Universidade Federal de Pernambuco

CTG – Centro de Tecnologia e Geociências

DES – Departamento de Eletrônica e Sistemas
Introdução aos Dispositivos Semicondutores
Professor: Joaquim F. Martins Filho

Terminologias para o Formulário 2

Constantes, Grandezas e Variáveis

Terminologias Gerais
Símbolo
Significado
ou Sigla
𝑬𝒊 Nível de Fermi intrínseco
𝑵 (opção 1) Concentração de portadores de carga em excesso
𝑵𝒂 Concentração de impurezas aceitadoras ou dopagem do emissor do transistor p-n-p
𝑵𝒅 Concentração de impurezas doadoras ou dopagem do emissor do transistor n-p-n
𝑰𝑺 Corrente de saturação reversa
𝝈 Condutividade do material (Ω𝑚)−1
𝝉𝒏 Tempo de recombinação dos elétrons
𝝉𝒑 Tempo de recombinação dos buracos
𝒊 Unidade imaginária
𝒔𝒆𝒏𝒉(𝒕) Seno hiperbólico
𝒄𝒐𝒔𝒉(𝒕) Cosseno hiperbólico
𝒕𝒂𝒏𝒉(𝒕) Tangente hiperbólica
𝒔𝒆𝒄𝒉(𝒕) Secante hiperbólica
𝒄𝒔𝒄𝒉(𝒕) Cossecante hiperbólica
𝒄𝒐𝒕𝒉(𝒕) Cotangente hiperbólica

Equações Adicionais
Funções hiperbólicas:

𝑠𝑒𝑛ℎ(𝑡) = (𝑒 𝑡 − 𝑒 −𝑡 )⁄2 𝑖. 𝑠𝑒𝑛ℎ(𝑡) = 𝑠𝑒𝑛(𝑖𝑡)

𝑐𝑜𝑠ℎ(𝑡) = (𝑒 𝑡 + 𝑒 −𝑡 )⁄2 𝑐𝑜𝑠ℎ(𝑡) = 𝑐𝑜𝑠(𝑖𝑡)

𝑠𝑒𝑛ℎ(𝑡)
𝑡𝑎𝑛ℎ(𝑡) = (𝑒 𝑡 − 𝑒 −𝑡 )⁄(𝑒 𝑡 + 𝑒 −𝑡 ) 𝑡𝑎𝑛ℎ(𝑡) =
𝑐𝑜𝑠ℎ(𝑡)

1 1 cosh(𝑡)
sech(𝑡) = csch(𝑡) = coth(𝑡) =
cosh(𝑡) senh(𝑡) senh(𝑡)
 Transistor Bipolar de Junção
Símbolo
Significado
ou Sigla
𝑰𝑬 Corrente de emissor do transistor
𝑰𝑬𝒑 Contribuição de buracos para a Corrente de emissor do transistor
𝑰𝑬𝒏 Contribuição de elétrons para a Corrente de emissor do transistor
𝑰𝑪 Corrente de coletor do transistor
𝑰𝑪𝒑 Contribuição de buracos para a Corrente de coletor do transistor
Contribuição de elétrons para a Corrente de coletor do transistor ou Corrente de
𝑰𝑪𝒏 saturação reversa na junção do coletor
𝑰𝑩 Corrente de base do transistor
𝑰𝑬𝟎 Corrente de saturação do emissor com a junção do coletor aberta (𝐼𝐶 = 0)
𝑰𝑪𝟎 Corrente de saturação do coletor com a junção do emissor aberta (𝐼𝐸 = 0)
𝑽𝑬𝑩 Tensão na junção do emissor (Tensão Emissor-Base)
𝑽𝑪𝑩 Tensão na junção do coletor (Tensão Coletor-Base)
𝒍 Espessura da Base
𝑩 Fator de transporte da Base
Fator de amplificação ou Ganho de corrente emissor comum
𝜷 (ℎ𝐹𝐸 : 𝐹𝑜𝑟𝑤𝑎𝑟𝑑 𝑐𝑢𝑟𝑟𝑒𝑛𝑡 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑓𝑒𝑟 𝑟𝑎𝑡𝑖𝑜)
𝜶 (opção 1) Ganho de corrente base comum
𝜶 (opção 2) Fator de transferência de corrente
𝜸 Eficiência de injeção do emissor
𝑫𝒏𝑬 Coeficiente de difusão dos elétrons no emissor do transistor
𝑫𝒏𝑪 Coeficiente de difusão dos elétrons no coletor do transistor
𝑳𝒏𝑬 Comprimento de difusão dos elétrons no emissor do transistor
𝑳𝒏𝑪 Comprimento de difusão dos elétrons no coletor do transistor
𝑨 Área da seção reta do transistor
𝒑𝑩 Concentração de equilíbrio de buracos na base
𝒏𝑬 Concentração de equilíbrio de elétrons no emissor
𝒏𝑪 Concentração de equilíbrio de elétrons no coletor
𝑰𝑬𝒔 , 𝑰𝑪𝒔 ,
Parâmetros de Ebers-Moll
𝜶𝑵 , 𝜶𝑰

