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Radiao Trmica
Fsica Clssica:
Todo corpo acima de 0 K emite uma radiao trmica. Radiao trmica a vibrao trmica de
tomos que se movem em torno de uma posio de equilbrio emitindo radiao eletromagntica.
Kirchhoff postulou que o poder de absoro de uma superfcie igual ao poder de emisso da
mesma, ou seja, a porcentagem de energia absorvida a mesma da emitida.
Corpo negro o corpo ideal cuja superfcie capaz de absorver toda energia incidida sobre ele. E
conseqentemente pode re-emitir essa energia. Podemos simular um corpo negro com uma caixa com um
orifcio de rea muito pequena em relao caixa. Toda radiao incidente nesse orifcio entrar na caixa e
apenas uma quantidade nfima dessa radiao ser devolvida para fora da caixa, na pratica, pode-se dizer que
toda energia foi absorvida.
Considerando-se agora as paredes da caixa aquecidas a uma temperatura T, estas ento emitiram
radiao trmica, e uma pequena frao dessa radiao escapa pelo orifcio.Esta radiao aproxima a
distribuio espectral do corpo negro a uma dada temperatura. medida que a temperatura se eleva o
espectro se desloca na direo dos comprimentos de onda mais curtos.
c = velocidade da luz
k = constante de boltzman
Fsica Moderna:
Efeito Fotoeltrico
Efeito Compton
Um feixe de raios X com comprimento de onda, 0, bem definido, ao atravessar uma folha metlica,
espalhado em um ngulo e um comprimento de onda, 1.
Compton sups que o feixe de raios X era espalhado pelos eltrons da folha.
Compton chegou seguinte equao:
1 - 0 = C (1 cos )
-12
onde C = 2,426x10 m
Partculas e Ondas
Funo de Onda
O estado de um eltron, ou de qualquer partcula, caracterizado por uma funo de onda (rr, t).
Bohr postulou, que se no instante t for feita uma medida para se localizar uma partcula com funo
de onda (x, t), ento a probabilidade P (x, t) de que a partcula seja encontrada entre x e x + dx dada por:
*
P (x, t) = (x, t) (x, t)
Principio da Incerteza
Heisenberg enunciou o princpio da incerteza: Quanto mais precisamente a posio for determinada,
menos precisamente o momento conhecido neste instante, e vice-versa
Equao de Schrdinger
Schrdinger:
derivou a equao de onda independente do tempo e obteve autovalores de energia corretos para o
tomo de hidrognio
apresentou solues para o oscilador harmnico quntico, o rotor rgido e a molcula diatmica
demonstrou que a sua verso ondulatria da mecnica quntica era equivalente verso matricial
desenvolvida na mesma poca por Heisenberg
apresentou a equao de onda dependente do tempo.
Para elementos com dois ou mais eltrons, a forma da equao de Schrdinger se torna cada vez
mais complicada medida que o nmero de eltrons aumenta.
A radiao eletromagntica pode ser representada por campos eltrico e magntico, com oscilaes
senoidais em fase e perpendiculares entre.
O componente eltrico responsvel por fenmenos, como a transmisso, a reflexo, a refrao e a
absoro.
O componente magntico responsvel pela absoro de ondas de rdio freqncia na ressonncia
magntica nuclear.
O espectro eletromagntico
Difrao da radiao
Difrao um processo no qual um feixe paralelo de radiao dobrado quando passa por uma
barreira abrupta ou atravs de uma abertura estreita. conseqncia da interferncia.
Transmisso da radiao
A velocidade em que a radiao propagada atravs de uma substncia depende dos tipos e
concentraes dos tomos, ons ou molculas no meio.
A transmisso envolve a deformao temporria que as nuvens eletrnicas associadas aos tomos,
ons ou molculas do meio sofrem pelo campo eletromagntico da radiao (Polarizao).
A energia necessria polarizao retida pelo meio e reemitida sem alterao quando a radiao
volta ao seu estado original.
O ndice de refrao de um meio definido por = c / v.
A variao do ndice de refrao de uma substncia com o comprimento de onda, ou freqncia,
chamada de disperso.
Refrao quando a radiao passa atravs da interface entre dois meios que tenham diferentes
densidades, ocorrendo uma mudana na direo e velocidade da radiao nos dois meios.
Reflexo quando a radiao reflete em uma interface entre meios com ndice de refrao diferentes.
Emisso da radiao
A radiao produzida quando partculas excitadas relaxam aos nveis de energia mais baixos,
gerando ftons.
Absoro da radiao
Quando a radiao atravessa uma camada de slido, lquido ou gs, certas freqncias podem ser
removidas pela absoro, um processo no qual a energia eletromagntica transferida aos tomos, ons ou
molculas que compe a amostra.
A absoro promove estas partculas de seu estado fundamental a um ou mais estados excitados. Para
que a absoro ocorra, a energia do fton tem que ser exatamente igual diferena de energia entre o estado
fundamental e um dos estados excitados.
