Dissetacao Fernando Beltrame

UFSM
Dissertação de Mestrado
ANÁLISE COMPARATIVA DE CONVERSORES

MONOFÁSICOS APLICADOS À CORREÇÃO DE FATOR DE
POTÊNCIA
Fernando Beltrame
PPGEE
Santa Maria, RS, Brasil
2009
ANÁLISE COMPARATIVA DE CONVERSORES
MONOFÁSICOS APLICADOS À CORREÇÃO DE FATOR DE
POTÊNCIA
por
Fernando Beltrame
Dissertação apresentada ao Curso de Mestrado do Programa

de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Área de Concentração em
Processamento de Energia, da Universidade Federal de Santa Maria
(UFSM, RS) como requisito parcial para a obtenção do grau de
Mestre em Engenharia Elétrica.
PPGEE
Santa Maria, RS, Brasil
2009
___________________________________________________________________________
© 2009
Todos os direitos autorais reservados a Fernando Beltrame. A reprodução de partes ou do todo
deste trabalho só poderá ser com autorização por escrito do autor.
Endereço: Rua do Acampamento, 599, apto 201. Santa Maria, RS, 97050-003.
Fone (055)9628-7801; Endereço eletrônico: engbeltrame@yahooo.com.br
Universidade Federal de Santa Maria
Centro de Tecnologia
Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
A Comissão Examinadora, abaixo assinada,

aprova a Dissertação de Mestrado
ANÁLISE COMPARATIVA DE CONVERSORES MONOFÁSICOS

APLICADOS À CORREÇÃO DE FATOR DE POTÊNCIA
elaborada por
Fernando Beltrame
como requisito parcial para obtenção do grau de

Mestre em Engenharia Elétrica
COMISSÃO EXAMINADORA:
_________________________________
José Renes Pinheiro, Dr.
(Presidente/Orientador)
_________________________________
Mário Lúcio da Silva Martins, Dr. (UTFPR)
_________________________________
Felix Alberto Farret, Ph.D. (UFSM)
Santa Maria, 12 de Agosto de 2009.

Para Públio e Elisabete, meus pais,
para Douglas e Rafael, meus irmãos,
e para Grazielle, minha namorada.
Agradecimentos
Agradeço especialmente ao professor José Renes Pinheiro, por ter me concedido a

oportunidade da realização deste trabalho sob a sua orientação, pelo exemplo de dedicação
profissional, pelos preciosos conhecimentos que pude adquirir ao trabalhar ao seu lado, pelos
seus conselhos, sua amizade e sua paciência.
Aos professores co-orientadores, pela amizade, conhecimento e experiência
transmitidos no decorrer do Mestrado, contribuindo de forma relevante na elaboração deste
trabalho.
Aos colegas do GEPOC, Cleber Zanatta, Diorge Báo Zambra, Jumar Russi, Paulo
Canuto Ficagna, Jonatan Zientarsky, Hamiltom Sartori, Leandro Roggia, Adriano Toniollo,
Rafael Beltrame Concatto, Diogo Brum, Rafael Engleitner, Tiago Rampelotto, Luccas
Kunzler, Márcio Sari, Huesley Hoppen, Renan Piveta, Leonardo Bertagnolli, Fabrício
Cazakevicius, Rodrigo Krug que de alguma forma colaboraram com o desenvolvimento deste
trabalho e pelos fortes laços de amizade criados entre nós.
Aos amigos do NUPEDEE e da PPGEE, em especial aos funcionários Luiz Fernando
e Carlo, que colaboraram na realização desse trabalho.
À Universidade Federal de Santa Maria e à CAPES pelo apoio financeiro
indispensável para a realização de uma pesquisa de qualidade
Aos meus pais, Públio e Elisabete, aos meus irmãos Douglas e Rafael, a minha
namorada, e a toda minha família, pelos ensinamentos que carregarei por toda a vida, pela
confiança e pelo amor em mim depositado.
Em especial, gostaria de agradecer à tia Edite Beltrame que me apoiou e incentivou a
realizar este trabalho.
A Deus.
“Não sei como pareço aos olhos do mundo, mas eu mesmo vejo-me como
um pobre garoto que brincava na praia e se divertia em encontrar uma
pedrinha mais lisa uma vez por outra, ou uma concha mais bonita do que de
costume, enquanto o grande oceano da verdade se estendia totalmente
inexplorado diante de mim. "
Isaac Newton
RESUMO
Dissertação de Mestrado
AUTOR: ENG. FERNANDO BELTRAME
ORIENTADOR: DR. ENG. JOSÉ RENES PINHEIRO
Santa Maria, 12 de Agosto de 2009.
Esse trabalho apresenta um estudo e uma análise comparativa de conversores

monofásicos aplicados à correção de fator de potência que estejam de acordo com as normas
internacionais IEC 61000-3-4 (limitação de harmônicos) e CISPR 22 (limitação dos níveis de
interferência eletromagnética) para aplicações de alta potência. Os conversores estudados
foram os conversores Boost, o conversor Boost Intercalado, com duas células operando com
uma defasagem de 180º entre si, e o conversor Dual Boost. Tais conversores são utilizados
como estágio de entrada em fontes de equipamentos da tecnologia da informação. Todos os
conversores apresentam a mesma tensão de entrada e saída, e a mesma corrente de entrada. Os
conversores foram projetados para apresentarem a mesma taxa de distorção harmônica da
corrente de entrada (THD) para que, dessa forma, todos tenham o mesmo filtro de entrada. A
implementação das leis de controle foi realizada através de um controlador digital com o uso
de um microcontrolador de 16 bits.
Todos os conversores foram primeiramente estudados e são apresentados nesta
dissertação. Os parâmetros analisados para a comparação das topologias foram: fator de
potência, taxa de distorção harmônica, perdas nos dispositivos semicondutores e magnéticos,
volume dos dissipadores e materiais magnéticos, interferência eletromagnética conduzida,
eficiência e custos.
Palavras-Chave: Boost, Boost Intercalado, Dual Boost, Correção do Fator de Potência.

ABSTRACT
Master Dissertation
AUTHOR: ENG. FERNANDO BELTRAME
RESEARCH SUPERVISOR: DR. ENG. JOSÉ RENES PINHEIRO
Santa Maria, August 12th, 2009.
This work presents a study and a comparative analysis of high power single-phase
converter applied to power factor correction in according to the international standards IEC
61000-3-4 (harmonics limitation) and CISPR 22 (electromagnetic interference limitation) for
high power applications. The converters studied were the conventional boost converter, the
interleaved boost converter, with two cell operating with a delay angle of 180º between each
other, and the dual boost converter. Such converters are used in front-end modules of
information technology equipment. All converters have the same input and output voltage and
the same input current. The converters were projected to provide the same total input
harmonic distortion (THD), with the idea of using the same input filter. Implementation of the
control laws was performed through a digital control with the use of a 16 bits microcontroller.
All converters were, first of all, studied and presented in this dissertation. The
analyzed parameters for comparison were: power factor, total harmonic distortion (THD),
semiconductor losses and magnetic losses, heat-sinks volume and magnetics volume,
conducted electromagnetic interference, performance and costs.
Keywords: Boost, Interleaved Boost, Dual Boost, Power Factor Correction.

LISTA DE FIGURAS
Figura 1-1 - Estágio de entrada – retificação passivo tradicional. .........................................................22
Figura 1-2 - Formas de onda da tensão e corrente e espectro harmônico com retificação passiva. .......22
Figura 1-3 - Formas de onda e espectro de um circuito ativo de alta frequência...................................26
Figura 1-4 - Conversor Boost.................................................................................................................27
Figura 1-5 - Conversor Boost Intercalado operando como PFC. ...........................................................28
Figura 1-6 - Conversor Dual Boost operando como PFC. .....................................................................29
Figura 2-1 - Conversor Boost aplicado correção do fator de potência...................................................33
Figura 2-2 - Ondulação de alta freqüência da corrente de entrada em CCM. ........................................36
Figura 2-3 - Conversor Boost operando em DCM. ................................................................................36
Figura 2-4 - Conversor Boost operando em CCM - 1ªetapa de operação. .............................................37
Figura 2-5 - Conversor Boost operando em CCM - 2ªetapa de operação. .............................................38
Figura 2-6 - Conversor Boost operando em DCM - 1ªetapa de operação. .............................................38
Figura 2-9 - Corrente do indutor na fronteira de condução....................................................................40
Figura 2-10 - Correntes de saída e do indutor nas fronteiras dos modos de condução. .........................40
Figura 2-11 - Correntes parametrizadas para o conversor Boost. ..........................................................41
Figura 2-12 - Curva característica da fronteira dos modos de condução, conversor Boost. ..................41
Figura 2-13 - Forma de onda típica da corrente da chave semicondutora do Conversor Boost.............43
Figura 3-1 - Conversor Boost com duas chave semicondutoras semicondutoras em paralelo...............48
Figura 3-2 -Conversor Boost com duas células em paralelo..................................................................48
Figura 3-3 - Correntes nos indutores (iL1 e iL2) e corrente de entrada (iin) do Boost Intercalado............48
Figura 3-4 - Sinais de comando das chave semicondutoras. ..................................................................51
Figura 3-5 - Etapas de operação do Boost Intercalado em CCM na região onde d(t) ≥ 0,5. .................51
Figura 3-6 - Etapas de operação do Boost Intercalado em CCM na região onde d(t) ≤ 0,5. .................52
Figura 3-7 - Etapas de operação do Boost Intercalado em DCM na região onde d(t) ≥ 0,5..................53
Figura 3-8 - Etapas de operação do Boost Intercalado em DCM na região onde d(t) ≥ 0,5..................53
Figura 3-9 - Etapas de operação do Boost Intercalado em DCM na região onde d(t) ≤ 0,5...................54
Figura 3-10 - Etapas de operação do Boost Intercalado em DCM na região onde d(t) ≤ 0,5. ................55
Figura 3-11 - Fronteira dos modos de condução para o conversor Boost Intercalado. ..........................55
Figura 4-1 - Conversor Dual Boost. .......................................................................................................59
Figura 4-2 - Diferença de potencial entre o terra da fonte e o terra da carga. ........................................61
Figura 4-3 - etapas de operação do conversor Dual Boost.....................................................................62
Figura 4-4 - Conversor Dual Boost em CCM, 1ª etapa, semi-ciclo positivo. ........................................62
Figura 4-5 - Conversor Dual Boost em CCM, 2ª etapa, semi-ciclo positivo. ........................................62
Figura 4-6 - Conversor Dual Boost em CCM, 1ª etapa, semi-ciclo negativo. .......................................63
Figura 4-7 - Conversor Dual Boost em CCM, 2ª etapa, semi-ciclo negativo. ......................................63
Figura 4-8 - Conversor Dual Boost em DCM, 1ª etapa, semi-ciclo positivo. ........................................63
Figura 4-9 - Conversor Dual Boost em DCM, 2ª etapa, semi-ciclo positivo. ........................................63
Figura 4-10 - Conversor Dual Boost em DCM, 3ª etapa, semi-ciclo positivo. ......................................64
Figura 4-11 - Conversor Dual Boost em DCM, 1ª etapa, semi-ciclo negativo. .....................................64
Figura 4-14 - Fronteira dos modos de condução para o conversor Dual Boost. ....................................65
Figura 5-1 - Curva Característica Vce (θ ) × I ce (θ ) do IGBT, [50]. .............................................................69
Figura 5-2 - Curva Característica Eon (t ) × I ce ( t ) e Eoff (t ) × I ce ( t ) do IGBT, [50].....................................69
Figura 5-3 - Curva Característica V f (θ ) × I f (θ ) do diodo, [50]...............................................................70
Figura 5-4 - Energia da recuperação reversa do diodo em função da corrente de condução, [50].........71
Figura 5-5 - Curva Característica do diodo 30EPH06, [50]...................................................................72
Figura 5-6 - Aproximação da curva característica da corrente I f (t ) × I rr (t ) do diodo 10ETF06S, [50].72
Figura 5-7 - Curva Característica V f (t ) × I f ( t ) da Ponte Retificadora KBPC50, [50]...........................73
Figura 5-8 - Curva característica Vce (t ) × I ce ( t ) dos diodos intrínsecos do IRGP30B60KD-E, [50]. .....73
Figura 5-9 - Modelo Térmico Equivalente dos semicondutores. ...........................................................74

