Física Básica de Semicondutores

 Materiais semicondutores e suas

propriedades

 Junção PN  Diodos

 Condução Reversa – “Breakdown”

1
 Física dos semicondutores
Semicondutores Junção PN
Portadores de Carga Estrutura
Dopagem Polarização direta e reversa
Transporte de portadores Caraterísticas V - I
Modelo de circuito

 Dispositivos semicondutores são o centro de microeletrônica.

 Junção PN é o dispositivo mais fundamental de um

semicondutor.

2
 Portadores de cargas de semicondutores

Portadores de Modificação das Transporte dos

cargas em sólidos densidades dos portadores
Estrutura dos cristais portadores Difusão
Bandas de energia Semicondutores Deriva
Intrínsecos
“Buracos ou
Lacunas” (Holes) Semicondutores
Extrínsecos
Dopagem

Para entender as características V-I da junção PN

• é importante entender o comportamento dos portadores de
carga em sólidos,
• E como modificar densidades dos portadores e os diferentes
mecanismos de fluxo de carga.
3
 Tabela Periódica

Importante: elementos com 03, 04 ou 05 elétrons de

valência, sendo Si o mais importante.
4
 Tabela Periódica

Importante: elementos com 03, 04 ou 05 elétrons de

valência, sendo Si o mais importante.
 Silício

Ligação
Covalente

Elétron
Livre

• Si tem 04 elétrons de valência.

• Portanto, ele pode formar ligações covalentes com quatro
atomos vizinhos.
• Quando a temperatura aumenta, os elétrons na ligação
covalente pode tornar-se livre.
6
 Interação do par elétron-buraco

• Elétrons livres são resultantes da ruptura das ligações

covalentes, assim os buracos ou lacunas são gerados.

• Buracos pode ser preenchido através da absorção de outros

elétrons livres, de forma tão eficaz que exista uma circulação
de portadores de carga.

7
 Densidade de e- livres em temperatura
ni = número de elétrons por unidade de volume

 Eg
ni  5.2  10 T 15 3/ 2
exp electrons / cm3
2kT

ni (T  300 0 K )  1.08  1010 electrons / cm3

ni (T  600 0 K )  1.54  1015 electrons / cm3

 Eg, bandgap ou energia da banda proibida, determina quanta

energia é necessário para romper a ligação covalente do
elétron.
 Existe uma relação exponencial entre a densidade de elétrons
livres e energia da banda proibida.
8
 Modificação da densidade de portadores:
Dopagem (tipo N)

Si puro = semicondutor intrínseco

P  05 elétrons de valência

• Si puro pode ser dopado com outros elementos para alterar

suas propriedades elétricas.
• Se o Si é dopado com P (fósforo), passa a ter mais elétrons, ou
torna-se Si tipo N (elétrons).
9
 Modificação da densidade de portadores:
Dopagem (tipo P)

B  03 elétrons de valência

Se o Si é dopado com B (boro), então ele passa a ter

mais buracos ou lacunas, ou se torna tipo P.

10
 Sumário dos portadores de cargas
Si Semicondutor intrínseco

Elétron de
valência
Ligação
Covalente
Si Semicondutor extrínseco

Cristal de Silício Cristal de Silício

ND Doadores/cm3 NA Aceitadores/cm3

Dopante Tipo Portador Dopante Tipo

n (Doador de Majoritário Livre Portador p (Aceitador
e- ) Majoritário Livre de e- )
11
 Densidade dos elétrons e dos buracos
np  ni
2

Portadores Majoritários: p  NA
2
n
Portadores Minoritários: n i
NA
Portadores Majoritários: n  ND
2
n
Portadores Minoritários: p i
ND

n  densidade de elétrons
p  densidade de buracos
ni  densidade de elétrons em sem. Intrínseco

O produto das densidades de elétrons e buracos é sempre

igual ao quadrado da densidade de elétrons intrínsecos,
independentemente dos níveis de dopagem.
12
 Primeiro mecanismo de transporte de
portadores de carga : Deriva
𝑣∝𝐸
𝜇 = 𝑐𝑚2 𝑉 ⋅ 𝑠 (𝑚𝑜𝑏𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒)

𝑣 = 𝜇𝐸

 
vh   p E
 
𝜇𝑛 = 1350 𝑐𝑚2 𝑉⋅𝑠
ve    n E
𝜇𝑝 = 480 𝑐𝑚2 𝑉⋅𝑠

• O processo no qual portadores de carga se movem por

causa de um campo elétrico é chamado de deriva.
• Partículas de carga se movimentam a uma velocidade que é
proporcional ao campo eléctrico.
13
 Corrente: Caso Geral
v
metros