Analise Qumica
Uma anlise qumica um processo que fornece informaes qumicas ou fsicas sobre uma amostra
ou sobre a amostra
Funo
Obter propriedades (resistncia mecnica, trmica, qumica), composio (total ou superficial) e estrutura
fsica.
Ex: Teor de alumnio em ao acalmado (propriedade: maleabilidade), composio de soluo usada em
processo de eletropolimento de titnio, metais preciosos em depsito mineral.
Tcnicas
1. Superfcies:SEM, Espectroscopia AUGER, XRD(Difrao de Raios-X), IR (Espectroscopia no
Infravermelho)
Ao
1) Para selecionar uma tcnica analtica, responder tais perguntas: Faixa de concentrao?
Componentes da amostra? Propriedades fsicas da amostra? Propriedades qumicas da amostra?
Nmero de amostras? Controle de processo? Controle de matria prima ou produto final?
Preparo da amostra
Moagem, amostragem de materiais metlicos, anlise direta de slidos, secagem (at massa
constante), separao (extrao, lixiviao, vaporizao, sublimao, destilao) e filtrao.
1)Objetivo: obteno de uma soluo aquosa representativa de slidos inorgnicos; 2)Vantagens:
Calibrao com solues-padro de fcil preparao, diluies so simples, separaes de constituintes
com ou sem pr-concentrao so possveis.
3)Procedimento ideal para dissoluo de slidos inorgnicos: capaz de dissolver a amostra
completamente, ser rpido, reagentes utilizados no devem interferir na determinao do analito,
reagentes disponveis em alto grau de pureza, perdas do analito desprezveis, no dever ocorrer nenhum
tipo de contaminao, procedimento dever apresentar mnima insalubridade e periculosidade e a soluo
final dever conter todos os analitos de interesse.
4)Tcnicas de decomposio: Dissoluo direta em gua ou soluo aquosa sem mudana qumica;
Decomposio em cido, ou mistura de cidos, com mudana qumica (mudana de estado de oxidao
do elemento a ser determinado); Decomposio por fuso; Outras tcnicas.
5)Digesto em sistemas fechados: Menor contaminao pelo ar, no h perdas de elementos por
volatilizao, menor volume de cidos de alta pureza, menor tempo de preparo de amostras, menores
teores de carbono residual e reduo dos custos da anlise.
6)Decomposio por Radiao Microondas: Vantagens: aquecimento rpido: dipolos e ons (rotao,
mudana conformao e movimentao); menor volume de cidos; frascos fechados sob alta presso e
temperatura; economia de energia; aquecimento seletivo.
Desvantagens; Interao radiao eletromagntica-matria; uniformidade de temperatura;
monitoramento de temperatura; custo de implementao; tamanho do magnetron
Metais: refletem radiao MW; Plsticos: transparentes radiao MW;
f) Decomposio de vidros: So materiais cermicos, amorfos, compostos basicamente de SiO2,
Na2O e CaO. Podem apresentar em sua composio outros xidos como Al2O3 como estabilizador, PbO
como modificador, entre outros.
Pr-Tratamento: moagem em almofariz de gata, peneiramento em malha 140 mesh
Decomposio convencional: amostra + gotas de H2SO4 (1+1 v/v) + HF
Aquecimento (volatilizao HF). Resfriamento. Diluio. ICP-OES.
Mtodos Espectroanaliticos
1) Absoro Atmica: Energia de um comprimento de onda especfico emitido pela lmpada de catodo
oco. Comprimento de onda especfico absorvido promovendo um eltron a um nvel de maior energia.
Absoro proporcional concentrao elementar.
2) Emisso tica: Transferncia de energia (trmica/colisional) a partir de uma chama ou fonte de plasma.
Transferncia de energia promove um eltron a um nvel de maior energia. O eltron retorna a seu estado
fundamental emitindo energia luminosa em um determinado . Emisso proporcional concentrao
elementar.
Programao no aquecimento: Secagem (retira o solvente, deixando somente o resduo slido a ser
caracterizado), Pirlise (remoo da matriz inferente sem perda do analito), Parada do gs de proteo,
Atomizao, Limpeza e Resfriamento.
Atomizao em eletrotermica em filamento de W: O filamento de W removido de lmpadas de
retropojetor (Osram, BJR, 15V, 150W, Alemanha) e colocados no eletrotermico. Vida til: 300
ciclos de aquecimento.
Tungstnio:
Calor especfico: 0,133 J /g K (C: 0,711 J / g K).
Massa: Filamento 0,100g, Tubo de Grafite 2,6g.
Temperatura de atomizao: 2600oC,
Fonte de aquecimento: 150W x 1500W.
Maior PF entre todos os metais (3400+-20)0C, inerte, dctil, bom condutor eltrico, elevada resistncia
qumica, baixo custo.
Mtodos Espectroanaliticos:
a) Emisso ptica: transferncia de energia trmica ou colisional a partir de uma chama ou fonte
de plasma. A transferncia de energia promove um eltron a um nvel maior de energia. O eltron
retorna a seu estado fundamental de energia emitindo energia luminosa em determinado . A
emisso proporcional a concentrao elementar.
b) Emisso Atmica: emisso de radiao nas regies ultravioleta e visvel do espectro
eletromagntico por tomos ou ons excitados.
