Microfita

SEL 369 Micro-ondas/SEL5900 Circuitos de Alta

Frequência

Amílcar Careli César

Departamento de Engenharia Elétrica da EESC-USP
 Atenção!

Este material didático é planejado
para servir de apoio às aulas de
SEL-369 Micro-ondas, oferecida
aos alunos regularmente
matriculados no curso de
engenharia elétrica/eletrônica e
SEL-5900 Circuitos de Alta
Frequência, oferecida aos alunos
regularmente matriculados no
curso de pós-graduação em
engenharia elétrica.

Não são permitidas a reprodução
e/ou comercialização do material.

solicitar autorização ao docente
para qualquer tipo de uso distinto
daquele para o qual foi
planejado.

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 2

 Faixas de frequências de micro-ondas (IEEE)
Designação Faixa (GHz)
HF 0,003 - 0,03
VHF 0,03 - 0,3
UHF 0,3 - 1,0
banda L 1,0 - 2,0
banda S 2,0 - 4,0
banda C 4,0 - 8,0
banda X 8,0 - 12,0
banda Ku 12,0 - 18,0
banda K 18,0 - 27,0
1 GHz banda Ka 27,0 - 40,0
corresponde
a 10 9 Hz milimétrica 40,0 - 300,0
sub-milimétrica > 300,0
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 Componentes básicos

Resistor L R L
– filme metálico sobre
substrato de alumina ou
Berílio
– reatância parasita C
reduzida até 2 GHz L Rs R

Capacitor
– filme metalizado sobre
polistireno
– teflon C
L Rs
– policarbonato

Indutor
– planar ou fio
Cd
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 Tipos de condutores (guias)

metálico retangular coaxial

linha de fita microfita

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 Alguns tipos de linhas-1

Microfita Linha de fenda

Guia coplanar Linhas coplanares

Microfita invertida Microfita suspensa

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 Alguns tipos de linhas-2
ε1 ε2
ε1

Guia imagem Guia imagem isolado

ε1

Guia imagem Microfita invertida

aprisionado aprisionada

Microfita suspensa finline

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 Faixa de operação de algumas linhas
Microondas Ondas milimétricas
33 50 75 110 170 260

Q V W D Y
L,S,C,X Ku K Ka U E F G J

10 12 18 26 30 40 60 90 140 220 300

Freqüência (GHz)
Stripline
Slotlines, coplanar
Guia de onda retangular
Microfita
Microfita invertida
Microfita e stripline suspensas
Fin lines
Guias dielétricos integrados
Guias corrugados

Fonte: B. Bhat e S. K. Koul, Analysis, design and applications of fin lines, Norwood: Artech House, p. 43, 1987
02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 8
 Linhas e impedância característica

Estrutura Impedância (ohms)

Microfita 20-125
Microfita invertida 25-130
Microfita invertida aprisionada (TIM) 30-140
Stripline suspensa 40-150
Guia coplanar (CPW) 40-150
Slotline 60-120
Finline 10-400
Guia imagem (imageline) ≈ 26

Fonte: T.C. Edwards, Foundations for microstrip circuit design, New York: Wiley, p. 233, 1981

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 Linhas e características
Estrutura Perda por radiação Dispersão Característica
Excelente para componentes passivos;
Stripline Nula Desprezível
Inconveniente para chips
Microfita Baixa Pequena Muito usada em MIC e MMIC
Adequada para montagem shunt de
Slotline Alta Grande dispositivos em chip e fabricação de
dispositivos não-recíprocos
Stripline Adequada para dispositivos passivos de alto
nula Pequena
suspensa Q; Operação até faixa milimétrica
Microfita Adequada para faixa alta de microondas e
Baixa Pequena
suspensa ondas milimétricas
Adequada para dispositivos passivos de alto
Microfita
Baixa Pequena Q; Inconveniente para montagens de
invertida
dispositivos ativos
Fácil conexão de elementos em série ou
Guia coplanar
Média Média shunt; Adequado para MMIC e componentes
(CPW)
não-recíprocos com ferrita