Observações
𝑶𝑩𝑺𝟏 : Para o caso do transistor simétrico:
𝐼𝐸𝑠 = 𝐼𝐶𝑠 𝛼𝑁 = 𝛼𝐼
𝑶𝑩𝑺𝟐 : Se a concentração de impurezas for muito maior no lado 𝑝 do que no lado
𝑛 do transistor, então: 𝐼𝐸𝑝 ≫ 𝐼𝐸𝑛
 𝑶𝑩𝑺𝟑 : A condição essencial para a função de amplificação do transistor é que a
corrente de base 𝐼𝐵 seja pequena mas não nula. Sendo assim: 𝐼𝐶 ≲ 𝐼𝐸 e
𝐼𝐵 ∼ 10−2 𝐼𝐸
𝑶𝑩𝑺𝟒 : Se a corrente de saturação reversa na junção do coletor, 𝐼𝐶𝑛 , for
desprezível, pode-se considerar 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑝 + 𝐼𝐶𝑛 ≃ 𝐼𝐶𝑝
𝑶𝑩𝑺𝟓 : Para o transistor NPN: 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐶𝐵
Para o transistor PNP: 𝑉𝐸𝐶 = 𝑉𝐸𝐵 + 𝑉𝐵𝐶
𝑶𝑩𝑺𝟔 : As regiões de operação do transistor são:
 Corte (𝐼𝑐 = 0);
 Saturação (𝑉𝐶𝐸 = 0);
 Ativa (região entre o corte e a saturação);
 Ruptura (região onde o transistor não pode operar).

Equações Adicionais
1) Equações de Ebers-Moll:
𝐼𝐸 = 𝛼𝐼 𝐼𝐶 + 𝐼𝐸0 (𝑒 𝑒𝑉𝐸𝐵 ⁄𝐾𝐵𝑇 − 1)
𝐼𝐶 = 𝛼𝑁 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶0 (𝑒 𝑒𝑉𝐶𝐵 ⁄𝐾𝐵𝑇 − 1)
𝐼𝐸0 = (1 − 𝛼𝑁 𝛼𝐼 )𝐼𝐸𝑠
𝐼𝐶0 = (1 − 𝛼𝑁 𝛼𝐼 )𝐼𝐶𝑠

2) 𝛼 = 𝛾𝐵 (𝐹𝑎𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑓𝑒𝑟ê𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑒𝑛𝑡𝑒)

3) 𝛽 = 𝛼⁄(1 − 𝛼) (𝐹𝑎𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒 𝑎𝑚𝑝𝑙𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎çã𝑜)

Transistor de Efeito de Campo de Junção (JFET)

Símbolo
Significado
ou Sigla
𝑰𝑫 Corrente do dreno para a fonte no canal
𝑰𝑫𝒔𝒂𝒕 Corrente de saturação do dreno para a fonte no canal
𝑳 Comprimento do canal
𝑫 Profundidade do canal
𝒉 Altura efetiva do canal
𝒉(𝒙) Altura efetiva na seção de abcissa 𝑥 do canal
𝒂 Meia largura do canal considerando a espessura 𝑙 da região de depleção
𝒍 Espessura total da região de depleção
𝒍(𝒙) Espessura das regiões de depleção das junções p+-n na seção de abcissa 𝑥 do canal
𝑽𝑫 Diferença de potencial entre dreno e fonte
𝑽𝑫𝒔𝒂𝒕 Diferença de potencial de saturação entre dreno e fonte
𝑽𝑷 Diferença de potencial entre porta e fonte
 Tensão reversa na junção dada pela diferença de potencial entre um ponto de
𝑽(𝒙) abcissa 𝑥 no canal e a porta
𝑽𝒄 Valor crítico da tensão reversa 𝑉(𝑥)
𝝓(𝒙) Potencial elétrico no ponto de coordenada 𝑥 do canal em relação à fonte (𝑥 = 0)
𝑮𝟎 Condutância do canal sem as regiões de depleção

Equações Adicionais

1) ℎ = 2(𝑎 − 𝑙) (𝐴𝑙𝑡𝑢𝑟𝑎 𝑒𝑓𝑒𝑡𝑖𝑣𝑎 𝑑𝑜 𝑐𝑎𝑛𝑎𝑙)

