Otto Chip Vazado como Transdutor de Pressão por

Ressonância de Plasmons de Superfície

J. O. Maciel Neto,1 Gustavo Oliveira Cavalcanti,2 Ignacio Llamas-Garro,3 Jung-Mu Kim4 e Eduardo Fontana5
1
Instituto Federal de Pernambuco, Recife, Brasil
2
Escola Politécnica, Universidade de Pernambuco, Recife, Brasil
3
Centre Tecnològic de Telecomunicacions de Catalunya, Castelldefels, España
4
Division of Electronic Engineering, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, Republic of Korea
5
Departamento de Eletrônica e Sistemas, Universidade Federal de Pernambuco, Recife, Brasil

Resumo —   Um Otto chip selado com janela de quartzo foi

recentemente desenvolvido para aplicações na área de sensores
por ressonância de plasmons de superfície (RPS). Neste trabalho,
um dispositivo tendo configuração alternativa, denominado de
Otto chip vazado, foi fabricado em silício com estrutura aberta e
caracterizado quanto ao efeito de RPS em 975,1 nm. São
descritas as etapas de fabricação do dispositivo e seu potencial
de aplicações é demonstrado como transdutor de pressão.
Palavras chave—Otto chip, pressão, silício, ouro, RPS
I.   INTRODUÇÃO
No trabalho de Fontana e colaboradores [1] está descrito o
processo de fabricação de um dispositivo, denominado de Otto chip,
capaz de exibir o efeito de ressonância de plasmons de superfície
(RPS) [2]-[3]. O dispositivo compreende uma estrutura fechada de
quartzo e metal, cuja distância entre a parte interna da janela de
quartzo e o metal, denominada de gap, é bem definida. Por meio da
configuração tradicional de acoplamento por prisma [2]-[3], um
feixe de luz incidente na superfície metálica, através da janela de
quartzo do dispositivo, excita plasmons de superfície. A etapa crítica
na fabricação de tal estrutura é a de vedação, pois tem de ser realizada
sem alteração do gap, pois este define o grau de acoplamento entre
os plasmons de superfície e o feixe de luz incidente [1].
Para investigar melhor as propriedades estruturais do Otto chip,
um dispositivo vazado foi fabricado, isto é, sem a janela de quartzo,
para explorar possíveis aplicações do efeito de RPS nessa
configuração. Uma dessas investigações consiste na possibilidade da
utilização da estrutura como transdutor de pressão, tendo em vista
que dependendo do esquema de montagem do chip, variações na
pressão interna do dispositivo podem afetar o valor do gap, que por
sua vez altera o fator de qualidade da RPS. Dessa forma, alterações
na pressão exercida sobre o Otto chip produzem efeitos que podem
ser detectados pela observação da reflectância da estrutura. Neste
artigo, relatam-se estudos preliminares de avaliação desse tipo de
aplicação.
II.   FABRICAÇÃO DO OTTO CHIP VAZADO
Uma pastilha de silício foi utilizada como substrato para
fabricação de vários dispositivos. Inicialmente, uma cavidade
com 2,5 µm foi desgastada no substrato de silício por meio do
processo de deep reactive ion etching —DRIE [1], com uma
fotoresina positiva — PR, usada como máscara de gravação,
conforme ilustrado na Fig.1(a-b). Em seguida, a PR foi
removida usando corrosão por plasma de oxigênio e assim foi
obtida a configuração da Fig.1(c). Uma nova mascara de PR
é adicionada na configuração da Fig.1(d). Na sequência um
filme de Cr de 10 nm foi depositado na superfície de silício e
posteriormente, outro de 300 nm de Au, conforme a Fig.1(e).
Após a deposição dos metais a resina é removida e obtém-se
um gap de aproximadamente 2,2 µm, conforme ilustrado na
Fig.1(f). Um revestimento metálico de Al foi aplicado na face
inferior do chip pelo processo de lift-off por meio da utilização
de AZ5214 com um molde de PR [4] para obter o dispositivo
ilustrado na Fig.1(g). A parte posterior da pastilha de silício
foi perfurada por desgaste químico pelo processo DRIE Bosch
[5], para a obtenção das vias de entrada e saída para o canal
do chip, com alumínio sendo utilizado como máscara de
gravação. Assim obtém-se o dispositivo ilustrado na Fig.1(h)
que foi utilizado neste trabalho. Os chips vazados assim
fabricados foram cortados nas dimensões de 30 mm x 30 mm.

