ROM, ou seja,
utilizada somente para leitura dos dados que foram armazenados previamente.
Para alguns tipos de ROM os dados so gravados durante o processo de
fabricao enquanto que, para outros, os dados so gravados eletricamente.
O processo de gravao de dados em uma ROM denominado programao ou
queima. Algumas ROMs no podem ter seus dados alterados, enquanto que outras
podem ter seus dados apagados e regravados.
As ROMs so no volteis e por isso so empregadas para guardar dados que
no mudaro durante a operao de um sistema, uma vez que, aps cessada a
alimentao eltrica os dados no se perdem.
Aplicada no armazenamento de programas de sistemas operacionais em
computadores e outros sistemas digitais (eletrodomsticos, sistema de segurana, caixa
eletrnico), Circuitos Geradores de Caracteres e pode ser empregada na construo de
um circuito combinacional qualquer.
Simbologia (mais comun):

Figura 1- Smbolo ROM

Uma ROM pode ser implementada como um circuito combinacional, conforme


ilustra a figura 2, abaixo:

1
Figura 2- Circuito Combinacional ROM

Na realidade trata-se de um circuito combinacional codificador onde E0 a E2 so


as entradas. Essas entradas combinadas equivalem ao endereo e , na sada tm-se a
palavra S0 aS4.
Por exemplo: para o endereo 100, a palavra na sada seria 10111.
importante notar que no codificador somente uma das entradas pode ser levada
a nvel lgico 1 de cada vez, o que limita uma ROM feita com codificadores.

Outra alternativa utilizar um decodificador e um codificador, para implementar


uma ROM, conforme mostra a figura 3. Podemos atravs das combinaes de entrada
estabelecer uma sada, onde neste caso, as entradas podero estar todas submetidas a
nvel 1.

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Figura 3- Estrutura Geral para uma ROM combinacional

A vantagem deste circuito o aumento na capacidade de armazenamento, para um


nmero de linhas de endereamento mais reduzido. Para n linhas de endereamento
haver 2n entradas no codificador e consequentemente 2n palavras.
Com base no decodificador e codificador, podemos projetar uma memria ROM ,
conforme a tabela 1, mostrada na fig.4:

Tabela 1

3
Figura 4- ROM combinacional

ROM (Read Only Memory) uma memria somente de leitura , ou seja, os dados so
armazenados no processo de fabricao, no permitindo nova gravao. Em
computadores antigos a ROM continha a programao (BIOS-Basic Input Output
System) que permite a inicializao de um computador

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2-Estrutura Geral e Organizao de uma Mmria
A Arquitetura bsica utilizada para ROM nos processos de fabricao dos
circuitos integrados atuais mostrada na figura 5.

Figura 5 Arquitetura Interna das Memrias ROM

Bloco decodificador de endereos um gerador de produtos cannicos e ativa uma linha por
vez, de acordo com o endereamento . Na figura 5a tem-se um exemplo para o
decodificador de endereos, usando portas lgicas ANDs.

Figura 5a Bloco decodificador de endereos Gerador de produtos cannicos de 2 bits


constituido por portas AND e INVERSOR
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Matriz de dados arranjo de linhas e colunas que atravs de um elo de ligao possibilita a
gravao dos dados pelo fabricante e consequente leiutura pelo usurio. Na prtica, esses elos
so elementos semicondutores (diodos ou transistores) que se constituem na estrutura de dados
propriamente ditos.

Figura 5b- ROM Mscara com diodo substituindo o codificador na fig.4-Matriz de


dados com diodo

ROM 4X4

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Figura 6b Estrutura interna de uma Mask-ROM bipolar

Chaves de sada- conjunto de chaves (buffers) que so habilitadas atravs do terminal


CS (chip select). A conexo feita em nvel 0 ( 1 fica em alta impedncia)

A chave (buffer) de sada normalmente habilitada em nvel 0:

Figura 7 Mecanismo de acionamento de sada das memrias

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PROM ( Programmable Read-only Memory) uma ROM que fornecida virgem para
o comprador(fig.8). Para a gravao de dados na PROM deve ser usado um
equipamento especial. A gravao feita de uma s vez , para toda a capacidade da
PROM, e uma vez realizada , no pode ser desfeita. A gravao feita atravs da
circulao de uma corrente eltrica que rompe o fusvel onde se deseja armazenar o
nvel lgico 0.