Figura 5-10 - Variação da resistência térmica com a diferença de temperatura, [52]. ...........................75
Figura 5-11 -Comprimento do dissipador através do fator de correção do comprimento, [52]. ............75
Figura 5-12 - Comparação das perdas dos conversores . .......................................................................76
Figura 5-13 - Comparação do Comprimento dos dissipadores dos conversores....................................76
Figura 5-14 - Comparação do Volume dos dissipadores dos conversores. ............................................76
Figura 6-1 - Interferência Eletromagnética Conduzida. .........................................................................82
Figura 6-2 - Caminho de circulação do ruído DM no conversor Boost. ................................................83
Figura 6-3 - Caminho de circulação do ruído DM no conversor Boost Intercalado. .............................83
Figura 6-4 - Caminho de circulação do ruído DM no conversor Dual Boost. .......................................84
Figura 6-5 - Análise das capacitâncias parasitas do indutor Boost sobre o ruído DM...........................85
Figura 6-6 - Efeito da recuperação reversa do diodo sobre o ruído DM. ...............................................85
Figura 6-7 - Circulação do ruído de modo comum no conversor Boost. ...............................................86
Figura 6-8 - Circulação do ruído de modo comum no conversor Boost Intercalado. ............................87
Figura 6-9 - Circulação do ruído de modo comum no conversor Dual Boost. ......................................87
Figura 6-10 - Tensão na chave semicondutora com e sem o uso de técnicas de comutação suave. ......89
Figura 6-11 - Laços e nós com alta variação de corrente e tensão. ........................................................92
Figura 6-12 - Redução das áreas de irradiação utilizando o entrelaçamentos........................................93
Figura 6-13 - Diminuição dos loops aproximando as vias. ....................................................................93
Figura 6-14 - Posicionamento dos componentes do filtro, [69]..............................................................94
Figura 6-15 - Comportamento da EMI devido aos acoplamentos [69]. .................................................94
Figura 6-16 - Capacitâncias parasitas.....................................................................................................95
Figura 6-17 - Técnicas para redução das capacitância parasitas. ...........................................................96
Figura 6-18 - Filtros de EMI. .................................................................................................................96
Figura 6-19 - Filtro π .Balanceado. ........................................................................................................97
Figura 6-20 - Circuitos equivalentes para o filtro π balanceado segundo o tipo de ruído......................97
Figura 6-21 - Filtro Multiplo π...............................................................................................................98
Figura 6-22 - Setup para medição de EMI conduzida, [70]. ..................................................................98
Figura 6-23 - Obtenção das freqüências de corte do ruído DM e CM. ................................................100
Figura 6-24 - Resistor de Amortecimento do filtro..............................................................................101
Figura 6-25 - Princípios do Separador de Ruído, [71]. ........................................................................101
Figura 6-26 - Simulação de EMI conduzida e limites da norma CISPR 22.........................................102
Figura 6-27 - Modelo equivalente do indutor. .....................................................................................103
Figura 6-28 - Curvas de impedância dos indutores implementados.....................................................103
Figura 6-29 - Simulação de EMI conduzida considerando a modelagem do indutor . ........................104
Figura 7-1 - Conversor Boost operando como PFC. ............................................................................109
Figura 7-2 - Conversor Boost Intercalado operando como PFC. .........................................................110
Figura 7-3 - Conversor Dual Boost operando como PFC. ...................................................................111
Figura 7-4 - Boost operando como PFC, Po = 300W. Escalas:100V/div, 5A/div, 5ms/div. ...............113
Figura 7-5 - Boost Intercalado como PFC, Po = 300W. Escalas:100V/div, 5A/div, 5ms/div. ............113
Figura 7-6 - Sinal amostrado da tensão de entrada. Escalas:500mV/div, 10ms/div. ...........................114
Figura 7-7 - Dual Boost operando como PFC, Po = 300W. Escalas:100V/div, 5A/div, 5ms/div........114
Figura 7-8 - Interferência eletromagnética conduzida sem filtro– Conversor Boost. ..........................115
Figura 7-9 - Interferência eletromagnética conduzida sem filtro – Conversor Boost Intercalado. ......115
Figura 7-10 - Interferência eletromagnética conduzida sem filtro – Conversor Dual Boost. ..............115
Figura 7-11 - Filtro de EMI implementado. .........................................................................................116
Figura 7-12 - Interferência eletromagnética conduzida com filtro – Conversor Boost........................116
Figura 7-13 - Interferência eletromagnética conduzida com filtro – Conversor Boost Intercalado.....116
Figura 7-14 - Interferência eletromagnética conduzida com filtro – Conversor Dual Boost. ..............117
Figura 7-15 - Conversor Boost, Po = 1600W. Escalas:100V/div, 20A/div, 5ms/div...........................117
Figura 7-16 - Conversor Boost Intercalado, Po = 1600W. Escalas:100V/div, 20A/div, 5ms/div........118
Figura 7-17 - Corrente nos indutores operando intercaladamente. Escalas: 5A/div, 5ms/div. ............118
Figura 7-18 - Conversor Dual Boost, Po = 1600W. Escalas:100V/div, 20A/div, 5ms/div..................118
Figura 7-19 - Análise comparativa do rendimento dos conversores. ...................................................119
Figura 7-20 - Harmônicos da corrente de entrada dos conversores. ....................................................119
Figura A - 1 - Conversor Boost PFC e sistema de controle. ................................................................132
Figura A - 2 - Atuação da lei de controle em CCM para carga de 3kW. .............................................135
Figura A - 3- Ação feedforward durante um semi-ciclo da tensão da rede para CCM e DCM. ..........136
Figura A - 4 - Atuação das leis de controle em modo misto para 3kW. ..............................................136
Figura B - 1 - Aproximação curva característica Vce (θ ) × I ce (θ ) do IGBT. ...........................................137
Figura B - 2 - Aproximação das curva característica de turn on Eon (θ ) × I c (θ ) do IGBT. ..................138
Figura B - 3 - Aproximação das curva característica de turn off Eoff (θ ) × I c (θ ) do IGBT...................138
Figura B - 4 - Aproximação das curvas característica V f (θ ) × I f (θ ) do diodo. ...................................139
Figura B - 5 - Aproximação das curvas característica Qrr ( I f ) × di / dt do diodo para interpolação......139
Figura B - 6 - Aproximação das curvas Qrr × di / dt e trr × di / dt para o diodo 30EPH06.....................140

Figura B - 7 - Curva característica da corrente I f (θ ) × I rr (θ ) do diodo 10ETF06S. ............................140
Figura B - 8 - Curvas V f (θ ) × I f (θ ) . (a) Diodos intrínsecos do IRGP30B60KD-E, (b) KBPC 50......141
Figura C - 1 - Medição da Corrente do Indutor – Conversor Boost.....................................................143

Figura C - 2 - Medição da Corrente do Indutor – Conversor Boost Intercalado..................................143
Figura C - 3 - Medição da Corrente do Indutor – Conversor Dual Boost. ...........................................143
Figura C - 4 - Medição da Tensão de Entrada – Conversor Boost.......................................................144
Figura C - 5 - Medição da Tensão de Entrada – Conversor Boost Intercalado....................................145
Figura C - 6 - Medição da Tensão de Entrada – Conversor Dual Boost. .............................................145
Figura C - 7 - Medição da Tensão de Saída – Conversor Boost. .........................................................146
Figura C - 8 - Medição da Tensão de Saída – Conversor Boost Intercalado. ......................................146
Figura C - 9 - Medição da Tensão de Saída – Conversor Dual Boost..................................................146
LISTA DE TABELAS
Tabela 1-1 - Limites das correntes harmônicas da norma IEC 61000-3-4.............................................25
Tabela 5-1 - Semicondutores utilizados nos conversores. .....................................................................68
Tabela 5-2 - Perfis de dissipadores escolhidos.......................................................................................74
Tabela 5-3 - Comparação das perdas e volume dos magnéticos. ...........................................................78
Tabela 6-1 - Valores obtidos nas aproximações das curvas – Indutores. .............................................104
Tabela 7-1 - Parâmetros de Projeto ......................................................................................................106
Tabela 7-2 - Valores dos elementos passivos.......................................................................................107
Tabela 7-3 - Dispositivos semicondutores utilizados nas montagens. .................................................108
Tabela 7-4 - Comparação detalhada dos preços de implementaçõo.....................................................112
Tabela 7-5 - Comparação dos conversores...........................................................................................120
SIMBOLOGIA E ABREVIATURAS
ΔB Fluxo magnético (T)

