Massachusetts Institute of Technology

Departamento de Engenharia Elétrica e Ciência da Computação

6.002 – Circuitos Eletrônicos

Outono 2000

Laboratório 2: Amplificadores de Inversão MOSFET & Circuitos de Primeira

Ordem
Apostila F00-037

Introdução

Este laboratório examina o comportamento de um amplificador de inversão

MOSFET. Ele começa examinando a relação de entrada-saída estática do
amplificador e termina examinando o comportamento dinâmico do mesmo
amplificador quando usado como um inversor lógico digital. Você deve concluir os
exercícios pré-laboratoriais em seu caderno de anotações antes de ir para o
laboratório. Depois, coloque em prática os exercícios de laboratório entre 23 e 27
de outubro. Após a conclusão, peça ao seu AP para verificar seu caderno de
anotações e entregue-o até o dia 3 de novembro, sexta-feira.

Traga seu CD favorito para o Exercício de Laboratório 2-3; será um

experimento divertido e seus resultados não serão necessários para os exercícios
pós-laboratoriais.

Exercícios Pré-Laboratoriais

(2-1) Considere o amplificador de inversão MOSFET mostrado na Figura 1. Usando

o modelo SCS MOSFET, escreva uma expressão para νOUT como uma função
de νIN para 0 ≤ νIN ≤ νOUT + VTM. Além disso, esboce e intitule de forma clara a
forma de νOUT como uma função de νIN em cima da mesma faixa.

Figura 1: Amplificador de inversão MOSFET para os Exercícios Pré-Laboratoriais 2-1 e 2-2.

(2-2) Escreva uma expressão para o ganho de sinal fraco do amplificador MOSFET
mostrado na Figura 1, supondo que seu MOSFET é polarizado dentro da
operação saturada.

(2-3) Considere a rede mostrada na Figura 2. Primeiro, suponha que νOUT = 0 em t

= 0. Em seguida, escreva uma expressão para νOUT(t) para t ≥ 0, dado que
νIN se locomove de 0 V a VI em t = 0.
(2-4) Para o transiente definido no Exercício Pré-Laboratorial 2-3, determine o
tempo em que νOUT chega até uma determinada VT, onde

Figura 2: Rede para os Exercícios Pré-Laboratoriais 2-3 e 2-4.

Exercícios de Laboratório

Como parte dos exercícios de laboratório, você medirá a voltagem limite e a

capacitância da porta para a fonte de um MOSFET. Estes parâmetros serão usados
para interpretar os resultados de outros exercícios de laboratório. Portanto, use o
mesmo MOSFET para o MOSFET marcado com M em cada exercício de laboratório
descrito abaixo.

(2-1) Este exercício mede a relação de entrada-saída estática do amplificador

MOSFET mostrado na Figura 1. Para começar, construa o amplificador como mostra
a Figura 3 e conecte o gerador de sinais e o osciloscópio. Em seguida, ajuste o
gerador de sinais para produzir uma onde senoidal de 1-kHz com uma amplitude
entre picos de 3 V e uma neutralização de 1,5 V. Assim, o gerador de sinais
produzirá uma onda senoidal polarizada entre 0 V e 3 V. Ajuste o osciloscópio para
operar em seu modo X-Y com uma sensitividade de eixo-X (Canal No. 1) de 500
mV por divisão e uma sensitividade de eixo-Y (Canais No. 2) de 1 V por divisão.
Agora, você deverá visualizar a relação de entrada-saída exibida no osciloscópio.
Por fim, compare a relação exibida com a esboçada no Exercício Pré-Laboratorial 2-
1.

Figura 3: Medição da relação de entrada-saída estática do amplificador MOSFET mostrada na Figura 1.

 Registre os dados a seguir. Primeiro, registre o valor de νIN acima o qual
νOUT começa a cair. Esta é a voltagem limite VTM do MOSFET; veja o esboço
do exercício Pré-Laboratorial 2-1. Segundo, registre os valores de νIN que
corresponde aos valores de νOUT de 5 V, 4 V, 3 V, 2 V e 1 V. Por outro lado,
talvez você ache mais fácil e mais preciso usar o gerador de sinais como
uma fonte programável νIN e medir νOUT com um multímetro.

(2-2) Este exercício mede o ganho de sinal fraco do amplificador mostrado na

Figura 1 quando sua voltagem de polarização de saída é 2 V. Para começar,
construa o Circuito No. 1 mostrado na Figura 4. Ajuste o potenciômetro até
que νOUT = 2 V, conforme medido pelo multímetro. Em seguida, conecte o
gerador de sinais e o osciloscópio, conforme mostrado no Circuito No. 2.
Ajuste o gerador de sinais para zero e reajuste o potenciômetro, de forma
que νOUT = 2 V. Em seguida, ajuste o gerador de sinais para produzir uma
onda senoidal não-polarizada de 1-kHz com uma amplitude entre picos de
100 mV. Meça a amplitude de ambos νIN e νOUT, que são os componentes
senoidais de νIN e νOUT, respectivamente; use o acoplamento AC no Canal
No. 1 do osciloscópio para medir νIN de forma precisa. A relação das
amplitudes é o ganho de sinal fraco. Guarde este circuito para o próximo
exercício.