2) 𝑉(𝑥) = 𝜙(𝑥) − 𝑉𝑃 (𝑇𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑟𝑒𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎 𝑛𝑎 𝑗𝑢𝑛çã𝑜)

3) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑃 (𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑐𝑟í𝑡𝑖𝑐𝑜 𝑑𝑎 𝑡𝑒𝑛𝑠ã𝑜 𝑟𝑒𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎)

Transistor de Efeito de Campo MOS (MOSFET)

Símbolo
Significado
ou Sigla
𝑽𝒄 Tensão crítica de inversão no capacitor MOS
𝑽𝒊 Queda de potencial no isolante para o capacitor MOS
𝑽𝒔 Queda de potencial no semicondutor para o capacitor MOS
𝑽𝑫 Tensão de dreno
𝑽𝑫𝒔 Valor de saturação da tensão de dreno
𝑽𝑷 Tensão de porta
𝑽𝑷𝒄 Valor crítico da tensão de porta
𝑽𝒐𝒙 Tensão efetiva do capacitor MOS
𝑰𝑫 Corrente de dreno
𝑰𝑫𝒔𝒂𝒕 Valor de saturação da corrente de dreno
𝑸 Carga na região de depleção no capacitor MOS
𝑸𝒅 Carga máxima na região de depleção no capacitor MOS
𝑸𝒔 Carga na superfície do semicondutor do capacitor MOS
𝑸𝒎 Carga na superfície do metal do capacitor MOS
𝑸𝒐𝒙 Carga efetiva ou conjunto das cargas no óxido e na interface do capacitor MOS
𝑬𝑭𝒔 Nível de Fermi no semicondutor na interface do óxido do capacitor MOS
Diferença de potencial entre o Nível de Fermi intrínseco (𝐸𝑖 ) e o Nível de Fermi no
𝝓𝑭 semicondutor (𝐸𝐹𝑠 ) longe da interface do óxido do capacitor MOS
𝝓𝒎 Função trabalho do metal para o capacitor MOS
𝝓𝒔 Função trabalho do semicondutor para o capacitor MOS
𝝓𝒎𝒔 Diferença das funções trabalho do metal e do semicondutor
𝝓(𝒙) Diferença de potencial entre o ponto 𝑥 e a fonte do capacitor MOS
𝝐𝒔 Permissividade elétrica do semicondutor ou constante dielétrica do semicondutor
 𝝐𝒊 Permissividade elétrica do isolante ou constante dielétrica do isolante
𝑪 Capacitância total do capacitor MOS
𝑪𝒊 Capacitância para o capacitor MOS se caso fosse formado por material isolante
Espessura total da região de depleção do capacitor MOS ou Espessura da camada
𝒍 de óxido
𝒍𝒎𝒂𝒙 Espessura total máxima da região de depleção do capacitor MOS
𝒅 Distância entre as placas do capacitor MOS
𝑳 Comprimento do capacitor MOS
𝑫 Profundidade do capacitor MOS
𝑨 Área da superfície da placa do capacitor MOS

Observações

𝑶𝑩𝑺𝟏 : Para o transistor MOSFET: 𝑉𝑃𝑐 = 𝑉𝐶 + 𝑉𝐷

Equações Adicionais
1⁄2
1) 𝑙 = (2𝜖𝑠 𝑉𝑠 ⁄𝑒𝑁𝑎 ) (𝐸𝑠𝑝𝑒𝑠𝑠𝑢𝑟𝑎 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑑𝑎 𝑟𝑒𝑔𝑖ã𝑜 𝑑𝑒 𝑑𝑒𝑝𝑙𝑒çã𝑜)

1 2 ⁄ 1⁄2
2) 𝑙𝑚𝑎𝑥 = (4𝜖𝑠 𝜙𝐹 ⁄𝑒𝑁𝑎 ) = [4𝜖𝑠 𝐾𝐵 𝑇. 𝑙𝑛 (𝑁𝑎 ⁄𝑛𝑖 )⁄𝑒 2 . 𝑁𝑎 ]
(𝐸𝑠𝑝𝑒𝑠𝑠𝑢𝑟𝑎 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 𝑑𝑎 𝑟𝑒𝑔𝑖ã𝑜 𝑑𝑒 𝑑𝑒𝑝𝑙𝑒çã𝑜)

3) 𝑄𝑑 = 𝑒𝑁𝑎 𝑙𝑚𝑎𝑥 𝐴 (𝐶𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 𝑛𝑎 𝑟𝑒𝑔𝑖ã𝑜 𝑑𝑒 𝑑𝑒𝑝𝑙𝑒çã𝑜)

4) 𝐶 = 𝐴⁄(𝑑⁄𝜖𝑖 + 𝑙 ⁄𝜖𝑠 ) 𝐶 = 𝐷. 𝐿⁄(𝑑⁄𝜖𝑖 + 𝑙 ⁄𝜖𝑠 )

