Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Tipos de Transistores
o BIPOLARES (mais comum);
o IGBT (transistor bipolar de porta isolada);
o FET (transistor de efeito de campo);
o MOSFET (transistor de efeito de campo com metal óxido semicondutor);
o UJT (transistor de unijunção);
o PUT (transistor unijunção programável).
O UJT
O transistor unijunção (TUJ ou UJT – unijunction transistor) é um tipo de transistor que exemplifica
consideravelmente os circuitos osciladores, disparadores e temporizadores. O encapsulamento do UJT tem a
forma de um transistor comum, entretanto, suas características elétricas são completamente diferentes. Ele
é um gerador de pulsos estreitos de alta potência e de curta duração. Assim, pode ser usado tanto em
circuitos de chaveamento como em osciladores.
UJT B2
RB2
E
IDEAL 0.7 V
B1 E PN E
E = Emissor RB1
B2 = Base 2
B1 = Base 1
B1
B1
A resistência total entre B2 e B1 é denominada resistência entre bases (RBB). Assim, RBB = RB2+RB1.
A figura seguinte ilustra as tensões de polarização do UJT. Note que é um circuito de análise apenas didática,
onde resistores de polarização externos não são indicados.
B2
Onde:
RB2 E = Emissor
0.7 V
B2 = Base 2
E IDEAL
B1 = Base 1
VBB
VE = Tensão de emissor
VBB = Tensão entre bases
VE RB1
No circuito, a junção PN é representada pelo diodo
B1 ideal e a barreira de potencial de 0,7V.
Pelo circuito vemos que enquanto VE<07+VRB1 não haverá corrente de emissor, pois o diodo formado pela
junção estará reversamente polarizado.
Quando VE>07+VRB1 o diodo formado pela junção fica diretamente polarizado fazendo com que VRB1
(tensão sobre RB1) diminua. Com isso, a corrente que flui por RB2 aumenta e, como essa variação se dá de
forma abrupta, se diz que o UJT dispara. A tensão de emissor que provoca o disparo é denominada Tensão
de Pico de Disparo (VP).
Após ter disparado, o UJT só voltará a cortar novamente quando a tensão de emissor cair abaixo desse novo
valor de tensão VRB1+0,7V, situação onde o diodo formado pela junção volta a ficar reversamente
polarizado. Esse valor é denominado Tensão de Vale (VV).
Antes de ocorrer o disparo, vemos que RB2 e RB1 formam um simples divisor de tensão resistivo. Nesta
situação, a tensão sobre RB1 (VRB1) pode ser determinada por:
Assim, a tensão de pico de disparo (VP) pode ser determinada por: VP = .VBB + 0,7
Em circuitos com UJT costuma-se usar um resistor menor que 100Ω ligando B1 à terra. Por ser um valor
muito menor que RBB, a VBB considerada pode ser a tensão de alimentação, pois o erro será pequeno.
VE = Tensão de emissor
VP = Tensão de pico de disparo
VV = Tensão de vale
IE = Corrente de emissor
IP = Corrente de pico de disparo
IV = Corrente de vale
Por exemplo, pelo datasheet da lâmpada neon modelo NE2, vemos que a lâmpada acende a partir de 65VAC,
e sua corrente máxima é de 0,50mA (500A).
Na figura, a subida representa o período de carga do capacitor e a descida representa a descarga através da
lâmpada neon.
Nessas condições o capacitor começa a se carregar através de R, tendendo a tensão nele para +VCC com
constante de tempo = R.C.
Quando VC = VP = VE = 0,7V+ .VBB, o UJT dispara fazendo o capacitor se descarregar através do UJT e da
resistência R1, como mostra a figura a seguir:
A forma serrilhada da onda é causada pela carga relativamente lenta do capacitor e sua descarga
muito rápida.
A forma de onda de saída corresponde a um pico de tensão provocado pela descarga rápida de C
através de R1.
1
𝑇 = 𝑅. 𝐶. ln ( )
1−
Em aplicações menos críticas podemos simplificar a equação para: T = R.C.0,82
O UJT 2N2646 é o componente mais popular dessa categoria. Atualmente é pouco usado, tendo sido
substituído em projetos pelo transistor unijunção programável (PUT – programable unijunction transistor).
Mesmo assim é muito estudado por seu princípio de atuação simples e didático.
As bibliotecas do software de simulação Multisim® não têm o 2N2646, pegue o arquivo do componente com
o professor. As simulações a seguir foram feitas na versão 11 do Multisim®.