Figura 8-Uma memria PROM com diodo , desprogramada (virgem)

EPROM

1-Introduo

(Erasable Programmable ROM - ROM Apagvel e Programvel) foi


inventada pelo engenheiro Dov Frohman.

Uma EPROM, ou erasable programmable read-only memory, um tipo de


dispositivo de memria de computador no-voltil , isto , mantm seus dados quando
a energia desligada. Uma EPROM programada por um dispositivo eletrnico que
fornece tenses maiores do que as usadas normalmente na alimentao do dispositivo.
Uma vez programada, uma EPROM pode ser apagada apenas por exposio a uma forte
luz ultravioleta (comprimento de onda entre 0,2 a 0,4 microns). EPROMs so

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facilmente reconhecveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de
silcio pode ser visto (Fig.9), e por onde passa luz ultravioleta durante o apagamento.

Fig. 9. EPROMS e a pequena janela de quartzo para a passagem da luz ultravioleta durante o
apagamento.

Uma EPROM programada mantm seus dados por mais de vinte anos e pode ser
lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser mantida coberta para evitar
apagamento acidental pela luz do sol. Antigos chips de BIOS (Basic Input/Output
Systems) de PC usavam EPROMs, e a janela de apagamento era frequentemente
coberta com um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS, a reviso da BIOS, e
um aviso de copyright (Fig.10a).

Figura 9a .Microcontrolador 8749 que armazena seu programa em uma EPROM.

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Figura 10- a) EPROM ;b) Apagador de EPROM
Antes da era da memria flash, alguns microcontroladores(fig.9a) frequentemente,
usavam EPROM para armazenar seus programas. Este procedimento til para
desenvolvimentos de projetos, possibilitanto que os dispositivos programveis sejam
programados vrias vezes, facilitanto a depurao do projeto.
Para se programar uma EPROM, necessrio utilizar um equipamento conhecido
como Programador (fig.10.b), que encontrado em empresas epecializadas ou pode-se
fazer um programador do tipo caseiro.
Existem EPROMs em vrios tamanhos (fsicos) e de capacidade de
armazenamento, ver tabela 2:
Tabela 2- Memrias EPROMs comerciais

Tamanho - Tamanho - Tamanho ltimo endereo


Tipo de EPROM
bits bytes (hex) (hex)

2716, 27C16 16 kbit 2KBytes 800 007FF

2732, 27C32 32 kbit 4KBytes 1000 00FFF

2764, 27C64 64 kbit 8KBytes 2000 01FFF

27128, 27C128 128 kbit 16KBytes 4000 03FFF

27256, 27C256 256 kbit 32KBytes 8000 07FFF

27512, 27C512 512 kbit 64KBytes 10000 0FFFF

27C010, 27C100 1Mbit 128KBytes 20000 1FFFF

27C020 2 Mbit 256 kbytes 40000 3FFFF

27C040 4 Mbit 512 kbyte 80000 7FFFF

NOTA: As sries de EPROMs 27x contendo um C no nome so baseadas em CMOS,


sem o C so NMOS

2- Clulas de Armazenamento

Na figura11 mostra-se uma clula de uma EPROM. As clulas de armazenamento


em uma EPROM so transistor MOS com porta de silcio sem conexo (flutuante). No
estado normal, o transistor est desligado e a clula armazena 1 lgico. O transistor
pode ser ligado aplicando um pulso de tenso que injeta eltrons de alta energia na

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regio da porta flutuante. Estes eltrons ficam presos, pois no h caminho de fuga.

Figura11- Seo transversal de uma clula de uma EPROM NMOS

Uma EPROM pode ser programada pelo usurio e tambm pode ser apagada e
reprogramada quantas vezes desejar. O processo de programar uma EPROM consiste
em aplicar tenses especiais (10 a 24V) nos pinos apropriados, durante um certo tempo
(50ms por locao).
Uma EPROM pode ser apagada se for exposta a luz ultravioleta, que produzir
uma corrente da porta flutuante para o substrato, removendo as cargas e desligando o
transistor, e restaurando o 1 lgico. Este processo deve gastar entre 15 e 30 minutos,
dependendo da memria e intensidade de luz, e apagar toda a memria.

