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Memrias ROM
1-Introduo
Rom (Read-Only Memories) memria de apenas leitura a semicondutor,
que armazena informao em caratr permanente.
Durante sua operao normal nenhum dado pode ser escrito na ROM, ou seja,
utilizada somente para leitura dos dados que foram armazenados previamente.
Para alguns tipos de ROM os dados so gravados durante o processo de
fabricao enquanto que, para outros, os dados so gravados eletricamente.
O processo de gravao de dados em uma ROM denominado programao ou
queima. Algumas ROMs no podem ter seus dados alterados, enquanto que outras
podem ter seus dados apagados e regravados.
As ROMs so no volteis e por isso so empregadas para guardar dados que
no mudaro durante a operao de um sistema, uma vez que, aps cessada a
alimentao eltrica os dados no se perdem.
Aplicada no armazenamento de programas de sistemas operacionais em
computadores e outros sistemas digitais (eletrodomsticos, sistema de segurana, caixa
eletrnico), Circuitos Geradores de Caracteres e pode ser empregada na construo de
um circuito combinacional qualquer.
Simbologia (mais comun):
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Figura 2- Circuito Combinacional ROM
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Figura 3- Estrutura Geral para uma ROM combinacional
Tabela 1
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Figura 4- ROM combinacional
ROM (Read Only Memory) uma memria somente de leitura , ou seja, os dados so
armazenados no processo de fabricao, no permitindo nova gravao. Em
computadores antigos a ROM continha a programao (BIOS-Basic Input Output
System) que permite a inicializao de um computador
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2-Estrutura Geral e Organizao de uma Mmria
A Arquitetura bsica utilizada para ROM nos processos de fabricao dos
circuitos integrados atuais mostrada na figura 5.
Bloco decodificador de endereos um gerador de produtos cannicos e ativa uma linha por
vez, de acordo com o endereamento . Na figura 5a tem-se um exemplo para o
decodificador de endereos, usando portas lgicas ANDs.
ROM 4X4
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Figura 6b Estrutura interna de uma Mask-ROM bipolar
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PROM ( Programmable Read-only Memory) uma ROM que fornecida virgem para
o comprador(fig.8). Para a gravao de dados na PROM deve ser usado um
equipamento especial. A gravao feita de uma s vez , para toda a capacidade da
PROM, e uma vez realizada , no pode ser desfeita. A gravao feita atravs da
circulao de uma corrente eltrica que rompe o fusvel onde se deseja armazenar o
nvel lgico 0.
EPROM
1-Introduo
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facilmente reconhecveis pela janela transparente no topo do pacote, pela qual o chip de
silcio pode ser visto (Fig.9), e por onde passa luz ultravioleta durante o apagamento.
Fig. 9. EPROMS e a pequena janela de quartzo para a passagem da luz ultravioleta durante o
apagamento.
Uma EPROM programada mantm seus dados por mais de vinte anos e pode ser
lida ilimitadas vezes. A janela de apagamento tem que ser mantida coberta para evitar
apagamento acidental pela luz do sol. Antigos chips de BIOS (Basic Input/Output
Systems) de PC usavam EPROMs, e a janela de apagamento era frequentemente
coberta com um adesivo contendo o nome do produtor da BIOS, a reviso da BIOS, e
um aviso de copyright (Fig.10a).
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Figura 10- a) EPROM ;b) Apagador de EPROM
Antes da era da memria flash, alguns microcontroladores(fig.9a) frequentemente,
usavam EPROM para armazenar seus programas. Este procedimento til para
desenvolvimentos de projetos, possibilitanto que os dispositivos programveis sejam
programados vrias vezes, facilitanto a depurao do projeto.
Para se programar uma EPROM, necessrio utilizar um equipamento conhecido
como Programador (fig.10.b), que encontrado em empresas epecializadas ou pode-se
fazer um programador do tipo caseiro.
Existem EPROMs em vrios tamanhos (fsicos) e de capacidade de
armazenamento, ver tabela 2:
Tabela 2- Memrias EPROMs comerciais
2- Clulas de Armazenamento
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regio da porta flutuante. Estes eltrons ficam presos, pois no h caminho de fuga.
Uma EPROM pode ser programada pelo usurio e tambm pode ser apagada e
reprogramada quantas vezes desejar. O processo de programar uma EPROM consiste
em aplicar tenses especiais (10 a 24V) nos pinos apropriados, durante um certo tempo
(50ms por locao).
Uma EPROM pode ser apagada se for exposta a luz ultravioleta, que produzir
uma corrente da porta flutuante para o substrato, removendo as cargas e desligando o
transistor, e restaurando o 1 lgico. Este processo deve gastar entre 15 e 30 minutos,
dependendo da memria e intensidade de luz, e apagar toda a memria.
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O estado da arte das EPROMs usam variantes de clulas de memria cuja a seo
transversal mostrada na figura 12.a, Sua clula basicamente um MOSFET canal n
com dois gates feitos de polisilcio. Observe que um dos gates no eletricamente
conectado em qualquer parte do circuito; deixado flutuante , por isso o nome .
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Fig. 13-Ilustrando o deslocamento da caracterstica iD - vGS no transistor de gate
flutuante como resultado da programao.