(𝐶𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡â𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 𝑑𝑜 𝑐𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑜𝑟 𝑀𝑂𝑆)

Dispositivos Opto-eletrônicos
Símbolo
Significado
ou Sigla
𝑷𝑳 Potência de luz incidente na área efetiva da junção
𝑷𝒆𝒍𝒆 Potência elétrica
𝑷 Potência óptica de saída
𝑷𝒈 Potência óptica de entrada
𝑰 (opção 1) Intensidade de penetração do material
𝑰𝟎 Intensidade da radiação na superfície
𝑰 (opção 2) Corrente total no fotodiodo
𝚫𝑱 Variação da densidade de corrente do fotodetetor
𝚫𝑰 Fotocorrente ou Variação na intensidade de corrente
 𝚫𝝈 Fotocondutividade
𝑰𝑳 Corrente na junção produzida pela luz
𝑰𝒆 Corrente de escuro do fotodiodo
Corrente máxima de operação na condição de 𝑃𝑒𝑙𝑒 máximo (Corrente do ponto de
𝑰𝒎 potência máxima)
𝑰𝒄𝒄 Corrente de curto-circuito do fotodetetor
Tensão máxima de operação na condição de 𝑃𝑒𝑙𝑒 máximo (Tensão do ponto de
𝑽𝒎 potência máxima)
𝑽𝒄𝒂 Tensão de circuito aberto do fotodetetor (𝐼 = 0)
𝑹𝑳 Resistor de carga
𝜶 Taxa de decaimento ou coeficiente de absorção
𝒙 Direção no eixo 𝑥
𝒄 Velocidade da luz no vácuo
𝝎 Frequência angular
𝜿 (kappa) Coeficiente de extinção
𝑲 (ká max) Coeficiente de extinção
𝒌 (ká min) Número de comprimentos de onda angular por unidade de distância
𝒏 Índice de refração normal
𝑵(𝒘) Índice de refração complexo
𝑵 (opção 2) Índice de refração complexo
𝑹 Refletividade
𝒈 Taxa de geração dos portadores de carga
𝜼 Eficiência quântica de conversão
𝜼𝒄𝒐𝒏𝒗 Eficiência de conversão de potência da célula solar
𝑨 Área de iluminação da junção
𝒅 Espessura do semicondutor
𝒃 Largura do semicondutor
𝒍 Distância entre as faces do fotodetetor ou Comprimento do semicondutor
𝝉𝒓 Tempo de recombinação dos portadores de carga
𝑽 Tensão aplicada nas faces do fotodetetor
𝑮 Ganho fotocondutivo do dispositivo
𝝀 Comprimento de onda
𝝀𝒄 Comprimento de onda de corte do material
𝒓 Responsividade do fotodiodo
𝑭𝑭 Fator de forma

Equações Adicionais

1) 𝜔 = 2𝜋𝑓 (𝑉𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 𝑎𝑛𝑔𝑢𝑙𝑎𝑟)

2) 𝑐 = 𝑓. 𝜆 (𝑉𝑒𝑙𝑜𝑐𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒 𝑑𝑎 𝑙𝑢𝑧)
 3) 𝐸𝑔 = ℏ𝜔 (𝐸𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑎 𝑑𝑎 𝑟𝑎𝑑𝑖𝑎çã𝑜 𝑒𝑙𝑒𝑡𝑟𝑜𝑚𝑎𝑔𝑛é𝑡𝑖𝑐𝑎 𝑑𝑜 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙)

4) 𝜆𝑐 = ℎ. 𝑐⁄𝐸 (𝐶𝑜𝑚𝑝𝑟𝑖𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜 𝑑𝑒 𝑜𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑡𝑒 𝑑𝑜 𝑚𝑎𝑡𝑒𝑟𝑖𝑎𝑙)

𝑔

5) 𝑁 = 𝑔. 𝜏𝑟 (𝐶𝑜𝑛𝑐𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎çã𝑜 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑟𝑡𝑎𝑑𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑒𝑚 𝑒𝑥𝑐𝑒𝑠𝑠𝑜)

6) Δ𝜎 = 𝑔. 𝜏𝑟 . 𝑒. (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 ) (𝐹𝑜𝑡𝑜𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒)

7) A = 𝑏. 𝑑 (Á𝑟𝑒𝑎)

8) 𝜂𝑐𝑜𝑛𝑣 = 𝑃⁄𝑃𝑔 (𝐸𝑓𝑖𝑐𝑖ê𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠ã𝑜 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑡ê𝑛𝑐𝑖𝑎)

Editado por: Daniel Alexandro (alexdannielll@gmail.com)