Universidade Federal do Recôncavo da Bahia

Centro de Ciências Exatas e Tecnológicas

PROVA TEÓRICA - TRANSISTORES

Cruz das Almas - BA

2019
Universidade Federal do Recôncavo da Bahia
Centro de Ciências Exatas e Tecnológicas

PROVA TEÓRICA - TRANSISTORES

Atividade prática solicitada pelo docente André Luiz

Carvalho Ottoni, como requisito de avaliação parcial
da disciplina Eletrônica Analógica I do curso de En-
genharia da Computação. Discente: Ejziel Sampaio
Santos.

Cruz das Almas - BA

2019
Conteúdo
1 Transistores 2
1.1 Transistor TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Transistor JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.1 MOSFET de Depleção . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.3.2 MOSFET de Acumulação . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2 Levantamento bibliográfico acerca do uso de Transistores 6

1
1 Transistores
1.1 Transistor TBJ
O transistor bipolar de junção, conhecido com TBJ é formado por duas
junções, são elas: base-coletor e base-emissor, e a condução é efetuada
através de elétrons e lacunas. Em um transistor bipolar existem 3 regiões
semicondutoras, para o tipo npn as tais regiões são: região do emissor (tipo
n), região da base (tipo p) e região do coletor (tipo n).
O TBJ possui um terminal chamado de emissor (E), base(B) e coletor(C).
O transistor possui duas junções pn referentes a base-emissor e base-coletor, e
dependendo das condições de polarização das junções, o transistor apresenta
diferentes modos de operação. Quando opera na região ativa o transistor é
utilizado como amplificador (região linear) e nas regiões de corte e saturação
é utilizado como uma chave em circuitos lógicos digitais.

Figura 1: Estrutura de um transistor PNP.

Fonte: [2]

A figura 1 ilustra a concepção de um transistor PNP.

Figura 2: Estrutura de um transistor NPN.

Fonte: [2]

2
 Figura 3: Símbolos dos transistores bipolares NPN e PNP.
Fonte: [2]

A figura 2 ilustra a concepção de um transistor NPN.

A figura 3 ilustra a simbologia adotada por cada tipo de transistor.

1.2 Transistor JFET

Os transistores de efeito de campo são unipolares e possuem alta impe-
dância de entrada. Este tipo de transistor depende apenas de um tipo de
carga. Diferente dos transistores bipolares que são controlados por corrente,
nos transistores de efeito de campo a corrente é controlada a partir de uma
tensão ou campo elétrico.
O transistor de efeito de campo de junção ou JFET é um dispositivo
constituído de três terminais, e um deles controla a corrente que flui entre os
demais. A figura 4 mostra a estrutura e simbologia adotada por um JFET de
canal N.

Figura 4: Transistor de efeito de campo de junção (JFET).

Fonte: [4]

3
 O JFET é constituído de três canais, fonte (source), dreno (drain) e porta
(gate), estes canais são responsáveis respectivamente por entrada, saída e
controle de elétrons que passam pelo transistor.
O transistor pode ter canal N (condução por elétrons) ou canal P (condução
por lacunas), estes se diferenciam apenas nos sinais de tensão e corrente.

1.3 Transistor MOSFET

O transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor ou MOSFET
se assemelha bastante ao JFET, porém possui a sua porta isolada eletricamente
do canal, fazendo com que a corrente na porta seja extremamente baixa, para
qualquer valor de tensão. Este tipo de transistor é subdividido em dois modos
de operação, depleção ou acumulação.

1.3.1 MOSFET de Depleção

A figura 5 mostra o esquema de construção de um MOSFET de depleção
com canal n e seu símbolo. De modo geral o substrado é conectado a fonte,
porém em algumas aplicações o mesmo é utilizado para controle de corrente
no dreno.

Figura 5: MOSFET tipo depleção de canal n.

Fonte: [4]

1.3.2 MOSFET de Acumulação

A figura 6 mostra o esquema de construção de um MOSFET de acumulação
com canal n e seu símbolo. Este transistor é uma evolução do MOSFET de

4
depleção e é bastante utilizado na indústria eletrônica.

Figura 6: MOSFET tipo acumulação de canal n.

Fonte: [4]

5
2 Levantamento bibliográfico acerca do uso
de Transistores
O Trabalho realizado por [5] propõe a utilização de um conversor CC-
CA monofásico no aproveitamento de energia solar. São apresentadas no
projeto análises qualitativas e quantitativas acerca da utilização de um micro
inversor monofásico composto de três transistores MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor), que possibilitam um aumento de
tensão, bem como a conversão de energia CC-CA.

Figura 7: Topologia do micro inversor fotovoltaico com três transistores

MOSFET.
Fonte: [5]

Referências
[1] Luiz Caldas. Eletrônica básica, 2015.

[2] Nivaldo T. Schiefler Jr. EletrÔnica geral i diodos e transistores, 2015.

[3] Marcos Vinícius Santos. 2. materiais semicondutores em transistores.

MATERIAIS ELÉTRICOS: COMPÊNDIO DE TRABALHOS VOLUME
7, page 787.

[4] Marcelo Wendling. Transistores ii, 2009.

6
[5] YI CHEN WU. Estudo e implementação de micro inversor fotovoltaico
de três transistores mosfet, 2016.