Este trabalho foi apoiado pelas seguintes agências de fomento: FACEPE – Brasil, Fig.1: (a) PR é aplicado no substrato de Si. (b) Cavidade de 2,5 µm obtida
Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq – Brasil) pelo processo DRIE. (c) PR é removido. (d) PR positivo adicionado. (e)
(56066520105 e 45983620145); NRF–Coréia do Sul (NRF–2013K2A1A2049144); Metalização. (f) PR removido.(g) Máscara de Al colocada sobre a face
MINECO-Espanha (PIB2010BZ-00585); GENCAT–Espanha (2014 SGR 1551). posterior. (h) Canais obtidos por corrosão na máscara de Al.
 III.   CONFIGURAÇÃO EXPERIMENTAL A primeira etapa dos experimentos realizados com o
A resposta do Otto chip foi medida utilizando um objetivo de utilizar o Otto chip como transdutor de pressão é
reflectômetro automatizado operando em 975,1 nm [6], ajustar o gap para obter a ressonância mais profunda possível
conforme ilustrado na Fig.2. Um prisma BK7 de ângulo reto com pressão atmosférica dentro da célula de gás. Por meio de
é usado para permitir o acoplamento do feixe laser de ajustes nos parafusos que prendem a célula de gás determina-
polarização paralela com plasmons de superfície na parte se o gap no qual se obtém a menor intensidade do feixe
interna da superfície do chip. O Otto chip é colocado sobre a refletido na condição de ressonância.
face superior do prisma com a face metalizada de Au voltada Na segunda etapa dos experimentos, mudanças sub-
para baixo. Dessa forma, a RPS ocorre na interface entre o Au micrométricas do gap ocorrem em função das variações no
e o meio interno do Otto chip. nível de pressão dentro da célula de gás por injeção ou
O efeito de RPS é observado através da variação na remoção de N2. Essas alterações são detectadas pelas
intensidade do feixe refletido, captada pelo fotodetector DS, variações na reflectância do conjunto.
por meio de uma varredura angular em θ. O reflectômetro
utilizado é capaz de realizar a varredura angular com uma IV.   RESULTADOS
resolução de 0,005 graus e os deslocamentos lineares com
resolução de 5µm [6]. Diferentes níveis de pressão foram aplicados dentro da
célula de gás mostrada na Fig.3. A Fig.4 mostra as curvas de
Variações na intensidade do feixe incidente são ressonância obtidas a partir de três níveis de pressão dentro da
compensadas por meio da detecção realizada pelo célula. É importante notar que devido ao tamanho do gap,
fotodetector de referência DR, simultaneamente à detecção do cerca de 2,2 µm, pequenas diferenças de pressão podem
feixe refletido, como mostra a Fig.2. O ângulo do prisma θ e produzir alterações substanciais no gap, ou seja, na distância
o posicionamento horizontal ao longo das duas direções entre a superfície metálica do chip e a superfície do prisma.
ortogonais do plano xy, mostrados na figura, são controlados
por computador. O sistema de controle tem a capacidade de
manter a detecção da maior intensidade do feixe refletido pela
translação de Ds, compensando as variações dessa intensidade
devido à rotação do prisma [7]. Além disso, o sistema é capaz
de manter o ponto de incidência do laser sob análise
estacionário durante a varredura angular.
A fim de manter o Otto chip em contato com a face
superior do prisma, um bloco de borracha foi colocado sobre
o chip, como ilustrado na Fig. 3(a). Uma célula de gás,
mostrada na Fig. 3(b) foi utilizada para pressionar o bloco de
borracha contra o Otto chip e, ao mesmo tempo, realizar a
vedação do ambiente que envolve o Otto chip. Um sistema
composto de bomba de vácuo, regulador de pressão e
válvulas, não ilustrados na Fig.3, foi utilizado para controlar
a pressão na célula onde esta o Otto chip. Além disso, por
meio de pequenos ajustes nos parafusos que prendem a célula
de gás ao prisma, mostrados na Fig. 3(b), foi possível alterar
o gap, uma vez que a célula de gás comprime o bloco de
borracha em contato com o Otto chip.

