Tecnologia Smart Cut ™

1- Introdução

O processo Smart Cut ™ surgiu no início dos anos 90 motivado pelo

desenvolvimento de modos alternativos para a fabricação de silício em substrato (Silicon-
on-Insulator, SOI), em 1993, M ichel Bruel patenteou [1] um processo para a produção de
películas finas de material semicondutor, enquanto trabalhava como pesquisador no
Commissariat l'Energie Atomique- Laboratoire d'électronique des technologies de
l'information (CEA-Leti), um reconhecido instituto de pesquisa em microeletrônica na
Europa, em Grenoble, França. A invenção de Bruel, hoje conhecida como processo Smart
Cut ™, foi o passo pioneiro em direção à produção em larga escala de wafers SOI de alta
qualidade.

Os métodos de produção de wafer SOI existiam anteriormente, mas não eram

usados extensivamente, devido ao seu custo e falta de confiabilidade. A invenção de
Bruel permitiu adicionar uma camada ultrafina de isolante em um wafer de silício, nas
quais os circuitos e dispositivos são gravados. Esta técnica encontrou inicialmente
aplicações militares, espaciais e nucleares, pois fornece uma estrutura resistente a
radiações ionizantes.

A idéia do Smart Cut ™ surgiu com a observação dos materiais que constituem
os reatores nucleares, sob radiação α. A projeção de átomos leves, como He, em alta
energia e dose, já tinha sido observado como o causador da formação de bolhas dentro da
câmara do reator. O efeito do excesso de vacâncias gerado pelas altas energias dos gases
e da migração das espécies implantadas foi proposta para ajudar na formação de cavidades
planas no material. No entanto, a esfoliação superficial resultante foi considerada como
um efeito colateral indesejável. Bruel propôs a ligação de uma chamada “Camada de
reforço” em contato com a superfície implantada, a fim de auxiliar o desenvolvimento
das cavidades até a divisão de camadas paralelas a superfície. A etapa de divisão é o ponto
de partida do Smart Cut ™, bem como o principal tópico de interesse neste estudo [2]. A
técnica desenvolvida permitiu obter substratos que são usados como base para os produtos
eletrônicos e nanotecnologias mais avançados da atualidade.

Dois pesquisadores do CEA-Leti, Andre-Jacques Auberton-Herve e Jean-M ichel

Lamure, perceberam o potencial da tecnologia e montaram uma start-up, chamada Soitec,
em Grenoble na França. A Soitec passou anos após sua inauguração tentando se tornar
comercialmente viável. Seu avanço veio quando a Philips se tornou a primeira empresa a
usar componentes baseados em SOI em um amplificador de áudio. A empresa tornou-se
um exemplo de pesquisa bem sucedida em laboratório dedicado às nanotecnologias.

O Smart Cut ™, é uma tecnologia proprietária da Soitec, usada para fabricar as

wafers UNIBOND SOI da empresa [3].

2- Oxidação
3- Implantação
4- Limpeza
5- Corte
Referências

[1] B. MICHEL, “Process for the production of thin semiconductor material films”. Patente US
5374564, 20 Dezembro 1994.

[2] R. Meyer, The advanced developments of the Smart Cut™ technology : fabrication of
silicon thin wafers silicon-on-something hetero-structures, 2018.

[3] European Patent Office, “An Insulating Layer Leads to Semiconductor Success,” Acesso:
07/04/2019. https://www.epo.org/mobile/european-inventor/finalists/2006/Bruel.html.