Apostila de Materiais Dielétricos PDF

Apostila:
Materiais Dielétricos
Correlação: Propriedades e
Defeitos
LaCCeF
Versão 1
Leandra Oliveira Salmazo

Wellington Alves
Prof. Dr. Marcos Augusto de Lima Nobre
Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais - LaCCeF
Departamento de Física, Química e Biologia - DFQB
Faculdade de Ciências e Tecnologia - FCT
Universidade Estadual Paulista - UNESP
Presidente Prudente
2006
______________________________________Materiais Dielétricos − Correlação: Propriedades e Defeitos
Sumário
1 Materiais Dielétricos.......................................................................... 1
1.1 Eletrocerâmicas............................................................................ 1
1.1.1 Termistores ................................................................................. 3
1.1.1.1 Termistores com Coeficiente de Temperatura Negativo 5

(NTC)...................................................................................................
1.1.1.1.1 Aplicações…………………………………........................ 9
1.1.1.2 Termistores com Coeficiente de Temperatura Positivo 9

(PTC)...................................................................................................
LaCCeF
1.1.1.2.1 Aplicações………………….………………........................ 13
1.1.2 Varistores de Óxidos Metálicos.................................................. 14
1.1.2.1 Aplicações….....……………………………………............... 16
1.2 Capacitores e Dielétricos .............................................................. 17
1.2.1Introdução.................................................................................... 17
1.2.2 Características de um Capacitor.................................................. 18
1.2.3 Capacitância ............................................................................... 20
1.2.3.1 Fatores que afetam a capacitância ......................................... 21
1.2.4 Comportamento Dielétrico...................................... ................... 23
1.2.4.1 Polarização Dielétrica ............................................................. 23
1.2.4.2 Efeitos da Freqüência Sobre a Polarização.............................. 25
1.2.5 Perda Dielétrica .......................................................................... 26
1.2.5.1 Efeitos da Freqüência sobre a Perda Dielétrica ...................... 29
1.2.6 Propriedades Dielétricas ............................................................ 30
1.2.6.1 Resistência............................................................................... 30
1.2.6.2 Intensidade Dielétrica ............................................................. 34
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais I

Salmazo, L.O. e Nobre, M.A.L.
1.2.6.3 Envelhecimento........................................................................ 35
1.2.7 Acoplamento Eletro-Mecânico................................................... 37
1.2.7.1 Absorção Dielétrica ................................................................. 38
Referências Bibliográficas............................................................................ 39
2 Dielétricos Lineares .......................................................................... 40
2.1 Introdução ................................................................................... 40
2.2 Classes de Dielétricos .................................................................. 41
2.2.1 Dielétricos de Classe I ................................................................ 41
2.2.2 Dielétricos de Classe II .............................................................. 43
2.3 Padrão Visual para Capacitores “Chip” .................................. 46
LaCCeF
2.3.1 Padrão Visual externo................................................................. 46
2.3.2 Padrão da Microestrutura interna ............................................... 46
2.3.3 Separação em lâminas ................................................................ 46
2.3.4 Vácuo ......................................................................................... 47
2.3.5 Ruptura ....................................................................................... 48
2.3.6 Não-Uniformidades .................................................................... 48
2.3.7 Defeitos de Preparação das Amostras ........................................ 49
Referências Bibliográficas ............................................................................ 51
3 Propriedades Dielétricas ................................................................... 52
3.1 Introdução..................................................................................... 52
3.2 Comportamento Elétrico em Cerâmicas ................................... 54
3.2.1 Capacitância ............................................................................... 54
3.2.2 Indutância ................................................................................... 56
3.2.3 Unidades ..................................................................................... 57
3.2.4 Polarização ................................................................................. 57
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais II

3.2.5 Fator de Perda ............................................................................ 65
3.2.6 Força Dielétrica ......................................................................... 72
3.3 Constantes Dielétricas em Cristais e Materiais Vítreos..... ..... 73
3.3.1 Polarizabilidade Iônica ............................................................... 73
3.3.2 “Salto” da Polarização Iônica..................................................... 75
3.3.3 Efeitos da Freqüência e da Temperatura .................................... 77
3.4 Perda Dielétrica em Cristais e Vidros ....................................... 80
3.5 Condutividade Dielétrica ............................................................ 90
3.6 Cerâmicas Policristalinas e Polifásicas ..................................... 91
3.6.1 Misturas ..................................................................................... 91
3.6.2 Classes de Dielétricos ............................................................... 96
LaCCeF
3.6.3 Polarização de Carga Espacial ................................................... 98
3.7 Intensidade Dielétrica ................................................................. 103
3.8 Cerâmicas Ferroelétricas ........................................................... 107
Referências Bibliográficas............................................................................. 116
4 Defeitos e Imperfeições em Sólidos ................................................... 117
4.1 Introdução ................................................................................... 117
4.2 Defeitos Pontuais ......................................................................... 118
4.2.1 Lacunas Auto-Intersticiais ......................................................... 118
4.3 Imperfeições Diversas ................................................................. 119
4.3.1 Discordâncias - Defeitos Lineares ............................................. 119
4.4 Superfícies Externas ................................................................... 123
4.5 Contornos de Grão ...................................................................... 124
4.6 Contorno de Macla ..................................................................... 127
4.6.1 Aplicações: Contorno de Macla em Cerâmicas - Análise 128

Microestrutural.....................................................................................
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais III

4.6.1.1 Introdução ............................................................................... 128
4.6.1.2 Materiais e Métodos utilizados ............................................... 133
4.6.1.3 Resultados Obtidos ................................................................. 134
4.7 Defeitos Interfaciais .................................................................... 138
4.8 Defeitos em óxidos cerâmicos...................................................... 139
4.8.1 Introdução ................................................................................. 139
4.8.1.1 Defeitos Atômicos e Dipolos .................................................. 139
4.8.1.2 Teoria Inelástica e Relaxação Dielétrica ................................. 140
4.8.2 Métodos Experimentais ........................................................... 143
4.8.3 Óxidos com Estrutura do Tipo Fluorita................................. 145
4.8.3.1 Tório e Cério ........................................................................... 145
LaCCeF
4.8.3.1.1 ThO2 e CeO2 dopado com CaO............................................. 145
4.8.3.1.2 CeO2 dopado com Y2O3........................................................ 151
4.8.4 Zircônia ..................................................................................... 154
4.8.4.1 Policristais de Zircônia Tetragonal ......................................... 156
4.8.4.2 Zircônia Cúbica ....................................................................... 169
4.8.5 Conclusão................................................................................... 163
Referências Bibliográficas ............................................................................ 164
Glossário......................................................................................................... 166
Índice Remissivo............................................................................................ 172
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais IV

Lista de Figuras
FIGURA 1.1 – Variação da resistência elétrica dos sensores óxidos em função da 02

umidade...............................................................................................
FIGURA 1.2 - Esquema da estrutura mostrando a superfície do mineral
hidroxiapatita em sensores de umidade. A condução ocorre via uma
reação em cadeia de Grotthus com a adsorção de camadas de 03
água...............................................................................................................
FIGURA 1.3 - Evolução da resistência elétrica em termistores. Resistência em
função da temperatura para diversas ordens de grandeza................... 04
FIGURA 1.4 - Variação estrutural nas posições atômicas da cerâmica de VO2. Na
transição de metálico-semicondutor, a resistência varia em diversas
ordens de grandeza na extensão das ligações químicas. Em alta
temperatura, a estrutura metálica é isomórfica do tipo rutilo
LaCCeF
tetragonal, porém ocorre mudança para o estado monoclínico
semicondutor abaixo de 80 °C............................................................. 05
FIGURA 1.5 - Termistores de óxido de níquel dopado. (a) O cristal consiste em
íons Ni2+, Ni3+ e Li+ em solução sólida semelhante ao sal de rocha.
(b) A resistividade elétrica diminui com o aumento do conteúdo de 07
lítio......................................................................................................
FIGURA 1.6 - Resistência em função da temperatura para termistores NTC. Onde a
resistência decresce em aproximadamente 4% para cada grau de
elevação da temperatura. ..................................................................... 08
FIGURA 1.7 - Foto de um Termistor NTC.................................................................. 09
FIGURA 1.8 - (a) Resistividade elétrica do titanato de bário dopado com cério,
Ba1-x CexTiO3, plotada em função da composição. (b) Resistividade
de três cerâmicas de titanato de bário dopadas com cério, medida
em função da temperatura. Uma grande anomalia do tipo PTC
ocorre próxima à temperatura de Curie, que para este material é 130
ºC......................................................................................................... 11
FIGURA 1.9 - Visão esquemática da estrutura do Ba1-xLaxTiO3 próxima à
superfície de um contorno de grão. A atmosfera de oxigênio difunde
e dissocia–se rapidamente ao longo de um contorno de grão, onde
os átomos atraem os elétrons, formando barreiras
12
isolantes...............................................................................................
FIGURA 1.11: Foto de um termistor PTC.................................................................... 14
FIGURA 1.12 - Relação I versus V para ZnO. A corrente aumenta de forma abrupta
na voltagem e ruptura VB..................................................................... 14
FIGURA 1.13 - Célula unitária hexagonal da estrutura de ZnO utilizada em
varistores. Os parâmetros de rede são a = 3,24 Ǻ e c =5,19 Ǻ............ 15
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais V

FIGURA 1.14 - (a) Barreira de Schottky gerada pela dupla camada em varistores de 16
ZnO. (b) Em baixas voltagens, a condução ocorre por ativação
térmica. (c) Para a voltagem de ruptura, inicia-se o tunelamento, o
qual gera um aumento considerável na corrente.tunelamento, o qual
gera um aumento considerável na corrente.........................................
FIGURA 1.15 - Os varistores são utilizados para proteger contatos elétricos e
carregar de forma oposta os osciladores indutivos.............................. 17
FIGURA 1.16 - Placa de um capacitor simples............................................................. 19
FIGURA 1.17 - Capacitor de “Multi-Camada”............................................................. 22
FIGURA 1.18 - Polarização versus Freqüência............................................................ 26
FIGURA 1.19 - Tangente de perda em um capacitor ideal........................................... 28
FIGURA 1.20 - Efeitos de relaxação sobre a constante dielétrica e perda dielétrica.... 30
FIGURA 1.21 - Força dielétrica versus densidade dielétrica........................................ 35
FIGURA 1.22 -Envelhecimento ferroelétrico. (a) taxa de envelhecimento = -5% /5
décadas. (b) Taxa de envelhecimento = -15% /6 décadas................. 36
FIGURA 2.1 - Coeficiente de Temperatura (C.T) para dielétricos lineares................. 42
FIGURA 2.2 - Tolerância para o coeficiente de temperatura ...................................... 43
LaCCeF
FIGURA 2.3 - Coeficiente de temperatura (C.T) para dielétricos de classe II............ 45
FIGURA 3.1 - Representação esquemática da polarização por cadeia dipolar e salto
de cargas............................................................................................ 59
FIGURA 3.2 - Polarização P designada em ambas densidades das cargas e
excedendo o momento dipolar por unidade de volume....................... 60
FIGURA 3.3 - Modelo para o cálculo do campo interno........................................... 62
FIGURA 3.4 - Representação esquemática dos diferentes mecanismos de
polarização........................................................................................... 63
FIGURA 3.5 - Dependência da freqüência em vários intervalos de polarizabilidade. 64
FIGURA 3.6 - Comportamento do movimento de formação de cargas e o fluxo da
corrente em (a) um dielétrico ideal e (b) um dielétrico....................... 65
FIGURA 3.7 - Corrente de carregamento e corrente de perda em um capacitor........ 68
FIGURA 3.8 - Espectro de relaxação da constante dielétrica, condutividade e fator
de perda para um processo de relaxação simples com um único
tempo de relaxação.............................................................................. 70
FIGURA 3.9 - Reorientação de pares de vacância na rede cristalina. Outros pares
de defeitos em cristais fornecem resultados similares......................... 76
FIGURA 3.10 - Fonte de potencial em estrutura vítria................................................. 77
FIGURA 3.11 - Efeito da freqüência e da temperatura sobre a constante dielétrica no
cristal de Al2O3 com o campo elétrico normal ao longo do eixo c..... 78
FIGURA 3.12 - Efeitos da freqüência e da temperatura na constante dielétrica no
sistema carbonato de sódio – óxido de cálcio – silicato vítreo............ 79
FIGURA 3.13 -Efeito de diferentes mecanismos de perdas dielétricas sobre a tg δ
em intervalos de temperatura de temperatura...................................... 82
FIGURA 3.14 - Aumento da tg δ com o aumento da temperatura para o sistema
carbonato de sódio–óxido de cálcio–silicato vítreo e para silicatos 84
vítreos fundidos...................................................................................
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FIGURA 3.15 - (a) tg δ versus freqüência em diferentes temperaturas e (b) log ωmax 85
versus 1 / T...........................................................................................
FIGURA 3.16 - Variação dos parâmetros tg δ e k’ em função da substituição de 86
MgO e Na2O no silicato vítreo............................................................
FIGURA 3.17 - Variação da tg δ em função da freqüência para alguns silicatos 87
vítreos..................................................................................................
FIGURA 3.18 - Dispersão dielétrica e curva de absorção, correspondendo à
condutividade em corrente contínua c.c., para em sistema composto
tipicamente por carbonato de sódio–oxido de cálcio–silicato 88
vítreo....................................................................................................
FIGURA 3.19 - Curva de perda dielétrica reduzida para alguns materiais vítreos.
Vidro 1: 0,12 Na2O,88SiO2; vidro 4: 0,24Na2O.0,76SiO2; vidro 18:
0,10Na2O.0,20CaO.0,70SiO2; vidro 19: 0,18Na2O.
0,10CaO.0,72SiO2....................................................................................................................... 89
FIGURA 3.20 -Resistividade para um sistema de composição carbonato de sódio–
óxido de cálcio– silicato vítreo medida por diversos métodos............. 90
FIGURA 3.21 - Configuração de camadas contendo dielétricos am capacitores.......... 92
LaCCeF
FIGURA 3.22-Expressões para a constante dielétrica resultante em diversas
misturas e dois dielétricos................................................................... 93
FIGURA 3.23 - Comparação entre dados experimentais e expressões teóricas para
constantes dielétricas de misturas com duas fases de misturas de 94
duas fases............................................................................................
FIGURA 3.24 - Efeito da porosidade na constante dielétrica de TiO2 policristalino.... 95
FIGURA 3.25 - Constante dielétrica e tg δ para uma cerâmica esteatita em extensões
superiores de temperatura e freqüência............................................... 96
FIGURA 3.26 -Constante dielétrica e tg δ para uma porcelana alumina em função da
temperatura e da freqüência.................................................................. 97
FIGURA 3.27-Circuito equivalente para (a) um capacitor de duas camadas e (b)
para observação macroscópica . .......................................................... 98
FIGURA 3.28 - Variação da polarização interfacial em valores relativos de contorno
em camada característicos................................................................... 99
FIGURA 3.29 - Constante dielétrica, resistividade e tg δ para Ni0,4Zn0,6Fe2O4 ........... 102
FIGURA 3.30 - Efeito da temperatura e duração dos testes sobre a rigidez dielétrica
em vidros tipo “pyrex”........................................................................ 105
FIGURA 3.31-Rigidez dielétrica em dois dióxidos de titânio excitado para
diferentes densidades e testado em eletrodos...................................... 106
FIGURA 3.32 - Curva de histerese típica de materiais ferroelétricos........................... 109
FIGURA 3.33 - Histerese ferroelétrica para a cerâmica titanato de bário
ferroelétrico em diversas temperaturas............................................... 110
FIGURA 3.34 - Lei de Curie-Weiss para uma composição de titanato de bário e
estrôncio.............................................................................................. 111
FIGURA 3.35 - Posição dos íons em uma estrutura perovskita ideal........................... 112
FIGURA 3.36 - (a) Parâmetro de rede para a célula unitária do BaTiO3. (b)
Dependência da constante dielétrica em função da 113
temperatura..........................................................................................
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais VII
FIGURA 3.37 - Estrutura tetragonal para o BaTiO3, mostrando o íon Ti4+ deslocado
da posição de equilíbrio....................................................................... 114
FIGURA 4.1 - (a) Uma discordância espiral no interior de um cristal. (b) A
discordância espiral em (a) vista por cima. A linha de discordância
se estende ao longo da linha AB. As posições atômicas acima do
plano de deslizamento são designadas por “Círculos abertos.
Enquanto aquelas abaixo do plano são designadas por círculos
preenchidos.......................................................................................... 120
FIGURA 4.2 - (a) Representação esquemática de uma discordância que possui
caracteres de discordância aresta, espiral e mista. (b) Vista superior,
onde os círculos abertos representam posições atômicas acima do
plano de deslizamento. Os círculos pretos representam átomos
abaixo do plano. No ponto A, a discordância é puramente espiral,
enquanto no ponto B ela é puramente aresta. Para as regiões
localizadas entre esses pontos, onde existe uma curvatura na linha
da discordância, o caráter é de uma discordância mista entre aresta e
LaCCeF
espiral................................................................................................... 121
FIGURA 4.3 - As posições atômicas em torno de uma discordância aresta. Semi-
planos atômicos adicionais estão mostrados em 122
perspectiva...........................................................................................
FIGURA 4.4 - Uma micrografia eletrônica de transmissão de uma liga de titânio na
qual as linhas escuras são discordâncias. Ampliação de
51.450X............................................................................................... 122
FIGURA 4.5 - Demonstração de como um contorno inclinado que possui um
ângulo de desorientação e resulta de um alinhamento de
discordância em cunha......................................................................... 125
FIGURA 4.6 - Diagrama esquemático mostrando contornos de grão de baixo e de
alto ângulos e as posições atômicas adjacentes................................... 126
FIGURA 4.7 - Diagrama esquemático mostrando um plano ou contorno de macla e
as posições atômicas adjacentes (círculos escuros)............................. 127
FIGURA 4.8 - Campo elétrico em função da densidade de corrente para o sistema
Zn4MnCoCrSb2O12±δ sinterizado por 2 h ao ar e 3 resfriado sob
diversas taxas...................................................................................... 135
FIGURA 4.9 - Micrografia (MEV) do varistor composto ZnO-10% em peso de
Zn4MnCoCrSb2O12±δ sinterizado a 1160 ºC; (a) e resfriado
rapidamente até a temperatura ambiente (800x de aumento); grão de
ZnO selecionado com macla (b) (30.000x de aumento)...................... 136
FIGURA 4.10 - Imagem digital da micrografia MEV do grão de ZnO contendo uma
macla mostrada na Figura 4.9b: (a) análise do contraste topográfico
envolvendo um pequeno aumento no plano de rotação xy, (b)
análise do contraste topológico com alto grau de rotação do plano
xy......................................................................................................... 137
FIGURA 4.11 - (a) pêndulo de torção invertido; (b) determinação de Q-1 de livre
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais VIII
decréscimo da amplitude................................................................... 144

FIGURA 4.12 - Mecanismo de perda do ThO2 puro e ThO2 – 1,5 % mol CaO. (fml =
1390 Hz.). O gráfico é o produto de Q-1 vs 1/T................................. 145
FIGURA 4.13 - Perda dielétrica (tg φ) do ThO2 puro e ThO2- 1,5% mol CaO........... 146
FIGURA 4.14 - Comparação entre as perda mecânicas (Q-1 versus T) e dielétricas
(tg φ versus T) para ThO2- 1,5% mol CaO. Medidas de freqüência
para perdas mecânicas a 1390 Hz, e perdas dielétricas em 695
Hz......................................................................................................... 147
FIGURA 4.15 - Perda mecânica do CeO2- 1,6% mol CaO (fml = 9,76 Hz).................. 148
FIGURA 4.16 - Perda dielétrica em CaO- 1,5% mol CaO. O gráfico representa a
parte imaginária da capacitância (C”) versus 1/T. A freqüência é de 149
100 Hz..................................................................................................
FIGURA 4.17 - Modelo da oitava posição para uma vacância de oxigênio ( ) em 150
torno de uma baixa valência de cátion dopante (posição 1)................
FIGURA 4.18 - Perda mecânica (fração interna) em CeO com várias quantidades de
Y2O3 (em % mol). Freqüência ≅ 8 kHz............................................ 152
FIGURA 4.19 - Relaxação dielétrica (corrente de despolarização versus 1/T) de
CeO com várias quantidade de Y2O3................................................ 153
LaCCeF
FIGURA 4.20 - Modelo para o defeito de vacância do ítrio-oxigênio dois com o par
Y-Y na configuração (1,0,0). Menciona esses único segundo
oxigênio cúbico na estrutura fluorita contendo um cátion no centro,
como demonstrado na Figura 4.12...................................................... 154
.
 .. 
FIGURA 4.21 - Arranjo de dipolos  Y' V  (+) e defeitos Y’ (-) em um estrutura do
 
tipo – NaCl em um par inapropriado................................................... 155
FIGURA 4.22 - Medidas de perda mecânica (Q-1 versus. T) para ZrO2 – 3 mol %
Y2O3 (ZPT e Y). (a) Oscilação torsional, f = 2,7 Hz. (b) Oscilações
de flexão, f = 3,06 kHz. ...................................................................... 156
FIGURA 4.23 - Medidas de perda dielétrica (tg φ versus T) para ZrO2 – 3 % mol
Y2O3 com diferentes medidas de freqüência....................................... 157
FIGURA 4.24 - Gráfico de Arrhenius para o tempo de relaxação (lnτ vresus. 1/T)
proveniente das medidas de perda mecânica e dielétrica de ZrO2 – 3
% mol Y2O3......................................................................................... 158
FIGURA 4.25 - Perda mecânica espectral da cerâmica zirconia tetragonal com
varias quantidades de Y2O3 (2-4 % mol) e um cristal cúbico (10%
mol Y2O3)............................................................................................ 159
FIGURA 4.26 - Perda mecânica no espectro do ZrO2 cúbico (10% mol Y2O3) para a
oscilação torcional (f = 3 Hz) com diferentes orientações no eixo
longitudinal.......................................................................................... 160
FIGURA 4.27 - Espectro de perdas mecânicas para o ZrO2 cúbico (10 % mol Y2O3)
para oscilações de flexão (f = 3 kHz) e diferentes
orientações........................................................................................... 161
FIGURA 4.28 - Variação da amplitude de relaxação δG-1 e δE-1 de máxima I em
ZrO2 – 10% mol Y2O3 com parâmetros de orientação Γ..................... 162
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais IX

Lista de Tabelas
TABELA 1.1 - Constantes Dielétricas para vários materiais.................................... 20
TABELA 1.2 - Padrão mínimo IR versus Capacitância........................................... 34
TABELA 2.1 - Designação EIA (Eletronic Industries Association) para
Dielétricos de Classe I...................................................................... 42
TABELA 2.2- Designação EIA (Eletronic Industries Association) para
Dielétricos de Classe II.................................................................... 44
TABELA 3.1 - Valores de Constante Dielétrica em alguns gases............................ 75
TABELA 3.2 - Relação entre colapso térmico e resistividade elétrica..................... 105
TABELA 4.1 - Relação de produtos e regentes envolvendo as reações parciais
dos sistemas de varistor tradicional considerando-se as várias
relações Sb2O3/Bi2O3....................................................................... 133
TABELA 4.2 - Características físicas e químicas de alguns óxidos.......................... 134
LaCCeF
LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais X