Fig. 2. Configuração experimental para medições com o Otto chip Fig. 3. Fotografias da configuração prisma/chip/célula. (a) Detalhes de
vazado. Na figura: DR = fotodetector de referência, DS = fotodetector de posicionamento do bloco/chip no prisma. (b) Detalhes da célula de gás
sinal, S = divisor de sinal, P = polarizador, I = incentro do prisma de no prisma.
ângulo reto.
 V.   CONCLUSÕES
Nesse artigo investigamos relatamos a fabricação de um
Otto chip vazado, que é uma configuração modificada
relativamente ao Otto chip tradicional, desenvolvido
recentemente e avaliamos uma possível aplicação do
dispositivo como transdução de pressão. Os resultados
mostram que na configuração vazada, e no esquema
experimental proposto neste trabalho, o gap é muito sensível
a variações de pressão. A faixa de pressão de trabalho do
transdutor pode ser adaptada por meio de diferentes materiais
em substituição ao bloco de borracha utilizado nos
experimentos relatados neste trabalho.
Em muitas situações é importante a realização de
medições remotas de pressão ambiental, como por exemplo,
no controle de processos, com o emprego de um transdutor
passivo, sem o uso de transmissão eletrônica de sinais. Nesses
casos, uma solução totalmente óptica pode ser implementada
em conjunto com fibras ópticas, e um transdutor óptico, do
tipo proposto nesse artigo, pode ser utilizado.

Fig. 4. Curvas de RPS para três níveis distintos de pressão no canal interno
do Otto chip.
Nos gráficos da Fig.4 as curvas representadas por pontos
são os valores medidos e por linhas são valores teóricos,
obtidos a partir de uma análise dos dados realizada por meio
de regressão não linear [8]. A pequena variação no índice de
refração da célula, devido às variações de pressão do gás, que
teria um efeito desprezível em relação àquele produzido pela
variação de gap, foi desprezada nessa análise. A partir dessa
Fig. 5. Espessura do gap, medida em função da pressão do gás.
análise foram obtidos o índice de refração complexo do metal
e a espessura do gap. O índice de refração complexo calculado
foi 𝑛 ≈ 0.2 − 𝑗6 , que está de acordo com o valor obtido VI.   REFERÊNCIAS
previamente e com o valor tabelado para o ouro em 975,1 nm
[9]-[10].
[1]   Eduardo Fontana, Jung-Mu Kim, Ignacio Llamas-Garro and Gustavo
A Fig.5 é o gráfico que corresponde à espessura do gap Oliveira Cavalcanti, “Microfabricated Otto chip device for surface
em função da pressão na célula, e mostra uma relação plasmon resonance based optical sensing,” Applied Optics, vol. 54,
pp.9200-9204, November 2015.
aproximadamente linear na faixa entre 0,3 e 1,3 bar. Nessa
[2]   A. Otto,” Excitation of Nonradiative Surface Plasma Waves in Silver
faixa a espessura do gap varia entre de 1,3 e 2,5 µm. Observa- by the Method of Frustrated Total Reflection,” Z. Physik 216, 398-410
se que pequenas variações no 𝑔𝑎𝑝 produzem variações (1968).
substanciais nas curvas de reflectância, mostrando o potencial [3]   E. Kretschmann, “Determination of optical constants of metals through
da estrutura para ser aplicada com transdutor de pressão. the stimulation for surface plasma oscillations,” (in German), Z. Physik
241, 313-324 (1971).
[4]   H. W. Park, Y. K. Kim, H. G. Jeong, J. W. Song, and J. M. Kim, “Feed-
through capacitance reduction for a micro–resonator with push–pull
configuration based on electrical characteristic analysis of resonator
with direct drive,” Sensors and Actuators A, Vol. 170, No. 1, pp. 131–
138 (2011).
[5]   Y. S. Lee, Y. H. Jang, Y. K. Kim, and J. M. Kim, “Thermal de–isolation
of silicon microstructures in a plasma etching environment,” Journal of
Micromechanics and Microengineering, Vol.23, No. 2, 025026 (2013).
[6]   G. O. Cavalcanti, M. A. Luna and E. Fontana, "Automated
reflectometer for surface plasmon resonance studies in the infrared and
its application for the characterization of Pd films," Proceedings of the
SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics
Conference, pp. 688–701 (2007).
[7]   E. Fontana and G. O. Cavalcanti, "Maintaining a stationary laser
footprint during angular scan in internal reflection experiments,"
Applied Optics, Vol. 52, No. 32, pp. 7669–7674 (2013).
[8]   E. Fontana, R. H. Pantell and M. Moslehi, "Characterization of
dielectric-coated, metal mirrors using surface plasmon spectroscopy,"
Applied Optics 27, 3334-3340 (1988).
[9]   Glenn D. Boreman, Timothy Johnson, Andrew C. Jones, Sang-Hyun
Oh, Robert L. Olmon, Markus B. Raschke, David Shelton, and Brian
Slovick, "Broadband Electrical Permittivity of Gold for Plasmonics and
Nano-Optics Applications," 2011 Conference on Lasers and Electro-
Optics (CLEO 2011), pp.1–2.
[10]   P. B. Johnson and R. W. Christy, "Optical constants of the noble
metals," Physical Review B, Vol. 6, No. 12, pp. 4370-4379 (1972)