Δimax Ondulação máximo de corrente (A)
Δimax
'
Amplitude máxima do ripple de entrada com n células em paralelo (A)
Δt Variação de temperatura (ºC)
ρ Resistividade do material (Ωm)
a , b, c , d , e Coeficientes utilizados para cálculo de H(t) - datasheet do núcleo magnético
C , m, n C, Parâmetros de Steinmetz
Aw Área da seção transversal do condutor (m²)
C Capacitor
CA Corrente Alternada
CC Corrente Contínua
CENELEC European Committee for Electrotechnical Standardization
CCM Continuous Conduction Mode
CISPR International Special Committee on Radio Interference
CM Ruído de Modo Comum
cos θ Defasagem entre a tensão e corrente
Cx Capacitor de modo diferencial
Cy Capacitor de modo comum
D Diodos
d (t ) Razão cíclica
DCM Discontinuous Conduction Mode
di / dt Taxa de variação de corrente (A/s)
DM Ruído de Modo Diferencial
dv / dt Taxa de variação de tensão (V/s)
e( k ) Erro
EMI Interferência Eletromagnética
EMC Compatibilidade Eletromagnética
Eoff Energia perdida em uma transição de turn-off (J)
Eon Energia perdida em uma transição de turn-on (J)
Erec Energia perdida na recuperação reversa do diodo (J)
ETSI European Telecommunications Standards Institute
f Freqüência (Hz)
FCC Federal Communications Commission
fC _ CM Freqüência de corte de modo comum (Hz)
Fcc _ perfil Fator de correção do comprimento
fC _ DM Freqüência de corte de modo diferencial (Hz)
Fc _ temp Fator de correção da temperatura
fs Frequência de comutação (Hz)
FP Fator de Potência
H (t ) Força Magnetizante (Oersteds)
I (t ) Corrente variante no tempo (A)
I1 Corrente da fundamental (A)
ic Corrente do capacitor (A)
I ce Corrente de condução da chave semicondutora (A)
iD Corrente do diodo (A)
ID Corrente média do diodo (A)
I D _ pico Corrente de pico do diodo (A)
I D _ rms Corrente eficaz do diodo (A)
I dc Corrente CC (A)
IEC International Electrotechnical Commission
If Corrente direta do diodo (A)
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
I in _ rms Corrente eficaz de entrada (A)
iL Corrente do indutor (A)
Ij Corrente eficaz aplicada ao semicondutor
In Corrente da n-esima harmônico (A)
I rr Corrente de recuperação reversa do diodo (A)
I rms Corrente eficaz (A)
iS Corrente na chave semicondutora (A)
I s _ rms Corrente eficaz da chave semicondutora (A)
L Indutor
Lc Indutância de modo comum (H)
LD Indutância de modo diferencial (H)
le Comprimento médio (m)
LISN Line Impedance Stabilization Network
L perfil Comprimento de dissipador do perfil escolhido (m)
Mp Relação entre a tensão de saída CC e o pico da tensão de entrada CA
N Número de espiras do indutor
n Ordem do harmônico
P Potência ativa na saída do conversor (W)
Pativa Potência ativa (W)
Paparente Potência aparente(W)
PCB Printed circuit board (Placa de circuito impresso)
Pc arg a Potência de carga do conversor
Pcobre Perdas no cobre (W)
Pcond _ chave Potência dissipada de condução da chave semicondutora (W)
Pcond _ diodo Potência dissipada de condução do diodo (W)
PFC Power Factor Correction
Pnuc Perdas no núcleo (W)
Po Potência de saída (W)
Prec _ rev Potência dissipada de recuperação reversa do diodo (W)
Pturn − off Potência dissipada de comutação durante o turn-off (W)
Pturn − on Potência dissipada de turn-on (W)
turn − off Saída de condução
turn − on Entrada em condução
Qrr Energia armazenada na recuperação reversa (C)
R Resistor
RCA Resistência entre o dissipador e o ambiente (ºC/W)
RCD Resistência entre o case (encapsulamento) e o dissipador (ºC/W)
RDA Resistência entre dissipador e ambiente (ºC/W)
Rdc Resistência CC (Ω)
Re Resistência equivalente de entrada (Ω)
RJC Resistência entre a junção e o case (encapsulamento) (ºC/W)
Rm Resistência de carga para a mínima carga desejável
RMS Root Mean Square
Rth _ perfil Resistência térmica do dissipador (ºC/W)
Sw Chave semicondutora principal
S sw Estresse total sobre dispositivo semicondutor
TA Temperatura ambiente (ºC)
Tac Período da forma de onda da entrada (s)
TC Temperatura de case (ºC)
tcond Tempo no qual o semicondutor permanece em condução (s)
TD Temperatura do dissipador (ºC)
th Tempo de hold-up time (s)
THD Total Harmonic Distortion (Distorção Harmônica Total)
TJ Temperatura da junção (ºC)
trr Tempo de recuperação reversa do diodo (s)
Ts Período de comutação (s)
U Fator de utilização dos semicondutores
uc Lei de controle para o modo de condução contínua
ud Lei de controle para o modo de condução descontínua
UPS Uninterrupted Power Source
Vce Queda de tensão do IGBT (V)
Vf Queda de tensão do diodo (V)
Vge Tensão gate-emissor (V)
Vin Tensão de entrada (V)
Vin _ pico Tensão de pico de entrada (V)
Vj Tensão de pico aplicada ao semicondutor
VL Tensão do indutor (V)
Vnuc Volume do núcleo (cm³)
Vo Tensão no barramento CC (V)
Vo _ min Tensão mínima no barramento CC (V)
Vin _ pico Tensão de pico (V)
Vrms Tensão RMS (V)
Wi Comprimento do fio condutor (m)
SUMÁRIO
LISTA DE FIGURAS ................................................................................................................. 10

LISTA DE TABELAS................................................................................................................. 14
SIMBOLOGIA E ABREVIATURAS....................................................................................... 15
Capítulo 1 - Introdução............................................................................................................... 21
1.1 Introdução.............................................................................................................. 21
1.2 Motivação e Justificativa ...................................................................................... 21
1.3 Correção do Fator de Potência.............................................................................. 25
1.4 Objetivos ............................................................................................................... 31
1.5 Organização do trabalho ....................................................................................... 32
Capítulo 2 - Conversor Boost ..................................................................................................... 33
2.1. Introdução.............................................................................................................. 33
2.2. Conversor Boost.................................................................................................... 33
2.3. Modos de Condução do Conversor Boost............................................................ 35
2.3.1 Conversor Boost - CCM ................................................................................ 35
2.3.2 Conversor Boost - DCM ................................................................................ 36
2.4. Etapas de Operação............................................................................................... 37
2.4.1 Etapas de operação - CCM ............................................................................ 37
2.4.2 Etapas de operação - DCM ............................................................................ 38
2.5. Fronteiras de Condução ........................................................................................ 40
2.6. Projeto do Indutor Boost....................................................................................... 42
2.7. Projeto do Capacitor de Saída............................................................................... 42
2.8. Análise da Corrente nos Semicondutores............................................................. 43
2.9. Conclusão .............................................................................................................. 46
Capítulo 3 - Conversor Boost Intercalado................................................................................ 47
3.1. Introdução.............................................................................................................. 47
3.2. Conversor Boost Intercalado ................................................................................ 47
3.3.1 Etapa de Operação - CCM ............................................................................. 51
3.3.2 Etapa de Operação - DCM............................................................................. 52
3.6. Análise da Corrente nos Semicondutores............................................................. 57
3.7. Conclusão .............................................................................................................. 58
Capítulo 4 - Conversor Dual Boost............................................................................................ 59
4.1. Introdução.............................................................................................................. 59
4.2. Conversor Dual Boost........................................................................................... 59
4.3.1 Etapas de Operação - CCM ........................................................................... 62
4.3.2 Etapas de Operação - DCM ........................................................................... 63
4.6. Cálculo da Corrente nos Semicondutores ............................................................ 65
4.7. Conclusão .............................................................................................................. 66
Capítulo 5 - Perdas nos Semicondutores e Componentes Magnéticos.................................. 67
5.1. Introdução.............................................................................................................. 67
5.2. Perdas nos Semicondutores .................................................................................. 67
5.2.1 Perdas por condução ...................................................................................... 67
5.2.2 Perdas por comutação .................................................................................... 68
5.3. Cálculo das perdas ................................................................................................ 68
5.3.1 Perdas por Condução – Chave Semicondutora ............................................. 69
5.3.2 Perdas por Comutação – Chave Semicondutora ........................................... 69
5.3.3 Perdas por Condução – Diodo ....................................................................... 70
5.3.4 Perdas por Comutação – Diodo ..................................................................... 70
5.3.5 Perdas por Comutação – Diodo/Chave semicondutora ................................ 71
5.3.6 Perdas por Condução – Ponte Retificadora................................................... 72
5.4. Projeto do dissipador............................................................................................. 73
5.5. Perdas Magnéticas................................................................................................. 76
5.5.1 Perdas no cobre .............................................................................................. 77
5.6. Conclusão .............................................................................................................. 78
Capítulo 6 - Interferência Eletromagnética.............................................................................. 79
6.1. Introdução.............................................................................................................. 79
6.2. Interferência Eletromagnética............................................................................... 79
6.3. Interferência Eletromagnética Conduzida ............................................................ 81
6.4. Interferência Eletromagnética Conduzida no PFC............................................... 82
6.5. Controle da Emissão do Ruído Eletromagnético Conduzido .............................. 88
6.5.1 Método Preventivo ......................................................................................... 88
6.5.2 Método Corretivo ........................................................................................... 96
6.5.2.1 Filtro de EMI ............................................................................................ 96
6.5.2.2 Projeto do Filtro de EMI........................................................................... 98
6.5.2.3 Separador de Ruído ................................................................................ 101
6.6. Simulação de EMI Conduzida............................................................................ 102
6.7. Conclusão ............................................................................................................ 105
Capítulo 7 - Resultados Experimentais................................................................................... 106
7.1. Introdução............................................................................................................ 106
7.2. Especificações dos protótipos............................................................................. 106
7.3. Especificações dos Dispositivos Semicondutores.............................................. 107
7.4. Simulações dos Conversores .............................................................................. 109
7.5. Análise dos custos de implementação ................................................................ 111
7.6. Resultados Experimentais................................................................................... 113
7.7. Conclusão ............................................................................................................ 120
Conclusões Gerais...................................................................................................................... 122
Referências.................................................................................................................................. 127
Apêndice A - Controle Implementado .................................................................................... 132
Apêndice B - Equacionamento para Cálculo das Perdas nos Semicondutores ................. 137
Apêndice C - Instrumentação Aplicada à Medição das Grandezas.................................... 142
Capítulo 1
INTRODUÇÃO
1.1 Introdução
Nesse capítulo é discutido o tema “correção do fator de potência” bem como os

benefícios de sua aplicação. São apresentados os principais tipos de circuitos ativos utilizados
atualmente, dando maior ênfase às topologias estudadas posteriormente nesse trabalho, ou seja,
o conversor Boost, o conversor Boost Intercalado e o conversor Dual Boost.
1.2 Motivação e Justificativa
Durante muitos anos, as cargas conectadas aos sistemas elétricos constituíam-se

basicamente de elementos passivos, com características lineares, sendo a corrente resultante
na maioria dos casos, atrasada em relação à tensão. Isto acontece devido à predominância de
elementos de natureza indutiva no sistema elétrico, como por exemplo, motores,
transformadores e reatores. Como conseqüência, o fator de potência resultante é baixo, mas
pode ser conduzido a um valor próximo da unidade através da instalação de bancos de
capacitores em paralelo com as cargas, ou seja, correção passiva do fator de potência.
Com o passar dos anos, o mundo tem observado um significativo aumento no número
e na diversidade de cargas elétricas não-lineares, para quase todos os tipos de aplicações. Tais
cargas contribuem para a injeção de elevado conteúdo harmônico de corrente no sistema
elétrico tornando-se um ponto preocupante, pois o fator de potência passou a ser reduzido
também pela distorção da forma de onda da corrente. Esta injeção de harmônicos se deve
principalmente à natureza não-linear das cargas conectadas ao sistema, como por exemplo, os
equipamentos eletrônicos industriais.
Os equipamentos relacionados à tecnologia de informação representam uma fatia
significativa dessas novas cargas, devido principalmente ao grande avanço ocorrido nessa
22
área, englobando cargas como centrais de telefonia fixa e móvel (fontes para Telecom),
equipamentos para informática, como servidores, redes de computadores e fontes
ininterruptas de potência (UPS – Uninterrupted Power Supply).
Muitos dessas cargas requerem alimentação com tensão e corrente contínuas para seu
funcionamento, o que exige algum tipo de condicionamento, mais especificamente a
retificação, no estágio de entrada, para permitir o provimento de energia a partir do sistema
elétrico de tensão alternada. Tal retificação produz uma corrente deformada que degrada
significativamente o fator de potência dos equipamentos em questão, apresentando elevado
conteúdo harmônico de corrente. Isso ocorre nesses casos, devido à utilização de retificadores
passivos a diodos acompanhados de um filtro capacitivo, fazendo com que a rede enxergue a
carga como não-linear. Na Figura 1-1 é mostrado um retificador passivo a diodos em ponte
completa. Já na Figura 1-2-(a) é ilustrado a corrente de entrada utilizando-se a retificação a
diodos, e Figura 1-2-(b) mostra o espectro harmônico desta corrente típica de equipamentos
que utilizam este tipo de retificação.
Figura 1-1 - Estágio de entrada – retificação passivo tradicional.
iin
vin
iin
0 t(s)
1º 3º 5º 7º 9º 11º 13º15º
Harmônicos (n)
(a) Corrente e tensão de entrada (b) Espectro harmônico de corrente
Figura 1-2 - Formas de onda da tensão e corrente e espectro harmônico com retificação passiva.
Como pode ser visto pela Figura 1-2(b) esta situação resulta na injeção de um elevado
conteúdo harmônico de corrente na rede elétrica, o que acarreta uma elevada taxa de distorção
harmônica (THD), e consequentemente, um baixo fator de potência (FP). Mas o que é taxa de
distorção harmônica e fator de potência?
23
Define-se a taxa de distorção harmônica como sendo a relação entre o somatório do