Espectroscopia de emisso atmica: AMOSTRA COM ALTO TEOR DO ANALITO M -> FONTE DE
EXITAO -> (M*->M+hv )-> SELEO DE
Anlise qualitativa: testes de chama (experimentos de Bunsen e Kirchhoff)
Anlise quantitativa (fotometria em chama; FAES Flame Atomic Emission Spectrometry;
ICP OES Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectrometry
TESTE DA CHAMA:
Quais os elementos.
Fonte de excitao: chama de ar-propano baixa temperatura.
Detector: olho humano (350 a 750 nm)
FOTOMETRIA DA CHAMA(FAES)
Quais elementos.
Fonte de excitao: chama de ar-propano e baixa temperatura.
Sistema ptico: filtros de radiao.
Detector: vlvula de multicomponentes
ICP-MS
Caractersticas:
-Determinao de mais de 70 elementos (6Li 238U) presentes em baixas concentraes (g/L e
ng /L)
-Espectro de fcil interpretao Todo elemento tem ao menos um istopo livre de interferncias
isobricas em analisadores com quadrupolo (Exceo: In)
-Multielementar: 1 2 min; ampla regio linear
-Rpida anlise semi-quantitativa
-Medidas de istopos
Multielementar
Excelente sensibilidade
Capacidade semi-quantitativa
Anlise isotpica
Ampla faixa linear
Adequada preciso
Interface ainda requer aperfeioamento
Exemplo:
IMPLANTE PARA CIRURGIA MTODO DA DECOMPOSIO
Tratamento Preliminar: retirada de limalhas e limpeza com acetona
ASTM F-67e ASTM F-136
Aquecimento convencional : 0,1 g amostra + 4 ml gua-rgia + 2 ml HF 40% (v/v)-
Aquecimento - Diluio Determinao dos constituintes (ICP-OES)
ASTM F-75
Aquecimento assistido por microondas: 0,1 g amostra + 4 ml gua-rgia + 2 ml HF 40%
(v/v) Aquecimento (2 min 250 W; 2 min 0 W; 5 min 250 W e 5 min vent.) - Diluio com
adio de 24 ml H3BO3 4 % (m/v) Determinao: ICP-OES
2)Calorimetria exploratria diferencial com fluxo de calor (DSC de fluxo de calor): uma tcnica derivada da
DTA. Neste tipo de DSC, no entanto, a amostra e a referncia so colocadas em cpsulas idnticas,
posicionadas sobre um disco termoeltrico e aquecidas por uma nica fonte de calor. O calor transferido
para as duas cpsulas por meio do disco, com fluxo de calor diferencial entre ambas as cpsulas (forno-
amostra e forno-referncia) sendo controlado por meio de termopares conectados ao disco, uma vez que T,
em um dado momento, proporcional variao de entalpia, capacidade calorfica e resistncia trmica
total ao fluxo calrico. Necessita-se de equacionamento matemtico para se obter o fluxo de calor. Este tipo
de DSC contorna o problema da temperatura, permitindo medidas de temperatura acima de 1500C.
A diferena entre a concepo de um DSC fluxo de calor e DTA que no caso do DSC a transferncia de
calor para a amostra e a referncia maximizada devida s pequenas quantidades de material envolvidas
(dezenas de mg), ao design do forno e do porta amostra, garantindo equilbrio dinmico e aquecimento
uniforme. Alm disso, a medida de temperatura mais precisa devido s dimenses, tipo e localizao dos
termopares e a condutividade trmica entre a amostra e a referncia baixssima, minimizando a interferncia
das rea~es que ocorrem na amostra e na temperatura de referncia.
Para que serve? Mede a temperatura e fluxo associado com a transio do material em funo do tempo e da
temperatura, fornecendo informaes qualitativas e quantitativas sobre as mudanas fsicas e qumicas que
envolvem processos endotrmicos e exotrmicos, ou mudanas na capacidade calorfica.
Aplicao: A tcnica de DSC permite a obteno de Tf, Tcristalizao, Tg, entalpias de fuso e de cristalizao,
graus de cura ou graus de cristalinidade, determinao da estabilidade trmica, calor especfico,
transformaes de fase (diagramas de equilbrio), efeitos de decomposio, cintica de reaes e
determinao de pureza. O termograma gerado para cristalizao um pico acentuado e positivo, cujo valor
mximo indica a temperatura de cristalizao (Tc), sendo que esta transio desordem-ordem pode ser
observada em vidros de xidos, metais amorfos e polmeros. A Tg um degrau no termograma, representando
a transio slido desordenado-lquido e observvel para slidos vtreos (polmeros) e metais vtreos. A Tf
um pico negatio no termograma, indicando a transio ordem-desordem.