1
Materiais Dielétricos
1.1 Eletrocerâmicas
O termo “eletrocerâmica” é utilizado para descrever os materiais cerâmicos que

possuem propriedades elétricas, magnéticas, ou óticas específicas, podendo atuar como
isoladores, materiais ferroelétricos, cerâmicas altamente condutoras, elétrodos, sensores e
atuadores.
LaCCeF
Neste capítulo serão discutidas as propriedades estruturais relacionadas aos
termistores, varistores e transformadores de energia. Em adição, as propriedades de
capacitores de multicamadas serão abordadas. Os materiais eletrocerâmicos de aplicação
tecnológica incluem ferrita, substratos eletrônicos para capacitores de multicamadas,
transdutores piezoelétricos e uma variedade de termistores. A compreensão dos fenômenos
em cristais de ferrita é de grande relevância, bem como dentro do campo da
ferroeletricidade, onde podem ser utilizados como capacitores e transformadores de
energia piezoelétrica. Nos termistores com coeficiente de temperatura negativo NTC (da
sigla em inglês Negative Temperature Coefficient), a resistência diminui com o aumento da
temperatura. Em sensores de zircônia, a condutividade elétrica é controlada pelos grãos,
sendo o contorno de grãos determinante nas propriedades dos termistores com coeficiente
de temperatura positivo PTC (da sigla em inglês Positive Temperature Coefficient), para os
quais o coeficiente de variação da resistência com a temperatura é positivo, isto é, a
resistência aumenta com o aumento da temperatura. Camadas superficiais são de grande
importância para sensores de umidade e catalisadores cerâmicos.
Alguns tipos de sensores cerâmicos como o de temperatura (termistores), pressão,
eletricidade, magnetismo, atmosfera, aplicações eletroquímicas e troca – iônica são pouco
estudados na maioria dos países.
1
Sensores de umidade são utilizados para regular as descargas elétricas em

automóveis. A resistência superficial (Figura 1.1) varia em relação a umidade através de
um fator da ordem de quatro vezes.
108
107
106 Sal sensibilizado

R( Ω )
105
104 Óxido metálico
103
102
LaCCeF
0 100
Umidade (%)
Figura 1.1 - Variação da resistência elétrica dos sensores óxidos em função da umidade.
Substratos (ZnO, TiO2, Fe3O4) com área superficial elevada e com adsorção de sais
possuem em particular camadas sensíveis à umidade. O mecanismo físico para o processo
de condução superficial é mostrado na equação (1.1).
→
2 H2O ←

(H 3O) + + (OH) - (1.1)
A condução ocorre por meio da reação em cadeia de Grotthuss*, para a qual os

prótons são transferidos de uma molécula de água para a próxima através de um
mecanismo de adsorção física na superfície da água, onde um íon hidróxido é liberado na
superfície da reação. Cerâmicas de hidroxiapatita (Figura 1.2) exibem umidade nos
sensores devido à presença de forças atrativas entre a superfície de grupos hidroxila e as
moléculas de água adjacentes.
*Cadeia de Grotthuss: mecanismo de condutividade do próton em água.
2
A camada de adsorção química é precedida por uma camada de adsorção física em

que os portadores tomam lugar. Considerando altos índices de umidade, onde mais de uma
camada superficial é formada, há uma permuta do mecanismo de condução.
Cadeia Grotthus
LaCCeF
Oxigênio ( O ) Fósforo ( P )
Cálcio ( Ca ) Hidrogênio ( H )
Figura 1.2 - Esquema da estrutura mostrando a superfície do mineral hidroxiapatita em

sensores de umidade. A condução ocorre via uma reação em cadeia de
Grotthus com a adsorção de camadas de água.
1.1.1 Termistores
Termistores são semicondutores sensíveis à temperatura. Três tipos de termistores

cerâmicos são muito utilizados: Termistores com coeficiente de temperatura negativo
NTC, Termistores com coeficientes de temperatura positivo PTC e Termistores de
temperaturas críticas. A típica variação da resistência em função da temperatura é ilustrada
na Figura (1.3). Em geral, o dióxido de vanádio (VO2) é usado em termistores de
temperaturas críticas. Abaixo dessa temperatura, VO2 é um semicondutor com coeficiente
de temperatura negativo em relação à resistência. Acima dessa temperatura, tal material
exibe um grande aumento na condutividade (cerca de duas ordens de grandeza) e uma
variação muito pequena com a temperatura. A temperatura crítica de 80 ºC pode ser
modificada somente por variação na composição química.
3
O íon V4+ na estrutura do VO2 possui uma configuração eletrônica com camada
eletrônica externa 3d e estrutura de empacotamento compacto. Em baixas temperaturas, os
íons adjacentes V4+ formam ligações, gerando um band gap* e comportamento
semicondutor. Uma transição de fase ocorre em torno de 80 ºC, para a qual os elétrons do
orbital 3d são liberados da ligação, tornando-se livres para condução da eletricidade. Como
mostra a Figura 1.4, variações na estrutura dos cristais acompanham a transição de fase. A
estrutura do tipo rutilo para o VO2, encontrada em altas temperaturas, transforma-se numa
estrutura monoclínica distorcida abaixo de 80 ºC.
Temperatura Termistores
6
10 Crítica de PTC
Termistores
5
10
4
10
R( Ω )
LaCCeF
3
10
2
10
Termistores
10 NTC
4 8 12 16
Temperatura ( C)
o
Figura 1.3 - Evolução da resistência elétrica em termistores. Resistência em função da

temperatura para diversas ordens de grandeza.
*band gap: diferença de energia entre a banda de valência e a banda de condução.
4
Termistores de temperatura crítica
Semicondutor (VO2) VO2 metálico de

de baixa temperatura alta temperatura
par de
o elétrons
2.7 A
ligados
o
2.9A
3.1 Ao elétrons de
condução
estrutura
vanádio
rutílo
oxigênio
LaCCeF
Figura 1.4 – Variação estrutural nas posições atômicas da cerâmica de VO2. Na
transição de metálico-semicondutor, a resistência varia em diversas ordens
de grandeza na extensão das ligações químicas. Em alta temperatura, a
estrutura metálica é isomórfica do tipo rutilo tetragonal, porém ocorre
mudança para o estado monoclínico semicondutor abaixo de 80 °C.
1.1.1.1 Termistores com Coeficiente de Temperatura Negativo (NTC)
A resistência elétrica decresce de forma exponencial com o aumento da temperatura

nos termistores NTC [1]. Diferente dos termistores de temperaturas críticas, ele não
contém transição de fase. Grande parte dos termistores NTC são compostos por óxidos de
metais de transição. Podemos obter um destes semicondutores através da reação entre
Fe2O3 e TiO2 em atmosfera de ar, segundo a equação (1.2).
(1-x) Fe2O3 + x TiO2 Fe3+(2-2x) Fe2+xTi4+xO3

(1.2)
5
Nos termistores NTC [2], a resistência decresce regularmente com o aumento da

temperatura, porém as variações repentinas na transição de fase são envolvidas nos
termistores PTC e termistores de temperaturas críticas. Um dos tipos de semicondutor é o
do tipo-n, no qual átomos com número maior de elétrons de valência são inseridos
provocando um excesso de elétrons. Neste caso os elétrons são transferidos entre átomos
de ferro com diferentes valências.
3+
Fe + e- Fe 2+ (1.3)
A concentração de elétrons e a resistividade elétrica são controladas através da

quantidade de titânio. Em termistores tipo-p, átomos com um número menor de elétrons de
valência são inseridos na rede de átomos causando falta de elétrons. Esta falta de elétrons é
chamada de vacância. Neste caso pode ser obtido óxido de níquel dopado com lítio.
LaCCeF
(1-x) NiO + _
x Li O Ni2+1-x NiO3+x Li+x O
2 2 (1.4)
A vacância envolvida no processo de condução devido à transferência de cargas

entre íons trivalentes e bivalentes do níquel, pode ser representada por:
2+ +
Ni +h Ni 3+ (1.5)
Onde, h+ (símbolo de origem inglesa – hole) representa o buraco eletrônico na estrutura do

óxido de níquel.
Óxido de níquel dopado possui estrutura de sal de rocha (Figura 1.5a), sendo que
o íon lítio ocupa a posição do níquel no sítio catiônico. Os raios iônicos para Ni2+ (0,84 Å),
Ni3+ (0,74 Å) e Li+ (0,88 Å), favorecem uma coordenação octaédrica com átomos de
oxigênio. A Figura 1.5b mostra o caso onde a resistividade decresce com o aumento da
quantidade de lítio. A cor é um indicador do aumento da condutividade. A cor verde do
óxido de níquel puro evolui para preto com o aumento da dopagem. Para semicondutores
de composição próxima a do Ni0,95Li0,050, o espaço vazio da ligação é de aproximadamente
0,15 eV. Esta abertura é atribuída às forças atrativas entre íons de Li+ dopados e íons de
Ni3+ compensados. A carga é neutralizada de forma mais eficiente em relação ao próximo
íon.
6
5
Ni2+ O2- Ni2+ O2- Ni2+ O2- 10
4
10
O2- Ni2+ O2- Li+ O2- Ni2+
3
10
Ni2+ O2- Ni2+ O2- Ni2+ O2- ρ ( Ω.cm) 2
10
O2- Ni2+ O2- Li+ O2- Ni2+
10
Ni2+ O2- Ni3+ O2- Ni2+ O2- 1
0.1
O2- Ni2+ O2- Ni2+ -5 -4 -3 -2 -1
O2- Ni2+
10 10 10 10 10 0
Fração Molar do Lix Ni1-xO
(a) (b)
Figura 1.5 - Termistores de óxido de níquel dopado. (a) O cristal consiste em íons Ni2+,
LaCCeF
Ni3+ e Li+ em solução sólida semelhante ao sal de rocha. (b) A resistividade
elétrica diminui com o aumento do conteúdo de lítio.
A condutividade elétrica é proporcional a carga externa, densidade de portadores

(n), a cada carga externa portadora (q) e a mobilidade ( µ ):
σ = nqµ (1.6)
Em materiais termistores, a dependência da condutividade em relação à temperatura

é relevante. Os parâmetros n e µ, dependem da temperatura. Para um semicondutor, a
densidade de portadores de carga varia de forma exponencial com a temperatura,
n ≅ exp (-E / KT) , onde E é a energia necessária para a liberação das cargas externas. A
mobilidade também depende da temperatura. Para muitos processos de dispersão, a
mobilidade é o inverso da lei de ligação (µ ≅ T-b), na qual a mobilidade decresce com o
aumento da temperatura devido a vibração térmica dos átomos. Uma diferente dependência
da temperatura é verificada para processos de “salto”. Esta mobilidade depende da
excitação térmica e do aumento exponencial com a temperatura, µ ≅ exp( E' / kT ) . A
condutividade elétrica dependente da temperatura:
7
σ (T ) ≅ T −b e −
( E + E' ) / KT
= T −b e − E" / KT (1.7)
Visto que a curva exponencial tende a predominar, a resistência elétrica em um

termistor NTC pode ser descrita por:
R = Ae β / T (1.8)
Para termistores (Figura 1.6), R compreende valores da ordem de 1-104 Ohms e B

valores no intervalo de 2000 a 6000 K. O coeficiente de temperatura (α) descreve a
mudança percentual da resistência com o aumento da temperatura:
1 dR 1 d β
α= = ( Ae B / T ) = 2 (1.9)
R dT R dT T
LaCCeF
Em que B = 3600 K e T = 273 K, sendo α aproximadamente 4 % / ºC [3].
5
10
4 15.000 (Ohms)
10
3
10
R (Ω ) 400
2
10 50 ( Ohms)
50
10
10
2
1
0 40 80 120 160
o
T ( C)
Figura 1.6 - Resistência em função da temperatura para termistores NTC. Onde a

resistência decresce em aproximadamente 4% para cada grau de elevação
da temperatura.
8
1.1.1.1.1.1 Aplicações
Termistores NTC [4,2] são utilizados como fluxômetro, para os quais a velocidade
de fluxo é medida por monitoramento de diferentes temperaturas entre dois termistores.
Um aquecedor posicionado entre os dois termistores determinam diferentes temperaturas.
Assim, termistores são utilizados como controlador de fluxo para proteger diodos, fusíveis,
interruptores e lâmpadas elétricas. A corrente altera-se repentinamente, a qual ocorre
quando a intensidade da luz em uma lâmpada elétrica é alterada com freqüentes rupturas
do filamento. Em um termistor NTC ligado em série com uma lâmpada elétrica, a energia
de oscilação da corrente inicial é dissipada com o aquecimento no termistor.
LaCCeF
Figura 1.7: Foto de um Termistor NTC [6].
1.1.1.2 Termistores com Coeficiente de Temperatura Positivo (PTC)
Termistores do tipo PTC diferem dos termistores do tipo NTC em diversos

aspectos. A resistência de um termistor PTC aumenta com a temperatura, porém somente
em um intervalo limitado, o qual ocorre próximo a uma transição de fase. A variação da
resistência é muito grande nestas temperaturas devido aos efeitos do contorno de grão [2].
Cerâmicas de titanato de bário são utilizadas de forma ampla em termistores PTC. Quando
dopadas com íons doadores, tais como La3+ ou Ca3+ (para Ba2+) ou Nb5+ (para Ti4+), a
resistividade do material exibe um pronunciado efeito do tipo PTC (Figura 1.8a e Figura
1.8b), se aquecido na presença de ar. O único comportamento normal do NTC é observado
em cerâmicas preparadas em atmosfera redutora.
9
A interpretação do efeito tipo PTC baseia-se na compreensão da estrutura de

defeitos. Quando sintetizada em temperatura elevada, BaTiO3 dopado com lantânio torna-
se um semicondutor do tipo–n.
Ba 1− x La x TiO 3 = Ba 2 + 1− x La 3+ x Ti 4 + 1− x Ti 3+ x O 2 − 3 (1.10)
O processo de condução ocorre via transferência de elétrons entre íons titânio,

Ti 4+ + e- Ti 3+ . Deste modo, os grãos de titanato de bário são condutores e a
condução permanece desde o resfriamento até a temperatura ambiente. Porém, a estrutura

da região do contorno de grão varia durante o processo de resfriamento. O oxigênio é
adsorvido na superfície da cerâmica e difunde para os sítios de contorno de grão, alterando
a estrutura de defeitos ao longo do contorno do grão. Os íons oxigênio adicionados atraem
elétrons dos íons Ti3+ vizinhos, através disso gera-se uma barreira isolante entre os grãos.
LaCCeF
Se um excesso de oxigênio (y) é adicionado por unidade de fórmula, a região de contorno
de grão pode ser descrita como segue:
(Ba 2+
1− x )( )
La 3+ x Ti 4+ 1− x + 2y Ti 3+ x − 2y O 2− 3+ y (1.11)
Uma ilustração dos defeitos da estrutura perovskita é demonstrada na Figura 1.9. O

resultado deste processo é que a cerâmica consiste de grãos semicondutores separados por
finos contornos de grão isolantes. A resistência elétrica da cerâmica é inversamente
proporcional ao tamanho do contorno de grão devido ao pequeno tamanho de grão. Uma
vez que grãos pequenos implicam em contorno de grãos mais isolantes e com uma maior
resistência.
Para explicar o efeito PTC é necessário considerar a transição da fase ferroelétrica
no BaTiO3 e seus efeitos sobre as barreiras isolantes entre os grãos.
10
1010 1010
Ba1-x Cex TiO3 Ba1-x Cex TiO3
0.05%
108 108
0.1%
106 106
0.3%
104 104
102 102
1 1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0 40 80 120 160
Conteúdo de Cério (at %) Temperatura (oC)
(a) (b)
Figura 1.8 - (a) Resistividade elétrica do titanato de bário dopado com cério, Ba1-x
LaCCeF
CexTiO3, plotada em função da composição. (b) Resistividade de três
cerâmicas de titanato de bário dopadas com cério, medida em função da
temperatura. Uma grande anomalia do tipo PTC ocorre próxima à
temperatura de Curie, que para este material é 130 ºC.
O titanato de bário é cúbico e paraelétrico acima de 130 °C, isto é, acima de sua
temperatura de Curie. Abaixo desta temperatura, a estrutura perovskita é distorcida para
um estado ferroelétrico tetragonal, para o qual ocorre o desenvolvimento de grande
polarização espontânea (Ps) ao longo da direção (001). A constante dielétrica atinge um
ponto máximo na temperatura de Curie (Tc), a partir da qual diminui com a transição para
o estado paraelétrico. Em altas temperaturas, o comportamento de relaxação em cerâmicas
pode ser representado de acordo com a lei Curie–Weiss:
C
K= (1.12)
T − Tc
onde, T é a temperatura na fase paraelétrica e Tc é a temperatura de Curie. A constante de

Curie (C) compreende valores da ordem de 105 ºC.
11
Grão de BaTiO3
Contorno de grão
O2
Titânio (Ti) Bário (Ba) Lantânio (La)
Oxigênio (O) Elétrons
LaCCeF
Figura 1.9 - Visão esquemática da estrutura do Ba1-xLaxTiO3 próxima à superfície de um
contorno de grão. A atmosfera de oxigênio difunde e dissocia–se
rapidamente ao longo de um contorno de grão, onde os átomos atraem os
elétrons, formando barreiras isolantes.
A anomalia do tipo PTC em BaTiO3 dopado ocorre em temperaturas próximas de

Tc, sendo fortemente afetada pelo comportamento ferroelétrico. Ambas polarização
espontânea e a lei de Curie–Weiss caracterizam-se como uma função importante no efeito
do tipo PTC.
Na temperatura ambiente, a resistência de um termistor do tipo PTC é baixa devido
ao aprisionamento do elétron na região de contorno de grão, que é neutralizada de forma
parcial pela polarização espontânea.
Sendo que o domínio da estrutura posiciona-se de maneira vantajosa e a
polarização da carga positiva cancelará a carga negativa entre as barreiras de condução do
grão, estabelecendo assim uma baixa resistência no caminho através da cerâmica. (Figura
1.10a)
12
+
+
+ - - Tc T
(a) (b)
Figura 1.10 – (a) Em temperaturas abaixo de Tc, as cargas devido a polarização

espontânea neutralizam as barreiras de energia potencial. (b) Acima de Tc,
a constante dielétrica decresce e este decréscimo gera um aumento na
resistência elétrica.
LaCCeF
Acima da Tc, a polarização espontânea extingue-se e a resistividade aumenta,
gerando o efeito do tipo PTC. Um primeiro aumento é muito lento devido à elevada
constante dielétrica na temperatura de Curie. A altura da barreira é inversamente
proporcional a constante dielétrica do meio; um meio altamente polarizável blinda a
camada externa do contorno de grão, reduzindo a altura da barreira e a resistência elétrica.
Como o aumento da temperatura favorece Tc; a constante dielétrica κ decresce rapidamente
de acordo com a lei Curie–Weiss. Um decréscimo no valor de κ gera um aumento da
extensão da barreira entre os grãos e na resistência elétrica. Em geral, a resistência aumenta
a níveis mais elevados, de modo que esse aumento na constante dielétrica gera uma
diminuição na intensidade do efeito em termistores do tipo PTC nos grãos semicondutores.
1.1.1.2.1 Aplicações
Termistores PTC são utilizados em proteções contra sobre-tensão e curto-circuito.

Ao conectar-se em série com a resistência, um termistor PTC faz com que a corrente opere
em níveis mais baixos. Correntes elevadas geram altas temperaturas em termistores PTC, a
qual proporciona um aumento da resistência e diminuição da corrente. Aplicações
adicionais incluem indicadores no nível–líquido e controle dos elementos dos termistores.
13
Figura 1.11: Foto de um termistor PTC [7].
1.1.2 Varistores de Óxidos Metálicos
Varistores são cerâmicas semicondutoras que exibem um comportamento

voltagem–corrente não linear (Figura 1.12). Em baixas voltagens, o varistor comportar–se
LaCCeF
de modo semelhante aos termistores NTC, com pequena dependência da corrente em
relação à temperatura. Porém, em uma determinada voltagem crítica (de ruptura) VB, a
resistência diminui de forma repentina e a corrente aumenta de forma abrupta. O fenômeno
difere da ruptura elétrica normal, de modo que as características de I versus V são
reversíveis e controladas pela estrutura da cerâmica. Semelhante ao termistor PTC, as
propriedades elétricas são controladas através de estreitas barreiras isolantes nos contornos
de grãos.
103
I (A) 10
-3
90 ºC
10-6
VB
10-9 25 ºC
10-12
10 100 1000
V (V)
Figura 1.12 - Relação I versus V para ZnO. A corrente aumenta de forma abrupta na
voltagem e ruptura VB.
14
A maioria dos varistores são obtidos através do óxido de zinco e aditivos em

diversas porcentagens. ZnO com estrutura hexagonal (estrutura do quartzo) possuem
tetraedros de Zn–O ligados (ver Figura 1.13), sendo o comprimento de ligação igual a 1,97
Å. A composição típica de varistores pode ser representada por:
(100 − x )ZnO + x (Bi 2 O 3 + 2Sb 2 O 3 + Co 2 + MnO 2 + Cr2 O 3 ) (1.13)

6
Sendo x a quantidade de aditivos em mols percentuais. Varistores de excelente

desempenho podem ser obtidos para valores de x no intervalo 3–10%.
LaCCeF Oxigênio Zinco
Figura 1.13 – Célula unitária hexagonal da estrutura de ZnO utilizada em varistores. Os

parâmetros de rede são a = 3,24 Ǻ e c =5,19 Ǻ.
A microestrutura dos varistores consiste de grãos de ZnO dopados separados por

regiões de contorno de grãos de Bi2O3 dopados. Em geral, a camada de óxido de bismuto
são de pequena espessura (< 30 Ǻ). Isto desempenha uma função relevante no processo de
condução. Eletricamente, os varistores cerâmicos consistem de grãos semicondutores de
ZnO com resistividade próxima a 1 Ohm.cm, separados por contornos de grão ricos em
Bi2O3. Os grãos e contornos de grão exibem características de condutores do tipo-n e tipo-
p, respectivamente. Elétrons próximos ao contorno são capturados nas regiões
intergranulares ricas em Bi2O3 gerando doadores ionizados em ambos os lados do contorno
de grão. O resultado é uma barreira do tipo Schottky simétrica de aproximadamente 0,8
eV.
15
O comportamento não-linear de I versus V (Figura 1.12) em um varistor pode ser

explicado em termos do modelo de barreira do tipo Schottky. Em baixas voltagens, na
região de pré–ruptura, os portadores de carga superam a barreira de Schottky através de
ativação térmica (Figura 1.14), gerando uma pequena elevação no valor da corrente em
função da temperatura. Quando a voltagem aplicada aproxima-se de VB, a voltagem de
ruptura passa para um estado preenchido na região inicial intergranular através de uma
união na célula unitária hexagonal da estrutura de ZnO, utilizada em varistores. Os
parâmetros de rede são a = 3,24 Å e c = 5,19Å.
V=O Bi2O
Faixa de
condução
Ativação
ZnO Térmica Ajustamento
ZnO
Faixa de
LaCCeF
valência
(a) (b) (c)
Figura 1.14 - (a) Barreira de Schottky gerada pela dupla camada em varistores de ZnO.
(b) Em baixas voltagens, a condução ocorre por ativação térmica. (c) Para
a voltagem de ruptura, inicia-se o tunelamento, o qual gera um aumento
considerável na corrente.
1.1.2.1 Aplicações
Varistores cerâmicos de óxidos metálicos são utilizados para proteger elementos de

circuitos contra ondas indutivas, as quais muitas vezes danificam os contatos, ondas e
retificadores. Através de varistores ligados em paralelo com um elemento de circuito (ver
Figura 1.15), em qualquer ponto com voltagem maior que VB, geram correntes que fluem
através dos varistores. Varistores de óxido de zinco têm demonstrado potencial como pára-
raios [8].
16
Primário
Secundário
Carga
Figura 1.15 - Os varistores são utilizados para proteger contatos elétricos e carregar de
forma oposta os osciladores indutivos.
1.2 Capacitores e Dielétricos
1.2.1 Introdução
LaCCeF
A tecnologia de capacitores cerâmicos compreende variedade de produtos baseados
em materiais dielétricos e configurações físicas, porém, todos são destinados a
armazenagem de energia elétrica, utilizados em diversas aplicações nas indústrias
eletrônica, incluindo as que se seguem:
• Descarga de energia armazenada: É uma das aplicações mais relevantes para um

capacitor, envolve a generalização de um pulso de corrente por descarga em um
capacitor no circuito.
• Bloqueio de corrente direta: Capacitores, uma vez carregados, possuem elevados

elementos de impedância, devido a um bloqueio na corrente direta em algumas
posições de um circuito.
• Ligação dos componentes do circuito: Em um circuito c.a (circuito de corrente

alternada), um capacitor carregado e descarregado com polaridade oposta do sinal de
absorção, permite a atuação da corrente alternada em cada lado do componente, onde
as seções de um circuito podem ser “ligadas”.
17
A corrente não flui de forma direta no capacitor. Devido à característica isolante do

dielétrico a corrente contínua oscila, sendo este resultado da voltagem da carga através
do capacitor.
• Passagem–via um sinal de corrente alternada c.a.: Em razão dos capacitores permitirem

a passagem e alternância em barreiras diretas na corrente, o modelo pode ser utilizado
em paralelo com o elemento do circuito adicional, permitindo a passagem–via dos
elementos fora da porção do sinal de corrente contínua c.c.
• Distinção da freqüência: Um sinal de entrada, com uma mistura de freqüências, pode

ser separado pelo uso de um capacitor que não responde (devido a seus valores de
capacitância) ao sinal de baixa freqüência.
LaCCeF
Para capacitores em circuitos de c.a., o fluxo de corrente aumenta com a freqüência,
isto é, a resistência flui alternando a corrente, que é inversamente proporcional aos
valores da capacitância. No modo de menor oposição, a corrente flui para o sinal de
freqüência elevada em um espaço de tempo, onde oferece um aumento na oposição na
corrente de baixa freqüência. Este modo pode ser usado para discriminar e filtrar a
extensão da freqüência desejada.
• Transiente de voltagem e supressão do arco: Os capacitores são utilizados para

estabilizar circuitos que mudam, de maneira indesejada, a oscilação do transiente de
voltagem e para eliminar curvas de pontos de contatos. O capacitor absorve a energia
gerada por oscilação da voltagem.
1.2.2 Características de um Capacitor
O modelo básico de um capacitor consiste em uma única placa plana com dois
condutores, ou eletrodos, separados por um material dielétrico (como ilustrado na Figura
1.16). O dielétrico deve ser um material puro, sendo esta a propriedade básica que
determina o comportamento elétrico do aparelho.
18
eletrodo
dielétrico
Figura 1.16 - Placa de um capacitor simples.
Os materiais dielétricos são caracterizados pela habilidade de armazenar carga
LaCCeF
elétrica (elevada capacitância) e suas respostas inertes em relação a um campo elétrico, isto
é, variação da capacitância, características de perda, resistência ao isolamento, força
dielétrica, taxa de envelhecimento e dependência da temperatura em relação às
propriedades mencionadas.
Em geral, os capacitores utilizam o ar como material dielétrico (possui constante
dielétrica próxima a do vácuo, definida como 1) ou naturalmente dielétricos, como mica,
com uma constante dielétrica (κ) de 4-8, ou materiais preparados, como os grupos
cerâmicos, com valores de κ constante (κ = 9), para valores elevados como κ = 18000,
como ilustrado na Tabela 1.1. Os materiais cerâmicos, baseados em titanatos e niobatos,
exibem altas constantes dielétricas e assim podem ser formulados com características
elétricas adequadas, sendo deste modo a base da tecnologia dos capacitores em forma de
chip. Todo processamento e materiais utilizados na fabricação dos capacitores em forma de
chip são orientados rumo a otimização das propriedades elétricas desses dielétricos.
19
Tabela 1.1- Constantes Dielétricas para vários materiais.
Constante Dielétrica para vários materiais