Fonte: B. Bhat e S. K. Koul, Analysis, design and applications of fin lines, Norwood: Artech House, p. 22, 1987

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 Características para seleção de linhas

Perdas reduzidas

Dispersão baixa

Largura de faixa ampla

Facilidade para montagem de dispositivos
ativos

Facilidade para integração

Valor adequado de potência máxima
suportada

Facilidade de fabricação e baixo custo
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 Linhas de transmissão mais utilizadas

Microfita
– Versatilidade é a maior vantagem sobre outros
tipos

Linha de fenda (slotline)

Guia coplanar (CPW)

Combinação de tipos pode resultar em
desempenho superior

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 Substratos mais utilizados

TEFLON reforçado com fibra de vidro
– Para striplines e microfitas em geral

ALUMINA
– Pureza elevada para microfitas, slotlines e suas
versões

QUARTZO
– Utilização na faixa de ondas milimétricas

FERRITAS
– Para dispositivos não-recíprocos

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 Características de substratos
Perdas
Rugosidade
dielétricas Características
Material εr superficial
tanδ x 104 / aplicações
(rms, µm)
(10 GHz)
RT-Duroid 5880 2,16–2,24 5-15 0,75–1,0 Flexível/ stripline
RT-Duroid 6010 10,2-10,7 10-60 0,75-1,0 Flexível / microfita / stripline
Epsilam-10 10-13 20 - Flexível / microfita / stripline
Placa / microfita / slotline e
Alumina (99,5%) 9,6-10,4 0,5-3,0 0,05-0,25
variantes
Quartzo (99,9%) 3,75 1 0,006-0,025 Acabamento óptico / microfita
Porosa / dispositivos não-
Ferrita 13-16 2 0,25 recíprocos/ microfita
/ slotline / linha coplanar
εr⊥=9,4; Anisotropia / microfita/ microfita
safira - -
εr=11,6 suspensa

Fonte: B. Bhat e S. K. Koul, Analysis, design and applications of fin lines, Norwood: Artech House, p. 7, 1987
02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 14
 Da linha de 2 fios à microfita

1 2

4 3

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 Layout da microfita
W

t
metal
dielétrico εr
h
metal

A microfita é fabricada usando técnicas de

confecção de circuito impresso-”etching” (gravação)

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 Layout da microfita acoplada
W s W

metal
t dielétrico εr
h
t metal

As linhas de campo eletromagnético acoplam-se

de uma linha de transmissão para outra

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 Microfita-1

Tipo de linha muito utilizado em microondas
– fabricação fácil e bom desempenho

Aplicação
– amplificadores de microondas e circuitos
integrados de microondas

substratos dielétricos típicos

Duroid : εr = 2,56
Quartzo: εr = 3,78
Alumina: εr = 9,7
Silício: εr = 11,7

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 18

 Distribuição de campo eletromagnético

Linhas de campo
eletromagnético não
estão totalmente
contidas na região do
substrato
– O modo de
propagação não é um
modo puro TEM mas
sim um modo quase-
TEM
• há componente de elétrico
campo na direção de
propagação magnético

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 Microfita-3

No projeto de microfitas determina-se
– W : largura da microfita para um determinado Z0
– ℓ : comprimento da microfita

A síntese fornece
– W/h , na qual h é a espessura do dielétrico

εeff : permissividade efetiva

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 Velocidade de fase

c
vp =
εeff
c : velocidade da luz no vácuo , 3×108 m/s
εeff : cte. dielétrica (relativa) efetiva

A velocidade de fase é a velocidade com que uma

onda do tipo TEM propaga-se no material, cuja
constante dielétrica relativa é, para todos os efeitos,
dada efetivamente por εeff
02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 21
 Comprimento de onda

vp c λ0
λm = = =
f f εeff εeff

λm: comprimento de onda na microfita

f: freqüência de operação
εeff: constante dielétrica efetiva

A operação dos dispositivos depende de suas dimensões

As dimensões são proporcionais a λ

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 Impedância característica-1