XSC1
Ext Trig
+
B
_ R1
A
_ _
15kΩ
+ +
Q1
V1
12 V
2N2646
C1 R2
470nF 33Ω
Configure o osciloscópio:
Base de tempo (timebase): Scale = 5ms/Div ou 2ms/Div
Canal A: scale = 2V/Div; Ypos.(Div) = - 2
Canal B: scale = 5V/Div; Ypos.(Div) = 0
Responda:
Qual a tensão de pico de disparo (Vp) desse circuito?
Qual a tensão de vale (Vv) desse circuito?
Qual a freqüência de oscilação desse circuito?
Qual a relação intrínseca de disparo () desse componente?
Altere a tensão de alimentação para 6V, execute a simulação novamente e verifique os novos valores para
Vp, Vv e a freqüência de oscilação.
Sabendo a relação intrínseca de disparo (), comprove através de cálculos matemáticos a tensão de pico de
disparo para essa nova condição (alimentação = 6V) desse circuito:
Para que esse circuito oscile em 1KHz, mantendo R1 = 15KΩ, qual deverá ser o valor do capacitor?
C1 = ____________;
Altere o valor do capacitor e execute novamente a simulação. Confira a frequência pelo osciloscópio.
No circuito abaixo foi incluído um potenciômetro (R3). Isso possibilita ajustar a frequência de oscilação entre
uma faixa de valores.
Dados: R2 = 33Ω, C1 = 4n7F, determine R1 e R3 para que o circuito oscile entre 100 Hz e 10 KHz. Uma
tolerância de 5% é aceitável (use os valores comerciais mais próximos possíveis ao calculado).
O circuito seguinte também representa um oscilador de relaxação com transistor unijunção. A diferença é
que este transistor é do tipo “programável” (PUT – Programable Unijunction Transistor).
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
R4 1kΩ
47kΩ R1
V1 2N6028
12 V Q1
C1
10nF
560Ω 2kΩ
R2 R3
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
R4
470kΩ
R2
5kΩ
Q1
BC558B
V1 R1
12 V Q2 5kΩ
BC548B
C1
100nF
R3
33Ω
= ________; F = ________;
Os transistores UJT e PUT, entre outras aplicações, são usados como dispositivos de disparo de TIRISTORES.
O nome TIRISTOR engloba uma família de dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado,
tendo em comum uma estrutura de quatro camadas semicondutoras numa seqüência PNPN, apresentando
um funcionamento biestável.
O tiristor de uso mais difundido é o SCR (Retificador Controlado de Silício), usualmente chamado
simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente a mesma
estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), TRIAC (tiristor triodo bidirecional), DIAC (tiristor diodo
bidirecional), GTO (tiristor comutável pela porta), MCT (Tiristor controlado por MOS), IGCT
(Tiristor controlado com gate isolado).
G
Para compreender sua atuação, vejamos um circuito exemplo. Construa no Multisim® a simulação do
circuito apresentado abaixo.
6V
0.5W
J2
J1 Key = B
Key = A A
Q1 J3
V1 R3 BC558B Key = C
6V 10kΩ
G Q2
BC548B
R2 C1
100kΩ 100nF
K
Com a chave J1 fechada, feche a chave J2. Verifique o estado da lâmpada (apagada ou acesa). Abra a chave
J2 e verifique novamente o estado da lâmpada. Identifique em qual situação (fechamento ou abertura) da
chave J2 a lâmpada muda de estado.
Ainda com a chave J1 fechada, feche a chave J3. Verifique o estado da lâmpada (apagada ou acesa). Abra a
chave J3 e verifique novamente o estado da lâmpada.
Acione a chave J2 fazendo a lâmpada acender. Abra a chave J1 e verifique novamente o estado da lâmpada.
J1:______________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
J2:______________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
J3:______________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
A desvantagem desta forma de desligar o SCR é que, ao acionar J3 várias vezes seguidas, a carga será
proporcionalmente acionada também. Construa no Multisim® a simulação do circuito apresentado a seguir.
R3
12kΩ
J1 X1
Key = A J2 12 V
Key = B
C1
R1
V1 5K6Ω 0.47µF
D1 J3
12 V Key = C
MCR22_2
R2
10kΩ
As chaves J1 e J2 têm atuação idêntica à do circuito anterior. Já a chave J3 atua com C1 e R3.
Execute a simulação. Acione as chaves como feito no circuito anterior e conclua sobre a atuação da chave J3.