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O estado da arte das EPROMs usam variantes de clulas de memria cuja a seo
transversal mostrada na figura 12.a, Sua clula basicamente um MOSFET canal n
com dois gates feitos de polisilcio. Observe que um dos gates no eletricamente
conectado em qualquer parte do circuito; deixado flutuante , por isso o nome .

Fig.12.(a)-Seo transversal. (b) smbolo do circuito para o transistor de gate flutuante


usado como uma clula EPROM.

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Fig. 13-Ilustrando o deslocamento da caracterstica iD - vGS no transistor de gate
flutuante como resultado da programao.

Fig. 14-Transistor de gate flutuante durante a programao.

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OPERAO

Antes de a clula ser programada, nenhuma carga existe no gate flutuante e o


dispositivo opera como um MOSFET regular canal n. Veja caracterstica iD - vGS na
figura 13 a.
Note que neste caso a tenso de limiar (Vt) preferencialmente baixa. Este estado
conhecido como no programado (armazena 1).
Programando o Tr. de gate flutuante- aplicada uma grande tenso (16-20V)
entre o dreno (drain) e a fonte (source) . Simultaneamente uma grande tenso
(cerca de 25 V ) , aplicada no select gate . Mostra-se na fig.14 o MOSFET
canal n gate flutuante durante a programao.
Quando a clula est programada as caractersticas iD - vGS obedecem a fig.13 b e
a clula dita ter armazenado 0.
A carga negativa armazenada no gate flutuante repele os eltrons da superfcie
do substrato. Isto implica que para formar um canal, a tenso positiva que tem que ser
aplicada ao select gate , deve ser maior que a necessria quando o gate flutuante no
est carregado, ou seja , uma vez programado este dispositivo retm( aproximadamente
100 anos) esta caracterstica (curva b) mesmo que a alimentao seja retirada .

Lendo o contedo da clula EPROM- aplicada no select gate , uma tenso VGS
qualquer (entre os valores Vt alto e baixo) . Com isso, um dispositivo
programado (que armazenou 0) no ir conduzir, mas o dispositivo no
programado ir conduzir (armazenou 1).

Desprogramar - a carga armazenada no gate flutuante deve retornar ao substrato


(apagada). O processo de apagar realizado atravs de exposio da clula
(janela de quartzo) a luz ultravioleta no comprimento de onda correto (2537 A0 )
por uma durao especfica. A luz ultra violeta fornece suficiente energia para
os ftons que esto presos, permitindo superar a barreira de energia e ento
serem transportados atravs do xido, de volta ao substrato.

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3- CMOS EPROM AM27C64

A AM27C64 uma memria s de leitura apagvel por luz ultravioleta e


programvel. organizada como 8K palavras de 8-bits. Segue na figura 15, o diagrama
de blocos da AM27C64.

Figura 15-Organizao interna da memria EPROM AM27C64

EEPROM

Uma EEPROM (de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory)


um chip de armazenamento no-voltil usado em computadores e outros aparelhos.
Ao contrrio de uma EPROM, uma EEPROM pode ser programada e apagada
vrias vezes, eletricamente e ainda isoladamente por palavras de dados (bytes
individuais) sem necessidade de reprogramao total. Este fato faz com que as
alteraes sejam efetuadas pelo prprio sistema no qual a memria esteja inserida.
Pode ser lida um nmero ilimitado de vezes, mas s pode ser apagada e
programada um nmero limitado de vezes, que variam entre as 100.000 e 1 milho. A
memria flash uma variao moderna da EEPROM, mas existe na indstria uma
conveno para reservar o termo EEPROM para as memrias de escrita bit a bit, no
incluindo as memrias de escrita bloco a bloco, como as memrias flash. As EEPROM
necessitam de maior rea que as memrias flash, porque cada clula geralmente
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necessita de um transstor de leitura e outro de escrita, ao passo que as clulas da
memria flash s necessitam de um.

