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Eletrônica de Potência 2017/1

Notas de aula

Prof. Rodrigo Arruda Felício Ferreira, Dr. Eng.


rodrigo.ferreira@ifsudestemg.edu.br
Plano de Curso
• Princípios de Eletrônica de Potência, Chaves Semicondutoras, Circuitos de
Potência básicos.

• Conversores CA-CC (Retificadores). Retificadores não controlados e


controlados a tiristor e transistor.

• Conversores CC-CC. Circuitos abaixadores, elevadores e abaixadores-


elevadores, não-isolados e isolados.

• Conversores CC-CA (Inversores). Inversores monofásicos e trifásicos.

• Fontes de alimentação, UPS, Acionamentos elétricos.

• Introdução à metodologias de controle de conversores.

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Cronograma
• Avaliações individuais (30 pts cada).

• Relatórios (10 pts cada).

• Avaliação Final (100 pts).

Eletrônica de Potência 3
Cronograma

Avaliações
Relatórios
Semana de Provas Finais
Métodos Matemáticos 4
Bibliografia
[1] MOHAN, Ned; UNDELAND, Tore M; ROBBINS, William P. Power
electronics: converters, applications, and design. 3.ed. New York: John Wiley, 2003.
802 p.

[2] HART, Daniel M. Eletrônica de Potência. Porto Alegre: McGraw Hill, 2012. 504 p.

[3] AHMED, Ashfaq. Eletrônica de potência. São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2012.
479 p.

[4] BARBI, I; MARTINS, Denizar Cruz. Conversores CC-CC básicos não isolados. Edição
dos Autores, 2006. 380 p.

[5] ARRABAÇA, Devair Aparecido; GIMENEZ, Salvador Pinillos. Eletronica de


potência: conversores de energia (CA/CC) teoria, prática e simulação. São Paulo: Érica,
2011. 334 p.
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Apresentação
• De um modo geral, dispositivos de eletrônica de potência tem por objetivo
processar e controlar o fluxo de potência, fornecendo tensões e correntes
à cargas de modo a se obter um melhor proveito da energia elétrica.

• Tais dispositivos são chamados de conversores de potência ou conversores


estáticos, pois operam com chaves estáticas (sem partes móveis).

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Aplicações
1. Residencial: Refrigeração, condicionamento de ar, iluminação, aplicações
eletrônicas (computadores, TV modernas, tablets, celulares, etc.).

2. Comercial: Condicionamento de ar, ventilação, iluminação, equipamentos


de escritório, UPS (no-breaks).

3. Industrial: bombas, compressores, sopradores, fornos à arco e à indução,


iluminação, aquecimento, sistemas robóticos e de automação.

4. Transporte: controle de tração de veículos elétricos, locomotivas,


alimentação de veículos elétricos em geral.

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Aplicações
5. Sistemas de potência: HVDC, compensação estática, energias renováveis,
armazenamento de energia (baterias, compressores, volantes de inércia).

6. Aeroespacial: sistemas de suprimento em ônibus espaciais, ISS, satélites


e aviões.

7. Telecomunicações: armazenamento de energia, fontes de alimentação


(CC e UPS).

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Classificações
1. Conversores de potência

a) CA-CC

b) CC-CC

c) CC-CA

d) CA-CA

Por conveniência, utiliza-se o termo conversor para qualquer estágio de


conversão de potência. Especificamente, conversores CA-CC são chamados de
retificadores. Por outro lado, inversores são aqueles conversores CC-CA.

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Classificações
2. Processadores de potência:

– CC

a) Magnitude constante (regulada).

b) Magnitude ajustável.

– CA

a) Frequência constante, magnitude ajustável.

b) Frequência e magnitude ajustáveis.

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Chaves semicondutoras
1. Diodo de potência: é a chave mais simples. Não controlável, isto é, os
estados ligado e desligado são definidos de acordo com as tensões e
correntes no elemento.

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Chaves semicondutoras

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Chaves semicondutoras
2. Tiristores: são chaves eletrônicas usadas ​em alguns circuitos de potência
em que é necessário o controle do interruptor para ser ligado.

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Chaves semicondutoras
O termo tiristor se refere, de fato, à família de chaves que incluem o SCR
(Silicon-Controlled Rectifier), o TRIAC, o GTO (Gate turnoff Thyristor), o MCT
(MOS Controlled Thyristor), entre outros.

O princípio de funcionamento é basicamente o mesmo. Um pulso de disparo


é injetado na porta (gate) do SCR e este passa a conduzir até que a tensão
entre seus terminais permaneça acima de um limite definido de acordo com o
tipo de dispositivo, fabricante, etc.

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Chaves semicondutoras
O GTO tem tem a vantagem de poder ser desligado, simplesmente injetando-
se um pulso negativo no terminal de gate.