Observe que um único acionamento em J3 já possibilita desligar o SCR e o acionamento múltiplo em J3
provocam transientes, mas não aciona a carga.
J3:______________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
O circuito seguinte é semelhante à simulação do SCR com transistor visto anteriormente, onde foi incluída
uma ponte retificadora para possibilitar o trabalho em AC.
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
J1
D1
Key = A A
1
3N246 R4 C3
10kΩ R1
1nF Q1 100Ω J2
2
BC558AP Key = B
R3
V1 10kΩ Q2
C2
4
12 Vrms G 470nF
1 Hz
0° R2 BC548BP
L1 C1
100kΩ
100nF K
12 V
0.5W
Neste diagrama, o resistor R1 e o capacitor C2 foram incluídos para evitar transientes de comutação da
chave J2 que poderiam afetar o funcionamento do circuito.
Construa o circuito no Multisim® e execute. Note que, para fins didáticos, a frequência do sinal AC foi
alterada para apenas 2Hz. Isto permite a análise dos efeitos de atuação sobre as chaves durante os
semiciclos.
Ajuste o osciloscópio para que seja possível comparar o sinal retificado com o sinal entregue à carga
(lâmpada).
Execute a simulação. Atue sobre a chave J1 durante o semiciclo. Verifique que ao final dos semiciclos, caso o
SCR tenha sido acionado, será desligado.
Acione a chave J1 no início do semiciclo e, antes que este termine, atue sobre a chave J2. Verifique que é
possível desligar o SCR antes que o semiciclo termine.
O circuito seguinte ilustra o SCR em AC cuja desativação pode ser feita por carga capacitiva (acionamento da
chave J2) ou simplesmente pela diminuição da corrente mínima de manutenção (final do semiciclo).
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
J1 D1
Key = A MCR22_2 J2
D2 Key = B
1
R1
5K6Ω
2
V1
3N246 R3
4
12 Vrms R2
2 Hz X1 470Ω
100kΩ
0°
C1
12 V
47µF
Construa este circuito no Multisim®. Ajuste o osciloscópio para a melhor visualização possível das formas de
ondas. Execute a simulação e verifique as possibilidades de acionamento e desligamento da carga analisando
as formas de ondas no osciloscópio.
O SCR é um dispositivo de quatro camadas (três junções). A junção do meio do componente tende a ficar
reversamente polarizada. Porém, um aumento súbito de temperatura pode provocar um grande aumento
de recombinação dos pares elétron-lacuna no semicondutor, provocando maior corrente de fuga, o que
pode provocar o disparo do SCR mesmo sem um pulso no gate.
Um aumento brusco na diferença de potencial entre anodo e catodo também pode aumentar a corrente de
fuga o suficiente para dispará-lo. Para evitar o disparo falso de um SCR, a taxa de variação de tensão não
deve exceder a taxa crítica de elevação fornecida pelo data sheet. Por exemplo, um 2N4441 tem uma taxa
crítica de elevação de tensão de 50 V/s. Para evitar um acionamento falso, a tensão do anodo não deve
aumentar mais rapidamente do que 50 V/s.
Essa taxa crítica de elevação depende do modelo do SCR. Em outro exemplo, o C701 tem uma taxa crítica de
elevação de tensão de 200 V/s.
Em condições normais de operação, há uma corrente mínima de disparo a ser aplicada ao gate.
Uma vez em condução, entre anodo e catodo deve haver uma corrente mínima de manutenção para manter
o SCR em condução. Abaixo desse valor mínimo, o SCR abre. Isso pode ocorrer através da interrupção da
circulação de corrente pelo circuito (chave J1 no circuito anterior), através de um curto circuito entre anodo
e catodo (o capacitor C1 e a chave J3 no circuito anterior provocam um curto circuito momentâneo,
enquanto o capacitor adquire carga) ou naturalmente ao final de cada semiciclo da corrente alternada (na
passagem por “zero” da CA).
Os SCRs são dispositivos industriais que podem trabalhar com correntes grandes variando numa faixa de
menos de 1 até mais de 2500 A, dependendo do modelo fabricado. Pelo fato de serem dispositivos de alta
corrente, os SCRs têm um diparo relativamente alto e grandes correntes de manutenção. Por exemplo, o
2N4441 pode conduzir até 8A continuamente. Sua corrente de disparo é de 10 mA, e esta também é a sua
corrente mínima de manutenção. Isto significa que você precisa alimentar o gate com pelo menos 10 mA
para controlar até 8 A de corrente no anodo. Outro exemplo é o C701, um SCR que conduz até 1250 A, com
corrente de disparo de 500 mA e corrente de manutenção de 500 mA.