Dispositivos da srie MAX7000S como o EPM7128SLC84-7 de mdia


densidade, tem internamente elementos de uma EEPROM .Este dispositivo apresenta as
seguintes caractersticas:

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier )-package de 84 pinos;


128 macroclulas onde cada macroclula tem um array de AND programvel/OR
fixa;registrador reconfigurvel com clock independente programvel, clock
enable, clear e funes preset.
Capacidade de 2500 gates;
Arquitetura simples, ideal para projetos introdutrios, funes lgicas
combinatoriais e sequenciais;
Tenso de alimentao de 5,0 e 3,3V;
Reprogramvel no sistema;
Compatvel PCI2;
Apresenta alta velocidade (tp=5ns)

2
Barramento PCI (Peripheral Component Interconnect) surgiu no incio de 1990(Intel). Tem
como caractersticas a capacidade de transferir dados a 32 bits e clock de 33 MHz,
especificaes estas que tornaram o padro capaz de transmitir dados a uma taxa de at 132 MB
por segundo. Os slots PCI so menores que os slots ISA(Industry Standard Architecture) padro
anterior a este, assim como os seus dispositivos.

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Memria Flash
1-Introduo

As memrias Flash (Flash EEProm) foram uma resposta da indstria s memrias


EPROM e EEPROM, que oferecem as vantagens destas memrias sem o alto custo,
apresentando as seguintes caractersticas:

No-Voltil
Apagvel e escrita feitos eletricamente como as EEPROMS
Apagvel eletricamente total ou por setor, no circuito
Grande Densidade
Alta Velocidade de Acesso (igual a EPROM e a EEPROMs)
Baixo custo

A Memria Flash uma memria de computador do tipo EEPROM que permite


que mltiplos endereos sejam apagados ou escritos numa s operao. Trata-se de um
dispositivo reprogramvel e ao contrrio de uma RAM, preserva o seu contedo sem a
necessidade de fonte de alimentao. Esta memria comumente usada em cartes de
memria drives flash, USB e em iPod .
Tambm vem sendo chamada de disco slido pelas suas perspectivas de uso, no
somente devido a sua maior resistncia quando comparada aos discos rgidos atuais,
mais por apresentar menor consumo, maiores taxas de transferncia, latncias e peso
muito mais baixos. Chega a utilizar apenas 5% dos recursos normalmente empregados
na alimentao de discos rgidos. Utilizada em notebooks.

2. A Clula

A clula de uma memria Flash semelhante clula de uma EPROM, e


constituda por um nico transistor. Na memria Flash, uma fina camada de xido de
silcio forma a porta (gate) do transistor, permitindo apagar eletricamente a memria e

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uma maior densidade que as EEPROMs, com um custo menor. A Figura 16 compara
os dois tipos de clulas de memria, onde a camada de xido entre a porta e o substrato
na clula Flash 100 Angstroms, aproximadamente, e na EPROM maior que 150
Angstroms.

Figura 16- Clula Flash e Clula EPROM

2.1 Operao de escrita / leitura/Apagamento

Na operao de escrita, uma alta tenso de programao (VPP=12 Volts)


aplicada na porta de controle (Control Gate), a tenso no dreno (Drain) aumentada
para 6 Volts enquanto a tenso na fonte (Source) permanece em 0 Volts. Isto forma
uma regio reversa, crescendo a corrente dreno-fonte, provocando um aumento na
energia dos eltrons que vencem a barreira de xido e so capturados pela porta
flutuante (floating gate) Fig.17.

Figura 17 - Clula Flash - Operao de Escrita

Depois da escrita ser concluda, uma carga negativa na porta flutuante aumenta
a tenso de limiar (Vt) da clula acima da tenso equivalente a 1 lgico da linha de

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seleo de palavra (worldline). Quando a linha de seleo de palavra de uma clula
escrita levada ao nvel lgico 1 durante uma leitura, a clula no conduzir. Um
amplificador sensor detecta e amplifica a corrente da clula, e fornece uma sada 0
para uma clula escrita.

Para apagar o contedo de uma clula Flash, a tenso de fonte (Source)


colocada em VPP=12 Volts, a port (Control Gate) de controle aterrada e o dreno
(Drain) fica flutuando ( Fig. 18).Devido a grande tenso aplicada na fonte (em relao
tenso na porta), h uma atrao dos eltrons negativamente carregados da porta
flutuante para a fonte atravs da fina camada de xido.