Exemplo:
*DSC Modulado: Foi introduzido em 1993, com o design do fluxo de calor. Uma modulao senoidal (ou
serrilhada- onda quadrtica) superimposta na rampa de aquecimento. Assim, o sinal total do fluxo de calor
contm todas as transies trmicas do DSC normal, mas utilizada anlise de transformadas de Fourier para
separar o fluxo de calor total em dois componentes: fuso e transio vtrea.
*Calibrao do DSC: O objetivo ajustar a temperatura de incio da fuso indicado pelo termopar do forno
com a temperatura de fuso de materiais conhecidos, devendo calibrar-se na faixa de temperatura de interesse.
realizada em duas etapas. Primeiramente, a diferena entre os dois cadinhos vazios medida. Em seguida, a
resposta trmica estabelecida para um material de referncia, geralmente safira, nos dois cadinhos (amostra
e referncia).
ATG (Anlise Termogravimtrica)
O que ? Tcnica que mede a mudana de massa de uma amostra quando submetida a um ciclo trmico. O
registro a curva TG ou termogravimtrica, na qual o peso deve ser colocado em ordenadas, com valores
decrescentes de cima para baixo e o tempo (t) ou a temperatura (T) em abcissas, com valores crescentes da
direita para a esquerda.
Aplicao: decomposio trmica de substncias inorgnicas, orgnicas e polimricas; corroso de metais em
diferentes atmosferas a elevadas temperaturas; reaes no estado slido; calcinao de minerais; destilao e
evaporao de lquidos; pirlise de carvo, petrleo e madeira; determinao de umidade, volteis e cinzas;
cintica de reao e de processos fsicos; desidratao; degradao termo-oxidativa de polmeros.
*Tcnicas simultneas: TG-DSC ; TG-DTA
*Tcnicas acopladas: espectrmetro de massa = TG-DTA-MS; cromatografia de Gs+Infravermelho com
transformada de Fourier+Espectrofotmetro de massa=TG-CG-FTIR-MS.
Aplicao em polmeros:
-DTA:composio de polmeros, cura de termofixos, degradao, cintica de processos.
-DSC: processos fsicos e qumicos (transio vtrea, cristalizao, fuso e degradao), entalpia de relaxao
ou de excesso, identificao de polmeros, cura de resinas, degradao, cintica.
-TGA: estabilidade trmica de polmeros, composio de copolmeros e blendas, determinao de carga e
tempo de induo para oxidao,
- Difusividade trmica (): A difusividade indica como o calor se difunde atravs de um material. Isso
depende, por um lado, da condutividade () ou da velocidade de conduo da energia trmica no interior do
material e, por outro lado, do calor especfico volumtrico () ou da quantidade de energia trmica necessria
para aumentar a temperatura de determinado volume do material. Unidade no SI m/s.Mede a Rapidez com
que o calor se propaga.
k
=
Cp
Conduo do calor em slidos:
Eltrons em metais. Fonons em materiais dieltricos (polmeros e cermicas). Ftons so importantes em altas
temperaturas.
-Materiais cristalinos: Diminui porque o livre caminho mdio diminui com a agitao dos tomos
A
= +B
T
-Materiais vtreos: Livre caminho mdio diminui, mas Cp aumenta
= CT + D
1
-Combinao: =
C
AT + B +
T
Tcnica do fio quente:
Uma fo0nte de calor ideal infinitamente fina e longa circundada at o infinito pelo material a ser ensaiado. k
calculado a partir do acrscimo de temperatura em um ponto P a uma distncia fixa do fixo quente.
Na prtica a fonte de calor infinita uma resistncia eltrica muito fina e a amostra infinita finita
A partir de uma regresso no linear (frmula imensa), determina-se k e Cp simultaneamente a partir de
k
=
Cp
Tcnica do pulso de energia (laser flash technique):
Usada tanto pra cermicas, polmeros ou metais. A partir de diferenas de temperaturas com o tempo, tem-se
(difusividade trmica) e calculam-se as outras propriedades.
A amostra consiste de uma pastilha fina recoberta com grafita coloidal para que o corpo se aproxime de um
corpo negro (absorvedor perfeito).
Vantagens: Rpida para diferentes temperaturas. Necessrio pouco material.
Desvantagem: No se aplica a refratrios pois no se conseguem amostras finas o bastante.
***GPC***
Espectroscopia Vibracional de Absoro no Infravermelho (IR)
A Espectroscopia o estudo da interao da radiao eletromagntica com a
matria, que interage atravs de absoro, emisso e espalhamento de radiao. A
Espectroscopia Vibracional estuda a transio dos movimentos vibracionais definidos das
molculas, e engloba as tcnicas de Absoro no Infravermelho (IR) e de Espalhamento
Raman, que identificam e determinam grupos funcionais e so muito teis no estudo da
conformao e estrutura das macromolculas.
Os tomos das macromolculas polimricas formam uma estrutura tridimensional
com distncias e ngulos de ligaes qumicas bem definidos. Essas ligaes apresentam
vibraes especficas correspondentes aos nveis de energia da molcula, vibraes estas
que podem ser do tipo estiramento de ligao, deformao angular e toro.