Vácuo 1,0
Ar 1,004
Milonito 3
Papel 4-6
Mica 4-8
Vidro 3,7-19
Alumina (Al2O3) 9
Dióxido de Titânio (TiO2) 85-170, (com vários cristais no eixo)
Titanato de Bário (BaTiO3) 1500
Cerâmicas Formuladas com características 20-18.000
distintas
LaCCeF
1.2.3 Capacitância
Uma das principais características que um capacitor possui é a sua habilidade em

armazenar carga elétrica (Q), a qual é diretamente proporcional aos valores da capacitância
(C) e da voltagem aplicada (V).
Q = CV (1.14)
A corrente elétrica I é definida como:
dQ CdV
I= = (1.15)
dt dt
Os valores da capacitância são medidos no Sistema Internacional como Farad,

sendo a voltagem que atravessa o capacitor medida em Volt e a corrente em Ampère.
Q
C= = Coulomb/Volt = Farad (2.16)
V
20
O Farad é uma importante unidade de medida, não possuindo aplicações práticas.

Múltiplos do Farad são comumente usados, isto é:
• Picofarad (pF) = 10-12

• Nanofarad (nF) = 10-9
• Microfarad (mF) = 10-6
1.2.3.1 Fatores que afetam a capacitância
Para algumas voltagens características, os valores da capacitância em uma placa

simples (Figura 1.16) são diretamente proporcionais à geometria e a constante dielétrica do
material:
LaCCeF
kA
C= (1.17)
f (t )
onde, κ é a constante dielétrica, A é a área do eletrodo, t é a densidade do dielétrico e f é

um fator de conversão. No sistema Inglês de unidades, f é igual a 4,452, e usando
dimensões em polegadas para A e t, os valores da capacitância é expresso em picofarads
(pF). Por exemplo, para uma amostra com área de 1,0 X 1,0”, densidade dielétrica de 0,56”
e constante dielétrica de 2500, tem-se:
C = 2500 (1.0)(1.0) /4.452(.0 56) = 10,027 pF
Utilizando o Sistema Métrico, o fator de conversão f é igual a 11,31 e as dimensões

estão em centímetros.
C = 2500 (2,54)(2,54) /11,31(,1422) = 10,028 pF
Como mostra a relação acima, capacitância em função da geometria, um maior

valor de capacitância pode ser alcançada através do aumento da área dos eletrodos e uma
diminuição da espessura do dielétrico.
21
Como é fisicamente impraticável aumentar a área de uma única placa do

dispositivo, o conceito de capacitores conectados em paralelo foi utilizado para produzir
dispositivos com maior capacitância por unidade de volume, como ilustrado na Figura
1.17.
cerâmica dielétrica
eletrodo (interno)
Terminal
LaCCeF
Figura 1.17 - Capacitor de “multicamadas”.
Nas configurações de “multicamadas”, a área A aumenta em razão de muitos

eletrodos com arranjo em paralelo, possuindo uma construção que permite dielétricos de
espessura mais fina entre eletrodos opostos, tal que a capacitância (C) aumenta por um
fator N (número de camadas dielétricas) e a espessura dielétrica (t’) seja reduzida, onde A é
a área de superposição dos eletrodos opostos.
KA' N
C= (1.18)
4, 452 (t')
Os valores de capacitância obtidos para o quadrado da polegada por 056” em uma

placa simples da amostra, podem ser agora produzidos em um mesmo dielétrico em uma
unidade de multicamada de dimensão 0,050” x 0,050” x 0,040” e trinta (30) camadas de
dielétricos de densidade 0,001” (onde A’, o eletrodo envolvido, possui dimensões de
0,030” x 0,020”).
C = 2500 (0,030) (0,020)30/ 4,452(0,00 1) = 10,107 pF
22
Este exemplo mostra a construção de capacitores de multicamadas que podem

resgatar algumas capacitâncias em volumes de 700 vezes menores em comparação aos de
uma placa simples da amostra. Capacitores do tipo “chip” são, portanto, designados e
fabricados para maximizar o efeito volumétrico da capacitância através da otimização da
geometria por seleções de formulações dielétricas com alta constante dielétrica e
propriedades elétricas satisfatórias.
1.2.4 Comportamento Dielétrico
O comportamento dielétrico está presente em todos os isolantes sólidos, líquidos e

gasosos, porém sua total compreensão não foi atingida, em especial onde observa-se a
ocorrência de agregados, como em cerâmicas policristalinas.
LaCCeF
1.2.4.1 Polarização Dielétrica
A polarização dielétrica desenvolve-se devido à atuação de forças atômicas e

moleculares. Tal polarização ocorre quando as cargas em um material são levemente
deslocadas em relação a uma influência externa, tal como um campo elétrico. Em um
capacitor, as cargas negativas dentro do dielétrico são deslocadas em direção ao eletrodo
positivo, enquanto as cargas positivas deslocam-se na direção oposta. Como as cargas não
são livres para deslocarem-se em um isolante, as forças são restauradas e ativadas por
qualquer outro trabalho, isto é, a energia é transferida. No carregamento de um capacitor,
sob a atuação de um campo aplicado, a polarização influencia de maneira oposta as cargas
sobre os eletrodos, armazenando a energia. Quando ocorre a descarga, tal energia é
dissipada. Um resultado da interação descrita acima pode ser aplicado a certos materiais,
os quais possuem cargas com relativa facilidade para gerar polarização, o que será de
grande influência na quantidade de carga elétrica que poderá ser armazenada em um
capacitor. A relação entre a habilidade de armazenagem de um dielétrico e a do vácuo é
definida como a constante dielétrica do material.
A polarização P pode ser representada em função da constante dielétrica κ e do
campo elétrico E por:
23
P = ε o (K − 1 )E (1.19)
onde, εo (= 8,85x10-12 Fm-1) é a permissividade do vácuo.

A polarização total de um dielétrico pode ocorrer em função de quatro fontes de
deslocamento de cargas: (a) deslocamento elétrico, (b) deslocamento iônico, (c) orientação
de dipolos permanentes e (d) deslocamento de cargas espaciais. Assim, a contribuição total
da polarização pode ser representada pela soma entre as quatro formas de polarização:
P = Pe + Pi + Pd + Ps (1.20)
• Deslocamento elétrico: Este efeito é comum para todos os materiais, pois envolve
distorções no centro de cargas dos átomos. A influência de um campo aplicado no
núcleo de um átomo e no centro de carga dos elétrons gera um pequeno dipolo. Este
LaCCeF
efeito de polarização é pequeno, apesar do vasto número de átomos dentro do material,
devido ao momento de dipolo ser muito breve, sendo o deslocamento da ordem de
Angstrom (1Å = 10-10 m).
• Polarização iônica: O deslocamento iônico é comum em materiais cerâmicos que

possuem rede cristalina ocupada por cátions e ânions. Sob a influência de um campo
elétrico, os momentos de dipolo são gerados pelo deslocamento dos íons para as
respectivas polaridades (opostas) em relação ao campo. O deslocamento iônico pode ser
relativamente grande em comparação com o deslocamento elétrico e por esta razão pode
induzir a altas constantes dielétricas em algumas cerâmicas.
• Orientação de dipolos: Este é um fenômeno que envolve a rotação de dipolos

permanentes na aplicação de um campo inferior. Apesar da existência de dipolos
permanentes em compostos cerâmicos, como no SiO2, que não possui centro de simetria
para cargas positivas e negativas, a orientação de dipolos não ocorre, uma vez que os
dipolos são restritos a deslocarem-se somente ao longo de determinadas direções na rede
cristalina. A reorientação dos dipolos é impedida e resultará no desarranjo da rede
cristalina. A orientação dos dipolos é muito comum em polímeros, que em razão de suas
estruturas atômicas, permitem a reorientação. Observa-se que o mecanismo de dipolos
permanente não é o mesmo em dipolos induzidos na polarização iônica.
24
• Polarização de cargas espaciais: Este mecanismo é intrínseco em qualquer rede cristalina.

O fenômeno surge devido à geração de cargas com a presença de impurezas ou devido à
geometria irregular nas interfaces de cerâmicas policristalinas, sendo sua contribuição
extrínseca. Tais cargas são em parte móveis e deslocam-se sob a atuação de um campo
elétrico.
1.2.4.2 Efeitos da Freqüência sobre a Polarização
Os mecanismos de polarização são processos, cujo tempo de resposta varia com a

freqüência do campo elétrico aplicado, sendo que a contribuição da rede de polarização
para a constante dielétrica depende da freqüência. O deslocamento elétrico responde
rapidamente a inversão do campo e não retarda a contribuição da polarização que ocorre
LaCCeF
acima de 1017 Hz. Como esperado, os íons que são grandes dentro da estrutura do cristal,
são menos móveis, possuindo um tempo de resposta menor. O efeito da polarização por
deslocamento iônico decresce em torno de 1013 Hz. Em tal freqüência, o deslocamento
iônico inicia-se, sendo o campo elétrico de elevada intensidade, aumentando o fator de
perda e contribuindo para a menor constante dielétrica. Em altas freqüências, os campos
reversos são tais que os íons não deslocam-se em relação ao campo (a freqüência de
oscilação dos íons é menor que a freqüência do campo), e a contribuição do fator de perda
ocorre através de deslocamentos iônicos. A orientação dipolar e a polarização de cargas
espaciais diminuem em resposta a freqüência do campo aplicado. O efeito total da rede de
polarização é ilustrado na Figura 1.18. Os picos de polarização iônica e eletrônica que
ocorrem próximo às mudanças de freqüência devem-se a pontos de ressonância, para os
quais a freqüência aplicada iguala-se a freqüência de oscilação do material.
25
P
o Carga Espacial
l
a Dipolo
r
i
z Iônico
a
ç
ã Eletrônico
o
10 -4 1010 1014 1017 Hz
Figura 1.18 - Polarização versus Freqüência.
LaCCeF
A variação da freqüência durante o mecanismo de polarização é refletida em
medidas da constante dielétrica do capacitor. Em geral, os valores da capacitância e da
constante dielétrica decrescem com o aumento da freqüência para todos os materiais
cerâmicos, embora tal diminuição dependa do tipo de mecanismo de polarização.
1.2.5 Perda Dielétrica
Em um circuito do tipo c.a. (corrente alternada), a relação entre a voltagem e a

corrente transversal, fora de fase entre si, em um capacitor “ideal” pode ser representada
por:
Q = CV (1.21)
Para a aplicação de um campo elétrico alternado tem-se:
V =Vo senωt (1.22)
onde, Vo é a amplitude da tensão senoidal, e ω é a freqüência angular.
26
Dessa forma, pode-se escrever:
Q = CVo sen ωt (1.23)
Sendo que a corrente (I) pode ser representada através da equação:
d
I = dQ/dt = (CVo sen ωt) (1.24)
dt
Assim:
I = CVo ω cos ωt (1.25)
LaCCeF
A equação que descreve a variação periódica é dada por:
cos ωt = sen ( ω t + 90º ) (1.26)
Dessa forma, o fluxo da corrente é 90º fora de fase em relação à voltagem. Porém,
dielétricos reais não são dispositivos perfeitos, uma vez que a resistividade do material é
finita e o retardo ou “tempo de relaxação” do mecanismo da polarização com a freqüência
gera perdas. Um modelo prático de capacitor real pode ser considerado como um capacitor
ideal ligado em paralelo com um resistor ideal.
Novamente, para o capacitor, a voltagem pode ser considerada como:
V = Vo sen ωt (1.27)
Sob a atuação de um campo elétrico alternado, tem-se:
I c = CVo ω cos ωt (1.28)
27
Para um resistor ideal:
I r = V/R = Vo /R sen ωt (1.29)
O fluxo de corrente na rede cristalina é, portanto:
I c + I r = I rede = CVo ω cos ωt + Vo/R sen ωt (1.30)
As duas porções da corrente que flui indica que alguma corrente (contribuída por
uma porção da resistência do capacitor) não estará 90º fora de fase com a voltagem. O
ângulo em que a corrente sai de fase para um capacitor ideal pode ser determinada e a
tangente deste ângulo é definida como a tangente de perda ou fator de dispersão, como
ilustrado na Figura 1.19.
LaCCeF δ
Vetor corrente para
um capacitor real
Voltagem
Figura 1.19 - Tangente de perda em um capacitor ideal.
A tangente de perda (tg δ) é uma propriedade do material e não depende da

geometria do capacitor. Ela possui grande influência na utilidade do dielétrico em
aplicações eletrônicas. Na prática, tal parâmetro pode ser determinado pela perda do fator
de dispersão em materiais de baixa constante dielétrica.
O desenvolvimento de tais propriedades deve-se a elevada constante dielétrica (κ)
do material, em razão dos mecanismos de polarização exibindo alto fator de dispersão.
28
1.2.5.1 Efeitos da freqüência sobre a perda dielétrica
A freqüência utilizada em um dielétrico é importante devido ao efeito no

mecanismo de polarização, sendo notável o processo de “relaxação” ou retardo exibido
pelo material em razão da inversão do campo, em um circuito de corrente alternada. O
pequeno tempo de relaxação associa-se a processos de polarização instantânea, sendo um
grande tempo de relaxação caracterizado por processos de relaxação demorados.
Cerâmicas dielétricas são compostas por átomos e íons, os quais contribuem para uma
grande perda dielétrica. O fenômeno de perdas é maximizado em uma determinada
freqüência, para a qual o campo aplicado possui o mesmo período do processo de
relaxação. Para um estado mais simples da matéria, as pequenas perdas são observadas
para determiandos tempos de relaxação, sendo que o período da amplitude do campo difere
grandemente, de modo que se:
LaCCeF
(a) tempo de relaxação >> freqüência do campo: a perda é pequena
(b) tempo de relaxação << freqüência do campo: a perda é pequena
(c) tempo de relaxação = freqüência do campo: a perda é máxima
A situação (a) gera uma pequena perda, como o mecanismo de polarização é muito
reduzido durante a inversão do campo, e os íons não se alinham com o campo em sua
totalidade, estes não geram mecanismos de perda por aquecimento. O inverso ocorre na
situação (b), onde o processo de polarização pode seguir a freqüência do campo, que não
atrasa. No caso (c), de qualquer modo, os íons podem seguir o campo, mas limitado por
seu tempo de relaxação, deste modo gerando uma alta perda com a freqüência.
As formulações das cerâmicas dielétricas sempre demonstram uma extensão no
tempo de relaxação superior ao espectro de freqüência, uma vez que estes materiais exibem
aspecto policristalino. A variação da perda dielétrica em função da freqüência coincide
com a variação da constante dielétrica, de forma que os dois associam-se aos mecanismos
de polarização, como demonstrado na Figura 1.20. Em altas aplicações da freqüência, uma
figura de informação de “fator Q” é freqüentemente utilizada, em que é recíproco a
tangente de perda:
1
Q= (1.31)
tgδ
29
Constante Perda
dielétrica dielétrica
Figura 1.20 - Efeitos de relaxação sobre a constante dielétrica e perda dielétrica.
1.2.6 Propriedades Dielétricas
1.2.6.1 Resistência
LaCCeF
A resistência é definida como uma grandeza que mede a capacidade de um
determinado material em resistir à passagem de corrente abaixo de um potencial limite
Vc.c.. Os isolantes são materiais que possuem elétrons livres na estrutura atômica e que
estão livres para deslocarem-se, em algumas intensidades baixas de campo aplicado. Os
elétrons estão unidos através de ligações iônicas e covalentes entre os átomos, sendo que
por definição, tais materiais possuem resistividade elétrica quase infinita.
Na realidade, de qualquer modo, os isolantes não exibem infinitas, mas limites de
resistividade, como estes são impuros e o defeito na estrutura da rede atômica possibilita
uma elevada carga.
Em óxidos cerâmicos, assim como os titanatos, o portador da carga pode elevar a
imperfeição para estequiometria dois, isto é, a razão de íons para cátions não é balanceada,
e a rede cristalina do material poderá ter vacâncias (orifício) na posição da rede e dos íons
intersticiais. Estas imperfeições podem ocorrer devido a substâncias impuras substituídas
por outros cátions fora do balanceamento suficiente das cargas. Como exemplo, um cátion
Al3+ repõe um cátion Ti4+, partindo de uma carga de rede negativa. Também, a razão do
oxigênio para outros íons pode ser insuficiente para manter a valência ideal, criando uma
rede de carga positiva. Isto pode ocorrer facilmente na pressão parcial do oxigênio durante
o aquecimento do material que é insuficiente, existindo assim a condição de “redução”. A
redução severa, em fato, abaixará a resistividade dos titanatos no ponto onde as
propriedades dos semicondutores tornam–se evidentes.
30
Os íons intersticiais resultam, como dito acima, de uma definição de mobilidade ao

acaso, que é dependente da temperatura, da difusão do íon que aumenta com a temperatura,
devido à soma da energia térmica que supera as barreiras da energia de difusão.
Em um campo inferior aplicado, a difusão não é mais ao acaso, mas ao longo do
gradiente de potencial do campo ocorre um vazamento na corrente.
A resistência isolante do capacitor “chip” é, portanto, dependente da formulação,
processamento (aquecimento) e medidas de temperatura. Em todos os dielétricos, a
resistividade decresce com a temperatura e uma considerável queda é observada da baixa (-
55 ºC) para a alta (125 ºC) em uma temperatura específica.
Uma importante consideração quanto à medida da resistência isolante dos
capacitores é a relação entre I e R e os valores da capacitância em teste de unidades
inferiores. Eles seguem valores de capacitância que é irreversivelmente proporcional à
resistência isolante, isto é, altas unidades de valores exibem baixa resistência isolante. A
razão para este comportamento é que a capacitância e a dispersão da corrente são
LaCCeF
diretamente proporcionais para um corrente adicional, como pode ser demonstrado usando
a lei de Ohm e a relação da capacitância geométrica. A lei Ohm no estado em que a
corrente (I) em um condutor está associada a aplicação da voltagem (V) e a resistência (R)
do condutor é representada como:
V
I= (1.32)
R
A resistência (R) é uma dimensionalidade dependente das propriedades do material

e está relacionada à resistividade intrínseca do mesmo (ρ), como a seguir:
ρL
R = (1.33)
A
onde, L é o comprimento do condutor e A a área seccional cruzada do condutor.
A corrente (I), portanto, pode ser expressa, como:
VA
I= (1.34)
ρL
31
Quando considerado um capacitor cerâmico, a dispersão da corrente (I) completa o

isolamento, que pode ser expresso como na fórmula acima:
VA'
I= (1.35)
ρt
onde V é o teste de voltagem, A’ a área do eletrodo ativo, ρ a resistividade dielétrica e t a

densidade dielétrica.
Para relações chip, em alguns teste de voltagem (V), a dispersão da corrente é
diretamente proporcional à área de atividade do eletrodo no capacitor, sendo inversamente
proporcional à densidade (e resistividade) da camada do dielétrico, isto é:
A'
iα
t
LaCCeF
De modo similar, a capacitância (C) é diretamente proporcional a área de atividade
do eletrodo e inversamente proporcional à densidade dielétrica, para:
KA'
C= (1.36)
4,452t
onde, K é a constante dielétrica, A’a área ativa do eletrodo e t a densidade dielétrica.