Figura 18- Clula Flash - Operao de Apagar

Depois da operao de apagar ser completada, a ausncia de cargas na porta


flutuante baixa a tenso Vt da clula para um valor abaixo da tenso equivalente a 1
lgico da linha de seleo de palavra (worldline). Quando uma clula apagada tem a
linha de seleo de palavra (wordline) colocada no nvel lgico 1 durante uma leitura,
o transistor conduzir mais corrente que uma clula escrita, fornecendo sada lgica 1.

3- Circuito Integrado (CI) - Memria Flash CMOS A28F256A

mostrado na figura 19, o smbolo lgico para o CI da memria Flash, CMOS


A28F256A (DIP-dual-in-line), da Intel , cuja capacidade 32K X 8-palavrasXbits.

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Figura19- Pinagem do dispositivo 28F256A

As funes executadas por cada pino do diagrama acima esto indicadas na tabela 3.

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Tabela 3-Pinagem e funo dos pinos.

Diagrama Funcional ou diagrama de blocos para a memria Flash


A28F256A (Fig. 20 ).

Todas as operaes associadas com alteraes no contedo da memria -


identificador inteligente, apagar, verificao de apagar, programar e verificao de
programa - so acessadas atravs do registrador de comando, interno memria.

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Figura20- Diagrama de blocos para a memria Flash A28F256A.

As operaes de leitura, escrita e 'standby' so controladas pelas entradas de


controle WE#, CE# e OE#. A tabela 4 mostra resumidamente o que acontece com os
pinos de dados DQ0 a DQ7 para diferentes nveis das entradas de controle. Na tabela 5
tm-se as informaes completas da operao, dadas pelo fabricante.

Tabela 4 - Da Operao
Input Output
Modo CE OE WE Dados

READ LOW LOW HIGH DATA OUT


WRITE* LOW HIGH LOW DATA IN
STANDBY HIGH X X HIGH-Z

*Note: se VPP6,5V a operao de escrita no pode ser executada. Isto assegura memria
Flash um comportamento de ROM. Em outra palavras, se a tenso VPP for menor que 6,5Volts,
o registrador de comando vai para 00H e a memria entra no modo de somente leitura

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Tabela 5- Memria Flash A28F256A-operao

O Registrador de Comando usado para gerenciar todas as funes do


dispositivo, como :
Apagar;
Apagar e Verificar;
Programar ;
Verificar programa;

Para que a memria realize qualquer uma das operaes listadas na tabela 5
necessrio alterar o contedo do registrador de comando da memria. As operaes
da memria so selecionadas aplicando um tenso maior que 6,5V no pino VPP , em
seguida, escreve-se uma palavra de dados especfica no registrador de comandos. A
tabela 6 mostra as definies para cada comando.Veja que alguns comandos precisam
de dois ciclos de clock.

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Tabela 6- Definies dos comandos -memria Flash A28F256A

4-Resumo Comparativo entre as ROMs


Tabela 7-

Observaes finais: H uma certa padronizao/compatibilidade das pastilhas


UVEPROM dos diversos fabricantes. Para as memrias flash, entretanto, a preocupao
com compatibilidade no visvel.
A2
*
A1

5-Aplicaes
Computadores Notebook e Pessoais

(PDAs) -Personal Digital Assistants


Cameras Digital
Global Positioning Systems (GPS)
Telefones Celulares
24
Instruments musical Electronics : MP3 players

A memria Flash tambm usada em muitas aplicaes industriais onde so


necessrios a confiabilidade e a reteno de dados na situao de power -off , tais como:
Sistemas de segurana
Sistemas Militares
Embedded computers
Produtos de Comunicao e Rede
Dispositivos de comunicao Wireless
Produtos Mdicos

Carto de memria

Carto de memria ou carto de memria flash um dispositivo de


armazenamento de dados com memria flash utilizado em videogames, cmeras
digitais, telefones celulares, palms/PDAs, MP3 players, computadores e outros
aparelhos eletrnicos. Podem ser regravados vrias vezes, no necessitam de
eletricidade para manter os dados armazenados, so portteis e suportam condies de
uso e armazenamento mais rigorosos que outros dispositivos baseados em peas
mveis.

Figura 21- Modelos de cartes de memria.Em sentido horrio a partir do topo, CompactFlash,
xD-Picture Card, MultiMediaCard e Secure Digital Card.