A radiao infravermelha (IV) no tem energia suficiente para excitar os eltrons e
provocar transies eletrnicas, mas faz com que os tomos ou grupos de tomos vibrem
com maior rapidez e com maior amplitude em torno das ligaes covalentes que os unem.
Estas vibraes so quantizadas e, quando ocorrem, os compostos absorvem energia IV em
certas regies do espectro.
. Para se fazer medidas em uma amostra, um raio monocromtico infravermelho
passado atravs daquela e a quantidade de energia absorvida ento registrada. Repetindo-
se ao longo de uma faixa de comprimentos de onda de interesse (geralmente entre 4000 e
400 cm-1), um grfico de transmitncia versus nmero de onda, denominado espectro de
absoro no infravermelho (Figura) pode ser construdo.
Difrao de Raios-X
1. Introduo
2. Gerao de raios X
Caracterstica desse mtodo: Possui menor custo que o embutimento a frio, requer
menos tempo para o embutimento, Requer uma mquina embutidora, Possui insumos
baratos e facilmente encontrados. Em amostras cuja temperatura crtica baixa esse mtodo
no pode ser utilizado por possivelmente alterar a microestrutura a ser analisada
Embutimento a frio: A amostra cortada colocada no molde com a superfcie de interesse
voltada para baixo, em seguida colocada resina termoplstica junto com um catalisador.
Espera-se o tempo de cura da resina e a amostra est pronta
sistema tico utilizado, N.A -> Abertura numrica da lente. Quanto menor R melhor!
, O N.A. varia com tamanho das lentes, distncia de trabalho, o
significa o ndice Refrativo Mdio entre objeto e lente objetiva
Caractersticas do Microscpio tico: Utiliza faixa de luz visvel e lentes
convencionais; faixa de Aumento: 50x a 2000x; com luz do tipo: Refletida ou Transmitida;
possui um baixo custo relativo de equipamento(comparado com MEV); possui baixo custo
de manuteno; preparao de Amostra: requer uma superfcie lisa, com acabamento
prximo a espelhado; possui preparao de amostra simples, comparado com MEV/MET;
requer pouco treinamento.
Insero de escala na foto tirada pelo microscpio: cuidado com ampliao e reduo de
imagens sem incluso de escala.
Canho
O propsito do canho fornecer uma fonte estvel de eltrons, atingindo a amostra. O canho
tradicional utiliza um filamento aquecido de tungstnio como fonte de eltrons e um dispositivo tipo Wehnelt
que, desempenhando as funes de uma lente eletrosttica, converge os eltrons emitidos e acelerados numa
certa regio entre filamento e anodo chamado cross-over. A distribuio dos eltrons neste ponto representa
a distribuio espacial dos eltrons emitidos do filamento neste momento. O feixe incidente na amostra uma
imagem demagnificada deste crossover.
Cilindro de Wehnelt:
Este cilindro ou grade tem duas funes: a primeira, para controlar o grau de emisso de eltrons do
filamento, e a segunda, para permitir que os eltrons sejam direcionados para dentro do canho.
Filamentos
Um filamento de tungstnio feito de um pedao curvado de fio, tipicamente com 100 mcrons de
dimetro. Uma corrente aplicada ao filamento para aquecer o fio na faixa de 2700 K. Neste ponto so
emitidos eltrons do filamento por um processo chamado emisso de termoinica. Para que os eltrons no
filamento escapem do material, eles necessitam de energia suficiente para superar a energia da funo de
trabalho do material. Esta energia obtida pelo calor provido pelo filamento, que aquecido pela corrente de
polarizao.
Este sistema consiste em uma fonte de eltrons, sistema de condensao duplo do feixe, bobinas de
varredura e lente objetiva final. A fonte de eltrons (canho) produz um feixe de eltrons divergente,
impulsionando-o para o centro da coluna. As lentes eletromagnticas so basicamente do mesmo tipo que as
utilizadas em qualquer microscpio eletrnico. No MEV, o objetivo dessas lentes o de formar o menor
dimetro de feixe de eltrons possvel, ou seja, produzir uma imagem demagnificada da rea da primeira
imagem do filamento. Em geral o sistema de lentes composto de duas condensadoras e uma objetiva.
Interao feixe-amostra
A interao de um feixe de eltrons de alta energia com a superfcie de uma amostra resulta na emisso de
eltrons e de raios-X com uma faixa de distribuio de energia e, em alguns casos, na emisso de radiao
catodoluminescente, que possui menor energia que raios-X.
Os eltrons gerados pela interao do feixe primrio com a amostra podem ser divididos em trs tipos: retro-
espalhados, secundrios e Auger.
Tipos de espalhamento
Tipos de sinais
O feixe de eltrons interage com a regio prxima superfcie de uma amostra at uma profundidade de
aproximadamente alguns microns, dependendo da tenso de acelerao e da densidade do material. So
produzidos numerosos sinais como resultado desta interao, que podem ser detectados atravs de detectores
apropriados para fornecer informaes sobre a amostra. Estes sinais incluem emisso secundria de baixa
energia, gerao de eltron Auger, emisso de raios-X caracterstico, raiox-X continuo, emisso de eltrons
retroespalhados e catodoluminescncia.