𝐼 = −(𝑣 ∙ 𝑊 ∙ ℎ) ∙ 𝑛 ∙ 𝑞 q = 1,6 X 10-19 C

𝐽𝑛 = −𝜇𝑛 𝐸 ∙ 𝑛 ∙ 𝑞
𝑣 = −𝜇𝑛 𝐸
Jn = “densidade de corrente”, ou seja a corrente que flui por
uma seção reta de área unitária. É expressa em A/cm2.
A corrente eléctrica é calculada como a quantidade de carga
em v metros que passa através de uma secção transversal. 14
 Fluxo da corrente: Deriva
Densidade de corrente  Jn

J n  n E  n  q
J tot   n E  n  q   p E  p  q
 q(  n n   p p) E

A corrente é igual à velocidade da carga multiplicada pela densidade

de carga.
Como a velocidade é igual a  E, a corrente é obtida pela substituição
de v por E na equação geral.
A densidade de corrente total consiste na soma das ambos
densidades: elétrons e buracos. 15
 Segundo mecanismo de transporte de
portadores de carga : Difusão

Material Semicondutor

Injeção de
portadores
Injeção de
portadores
Concentração não uniforme

• Partículas de carga se movimentam de uma região de elevada

concentração para outra região de baixa concentração.
• É análogo ao exemplo de uma gota de tinta na água. 16
 Fluxo de Corrente: Difusão
𝑑𝑛 𝑑𝑛
𝐼∝ 𝐼 ∝ 𝐴𝑞 Dn constante de difusão
𝑑𝑥 𝑑𝑥 Dn = 34 cm2/s
Gradiente de concentração Dp = 12 cm2/s
em relação a x

dn
J n  qDn
dn dx dn dp
I  AqDn J tot  q ( Dn  Dp )
dx dp dx dx
J p   qD p
dx

• Corrente de difusão é proporcional ao gradiente de carga

(dn / dx) ao longo da direcção do fluxo da corrente.
• A densidade de corrente total é composto por ambas
densidades: dos elétrons e buracos.
17
 Exemplo: Perfil da densidade de carga
Linear vs. No-linear

dn N dn N x
J n  qDn   qDn  J n  qDn  qDn   exp
dx L dx Ld Ld

• Perfil de densidade de carga linear mantem a corrente de

difusão constante,
• O perfil de densidade de carga não-linear significa variação
exponencial da corrente de difusão.
18
 Relação de Einstein
Corrente de Deriva Corrente de Difusão

K – constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 joules/kelvin.

D kT
  VT T = temperatura absoluta em graus kelvins = T(oC) + 2730C.

 q q = carga do elétron = 1,60 x 10-19 C

VT = 26mV a 300ºK

Enquanto a física nos define as correntes de deriva e de difusão que são

totalmente diferentes, a relação de Einstein fornece uma ligação entre as duas
19
 Junção PN (Diodo)

Quando semicondutor do tipo N e do tipo P são

introduzidos lado-a-lado, uma junção PN ou um diodo é
formado.
20
 As três regiões de operação do Diodo

Junção pn no Junção pn sob Junção pn sob

equilíbrio polarização reversa polarização reversa
Região de depleção Capacitância de junção Característica I/V
Potencial Interno

A fim de compreender o funcionamento de um diodo, é

necessário estudar as suas três regiões de operação: de
equilíbrio, a polarização reversa, polarização direta.

21
Fluxo de corrente através Junction: Difusão
Portadores Portadores
Majoritários Majoritários

Portadores Portadores
Minoritários Minoritários

nn : Concentração de elétrons no lado n

pn : Concentração de lacunas no lado n
pp : Concentração de lacunas no lado p
np : Concentração de elétrons no lado p

Porque em cada um dos lados da junção contém um excesso de

lacunas ou elétrons em relação ao outro lado, existe um
gradiente de concentração muito elevado.

Por conseguinte, uma corrente de difusão flui através da junção

de cada um dos lados. 22
 Região de Depleção.

Elétrons Lacunas
livres Íons Íons Região de
livres
Positivos Negativos Depleção
Doadores Aceitadores

• Elétrons e lacunas livres se difundem através da junção,

uma região de iões fixos é deixado para trás.
• Esta região é conhecida como a "região de depleção."

23
Fluxo de Corrente através da junção: Deriva

Os íons fixos na região de depleção criam um campo

elétrico que resulta em uma corrente de deriva.
24
 Fluxo de corrente através Junção:
Equilíbrio

I drift , p  I diff , p
I drift ,n  I diff ,n

 Em equilíbrio, a corrente de deriva flui numa direcção que

cancela o a corrente de difusão a qual flui na direcção
oposta, a criação de uma corrente da rede igual a zero.

 A figura mostra o perfil dos portadores em uma junção PN.