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Com advento dos jogos distribudos em discos ticos, os consoles de video game
adotaram como soluo de armazenamento de dados os cartes de memria, conhecidos
como memory cards apesar de ter sido adotado tambm no console NeoGeo em 1990
para troca de dados entre as verses domstica e arcade.

(a)
(b)

Figura 22- (a) Visual Memory Unit para Dreamcast. (b) Memory Card para PlayStation

Personal digital assistants (PDAs ou Handhelds), ou Assistente Pessoal Digital,


um computador (pocket pc) de dimenses reduzidas, dotado de grande capacidade
computacional, cumprindo as funes de agenda e sistema informtico de escritrio
elementar, com possibilidade de interconexo com um computador pessoal e uma rede
informtica sem fios - wi-fi - para acesso a correio electrnico e internet. Os PDAs
atuais possuem grande quantidade de memria e diversos softwares para vrias reas de
interesse.

Os modelos mais sofisticados possuem modem (para acesso internet), cmera


digital acoplada (para fotos e filmagens), tela colorida, rede sem fio embutida. Os PDAs
antigos guardam das agendas eletrnicas somente as dimenses, pois sua utilidade e
aplicabilidade esto se aproximando cada vez mais rapidamente dos computadores de
mesa.

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Figura 23-Um exemplo de PDA
USB Flashdisk

Memria USB Flash Drive, tambm designada como Pen Drive (fig.24 e 25),
um dispositivo de armazenamento constitudo por uma memria flash tendo uma
semelhana de um isqueiro ou chaveiro e uma ligao USB tipo A, permitindo a sua
conexo a uma porta USB de um computador. Uma vez encaixado na porta USB, o
Flash Drive aparece como um disco removvel, similar a um disco rgido ou disquete.
As capacidades de armazenamento so 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB
a 64 GB. A velocidade de transferncia de dados pode variar dependendo do tipo de
entrada:
USB 1.1: 1,5 a 12 Mbits/s;
USB 2.0: Apesar do USB 2.0 poder transferir dados at 480 Mbit/s, as flash drives
esto limitadas pela largura de banda da memria nelas contida, com uma velocidade
mxima real de, aproximadamente, 100 Mbits/s.

Em condies ideais as memrias flash podem armazenar informao durante 10 anos.


Alguns fabricantes de memrias flash : Imation, Kingston, Corsair, SanDisk, HP, Sony,
Markvision, Extralife , LG e Toshiba.

(a)
(b)

Figura 24- (a) Memria USB Flash Drive. (b) Pen Drive da Toshiba, de 1 GB

27
Figura25- Aparncia interna do USB Flash
Drive

Em computadores com sistema operacional Windows XP ou com as verses


recentes do Linux ou MacOS, os flash drives so reconhecidos automaticamente como
dispositivos de armazenamento removvel. Em sistemas operacionais mais antigos
(como o Windows 98) necessrio instalar um pacote de software denominado "device
driver", especfico para o dispositivo utilizado, que permite ao sistema operacional
reconhec-lo. H alguns "device drivers" anunciados como genricos ou universais para
Windows 98, mas nem sempre funcionam perfeitamente com qualquer dispositivo.
Alguns modelos podem reproduzir msica MP3 e sintonizar FM. Em
contrapartida, so um pouco mais caros, volumosos e pesados ( por causa do peso da
pilha), e utilizam uma pilha interna (geralmente no tamanho de uma pilha AAA ).

Componentes essenciais de uma drive flash

Conector USB macho do tipo A Interface com o computador


Controlador USB Mass Storage Acesso memria flash
NAND flash Armazena a informao
Oscilador de cristal Produz um sinal de relgio com 12 MHz, que usado para
ler ou enviar dados a cada pulso

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Componentes opcionais

Alguns drivers podem tambm incluir:


Jumpers e pinos de teste Para testes durante a sua produo
LEDs Que indicam quando se est lendo ou escrevendo no drive
Interruptor de modo de escrita Para que no se possa apagar algo do dispositivo
Reconhecedor de inpresso digital - Para que nenhuma pessoa no autorizada
utilize o dispositivo .