valor eficaz das componentes harmônicas da corrente e de sua componente fundamental [1],
conforme equação (1.1):
⎛1 ∞ ⎞
THDI (%) =⎜
⎜ I1 ∑I n
2
⎟⎟100% (1.1)
⎝ n=2 ⎠
Já o fator de potência é definido como a relação entre a potência ativa e a potência
aparente consumidas por um dispositivo ou equipamento, independente do formato que as
formas de onda de tensão e corrente apresentam, como mostrado na equação (1.2).
1T
Pativa ∫ V (t ).I (t ).dt
FP = =T0 (1.2)
Paparente VRMS .I RMS
Em um sistema com formas de onda senoidais, a equação (1.2) torna-se igual ao

cosseno da defasagem entre as ondas de tensão e de corrente, conforme equação (1.3). Pode-
se ainda expressar o fator de potência em função da THD, conforme equação (1.4).
FP = cos θ (1.3)
cos θ
FP = (1.4)
1 + THD 2
No Brasil, a Agência Nacional de Energia Elétrica – ANEEL estabelece que o fator de
potência nas unidades consumidoras deve ser superior a 0,92 capacitivos durante 6 horas da
madrugada e 0,92 indutivos durante as outras 18 horas do dia. Esse limite é determinado pelo
Artigo nº. 64 da Resolução da ANEEL nº. 456 de 29 de novembro de 2000 [2]. Quem
descumprir esta resolução está sujeito a uma espécie de multa que leva em conta o fator de
potência medido e a energia consumida ao longo de um mês. Por outro lado, ainda não existe
nenhuma legislação para regulamentar os limites dos harmônicos injetados na rede.
Logo, pode-se afirmar que uma elevada taxa da distorção harmônica, e um baixo fator
de potência são indesejados, pois podem produzir alguns efeitos prejudiciais em componentes
do sistema de energia elétrica, conforme mostrado por [3] e listados a seguir:
¾ Motores e geradores:
• Aquecimento devido ao aumento das perdas no ferro e no cobre, afetando a
eficiência e o torque disponível;
• Aumento do ruído audível, quando comparado com alimentação senoidal;
• Presença de harmônicos no fluxo podem produzir alterações no acionamento,
como componentes de torque que atuam no sentido oposto ao da fundamental;
24
• Alguns componentes (por exemplo, 5º e 7º) podem produzir oscilações mecânicas

em sistemas turbina-gerador ou motor-carga, devido a uma possível excitação de
ressonâncias mecânicas.
¾ Transformadores:
• Aquecimento;
• Redução da eficiência devido ao aumento das perdas no ferro e no cobre;
• O efeito das reatâncias de dispersão fica ampliado, uma vez que seu valor aumenta
com a freqüência;
• Maior influência das capacitâncias parasitas (entre espiras e entre enrolamentos)
que podem realizar acoplamentos não desejados e, eventualmente, produzir
ressonâncias no próprio dispositivo.
¾ Cabos de alimentação:
• Em razão do efeito pelicular, que restringe a secção condutora para componentes
de freqüência elevada, os cabos têm um aumento de perdas devido às harmônicas
de corrente;
• Caso os cabos sejam longos e os sistemas conectados tenham suas ressonâncias
excitadas pelas componentes harmônicas, podem aparecer elevadas sobre tensões
ao longo da linha, podendo danificar o cabo.
¾ Capacitores:
• Possibilidade de ocorrência de ressonâncias excitadas pelas harmônicas, podendo
produzir níveis excessivos de corrente e/ou de tensão;
• Como a reatância capacitiva diminui com o aumento da freqüência, tem-se um
aumento nas correntes relativas aos harmônicos presentes na tensão.
¾ Equipamentos eletrônicos:
• Prejudica a instrumentação e a medição de tensão e corrente;
• Alguns equipamentos podem ser muito sensíveis às distorções na forma de onda
de tensão. Por exemplo, se um aparelho utiliza o cruzamento por zero (ou outros
aspectos da onda de tensão) para realizar alguma ação, distorções na forma de
onda podem alterar, ou mesmo inviabilizar, seu funcionamento;
• Caso as harmônicas penetrem na alimentação do equipamento por meio de
acoplamentos capacitivos (que se tornam mais efetivos com o aumento da
freqüência), eles podem também alterar o bom funcionamento do aparelho.
25
No sentido de limitar os níveis de distorção harmônica da corrente injetada à rede

surgem normas reguladoras internacionais. Em 1975 a norma européia EN50006 foi
apresentada pela CENELEC (Commission Européan pour la Normalisaction Eléctrique) e
substituída em 1982 pela IEC (International Electrotechnical commission).
Hoje, os principais padrões são o europeu IEC – 61000-3-2 para equipamentos com
correntes menores de 16 A por fase, e o IEC 61000-3-4 para equipamentos com corrente maiores
de 16 A. Essas normas referem-se às limitações dos harmônicos de corrente injetadas na rede
pública de alimentação. Aplica-se a equipamentos elétricos conectados a uma rede pública de
baixa tensão alternada, de 50 ou 60 Hz, com tensão fase–neutro entre 220 e 240 V. Nesse trabalho
a norma utilizada será a IEC 61000-3-4, [4], já que potência utilizada será de 6 kw, logo a corrente
de entrada é maior que 16 A. A Tabela 1-1 contém os valores máximos das amplitudes dos
harmônicos segundo a norma IEC 61000-3-4. É importante salientar, entretanto, que a norma IEC
61000-3-4 não especifica o fator de potência mínimo, mas sim, as amplitudes máximas dos
harmônicos de corrente, que também influenciam no FP em cargas não lineares.
Tabela 1-1 - Limites das correntes harmônicas da norma IEC 61000-3-4.

Ordem do Corrente Harmônica Ordem do Corrente Harmônica
Harmônico máxima permitida (A) Harmônico máxima permitida (A)
n I n / I1 *% n I n / I1 *%
3 21,6 21 ≥0,6
5 10,7 23 0,9
7 7,2 25 0,9
9 3,8 27 ≥0,6
11 3,1 29 0,7
13 2 31 0,7
15 0,7 ≥33 ≥0,6
17 1,2
19 1,1 Pares ≥8/n ou ≥0,6
* I1 - Corrente fundamental, I n - Componente Harmônico da corrente de ordem “n”.
1.3 Correção do Fator de Potência
A fim de reduzir os níveis de harmônicos na corrente da rede de alimentação e a

adequação com as normas vigentes, que nos proporcionará um alto fator de potência, técnicas
de correção passiva e ativa têm sido largamente exploradas.
26
Circuitos passivos utilizam uma associação de capacitores e indutores e apresentam como

principais vantagens a robustez, alta confiabilidade, insensibilidade a surtos, operação silenciosa,
e a principal e mais óbvia, a não presença de elementos ativos. Entretanto, são pesados e
volumosos, afetam as formas de onda na freqüência fundamental, não possibilitam regulação da
tensão, a resposta dinâmica é pobre, o correto dimensionamento não é simples e alguns circuitos
não podem operar numa larga faixa de tensão de entrada universal (90 a 240 V), [3].
Já as técnicas ativas, por sua vez, podem realizar a correção do fator de potência com
um volume de filtro bem menor. No entanto, são circuitos mais complexos e sempre envolvem
algum tipo de acionamento e sensoriamento.
Podem-se dividir as técnicas ativas em dois tipos: de baixa e de alta freqüência de
comutação. Os circuitos ativos de baixa freqüência de comutação normalmente utilizam apenas
uma comutação por semi-ciclo da rede, por controle de fase, isto é, a chave semicondutora
principal comuta a 120 Hz quando no sistema de 60 Hz. Esse tipo de circuito ativo tem a
vantagem de praticamente eliminar as perdas de comutação nos semicondutores, mas são um
pouco limitados, pois não conseguem atingir a mesma densidade de potência que os circuitos
ativos de alta freqüência proporcionam [5].
Os circuitos ativos de alta freqüência, por sua vez, permitem uma significativa redução
do volume dos seus elementos passivos. Tais circuitos operam a partir da modulação de uma
corrente de entrada, onde a componente fundamental possui uma forma senoidal, seguindo a
tensão de entrada [6], de forma que a tensão e a corrente fiquem em fase, conforme pode ser
visto na Figura 1-3(a). Isso resulta em uma redução nos níveis dos harmônicos de corrente,
Figura 1-3(b), e uma baixa taxa de distorção harmônica.
iin
vin
iin
0 t(s)
1º 3º 5º 7º 9º 11º 13º15º
Harmônicos (n)
(a) Corrente e tensão de entrada (b) Espectro harmônico de corrente
Figura 1-3 - Formas de onda e espectro de um circuito ativo de alta frequência.
Como circuitos ativos de alta freqüência, podem-se citar os conversores estáticos

monofásicos isolados, Flyback, Forward, Half-bridge, Full-bridge, entre outros. Já dentre os
conversores estáticos monofásicos não isolados destacam-se as topologias Buck, Boost, e
27
Buck-Boost. É importante ressaltar que na literatura existem outros conversores, derivados

das topologias acima, que podem ser utilizados para correção de fator de potência. Entre eles
pode-se citar o conversor Boost Intercalado e o Dual Boost, derivados do conversor Boost,
que serão estudados neste trabalho.
Para a escolha da topologia mais adequada, para cada aplicação, vários fatores devem
ser considerados [6], entre eles:
• Necessidade de isolamento: Quando é necessário isolamento elétrico entre a entrada
e a saída do conversor, a topologia utilizada deve proporcionar este isolamento. Em
topologias de dois estágios como a abordada neste trabalho, este isolamento pode ser
proporcionado pelo segundo estágio da fonte.
• Número de componentes: Algumas topologias necessitam de elevado número de
componentes ou um sistema de instrumentação específica, que podem reduzir a confiabilidade
do conversor e/ou elevar seu custo e complexidade.
• Ruído de EMI: Topologias como o conversor Buck, em que a forma de onda da
corrente de entrada é descontínua e interrompida a cada comutação, a interferência
eletromagnética conduzida gerada é consideravelmente maior do que em conversores em que
a corrente de entrada é contínua, como o conversor Boost. Neste aspecto, a topologia utilizada
pode influenciar de forma significativa no volume do filtro de EMI a ser utilizado.
• Nível de tensão: Devido à tensão de entrada ter o formato senoidal, a característica
de elevação de tensão proporcionada pela topologia pode ser vantajosa. Topologias sem esta
característica irão produzir formas de onda de corrente com maiores distorções.
Logo, pode-se dizer que dentre as inúmeras topologias aplicadas à correção de fator de
potência destaca-se o conversor Boost [3], mostrado na Figura 1-4.
Figura 1-4 - Conversor Boost.