Eltrons Auger
O bombardeamento da amostra por eltrons de alta energia resulta em tomos ionizados a certa profundidade.
Esta depende da tenso de acelerao e da densidade do material.
Um tomo ionizado pode emitir raios-X caracterstico ou energia liberada como um eltron. Um eltron
preenchendo a vacncia inicial pode lanar outro eltron do tomo em uma transio de baixa emisso de
radiao, chamada efeito Auger. Se um eltron da camada interna K lanado e um eltron da camada L
preenche esta vacncia, liberta energia e lana um eltron Auger da camada L. A transio de Auger ento
chamada de transio KLL.
A espectroscopia Auger uma tcnica sensvel superfcie, uma vez que eltrons Auger gerados mais
profundamente que os das camadas superficiais perdero a sua assinatura de energia enquanto caminham
para fora da amostra. Assim, o sinal detectado inclui eltrons gerados apenas das poucas primeiras mono-
camadas da amostra-aqueles que tm energia suficiente para escapar.
Tipos de contraste
A imagem observada do MEV resulta da variao de contraste que ocorre quando o feixe se move do ponto a
ponto sobre a superfcie da amostra. Variaes do sinal detectado de diferentes pontos podem ocorrer devido
variao do numero de eltrons emitidos da superfcie ou devido variao do numero de eltrons atingindo
o detector.
Contraste de topografia
No MEV, o feixe incidente varre uma rea da amostra. Para uma superfcie spera, o ngulo de incidncia
varia por causa da inclinao local da amostra e, uma vez que amostras inclinadas produzem mais eltrons
que as planas, o contraste visto devido ao numero diferente de eltrons que so emitidos. A posio do
detector tb crucial.
Como o nome se refere, o mesmo se refere anlise de uma amostra em escala microscpica e resulta em
informaes estruturais, de composio e qumica da amostra.
Microestruturas e microanlise
As microestruturas determinam muitas das propriedades de interesse para os materiais e sua formao
depende fundamentalmente da composio qumica e do processamento. Este aspecto j indica a relevncia
da caracterizao qumica de um material, porm outro aspecto de igual importncia est relacionado
identificao localizada de fases e segregaes qumicas, frequentemente associada a interfaces ou defeitos da
estrutura. Este ltimo caso exemplifica a importncia da microscopia analtica, que possibilita a visualizao
de detalhes da estrutura, mesmo em dimenses nanomtricas e a anlise qumica localizada na regio de
interesse. Por ex, em microestruturas decorrentes dos processos de fuso/solidificao, as informaes
microanalticas de interesse esto frequentemente associadas a dendritas, segregao ou incluso.
A microanlise eletrnica baseada na medida de raios-X caractersticos emitidos de uma regio
microscpica da amostra bombardeada por um feixe de eltrons. As linhas de raios-X caractersticos so
especificas do numero atmico da amostra e os seus comprimentos de onda podem identificar o elemento que
esta emitindo a radiao.
XPS
Com a tcnica de espectroscopia de fotoeltrons, estudam-se transies eletrnicas nas quais os estados finais
pertencem ao contnuo. Ftons de alta energia so utilizados para ionizar tomos e molculas. Determinando-
se a energia cintica dos eltrons emitidos pela interao da luz com a amostra, pode-se obter valores para os
potenciais de ionizao, PI, dos orbitais envolvidos, a partir da conhecida equao de Einstein:
h f = Ec + PI, onde h a constante de Planck, f a freqncia da luz e Ec a energia cintica dos
fotoeltrons.
Espectros de fotoeltrons fornecem informaes de fundamental importncia sobre a estrutura eletrnica de
tomos e molculas.
Um espectrmetro de fotoeltrons compe-se de uma cmara de vcuo, de uma fonte de luz, alm de um
sistema de admisso de amostras, um analisador de energia de eltrons e um detetor de eltrons.
Tradicionalmente, faz-se uma clara distino entre duas regies de trabalho, associadas respectivamente com:
* Fotoionizao de eltrons de camadas internas, ou de caroo: Utilizando-se ftons de alta energia, pode-se
determinar os potenciais de ionizao de eltrons de camadas internas, uma vez que estes eltrons em geral
tem pequena participao na formao dos orbitais moleculares, suas energias de ionizao tem um carter
eminentemente atmico, o que enseja uma anlise elementar da amostra.
Alm disso, um mesmo elemento, em compostos diferentes apresentar valores ligeiramente diferentes para
seus potenciais de ionizao. Desta forma, uma determinao cuidadosa destes potenciais servir no somente
para caracterizar a presena de um dado elemento na composio qumica da molcula como poder ainda
fornecer informaes sobre seu estado de oxidao e vizinhana qumica de forma geral.
importante salientar o enorme impacto da luz sncrotron sobre a tcnica de fotoeltrons. A intensidade e o
poder de sintonizao desta radiao tornam possvel a obteno de espectros associados tanto com eltrons
de valncia quanto de camadas internas. Estas propriedades tornam possvel, alm disso, a realizao de
novas medidas, tais como:
1. espectros de fotoeltrons de energia zero;
2. dependncia energtica de espectros de fotoeltrons;
3. dependncia da Seo de Choque de Ionizao em relao energia fotnica.