O TRIAC pode conduzir corrente em ambos os sentidos.

O MCT é análogo ao GTO, porém, um pulso de tensão, ao invés de corrente, é


que dispara a chave.

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Chaves semicondutoras

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Chaves semicondutoras
3. Transistores de potência: são chaves eletrônicas que conduzem apenas
quando existe um valor positivo de tensão ou corrente no seu terminal
de disparo.

Diferentemente dos transistores utilizados em eletrônica analógica, as chaves


utilizadas em conversores operam apenas nos modos de corte ou saturação.
Deste modo, idealmente são circuitos abertos, se desligados, ou curtos-
circuitos, se ligados.

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Chaves semicondutoras
TBJ: Transistores Bipolares de Junção. Para ligar a chave, basta injetar uma
corrente na base do dispositivo suficiente para que o mesmo opere na
saturação.

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Chaves semicondutoras
MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Funcionamento
análogo ao do TBJ. Entretanto, o nível de tensão entre a porta (gate) e a fonte
(source) é que mantém a chave em modo de condução.

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Chaves semicondutoras
IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor. É uma combinação entre as
tecnologias MOSFET (disparo) e IGBT (características de condução).

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Chaves semicondutoras

TBJ
MOSFET

IGBT

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Chaves semicondutoras
Escolha do tipo de chave

A escolha do tipo de chave a ser utilizada varia de acordo com o tipo de


aplicação e não apenas com os níveis de tensão e correntes especificados.

• MOSFET, por sua característica construtiva, possui vantagem na


velocidade de comutação. Portanto, é recomendada sua utilização em
aplicações de alta frequência (> 50 kHz).

• TBJ e IGBT possuem a vantagem de poderem suportar maiores tensões e


correntes durante o ciclo de condução.

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Chaves semicondutoras
Considerações finais

• Chaves não possuem características ideais, isto é, possuem um tempo de


resposta entre o instante de disparo e o início da condução.

• Além disso, há uma pequena dissipação de potência durante o período de


condução, uma vez que existem resistências parasitas oriundas do
processo de fabricação e da própria natureza do dispositivo.

• Custos dos dispositivos pode ser um fator determinante em sua seleção.

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Chaves semicondutoras
• Entretanto, as duas primeiras questões tem interferência pouco
significativa já que parte-se do pressuposto que conversores são
altamente eficientes e o tempo de resposta é ínfimo, se comparado ao
período de comutação. Portanto, serão consideradas chaves ideais.

• No caso da escolha das chaves, não serão considerados aspectos


financeiros no projeto dos conversores, apenas o atendimento às
especificações elétricas.

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Fundamentos Básicos
Considere o seguinte circuito linear, divisor de tensão, utilizado para fornecer
uma tensão de 3 V para a carga:

Observa-se que, como a resistência superior é o dobro da resistência de


carga, existe uma queda de tensão de 6 V entre a fonte e a carga.

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Fundamentos Básicos
Suponha, agora, que o circuito anterior seja substituído por outro, mostrado a
seguir, contendo uma chave semicondutora (considerada ideal) entre a fonte
e a carga.

Eletrônica de Potência 26
Fundamentos Básicos
Considerando que o período de comutação seja tal que a tensão na carga
possua a seguinte característica

Observa-se que:

1 𝑇 Τ3 𝑇
𝑉𝑚 = න 9𝑑𝑡 = . 9 = 3 𝑉.
𝑇 0 3𝑇

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Fundamentos Básicos
A grande vantagem é que, como a chave é considerada ideal, quando a
mesma está aberta, a corrente circulante é nula, ou seja, não há dissipação de
potência ( P = 𝑅.02 = 0 𝑊 ). Quando a chave conduz, considera-se a
resistência parasita como sendo zero (P = 0. 𝑖 2 = 0 𝑊). A eficiência, então, é
de 100 %.

No primeiro caso, 66,7% da potência fornecida pela fonte é dissipada na


resistência entre a fonte e a carga. Ou seja, uma eficiência de apenas 33,3%.

Na prática, é possível obter rendimentos bastante elevados, entre 90 e 98%.

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Fundamentos Básicos
• Para o estudo dos conversores estáticos, é extremamente importante um
bom conhecimento de circuitos elétricos, além de noções de operação
com funções.

• Sendo assim, adiante serão revisados alguns fundamentos básicos destes


tópicos.