25
 Potencial interno
𝑑𝑉 Dp pp
𝐸=− V ( x2 )  V ( x1 )  ln
𝑑𝑥 p pn
dp
q p pE  qD p
dx kT pp
V0  ln ,
dV dp q pn
 p p  Dp
dx dx
x2 pn kT N A N D
dp V0  ln
  p  dV  D p  q ni
2

x1 pp
p

• Devido ao campo elétrico através da junção,

existe um potencial incorporado ou interno.
• Seu equacionamento é mostrada acima.
26
 Junção pn sob polarização reversa

Quando a região do tipo N de um díodo está conectado a um

potencial positivo do que a região tipo P, o díodo está sendo em
polarização inversa, o que resulta na região de depleção mais
larga e maior o campo eléctrico através da junção. 27
Aplicação do diodo com polarização reversa: Capacitor
dependente da tensão

A junção PN pode ser vista como um capacitor. Variando VR, a

largura da depleção muda,  mudando o seu valor de
capacitância, portanto, a junção PN é realmente um capacitor
dependente da voltagem. 28
 Capacitância Dependente da Tensão

C j0
Cj 
VR
1
V0
 si q N A N D1
C j0 
2 N A  N D V0

A equação que descreve a capacitância dependente da

tensão é mostrada acima.

29
 Oscilador controlado por Tensão: VCO

1 1
f res 
2 LC

― Uma aplicação muito importante da polarizado-reversa de

uma junção PN é o VCO, em que o circuito tanque de LC é
usado em um oscilador.
― Mudando o valor de VR, podemos mudar C, que também
muda a frequência de oscilação.
30
 Polarização direta do Diodo

• Quando a região do tipo N de um diodo está a um potencial

mais baixo do que a região tipo P, o díodo está em
polarização direta.

• A largura de depleção é reduzida e o campo eléctrico

incorporada diminuiu.
31
 Perfil dos portadores minoritários em
polarização direta
Potencial p

p p ,e
pn , e 
V0
exp
VT
pn,e np,f

p p, f Em equilíbrio
pn , f 
V0  VF
exp
VT

Sob polarização direta, portadores minoritários aumentam em cada

região, devido à diminuição do campo interno / potencial.
Portanto, as correntes de difusão aumentar para suprir essas
portadores minoritários.
32
Corrente de Difusão em polarização direta
NA VF ND VF
I tot  (exp  1)  (exp  1)
∆𝑝𝑛 = 𝑝𝑛,𝑓 − 𝑝𝑛,𝑒 V0 VT V VT
exp exp 0
VT VT
NA VF
pn  (exp  1) VF
V VT I tot  I s (exp  1)
exp 0 VT
VT

ND V Dn Dp
n p  (exp F  1) I s  Aqni (
2
 )
V0 VT N A Ln N D L p
exp
VT IS é a corrente de saturação reversa

Corrente de difusão aumenta de forma a fornecer o aumento

dos portadores minoritários. As equações são mostrados acima
33
 Gradiente de portadores minoritários
Fluxo
Fluxo de
de Fluxo de Fluxo de Fluxo de
elétrons
elétrons lacunas elétrons lacunas

- O perfil de carga dos portadores minoritários não deve ser constante ao

longo do eixo-x, caso contrário, não há gradiente de concentração e
nenhuma corrente de difusão.
- A recombinação dos portadores minoritários com os portadores
majoritários explica a queda de portadores minoritários como eles vão
fundo na região de P ou N.
34
Sumário das condições de polarização direta

Na polarização direta, existem grandes correntes de difusão

de portadores minoritários através da junção. No entanto, à
medida que avançamos em profundidade as regiões P e N, as
correntes de recombinação dos portadores majoritários
dominam. Estas duas correntes se somam a um valor
constante. 35
 Característica I-V da Junção PN

Polarização Polarização
Direta Reversa

𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑉𝑇 − 1)

A relação de tensão e corrente de uma junção PN é

exponencial na região de polarização direta, e relativamente
constante na região de polarização reversa.
36
 Junções PN paralelas

A correntes IS é proporcional à área da secção transversal da

junção.
Duas junções PN colocadas em paralelo formama uma junção
PN com o dobro da área de secção transversal, e, portanto, o
dobro da corrente. 37
Modelo do Diodo Tensão-Constante

38
 Condução reversa: Breakdown

Quando uma grande tensão de polarização reversa é aplicada,

ocorre a condução reversa no ponto de breakdown e uma
enorme corrente flui através do díodo.
39
 Zener vs. Avalanche Breakdown

Condução reversa ou breakdown de um diodo Zener é o resultado

de um grande campo elétrico aplicado na região de depleção que
quebra as ligações covalentes dos elétrons ou buracos.
Condução por avalanche no ponto de breakdown é o resultado de
elétrons ou buracos colidem com os íons fixos dentro da região de
depleção.
40