1. A preparao de amostras
As amostras utilizadas em MET devem ter as seguintes caractersticas: espessura de 500 a 5000
(dependendo do material e da tenso de acelerao utilizada) e superfcie polida e limpa dos dois lados.
Durante a preparao, a amostra no deve ser alterada, como por exemplo, atravs de deformao plstica,
difuso de hidrognio durante o polimento eletroltico ou transformaes martensticas
Os corpos de prova podem ser de dois tipos: lminas finas do prprio material ou rplicas de sua
superfcie. A preparao de lminas finas de metais e ligas segue normalmente a seguinte seqncia de
preparao: corte de lminas de 0,8 a 1,0 mm de espessura, afinamento por polimento mecnico at 0,10-0,20
mm de espessura e polimento eletroltico final. As laminas finas de materiais polimricos e de outros
materiais orgnicos so obtidas por microtomia, onde uma navalha corta pelculas finas e com espessura
controlada. Em geral, o material orgnico resfriado em nitrognio lquido (ultramicrotomia) para minimizar
a deformao durante o corte. O afinamento final das lminas de materiais cermicos geralmente feito por
desbaste inico.
Trs tipos de rplica so normalmente utilizados para obteno de amostras de MET: de plstico, de
carbono e de xido. Na tcnica de rplica de plstico, uma soluo diluda de plstico em um solvente voltil,
por exemplo formvar em clorofrmio, gotejada na superfcie da amostra.
O solvente se evapora e deixa um filme, que pode ser retirado e que representa o "negativo" da
superfcie. Na rplica de carbono, este material evaporado na superfcie da amostra. Esta tcnica pode ser
utilizada tambm para arrancar partculas de precipitados da amostra, a chamada rplica de extrao. Na
rplica de xido, usada principalmente para ligas de alumnio, o filme de xido obtido por anodizao de
uma superfcie previamente polida eletroliticamente. Nos trs tipos de rplica, o contraste tem origem nas
variaes de espessura. No caso de partculas extradas, um contraste adicional aparece, pois as partculas, se
forem cristalinas, difratam eltrons.
Em 1924, De Broglie afirmou que partculas podem atuar como ondas; em 1927, Davisson e Germer
realizavam experimentalmente a difrao de eltrons confirmando as previses de De Broglie (dualidade
onda/partcula do eltron). O advento da MET possibilitou o estudo de microregies da ordem de 1 m por
difrao de eltrons.
Toda marca ou mancha ("spot") de difrao em MET representa um ponto do espao recproco que,
por sua vez, corresponde a um plano (hkl) no espao real. Um ponto (h,k,l) da rede recproca obtido
traando-se pela origem do espao real uma perpendicular ao plano (hkl) e marcando-se sobre esta reta um
segmento igual ao inverso do espaamento d entre os planos (hkl) do espao real. O diagrama de difrao de
um cristal corresponde aproximadamente a uma seco plana atravs do
espao recproco, perpendicular ao feixe incidente.
Passados mais de 50 anos desde a primeira observao de discordncias por MET, este tipo de estudo
continua atual e muito utilizado. A figura 10 apresenta as distribuies de discordncias em cobre puro
policristalino deformado at 10% de alongamento em ensaio de trao realizado em duas temperaturas: a) a
temperatura ambiente (25C) e b) 500C. No cobre deformado na temperatura ambiente as discordncias
formam emaranhados arranjados em uma substrutura celular, com muitas discordncias nas paredes de clula
e com densidade de discordncias mais baixa no interior das clulas. No cobre deformado a quente (500C) o
arranjo de discordncias levou formao de subcontornos que subdividiram os gros (cristais) em subgros.
Enquanto a diferena de orientao entre gros vizinhos da ordem de dezenas de graus, a diferena de
orientao entre subgros em geral menor que 5. A comparao entre as duas micrografias da figura 10,
permite afirmar que a densidade de discordncias da amostra deformada a quente mais baixa.
Determinando-se a espessura local da amostra e utlizando-se relaes de estereologia quantitativa possvel
determinar a densidade de discordncias (em cm/cm3 ou m/ m3).
Outra aplicao clssica de MET a observao e anlise de defeitos de empilhamento, os quais no
podem ser observados com os outros tipos de microscopia. Em materiais com estrutura cristalina CFC e baixa
energia de defeito de empilhamento, tais como a prata, o ouro, o lato alfa e os aos inoxidveis austenticos,
numerosos defeitos de empilhamento so formados durante a deformao plstica.