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Potência e Energia
Em qualquer circuito elétrico, a potência instantânea é dada por:

𝑝 𝑡 = 𝑣 𝑡 . 𝑖(𝑡)

De um modo geral, para circuitos resistivos, a potência média (ou ativa), é


dada por:
𝑃 = 𝑉𝑅𝑀𝑆 . 𝐼𝑅𝑀𝑆

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Potência e Energia
Se as grandezas são contínuas, o valor eficaz é o próprio valor da grandeza.
Caso elas sejam alternadas ou periódicas, o valor eficaz é dado por:

𝑇
1
𝐹𝑅𝑀𝑆 = න 𝑓 2 𝑡 𝑑𝑡
𝑇
0

Pode ser interessante, ainda, relembrar como é feito o cálculo do valor médio
de funções periódicas:
𝑇
1
𝐹𝑀 = න 𝑓 𝑡 𝑑𝑡
𝑇
0

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Potência e Energia
A energia, ou trabalho, é a potência fornecida ou consumida durante
determinado intervalo de tempo: 𝑡

W = න 𝑝 𝑡 𝑑𝑡
0
Uma vez que a potência média pode ser calculada fazendo-se:
𝑇
1
P = න 𝑝 𝑡 𝑑𝑡
𝑇
0

A potência média pode ser calculada a partir de:


W
P=
𝑇

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Potência e Energia
Exemplo: Calcule a potência média e a energia consumidas por uma carga de
10 Ω, com a seguinte forma de onda de tensão entre seus terminais:

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Potência e Energia
A potência aparente é o produto dos módulos de tensão rms e de corrente
rms e é muitas vezes usado para especificar a classificação do equipamento
de energia, tais como transformadores.

𝑆 = 𝑉𝑅𝑀𝑆 𝐼𝑅𝑀𝑆 [VA]

Em circuitos de corrente alternada (circuitos lineares com fontes senoidais),


potência aparente é o módulo da potência complexa.

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Potência e Energia
O fator de potência de uma carga é definido como a razão entre potência
média e potência aparente:

𝑃 𝑃
𝐹𝑃 = =
𝑆 𝑉𝑅𝑀𝑆 𝐼𝑅𝑀𝑆

Em circuitos de corrente senoidal, o cálculo acima resulta em FP = cos(𝜃),


onde θ é o ângulo de fase entre a tensão e a corrente. No entanto, para
funções não senoidais, o fator de potência deve ser calculado a partir da
equação geral.

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Tensões e correntes
Tensões e correntes senoidais são definidas a partir das seguintes expressões:

𝑣 𝑡 = 𝑉𝑃 𝑠𝑒𝑛(𝜔𝑡 + 𝜃𝑣 );
𝑖 𝑡 = 𝐼𝑃 𝑠𝑒𝑛 𝜔𝑡 + 𝜃𝑖 .

Ou na forma fasorial:

𝕍 = 𝑉𝑅𝑀𝑆 ∡𝜃𝑣 ;

𝕀 = 𝐼𝑅𝑀𝑆 ∡𝜃𝑖 .

𝑉𝑝
Com valor RMS definido como 𝑉𝑅𝑀𝑆 = .
2

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Tensões e correntes
A potência ativa (ou média) é aquela associada à energia consumida ou
dissipada em elementos resistivos. Matematicamente, é dada por:

𝑃 = 𝑉𝑅𝑀𝑆 𝐼𝑅𝑀𝑆 𝑐𝑜𝑠(𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 ) [W]

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Tensões e correntes
A potência reativa é aquela associada à energia utilizada para
armazenamento e descarga de energia em elementos reativos.
Matematicamente, é dada por:

𝑄 = 𝑉𝑅𝑀𝑆 𝐼𝑅𝑀𝑆 𝑠𝑒𝑛(𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 ) [Var]

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Tensões e correntes
A partir de P e Q, é possível definir a potência complexa como

𝑆 = 𝑃 + 𝑗𝑄 = 𝕍. 𝕀∗ [VA]

Ou seja
𝑆 = 𝑉𝑅𝑀𝑆 𝐼𝑅𝑀𝑆 ∡ 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 = 𝑆∡𝜃

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Tensões e correntes
Tensões e correntes periódicas não-senoidais podem ser definidos à partir da
sua expansão em Série de Fourier:

𝑓 𝑡 = 𝑎0 + ෍ 𝑎𝑛 cos 𝑛𝜔𝑡 + 𝑏𝑛 sin 𝑛𝜔𝑡


𝑛=1

2𝜋
Onde 𝜔 = é a frequência angular da tensão ou corrente fundamental.
𝑇

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Tensões e correntes
Os coeficientes de Fourier são dados por:

1 𝑡0+𝑇
𝑎0 = න 𝑓 𝑡 𝑑𝑡
𝑇 𝑡0

2 𝑡0+𝑇
𝑎𝑛 = න 𝑓(𝑡) cos 𝑛𝜔𝑡 𝑑𝑡
𝑇 𝑡0

2 𝑡0+𝑇
𝑏𝑛 = න 𝑓(𝑡) 𝑠𝑒𝑛 𝑛𝜔𝑡 𝑑𝑡
𝑇 𝑡0

Eletrônica de Potência 41
Tensões e correntes
Senos e cossenos de mesma frequência podem ser combinados em uma
única senóide, resultado em uma expressão alternativa:

𝑓 𝑡 = 𝑎0 + ෍ 𝐶𝑛 cos(𝑛𝜔𝑡 + 𝜃𝑛 )
𝑛=1

onde

−𝑏𝑛
𝐶𝑛 = 𝑎𝑛2 + 𝑏𝑛2 e 𝜃𝑛 = 𝑡𝑎𝑛−1
𝑎𝑛

Eletrônica de Potência 42
Tensões e correntes
O valor RMS da expansão de f(t) em Série de Fourier pode ser definida por:

∞ 2
𝐶𝑛
𝐹𝑅𝑀𝑆 = 𝑎02 + ෍
𝑛=1
2

Eletrônica de Potência 43
Tensões e correntes
Tensões e correntes representadas por Séries de Fourier podem ser definidas
por:

𝑣 𝑡 = 𝑉0 + σ∞
𝑛=1 𝑉𝑛 cos(𝑛𝜔𝑡 + 𝜃𝑣 );

𝑖 𝑡 = 𝐼0 + σ∞
𝑛=1 𝐼𝑛 cos(𝑛𝜔𝑡 + 𝜃𝑖 ).

Logo, a potência média pode ser computada, fazendo-se:

𝑇
1
P = න 𝑣 𝑡 𝑖(𝑡) 𝑑𝑡
𝑇
0

Eletrônica de Potência 44
Tensões e correntes
A média dos produtos dos termos dc é 𝑉0 𝐼0 . A média do produto de tensão e
correntes com a mesma frequência é descrito pela forma alternativa da Série
de Fourier e a média da tensão e da corrente de produtos de diferentes
frequências é zero (ortogonalidade). Consequentemente, a potência média
para tensões e correntes periódicas não senoidais é:

𝑃 = 𝑉0 𝐼0 + ෍ 𝐼𝑛,𝑅𝑀𝑆 𝑉𝑛,𝑅𝑀𝑆 cos(𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 )


𝑛=1

Eletrônica de Potência 45
Tensões e correntes
Exemplo – Para o circuito abaixo, a tensão da fonte de alimentação é dada
por 𝑣 𝑡 = 10 + 20 cos 100𝑡 − 25° + 30 cos 200𝑡 + 20° . Determine a
potência consumida pela carga.

𝑗5 Ω

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Distorção Harmônica
O fator de distorção representa a redução no fator de potência devido à
propriedade não senoidal da corrente. O fator de potência, neste caso, deve
ser expresso como:
𝐹𝑃 = cos 𝜃𝑣 − 𝜃𝑖 𝐹𝐷

Onde

𝐼1,𝑅𝑀𝑆
𝐹𝐷 =
𝐼𝑅𝑀𝑆

é chamado Fator de Distorção e representa a taxa entre o valor eficaz da


corrente fundamental o módulo do valor eficaz da corrente total.

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Distorção Harmônica
A Taxa de Distorção Harmônica (TDH) é outro termo usado para quantificar a
propriedade não senoidais de uma forma de onda. A TDH é a relação entre o
valor eficaz de todos os harmônicos para o valor RMS e o termo de frequência
fundamental.

2 2
𝐼𝑅𝑀𝑆 − 𝐼1,𝑅𝑀𝑆
𝑇𝐷𝐻 = 2
𝐼1,𝑅𝑀𝑆

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Distorção Harmônica
Alternativamente, a TDH pode ser dada por:

σ∞ 2
𝑛=2 𝐼𝑛
𝑇𝐷𝐻 =
𝐼1

O Fator de distorção, por sua vez, pode ser obtido conhecendo-se a TDH:

1
𝐹𝐷 =
1 + 𝑇𝐷𝐻 2

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Distorção Harmônica
A potência aparente S deve incluir um termo levando em consideração as
grandezas em frequências diferentes da fundamental (associado à tensão).

𝑆= 𝑃2 + 𝑄2 + 𝐷2

onde


𝑉1
𝐷= ෍ 𝐼𝑛2
2
𝑛≠1

Eletrônica de Potência 50
Distorção Harmônica
Outros termos que são às vezes utilizados para caracterizar correntes não
senoidais (ou tensões) são fator de forma:

𝐼𝑅𝑀𝑆
𝐹𝐹 =
𝐼𝑚é𝑑𝑖𝑎

e fator de crista

𝐼𝑝𝑖𝑐𝑜
𝐹𝐶 =
𝐼𝑅𝑀𝑆

Eletrônica de Potência 51
Distorção Harmônica
Exemplo – Calcule o FD e a TDH de um circuito cujas correntes são dadas por:

3
5
𝑖 𝑡 = ෍ 2 cos(𝑛𝜋𝑡)
𝑛
𝑛=1

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