Conseqüentemente:
A'
Cα eI αC
t
A dispersão da corrente (I) é o inverso da resistência isolante, desta maneira:
IR α 1/C
A resistência isolante é uma função do teste de voltagem, como a dispersão da

corrente é diretamente proporcional à voltagem aplicada:
32
VA' ρt
I= /, ou IR = (1.37)
ρt VA'
Para um dado capacitor, a resistência isolante é dependente da resistividade (ρ) do

dielétrico, que é proporcional ao material e depende da formulação e da medida da
temperatura, como descrito anteriormente.
A medida de IR é inversamente proporcional aos valores da capacitância, isto é, IR
é uma função da capacitância, e por isso o critério para IR em indústrias são estabelecidos
com produto de resistência (R) e capacitância (C), (RxC), como demonstrado na Tabela
1.2.
A especificação EIA (Aliança das Indústrias Eletrônicas - Electronic Industries
Alliance, credenciada para desenvolver padrões e especificações técnicas de componentes
eletrônicos, telecomunicações, Internet) requer que o produto (RxC) exceda 1000 Ohm-
Farad (depois expresso como 1000 Megohm-Microfarad) em 25oC, e 100 Ohm-Farad em
LaCCeF
125oC, (10% dos valores da Tabela 1.2).De maneira geral, os dielétricos possuem uma
resistência elétrica alevada e as medidas são associadas em vários múltiplos de Ohm:
• 1 Tera-ohm (TΩ) = 1012 Ohm

• 1 Giga-ohm (GΩ) = 109 Ohm
• 1 Mega-ohm (GΩ) = 106 Ohm
Em adição, o material e as variações da geometria são outros fatores físicos que

influenciam na resistência isolante dos capacitores.
• Superfície de Resistividade: As superfícies dos dielétricos podem possuir diferentes

resistividades no tamanho do material, devido a impurezas absorvidas ou umidade da
água.
• Defeitos: Formulações dielétricas que estão presentes em cerâmicas policristalinas

agregadas, contendo contornos de grão e poros volumosos em sua microestrutura,
causando decréscimo da resistividade intrínseca do material. Estatisticamente, a
ocorrência desses defeitos físicos é diretamente proporcional ao volume da partícula e a
complexidade de sua estrutura.
33
Tabela 1.2- Padrão mínimo IR versus Capacitância.
Padrão mínimo IR versus Capacitância

Capacitância Mínimo IR (GΩ) Mínimo RxC (Ω) a 25 ºC
0,1 pF 100,00 100

0,015 66,67
0,022 45,45
0,033 30,30
0,047 21,28
0,068 14,71
0,100 10,00
0,150 6,67
0,220 4,55
0,330 3,03
0,470 2,13
0,680 1,47
1,00 1,00
LaCCeF
1.2.6.2 Intensidade Dielétrica
A intensidade dielétrica é a medida da capacidade do material em resistir a uma

grande força do campo fora do desarranjo elétrico, sendo expressa em volts por mil
(0,001’) ou volts por cm do dielétrico. A perda dielétrica ocorre em isolantes, onde o
campo aplicado num ponto de distância limiar e a força de restauração dentro da rede
cristalina são superadas, causando emissão dos elétrons do campo, produzindo um número
suficiente de elétrons livres e criando um avanço nas colisões, onde resulta em uma rápida
ruptura da corrente reduzindo a eficiência do dielétrico.
Esses tipos de deficiência em dielétricos, em altas voltagens e aquecimento com
baixas resistividades do material podem desenvolver um enfraquecendo no dielétrico. A
dependência da temperatura é observada, devido ao decréscimo da intensidade dielétrica
com a temperatura.
A intensidade dielétrica intrínseca em alguns isolantes é reduzida por defeitos
físicos na microestrutura do material. Como a resistência isolante, uma dependência
geométrica é observada com medidas presentes.
34
A intensidade dielétrica é inversamente proporcional à camada dielétrica, como o

aumento do volume do material aumenta a probabilidade de defeitos ao acaso, como
ilustrado na Figura 1.21.
Volts/Mil
pequena unidade
1200
600
grande unidade
2,0 4,0 6,0 8,0

Densidade Dielétrica
Figura 1.21 - Força dielétrica versus densidade dielétrica.
LaCCeF
De maneira similar, a intensidade dielétrica é inversamente proporcional à soma da
camada do eletrodo de um capacitor chip e a área deste capacitor.
Capacitores chip são designados em uma margem de proteção baseada em
considerações que possa impedir o uso e o teste de voltagem da resistência.
1.2.6.3 Envelhecimento
Os capacitores cerâmicos podem exibir formulações ferroelétricas que exibem um

decréscimo na capacitância e a perda dielétrica com o tempo. Este fenômeno, chamado
envelhecimento, é reversível, e ocorre devido a mudanças cristalográficas dos
ferroelétricos com a temperatura.
O principal representante do grupo de materiais dielétricos ferroelétricos é o
titanato de bário (BaTiO3). Tal material sofre transições no cristal ou possui simetrias que
possibilitam um aumento nos domínios e elevação ferroelétrica.
Na temperatura de Curie, 120 ºC, o BaTiO3 sofre uma transição defase para a forma
cristalina cúbica, onde não ocorre polarização espontânea. No resfriamento abaixo do
ponto de Curie, o material é novamente transformado de cúbico para tetragonal, onde a
rede não possui centro da simetria e o cátion Ti4+ pode ocupar um dos dois sítios
assimétricos, aumentando os dipolos elétricos.
35
Estes dipolos possuem configuração espontânea e são pouco ordenados, conforme

as unidades de células adjacentes que possuem uma influência adicional suficiente para a
reação e a criação de domínios de polaridade similares. Os domínios de polaridade elétrica
são orientados ao acaso (fora da influência do campo elétrico) e concedem uma certa
energia de deslocamento para o sistema. A relaxação desta energia deslocada é atribuída
pela existência do mecanismo de envelhecimento da constante dielétrica, sendo encontrada
a seguinte relação chip:
K = K o − m log t (1.38)
onde, K é a constante dielétrica no tempo t, Ko é constante dielétrica no tempo t, (to < t) e

m é a razão de diminuição.
A equação (1.38) é uma relação logarítmica, sendo os dados aproximados para uma
LaCCeF
linha plana (uma reta) como mostrado na Figura 1.22.
A variação percentual de K (ou capacitância) por série de dez pode ser calculada e
utilizada como um diagrama no valor da formulação dielétrica.
Os detalhes da microestrutura que afetam a polarização (material puro, tamanho do
grão, sinterização, limites–áreas de grãos, porosidade, tensão interna) também determinam
a independência dos domínios, a dificuldade dos movimentos e reorientação. Ele é
fundamentado por medidas de envelhecimento, cuja composição é dependente do processo,
que é sensível para variáveis que também influenciam na constante dielétrica do material.
∆C %
-5 (a)
-10
-15 (b)
10 102 103 104 105 106 Tempo (h)
Figura 1.22 - Envelhecimento ferroelétrico. (a) taxa de envelhecimento = -5% /5 décadas.

(b) Taxa de envelhecimento = -15% /6 décadas.
36
A perda de capacitância com o tempo torna-se inevitável nas composições

ferroelétricas, embora possa ser revertida através do aquecimento do dielétrico acima da
temperatura de Curie, onde o material passa para um estado cúbico. Sob resfriamento, a
polarização espontânea ocorrerá novamente, devido à transformação do material para a
forma de cristal tetragonal, onde novos domínios recomeçam o processo de
envelhecimento.
Como esperado, nenhum envelhecimento é observado somente em formulações
paraelétricas, semelhante ao NPO, que não possui o mecanismo de polarização espontânea.
A razão pela qual ocorre o envelhecimento pode ser a influência por “condicionamento de
voltagem” do capacitor. Ele é fundido devido a tensão por uma voltagem dc em elevadas
temperaturas (abaixo do ponto Curie), assim possuirá uma perda da capacitância e um
baixo envelhecimento. Ele é teorizado por voltagens de tensão em elevadas temperaturas
no processo de relaxação dos domínios. Este condicionamento dos efeitos da voltagem é,
no processo, eliminados em unidades experimentais, sempre excedendo as temperaturas no
LaCCeF
ponto Curie.
A fabricação do capacitor compensa a perda da capacitância de dielétricos
ferroelétricos por ajustamento testando os limites. Semelhante às unidades de não
oposição, de tolerância superior ao longo de um período de tempo. Como exemplo, para
um dielétrico com taxa de envelhecimento de 1,5 % /década, os limites de testes são
elevados 3 % , isto é, duas décadas. Unidades de teste de 100 horas depois das últimas
exposições da temperatura de Curie, conseqüentemente permanecerá na tolerância interior
para duas décadas adicionais ou 10.000 horas.
1.2.7 Acoplamento Eletro-Mecânico
Em geral, os materiais dielétricos exibem uma deformação elástica quando

tencionados sob a atuação de um campo elétrico, devido ao deslocamento dos íons dentro
da rede cristalina. Os mecanismos de polarização, isto é, o deslocamento dos íons na
direção do campo aplicado, resulta em uma contração dos íons, como forças de restauração
concedidas entre átomos para o balanceamento do sistema. Este comportamento é chamado
de eletrostrição, sendo comum para todos os cristais doadores que exibem um centro de
simetria.
37
A eletrostrição é um elemento de composição relação chip, em que um campo

elétrico gera uma deformação, como os centros de cargas não deslocam a tensão mecânica
aplicada não induz um campo elétrico.
Os materiais piezoelétricos exibem uma segundo elemento de composição da
relação chip para a relaxação mecânica e polarização, a qual ocorre em cristais que não
exibem centro de simetria. Devido à atuação de um campo elétrico externo, o centro de
simetria é deslocado, gerando um momento de dipolo, o qual resulta na polarização do
material. Tais dipolos desenvolvem-se de forma linear, uma vez que a força elástica
observada é proporcional à intensidade do campo aplicado e a polarização obtida é
proporcional à tensão mecânica aplicada.
O titanato de bário, possui uma deficiência no centro de simetria da rede cristalina
em temperaturas abaixo do ponto de Curie (120 ºC). Portanto, tal material pode ser
considerado como sendo um piezoelétrico.
LaCCeF
Quando aquecido antes da temperatura Curie, a rede cristalina muda de tetragonal
para uma configuração cúbica, que possui um centro de simetria e efeitos piezoelétricos
que não são longamente observados.
1.2.7.1 Absorção Dielétrica
A absorção dielétrica é uma medida de uma carga residual em um capacitor depois

de descarregado. Ela é expressa como uma razão percentual da voltagem para uma
voltagem da carga inicial.
A voltagem ou carga residual é característica para o fenômeno de relação da
polarização. A polarização mecânica pode restaurar o campo aplicado. O inverso da
situação, por meio da restauração é uma despolarização, ou descarga, também aplicada.
Uma pequena fração de polarização, em fato, pode permanecer depois da descarga por um
longo tempo e pode ser medido em paralelo com a alta impedância do voltímetro.
Os dielétricos que possuem altas constantes dielétrica e conseqüentemente maiores
mecanismos de polarização, exibem maior quantidade de absorção dielétrica do que os
materiais de baixa K [9].
38
Referências Bibliográficas
[1] NOBRE, M.A.L.; LANFREDI, S. Thermistor ceramic with negative temperature

coefficient based on Zn7Sb2O12: An inverse spinel-type phase, Applied Physics
Letters, v. 81, n. 3, p. 451-453, 2002.
[2] NOBRE, M.A.L.; LANFREDI, S. Negative temperature coefficient thermistor based on

Bi3Zn2Sb3O14 ceramic: An oxide semiconductor at high temperature, Applied Physics
Letters, v. 82, n. 14, p. 2284-2286, 2003.
[3] DU, H.; YAO, X.; WANG, H. Dielectric properties of pyrochlore (Bi1,5Zn0,5 )O7
(Nb0,5M1,5)O7 (M = Ti, Sn, Zr, e Ce) dielectrics, Applied Physics Letters, v. 88, p. 1-3,
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LaCCeF
[4] S, LANFREDI; NOBRE, M.A.L. Conductivity mechanism analysis at high temperature
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[5] NOBRE, M.A.L.; LANFREDI, S. Grain boundary electric characterization of

Zn7Sb2O12 semiconducting ceramic: A negative temperature coefficient thermistor,
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[6] www.thermistor.com
[7] www.itm.com.cn
[8] NEWMAN, R.E, Eletroceramics, Rep. Prog. Phys 52, pág. 123 –156 (1989).
[9] GALLIATH, A. P. Technical Brochure – A Practical Reference to MLC Properties and

Behavior, Novacap.
39
2
Dielétricos Lineares
2.1 Introdução
Os dielétricos lineares são não-ferroelétricos e mostram uma relação linear entre

polarização e voltagem, possuindo um coeficiente de temperatura linear. Estes materiais
consistem primariamente de TiO2 e exibem baixas constantes dielétricas (< 150), baixas
LaCCeF
perdas dielétricas e o não envelhecimento da capacitância com o tempo. Estas propriedades
possuem uma dependência desprezível da capacitância com voltagem ou freqüência.
Estes modelos dielétricos são úteis para aplicações em capacitores, onde é
necessária rigorosa tolerância e alta estabilidade.
Dielétricos lineares são também referidos como materiais de temperatura
Compensada (C.T), uma vez que o coeficiente de temperatura pode ser modificado para
predizer a inclinação da temperatura (C.T.) excedendo o intervalo de - 55oC a 125oC. Esta
inclinação varia de aproximadamente em 100 partes por milhão por grau C (ppm/ºC) para
uma inclinação tipicamente negativa 750 ppm/oC. Estes valores são relacionados com o
P100 ou N750, respectivamente. Uma série de dielétricos lineares conhecidos como o tipo
de extensão C.T. varia de N750 tão negativo quanto N5600. Estes valores são obtidos por
uso de dielétricos em que a temperatura de Curie será abaixo a -55oC em baixos limites de
especificação MIL. Assim, a porção C.T. entre -55oC para 125oC é aproximadamente
linear.
40
2.2 Classes de Dielétricos
As composições de dielétricos são identificadas e classificadas na indústria pela

capacitância do coeficiente de temperatura dos materiais. Dois grupos básicos (Classe I e
Classe II) são usados na fabricação de placas de capacitores cerâmicos. Uma terceira
(Classe III) inclui o titanato de bário utilizado na produção de capacitores em forma de
disco.
Os coeficientes de temperatura são determinados através de medidas da variação da
capacitância em diversas temperaturas a partir da temperatura ambiente (25oC). O
coeficiente de temperatura (C.T.) é expresso como a porcentagem da variação da
capacitância (% ∆C) ou partes por milhão por grau Celsius (ppm/oC). As características
C.T. são usualmente ilustradas graficamente nos intervalos de temperatura EIA e MIL com
extensão de temperatura (-55 ºC para 85 ºC e -55 ºC para 125 ºC, respectivamente).
LaCCeF
2.2.1 Dielétricos de Classe I
Este grupo compreende os dielétricos lineares. Estes materiais exibem

características estáveis por serem de formulação não-ferroelétricas (paraelétricas),
baseados em TiO2, que possui uma constante dielétrica inferior a 150. As cerâmicas com
compensação de temperatura extendida são um subgrupo de formulações que utilizam
pequenas adições de outros óxidos (ferroelétrico), como CaTiO3 ou SrTiO3, exibem não-
linearidade de temperatura associadas a constante dielétrica de 500. Ambas as categorias
são utilizadas em circuitos que requerem uma estabilidade do capacitor, isto é, não há
envelhecimento da constante dielétrica, baixa perda (DF < 0,001 ou < 0,002 C.T.
extendidos), não há variação na capacitância ou perda dielétrica em função da voltagem ou
freqüência mostrando um comportamento linear com a temperatura dentro da tolerância
prescrita.
O código letra-número-letra que define o coeficiente de temperatura dos dielétricos
de Classe I tem sido desenvolvimento pela Associação de Indústrias Eletrônicas (Eletronic
Industries Association (EIA)) Modelo 198, como mostrado na tabela 2.1.
41
Tabela 2.1 - Designação EIA (Eletronic Industries Association) para Dielétricos de Classe
I.
Designação EIA para Dielétricos de Classe I
(a) (b) (c) (d) (e) (f)

figura
significante tolerância
do coef. de código de multiplicador código para o coef. código de
temperatura Letra (a) aplicado para numérico para de letra para a
da a coluna (a) a coluna (c) temperatura coluna (e)
capacitância (ppm/ oC)
(ppm/ oC)
0.0 C -1.0 0 30 G
1.0 M -10 1 60 H
1.5 P -100 2 120 J
2.2 R -1000 3 250 K
3.3 S -10000 4 500 L
4.7 T +1 5 1000 M
LaCCeF
7.5 U +10 6 2500 N
__ __ +100 7 __ __
__ __ +1000 8 __ __
__ __ +10000 9 __ __
A maior parte de dielétricos de Classe I para capacitores chip é a designação COG,

isto é, 0 ppm/ °C ± 30 ppm/ °C de coeficiente de temperatura, que é o NPO (negativa-
positiva-zero) especificação MIL, para o plano de coeficiente de temperatura.
%∆C
6.0
4.0
2.0 MG7
0 COG
-2.0 R2G
-4.0 S2H
-6.0
-8.0 U2H
- 50 -25 0 25 50 75 100 125
Temperatura,0 C
Figura 2.1 - Coeficiente de Temperatura (C.T) para dielétricos lineares.
42
As medidas do coeficiente de temperatura podem não ser necessariamente linear,

porém são admissíveis nos dados dentro dos limites de tolerância da permissividade
especificados na ultima letra do código EIA, como ilustrado para dielétricos COG na
Figura 2.2.
%∆C
0.3
0.2 +/- 30 ppm/o C
tolerância
0.1
envolvida
COG
0
-0.1
-0.2
-0.3
LaCCeF
-50 -25 0 25 50 75 100 125
Temperatura,o C
Figura 2.2 - Tolerância para o coeficiente de temperatura.
2.2.2 Dielétricos de Classe II
Os dielétricos de Classe II, incluindo composições ferroelétricas, são materiais que

possuem constantes dielétricas maiores que nos Dielétricos de Classe I, porém com
propriedades menos estáveis como temperatura, voltagem, freqüência e tempo. As diversas
extensões das propriedades das cerâmicas ferroelétricas requererem uma subclassificação
em duas categorias, definidas pelas características de temperatura:
• Dielétricos de Classe II com estabilidade média de K: exibe um coeficiente de

temperatura máxima de ± 15% a partir de 25oC em um intervalo de temperatura de
-55 oC a 125 oC. Tais materiais possuem tipicamente uma constante dielétrica
intervalo de 600 a 4000 e possuem características EIA X7R.
43
• Dielétricos de Classe II com Altos valores de K: Dielétricos com coeficientes de

temperatura que excedem os requerimentos X7R. Esta formulação exibe constante
dielétrica entre 4000 e 18000, em muitos excedem o coeficiente de temperatura,
pois o ponto de Curie varia a partir da temperatura ambiente para a maximização da
constante dielétrica.
A Tabela 2.2 mostra as descrições EIA 198 para estes dielétricos. A característica
mais comum de K médios utilizada na fabricação de capacitores “chip” é a designação
X7R (máximo de ±15% ∆C de -55 oC a 125 oC). Na categoria com elevado K, as
características Z5U (+22% para -56% máxima ∆C de +10 oC a +85 oC) e Y5V (+22% a -
82% máxima ∆C em 30 oC a 85 oC) são comuns.
Tabela 2.2- Designação EIA (Eletronic Industries Association) para Dielétricos de Classe
II.
LaCCeF
Designação EIA para Dielétricos de Classe II
(a) (b) (c) (d) (e) (f)
Máxima
Condição a Condição a código (+/-)% oC Código
baixas Código de (a) altas numérico para Sobre de letra
Temperaturas Temperaturas a coluna (c) Temperatura para a
coluna
(e)
+10 Z +45 2 1.0 G

-30 Y +65 4 1.5 H
-55 X +85 5 2.2 J
__ __ +105 6 3.3 K
__ __ +125 7 4.7 L
__ __ __ __ 7.5 M
__ __ __ __ 10.0 N
__ __ __ __ 15.0 __
__ __ __ __ 22.0 __
__ __ __ __ +22-33 __
__ __ __ __ +22-56 __
__ __ __ __ +22-82 __
44
A especificação militar para cerâmicas de capacitores chip (MIL-C-55681) também

define dielétricos com valores médios de K (constante dielétrica) e é designada como
característica “BX”. A especificação BX possui limites de voltagem/temperatura em
adição aos limites de temperatura padrão.
O dielétrico BX é limitado em uma capacitância máxima de ±15% com variação de
-55% a 125%, e para uma variação máxima de +15%-25% que opera em uma voltagem
aplicada. As características BX são similares à designação X7R, sendo que os coeficientes
de voltagem e temperatura combinados, não excedem +15%-25%. Curvas do coeficiente
de temperatura em Dielétricos de Classe II (C.T) são mostradas na Figura 2.3.
T.C. de Dielétricos Lineares de Classe II

%∆C
+10
0 XR7 X7R relacionado
LaCCeF
-10
-20 BX TVC relacionado
-30
-40 Z5U
-50
-60
Y5V
-70
- 50 -25 0 25 50 75 100 125

Temperatura,0 C
Figura 2.3 - Coeficiente de temperatura (C.T) para dielétricos de classe II.
45
2.3 Padrão Visual em Capacitores “Chip”
2.3.1 Padrão Visual Externo
Muitos capacitores de multicamadas (MLC) possuem um fino acabamento e

integridade física. Inspeções visuais de capacitores chip envolvem observações de produtos
em um aumento inferior de 20x para maiores e menores defeitos na capacidade do
capacitor e na metalização final. Os padrões visuais são detalhados em MIL-C-123B, e
aplicados na estrutura do chip, terminações metálicas, extremidade do chip, superfície e
marcação, se aplicável.
A inspeção da amostra é somente quantitativa, de acordo com MIL STD 105, Nível
II, 0.65. A aceitação ou rejeição do padrão de produção é baseado na variação dos defeitos
(nível AQL ou nível ppm).
LaCCeF
2.3.2 Padrão da Microestrutura Interna
As características visuais externas são aplicadas ao padrão de qualidade para a

microestrutura interna do capacitor chip, como observação em perfeição das seções opostas
da amostra dos capacitores. Unidades são divididas em curtas dimensões dos capacitores
para proporcionar duas extremidades visíveis dos eletrodos internos e terminais.
Apesar de algumas medidas possuírem defeitos internos considerados indesejados,
estes tipos de imperfeições ocorrem ocasionalmente em diferentes graus de rigorosidade.
Tipicamente, delimitações, vácuo interno, ruptura e outras irregularidades são classificadas
com rigor e são consideradas como defeitos constituídos se ele exceder o seguinte, como
baseado em EIA 469.
2.3.3 Separação em Lâminas
Este método consiste em separar a camada da estrutura do capacitor na forma de

uma cavidade planar entre os eletrodos e a cerâmica, ou no próprio dielétrico. Algumas
delimitações que podem ser consideradas prejudiciais à integridade elétrica e integridade
mecânica do capacitor e são classificadas como defeitos, geralmente envolve o seguinte:
46
• Qualquer laminação na área ativa (envolvida pelo eletrodo), de extensão maior de 20%
do comprimento do eletrodo, ou excedendo 0,254 mm, quaisquer que seja o tamanho;
• Algumas separações em laminas maiores que 0,127mm, dentro da área envolvida pelo
eletrodo e associado com o deslocamento dos eletrodos adjacentes e a redução da
camada dielétrica por 50% maior da sua espessura;
• A separação em laminas que excede 50% da margem entre a terminação e os eletrodos

de polaridade oposta;
• Duas ou mais separações entre laminas excedem 0,010” que envolve as outra na área do
eletrodo ativo e as camadas adjacentes.
LaCCeF
2.3.4 Vácuo
O vácuo que pode ser considerado danoso para a integridade elétrica e física dos
capacitores e classificado como defeitos, que geralmente envolve os seguintes:
• Vácuo entre os eletrodos de polaridade oposta reduz a espessura do dielétrico acima de