O circuito seguinte permite analisar a comutação do SCR com corrente mínima de disparo.
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
R4
10kΩ
R3
D2 D1
100kΩ BT148_400R
V1 55%
Key=A
1N4007GP
12 Vrms
60 Hz
0°
R2 R1
100kΩ 100Ω
Monte o circuito acima no Multisim® e verifique seu funcionamento. Ajuste o osciloscópio para a melhor
visualização possível para comparar as formas de onda. Faça variar o potenciômetro e verifique as
modificações na forma de onda na saída.
Note que não há ponte retificadora, o SCR é ligado direto em AC. O diodo D2 garante que só haja pulso no
gate nos semiciclos positivos, o que evita que o SCR queime.
Para acionamento nos dois semiciclos, é necessário o uso de uma ponte retificadora, como indicado a seguir:
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
R4
10kΩ
R3
D3 D1
100kΩ BT148_400R
3N246 50%
Key=A
1
2
V1
4
12 Vrms
60 Hz R2 R1
0° 100kΩ 100Ω
Monte o circuito acima no Multisim®, execute a simulação e verifique sua atuação. Compare com a
simulação anterior. Note que o máximo atraso no disparo conseguido é de 90°.
Um par de SCRs pode ser ligado em antiparalelo para acionar cargas diretamente em CA. Para compreender
como é possível, construa no Multisim® a simulação sugerida a seguir.
XSC1
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
R3
220Ω
J1
V1 BT145_500R
BT145_500R
Key = A D4 R2
220 Vrms D1 D2 J2
R1 D3
60 Hz 2K2Ω
1N4007
0° 2K2Ω 1N4007
Key = B
No circuito, os diodos garantem que os gates dos SCRs só recebam a polarização de disparo adequada. R3
representa a carga a ser alimentada pelo circuito. Execute o circuito e verifique a atuação das chaves J1 e J2.
Note mesmo no ciclo completo (ambas as chaves fechadas), na passagem por zero a forma de onda
entregue à carga apresenta uma distorção de crossover (cruzamento – passagem por zero).
Em circuitos sensíveis a ruídos de comutação, tal distorção deve ser prevista e tratada.
Não há razão prática para acionamento em um semiciclo por vez, como no circuito visto. Assim, um circuito
mais próximo de aplicações cotidianas possui uma única chave acionando os Gates, como indicado a seguir.
XSC1
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
R3
220Ω
R1
2K2Ω
V1
220 Vrms J1 D1 D2
60 Hz BT145_500R BT145_500R
0° Key = A
R2
2K2Ω
Construa o circuito acima e verifique sua atuação. Note que, como os Gates estão unidos e o disparo de cada
SCR se dá pela corrente em função do respectivo catodo, torna-se necessária a inclusão do divisor formado
por R1 e R2. Este circuito tem caráter apenas didático, não apresentando bons resultados no mundo real.
Um TRIAC, ou TRIode for Alternating Current é um componente eletrônico equivalente aproximado a dois
retificadores controlados de silício (SCR) ligados em antiparalelo e com o terminal de disparo gate em
comum. Este tipo de ligação resulta em uma chave eletrônica bidirecional que pode conduzir a corrente
elétrica nos dois sentidos.
Um TRIAC pode ser disparado tanto por uma polarização positiva quanto negativa aplicada no eletrodo de
disparo (gate). Uma vez disparado, o dispositivo continua a conduzir até que a corrente elétrica caia abaixo
do valor mínimo de manutenção, como o valor final do semiciclo de uma corrente alternada. Isto torna o
TRIAC um dispositivo de controle conveniente para circuitos de corrente alternada.
O TRIAC de baixa potência é utilizado em várias aplicações como controles de potência para lâmpadas
(dimmers), controles de velocidade para ventiladores entre outros. Contudo, quando usado com cargas
indutivas, como em motores elétricos, é necessário que se assegure que o TRIAC seja desligado
corretamente no final de cada semiciclo de alimentação elétrica.
Tal como ocorre nos SRRs, agindo sobre a corrente mínima de disparo, podemos atrasar o disparo do TRIAC.
Com isso, podemos controlar a porcentagem do ciclo que estará alimentando a carga (também chamado de
controle de fase).
Tal controle é interessante quando se deseja controlar a potência entregue ao circuito alimentado. Com isso
é possível controlar o brilho de uma lâmpada incandescente ou a rotação de um motor AC assíncrono.