Este tipo de conversor tem sido largamente utilizado para a correção do fator de
potência (Power Factor Ccorrection - PFC) devido às inúmeras vantagens, das quais pode-se
citar a simplicidade, reduzido número de componentes, baixo custo, fácil acionamento de sua
chave semicondutora e baixa THD. Além disso, a presença do indutor na entrada proporciona
28
a absorção de variações bruscas na tensão da rede (“spikes”), de modo a não afetar o restante
do circuito, além de facilitar a obtenção da forma desejada da corrente (senoidal).
Como desvantagens desta topologia operando como PFC podem-se salientar o fato
que esta topologia não proporciona uma isolação entre a entrada e a saída. A posição da chave
semicondutora não permite proteção contra curto-circuito na carga ou sobre-corrente. Além
disso, o diodo de alta freqüência do conversor Boost pode produzir perdas elevadas de
comutação devido ao bloqueio em corrente, quando este opera em modo de condução
contínua (CCM), [3]-[8].
Outra desvantagem desta topologia que deve ser destacada são as perdas de condução.
Devido à presença obrigatória de três semicondutores em condução a cada instante (dois
diodos da ponte retificadora de entrada e um dos semicondutores do conversor, chave
semicondutora ou diodo Boost), as perdas por condução podem ser significativas. Além disso,
a chave semicondutora está sujeita a grandes esforços de corrente.
Uma alternativa para este problema do conversor Boost, é a utilização de chaves
semicondutoras adicionais em paralelo, de tal forma que a corrente fique dividida entre elas,
ou ainda, células boost operando em paralelo, conforme mostrado na Figura 1-5. Tal
conversor, conhecido como conversor Boost Intercalado ou interleaved [9] tem como
vantagem a divisão da corrente de entrada entre suas células, diminuindo dessa forma as
perdas e esforços nas chaves semicondutoras. Como desvantagem pode-se citar o elevado
número de componentes e maior complexidade no controle.
Figura 1-5 - Conversor Boost Intercalado operando como PFC.
Como outra alternativa, pode-se citar o conversor Dual Boost [10], mostrado na Figura
1-6. Esta topologia associa retificação e correção do fator de potência em um único estágio de
conversão (CA-CC). Nos conversores Boost e Boost Intercalado isso não ocorre, já que estes
conversores possuem dois estágios, o primeiro responsável pela retificação (CA-CC), e o
segundo responsável pela correção do fator de potência (CC-CC).
Podem-se destacar ainda, como uma das vantagens deste conversor, as reduzidas
perdas de condução. Isso acontece devido ao fato desta topologia apresentar somente dois
29
semicondutores em condução a cada instante. Outra vantagem desta topologia é a eliminação

da ponte retificadora. Por outro lado, o conversor Dual Boost emprega duas chaves
semicondutoras ativas e dois diodos de alta freqüência, o que encarece o conversor.
Figura 1-6 - Conversor Dual Boost operando como PFC.
Portanto, pode-se dizer que cada conversor possui suas vantagens e desvantagens, sendo
somente possível afirmar qual é o mais adequado, dependendo da aplicação para o qual o
mesmo será utilizado. Com isso, esse trabalho de dissertação terá como objetivo mostrar qual é
o mais adequado, dentre os três supracitados, para aplicações de alta potência. Alguns trabalhos
comparativos podem ser encontrados na literatura, como é mostrado a seguir. No entanto,
poucos trabalhos apresentaram uma comparação envolvendo os três conversores.
Enjeti et al em 1993 em [11] e Martinez [10] em 1995 apresentaram uma comparação
dos conversores Boost e Dual Boost operando como PFC. As vantagens do conversor Dual
Boost com relação ao conversor Boost foram discutidas neste trabalho.
Em 1994 Kandianis et al em [12] comparam três conversores utilizados como PFC,
para aplicações de baixas e médias potências, levando-se em consideração os estresses de
comutação, eficiência, complexidade de implementação do controle e número de
componentes. Os conversores estudados foram os conversores Boost, o Dual Boost e o
conversor Quase-ressonante. Conclui-se que para aplicações de baixa potência (<300W) o
conversor Boost é o mais recomendado, considerando os parâmetros de comparação citados
anteriormente. Para aplicações de médias potências (entre 300W a 1 kW) conclui-se que o
conversor Dual Boost apresentou menores perdas em seus semicondutores e uma eficiência
levemente maior que o conversor Boost. Já o conversor Quase-ressonante é utilizado para
baixas potências onde há rigorosas restrições quanto à interferência eletromagnética.
Já em 1998 Wei et al apresentaram em [13] uma análise comparativa de conversores
DC/DC aplicados à correção de fator de potência. Os conversores analisados foram os
conversores Buck, Boost, Buck-boost, Flyback, Foward, Cuk, Sepic e Zeta. O trabalho
apresenta um estudo das topologias citadas operando em modo de condução descontínua,
(DCM). Além disso, foram discutidas as características de cada conversor. Dessa forma,
30
pode-se concluir que os conversores Boost, Flyback e Buck-boost apresentam excelente

capacidade de correção de fator de potência em DCM sem a utilização de uma lei de controle.
Teodorescu et al em 2001 apresentaram em [14] uma comparação de três topologias
de conversores Boost Intercalado. Foi mostrado neste trabalho, que a utilização das técnicas
de intercalamento atenuam algumas das deficiências do conversor Boost, como alta ondulação
de corrente de entrada e esforço de corrente. Da mesma forma, em 2006 Loughlin destacou
em [16] as inúmeras vantagens da utilização da técnica de intercalamento, utilizando-se
células boost operando intercaladamente.
Em 2003 Pandey et al apresentou em [15] uma análise comparativa de cinco
topologias monofásicas operando como PFC. Os conversores comparados foram o conversor
Boost, Dual Boost simétrico e assimétrico, Half-bridge e o conversor VSC (Voltage Source
Converter). É discutido, neste trabalho, o desempenho dos conversores operando como PFC,
bem como suas características determinantes. Dessa forma, conclui-se que o conversor Boost
é o mais indicado em termos de desempenho, eficiência, custo e densidade de potência, sendo
o mais recomendado para muitas aplicações. Sobre o conversor Half-bridge afirmou-se que é
o mais eficiente e com excelente desenpenho. Já o conversor Dual Boost fornece excelente
desempenho e alta eficiência, no entanto, apresenta os maiores custos de implementação e
controle. Para o conversor VSC conclui-se que este tipo de conversor é o mais adequado
quando necessita-se de fluxo de potência bi-direcional com alta eficiência.
Já Haoyi Ye et al em 2004 realizou uma análise comparativa dos conversores Boost e
Dual Boost operando como PFC apresentando a modelagem dos mesmos. Além disso, uma
análise do ruído conduzido de modo comum gerado por estes conversores foi também
apresentada em [17]. Comprovou-se dessa forma, que o conversor Dual Boost apresenta uma
fonte de ruído de modo comum maior do que o conversor Boost.
Seguindo nesta mesma linha de comparação, Huber et al em 2007 apresentou em [18]
uma análise comparativa entre o conversor Boost e Dual Boost analisando a eficiência dos
mesmos. Foi discutido também em suas análises a interferência eletromagnética de modo
comum destes conversores, onde é salientado que o conversor Dual Boost apresenta uma
fonte de ruído maior que Boost.
Dessa forma, o propósito deste trabalho é estudar detalhadamente as três topologias
apresentadas anteriormente, conversor Boost, Boost Intercalado e Dual Boost, operando como
corretores de fator de potência, e realizar uma comparação entre as mesmas. O objetivo será
mostrar qual destas topologias em análise é a mais adequada para aplicações de altas
potências.
31
1.4 Objetivos
O objetivo principal desta dissertação é desenvolver um estudo comparativo de

conversores CA-CC operando como corretores de fator de potência para fontes ininterruptas
de energia. Será realizada a implementação de três conversores da família Boost operando
como pré-reguladores eletrônicos. São eles:
¾ Conversor Boost
¾ Conversor Boost Intercalado
¾ Conversor Dual Boost
A primeira parte deste trabalho se baseia no estudo das três topologias em questão com
o intuito de apresentar as características básicas estruturais de cada topologia, princípios de
funcionamento, bem como suas vantagens e desvantagens. Em seguida, é apresentado o
estudo realizado sobre as perdas nos semicondutores (para projeto do dissipador), perdas dos
magnéticos e a interferência eletromagnética de cada topologia.
A implementação das três topologias será realizada com o intuito de satisfazer as
rígidas normas de regulamentação para UPS quanto à compatibilidade eletromagnética e
harmônicos da corrente de entrada. O controle das topologias é implementado com a
utilização de um microcontrolador de 16 bits. Os conversores operarão em modo de condução
misto, utilizando duas leis de controle, uma para o modo de condução contínua e outra para o
modo de condução descontínua. A seleção dos modos de operação é realizada através da
utilização de um algoritmo de seleção dos modos. A operação em modo misto proporciona
uma baixa THD e um alto fator de potência, conforme analisado por Roggia et. al. em [19].
O estudo comparativo desta dissertação analisa os seguintes critérios:
¾ Volume de dissipadores
¾ Volume dos componentes magnéticos
¾ Perdas nos semicondutores
¾ Perdas dos componentes magnéticos
¾ Taxa de distorção harmônica da corrente de entrada
¾ Interferência eletromagnética conduzida
¾ Número de componentes
¾ Análise de custos
A comparação é realizada com os três conversores operando com a mesma tensão de
entrada, tensão de saída e mesma carga. Todos os conversores deverão apresentar a mesma taxa de
distorção harmônica (THD) com o objetivo de apresentarem, dessa forma, o mesmo filtro de EMI.
32
1.5 Organização do trabalho
Capítulo 1: O capítulo 1 introduz o tema PFC, salientando sua importância e crescente

necessidade de sua utilização, assim como a apresentação das topologias abordadas neste
trabalho, e alguns dos motivos para sua escolha.
Capítulo 2: Nesse capítulo é realizado um estudo do conversor Boost operando como
PFC apresentando suas vantagens e desvantagens para essa aplicação. São apresentadas
também suas etapas de operação e o projeto e dimensionamento de seus elementos passivos e
semicondutores.
Capítulo 3: Nesse capítulo é realizado um estudo do conversor Boost Intercalado
operando como PFC, além de suas vantagens e desvantagens para essa aplicação, da mesma
forma que foi realizada para o conversor Boost no capítulo 3.
Capítulo 4: Nesse capítulo é realizado um estudo do conversor Dual Boost operando
como PFC citando suas vantagens e desvantagens para essa aplicação. É apresentado também
suas etapas de operação e o projeto e dimensionamento de seus elementos.
Capítulo 5: Esse capítulo apresenta as perdas calculadas nos semicondutores para as três
topologias de conversores já mencionadas. São abordadas detalhadamente as perdas na ponte
retificadora, nas chaves semicondutoras e nos diodos Boost para o projeto do dissipador. É
estudado também as perdas nos magnéticos. O capítulo é finalizado com uma comparação das
perdas nos semicondutores e nos componentes magnéticos, bem como o volume dos
dissipadores e magnéticos para as três topologias.
Capítulo 6: Esse capítulo aborda o problema da interferência eletromagnética gerada
nos conversores operando como PFC. São apresentadas as principais fontes geradoras de
ruído e algumas formas de atenuação das mesmas para conformidade com as normas vigentes.
Também são discutidas detalhadamente as etapas de projeto de filtros de EMI.
Capítulo 7: Neste capítulo são apresentados alguns resultados experimentais obtidos
para a validação das comparações realizadas.
Capítulo 2
CONVERSOR BOOST
2.1. Introdução
Esse capítulo apresenta o conversor Boost aplicado à correção do fator de potência.