50 %.
• Um vácuo ou bolha na terminação, não ligada à superfície dielétrica, que excede 30 % da

dimensão final do chip;
• Um vácuo ou bolha na terminação, contendo o dielétrico, que excede 0,508 mm.
47
2.3.5 Ruptura
Algumas rupturas podem ser consideradas danos a integridade elétrica e física do

capacitor sendo classificada como um defeito, geralmente envolve:
• Algumas rupturas conectando dois eletrodos quaisquer;
• Algumas rupturas conectando eletrodos para algumas superfícies superiores do chip, ou

para terminações;
• Rupturas conectando eletrodos a alguma superfície externa do chip.
LaCCeF
2.3.6 Não-uniformidades
Irregularidades na construção do capacitor do tipo chip não afetam necessariamente

a integridade mecânica e elétrica de um determinado dispositivo, porém pode influenciar
em aplicações que necessitem de dispositivos de alto desempenho. Seguem-se as principais
irregularidades estruturais encontradas nas configurações de capacitores, de acordo com o
EIA 469:
• Um lado ou extremidade com dimensão menor que 0,076 mm, compreendendo valores
superiores ou iguais a 90% das dimensões dos eletrodos e da superfície exterior do
dielétrico;
• Na cobertura da densidade da cerâmica, que é menor em densidades dielétricas entre

eletrodos adjacentes;
• Deposição de eletrodos espessos, excedendo 2,5 vezes o valor da espessura média do

dielétrico e comprimentos maiores que a metade do comprimento do dielétrico;
• Deposição de eletrodos espessos, compreendendo valores de 0,127 mm, os quais

reduzem em mais de 30 % a espessura das camadas adjacentes do dielétrico.
48
2.3.7 Defeitos na Preparação das Amostras
Uma variedade de imperfeições observadas na espécie secionada pode surgir

devido a métodos de preparação das amostras, e muitos são identificados, para impedir
interpretações incorretas dos resultados. Algumas observações e precauções podem ser
seguidas para segregar preparações positivas dos problemas em defeitos atuais. Primeiro,
ele é essencial em espécies observadas por uma montagem anterior na seção, para
determinar se alguns mecanismos óbvios de falhas que estão presentes. Usualmente isto é
acompanhado por inspeções das propriedades elétricas básicas. Muitas unidades podem ser
resumidas em uma não-contração (e conseqüentemente uma tensão-livre) da resina e são
moídos e polidos em grãos finos de abrasivo inferior em pressão controlada, para evitar
rachadura. Muitas seções são polidas para remover todo vestígio de irregularidade nas
partes utilizadas para reduzir as espécies, e são limpas completamente em observações
LaCCeF
anteriores. Este procedimento minimizará a ocorrências de máximas seções de defeitos
induzidos.
Os seguintes critérios são utilizados para características dos defeitos em métodos
secionados:
• Padrão linear de defeitos no vácuo, isto é, eles são induzidos por atração de grãos fora
do material durante a moagem da cerâmica, conseqüentemente maior polimento é
necessário. Nas formações do vácuo em uma linha paralela para a camada estrutural do
aparelho, como assim chamado “knit line” (união de linha), pode não estar dentro desta
categoria.
• Grande presença de vácuo, em uma não distorção visual do padrão do eletrodo ou

camadas: A precisão da estrutura ao redor deste vácuo é indicada como uma ausência da
origem da unidade não-secionada; em um processamento térmico que resultará em um
diferente colapso do eletrodo e/ou uma distorção da camada ao redor deste vácuo. Desta
maneira os defeitos são causados pela saída da força de tensão excessiva durante a
operação, particularmente na área entre as camadas do eletrodo, onde esta é a mínima
camada dielétrica na camada ligante.
49
• Unidades que exibem cobertura na ruptura da lâmina, e/ou separação da cobertura da

lâmina cerâmica de exibição do eletrodo, ainda não é evidente em exames usuais da
seção do plano anterior. Estes defeitos surgem devido ao suporte insuficiente no
condensador, e/ou métodos de opressão excessiva. Desta maneira a ruptura pode
também aparecer em paralelo com a terminação final, como as terminações para a
interface da cerâmica, onde são mecanicamente reduzidas. Medidas de capacitância, DF
(do termo em inglês dissipation factor, cuja tradução é - fator de dissipação) e
isolamento da resistência, podem ser usados como uma favorável força de atração para
confirmar a ausência desses defeitos em produtos não-secionados.
Um excessivo polimento circular na extremidade e na margem resulta em

profundidades no campo de distorção em observações, com favorável dificuldade e m
iluminações. “Defeitos” que aparecem inferiormente nestas condições podem n ão existir
LaCCeF
e demonstram ser indiferentes.
A avaliação visual e microscópica qualitativa dos capacitores chip é muito subjetiva
e surge uma dificuldade na correlação das opiniões entre os observadores, especialmente
onde se considera a menor categoria dos defeitos descritos acima. Em adição, diferentes
imagens podem ocorrer num produto de visão inferior diferindo a origem do brilho em um
microscópio. Luzes fluorescentes podem ser encontradas, estando superiores a
incandescência da luz exterior em detalhes de defeitos.
A aceitação ou rejeição dos capacitores em alguns recursos visuais ou defeitos na
microestrutura é usualmente especificado ou determinado por um chip, baseado na
aplicação do produto. Deve-se encontrar no modelo da corrente, elevada confiabilidade ou
altas voltagens [1].
50
[1] GALLIATH, A. P. Technical Brochure – A Practical Reference to MLC Properties and

Behavior, Novacap.
LaCCeF
51
3
Propriedades Dielétricas
3.1 Introdução
Dielétricos (não-condutores) com características magnéticas em materiais

cerâmicos são de crescente importância e são expandidos rapidamente com o campo no
estado sólido em eletrodos contínuos. Alguns destes campos possuem limitações
LaCCeF
disponíveis do material que são freqüentemente previstas pelas condições que retardam um
melhor progresso. Além disso, a confiança no componente é de grande importância para
muitas aplicações; a falta de um componente pode causar um decréscimo no custo total do
projétil, por exemplo. Ao mesmo tempo estes realizam um extensivo esforço para reduzir o
tamanho da comunicação total do aparelho. Todos estes fatores possuem indicações para
um aumento da atração em cerâmicas isoladoras e semicondutores.
A principal aplicação para cerâmicas dielétricas é como elementos capacitivos em
circuitos de eletrodos e como isolantes elétricos. Para essas aplicações, as propriedades da
maioria de interesse são as constantes dielétricas, perda do fator dielétrico e da intensidade
dielétrica. Novos aparelhos e novas aplicações aumentam continuamente com uma faixa de
freqüência e em uma faixa circundante de condições em temperaturas particularmente, pois
são de interesses práticos. Conseqüentemente, essas variáveis aproximam-se com uma
pequena extensão no ponto de vista das forças “requeridas” para tecnologias isoladas
presentes. A resistividade depende da freqüência de isolantes e semicondutores. Muitos
estão relacionados em aplicações em alta freqüência e com propriedades elétricas, que são
utilizados em dielétricos, sendo este aspecto de condutividade adaptado naturalmente.
Para aplicações em capacitores e em isolantes elétricos, são avaliados plásticos
orgânicos, onde eles são usualmente reduzidos e podem ser fabricados em dimensões
superiores em cerâmicas.
52
Uma das vantagens dos materiais cerâmicos são as propriedades elétricas

superiores, de acordo com as freqüências utilizadas, ausência deformação em pequenas
tensões em um intervalo de temperatura, aumentando a resistência circundante das
variações (particularmente com altas temperaturas em plásticos oxidados, gaseificados ou
decompostos) e por possuir uma habilidade de formar um “lacre” em metais e tornar-se
uma parte integral de um aparelho eletrônico. Eles demonstram ser notável em uma seção
particular freqüentemente dielétrica que depende de suas habilidades para ser formado com
uma lacre, operando em condição circundante incomum, onde eles são adequados a
características de expansão térmica, satisfatoriamente resistente a tensões térmicas,
resistentes a impactos e possuem habilidades para ser formado dentro de uma forma
complexa com características dimensionais e em outra característica que são
completamente independentes do comportamento elétrico, mas são essencialmente práticos
para o processo do aparelho.
LaCCeF
53
3.2 Comportamento Elétrico em Cerâmicas
São definidas agora algumas propriedades dielétricas interessantes para aplicações

de cerâmicas. Estas incluem a constante dielétrica, permeabilidade magnética, fator de
perda dielétrica, resistividade dielétrica e força dielétrica. Estes são essenciais para a
compreensão dos ceramistas, como engenheiros elétricos, em busca de descobrir seu
conjunto particular de propriedades e formulações benéficas. Este aspecto é discutido a
seguir, partindo das formulações matemáticas necessárias às atuais aplicações para o
modelo de circuito.
3.2.1 Capacitância
LaCCeF
Em geral, materiais dielétricos são abordados principalmente considerando-se a
atuação de capacitores em circuitos elétricos. Uma das principais características de um
capacitor é a carga elétrica armazenada (Q), a qual pode ser representada pela equação
abaixo:
Q = CV (3.1)
onde, V é a voltagem aplicada e C é a capacitância. A voltagem é diretamente proporcional

à soma das cargas armazenadas:
Q ∫ I dt
V= = (3.2a)
C C
e a corrente no capacitor é dada por:
dV
I =C (3.2b)
dt
54
A voltagem senoidal pode ser escrita como:
V = Vo exp iωt (3.3)
Como ocorre em um circuito de corrente alternada (c.a), uma corrente de

carregamento resulta em:
Ic = iωCV (3.4)
A corrente alternada é avançada por um ângulo de fase de 90ο em relação à

voltagem aplicada. Na equação (3.3) e (3.4), i = − 1 , e ω = 2πf, sendo f a freqüência em
ciclos por segundo (Hz).
A capacitância C pode ser descrita por um fator geométrico e um fator material.
LaCCeF
Para uma placa de capacitor de área A e densidade d, a capacitância geométrica no vácuo é
dado por:
A
Co = εo (3.5)
d
onde, εo é a permissividade do vácuo.

Se um material cerâmico de permissividade ε’ for introduzido entre as placas do
capacitor, tem-se:
ε'
C = Co = Co k ' (3.6)
εo
onde, k’ é a permissividade relativa ou constante dielétrica relativa. Esta é a propriedade

determinante do material, uma vez que define a capacitância de um elemento do circuito,
sendo de fundamental interesse para determinar suas aplicações tecnológicas.
55
3.2.2 Indutância
Paralelo a capacitância, nos elementos de um circuito, pode-se definir a indutância

L, a qual pode ser considerada como um dispositivo para armazenagem de corrente.A
capacidade de armazenar corrente de uma espira resulta do deslocamento das cargas na
espira, onde se observa a geração de um campo magnético paralelo ao eixo da espira. A
variação da corrente em uma indutância produz voltagens opostas, sendo representada
como:
dI
V =L (3.7)
dt
onde, a voltagem senoidal é aplicada por uma indutância e a magnetização da corrente é

retardada por um ângulo fase de 90ο em relação a voltagem resultante:
LaCCeF
V
Im = (3.8)
i ωL
Esta é uma diferença direta para capacitância, onde a carga da corrente avança em
um ângulo de 90o da voltagem aplicada. A indutância L, de forma semelhante à
capacitância, contém ambos um fator geométrico e um fator material. Este fator pode ser
escrito como:
µ'
L = Lo = Lok 'm (3.9)
µo
onde, Lo é a indutância geométrica de uma longa espira de N rotações, Lo = N 2 A / dµ o .
Combinando esta com a equação (3.9), obtemos para uma indutância em uma longa espira
com material real:
A
L = N2 µ' (3.10)
d
56
Nesta equação µ ' é a permissividade média, µo a permissividade no vácuo, e k’m a

permissividade relativa.
3.2.3 Unidades
Diversas unidades são utilizadas para designar propriedades às dielétricas e

magnéticas. Três grupos básicos de unidades são utilizados. No sistema de unidades
eletrostáticas (eletrostatic-units system – eus), a energia elétrica é relacionada à energia
térmica e mecânica referente à lei de Coulomb para forças exercidas entre as cargas
elétricas. A constante dielétrica é arbitrariamente obtida como um simples número. Em
unidades eletromagnéticas (emu) a permissividade é tomada como um número plano. Estas
formulações são indicadas para a soma incompatível e fracionária em expressões de
LaCCeF
equações dimensionais; este pode ser eliminado por ganhos de carga elétrica como uma
unidade de quarta dimensão. Este é feito em um sistema de racionalidade para unidades
práticas em metros (m), quilograma (kg), segundos (s), e Coulomb (C), que são usadas
como unidades primárias. Este é mencionado em mks ou sistema Georgi. Várias unidades
derivadas, desta maneira como Ampéres e Ohms são utilizados por conveniência. Neste
sistema a constante dielétrica no vácuo vem a ser εo = 36π-1 x 10 -9 = 8.854 x 10-12 F/m; a
permissividade no vácuo é µo= 4π x 10-7 = 1.257 x 10 –6 H/m.
3.2.4 Polarização
As reações dos materiais dielétricos sob um campo elétrico aplicado são diferentes
para a aplicação no vácuo, devido à presença de cargas portadoras que podem ser
deslocadas e cargas com deslocamento dielétrico que podem neutralizar uma parte do
campo aplicado, de forma que V = Q / C e C = k ' Co : Pode-se escrever para um capacitor
contendo um dielétrico:
Q / k'
V= (3.11)
Co
57
Esta é uma única fração da carga total, a carga livre Q/k, onde eleva-se o campo
elétrico e a voltagem exterior. O excesso de cargas é neutralizado pela polarização do
dielétrico. Na Figura 3.1 é representada esquematicamente a densidade do fluxo elétrico
total D como a soma do campo elétrico E e a carga de dipolo P, como:
D = εoE + P = ε ' E (3.12)
onde a polarização é numericamente igual à densidade superficial de carga no contorno. A

polarização é dada pelo momento dipolar por unidade de volume do material:
P = Nµ (3.13)
onde, N é o número de dipolos por unidade de volume e µ é o momento dipolar. O

momento dipolar correspondente para duas cargas elétricas de polaridade oposta ± Q
LaCCeF
separadas por uma distância d é dado como:
µ = Qd (3.14)
Deste modo a polarização pode designar, de forma equivalente, cada densidade de

salto de carga ou de momento dipolar por unidade de volume (Figura 3.2). A partir da
equação (3.12),
P = ε ' E − ε o E = ε o (k '−1) E (3.15)
Uma medida para a razão da polarização e o campo aplicado é a susceptibilidade

elétrica:
P
χ = k' 1 = (3.16)
εoE
A susceptibilidade é a razão da densidade de carga no contorno para a densidade de

carga livre.
58
-
- -
- -
+
Dipolo Carga Livre

- Carga Limite
Figura 3.1 – Representação esquemática da polarização por cadeia dipolar e salto de

cargas.
LaCCeF
O momento dipolar µ das partículas elementares é proporcional ao campo elétrico
local E’:
µ = αE ' (3.7)
O fator de proporcionalidade α, a polarizabilidade, é uma medida do excesso de

momento dipolar por unidade de força elétrica. As dimensões são em metros cúbicos no
sistema “mks” ou centímetros cúbicos no sistema esu. Uma expressão alternativa para a
polarização é
P = Nα E ' (3.18)
59
+ + +
+ + +
+
+ ++ ++
1
-
Eletrodos Metálicos -
-
-
- - - Unidade Cúbica do Dielétrico
Limite P
da carga por
unidade de P
P área 1
Figura 3.2 – Polarização P designada em ambas densidades das cargas e excedendo o
LaCCeF
momento dipolar por unidade de volume.
Para gases a baixas pressões, onde as interações entre as moléculas são

desprezíveis, a representação do campo local E’ é a soma do campo externo aplicado E.
Para sólidos, a polarização pode ser envolvida por um efeito na ação do campo local, em
uma molécula particular. Este campo local pode ser calculado (Figura 3.3) por meio
molécula particular envolvida por uma grande esfera imaginária em um dielétrico superior,
sendo tratado como contínuo. Se esta esfera é cortada saindo do sólido, os traços da
polarização exterior são inalterados. A ação do campo no centro da partícula na molécula
eleva-se para três fontes livres de cargas no eletrodo, E, livres no fim da série do dipolo na
posição da parede da cavidade, E1, e contribuindo assim para as moléculas dentro da esfera
bloquearem suas posições que pode ser considerada individual, E2. Deste modo pode-se
escrever:
E ' = E + E1 + E2 + E3 (3.19)
onde, E é por definição a intensidade do campo aplicado. A contribuição para a polarização

E1 é determinada por uma componente normal de um vetor de polarização superior à
superfície da cavidade esférica. Este é dado como:
60
P (k '−1) E
E1 = = (3.20)
3ε o 3
A contribuição do surgimento do campo para a interação individual da molécula

pode ser adotada para igual a zero se eles forem arranjados em completa desordem ou em
uma ordem simétrica. Tem-se a primeira suposição, produzida por Mosotti, onde obteve
para o campo local :
P E
E' = E + = (k '+2) (3.21)
3ε o 3
Por inserção este campo local de Mosotti na equação (3.16) e (3.18), obtemos uma
relação entre a polaridade por unidade de volume Nα e a constante dielétrica relativa k’,
LaCCeF
que é dada como:
Nα k '−1
= (3.22)
3ε o k '+2
onde, N é o número de moléculas por unidade de volume, N = N o ρ / M , onde M é o peso
molecular e ρ a densidade. Substituindo na equação (3.22), obtemos:
3ε o k '−1 M 3ε o
α= = Pm (3.23)
N o k '+2 ρ No
onde, Pm é a polarização molar, diretamente proporcional à polarização atômica. Esta

relação chip pode ser comparada com a equação (3.23) para a capacidade de fração molar.
Estas são várias possibilidades de mecanismos para polarização de materiais
dielétricos (Figura 3.4). Um processo comum para a maioria dos materiais é a polarização
eletrônica ou o deslocamento do centro de gravidade da nuvem eletrônica negativa em
relação ao núcleo atômico positivo em um campo elétrico.
61
+
+ + +
+ +
- -
-
- -
-
Figura 3.3 - Modelo para o cálculo do campo interno.
Um segundo mecanismo é o deslocamento dos íons positivos e negativos em
LaCCeF
relação a um outro qualquer, demonstrado pela polarização iônica ou atômica. Uma
terceira classe de polarização, incomum em cerâmicas, está associada à presença de
dipolos elétricos permanentes que existem para compensar a ausência de um campo
elétrico.
Uma distribuição de carga desigual entre as associações em uma molécula ou íon
complexo não é muito comum, onde um campo é aplicado e tende para um movimento de
alinhamento dos dipolos elétricos em direção ao campo, elevando a orientação da
polarização. Uma origem importante da polarização é a movimentação das cargas que
estão presentes devido ao impedimento por interfaces, por esta razão elas não são
fornecedoras em um eletrodo ou descarregadas, ou presas no material. O espaço de cargas
resultante neste fenômeno mostra um aumento na participação da capacitância distante do
circuito exterior. A polarização total do dielétrico pode ser representada como a soma:
α = αe + αi + αo + α s (3.24)
onde, αe, é a polarizabilidade eletrônica, αi, a polarizabilidade iônica, αo a polarizabilidade

de orientação e αs a polarizabilidade espaço de cargas polarizadas.
62
Polarização Eletrônica
+
+
E=0 E
Polarização Atômica
+ +
E=0 E
Orientação da Polarização
E=0
E
Polarização de Espaço de Cargas
+ + + + +
LaCCeF
+ + + + +
+ + + + +
+ + + +
E=0 E
Figura 3.4 – Representação esquemática dos diferentes mecanismos de polarização.
Uma classe especial de comportamentos que antecipa a força é o desenvolvimento

da polarização espontânea ou a elevação do revestimento espontâneo em dielétricos ou
dipolos magnéticos fora da aplicação de algum campo externo. Isto pode ocorrer em
polarizações resultantes de dipolos vizinhos exercem uma influencia. Este processo é
observado em ferromagnetismo e em ferroeletricidade. Em um capacitor ideal a carga
elétrica é adaptada instantaneamente para algumas mudanças de voltagens. Na prática, esta
é uma inércia para o movimento da carga, onde demonstra um elevado tempo de relaxação
para o transporte de cargas. Como observado em forças elásticas, seguidas de uma tensão
aplicada, tendo como justificativa, uma relaxação e uma não-relaxação de módulo elástico
que depende da constante dielétrica em intervalos de freqüência.
63
A polarização eletrônica é o único processo suficientemente rápido para um campo

na parte visível do espectro; como resultados do índice de refração, por exemplo, depende
de um único processo. A polarização iônica é um processo capaz de seguir uma aplicação
de alta freqüência do campo que contribui para uma elevação da constante dielétrica por
meio da freqüência no infravermelho na região do espectro. A orientação e polarização da
carga espacial possuem um tempo de relaxação que corresponde um sistema e processos
particulares, em geral, o único que está relacionado a baixas freqüências.
LaCCeF
Figura 3.5 – Dependência da freqüência em vários intervalos de polarizabilidade.
A geração de calor em um dielétrico linear é proporcional ao produto da voltagem e

corrente, que é zero para um dielétrico ideal, mas possuirá alguns valores apreciáveis em
alguns dielétricos com tempo de resposta finito.
Para a situação descrita na Figura 3.6, a variação da polarização com o tempo
semelhante à variação da carga com o tempo. Esta variação pode ser representada por
modelos físicos simples. Durante a carga, por exemplo, se a razão da mudança de
polarização com o tempo é proporcionalmente adotada para a diferença entre seus valores
finais e seus valores atuais, tem-se:
d (Pt − P∞ ) 1
= [(Ps − P∞ ) − (Pt − P∞ )] (3.25)
dt τ
64
Assim:
(
Pt − P∞ = (Ps − P∞ ) 1 − e − t / τ ) (3.26)
onde, Pt é a polarização no tempo t, P∞ é a polarização instantânea num campo aplicado,

Ps é o valor final da polarização, e τ é uma constante que possui dimensões de tempo. Esta
constante é chamada de tempo de relaxação e é uma medida do tempo de atraso do
sistema. A resposta da maior parte dos materiais dielétricos reais para um campo aplicado
não é representada por um só tempo de relaxação.
Voltagem Carga Corrente
Q I
V
LaCCeF
Tempo Tempo Tempo
(a)
V I
Q
Tempo Tempo Tempo
(b)
Figura 3.6 – Comportamento do movimento de formação de cargas e o fluxo da corrente

em (a) um dielétrico ideal e (b) um dielétrico real.
3.2.5 Fator de Perda
Para um campo alternado, o tempo necessário para a polarização mostra uma

elevação com uma fase de retardação da corrente carregada. Em vez de ser 90o avançado,
como indicado na equação (3.4), este é avançado por um ângulo 90-δ, onde o ângulo de
perda δ é comparado com o fator de perda devido à força mecânica. Representando o
campo elétrico e o deslocamento (densidade do fluxo) em notação complexa, tem-se:
65
E = E o e iω t (3.27)
D = Do ei (ωt −δ ) (3.28)
Usando a relação
D =κ *E (3.29)
Obtém-se:
κ* = κ se iδ
= κ s (cosδ i senδ ) (3.30)
LaCCeF
onde, κs = Do/Eo é a constante dielétrica estática. Em termos de uma constante dielétrica
complexa:
ε* 1
κ * = κ '−iκ " = = (ε '−iε ") (3.31)
εo εo
Para a equação (3.30):

κ ' = κ s cos δ (3.32)
κ " = κ s senδ (3.33)
onde, para a equação (3.32) e (3.33), a tangente de perda é dada por
tg δ = κ " / κ ' = ε " / ε ' (3.34)
66
Esta fase corresponde ao deslocamento a um tempo de atraso entre uma voltagem

aplicada e a corrente induzida, causada pela perda da corrente e a dissipação no circuito do
tipo ca que não requer uma migração da carga portadora. Para um capacitor simples com
uma voltagem senoidal aplicada, a corrente carregada é dado por Ic = iωε’E e a corrente de
perda por Ii = ωε”E = σE, onde σ é a condutividade elétrica. Estes componentes são
demonstrados na Figura 3.7, sendo representados:
Co
I = (iωε '+ωε ") V = iωCoκ *V (3.35)
εo
A perda da energia correspondente por ciclo é:
Vo2
W = 2πε ' tg δ por ciclo (3.36)
LaCCeF
2
A perda de energia por segundo é:
Vo2 Vo 2 Vo 2 Vo 2
P =σ = ωε ' = ωε ' tg δ = 2πfε ' tg δ (3.37)
2 2 2 2
onde, Vo é voltagem máxima.
Como indicado na equação (3.36) e (3.37), o fator que determina a perda da energia
do material em um dielétrico é o produto da constante dielétrica e o ângulo da tangente de
perda. Este é o fator de perda ou fator de perda relativo indicado na equação (3.34).
O fator de perda é o critério principal para a utilidade do dielétrico como um
material isolante. Para este propósito é importante devido a sua baixa constante dielétrica e
particularmente um ângulo de perda muito pequeno. Uma outra aplicação importante é
para a obtenção em alta capacitância em um pequeno espaço físico, onde a alta constante
dielétrica do material deve ser utilizada. Para esta aplicação é um importante por possuir
um baixo valor no fator de dissipação, tg δ.
67
Co
Ic iωCV = iωε '
εo
δ
θ
Co
I l = GC = ωε " V
εo
LaCCeF
I l = I c tg δ
Figura 3.7 – Corrente de carregamento e corrente de perda em um capacitor.
Como uma alternativa para esta expressão, a situação ilustrada na Figura 3.7 é
equivalente a uma capacitância paralela e a resistência do circuito que pode ser
representada em termos de permissividade dielétrica ε ' e da condutividade dielétrica σ.
Como para a inelásticidade mecânica, podemos representar de várias maneiras o fato da
inércia do movimento das cargas que causa um tempo de atraso da corrente, seguindo o
campo aplicado e resulta em uma dissipação de energia. Tem havido grande interesse com
o poder da geração com a constante dielétrica ε ' e o fator de perda dielétrico, ε ' tg δ.
Freqüentemente, para aplicações a altas freqüências, trabalha-se com a constante dielétrica
ε ' e a tangente de perda, tg δ. Muitos também com o inverso da tangente de perda, Q = 1/
tg δ, que é utilizado como uma figura de mérito. Tais parâmetros, convenientes para
engenheiros na utilização de determinado material e referindo a alguns diferentes
fenômenos como o desenvolvimento de materiais.
68
Como mostrada a Figura 3.5, em dielétricos utiliza-se um efeito do ponto crítico na

importância dos diferentes fenômenos de relaxação. A perda de energia mecânica, a
máxima perda dielétrica ocorre no período do processo de relaxação, que é equivalente ao
período do campo aplicado, onde o tempo de relaxação é longo comparado com o período
do campo aplicado, onde as perdas são pequenas. De maneira similar, onde o processo de
relaxação é rapidamente comparado com a freqüência do campo aplicado, as perdas são
pequenas. A variação relativa do fator de perda dielétrico, da constante dielétrica e da
condutividade dielétrica são ilustradas na Figura 3.8. Apesar da constante dielétrica
diminuir os valores de relaxação em baixas freqüências, para estes valores não relaxados
em altas freqüências, a condutividade elétrica é um exemplo de idéia, aumentando de zero
a baixas freqüências para valores não relaxados a altas freqüências.
Em termos de constante dielétrica ε∞, referente a polarização espontânea P∞ (a
constante dielétrica a altas freqüências maiores que 1/τ ), a constante dielétrica complexa
LaCCeF
pode ser expressa como:
εs − ε∞
ε* = ε + (3.38)
1 + iωτ
Dividindo em parte real e imaginária, como na equação (3.31),
εs ε ‡
ε ' = ε ‡+ (3.39 a)
1 + iω 2τ 2
ε"=
(ε s − ε ∞ )ωτ (3.39 b)
1 + ω 2τ 2
Tem-se:
ε " (ε s − ε ∞ )ωτ
tg δ = = (3.40)
ε ' ε s + ε ∞ ω 2τ 2
69
LaCCeF
Figura 3.8 – Espectro de relaxação da constante dielétrica, condutividade e fator de
perda para um processo de relaxação simples com um único tempo de
relaxação.
A equação (3.38) pode ser escrita em termos da equação de Debye. A variação de