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OPERAO
Lendo o contedo da clula EPROM- aplicada no select gate , uma tenso VGS
qualquer (entre os valores Vt alto e baixo) . Com isso, um dispositivo
programado (que armazenou 0) no ir conduzir, mas o dispositivo no
programado ir conduzir (armazenou 1).
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3- CMOS EPROM AM27C64
EEPROM
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Barramento PCI (Peripheral Component Interconnect) surgiu no incio de 1990(Intel). Tem
como caractersticas a capacidade de transferir dados a 32 bits e clock de 33 MHz,
especificaes estas que tornaram o padro capaz de transmitir dados a uma taxa de at 132 MB
por segundo. Os slots PCI so menores que os slots ISA(Industry Standard Architecture) padro
anterior a este, assim como os seus dispositivos.
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Memria Flash
1-Introduo
No-Voltil
Apagvel e escrita feitos eletricamente como as EEPROMS
Apagvel eletricamente total ou por setor, no circuito
Grande Densidade
Alta Velocidade de Acesso (igual a EPROM e a EEPROMs)
Baixo custo
2. A Clula
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uma maior densidade que as EEPROMs, com um custo menor. A Figura 16 compara
os dois tipos de clulas de memria, onde a camada de xido entre a porta e o substrato
na clula Flash 100 Angstroms, aproximadamente, e na EPROM maior que 150
Angstroms.
Depois da escrita ser concluda, uma carga negativa na porta flutuante aumenta
a tenso de limiar (Vt) da clula acima da tenso equivalente a 1 lgico da linha de
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seleo de palavra (worldline). Quando a linha de seleo de palavra de uma clula
escrita levada ao nvel lgico 1 durante uma leitura, a clula no conduzir. Um
amplificador sensor detecta e amplifica a corrente da clula, e fornece uma sada 0
para uma clula escrita.
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Figura19- Pinagem do dispositivo 28F256A
As funes executadas por cada pino do diagrama acima esto indicadas na tabela 3.
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Tabela 3-Pinagem e funo dos pinos.
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Figura20- Diagrama de blocos para a memria Flash A28F256A.
Tabela 4 - Da Operao
Input Output
Modo CE OE WE Dados
*Note: se VPP6,5V a operao de escrita no pode ser executada. Isto assegura memria
Flash um comportamento de ROM. Em outra palavras, se a tenso VPP for menor que 6,5Volts,
o registrador de comando vai para 00H e a memria entra no modo de somente leitura
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Tabela 5- Memria Flash A28F256A-operao
Para que a memria realize qualquer uma das operaes listadas na tabela 5
necessrio alterar o contedo do registrador de comando da memria. As operaes
da memria so selecionadas aplicando um tenso maior que 6,5V no pino VPP , em
seguida, escreve-se uma palavra de dados especfica no registrador de comandos. A
tabela 6 mostra as definies para cada comando.Veja que alguns comandos precisam
de dois ciclos de clock.
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Tabela 6- Definies dos comandos -memria Flash A28F256A
5-Aplicaes
Computadores Notebook e Pessoais
Carto de memria
Figura 21- Modelos de cartes de memria.Em sentido horrio a partir do topo, CompactFlash,
xD-Picture Card, MultiMediaCard e Secure Digital Card.
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Com advento dos jogos distribudos em discos ticos, os consoles de video game
adotaram como soluo de armazenamento de dados os cartes de memria, conhecidos
como memory cards apesar de ter sido adotado tambm no console NeoGeo em 1990
para troca de dados entre as verses domstica e arcade.
(a)
(b)
Figura 22- (a) Visual Memory Unit para Dreamcast. (b) Memory Card para PlayStation
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Figura 23-Um exemplo de PDA
USB Flashdisk
Memria USB Flash Drive, tambm designada como Pen Drive (fig.24 e 25),
um dispositivo de armazenamento constitudo por uma memria flash tendo uma
semelhana de um isqueiro ou chaveiro e uma ligao USB tipo A, permitindo a sua
conexo a uma porta USB de um computador. Uma vez encaixado na porta USB, o
Flash Drive aparece como um disco removvel, similar a um disco rgido ou disquete.
As capacidades de armazenamento so 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1 GB
a 64 GB. A velocidade de transferncia de dados pode variar dependendo do tipo de
entrada:
USB 1.1: 1,5 a 12 Mbits/s;
USB 2.0: Apesar do USB 2.0 poder transferir dados at 480 Mbit/s, as flash drives
esto limitadas pela largura de banda da memria nelas contida, com uma velocidade
mxima real de, aproximadamente, 100 Mbits/s.
(a)
(b)
Figura 24- (a) Memria USB Flash Drive. (b) Pen Drive da Toshiba, de 1 GB
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Figura25- Aparncia interna do USB Flash
Drive
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Componentes opcionais
Figura 26- Componentes internos de um pen drive tpico. (Na foto um da marca Seite USB1.1)
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1 Conector USB
3 Pontos de teste
5 Cristal oscilador
6 LED
Referncias
http://www.gdhpress.com.br/hardware/leia/index.php?p=cap4-13
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