São apresentadas as vantagens e desvantagens desta topologia, bem como suas características
estruturais. Os modos de condução e de operação deste conversor são também discutidos.
Além disso, são apresentados o projeto do indutor e do capacitor de saída, e uma análise das
componentes eficaz e média nos dispositivos semicondutores para especificação dos mesmos.
2.2. Conversor Boost
Características como simplicidade, alto desempenho e rendimento tornaram o conversor

Boost, ou “conversor elevador”, a topologia mais popular entre os conversores CC aplicados à
correção do fator de potência. Tal conversor é composto por um indutor L (também chamado
indutor Boost), um capacitor de saída C, uma ponte retificadora, uma chave semicondutora S w e
um diodo D (também chamado diodo Boost), como mostrado na Figura 2-1.
Figura 2-1 - Conversor Boost aplicado correção do fator de potência.
Entre as principais vantagens deste conversor, que o tornaram o conversor mais

popular para a correção de fator de potência, pode-se citar conforme [3],[20]-[23]:
¾ Simplicidade, consistindo de apenas um indutor L, um capacitor de saída C, uma ponte
retificadora, uma chave semicondutora e um diodo;
34
¾ Alta eficiência;
¾ Facilidade de projeto e controle;
¾ Baixo custo;
¾ Presença de um filtro inerente, filtro natural de corrente de entrada, o indutor Boost;
¾ Variações bruscas de tensão na rede elétrica não afetem diretamente o barramento CC,
devido à localização do indutor, entre a rede elétrica e o barramento CC;
¾ O indutor conectado na entrada ajuda a atenuar a emissão de ruído de alta freqüência e
facilita a obtenção da forma corrente (senoidal);
¾ Tal topologia proporciona regulação da tensão de saída CC para fator de potência
unitário na entrada e reduzida THD da corrente de entrada;
¾ Adequado para aplicações com entrada universal de tensão (90~260Volts), devido a
característica elevadora de tensão deste conversor;
¾ O fato do capacitor de saída operar em alta tensão permite valores relativamente
menores de capacitância;
¾ Acionamento da chave semicondutora é realizado sem a necessidade de circuitos
isolados, pois a mesma está ligada diretamente ao ponto comum do sistema;
¾ Distorção da corrente de entrada no cruzamento por zero não existe neste conversor.
Como desvantagens desta topologia, podem-se citar, [3], [22]-[26]:
¾ A posição da chave semicondutora não permite proteção contra curto-circuito na carga

ou sobrecorrente;
¾ Em aplicações que requerem isolação o conversor Boost não é recomendado, pois esta
topologia não proporciona isolação entre a entrada e a saída;
¾ Altos níveis de EMI se propagam para a rede elétrica;
¾ Em qualquer instante, três semicondutores estão no fluxo da potência, aumentando
perdas em condução;
¾ Altos esforços de tensão e corrente nos componentes do PFC, tais como a chave
semicondutora, diodo Boost e indutor;
¾ Significativas perdas de recuperação reversa dos diodos rápidos, operando em CCM.
Isso acontece devido ao fato do conversor Boost exigir um diodo de saída que
proporcione uma rápida recuperação e que suporte altas tensões. Logo, em freqüências
de comutação muito elevadas, geralmente estes diodos dissipam perdas significativas
durante sua recuperação reversa. Além disso, na topologia Boost, a corrente de
35
recuperação reversa circula sobre a chave semicondutora resultando em perdas sobre a

mesma;
¾ Geração de interferência eletromagnética devido à recuperação reversa do diodo;
¾ Distorção da corrente de entrada, em modo de condução descontínua, causada pela
capacitância da chave semicondutora. Tal capacitância ressona com o indutor Boost,
resultando em oscilações de alta freqüência. Estas oscilações são uma fonte de
instabilidade para o conversor, causando significativas distorções na corrente de
entrada. Já em CCM esta capacitância causa somente perdas de comutação;
¾ Necessidade de um circuito de partida, que forneça energia ao capacitor de saída antes
de o sistema entrar em funcionamento, pois na partida do conversor, antes dos seus
componentes estarem energizados, a tensão no capacitor C é nula. Se o sistema for
ligado diretamente à rede elétrica, a corrente de partida assumirá valores elevados, que
poderão danificá-lo.
2.3. Modos de Condução do Conversor Boost
Considerando-se um período de chaveamento, onde a tensão de entrada é

aproximadamente constante, a corrente no indutor é aproximadamente triangular. Quando S w
está conduzindo, a corrente no indutor L cresce linearmente. Quando S w é bloqueada, a
corrente no indutor decresce de forma linear. Se a chave semicondutora S w entra em

condução antes da corrente no indutor atingir zero, diz-se que o conversor está operando em
modo de condução contínua (CCM - Continuous Conduction Mode). Se a corrente atinge
zero, antes do próximo período de comutação, diz-se que o conversor está operando em modo
de condução descontínua (DCM – Discontinuous Conduction Mode).
2.3.1 Conversor Boost - CCM
O conversor Boost operando em CCM caracteriza-se pelo fato da corrente instantânea

no indutor sempre ser maior que zero, como mostrado na Figura 2-2. Como características do
conversor Boost operando em CCM podem-se citar, [3], [22]-[26]:
¾ Reduzida ondulação na corrente de entrada;
¾ O filtro de entrada é projetado para atenuar menores níveis de EMI conduzida;
¾ Menores valores de corrente de pico e eficaz quando comparado ao DCM. Dessa
forma, tem-se uma redução das perdas em condução;
36
¾ Apresente uma melhor qualidade na forma de onda da corrente de entrada e com

menores valores de THD se comparado ao modo DCM.
Como desvantagens deste conversor operando em CCM podem-se destacar as perdas
de recuperação reversa do diodo. Além disso, o conversor Boost operando neste modo
apresenta grandes valores de indutância quando comparado ao conversor operando em DCM.
Portanto, pode-se dizer que o conversor Boost operando em CCM, para correção de
fator de potência, possui características que o tornam mais apropriado em sistemas de média
potência (acima de 500 W), como mostrado por [41]
Figura 2-2 - Ondulação de alta freqüência da corrente de entrada em CCM.
2.3.2 Conversor Boost - DCM
O conversor Boost está operando em DCM quando a corrente no indutor decresce e

atinge zero antes do próximo período de comutação, como pode ser visto na Figura 2-3.
Figura 2-3 - Conversor Boost operando em DCM.
A seguir são citadas algumas características do conversor Boost operando em DCM,

[3], [22]-[26]:
¾ Maiores esforços de corrente;
¾ Utilização de valores de indutância menores para garantir que o conversor opere DCM
em toda faixa de carga;
¾ As perdas por recuperação reversa do diodo boost são reduzidas, devido ao bloqueio
do diodo ocorrer sob corrente nula;
¾ Não necessita de malha de corrente, pois a corrente de entrada segue naturalmente a
tensão da rede elétrica;
¾ Elevadas perdas de condução, devido aos altos elevados níveis de corrente;
37
¾ Devido aos altos valores de pico da corrente, o filtro de EMI deve ser projetado para
atenuar elevados níveis de ruído conduzido.
Sendo assim, o nível de aplicação da operação DCM fica limitado a sistemas de baixa
potência, onde as perdas em condução são menos significativas. Logo, recomenda-se a
utilização deste modo de condução para aplicações de até 400 W, como mostrado por [41].
2.4. Etapas de Operação
Nesta seção, são apresentadas as etapas de operação do conversor Boost nos dois
modos de condução, CCM e DCM.
2.4.1 Etapas de operação - CCM
1ª ETAPA: Inicia quando a chave semicondutora S w entra em condução no instante t = 0. O

diodo D é polarizado reversamente, isolando o estágio de saída da fonte de alimentação e L é
curto circuitado, conforme Figura 2-4. A corrente de entrada flui através do indutor L e da
chave semicondutora. Logo a corrente da chave semicondutora é igual a corrente do indutor
( is = iL ) enquanto que a corrente do diodo é zero ( iD = 0 ). Esta etapa termina quando a chave
semicondutora S w é bloqueada. As equações (2.1) e (2.2) mostram a tensão do indutor e a

corrente no capacitor para esta etapa de operação.
Figura 2-4 - Conversor Boost operando em CCM - 1ªetapa de operação.
VL = Vin (t ) (2.1)
Vo
ic = − (2.2)
R
2ª ETAPA: No instante em que a chave semicondutora S w é bloqueada, o diodo D entra em
condução, e a energia armazenada no indutor, na etapa anterior, passa para a carga. A corrente
fluirá agora por L, D, C e pela carga. Nesta etapa, a corrente da chave semicondutora é nula, e
a corrente do diodo é igual a corrente do indutor ( iD = iL ). A corrente no indutor L decresce
até que a chave semicondutora entre novamente em condução. As equações (2.3) e (2.4)
descrevem a tensão no indutor e a corrente no capacitor, e a Figura 2-5 ilustra esta etapa.
38
Figura 2-5 - Conversor Boost operando em CCM - 2ªetapa de operação.
VL = Vin (t ) − Vo (2.3)
Vo
ic = iL − (2.4)
R
Para a obtenção do ganho estático do conversor Boost em CCM deve-se considerar
nula a ondulação da corrente e calcular a componente CC da corrente do indutor, através do
seu valor médio, equação (2.5). Dessa forma, substituindo as equações (2.1) e (2.3) na
equação (2.5) obtém-se a equação (2.6), onde d é a razão cíclica e d ' = (1 − d ) .
1 Ts
Ts ∫
0
VL (t )dt = 0 (2.5)
(Vin )dT + (Vin − Vo )d ' Ts = 0 (2.6)

s
Resolvendo-se a equação (2.6) tem-se a relação entre a tensão de entrada e a tensão de
saída para o conversor Boost operando em CCM, ou ganho estático do conversor. Tal relação é
expressa por (2.7).
Vo 1
= (2.7)
Vin (t ) 1 − d (t )
2.4.2 Etapas de operação - DCM
1ª ETAPA: Esta etapa inicia quando a chave semicondutora S w entra em condução no instante
t = 0. O diodo D é polarizado reversamente. Nesta etapa o indutor L acumula energia
proveniente à fonte de entrada, e o capacitor C alimenta a carga R, como pode ser visto na
Figura 2-6. A tensão no indutor e a corrente no capacitor para esta etapa de operação são as
mesmas descritas na 1ª etapa de operação CCM, (2.1) e (2.2) respectivamente.
Figura 2-6 - Conversor Boost operando em DCM - 1ªetapa de operação.