A energia de defeito de empilhamento (EDE) inversamente proporcional distncia entre o par de
discordncias parciais e uma das principais grandezas ou constantes dos materiais. A energia de defeito de
empilhamento determinada principalmente pela distribuio eletrnica (composio qumica) da fase, mas
tambm influenciada pela temperatura. Uma diminuio na EDE tem em geral numerosas conseqncias no
comportamento de um material tais como menor mobilidade das discordncias e menor propenso
ocorrncia ao escorregamento com desvio, aumento no coeficiente de encruamento, aumento na energia
armazenada dentro do material na
deformao, maior resistncia fluncia e maior susceptibilidade corroso sob tenso. Existem
vrias tcnicas experimentais para a determinao da EDE, sendo que a microscopia eletrnica de transmisso
a mais utilizada.
Uma outra aplicao muito freqente da MET a observao e anlise de precipitados muito finos,
de dimenses nanomtricas, dispersos em uma matriz de outra fase.
MICROSCOPIA DE FORA ATMICA PEDRO RIS
Seu princpio fundamental a medida das deflexes de um suporte (de 100 a 200 mm de
comprimento) em cuja extremidade livre est montada a sonda. Estas deflexes so causadas pelas interaes
das Foras de Van der Walls, que agem entre a sonda e a amostra. As diferentes tcnicas fornecem diversas
possibilidades para fazer imagens de diferentes tipos de amostras e para gerar uma ampla gama de
informaes. Os modos de fazer as imagens, tambm chamados modos de varredura ou de operao, referem-
se fundamentalmente distncia mantida entre a sonda (que chamaremos ponteira) e a amostra, no momento
da varredura, e s formas de movimentar a ponteira sobre a superfcie a ser estudada. A deteco da superfcie
realiza-se visando criao de sua imagem. H um contnuo de modos possveis de fazer imagens, devido s
diferentes interaes em funo da distncia entre a ponteira e a amostra, assim como ao esquema de deteco
utilizado. A escolha do modo apropriado depende da aplicao especfica que se deseja fazer.
Microscopia de Tunelamento: Entre a ponta condutora muito fina (tungstnio ou platina-irdio) e
amostra (condutora ou semicondutora) aplicada uma pequena diferena de potencial da ordem de mV,
havendo passagem de uma corrente de tunelamento, que deve ser mantida constante durante a varredura pelo
sistema de controle. A corrente de tunelamento medida depende exponencialmente da distncia ponta/amostra
e portanto muda conforme a sonda passa por pontos de diferentes alturas. O controle aciona ento o scanner
(atuador responsvel pelos movimentos da amostra em x, y e z) para que a posio vertical z seja alterada de
forma a corrigir a diferena entre o valor da corrente medida e a definida no sistema (setpoint da ordem de
nA), para cada ponto x,y medido na superfcie da amostra. O conjunto dos pontos de coordenadas x, y e z
formar a imagem topogrfica da superfcie da amostra. O STM a tcnica de maior resoluo, podendo
chegar resoluo atmica.MFA: Variando-se a sonda e detectores pode-se obter informaes sobre a
superfcie, condutividade, magnetizao, capacitncia, etc. Consegue-se imagens de 100m angstrons com
resoluo em 3D. Pode-se trabalhar em qualquer meio, ou na ausncia deste (vcuo).Tcnica pode ser
aplicada in-situ como no caso de problemas de corroso.
Microscopia de Fora Atmica: No modo de Fora Atmica, uma ponta presa a um cantilever varre
a superfcie da amostra, atravs de uma cermica piezoeltrica que a movimenta. Um laser incide sobre o
cantilever e refletido para um conjunto de foto-detectores. O sinal eltrico obtido realimentado para o
computador mantendo constante a deflexo do cantilever (modo de contato) ou a amplitude de oscilao
(modo contato intermitente ou no-contato). As correes na altura z so ento gravadas juntamente com as
respectivas posies x,y da amostra, gerando a imagem topogrfica da amostra. Usado em amostras isolantes.
Modo de contato, intermitente ou no-contato. No modo contato ponta e amostras esto em contato e as foras
de Wan Der walls tornam-se positivas
Microscopia de Fora Magntica: Nesta modalidade utilizado um cantilever oscilante com uma
ponta recoberta por um filme de material magntico permanentemente imantado. Durante a varredura, a ponta
oscila acima da superfcie e sofre influncia do campo magntico da amostra, o que altera seu movimento. A
variao na freqncia proporcional ao gradiente do campo magntico na direo vertical, aplicado ponta
pela superfcie e pode ser detectada por fase (medida da defasagem entre deslocamento de oscilao e fora
oscilante aplicada ao cantilever pelo scanner), amplitude (diminuio de seu RMS) ou pela medida direta da
variao da freqncia.
-Quanto menor for a varredura, maior ser a ampliao;
-SPM = Scaning probe microscope;
Modos bsicos do SPM:
- Micorscopia de tunelamento STM Scaning Tunneling Micorscopy;
- Microscopia de fora atmica AFM Atomic Force microscopy;
Outros modos:
- MFM magnetic force microscopy;
- EFM Eletric force microscopy;
- SThM Scaning thermal microscopy;
- SCM Scaning capacitance microscopy;
- CAFM Conductive atomic force microscopy