1
Z0 =
(v C )p
C: capacitância/unidade de comprimento

Para determinar vp ,Z0 e λm é preciso determinar C

e εeff

Há vários métodos para se determinar C e εeff
– baixas freqüências : método modo quase - TEM é bom
– freqüências elevadas : componentes na direção
longitudinal são significativos : método quase- TEM não é
muito válido

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 Fórmulas para análise-1
Fórmulas propostas por I.J. Bahl e D.K. Trivedi
A espessura da camada de cobre é desprezível ( t/h < 0,005)
Caso 1: w/h ≤ 1

60  h w 
Z0 = ln 8 + 0, 25 
εeff  w h 

 −1
2
εr + 1 εr − 1  h 2  w 
εeff = + 1 + 12  + 0, 04 1 −  
2 2  w   h  
 
εeff: constante dielétrica efetiva; εr: constante dielétrica
h: espessura do dielétrico; w: largura da linha

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 24

 Fórmulas para análise-2

Caso 2: w/h ≥ 1

  w
120π  w 
Z 0 =    + 1, 393 + 0, 667 ln  + 1, 444
 ε  h  h 
 
 eff 
−1
εr + 1 εr − 1  h  2
εeff = + 1 + 12 
2 2  w 
εeff: constante dielétrica efetiva; εr: constante dielétrica
h: espessura do dielétrico; w: largura da linha

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 25

 Fórmulas para análise-3

Para w/h ≥ 0,6

 
 λ0  εr
λm =  
   w 
0,1255
 rε
1 + 0, 63 (εr − 1)  
 h 

λm: comprimento de onda na microfita

λ0: comprimento de onda no vácuo
εr: constante dielétrica
h: espessura do dielétrico; w: largura da linha

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 26

 Fórmulas para análise-4

Para w/h < 0,6

 
 λ0  εr
λm =  
   w 
0,0297
ε
 r
1 + 0, 6 (εr − 1)  
 h 

λm: comprimento de onda na microfita

λ0: comprimento de onda no vácuo
εr: constante dielétrica
h: espessura do dielétrico; w: largura da linha

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 27

 Fórmulas para projetos
Fórmulas válidas para t/h ≤ 0,005
Caso 1: w/h ≤ 2

A
w 8e
= 2A
h e −2
Caso 2: w/h > 2

w 2

 ε − 1 
 ln (B − 1) + 0, 39 − 0, 61 


= B − 1 − ln (2B − 1) + r
  
h π
 2εr  εr  
 
Z0 εr + 1 εr − 1  0,11 377 π
A= + 0, 23 +  B=
60 2 εr + 1  εr  2Z 0 εr

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 28

 Inclusão da espessura do cobre (t)
efeito de t : aumentar a capacitância
correção : substituir W por Weff
para t < h e t < W/2 ( sempre satisfeita para substratos comerciais )

w 1 Weff w t  2h 
Para
≥ = + 1 + ln 
h 2π h h πh  t 

Weff  4π w 
Para w 1 w
= +
t 
1 + ln 
≤ 
h 2π h h π h  t 

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 29

 Efeito da dispersão-1
Quando o modelo quase-TEM não é válido, Z0 e εeff
variam com a freqüência e a linha é dita dispersiva

f0 : freqüência abaixo da qual a dispersão é desprezível

1
  2
 Z0 
( )
f0 em GHz = 0, 3  
h ε − 1 
 r 
h é dado em cm e Z0 em ohms

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 30

 Efeito da dispersão-2
O efeito da dispersão sobre εeff é avaliado por meio de:

εeff ( f ) = εr −
(ε r
− εeff )
2
 f  f e fp em GHz
 
1 + G  
 fp 
Z0
onde fp = e G = 0, 6 + 0, 009Z 0 h em cm
8π h

para fp >> f , εeff ( f ) ≈ εeff

As linhas de alta impedância em substratos finos são menos dispersivas
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 Efeito da dispersão-3

Cálculo da impedância característica

377h
Z0 (f ) =
Weff ( f ) εeff ( f )
Na qual
W (0) −W 
 eff 
Weff ( f ) = W + 377h
 f  e Weff 0 =
2 ()
 
1 +   Zo 0 εeff 0 () ()
 fp 
02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 32
 Atenuação em microfitas-1
α : fator de atenuação αd : perda dielétrica; αc : perda por condução

α = αd + αc
Para dielétrico com baixas perdas:

   (εeff − 1)  tg δ  dB

 εr
αd = 27, 3      ,

   (ε − 1)   λ  cm
 εeff   r  0 

onde σ : tangente de perdas do material

tg δ =
ωε (adimensional)

σ : condutividade do dielétrico; ε: cte. dielétrica;

ω: freqüência angular
02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 33
 Atenuação em microfitas-2
Para dielétricos com σ ≠ 0, a perda causada pelo dielétrico pode ser calculada por:

 
 εeff − 1  µ0 dB
αd = 4, 34   σ,
 ε (ε − 1) ε0 cm
 eff r 
na qual

−12 F −7 H
ε0 = 8, 854.10 , e µ0 = 4π.10 ,
m m
02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 34
 Atenuação em microfitas-3
Cálculo de αc

Caso 1: W/h → ∞

 8, 68  π f µ0

αc =   Rs onde
 Z 0W  Rs =
σ
Caso 2: W/h ≤ 1/2π

 8, 68 R P    h   h  4 π W 
 s      
  t 
αc =  1 +   +   ln + 
 2 π Z 0 h   Weff   πWeff 
  t W 
 
02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 35
 Atenuação em microfitas-4
Caso 3: 1/2π < W/h≤ 2

8, 68Rs PQ
αc =
2π Z 0h
na qual
2
W 
 eff 
P = 1− 
 4π 
 
h  h  2h t 
Q =1+ + ln − 
Weff  πWeff  t h 
02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 36
 Atenuação em microfitas-5
Caso 4: W/h ≥ 2

 W 
−2  eff 
 8, 68R Q  
W
  2   W
  

 Weff 

αc =  s   eff
+  
 ln  2π exp  eff
+ 0, 94     + πh 
      
  
 Z 0h   h π 
    2h    h Weff 

    + 0, 94 
 2h 

 
π f µ0 h  h  2h t 
na qual Rs = e Q = 1+ + ln − 
σ Weff  πWeff  t h 

Em geral, αd ≥ αc em substratos dielétricos

αd≅αc , em substratos de sílicio

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 37

 Fator de qualidade
β
O fator de qualidade é: Q=
2α

2π π
como β= então Q=
λm αλm

ou 8, 686π
Q= dB
αλm
ou 27, 3
Q= dB / λm
α 1 dB corresponde a 8,686 nepers

α: fator de perdas; λm: comprimento de onda na microfita

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 38

 Perda por radiação-1
É especificada pelo fator de qualidade de radiação

Z0
Qr =
 
480π  h  F
 λ0 
Onde F é o fator de radiação,

2
 
εeff ( f ) + 1 (εeff ( f ) − 1)  εeff ( f ) + 1 
F= − 3
ln  
εeff ( f )  ε ( f ) − 1 
2 (εeff ( f ))2  eff 

02/04/2015 SEL 369/SEL5900 Microfita USP EESC SEL 39

 Perda por radiação-2
O fator de qualidade total é dado por

1 1 1 1
= + +
QT Qc Q d Qr
π π
onde Qc = e Qd =
αcλm αd λm
Qc: devido às perdas no condutor
Qd: devido às perdas no dielétrico
Qr: devido às perdas por radiação

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