39
2ª ETAPA: Nesta etapa a corrente da chave semicondutora S w é bloqueada e o diodo D entra

em condução fazendo com que a energia armazenada no indutor na etapa anterior passa para a
carga. A corrente no indutor L decresce até estar totalmente descarregado. A Figura 2-7 ilustra
esta etapa de operação. A tensão do indutor e a corrente do capacitor nesta etapa são descritas
pelas equações (2.3) e (2.4) como mostrado na 2ª etapa de operação CCM.
3ª ETAPA: Esta etapa de operação é representada pela Figura 2-8. Toda a energia armazenada
em L foi transferida à carga na etapa anterior, o diodo D é bloqueado e o capacitor C se
encarrega de alimentar à carga. A tensão no indutor, corrente no indutor e capacitor são
ilustrados pelas equações (2.8), (2.9) e (2.10).
VL = 0 (2.8)
iL = 0 (2.9)
V0
ic (t ) = − (2.10)
R
Da mesma forma que foi obtido o ganho estático do conversor operando em CCM, é
realizada para o DCM. Logo, utilizando a equação (2.5), mas agora considerando o tempo em
que a chave semicondutora e o diodo estão bloqueados, e as equações (2.1), (2.3) e (2.8)
obtém-se o ganho estático para o conversor Boost em DCM, segundo equação (2.11), onde d1
é o tempo de condução da chave semicondutora.
4d12 RTs
1+ 1+
Vo 2L
= (2.11)
Vin 2
40
2.5. Fronteiras de Condução
Para a determinação das correntes de fronteiras de condução para o conversor boost

deve-se assumir que a potência de entrada é igual a potência da saída, e que a relação da
corrente de entrada e da saída pode ser expressa pela equação (2.12).
io
= (1 − d (t )) (2.12)
iin
Por definição, na fronteira de condução, iL atinge zero ao final do período de

chaveamento e o valor médio da corrente do indutor neste modo é dado pela equação (2.13),
onde iLB é a corrente do indutor na fronteira dos modos. A Figura 2-9 mostra a forma de onda
da corrente na fronteira dos modos, conforme mostrado por [27].
TsVo
iLB = d (t )(1 − d (t )) (2.13)
2L
Figura 2-9 - Corrente do indutor na fronteira de condução.
Como a corrente de entrada é a mesma corrente que circula pelo indutor ( iin = iL ), e
com o uso das equações (2.12) e (2.13), pode-se definir a corrente média de saída para a
fronteira dos modos, através da equação (2.14).
TsVo
ioB = d (t )(1 − d (t )) 2 (2.14)
2L
Mantendo-se a tensão de saída do conversor Boost constante, iLB e ioB podem ser
plotados em função da razão cíclica, como mostrado na Figura 2-10.
Figura 2-10 - Correntes de saída e do indutor nas fronteiras dos modos de condução.
41
Pode ser observado na Figura 2-10 que iLB alcança seu valor máximo quando d(t)=0,5.
Logo o valor máximo da corrente do indutor na fronteira dos modos é obtido pela equação
(2.15). Da mesma forma, ioB obtém seu valor máximo quando d(t)=0,333, logo, seu valor
máximo é determinado pela equação (2.16).
TsVo
iLB _ max = (2.15)
8L
TsVo
ioB _ max = 0, 074 (2.16)
L
Na Figura 2-11 d(t) são ilustradas as correntes parametrizadas ioB e iLB em função dos
seus valores máximos para o conversor Boost operando na carga máxima de 6 kW. Já na
Figura 2-12 é plotado a fronteira dos modos de condução com relação io / ioB _ max para
diferentes relações de Vo / Vin . Podem ser observadas as fronteiras dos modos de condução para
o conversor Boost operando na carga máxima.
Figura 2-11 - Correntes parametrizadas para o conversor Boost.
Figura 2-12 - Curva característica da fronteira dos modos de condução, conversor Boost.
42
2.6. Projeto do Indutor Boost
Para circuitos que funcionam como uma fonte de corrente (Boost, Cuk, SEPIC), após a
ponte de diodos é necessário um indutor de entrada para o adequado funcionamento destes
conversores. Se um indutor muito grande é utilizado, a ondulação da corrente na entrada será
pequeno, o que significa menor emissão de EMI conduzida de modo diferencial. Por outro
lado, se diminuir-se o tamanho do indutor Boost, a ondulação da corrente de entrada aumenta,
exigindo maiores dimensões para o filtro de entrada. Dessa forma, deve-se encontrar um
ponto onde nem o volume do indutor de entrada, nem o volume do filtro de EMI de modo
diferencial sejam penalizados.
Logo, o cálculo da indutância do indutor Boost em CCM pode ser obtido pela equação
(2.17), em função da tensão de saída e da máxima ondulação, como mostrado por [28]. Já o
cálculo do número de espiras e seleção do núcleo magnético foi realizado conforme [29].
Vo
L = (2.17)
4 f s Δ im a x
Onde:
Vo : Tensão de saída do conversor;
f s : Frequência de comutação;
Δi
max
: Ondulação máximo de corrente.
Para garantir que o conversor opere somente em CCM, para uma carga mínima
determinada, o valor do indutor deve atender a equação (2.18), conforme mostrado por [30].
RmTs
L> (2.18)
4M p 2
Onde:
Rm : Resistência de carga para a mínima carga desejável;
M p : Relação entre a tensão de saída CC e o pico da tensão de entrada CA.
2.7. Projeto do Capacitor de Saída
A determinação do capacitor de saída pode ser obtida através de dois critérios:

ondulação máximo sobre o capacitor, ou pelo hold–up time, que é o tempo máximo para o
barramento CC atingir o seu valor de regime permanente, após distúrbios de carga.
43
O critério que se utiliza o hold-up time foi o escolhido neste trabalho. Dessa forma, os
outros parâmetros que irão determinar a escolha do capacitor são a potência de saída e a
ondulação máxima no barramento CC. Logo, o valor de C é determinado pela equação (2.19),
como mostrado por [28]:
2 Poth
C= (2.19)
V − Vo2_ min
o
2
Onde:
Po : Potência de saída do sistema;
th : Hold-up time;
Vo : Tensão de saída nominal;
Vo _ min : Tensão mínima do barramento CC.
2.8. Análise da Corrente nos Semicondutores
Devido ao fato dos conversores operarem em modo condução mista neste trabalho, e
em carga máxima, os três conversores operam em CCM, o dimensionamento dos
semicondutores é feito somente para esse modo de condução. Logo, não será apresentado o
equacionamento das correntes das chaves semicondutoras e diodos em DCM. No entanto, tal
equacionamento pode ser visto em [1].
A. Corrente na chave semicondutora
Uma típica forma de onda da corrente na chave semicondutora do conversor Boost é
ilustrada na Figura 2-13. Esta corrente é modulada pela largura do pulso, com ambos, a razão
cíclica e o pico de corrente, variando com a tensão de entrada.
Figura 2-13 - Forma de onda típica da corrente da chave semicondutora do Conversor Boost.
Quando a freqüência de comutação desta chave semicondutora é muito maior que a

freqüência da linha, o valor eficaz da corrente pode ser aproximado como uma integral dupla,
ou seja, o quadrado da corrente é primeiramente integrado para encontrar seu valor médio
sobre um período de comutação. O resultado é então integrado para encontrar o valor médio
sobre o período de linha CA, como mostrado por [1].
44
Dessa forma, o valor eficaz da corrente na chave semicondutora do conversor pode ser
definido através da equação (2.20), onde Tac é o período da forma de onda da entrada. A
integral pode ser expressa como uma soma das integrais sobre todo o período de comutação
em um período da rede de entrada, equação (2.21), onde Ts é o período de comutação.
Tac
I S _ rms = 1
Tac ∫ iS ²(t )dt (2.20)
0
n.Ts
1 Tac / Ts 1
I S _ rms = .Ts ∑ ( ∫ iS ²(t ).dt ) (2.21)
Tac n =1 Ts ( n −1)Ts
A quantia dentro dos parênteses da equação (2.21) é o valor médio de iS2 sobre um
período de comutação. O somatório pode ser aproximado por uma integral no caso em que Ts é
muito menor que Tac . Esta aproximação corresponde a tomar o limite com Ts tendendo a zero,
conforme equacionamento a seguir.
1 ⎡ Tac / Ts 1 n.Ts
⎤ 1 Tac ⎡ 1 t +Ts ⎤
I S _ rms = lim ⎢T ∑ ( ∫ iS ²(τ )dτ ⎥ = ∫0 ⎢ ∫ iS ²(τ )dτ dt ⎥ = iS ²(T )
Tac Ts →0 ⎣ s n =1 Ts ( n −1)Ts ⎦ Tac ⎣ Ts t ⎦
Ts
Tac
Assim iS2 (t ) é a primeira média sobre um período de comutação. O resultado é então a

média sobre o período do sinal de entrada. Para o conversor Boost, a corrente na chave
semicondutora iS (t ) é igual a corrente de entrada quando a chave semicondutora está em
condução, e igual a zero quando a chave semicondutora está bloqueada. Logo, o valor médio
de iS2 (t) sobre um período de comutação é representado pela equação (2.22).
1 t +Ts
iS ² = .∫ iS ²(t ).dt (2.22)
Ts
Ts t
Se a tensão de entrada é dada pela equação (2.23), então a corrente de entrada é
expressa pela equação (2.24), onde Re é a resistência equivalente de entrada do conversor.
Vin (t ) = Vin _ pico sin ω.t (2.23)
Vin _ pico
iin (t ) = sin ω.t (2.24)
Re
A razão cíclica da chave semicondutora, d(t), obtida pela equação (2.7) pode ser expressa
de forma diferente com a substituição do valor de Vin por (2.23), obtendo-se a equação (2.25).
Vin _ pico
d (t ) = 1 − sin ω.t (2.25)
Vo
45
Substituindo a equação (2.24) e (2.25) em (2.22) tem-se a equação (2.26), e agora,

substituindo (2.26) em (2.20) tem-se a equação (2.27), que simplificando, e integrando
Tac
somente em um período de meio ciclo de rede , já que a corrente se repete no semi-ciclo
2
positivo, resulta-se na equação (2.28).
Vin2_ pico Vin _ pico
iS ² T = 2
(1 − sin ωt ) sin ²(ωt ) (2.26)
s R
e Vo
2
1 Tac Vin _ pico Vin _ pico
I S _ rms = ∫0 2
(1 − sin ωt ) sin ²(ωt )dt (2.27)
Tac Re Vo
2
1 Vin _ pico π Vin _ pico
I S _ rms = ∫0 [(sin ²(ωt ) − sin ³(ωt )]dt (2.28)
π Re 2
Vo
Resolvendo a equação (2.28) tem-se que a corrente eficaz na chave semicondutora é

representada pela equação (2.29), onde I in _ rms é a corrente eficaz de entrada.
8 Vin _ pico
I S _ rms = I in _ rms 1 − (2.29)
3π Vo
Seguindo os mesmos passos apresentados anteriormente, mas agora para a corrente

média na chave semicondutora, obtém-se a equação (2.30).
2 2 π Vin _ pico
I = I in _ rms (1 − ) (2.30)
s π 4 Vo
B. Corrente no diodo
Da mesma forma que foi realizado o equacionamento da corrente na chave
semicondutora, obtém-se a corrente eficaz e média do diodo conforme equações (2.31) e (2.32).
16 Vo
I D _ rms = I dc (2.31)
3π Vin _ pico
I D = I dc (2.32)
C. Corrente na ponte retificadora
Corrente média em cada diodo da ponte retificadora pode ser dada pela equação (2.33)
e sua corrente eficaz é calculada pela equação (2.34).
2
ID = I in _ rms (2.33)
π
2
I D _ rms = I in _ rms (2.34)
2
46
A corrente de pico nos diodos da ponte retificadora é a corrente de pico de entrada

acrescida do ondulação da corrente, equação (2.35).
I D _ pico = I in _ rms 2 + ΔI (2.35)
É útil comparar o estresse total dos semicondutores e o fator de utilização dos mesmos.
Em um bom projeto, a tensão e corrente aplicada aos semicondutores é minimizada, enquanto
que a potência de carga deve ser maximizada. Logo, se um conversor contém k dispositivos
semicondutores, o estresse total sobre estes dispositivos é calculado pela equação (2.36), onde
V j é a tensão de pico aplicada ao semicondutor, e I j é a corrente eficaz. Dessa forma, o fator
de utilização do semicondutor pode ser expresso pela equação (2.37), onde Pc arg a é a potência
de carga do conversor, conforme [1].

k
S sw = ∑ V j I j (2.36)
j =1
Pc arg a
U= (2.37)
S sw
2.9. Conclusão
Este capítulo apresentou o conversor Boost aplicado à correção de fator de potência.

