EE530 Eletrônica Básica I

Prof. Fabiano Fruett

Transistor Bipolar de Junção (TBJ) - iii
• Análise gráfica
• Arranjos de polarização
• Principais configurações
– Emissor comum
– Base comum
– Coletor Comum
• Modelo de Ebers Moll
• Efeitos de segunda ordem
• Capacitâncias intrínsecas
• Modelo π-híbrido com capacitâncias

Analise Gráfica cc e de sinal da base

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Analise Gráfica cc e de sinal do coletor

Efeito da localização do ponto de

polarização na excursão máxima do sinal

Como localizar o ponto Q

para maximizar a excursão
do sinal de saída?

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 Arranjos de polarização
Fonte Simples Fonte Dual

VBB − VBE RB
IE = RE >>
RE + RB /(β + 1) ( β + 1)

Arranjos de polarização
Forma alternativa Fonte de corrente

VCC − VBE RB
IE = RC >>
RC + RB /(β + 1) (β + 1)

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 Amplificador em emissor comum

Emissor comum com resistência de emissor

4
 Amplificador em emissor comum

Sem resistência de emissor Com resistência de emissor

Ri = rπ Ri ≅ (β + 1)(re + Re )

vo R vo βRC
≅ − C = − g m RC ≅−
vs re vs Rs + (β + 1)(re + Re )

ro io
Ai = −β ≅ −β Ai = ≅ −β
ro + RC
ib

Ro = RC/ /ro Ro ≅ RC

Efeito da inclusão de Re no amplificador EC

• 1. A resistência de entrada Ri aumenta de
(1 + gmRe).

• 2. Para a mesma distorção não linear, podemos

aplicar um sinal (1 + gmRe) vezes maior.

• 3. O ganho de tensão é reduzido

• 4. O ganho de tensão é menos dependente do

valor de β (particularmente quando Rs é pequeno).

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 Base comum

Base comum

Ri = re

vo αRC
Av ≡ =
vs Rs + re

io −α ie
Ai ≡ = = α
ii −ie

Ro = RC

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 Coletor comum

Ri

Coletor Comum (Seguidor de Emissor)

Ri = ( β + 1)[re + (ro //RL ) ] Ri ≅ ( β + 1)RL

vo ( RL //ro )
Av = = ≅1 Seguidor de Emissor
vs Rs
+ re + ( RL //ro )
β +1
io r
Ai = = (β + 1) o ≅ (β + 1)
ib ro + RL
Rs
Ro ≅ re +
β+1

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 Exercício: Faça uma comparação das
características dos amplificadores vistos
anteriormente

Indique as configurações mais indicadas

para trabalhar como fonte de corrente, fonte
de tensão, amplificador de tensão e
amplificador de corrente

Modelo de Ebers-Moll (EM)

Descreve o transistor em qualquer região de operação
O modelo EM é a base do modelo empregado por simuladores (PSPICE)

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 Modelo de Ebers-Moll (EM)

iR = iDC = I SC (exp vBC /VT − 1)

iF = iDE = I SE (exp vBE /VT − 1)

α F ISE = α R I SC = I S

Modelo EM
IS
iE = (ev BE / VT − 1) − I S (ev BC / VT − 1)
αF
I S vBC /VT
iC = I S (e vBE / VT − 1) − (e − 1)
αR
IS IS
iB = (ev BE /VT − 1) + (ev BC /VT − 1)
βF βR

αF αR
iC = −iDC + α FiDE βF = βR =
1 − αF 1 − αR

iB = (1 − α F )iDE + (1 − α R )iDC

iE = iDE − α R iDC

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Ganho de
corrente

cc ca
I CQ ∆iC
hFE ≡ β cc ≡ h fe ≡ β ca ≡
I BQ ∆iB v CE = constante

Exemplo da dependência típica de β com

IC e com a temperatura (NPN)
 Dp N A W 1 W2 
β = 1/  + 
 Dn ND L p 2 Dn τ b 

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 Inversor lógico básico
Resistor Transistor Logic - RTL

Fig. 4.60

Transistor como inversor lógico

Modos de operação:

• Corte: Entrada baixa, iC nulo, vo=VCC, saída

alta

v0
• Ativo direto, Ganho EC ≅ = − g m RC
vI

• Saturação: Entrada alta, saída baixa em

VCEsat ≅ 0.2 V

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Característica de transferência de tensão

vO

vI

Fig. 4.61

Pontos notáveis da característica de

transferência de tensão

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 Concentração de portadores minoritários na base de
um transistor npn no modo ativo

n p (0) = n p 0 exp vBE /VT

n p (W ) = n p 0 expvBC VT

Difusão:
dn p ( x)  n p (0)  AE qDn n p 0
I C ≅ I n = AE qDn = AE qDn  − = exp vBE /VT
dx  W  W

Concentração de portadores minoritários na base de

um transistor saturado

n p 0 exp vBE VT

n p 0 expvBC VT

np0  
BE v BC v

IC ≅  exp − exp
VT VT

W  

Fig. 4.62

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 Capacitância Intrínseca de Difusão

Carga de portadores minoritários armazenada na base

Grandes sinais:

Qn τ F I C
Cde = =
VBE VBE
τF é o tempo de transito
de base direto

Pequenos sinais:
τF IC
Cde =
VT

Capacitâncias intrínsecas
Capacitância de Difusão Capacitância de Depleção
• Predominante na • Acúmulo de cargas na camada
polarização direta de depleção
• Predominante na polarização
• Acúmulo de portadores reversa
minoritários na base
Polarização reversa (JCB):
Qn τ F I C εs A Cµ 0
Cde = = Cµ = =
VBE VBE Wdep  V  m
1 +
CB
V0 c ≅ 0.75 V 
 V0c 
0.2 ≤ m ≤ 0.5
Aproximação na polarização direta (JBE):

C je ≅ 2C je 0

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O Modelo π–Híbrido para Altas
Freqüências

Freqüência de Corte

gm
fT =
2π (Cπ + C µ )

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 Sugestão de estudo

• Sedra/Smith cap. 4 seções 4.9 até 4.11 e

4.13 até 4.15
Exercícios e problemas correspondentes

Para saber mais:

Paul R. Gray e Robert G. Meyer, Analysis

and Design of Analog integrated Circuits,
John Wiley & Sons

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