Monte o próximo circuito no Multisim®. Ajuste o osciloscópio para a melhor visualização e análise das
formas de onda. Execute a simulação e verifique a atuação do circuito fazendo variar o potenciômetro.
Note que por se tratar de um controle de acionamento puramente resistivo, o máximo ângulo de disparo
possível é de 90°.
XSC1
Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _
R1
120Ω
R3
10MΩ
V1
120 Vrms
60 Hz R2
D1
0° 470kΩ BT138
80%
Key=A
Para conseguir ângulos de disparo maiores que 90°, podemos usar uma constante de tempo RC. Veja o
circuito a seguir.
XSC1
Ext T rig
+
_
A B
+ _ + _
R1
200Ω
R4
1kΩ
R2
V1
12 Vrms 100kΩ
50%
60 Hz Key=A
D1
0° BT138
C1
330nF
Construa o circuito sugerido acima no Multisim® e execute a simulação. Faça variar o potenciômetro e
verifique sua influência na forma de onda sobre a carga (R1).
Quanto à polarização, tomando as polaridades do terminal MT2 e do gate como referências, podemos
resumir o disparo do TRIAC podendo ocorrer em quadrantes.
Os quadrantes são:
I – o terminal gate (G) recebe polarização positiva em quanto o terminal MT2 está positivo;
II – o terminal gate (G) recebe polarização negativa em quanto o terminal MT2 está positivo;
III – o terminal gate (G) recebe polarização negativa em quanto o terminal MT2 está negativo;
IV – o terminal gate (G) recebe polarização positiva em quanto o terminal MT2 está negativo;
Ocorre que a sensibilidade ao disparo varia de quadrante para quadrante em função das diferenças nos
ganhos de amplificação interna do dispositivo para cada polarização. Os quadrantes nos quais o TRIAC é mais
sensível são aqueles em que o terminal MT2 e G apresentam a mesma polaridade.
Resumindo: na prática, o TRIAC não dispara simetricamente nos dois semiciclos. Por causa disso, é comum o
uso de um circuito auxiliar de disparo ou um DIAC para acionamento do gate do TRIAC.
Um DIAC é um comutador de onda completa ou bidirecional (dispara nos dois sentidos da corrente). DIAC
significa (diode AC switch – diodo comutador AC). O DIAC é composto por três camadas (PNP). Sua
construção assemelha-se a de um transístor bipolar, porém difere na dopagem do cristal N.
O DIAC é um diodo de avalanche bidirecional, composto por três camadas e possui dois eletrodos. A figura
mostra o diagrama da estrutura e a característica tensão-corrente.
Quando se aplica através do DIAC uma tensão positiva ou negativa que se faz aumentar progressivamente,
verifica-se a existência de uma pequena corrente de fuga. Esta corrente mantém-se em baixo valor até se
atingir a tensão de ruptura. Quando esta tensão é atingida inicia-se a avalanche e para além deste ponto o
componente apresenta uma característica de resistência negativa, isto é, a corrente através do DIAC
aumenta substancialmente com a redução da tensão aplicada.
XSC1
XWM1
Ext T rig
+
_ V I
A B
+ _ + _
R5 R1
3.3kΩ
240Ω R6
220Ω
R2
270kΩ
55%
Key=A
D2 D1
BT138
V1 C3
100nF
120 Vrms C1 1N5759 R3
60 Hz 330nF 470kΩ
0°
Neste circuito o disparo é controlado pelo DIAC (D2). Construa o circuito no Multisim®. Ajuste o osciloscópio
para visualizar a forma de onda na carga e execute a simulação.
Faça variar o potenciômetro, verifique as formas de onda na carga e a potência em cada situação. A carga é
representada pelo resistor R5, de 240Ω. Essa carga, ligada diretamente em 120V consumiria uma potência
de 60W.
Ajuste o potenciômetro para entrega de maior potência possível à carga. Qual o valor obtido e como você
explica a diferença para o calculado (teórico)?
R._______________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
RL
R1
POT R3
5%
R2
C3
BT138
C1 C2
Em cada disparo do TRIAC o capacitor de uma rede RC simples se descarrega em uma dada proporção. Isso
faz com que não seja possível chegar a ângulos de disparo próximos a 180°, ou seja, não se pode diminuir a
potência entregue à carga a um valor menor que um determinado mínimo.
Em um circuito com dupla rede defasadora pode-se, em teoria, chegar a ângulos de disparo de 270°, ou seja,
90° no semiciclo seguinte, passando pelos 180° sem problemas.