Figura 4: Medição do ganho de sinal fraco do amplificador MOSFET.

(2-3) Os experimentos deste exercício utilizarão o Circuito No. 2 construído no

Exercício de Laboratório 2-2, para explorar os limites da operação de
saturação do amplificador, observando o corte (clipping) de uma forma de
onda de saída e ouvindo a distorção na saída da música. Comece ajustando
a polarização da entrada com o potenciômetro e observando a variação em
νOUT. Agora, aumente a amplitude entre picos de entrada de onda senoidal
do gerador de sinais para 300 mV. Observando a saída no Canal No. 2 do
osciloscópio, aumente a voltagem de polarização da entrada até que você
veja o corte na parte inferior da saída. Use o acoplamento DC no Canal No.
1 do osciloscópio para anotar o limite do desvio superior da voltagem νIN.
Semelhantemente, diminua a voltagem de polarização de entrada até que
você veja o corte na parte de cima da saída e anote o limite do desvio
inferior da voltagem νIN. Estes limites superiores e inferiores de νIN
aproximam os limites operacionais da entrada do amplificador.

Em seguida, substitua o gerador de sinais pelo CD player (use as saídas de

fone de ouvido). Ajuste o volume do CD player de forma que a amplitude
entre picos do sinal de música νIN seja de aproximadamente 300 mV.
Conecte o sinal νOUT a um alto-falante amplificado (deixe a conexão do
osciloscópio no lugar) e ajuste o volume dos alto-falantes para ouvir a
música. Altere a voltagem de polarização da entrada com o potenciômetro e
perceba a mudança no volume. Observando νIN no Canal No. 1 do
 osciloscópio (usando acoplamento DC), aumente a voltagem de polarização
de entrada até que você comece a ouvir a distorção. O limite do desvio
superior da voltagem νIN no início da distorção é aproximadamente o
mesmo do medido com a entrada de onda senoidal? Agora, diminua a
voltagem polarizada da entrada até que você comece a ouvir a distorção. O
limite do desvio inferior da voltagem νIN no início da distorção é
aproximadamente o mesmo do medido com a entrada de onda senoidal?

Os dois exercícios a seguir analisarão o retardo do amplificador MOSFET,

quando ele é usado como um inversor lógico digital. Especificamente,
mediremos o retardo de um inversor que esteja acionando um outro
inversor, conforme ilustrado na Figura 6.

(2-4) Já que o retardo de um inversor está relacionado à capacitância do nó que

é acionado por sua saída, este exercício mede a capacitância vista através
da saída de um inversor que esteja acionando a porta de um MOSFET.
Primeiro, construa o circuito mostrado na Figura 5. Você medirá a
capacitância CP vista no nó P no circuito. CP é a capacitância no nó P e inclui
CGS, a capacitância da porta do MOSFET M, em paralelo com a capacitância
de entrada do osciloscópio e a capacitância parasita de uma instalação
elétrica. Ajuste o gerador de sinais para produzir uma onda quadrada de
20-kHz com uma amplitude entre picos de 5 V e uma neutralização de 2,5
V. O Canal No. 2 do osciloscópio deverá exibir uma resposta da etapa em
ascensão de primeira ordem e uma resposta da etapa em declínio de
primeira ordem. Meça a constante de tempo da resposta da etapa em
ascensão. Como a resistência do MOSFET é muito pequena, a resposta em
declínio possui uma constante de tempo muito pequena, difícil de medir.
Desta maneira, nós nos focaremos na resposta da etapa em ascensão.

Figura 5: Medição da capacitância da porta para a fonte do amplificador MOSFET.

(2-5) Este exercício mede o retardo do amplificador MOSFET quando ele é usado
como um inversor lógico digital. Construa o circuito mostrado na Figura 6;
Como no exercício anterior, ajuste o gerador de sinais para produzir uma
onda quadrada de 20-kHz com uma amplitude entre picos de 5 V e uma
neutralização de 2,5 V. Por fim, use o osciloscópio para medir o retardo a
partir do tempo em que o gerador de sinais alterna para baixo (Canal No.
1) até o tempo em que a saída do par do inversor (Canal No. 2) começa a
alternar para baixo. (Observe que a transição de alto para baixo do gerador
de sinais corresponde à transição em ascensão no nó P).
Figura 6: Medição do retardo do amplificador de MOSFET ao ser usado como uma porta lógica digital.
Exercícios Pós-Laboratoriais

(2-1) Este exercício examina o bom desenvolvimento do modelo de amplificador

MOSFET durante o Exercício Pré-Laboratorial 2-1 e explica a relação
entrada-saída medida durante o Exercício de Laboratório 2-1. O modelo
contém quatro parâmetros exigidos para a avaliação numérica da relação
entrada-saída: VS, R, VTM e K. Da Figura 3, VS = 5 V e R = 1 kΩ. Mais
adiante, VTM foi medida durante o Exercício de Laboratório 2-1. Assim,
apenas K é desconhecida. Use o valor de νIN registrada para νOUT = 1 V para
determinar K. Em seguida, use os parâmetros numéricos e o modelo de
gráfico νOUT como uma função de νIN para 1 V ≤ νOUT ≤ 5 V. Nota: Você é
incentivado, embora não seja obrigatório, a usar o Matlab para traçar o
gráfico. Consulte a apostila do Matlab no final do pacote do laboratório.
Neste gráfico, represente graficamente os dados medidos durante o
Exercício de Laboratório 2-1. De que melhor forma o modelo explica os
dados?