Figura 26- Componentes internos de um pen drive tpico. (Na foto um da marca Seite USB1.1)

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1 Conector USB

2 Dispositivo de controle de armazenamento USB

3 Pontos de teste

4 Chip de memria flash

5 Cristal oscilador

6 LED

7 Chave de proteo contra gravao

8 Espao para um chip de memria flash adicional

5-Tecnologias flash NAND e NOR

A memria Flash por ser no-voltil, mesmo se o dispositivo removido de uma

cmera digital, as fotografias permanecem salvas no dispositivo flash. Por esta


habilidade a Flash aplicada em cmeras digitais, telefones celulares, PDAs e outros
dispositivos transportveis.
As duas tecnologias principais de memria Flash so: NOR e NAND. Cada uma
delas tem vantagens que as tornam ideais para diversos tipos de aplicaes, conforme
resumido na tabela 8:
Tabela 8- Tecnologias da Flash

*para sistema operacional


** para armazenamento de dados
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MEMRIA FLASH NOR
A NOR, uma abreviao da tecnologia de mapeamento de dados especficos (Not
OR), uma tecnologia Flash de alta velocidade. A memria Flash NOR fornece
capacidade de acesso aleatrio de alta velocidade, sendo capaz de ler e gravar dados em
locais especficos da memria sem ter de acess-la no modo seqencial. Diferentemente
da Flash NAND, a Flash NOR permite a recuperao de dados to pequenos quanto um
nico byte. A Flash NOR destaca-se em aplicaes nas quais os dados so recuperados
ou gravados aleatoriamente. A NOR normalmente incorporada em telefones celulares
(para armazenamento de sistema operacional destes) e PDAs, e tambm usada em
computadores para armazenar o programa BIOS executado para fornecer a
funcionalidade de inicializao.

MEMRIA FLASH NAND


A Flash NAND foi inventada depois da Flash NOR e recebeu esse nome graas
tecnologia de mapeamento especfico usada para dados (Not AND). A memria Flash
NAND l e grava em alta velocidade, no modo seqencial, e trata dos dados em
pequenos blocos (pginas). A Flash NAND pode recuperar ou gravar dados como
pginas simples, mas no pode recuperar bytes individuais como a Flash NOR.
A memria Flash NAND normalmente encontrada em unidades de disco em
estado slido, em dispositivos de mdia Flash de udio e vdeo, em set-top boxes para
televiso, em cmeras digitais, telefones celulares (para armazenamento de dados) e em
outros dispositivos nos quais os dados so geralmente gravados ou lidos em ordem
seqencial. Por exemplo, a maioria das cmeras digitais usa filme digital baseado em
Flash NAND, j que as fotos geralmente so tiradas e armazenadas seqencialmente. A
Flash NAND tambm mais eficiente na releitura das fotos, pois transfere pginas
inteiras de dados com muita rapidez. Por ser uma mdia de armazenamento seqencial, a
Flash NAND ideal para armazenar dado.
A memria Flash NAND mais acessvel do que a memria Flash NOR e tem mais
capacidade de armazenamento em um molde com o mesmo tamanho.
A memria Flash que armazena um nico bit por clula (por exemplo, o valor de 0 ou
1) conhecida como Flash SLC (Single-Level Cell).
As memrias flash acrescentam reprogramabilidade e apagamento eltrico do chip
EPROM no voltil e facilidade de uso. A memria flash ideal para armazenar
cdigos de programas e/ou tabelas de dados, em aplicaes onde atualizaes peridicas
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so necessrias. As memrias flash tambm servem como um meio de aquisio e
armazenamento no voltil de dados.
Com apagamento e reprogramao eltricos, a memria flash pode ser soldada na
placa do circuito. Os cdigos de teste so carregados na memria flash quando esta
montada na placa do circuito. Ento, o cdigo final pode ser carregado no dispositivo. A
programao da memria flash no circuito elimina manuseios desnecessrios e
conexes menos confiveis em soquetes, enquanto acrescenta maior flexibilidade de
teste.
Projetar com memrias flash alterveis no circuito elimina memrias em soquetes,
reduz o custo total de material e corta drasticamente os custos de trabalho associados
com atualizaes de cdigos. Com memrias flash, atualizaes de cdigos so feitas
localmente atravs de um conector, ou remotamente por meio de uma comunicao
serial.

Referncias
http://www.gdhpress.com.br/hardware/leia/index.php?p=cap4-13

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