ε ' e ε " em função da freqüência pode ser determinada através de curvas dos parâmetros
k ' e k " , como mostra a Figura 3.8. A curva de Debye para a dispersão dielétrica (ε’) e a
absorção ( ε " ) são quase simétricas, sendo ωτ = 1. O ponto máximo na curva de absorção e
o ponto central da curva de dispersão ocorrem em uma freqüência dada por ωmaxτ = 1 .A
equação de Debye baseia-se na hipótese de valores de polarização, os quais podem ser

representados por uma relação do tipo exponencial com um único tempo de relaxação.
Como conseqüência, alguns modelos podem predizer uma relação exponencial crescente
em relação à polarização através da aplicação de um campo elétrico alternado (c.a.) para a
dispersão dielétrica, sendo a forma da curva de absorção dada pelas equações (3.39) e
(3.40).
70
Para a maioria dos materiais, os dados experimentais não são bem descritos pela
equação de Debye. Antes, a dispersão da constante dielétrica ocorria num intervalo de
freqüência superior e a curva de absorção apresentava-se estendida como mostrado na
Figura 3.8. Em geral, tais diferenças para o mesmo tempo de relaxação associam-se ao fato
de que as fases condensadas em um meio com diferentes íons não são idênticas. Mesmo no
cristal, a magnitude da interação entre íons e a variação térmica não são idênticas para
todas as fases ou tempos de relaxação. Como conseqüência, o cristal parece ressonante
numa propagação do tempo de relaxação, distribuído durante a maior parte do tempo de
relaxação.
A variação no meio de diferentes íons relativos a vidros e cristais pode ser utilizada
para explicar a extensão do tempo de relaxação, usualmente necessário para descrever o
fenômeno de relaxação em materiais amorfos.
Em cristais uma distribuição do alcance finito pode ser esperada em líquidos, onde
o comportamento finito é similar ao modelo predito observado por um único tempo de
LaCCeF
relaxação.
Para a distribuição do tempo de relaxação, a equação (3.38) torna-se:
ε* = ε ‡ + (ε s - ε )0 G
‡(τ)dτ
‡ ç1 + iωτ (3.41)
onde, G (τ) é a distribuição do tempo de relaxação, sendo G (τ) dτ a fração da espécie sob
relaxação para um determinado intervalo de tempo do relaxação entre τ e τ + dτ. Uma
função com simetria do tipo gaussiana pode ser assumida pelo parâmetro G (τ), sendo
representada como:
b
G (τ )dτ =
2 2
e −b z dz (3.42)
π
onde, b e z (= ln(τ/τo)) são constantes, sendo τo a maior parte do tempo de relaxação.

Apesar das curvas de perda dielétrica, para muitos materiais, compreenderem um
grande intervalo de freqüência e serem preditas pelas equações de Debye, estas usualmente
não exibe a simetria esperada para uma distribuição do tipo gaussiana do tempo de
relaxação.
71
Em trabalhos encontrados na literatura, dados experimentais indicam que perdas

dielétricas exibem comportamento assimétrico a altas freqüências, com base nas perdas
máximas de superfície (a perda em freqüências de 100ωmax é maior que em uma freqüência
de ωmax/100).
3.2.6 Força Dielétrica
Uma importante propriedade dos materiais dielétricos é sua habilidade em resistir a

uma grande intensidade de campo elétrico, contanto que seja menor que o campo elétrico
de ruptura. Em baixas intensidades de campo aplicado, ocorre uma certa condutividade
c.c., a qual corresponde a mobilidade de um número limitado de portadores de carga
relacionados às imperfeições iônicas e eletrônicas. Quando a intensidade do campo
LaCCeF
aumenta, tal condutividade c.c. também aumenta, alcançando valores suficientemente
elevados. No início da aplicação do campo, os eletrodos podem disponibilizar elétrons
suficientes para uma ruptura da corrente, que produzo canais de ruptura, vacâncias
dentadas, ou metal dendrite que atravessa o dielétrico. Diversos processos podem
contribuir para tais fenômenos de ruptura dielétrica, sendo que diferentes medidas induzem
a uma considerável dispersão nos resultados.
Para um cristal simples testados em eletrodos, valores acima de 10000 V/mm
(aproximadamente 4x106 V/cm) são observados. Para cerâmicas policristalinas polifásicas
testadas através de técnicas usuais fora das precauções extensivas, valores tão baixos
quanto 100 V/mm podem ser observados em intervalos de temperatura e
consideravelmente baixos valores em altas temperaturas. Para muitas aplicações,
particularmente em intervalos de altas temperaturas, baixos valores de força dielétrica são
observados.
72
3.3 Constantes Dielétricas em Cristais e Materiais Vítreos
A constante dielétrica observada em cristais ou em amostras vítreas, as quais

contribui para as polarizabilidades de orientação elétrica, iônica e dipolar. As contribuições
apresentadas na Figura 3.5, constituem as principais contribuições em intervalos de
freqüências ópticas. Através da comparação com a equação de Lorentz, a equação (3.23) e
a equação de Clausius Mosotti, equação (3.23), tem-se que a intensidade da constante
dielétrica relativa é igual ao quadrado do índice de refração:
k 'e = n 2 (3.43)
Para um cristal do tipo silicato ou vítreo, n = 1,5, de modo que k’ seja igual a 2,25.
Em comparação, um típico valor de k’ a baixas freqüências compreende valores no
LaCCeF
intervalo de 5 a 10, indicando em aproximadamente um terço da polarizabilidade
correspondente a usuais processos dielétricos em estruturas de silicatos.
Para materiais que exibem altos índices de refração, a polarizabilidade eletrônica
aumenta. Um exemplo é o óxido de bário, para o qual k’e é equivalente a n2, assumindo
valores próximos a 4. Para materiais com altas constantes dielétricas, os quais contribuem
para proteção da parte eletrônica, os valores de constante dielétrica assumem valore
próximos a 34. Em contraste aos para cristais iônicos, estruturas covalentes não exibem
mecanismo para a polarizabilidade iônica. Este é ilustrado em germânio, por exemplo,
com k’e = n2 = 16.
3.3.1 Polarizabilidade Iônica
A polarizabilidade iônica ocorre devido ao deslocamento de íons com sinais

opostos para novas posições dentro da rede cristalina, sob a atuação de um campo,
induzindo a deformações na célula unitária.
Para íons que podem ser considerados como uma “esfera rígida”, o momento de
dipolo por molécula pode ser representado por ze (δ+ - δ-), sendo ze a carga iônica e δ+ e δ-
os deslocamentos a partir das posições de equilíbrio.
73
Para a estrutura do cloreto de sódio (NaCl), o volume por célula unitária é dado por
2a3, onde a é a dimensão da célula unitária. Isto pode ser demonstrado para a estrutura
cristalina do cloreto de sódio, para a qual um campo elétrico uniforme E induz a um
deslocamento iônico dado por:
zeE 1 1
δ '+ δ ' = (3.34)
vo 2 mCl m Na
onde, vo é a freqüência da vibração na região do infravermelho e, mCl e mNa são as massas

dos íons cloreto e sódio, respectivamente. Esta relação permite o cálculo do deslocamento
ionico, resultando em um momento de dipolo por molécula (equação 3.13). O resultado
obtido para o cloreto de sódio é uma constante dielétrica iônica, k’1 ≅ 3, qual é próxima
aos valores experimentais, k’1 = k’ – k’e = 5,62 –2,25 = 3,37. Tais parâmetros são
LaCCeF
calculados considerando-se um modelo de esferas rígidas para o cloreto de sódio. Estas são
três das maiores partes dos silicatos e aluminatos de interesse em cerâmicas para a
constante dielétrica no intervalo de 5 a 15.
Para íons altamente polarizáveis, esta é uma contribuição adicional para os valores
de constante dielétrica, resultando em uma deformação na parte eletrônica externa
seguindo o deslocamento iônico. Tal contribuição é dificilmente calculada, porém pode ser
qualitativamente determinada, sendo de crescente importância para íons que são
polarizados e para estruturas para as quais é possível considerar a deformação gerada pelo
deslocamento dos íons. Deste modo, encontra-se a relação entre a constante dielétrica à
baixa freqüência e a constante dielétrica óptica. A razão k’/k’e, é próxima a 2,5 para o
cloreto de sódio e aproximadamente 8,5 para o óxido de bário (BaO). A constante
dielétrica depende da temperatura para um grande número de cristais sólidos, além de
gases de interesse em cerâmicas, as quais são listados na Tabela 3.1.
74
Tabela 3.1- Valores de Constante Dielétrica para alguns materiais.
Constante Dielétrica em alguns Cristais e Gases em 25 ºC e 106 Hz

Material K’ k"
Tanδ =
k'
LiF 9,00 0,0002
MgO 9,65 0,003
KBr 4,90 0,0002
NaCl 5,90 0,0002
TiO2 ( eixo-c) 170,0 0,0016
TiO2 (⊥ eixo-c) 85,8 0,0002
Al2O3 (eixo-c) 10,55 0,0010
Al2O3 (⊥ eixo-c) 8,6 0,0010
BaO 34,0 0,001
KCl 4,75 0,0001
Diamante (C) 5,68 0,0002
Mulita (3Al2O3.2SiO2) 6,60 -
Mg2SiO4 (forsterita) 6,22 0,0003
Sílica vítria fundida (SiO2) 3,78 0,0001
Gás Vycor (96 SiO4 4 B2O3) 3,85 0,0008
LaCCeF
3.3.2 “Salto” na Polarização Iônica
Os efeitos da orientação da polarização são de grande relevância tanto em líquidos

como moléculas de água, quanto a moléculas sólidas e gasosas. Tal parâmetro ocorre em
materiais vítreos e em cristais, para os quais existem duas ou mais posições equivalentes
para os íons. Esta é uma grande possibilidade quando se considera cristais sólidos
associados a vacâncias e a valência dos íons. Por exemplo, a adição de pequenas
quantidades de cloreto de cálcio a um cristal de KCl induz um aumento na concentração de
vacâncias de cátions. Esta é uma tendência para os íons Ca2+ em cristais, sendo associados
a uma vacância de íon positivo e a pares de momentos de dipolo. Quando um campo
elétrico é aplicado, a vacância de Ca2+ pode permutar entre diferentes posições através de
um simples “salto” do cátion para uma posição adjacente. Tal processo é mostrado de
forma esquemática na Figura 3.9.
75
+ + + + + + + + +
+ + + +
+ + +
+ + + + +
Figura 3.9 – Reorientação de pares de vacância na rede cristalina. Outros pares de defeitos
em cristais fornecem resultados similares.
A polarizabilidade média por partícula para este processo é dada por:
1 ( zed )
2
αj = (3.45)
1 + iωτ kT
LaCCeF
onde, d é a distancia entre as duas posições atômicas, ze é a carga do íon, e τ é o tempo de
relaxação para o processo de condução (“salto”).
Considerando a equação para a constante dielétrica complexa, (k* = k’ – ik”), tem-
se
k * −1 N  n 
= α e + α i + α j  (3.46)
k * +2 3ε o  N 
onde, n é o número de pares de íons. N é o número de íons por unidade de volume, e εo é a

permissividade do vácuo igual a 8,85 x 10-12 F/m.
Um efeito similar pode ocorrer em gases onde existem posições múltiplas para um
mesmo íon dopante, o qual não pode contribuir para a condutividade c.c.. Tal idéia está
ilustrada na Figura 3.10, que mostra duas posições equivalentes que um íon dopante pode
ocupar. O deslocamento de cargas ocorre através de um intenso “salto” do átomo próximo
a posição de equilíbrio.
76
Figura 3.10 – Fonte de potencial em estrutura vítrea.
Estes efeitos observados em cristais não dependem da temperatura, porém podem

ser utilizados como ferramenta útil para a investigação do fenômeno de relaxação. Em
gases, tal processo gera um aumento moderado na constante dielétrica a baixa freqüência.
Para o sistema carbonato de sódio-óxido de cálcio-silicato vítreo, por exemplo, a constante
LaCCeF
dielétrica aumenta de 6,90 a 1 MHz para 8,30 a 100 MHz. Considerando a fusão do gás
sílica, a constante dielétrica de 3,78 é verificada independente da freqüência no intervalo
de 102 a 1010 Hz. O efeito é pronunciado em gases de silicato de sódio em que para uma
composição de 30Na2O-70SiO2 a constante dielétrica aumenta de 8,5 a 106 Hz para 18 a
102 Hz. Como pode ser esperado com base no tamanho do íon, para a razão da taxa de mol
constante, o efeito diminui na ordem Li+>Na+>K+>Rb+.
3.3.3 Efeitos da Freqüência e da Temperatura
Para os valores de polarização eletrônica e iônica, o efeito da freqüência é

desprezível em freqüências acima de 1010 Hz. De forma similar, o efeito da temperatura
sobre a polarização eletrônica e iônica é baixo. Em alta temperatura, há um aumento da
contribuição devido à mobilidade iônica e a mobilidade das imperfeições do cristal
(Figuras 3.9 e 3.10). Assim, em alta temperatura os efeitos da condutividade c.c.,
aumentam espontaneamente com a temperatura.
A associação entre os efeitos é dada por uma rápida elevação da constante dielétrica
em baixa freqüência com o aumento da temperatura, correspondente aos efeitos de
orientação do salto iônico e os efeitos da carga espacial, resultando em uma crescente
concentração dos portadores de carga.
77
Os efeitos dos portadores de carga geram um aumento na constante dielétrica em

cristais simples e vítreos, a qual depende de forma crítica do material usado como
eletrodos, efeitos de polarização nos eletrodos, e a carga espacial de resultante. Para as
reações de condutividade iônica no eletrodo é necessário que na superfície do eletrodo
obtenha uma fonte de dissipação de portadores de carga. Tal reação não pode possuir um
número elevado de portadores de carga vindo ou partindo de um eletrodo durante cada
parte do ciclo, pois resultará em um aumento da polarização e da constante dielétrica
aparente. Em geral, isto é verificado em soluções aquosas em que muitas das medidas da
constante dielétrica são portadoras em freqüência acima de 1000 Hz, para evitar esta
espécie de efeito de polarização do eletrodo.
A combinação dos efeitos de temperatura e freqüência são ilustrados para o óxido
de alumínio na Figura 3.11 e para o sistema carbonato de sódio-óxido de cálcio– silicato
vítreo na Figura 3.12.
LaCCeF
20
103 Hz
15
ε ' 10
k' = _
εo
106 Hz
5
0
0 100 20 300 400 500 600
Temperatura (º C)
Figura 3.11 – Efeito da freqüência e da temperatura sobre a constante dielétrica no cristal

de Al2O3 com o campo elétrico normal ao longo do eixo-c.
78
20
5 x 102 Hz
15
104 Hz
10
8 x 104 Hz
0
0 100 200 300 400
Temperatura ( C)
o
LaCCeF
Figura 3.12 – Efeitos da freqüência e da temperatura na constante dielétrica no sistema
carbonato de sódio – óxido de cálcio – silicato vítreo.
A altas temperaturas são plotadas am comparação com a freqüência, elas possuem

um aumentando da constante dielétrica aparente em baixa freqüência, devido ao eletrodo
de polarização. Como conseqüência, não depende apenas da propriedade do material, mas
também do eletrodo utilizado para as medidas e possíveis aplicações.
79
3.4 Perda Dielétrica em Cristais e Vidros
A potência dissipada em um isolante ou capacitor é diretamente proporcional ao

fator de perda dielétrica, ε’ tg δ. Assim, tal fator é o grande interesse para muitas
aplicações em materiais cerâmicos. Certamente, uma das vantagens em usar cerâmicas
como dielétricos é que tal fator de perda é pequeno em comparação com outros materiais
disponíveis, tais como os plásticos. As perdas de energia em dielétricos resultam de três
processos primários:
1. Perda devido ao deslocamento iônico.

a. Perda devido à condutividade c.c.
b. Perda devido à relaxação dipolar dos íons.
2. Vibração dos íons e perdas devido à deformação.
LaCCeF
3. Perda devido à polarização eletrônica.
As perdas devido à polarização eletrônica induzem uma elevação na absorção e

coloração do espectro visível. A vibração dos íons e as perdas devido à deformação
tornam-se importantes na região do infravermelho, não sendo de grande interesse para
valores de freqüência próximos e abaixo de 1010 Hz. Um dos fatores mais relevantes para o
uso de cerâmicas é a perda devido ao deslocamento iônico, a qual tende a aumentar em
baixa freqüência com o aumento de temperatura.
O fator de perda pode ser representado em termos da condutividade elétrica como:
ωε " = σ = ωε ' tg δ (3.47)
Sendo escrito de forma mais completa de acordo com a equação abaixo:
σ σ
tg δ = = (3.48)
2πfk' ε o (8,85 ×10 −14 )(2πf )k'
onde, a condutividade é dada em unidades de (Ω-cm)-1. Em geral, tais perdas devido ao

processo de condução são pequenas.
80
Para o sistema carbonato de sódio-óxido de cálcio–silicato vítreo tem-se que σ =

10-12 (Ω.cm)-1 e k’= 9 para uma freqüência de 1000 Hz. A tg δ pode ser calculada como 20
x 10-4, o que corresponde a um valor experimental abaixo de 250 x 10-4. Em geral, as
perdas por condução são pequenas em freqüência de 100 Hz, aumentando em um intervalo
de temperatura constante para o sistema carbonato sódio-óxido de cálcio– silicato vítreo,
porém são muito importantes em baixa freqüência e alta temperatura.
Como indicado na equação (3.48), o fator de perda aumenta em baixas freqüências,
sendo inversamente proporcional a freqüência. Em geral, a relaxação devido a saltos dos
íons entre dois sítios equivalentes é responsável pelo amplo fator de perda dielétrica em
cristais e vidros para freqüências moderadas. O tempo de relaxação para o “salto” de um
determinado átomo é dado por τ, sendo que a energia de perda máxima ocorre para uma
freqüência igual ao “salto” de freqüência, 1/τ. Uma vez que a freqüência do campo
alternado aplicado é muito pequena no “salto” de freqüência, o deslocamento atômico dos
LaCCeF
átomos na direção do campo e a perda de energia são pequenos. De forma similar, a
freqüência do campo aplicado é muito grande no salto da freqüência, os átomos não estão
em disposição para o salto em sua totalidade, e as perdas são pequenas. As expressões
resultantes a em ε’, ε”, e tg δ são dadas nas equações (3.38) e (3.40).
Para um “salto” iônico (Figura 3.10) o salto de freqüência correspondente depende
da barreira de energia que separa as duas posições do íon. A título de simplificação
assume-se que o tempo de relaxação é dado por:
U 
τ = τ o exp  (3.49)
 kT 
onde, τo é o período de vibração atômica, da ordem de 10-13 segundos.