(2-2) A partir dos dados registrados durante o Exercício de Laboratório 2-2,

calcule o ganho de sinal fraco do amplificador para νOUT = 2 V. A partir dos
dados registrados durante o Exercício de Laboratório 2-1, calcule
novamente o ganho de sinal fraco estimando a inclinação da relação
entrada-saída em νOUT = 2 V. Por fim, calcule o ganho de sinal fraco da
análise do Exercício Pré-Laboratorial 2-2, usando os parâmetros
determinados durante o Exercício Pré-Laboratorial 2-1. Os três ganhos são
compatíveis?

(2-3) A Figura 2 serve de modelo de comportamento do nó P na Figura 5, quando

o MOSFET do primeiro estágio do inversor está desligado: R1 é o resistor de
100 kΩ; R2 serve de modelo de resistência de entrada do osciloscópio; e C
serve de modelo de CP. Lembre-se de que CP é a capacitância no nó P e
inclui CGS, a capacitância da porta do MOSFET M, em paralelo com a
capacitância de entrada do osciloscópio e a capacitância de uma instalação
elétrica parasita. Suponha que a resistência e a capacitância de entrada do
osciloscópio sejam de 100 MΩ e 10 pF, respectivamente. Associe a análise
do Exercício Pré-Laboratorial 2-3 e a constante de tempo medida durante o
Exercício de Laboratório 2-4 para determinar CP.

(2-4) Com VI = 5 V e VT = νT, a análise do Exercício Pré-Laboratorial 2-4 serve de

modelo de retardo medido durante o Exercício de Laboratório 2-5. Usando
os parâmetros calculados durante o Exercício Pós-Laboratorial 2-3, preveja
o retardo e compare o prognóstico da medição. Observe que o osciloscópio,
com sua resistência e capacitância de entrada, não estava conectado à
porta do MOSFET no nó P quando o retardo foi medido; veja a Figura 6.
 Usando MATLAB para o Laboratório 2

Você é incentivado, embora não seja obrigatório, a usar o Matlab para traçar
o gráfico no Exercício Pós-Laboratorial 2-1. Nota: Este documento é fornecido
especificamente para este exercício. Existe uma série de recursos de ajuda com o
Matlab no Athena. Visite: http://web.mit.edu/olh/Matlab/. Para usar o Matlab, você
deve primeiro digitar “add matlab” no prompt do Athena e, em seguida, chamar o
Matlab digitando o comando “matlab” no prompt do Athena.

Comece digitando os valores para VS, R, VTM e K.

VS = 5;
R = 1000;
VTM = qualquer valor medido durante o Exercício de Laboratório 2-1;
K = qualquer valor que você calculou para K;

Sua última meta é gerar um gráfico de νOUT como uma função de νIN para
1 V ≤ νOUT ≤ 5 V. No Exercício de Laboratório 2-1, você mediu νIN para νOUT = 1 V.
Agora, você usará este valor de νIN para gerar um vetor vIN de valores espaçados
uniformemente entre VTM e o valor de νIN para que νOUT = 1 V.

VIN = linspace (VTM, valor medido para νIN quando νOUT = 1V,50);

Para obter detalhes sobre o comando linspace, digite “help linspace” no

prompt do matlab. Em seguida, você precisa gerar um vetor vOUT de voltagens de
saída correspondente às voltagens de entrada em vIN. Para tanto, você usará a
expressão de νOUT como uma função de νIN que você sugeriu no Exercício Pré-
Laboratorial 2-1.

VOUT = VS – 0.5 ∗ R ∗ K ∗ (vIN – VTM).ˆ2;

Agora, você deve ter dois vetores: vIN and vOUT, que pode ser usado para
representar graficamente as características de entrada-saída de seu MOSFET em
saturação. Agora use o comando “plot” para gerar um gráfico.

plot(vIN,vOUT);

Você notará que νOUT = 5 V para νIN ≤ VTM. Para incluir isto no gráfico, você
precisa de mais um ponto de dados.

plot([0 vIN],[5 vOUT]);

O comando acima acrescenta o ponto de dados (0,5) ao gráfico.

Agora, você terminou! Talvez você queira usar outros comandos para
formatar melhor seu gráfico. Tente os comandos “title”, “xlable”, “axis” e “grid”.
Para ajuda com qualquer comando do matlab, digite “help [command]” no prompt
do Matlab.