Os valores da energia de ativação podem variar consideravelmente, porém é similar
para o processo de migração, sendo da ordem de 1,7 eV, fornecendo uma perda máxima
superior no intervalo correspondente ao espectro de 103 a 106, numa região de interesse
particular para muitas aplicações dielétricas.
81
A vibração do íon e a perda devido à deformação tornam-se importantes nos

intervalos de temperatura somente em freqüências correspondem ao infravermelho em 1012
para 1014 Hz. Além disso, esta extensão da freqüência é normalmente importante para em
aplicações eletrônicas. Este processo torna-se aparente para medidas em altas freqüências,
1010 Hz.
O valor total para tg δ é dado pela soma das contribuições individuais. Em
determinados intervalos de temperatura, os resultados da curva para materiais vítreos ou
cristalinos que estão relacionados às impurezas ou defeitos como ilustrado na Figura 3.13.
Em baixas freqüências a perda por condução torna-se relevante, sendo que em freqüências
moderadas o íon salta e as perdas dipolares tornam-se importantes. Em freqüências
intermediárias as perdas dielétricas são pequenas. Para altas freqüências o efeito da
polarização iônica gera uma absorção de energia.
Para um isolante, a condutividade aumenta exponencialmente com o aumento de
LaCCeF
temperatura. Como conseqüência, para este processo espera-se que a tg δ aumente
exponencialmente com a temperatura, como indicado na equação (3.48).
Total
tg δ Pico de relaxação do íon
Vibração e
deformação de íon
Condução
100 102 104 106 108 1010 1012 1014

Frequência (Hz)
Figura 3.13 – Efeito de diferentes mecanismos de perdas dielétricas sobre a tg δ em

intervalos de temperatura
Um parâmetro significante para o aumento da tg δ no sistema carbonato de sódio-

óxido de cálcio-silicato vítreo é indicado na Figura 3.14, sendo que tal parâmetro
corresponde à perda por condução.
82
A condutividade gera uma elevação na curva com um campo alternado (c.a.), o qual
está em fase com a voltagem e gera perdas dielétricas que são independentes de
mecanismos de absorção. Para uma compressão em um dielétrico vítreo, representado por
uma resistência R (equivalente a uma resistência do tipo c.c.) em paralelo com um
capacitor de capacitância C, a tg δ em um campo alternado é inversamente proporcional à
freqüência, a saber:
1
tg δ = (3.50)
ωRC
Em alguns intervalos de temperaturas, tal perda por condução é relativamente baixa

quando comparada com outras perdas, para uma freqüência menor que 50 e maior que 100
Hz.
Um exemplo é o carbonato de sódio-óxido de cálcio-sílicato vítreo, o qual possui
LaCCeF
resistividade próxima a 1012 Hz Ohm.cm e uma constante dielétrica de 9 para uma
freqüência de 103 Hz, sendo que a tg δ exibe valores abaixo de 2 x 10-5, o que é
considerado como um valor pequeno para a tg δ. Em contraste, para uma temperatura de
200 °C, onde a resistividade está abaixo de 2 x 107 Ohm.cm, a tg δ são unidades de perdas
por condução c.c. em unidades abaixo, quando comparada a extensão em perdas no
material. Em geral, as perdas por condução em vidros tornam-se importantes a
temperaturas elevadas, com o aumento da condutividade c.c. e em baixas freqüências.
83
10
Sílicato vítreo fundida
5 x 10 2
5 x 10 3 10
4
102 103 104
1.0 8x 104
tg δ 0.1
0.01
0.001 Carbonato de sódio -

Óxido de cálcio -
Sílicato vítreo
0.0001
0 100 200 300 400 500
Temperatura (oC)
LaCCeF
Figura 3.14 – Aumento da tg δ com o aumento da temperatura para o sistema carbonato
de sódio–óxido de cálcio–silicato vítreo e para silicatos vítreos fundidos.
Para o processo de “salto” iônico com uma única energia de ativação, tal energia de
pode ser derivada de uma determinação simultânea com dependência da tg δ em
temperaturas ou freqüências, utilizando as equações (3.40) e (3.49). Esta afirmação foi
concluída para perdas dielétricas por J. Van Keymeullen e W. D. Dekeyser, onde
determinaram valores da tg δ em intervalos freqüências em diferentes temperaturas. Tais
valores são máximos em diferentes freqüências correspondendo a valores de ωτ = 1, onde
a energia de ativação descrita pela equação 3.49 pode ser determinada pelo gráfico log
ωmax x 1/T. Os resultados são ilustrados na Figura 3.15. Estes autores descobriram para um
par de íons formado por uma substituição de um íon de alumínio por um cátion bivalente,
formação de vacâncias em um sítio de hidróxido normalmente ocupado. Experimentos
similares podem ser descritos em cloreto de sódio dopado com diversos íons bivalentes
(M2+).
84
(a) (b)
Figura 3.15 – (a) tg δ versus freqüência em diferentes temperaturas e (b) log ωmax
versus 1 / T .
LaCCeF
As perdas dielétricas em monocristais são pequenas e determinadas por impurezas
inferiores que não podem ser extensivamente ou satisfatoriamente investigadas, exceto
para casos especiais. Em contraste, as perdas dielétricas em materiais vítreos variam em
uma amplo intervalo, mostrando uma relação similar com a estrutura e composição vítrea.
A natureza das modificações dos cátions possui um efeito relevante na perda
dielétrica de vidros. Por exemplo, a magnitude da mobilidade dos íons alcalinos obedece a
ordem Li+ > Na+ > K+ > Rb+. Um exemplo é o vidro com composição 53,3 % de SiO2, 32
% de M2O, 10,2 % de PbO3 e 4,5 % de CaF2, com valores para a tg δ (em 1,5 x 106 Hz) de
0,0132 para o lítio, 0,0106 para o sódio e 0,0052 para o potássio. Em geral, a substituição
de íons bivalentes como o óxido de bário, admitem formulações alcalinas ressonantes com
baixa fusão dos vidros, possuindo baixos valores de tg δ. Vidros com 20 % a 30 % de BaO
ou de 30 % a 50 % de PbO possuem valores de tg δ abaixo de 0,0005.
Em adição, o uso de íons bivalentes apenas com modificadores, é efetivo em
pequenas quantidades, como série de íons; tais dopantes prevêem a mobilidade dos íons
alcalinos pela completa adição de sítios críticos, onde os íons alcalinos passam
normalmente.
85
A Figura 3.16 mostra a variação da tg δ para o silicato vítreo alcalino de óxido de

sódio que é substituído por óxido de magnésio. Pequenas adições de
oxido de sódio tem pouca influencia e aumentam o fator de perda, desde que a migração do
sódio (Na+) esteja bloqueada por íons magnésio (Mg2+).
LaCCeF
Figura 3.16 – Variação dos parâmetros tg δ e k’ em função da substituição de MgO e
Na2O no silicato vítreo.
Alguns valores típicos do fator de perda dielétrico observado em monocristais

vítreos são dados na Tabela 3.1. Como discutido tais valores são geralmente inversamente
proporcionais à condutividade. A tangente de perda (tg δ) dependente da freqüência para
alguns vidros característicos, como mostrado na Figura 3.17.
86
Carbonato de
0,1 sódio-sílica de
óxido de cálcio
tg δ 0,01 óxido de cálcio-

alumina-sílica
hidróxido de potássio-chumbo´silicato
0,001
sílica fundida
0,0001
101 102 103 104 105 106 107 108 109 1010 1011 1012
Frequência (Hz)
Figura 3.17 –Variação da tg δ em função da freqüência para alguns silicatos vítreos.
LaCCeFEstudos sobre perdas dielétricas podem ser importantes no número de saída em

vidros óxido do sistema. H.E. Taylor estudou um número de silicatos vítreos de sódio
como um típico sistema carbonato de sódio–óxido de cálcio–silicatos vítreos em um
intervalo de freqüência e temperatura superiores. Posteriores à perda por condução obtêm-
se curvas de dispersão e absorção (Figura 3.18), as quais são amplas, onde são preditas por
um modelo com um único tempo de relaxação (equações 3.39 e 3.40). Estes dados também
eram verificados em diferentes temperaturas, onde pode ser sobreposta ao longo do
deslocamento da curva no eixo da freqüência por resultados calculados conforme a energia
de ativação e temperatura. Estes resultados indicam os tempos de relaxação diferentes em
várias ordens de magnitude e são caracterizadas por várias energias de ativação. Tal
energia de ativação é similarmente próxima à condução tipo c.c. em alguns vidros, também
verificada em curvas de perda dielétrica para todos os vidros e podem ser observadas em
uma escala reduzida. A escala de freqüência baseia-se em ωmáx, a freqüência de perda
máxima, sendo a perda em escala de εs - ε∞. Uma curva é mostrada na Figura 3.19
indicando a distribuição de tempos de relaxação na maior parte dos vidros mencionados.
87
Os dados da Figura 3.19 são indicados em um intervalo de alta freqüência onde

compreende oito décadas de freqüência além do pico. Isso permite o equilíbrio para a
contribuição de outros mecanismos de perda em alta freqüência e indicam resultados
relacionados às perdas de relaxação iônica que envolve um intervalo de freqüência.
LaCCeF
Figura 3.18 – Dispersão dielétrica e curva de absorção, correspondendo à condutividade
em corrente contínua c.c., para em sistema composto tipicamente por
carbonato de sódio–oxido de cálcio–silicato vítreo.
Algumas das composições investigadas por Taylor dão subseqüência a

demonstração da pronunciada fase de separação, mas resultados semelhantes são obtidos
em uma variedade de outros gases, onde ambos são homogêneos e possui uma fase de
separação. Os efeitos da fase separação em perda dielétrica são investigados por R.J.
Charles em vidros no sistema de Li2O–SiO2. Para um gás contendo 6.7% de mols de Li2O,
caracterizado por uma sub-microestrutura distinta contendo uma segunda fase e são
verificados dois picos na perda dielétrica versos a relação da freqüência. Para outras
composições investigadas, algumas são caracterizadas pela interligação morfológica da
segunda fase e algumas pela homogeneidade, não possuem traços característicos de sub-
microestrutura, somente em um único pico de perda observado.
88
Figura 3.19 – Curva de perda dielétrica reduzida para alguns materiais vítreos. Vidro 1:
0,12 Na2O,88SiO2; vidro 4: 0,24Na2O.0,76SiO2; vidro 18:
0,10Na2O.0,20CaO.0,70SiO2; vidro 19: 0,18Na2O. 0,10CaO.0,72SiO2.
A parte descrita das derivadas do tempo de relaxação é obtida por mudanças
LaCCeF
empíricas na equação (3.38), de modo a obter uma constante dielétrica skewed
(destorcida):
ε s −ε ∞
ε* = ε∞ + (3.51)
(1 + iωτ )β
Onde, ε* é a permissividade complexa.

Para vidros silicatos-alcalinos observados, os valores de “β” compreende o
intervalo de 0,21 a 0,29. Cole e R.H Cole descreveram dados de relaxação dielétrica em
uma variedade de materiais, considerando um processo de relaxação envolvendo difusão
dos defeitos nas “espécies relaxantes”. Embora este modelo não possa ser aplicado
diretamente para processos de perda em vidros óxidos que envolvem o de deslocamento
local modificando os cátions, atuando de forma ressonante na relaxação de um dado íon
dependente de outros sítios vizinha com vacância e a probabilidade do íon relaxante
aumenta quando um sítio vizinho torna-se vago por difusão adicional ou processo de
relaxação, deste modo introduzindo uma forma apropriada no processo de relaxação. Em
alguns casos, deve ser enfatizado em distribuições observadas em tempos de relaxação que
não podem refletir, correspondendo à distribuição dos processos moleculares.
89
3.5 Condutividade Dielétrica
O fenômeno de perda dielétrica pode ser descrito conforme um modelo de

condutividade do tipo c.a em sólidos [1]. Tal modelo está de acordo com a equação (3.47),
a qual define a condutividade elétrica como (σ = ωε”). Como ilustrado na Figura 3.8, a
condutividade aumenta com a freqüência. Neste caso, um conjunto de expressões
matemáticas alternativas para o comportamento do material pode ser formulado para a
condutividade. Para aplicações cerâmicas, tal corrente carregada é particularmente
importante quando é determinada a condutividade de vidros em baixas temperaturas.
Aproxima-se do intervalo de temperatura de correntes de cargas irregulares, resultando em
um salto iônico ou em alguns saltos iônicos que não contribuem para a condutividade c.c.
do chumbo em tempos de relaxação. Como resultado, a medida da condutividade depende
da freqüência utilizada, medidas c.a. fornecem maiores valores que medidas c.c. Em altas
LaCCeF
temperaturas, a fração de íons que contribuem para a condutividade c.c. torna-se próxima à
igualdade para a fração contribuída para a condutividade c.a., se não existir uma camada
bloqueada nos eletrodos. Como resultado, em temperaturas acima de 250o, as medidas de
condutividade c.a. e de condutividade c.c. são comparáveis. Tal efeito para um sistema de
composição carbonato de sódio–oxido de cálcio–silicato vítreo é mostrado na Figura 3.20.
Figura 3.20 – Resistividade para um sistema de composição carbonato de sódio–óxido

de cálcio– silicato vítreo medida por diversos métodos.
90
3.6 Cerâmicas Policristalinas e Polifásicas
Para a compreensão do comportamento da maioria dos materiais cerâmicos,

policristalinos e polifásicos, faz necessário entender ou considerar um monocristal para
compreender os efeitos de contorno de grão, porosidade e fase da mistura. Isto requer
primeiro, considerações de propriedades dielétricas de misturas e segundo, considerações
da polarização espacial de cargas que pode resultar de misturas de componentes contendo
diferentes resistividades.
3.6.1 Misturas
As misturas de um dielétrico ideal podem ser considerada com base em camadas de

materiais, sendo qualquer camada em paralelo a um campo normal aplicado (Figura 3.21).
LaCCeF
Quando as camadas estão em paralelo às placas do capacitor, a estrutura corresponde a
elementos capacitivos em série e o inverso das capacitâncias são aditivos, como ocorre
para o inverso da condutividade (σ = ωk”). Dessa forma:
1 υ1 υ 2
= + (3.52a)
k ' k '1 k '2
1 υ1 υ 2
= + (3.52b)
k " k "1 k "2
onde, υ1 e υ2 são as frações de cada fase, correspondente a espessura relativa da placa . Em

contraste, quando os elementos da placa são arranjados de forma normal às placas do
capacitor, o campo aplicado é semelhante para cada elemento. Deste modo, a capacitância
pode ser representada pela soma:
k ' = υ1k '1 +υ 2 k '2 (3.53a)
k " = υ1k "1 +υ 2 k "2 (3.53b)
91
As equações (3.52a, 3.52b,3.53a e 3.53b) são casos especiais em uma relação

empírica. Assim:
k n = ∑ υ i kin (3.54)
i
onde, n (-1 na equações 3.52a e 3.52b e +1 nas equações 3.53a e 3.53b) e υi é a fração em
volume de fase i. Como n aproxima-se de zero, k” é igual a (1 + n log k), de modo que:
log k = ∑υ i log ki (3.55)

i
Onde são dados alguns valores intermediários entre os extremos ilustrado na equação
(3.52a e 3.52b) e (3.53a e3.53b).
LaCCeF
Eletrodos
Dielétrico
(a) (b)
Figura 3.21 – Configuração de camadas contendo dielétricos am capacitores.
Representando a constante dielétrica por k’m, Maxwell derivou a relação abaixo:
 2 k' 
υ m k 'm  + d  + υ d k 'd
k'=  3 3k 'm  (3.56)
 2 k' 
υ m  + d 
 3 3k 'm 
92
Como mostra a Figura 3.22, se tal relação chip for precisa para a expressão
logarítmica, equação (3.55), a fase dispersa possui uma constante dielétrica mais elevada
do que a matriz da material.
A. Buchner obteve alguns dados para o TiO2, a qual possui uma alta constante
dielétrica, com uma mistura de diversos materiais com matrizes obtendo um bom teste para
a relação ship. Como mostrado na Figura 3.23, a configuração geométrica de partículas de
TiO2, em uma matriz contínua é aparentemente controlada. Para estas misturas e o
equilíbrio da maior parte da variação entre a constante dielétrica é pequeno, sendo
demonstrando resultados similares no logaritmo da ralação ship na equação (3.56). Para a
mistura TiO2, aparentemente com um resultado da microestrutura e porosidade, as quais
não são descritas, as equações (3.52) na maior parte descreve os resultados experimentais
de forma adequada. Se os dados da microestrutura são avaliados, estes são preferíveis para
interpretar a constante dielétrica em termos das estruturas observadas, (equação 3.56).
LaCCeF
Figura 3.22 – Expressões para a constante dielétrica resultante em diversas misturas e
dois dielétricos.
Esta condição é inferior a regra da mistura logarítmica (equação 3.55), que é

simples e representa experimentalmente.
93
A porosidade é um exemplo de propriedade importante em que a fase de baixa

constante dielétrica é dispersa em uma matriz de alta constante dielétrica. A equação (3.53)
ou (3.56) é satisfatória para a pequena porosidade encontrada. Utilizando-se a equação
(3.53), podem-se encontrar resultados satisfatórios. Se a fase sólida e suas distribuições de
constante dielétrica característica são conhecidas, estas podem ser combinadas de maneira
adequada para corrigir a fração em volume de porosidade. Na Figura 3.24, a constante
dielétrica de um TiO2 policristalino decresce com o aumento da porosidade. Alguns
exemplos de decréscimo da porosidade com aumento do tempo de aquecimento é
observado, indicando a passagem da superfície do contorno de grão resultando em uma
tensão no contorno. A variação na microestrutura na amostra é ilustrada em intervalos de
valores verificados em algumas porosidades particulares.
LaCCeF
Figura 3.23 – Comparação entre dados experimentais e expressões teóricas para
constantes dielétricas de misturas com duas fases.
Dados experimentais são insuficientes, mas eles são probabilidades em TiO2 –

dados de argila na Figura 3.23, embora a equação (3.56) apresente certas frações de
porosidade. Uma fração do poro de 15 a 20% não inteiramente compreendido. Este é
exemplo de precisão para um simples descrição e a avaliação microestrututal para
interpretar as propriedades dos materiais cerâmicos.
94
LaCCeF
Figura 3.24 – Efeito da porosidade na constante dielétrica de TiO2 policristalino.
A maioria das composições cerâmicas consiste de fases cristalinas dispersas em

uma matriz vítrea ou separada por uma camada vítrea limitante. Como resultado, suas
propriedades são intermediárias entre monocristais vítreos. Em geral, as medidas de
constante dielétrica e do fator de perda aumentam com a temperatura, particularmente em
baixas freqüências. Dados típicos para uma composição de esteatita e para uma porcelana
são ilustrados nas Figuras 3.25 e 3.26. A parte vítrea é a principal contribuição para perda
dielétrica [2], e a composição da fase vítrea deve ser cuidadosamente controlada para a
obtenção de baixas perdas cerâmicas. Este é habitualmente feito para evitar o uso do
feldspato e outros fluxos alcalinos, substituindo misturas de argila, talco (silicato de
magnésio), e óxidos matérias alcalinos.
95
LaCCeF
Figura 3.25 – Constante dielétrica e tg δ para uma cerâmica esteatita em extensões
superiores de temperatura e freqüência.
3.6.2 Classes de Dielétricos
A maioria das cerâmicas podem ser classificada como (1) materiais isolantes, as
quais possuem uma constante dielétrica abaixo de 12, (2) capacitor dielétrico com
constante dielétrica acima de 12 e (3) cerâmicas ferroelétricas e ferromagnéticoas. Uma
parte do primeiro grupo consiste em isolantes de baixas e altas tensões elétricas compostas
principalmente por porcelanas de argila triaxiais e feldspato. Estes isolantes são baratos e
são facilmente manufaturados para aplicações de alta voltagem e absorção de água, sendo
de ordem zero para proteger a alta força dielétrica e também a alta força mecânica. Esta é
menos importante para aplicações de baixa tensão, embora verifica-se um aumento
vantajoso na qualidade. Um segundo grupo de materiais desta classe é a porcelana de alta
temperatura, utilizada como apoio para elementos de aquecimento elétrico; estes devem ser
livres de deformação de cargas mecânicas inferiores e possuírem uma alta resistividade
operando em altas temperaturas. Para estes, na fase vítrea devem ser protegida para um
mínimo, e na maior parte a perda dos produtos porosos são geralmente utilizados.
96
Uma importante aplicação é como descarga elétrica de plugues para alta

compressão de automóveis e instrumentos de aeronaves. Estes exibem alta resistência
térmica e elétrica e operam em temperaturas de aproximadamente 1000 oC.
Para aplicações com isolantes de alta freqüência, os produtos verificados são os de
dimensões estáveis, possuindo considerável força mecânica e baixo fator de perda. O fator
de perda em esteatita é utilizado na maior parte das aplicações, a qual é incomparável
devido a economia no processo de produção, como por exemplo tem-se a produção de
talco. Os produtos resultantes consistem de clinoestatita, ou de formas polimórficas, em
uma matriz vítrea. Para baixas perdas dielétricas, a cerâmica forsterita contendo Mg2SiO4 é
utilizada. O elevado coeficiente de expansão é prejudicial ao colapso térmico, porém é
vantajoso para a formação de proteção para o metal cerâmico, contanto que permita a
união entre alguns íons e a liga de níquel-ferro. Outras fases cristalinas utilizadas são o
zircão (ZrSiO4) e a cordierita (Al3(Mg,Fe)2Si5AlO18). Ambos os materiais possuem um
baixo coeficiente de expansão e conseqüentemente uma excepcional resistência ao choque
LaCCeF
térmico.
Figura 3.26 - Constante dielétrica e tg δ para uma porcelana alumina em função da

temperatura e da freqüência.
97
3.6.3 Polarização de Carga Espacial
Agregados policristalinos e polifásicos exibem polarização interfacial ou de carga

espacial, as quais deve-se a diferenças na das diversas fases presentes. Tal polarização
resulta de uma heterogeneidade, sendo relevante para as composições semelhantes a
semicondutores férricos, nos quais a condutividade é apreciável. O mesmo aplica-se para
materiais policristalinos e polifásicos a altas temperaturas. Tal característica associada a
uma alta constante dielétrica, gera um pico no fator de perda.
Para uma configuração com duas camadas, as quais apresentam diferentes
condutividades, como mostrado na Figura 3.21a, o movimento das cargas portadoras
ocorre de maneira fácil e direta em uma fase, porém é interrompido quando alcança uma
fase limite. Esta causa um desenvolvimento nas interfases, correspondendo a uma grande
polarização e constante dielétrica. Eletricamente o sistema assemelha-se a um circuito
LaCCeF
ligado em série como ilustrado na Figura 3.27a, mas as propriedades dielétricas
macroscópicas são correlativas em diferentes circuitos equivalentes, como ilustrado na
Figura 3.27b.
R1 C1
R2
C2
(a) (b)
Figura 3.27 - Circuito equivalente para (a) um capacitor de duas camadas e (b) para
observação macroscópica .
A formação geométrica e distribuição das fases é de grande importância, como

discutido por R.W. Sillars. As possibilidades de maior importância dos fenômenos ocorre
para os materiais semicondutores policristalinos em que o contorno de grão, possui uma
alta resistência elétrica.
98
Neste caso, a estrutura corresponde a uma diminuição das camadas do contorno de

grão do material. Se a capacitância individual dos elementos na Figura 3.27 é considerada,
a constante de tempo para o fluxo da corrente pode ser representada como τ 1 = C1 R1 e
τ 2 = C2 R2 . Estes podem ser correlacionados através de valores relativos de resistência e
capacitância, utilizando as constantes a e b, de forma que τ 2 = aRbC1 = abτ 1 . A
resistividade resultante e a constante dielétrica para o circuito combinado variam com a
freqüência (Figura 3.28); a condutividade é um exemplo de idéia da constante dielétrica.
Como mostra a Figura 3.28, a constante dielétrica a baixa freqüência ou
resistividade resultante da polarização interfacial pode ser de grande magnitude para
valores em altas freqüências.
LaCCeF
Figura 3.28 – Variação da polarização interfacial em valores relativos de contorno em
camada característicos.
Sendo ρ1 e ρ2 as resistividades e k’1 e k’2 as constantes dielétricas para as camadas

1 e 2, e x a razão entre as densidades de forma que x << 1 (correspondendo à fração do
material em uma camada limite), podem ser definidos as equações abaixo:
99
ρo − ρ∞
ρ = ρo + (3.57a)
1 + τ ρ2ω 2
ρ1 ρ 2 (k1' + x1k 2' )

2
ρ∞ = (3.57b)
ρ1k1'2 + x1 ρ 2 k 2'2
ρ o = x1 ρ1 + ρ 2 (3.57c)
(
 ρ1 ρ 2 ρ1k1'2 + x1 ρ 2 k 2'2 
τo = εo 
) 1/ 2
(3.57d)

 x1 ρ1 + ρ 2 
Considerando de forma análoga para a constante dielétrica, tem-se:
LaCCeF
ko' − k '
k ' = k∞' + (3.58a)
1 + τ k2'ω 2
k1' k 2'
k∞' = (3.58b)
k1' + x1k 2'
x1 ρ12 k1' + ρ 22 k 2'

ko' = (3.58c)
(x1 ρ1 + ρ 2 )2
ρ1 ρ 2 (k1' + x1k 2' )

τ k' = εo (3.58d)
x1 ρ1 + ρ 2
1/ 2
ρ 
τ k ' =  ∞  (3.58e)
 ρo 
Onde, para a equação (3,58e), tem-se (x << 1)
Para estruturas mais comuns, a resistividade da camada do contorno é grande

quanto comparada à resistividade do grão:
100
k’1 = k’2 → x1 << 1 → ρ1 >> ρ2
ρ∞ = ρ2 → ρ o = x1 ρ1 + ρ 2 (3.59a)
x1 ρ12 + ρ 22
k’1 = k’2 → ko' = k 2' (3.59b)
(x1 ρ1 + ρ 2 )2
ρ1 ρ 2
τ k ' = ε o k 2' (3.59c)
xρ1 + ρ 2
Para o Ni0,4Zn0,6Fe2O4, C. G. Koops verificou que a constante dielétrica e a

resistividade característica pode ser satisfatoriamente representada pela equação (3.59b),
sendo k’1 = k’2 = 17, ρ1 = 3,3 x 106 (Ω-m), ρ2 = 5,0 x 103 (Ω-m), e x = 0,45 x 10-2. Os
LaCCeF
resultados experimentais associados a equação (3.59) são ilustrados na Figura (3.29).
A constante de tempo para a polarização interfacial e a freqüência em que esta se
torna relevante, é proporcional ao produto da resistividade, como indicado nas equações
3.57d e 3.59c. Para muitos dielétricos em alguns intervalos de temperatura, este produto é
uma grande polarização interfacial que é desprezível mantendo-se equilíbrio em baixas
freqüências. Para semicondutores e semicondutores férricos tal resistividade gerada não é
grande e o efeito é importante em determinados intervalos de temperatura. Para outros
dielétricos, tal fator aumenta com a temperatura. Em alguns intervalos de tempos, a perda
por condução e a perda por salto iônico também aumentam. (este pode ser considerado
como uma polarização de espaço de carga local, resultante da mobilidade da barreira,
como ilustrado na Figura 3.10).
O resultado combinado é que, como a condutividade aumenta em altas
temperaturas, a constante dielétrica aparente também aumenta, a perda dielétrica aumenta
o equilíbrio rapidamente, e a efetividade do isolador diminuí. Para minimizar tal aumento,
é utilizada a baixa condutividade.
101
LaCCeF
Figura 3.29 – Constante dielétrica, resistividade e tg δ para Ni0,4Zn0,6Fe2O4.
102
3.7 Intensidade Dielétrica
O colapso dielétrico (ruptura) em materiais isolante inferiores ocorre em função do

campo aplicado sobre uma placa de duas diferentes formas. O primeiro é de origem
eletrônica sendo referido como uma intensidade dielétrica intrínseca. O segundo processo é
gerado por superaquecimento local, elevando a condução elétrica. A condutividade local
aumenta em um ponto onde ocorre uma estabilidade e permite um avanço na corrente,
fusão e “buracos”; este é chamado de colapso térmico. A tendência do térmico é aumentar
em alta temperatura e quando as voltagens são aplicadas em um longo tempo.
A associação da intensidade do colapso como uma propriedade do material é
complexa, devido às amplas variações. Esta é uma das dificuldades para evitar a não
homogeneidade durante os campos testados, sendo que o colapso tende a ser introduzido
em posições correspondentes a pontos nos eletrodo e por esta razão as medidas de
LaCCeF
equilíbrio do campo são moderadamente baixas. Os efeitos das extremidades também são
importantes, como no exemplo de densidade. Em geral, como exemplo de aumento na
densidade, as medidas de intensidade dielétrica aumentam. De forma similar, testes com
eletrodos esféricos inferiores ou semicondutores líquidos inferiores dão uma alta medida
da intensidade dielétrica. (a intensidade dielétrica é calculada em termos de volts por
centímetro ou volts por metros).
As medidas de intensidade do colapso intrínseco são determinadas em condições do
eletrodo designadas e com valores aproximados de 107 V/cm.
No colapso eletrônico, ocorre uma deficiência quando um gradiente de voltagem
atinge alguns valores correspondentes para o colapso elétrico intrínseco. Elétrons no
interior da estrutura são acelerados pelo campo em uma certa velocidade ocasionando
colisões, permitindo assim a liberação adicional de elétrons. Em baixas temperaturas a
força do colapso intrínseco de materiais cristalinos aumenta com a temperatura,
correspondendo a um aumento da vibração da rede cristalina e resultando em um aumento
da dispersão pela rede. O aumento da força do campo é necessário para acelerar os elétrons
em um ponto instituído em que eles se deslocam. Em contraste, a força dielétrica intrínseca
dos gases é independente da temperatura em baixas temperaturas, correspondendo a uma
rede cristalina aleatória, onde os elétrons de dispersam independentes da temperatura.
Estas características das estruturas vítreas são similares ao comportamento de
condutividade térmica (relacionado com uma dispersão de fônon).
103
Em baixas temperaturas para soluções sólidas de materiais cristalinos, a dispersão

dos elétrons aumenta e conseqüentemente, aumenta a intensidade dielétrica. Como a
temperatura aumenta, a intensidade do colapso intrínseco passa diretamente no máximo
dos intervalos de temperatura, assim a maior parte dos elétrons contidos no isolante são
avaliados em características de formulações semelhantes em variações. A força dielétrica
para colapsos eletrônicos em baixas temperaturas e a força do colapso intrínseco do elétron
para vidros e cristais, compreende valores da ordem de 107 V/m.
As formas de colapso térmico podem ser diferenciadas por colapsos intrínsecos em
que está associada à tensão elétrica durante alguns intervalos de tempo, para que ocorra um
aquecimento local em que a placa é presa em alta temperatura a fim de aumentar a
condutividade elétrica. A perda de energia elétrica aumenta o favorecimento do equilíbrio
da temperatura e aumenta a condutividade local. Este causa uma corrente canal;
instabilidade local e resulta em um colapso na passagem de altas correntes proveniente da
fusão e vaporização, proporcionando uma redução do isolamento.
LaCCeF
Os efeitos do tempo de duração temperatura no colapso dos vidros dependem das
características de condução, e conseqüentemente da composição. Em geral, a forma
intrínseca é usualmente verificada abaixo de -50 oC, considerando a ocorrência de um
colapso térmico em temperaturas acima de 150 oC. Em temperaturas intermediárias, o
colapso depende das características da voltagem aplicada, do tempo de aplicação da
voltagem, e das condições dos testes como mostrada na Figura 3.30. Resultados para
alguns vidros com diferentes quantidades de carbonato de sódio são listados na Tabela 3.2.
O comportamento intrínseco da rigidez dielétrica pode ser analisado em baixas
temperaturas e possui composições aproximadamente independentes, considerando a
temperatura em que o colapso térmico inicia-se, sendo fortemente dependente da
resistividade e do conteúdo alcalino dos vidros. Alguns autores verificaram que a
intensidade do colapso dielétrico em vidros diminui com a freqüência, e como rigidez
dielétrica de 1000 V/m é verificada a 60 Hz.
Para algumas das condições testadas, o esquema de eletrodos é importante para a
determinação da rigidez dielétrica, heterogeneidade em uma composição cerâmica, onde
pode ser considerada uma diminuição na rigidez dielétrica. O mais comum é a porosidade,
a qual tende a gerar variações no campo elétrico local e na orientação. Isto é ilustrado para
cerâmicas de dióxido de titânio na Figura 3.31. Uma amostra que exibe porosidade de
14% possui rigidez dielétrica de aproximadamente metade do valor para uma amostra com
porosidade de 5%.
104
Figura 3.30 – Efeito da temperatura e duração dos testes sobre a rigidez dielétrica em
vidros tipo “pyrex”.
De forma Similar, composições semivítreas do tipo porcelana, possuem rigidez
LaCCeF
dielétrica de um terço da densidade da porcelana vítrea. Além dos efeitos de porosidade, o
fator que afeta a rigidez dielétrica em cerâmicas é o colapso térmico gerado por perdas
dielétricas devido à condutividade. Tais fatores favorecem valores elevados de
condutividade ou de perda dielétrica, como já discutido. Em geral, cerâmicas de alta
densidade e baixas perdas, possuem forças de colapso dielétrico adequadas para as
aplicações dielétricas.
Tabela 3.2 - Relação entre colapso térmico e resistividade elétrica.
Número dos Rigidez Temperatura Quantidade de Resistividade a

200 °C (Ωcm)
vidros Dielétrica, Eb Crítica, Tc (oC) Na2O em
x106 (V/cm) vidros (%)
1 9 -150 12,8 2,0 x 108
2 11,2 -125 5,1 6,0 x 108
3 9,2 -60 3,5 1,25 x 109
4 9,9 150 0,9 2,5 x 1014
105
LaCCeF
Figura 3.31 – Rigidez dielétrica em dois dióxidos de titânio excitado para diferentes
densidades e testado em eletrodos .
106
3.8 Cerâmicas Ferroelétricas
A ferroeletricidade é definida como o alinhamento espontâneo de dipolos elétricos

por interações mútuas. Tal processo é semelhante ao alinhamento espontâneo dos dipolos
magnéticos observados no ferromagnetismo, sendo derivado com base nas similaridades
com este processo. A fonte da ferroeletricidade surge do fato de que a polarização aumenta
com o campo local (E’) . Para um material contendo aumento dos dipolos elétricos, a
polarização do campo de polarização do campo local aumenta e a polarização espontânea
pode ser encontrada em alguns pequenos intervalos de temperaturas, onde o efeito da
energia térmica é superado e torna-se aleatório. Neste intervalo todos os dipolos elétricos
são lineares paralelos a matriz.
A polarização espontânea pode ser definida com base na equação abaixo:
LaCCeF
P = (k '−1)ε o E = Nα E' (3.60)
Onde, k’ é a constante dielétrica relativa.

O campo elétrico local pode ser representado como segue:
P
E' = E + (3.61)
3ε o
Onde, E’ é o ampo local.
A polarização e a suscetibilidade elétrica podem ser definidas como:
Nα E
P= (3.62)
1 - Nα / 3ε o
P Nα /ε o
χ = k '−1 = = (3.63)
ε o E 1 - Nα /3ε o
Onde, N é o número de íons por unidade de volume e α a condutividade elétrica.

Se o termo no denominador das equações (3.62) e (3.63), Nα /3ε o , aproxima-se de
“1”, a polarização e a susceptibilidade tendem para valores “infinitos”.
107
A polarizabilidade para um dipolo relaciona-se com a temperatura de acordo com a

equação:
C
αo = (3.64)
kT
Onde, k é a constante de Boltsmany e C a capacitância.

Considerando um sistema em que a polarizabilidade eletrônica é maior que a porção
iônica, temperatura critica de transição é atingida quando:
Nα N  C 
=   = 1 (3.65)
3ε o 3ε o  kTc 
Tal temperatura crítica é estável se:
LaCCeF
NC Nα oT
Tc = = (3.66)
3ε o 3ε o
Abaixo desta temperatura (Tc) temperatura de Curie, a polarização espontânea em

algumas orientações estão associadas a dipolos totalmente elementares.
Combinando as equações (3.64) e (3.65) com a equação (3.66) obtém-se a
susceptibilidade dielétrica:
P 3Tc
χ = k '−1 = = (3.67)
ε o E T − Tc
Esta dependência linear da susceptibilidade com o inverso de T − Tc pode ser
compreendida de acordo com a lei Curie-Weiss, sendo Tc a temperatura de Curie. Embora

tais medidas sejam experimentais, elas são verificadas em temperaturas acima da
temperatura de Curie, em que a orientação dipolar está ao acaso, ocasionando uma ruptura
próxima à temperatura de Curie. Estas condições compreendem a aproximação do campo
(E2 para equação 3.19) que é zero na equação (3.21) e nos cálculos subseqüentes.
108
O valor da polarização espontânea na temperatura Curie gera altas constantes

dielétricas (Figura 3.32). Isto é similar curva de histerese observada em materiais
ferromagnéticos e em resultados de diferentes domínios em que os dipolos elétricos estão
completamente alinhados. O limite entre domínios ferroelétricos são domínios
cristalográficos divididos em ângulos de 90º ou 180º, como em cristais titanato de bário.
Os domínios em uma cerâmica policristalina de titanato de bário possuem diferentes
orientações, as quais podem ser observadas através de ataques químicos (como ácidos) .
LaCCeF
Figura 3.32 – Curva de histerese típica de materiais ferroelétricos.
Para baixas intensidades do campo elétrico, a polarização é inicialmente reversível e

aproximadamente linear em relação ao campo aplicado. A inclinação da curva fornece a
constante dielétrica inicial de k’i. Em campos elétricos de alta intensidade, a polarização
aumenta mais rapidamente, como resultado do desligamento dos domínios ferroelétricos,
que é a mudança da direção da polarização nos domínios de 90º ou 180º.
Em alta intensidade do campo a polarização aumenta, atingindo um valor de
saturação, para qual os domínios possuem a mesma orientação do campo elétrico. A
extrapolação da curva para E = 0 fornece o valor de Ps. Quando o campo elétrico é
reduzido, a polarização não se torna nula, porém possui um valor finito denominado
polarização remanescente, Pr. Os dos domínios orientados são impedidos de retornar ao
estado aleatório original. A intensidade do campo elétrico necessário para retornar a
polarização zero denomina-se campo coercivo Ec. Em baixas temperaturas, a curva de
histerese torna-se achatada e o campo coercivo aumenta, correspondendo a uma grande
energia necessária para a reorientação da parede do domínio.
109
Em altas temperaturas o campo coercivo diminui até a temperatura de Curie na

histerese remanescente, e nesta posição a constante dielétrica possui um único valor. As
curvas de histerese para o titanato de bário, a qual possui temperatura de Curie de
aproximadamente 125 ºC são ilustradas na Figura 3.33. Na Figura 3.34, a dependência da
susceptibilidade dielétrica em função da temperatura para o de titanato de bário e estrôncio
é ilustrada, correspondendo à lei de Currie-Weiss (equação 3.67).
P P P
Ec Ec Ec
E E E
-175 ºC -65 ºC 0 ºC
(a) (b) (c)
LaCCeF
P P P
Ec Ec Ec
E E E
30 ºC 90 ºC 120 ºC
(d) (e) (f)
Figura 3.33 – Histerese ferroelétrica para a cerâmica titanato de bário ferroelétrico em

diversas temperaturas.
O titanato de chumbo (PbTiO3) possui estrutura do tipo perovskita, assim como o

titanato de bário, sendo ferroelétrico. Outros ferroelétricos, incluem o sal de Rocha ( sódio
e potássio tetra-hidratado), dihidrogeno-fosfato de potássio (KH2PO4), dihidrogeno
arsenato de potássio (KH2AsO4), outras perovskitas (NaCdO3, KCbO3, NaTaO3, e KTaO3)
estrutura do tipo ilmenita (LiTaO3 e LiCdO3) e óxido de titânio, (WO3).
110
Figura 3.34 – Lei de Curie-Weiss para uma composição de titanato de bário e estrôncio.
A estrutura do titanato de bário (estrutura perovskita) é ilustrada na Figura 3.35.
LaCCeF
Cada íon bário é envolvido por aproximadamente doze íons de oxigênio, cada íon de titânio
é circundado por seis íons oxigênio em coordenação octaédrica. Os íons bário e oxigênio
formam uma estrutura cúbica de face centrada, com íons titânios encaixados nos
interstícios octaedros. A característica estrutural do titanato de bário e chumbo, em
contraste com diferentes perovskita, constituem em uma grande extensão de íons bário e
íons chumbo, aumentando a área da célula cúbica de face centrada do BaO3, assim a
estabilidade dos átomos de titânio são reduzidos nos interstícios octaedros. A hipótese
proposta da qualidade do titânio é em posições mínimas de energia para o íon titânio que
se encontra no centro e conseqüentemente elevam dipolo elétrico.
Em altas temperaturas a energia térmica, onde o íon titânio possui uma posição
simétrica, a posição do octaedro permite que o íon titânio desenvolva um grande momento
dipolar quando sob a ação de um campo elétrico aplicado. A partir do resfriamento em
baixa temperatura de Curie, ocorre uma variação na posição do íon titânio e na estrutura
octaédrica, mudando de uma simetria cúbica para uma simetria tetragonal, onde o íon
titânio se encontra na posição de centro livre, correspondendo a um dipolo elétrico
permanente. Estes dipolos são ordenados, gerando um domínio na estrutura, como visto
anteriormente. A transição do estado paraelétrico para o estado ferroelétrico pode ser
ilustrada em termos de variações cristalográficas e de constante dielétrica (Figura 3.36). A
análise do deslocamento relativo dos íons na fase tetragonal do titanato de bário como
determinado por raio-X são ilustradas na Figura 3.37.
111
A O B
Figura 3.35 – Posição dos íons em uma estrutura perovskita ideal.
LaCCeF
A elevada constante dielétrica do titanato de bário e outros materiais ferroelétricos
permite a obtenção de alta capacitância em capacitores de tamanhos pequenos. A variação
na polarização com o campo aplicado requer uma orientação de nos domínios, sendo que
como ilustrado na Figura 3.33, a medida da constante dielétrica depende do campo
aplicado. Para alta intensidade do campo, os domínios são totalmente orientados,
resultando em altos valores de constante dielétrica. Em alguns intervalos de tempo, há uma
forte de dependência da constante dielétrica com a temperatura e a variação das
características do circuito equilibra-se com o intervalo de temperatura moderado.
A dependência com a temperatura da constante dielétrica e de propriedades
relacionadas pode ser modificada em soluções sólidas. A substituição de Ba2+ por Pb2+,
Sr2+, Ca2+ e Cd2+ na estrutura perovskita, pode ser feita, mantendo a característica
ferroelétrica. De forma similar, o íon Ti4+ pode ser substituído por Sn4+, Hf4+, Zr4+, Ce4+ e
Th4+. As possibilidades de formar soluções sólidas em todas estas estruturas oferecem uma
enorme extensão de composições, constantes dielétricas, dependência da temperatura, e
outras características para o desenvolvimento.
112
Figura 3.36 – (a) Parâmetro de rede para a célula unitária do BaTiO3. (b) Dependência da
constante dielétrica em função da temperatura.
LaCCeF
O deslocamento dos domínios em ferroelétricos chumbo possui dificuldades na
produção de materiais uniformes e consistentes. A intensidade de energia introduzida no
completo resfriamento e diminuição da temperatura de Curie, onde há variações nas
orientações dos domínios em relação a outros, causam uma constante dielétrica conhecida
como envelhecidas, que depende do tempo.
A constante dielétrica em função do tempo, segue a relação; k ' = ko' − m log t , onde
k’ é a constante dielétrica no instante t, k’o é a constante dielétrica inicial, e m é uma

relação de década. A variação aumenta a constante dielétrica inicial. Detalhes sobre os
mecanismos de envelhecimento não são bem compreendidos, mas as variáveis como
composições e tratamento com aquecimento resulta em grandes variações nas medidas da
constante dielétrica. A facilidade do deslocamento de domínios depende da tensão imposta
por cristais vizinhos, bem como de extensão do próprio cristal. Em uma cerâmica
policristalina, a orientação dos domínios é afetada pela tensão individual dos grãos, pela
presença de impurezas e poros que impedem o movimento da parede de domínios, pela
tensão imposta por grãos adjacentes, pelo aspecto do contorno de grão e pela presença de
outras fases. Os detalhes da microestrutura, a pureza inicial dos materiais, método de
produção e o tratamento térmico constitui efeitos relevantes sobre as propriedades
resultantes. Estes não analisados em detalhes; como resultado, muitos produtos fabricados
por processo similares podem possuir grandes variações, como de 15% a 20% nas medidas
da constante dielétrica em aplicação de voltagens fixas.
113
º
0,03 A
º
0,06 A
Ti4+
O2- º
0,12 A
Ba2+
Figura 3.37 – Estrutura tetragonal para o BaTiO3, mostrando o íon Ti4+ deslocado da
posição de equilíbrio.
Para aparelhos eletrônicos, o fator de perda relativo, (k’1 tg δ) é intensificado por
LaCCeF
uma alta constante dielétrica. Como conseqüência, a presença de outras fases, como
vítreos, que contribuem para a perda, é indesejável. O titanato de bário e outras cerâmicas
ferroelétricas são produzidos por técnicas de sinterização no estado sólido.
O titanato de bário é extensivamente utilizado devido à sua característica
piezelétrica. O titanato de bário assemelha-se a outros cristais assimétricos, desenvolvendo
uma diferença de potencial em direções cristalográficas especificas. A aplicação de uma
voltagem elétrica gera uma deformação mecânica.
Esta origina-se da natureza anisotrópica e das características dielétricas (Figura
3.36b). Na prática, o titanato de bário policristalinos é produzido por resfriamento
completo a partir da temperatura de Curie na presença de um campo elétrico de intensidade
elevada que gera uma orientação permanente dos dipolos, em cerâmicas, combinados ao
acaso de diferentes maneiras. A eficiência dos piezelétricos é medida em termos do
coeficiente de acoplamento eletromecânico, a qual indica a eficiência da conversão entre
energia mecânica e elétrica.
A vantagem do uso de titanato de bário está no alto coeficiente de acoplamento
(aproximadamente 0,5 quando comparado com o valor de 0,1 para o quartzo), e na
estabilidade térmica e mecânica. Outros ferroelétricos que possuem alto coeficiente de
acoplamento, como o sal de rocha, exibem propriedades mecânicas e térmicas
relativamente pobres. O titanato de bário pode ser produzido de diversas formas e
subseqüentemente polarizado para obter eficiência ideal como elemento piezelétrico.
114
Transdutores de titanato de bário são amplamente utilizados para aplicações em

técnicas ultra-sônicas, além de ser utilizados em microfones, acelerômetros e dispositivos
sanares [3].
LaCCeF
115
[1] NOBRE, M. A. L.; LANFREDI, S. Ac conductivity and conduction mechanism of

NaNbO3 semiconductor antiferroelectric ceramic: A relaxational approach at high
temperature, Applied Physics Letters, v. 83, n. 15, p. 3102-3104, 2003.
[2] NOBRE, M. A. L.; LANFREDI, S. Dielectric loss and phase transition of sodium
potassium niobate ceramic investigated by impedance spectroscopy, Catalysis Today,
v. 78, p. 529-538, 2003.
[3] KINGERY, W.D.; BOWEN, H.K.; WHLMANN, D.R., John Wiley & Sons,
Introduction to Ceramic, 2 ed.,capitulo 18, pág. 913-972, (1975).
LaCCeF
116

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Leandra Oliveira Salmazo

1.1.1 Termistores ................................................................................. 3

1.1.1.1 Termistores com Coeficiente de Temperatura Negativo 5

1.1.1.2 Termistores com Coeficiente de Temperatura Positivo 9

1.1.2 Varistores de Óxidos Metálicos.................................................. 14

1.2 Capacitores e Dielétricos .............................................................. 17

1.2.2 Características de um Capacitor.................................................. 18

1.2.3 Capacitância ............................................................................... 20

1.2.3.1 Fatores que afetam a capacitância ......................................... 21

1.2.4 Comportamento Dielétrico...................................... ................... 23

1.2.4.1 Polarização Dielétrica ............................................................. 23

1.2.4.2 Efeitos da Freqüência Sobre a Polarização.............................. 25

1.2.5 Perda Dielétrica .......................................................................... 26

1.2.5.1 Efeitos da Freqüência sobre a Perda Dielétrica ...................... 29

1.2.6 Propriedades Dielétricas ............................................................ 30

1.2.6.2 Intensidade Dielétrica ............................................................. 34

LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais I

1.2.7 Acoplamento Eletro-Mecânico................................................... 37

1.2.7.1 Absorção Dielétrica ................................................................. 38

2 Dielétricos Lineares .......................................................................... 40

2.1 Introdução ................................................................................... 40

2.2 Classes de Dielétricos .................................................................. 41

2.2.1 Dielétricos de Classe I ................................................................ 41

2.2.2 Dielétricos de Classe II .............................................................. 43

2.3 Padrão Visual para Capacitores “Chip” .................................. 46

2.3.2 Padrão da Microestrutura interna ............................................... 46

2.3.3 Separação em lâminas ................................................................ 46

2.3.4 Vácuo ......................................................................................... 47

2.3.5 Ruptura ....................................................................................... 48

2.3.6 Não-Uniformidades .................................................................... 48

2.3.7 Defeitos de Preparação das Amostras ........................................ 49

Referências Bibliográficas ............................................................................ 51

3 Propriedades Dielétricas ................................................................... 52

3.2 Comportamento Elétrico em Cerâmicas ................................... 54

3.2.1 Capacitância ............................................................................... 54

3.2.2 Indutância ................................................................................... 56

3.2.3 Unidades ..................................................................................... 57

3.2.4 Polarização ................................................................................. 57

LaCCeF - Laboratório de Compósitos e Cerâmicas Funcionais II

3.2.5 Fator de Perda ............................................................................ 65

3.2.6 Força Dielétrica ......................................................................... 72

3.3 Constantes Dielétricas em Cristais e Materiais Vítreos..... ..... 73

3.3.1 Polarizabilidade Iônica ............................................................... 73

3.3.2 “Salto” da Polarização Iônica..................................................... 75

3.3.3 Efeitos da Freqüência e da Temperatura .................................... 77

3.4 Perda Dielétrica em Cristais e Vidros ....................................... 80

3.5 Condutividade Dielétrica ............................................................ 90

3.6 Cerâmicas Policristalinas e Polifásicas ..................................... 91

3.6.1 Misturas ..................................................................................... 91

3.6.2 Classes de Dielétricos ............................................................... 96

3.7 Intensidade Dielétrica ................................................................. 103

3.8 Cerâmicas Ferroelétricas ........................................................... 107

Referências Bibliográficas............................................................................. 116

4 Defeitos e Imperfeições em Sólidos ................................................... 117

4.1 Introdução ................................................................................... 117

4.2 Defeitos Pontuais ......................................................................... 118

4.2.1 Lacunas Auto-Intersticiais ......................................................... 118

4.3 Imperfeições Diversas ................................................................. 119

4.3.1 Discordâncias - Defeitos Lineares ............................................. 119

4.4 Superfícies Externas ................................................................... 123

4.5 Contornos de Grão ...................................................................... 124

4.6 Contorno de Macla ..................................................................... 127