Foram discutidas as suas vantagens e desvantagens operando como PFC. Os modos de
condução deste conversor foram também apresentados, bem como as suas etapas de operação.
Além disso, foram descritos o projeto do indutor e do capacitor, além das estimativas das
correntes nos dispositivos semicondutores para o correto dimensionamento.
Pode-se dizer, que devido a sua simplicidade, reduzido número de componentes, o que
resulta em um baixo custo para implementação, e alto rendimento fazem do conversor Boost
um bom candidato para a correção do fator de potência. Além disso, pode-se dizer que para
aplicações de alta potência é recomendado a operação em CCM, e para baixas potências o
modo DCM.
Capítulo 3
CONVERSOR BOOST INTERCALADO
3.1. Introdução
Esse capítulo apresenta o conversor Boost Intercalado aplicado à correção de fator de

potência. Da mesma forma que o capítulo anterior, é apresentado as vantagens e desvantagens
desta topologia e algumas das suas características estruturais. As etapas de operação para o
conversor operando com duas células intercaladas são também discutidas. Para finalizar o
projeto do indutor e do capacitor de saída são apresentados. Novamente a análise da corrente
eficaz e média nos dispositivos semicondutores para especificação dos mesmos é apresentada.
3.2. Conversor Boost Intercalado
Em função da constante necessidade de processamento de energia elétrica em

potências cada vez mais elevadas, os dispositivos semicondutores têm evoluído muito nas
últimas décadas, especialmente na tentativa de superar os níveis de quilo-volts (kV) e quilo-
ampéres (kA) processados individualmente por tais dispositivos. Entretanto, os dispositivos
para altas potências são normalmente caros e de difícil acesso para elaboração de projetos.
Dessa forma, uma prática comum dos projetistas é a associação de dispositivos
semicondutores de baixo custo, fácil acesso e confiáveis.
Neste contexto, para aplicações com tensões elevadas é comum o uso de associações
série de componentes e, para aplicações com correntes elevadas, a associação de componentes
em paralelo. A Figura 3-1 mostra um conversor Boost operando com duas chaves
semicondutoras em paralelo. Além de aumentar a capacidade de corrente do conversor tem-se a
redução das perdas devido a divisão da corrente entre as chave semicondutoras.
48
No entanto, podem-se extrair mais vantagens do conversor se, além de colocarmos

chaves semicondutoras em paralelo, utilizarmos células Boost em paralelo, trabalhando de
forma intercalada, conforme Figura 3-2.
Figura 3-1 - Conversor Boost com duas chave semicondutoras semicondutoras em paralelo.
Figura 3-2 -Conversor Boost com duas células em paralelo.
A associação em paralelo de estruturas foi proposta originalmente em [9], sendo

denominada de técnica de intercalamento (“interleaving”). Tal técnica consiste na distribuição da
potência entre conversores Boost, conhecidos como células Boost, conectados em paralelo e
operando com a mesma freqüência de conversão, mas com intervalos de comutação defasados
entre si. Este fato permite a divisão da corrente entre os semicondutores principais da estrutura.
A técnica pode ser ampliada para um número ilimitado de elementos, sincronizando-se
todos os pulsos de comando como mostrado por [31].
Esta associação de intercalamento, em conjunto com a defasagem, apresenta uma
redução na amplitude da ondulação da corrente de entrada e uma elevação na freqüência da
ondulação, como pode ser visto na Figura 3-3.
Figura 3-3 - Correntes nos indutores (iL1 e iL2) e corrente de entrada (iin) do Boost Intercalado.
49
Essa redução na amplitude da ondulação da corrente e elevação da sua freqüência têm

inúmeras vantagens. A seguir são descritas algumas dessas vantagens segundo [16]-[31]:
¾ Redução dos esforços de corrente sobre os dispositivos semicondutores;
¾ Redução nas exigências de filtragem e redução nos níveis de EMI;
¾ Redução de perdas por condução;
¾ Redução no tamanho do conversor (redução no filtro de entrada);
¾ Redução na dissipação térmica;
¾ Redução do volume do indutor, permitindo a redução da indutância;
¾ Significativa redução da distorção harmônica e aumento da eficiência;
¾ Aumento da capacidade de processamento de energia.
Outra vantagem no uso do intercalamento de células é que se pode aumentar
efetivamente a freqüência de comutação sem aumentar as perdas nas chaves semicondutoras.
Os benefícios óbvios são o aumento na densidade de potência sem penalidade de reduzir
eficiência de conversão de potência.
Além disso, o uso desta técnica também possibilita a melhoria em outros aspectos
importantes, tais como aumento na segurança dos sistemas eletrônicos, confiabilidade, maior
tolerância a falhas e redução na manutenção.
Devido às inúmeras vantagens desta técnica, o intercalamento de conversores de
potência tem sido originalmente empregado em aplicações de altas potências, visto que a
corrente através das chaves semicondutoras é uma fração da corrente de entrada, [38]-[39].
A redução da corrente eficaz, devido à diminuição da amplitude de ondulação, reduz o
aquecimento causado pelas perdas na resistência série equivalente do capacitor, reduzindo
esforços sobre o mesmo, e com isso tem-se uma redução da capacitância do barramento [38].
Outro fato relevante é o fato do capacitor de saída operar em alta tensão ( Vo > Vin ) permitindo
o uso de valores relativamente menores de capacitância.
Pode-se ainda ser citado como vantagem o fato desta topologia não necessitar de
drives isolados para acionamento das chaves semicondutoras, pois o gate das mesmas são
referenciadas ao mesmo ponto, que é o terra do conversor.
Como desvantagens desta topologia podem-se ser citados, [39]-[42]:
¾ A posição das chaves semicondutoras não permite proteção contra curto-circuito;
¾ Esta topologia não permite isolação entre os terminais da entrada e da saída;
¾ Há necessidade de uso de um circuito extra para limitar a corrente de inrush;
¾ Há sempre quatro semicondutores no caminho principal da corrente nesta topologia;
50
¾ Aumento na complexidade do circuito se comparado com Boost;

¾ Apresenta maior número de componentes com adição de chaves semicondutoras,
circuitos de comando, diodos rápidos, sensores de corrente e indutores, aumentando os
custos de implementação desta topologia se comparada com o Boost;
¾ Uma maior complexidade do controle desta topologia, pois o mesmo deve assegurar a
equalização da corrente através das células Boost intercaladas.
Outra característica negativa desta topologia é a distorção da corrente de entrada, em
DCM, causada pela influência da capacitância das chaves semicondutoras como acontece com
o conversor Boost.
Além disso, esta topologia exige a necessidade de um diodo de saída que proporcione
uma rápida recuperação e que suporte estas elevadas tensões, como acontece no conversor
Boost. Isto acarreta em elevadas perdas tanto sobre a chave semicondutora quanto sobre o
próprio diodo. Na chave semicondutora tem-se grandes picos de corrente (spikes) na entrada
em condução, causando elevadas perdas de turn-on além do diodo sofrer elevadas perdas de
turn-off. Ainda, pode-se salientar outro problema causado pela recuperação reversa do diodo,
a geração de interferência eletromagnética.
Em relação aos magnéticos pode-se dizer que o intercalamento proporciona a diminuição
do volume dos mesmos devido à divisão da corrente entre as células. Entretanto o intercalamento
resulta no aumento do número de indutores se comparado com o Boost. Como solução para isso,
alguns trabalhos como [39] e [40] propõem o uso de componentes magnéticos acoplados,
integrados, o que proporciona uma redução no número de núcleos e nas perdas nos magnéticos.
Resumindo, a conversão de potência empregando estruturas intercaladas tem sido
explorada em aplicações de elevadas potências, onde o sistema adquire a vantagem da
redução da ondulação e uma distribuição de potência entre as células das topologias
conectadas em paralelo. Embora a distribuição de potência processada entre as células seja
por si só um importante objetivo, os benefícios proporcionados pela redução da ondulação
justificam a utilização das técnicas de intercalamento nas mais diversas aplicações.
Para o entendimento das etapas de operação do conversor Boost Intercalado, deve-se

levar em consideração o valor da razão cíclica nas chaves semicondutoras, conforme
mostrado por [41]. Logo, na próxima seção, são apresentado as etapas de operação para o
conversor com duas células intercaladas, com uma defasagem de 180° entre si.
51
3.3.1 Etapa de Operação - CCM
As chaves semicondutoras podem estar em quatro estados diferentes de operação neste

conversor dependendo do valor da razão cíclica. Na Figura 3-4 são ilustrados os sinais de
comando das chaves semicondutoras para d(t) ≥ 0,5 e d(t) ≤ 0,5.
S1 S1
S2 S2
1 2 3 4 1 2 3 4
(a) d(t) ≥ 0,5 (b) d(t) ≤ 0,5.

Figura 3-4 - Sinais de comando das chave semicondutoras.
As etapas de operação para d(t) ≥ 0,5 são:

1ª ETAPA: S w1 e S w 2 em condução (Figura 3-5.a);
2ª ETAPA: S w1 em condução e S w 2 bloqueada (Figura 3-5.b);
3ª ETAPA: novamente, S w1 e S w 2 em condução (Figura 3-5.c);
4ª ETAPA: S w1 bloqueada e S w 2 em condução (Figura 3-5.d);
(a) 1ª etapa de operação (b) 2ª etapa de operação
(c) 3ª etapa de operação (d) 4ª etapa de operação
Figura 3-5 - Etapas de operação do Boost Intercalado em CCM na região onde d(t) ≥ 0,5.
As etapas de operação para d(t) ≤ 0,5 são:

1ª ETAPA: S w1 em condução e S w 2 bloqueada (Figura 3-6.a);
2ª ETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas (Figura 3-6.b);
3ª ETAPA: S w1 em condução e S w 2 bloqueadas (Figura 3-6.c);
4ª ETAPA: novamente, S w1 e S w 2 bloqueadas (Figura 3-6.d);

52
Figura 3-6 - Etapas de operação do Boost Intercalado em CCM na região onde d(t) ≤ 0,5.
3.3.2 Etapa de Operação - DCM
As etapas de operação para d(t) ≥ 0,5 são:

Nesta região, em DCM, têm-se seis etapas de operação, conforme descritas a seguir:
1ª ETAPA: S w1 e S w 2 em condução (Figura 3-7.a);
2ª ETAPA: S w1 em condução e S w 2 bloqueadas (Figura 3-7.b);
3ª ETAPA: S w1 em condução, S w 2 bloqueadas e um indutor descarregado (Figura 3-7.c);
4ª ETAPA: novamente, S w1 e S w 2 em condução (Figura 3-7.d);
5ª ETAPA: S w1 bloqueada e S w 2 em condução (Figura 3-7.e);
6ª ETAPA: S w1 bloqueada, S w 2 em condução e o outro indutor descarregado (Figura 3-7.f)

53
(e) 5ª etapa de operação (f) 6ª etapa de operação

Figura 3-7 - Etapas de operação do Boost Intercalado em DCM na região onde d(t) ≥ 0,5.
As etapas de operação para d(t) ≤ 0,5 são:

Para a região onde d(t) ≤ 0,5 tem-se três modos distintos de operação conforme segue-se:
Primeiro modo:
1ª ETAPA: S w1 em condução, S w 2 bloqueada e um indutor descarregado (Figura 3-8.a);
2ª ETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas com o indutor ainda descarregado (Figura 3-8.b);
3ªETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas e ambos os indutores descarregados. O capacitor fornece

energia à carga (Figura 3-8.c);
4ª ETAPA: novamente um indutor está descarregado, S w1 bloqueada, S w 2 em condução com o
capacitor ainda fornecendo energia à carga (Figura 3-8.d);
5ª ETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas, porem um indutor já possui carga (Figura 3-8.e);
6ª ETAPA: repete-se a 3ª etapa (Figura 3-8.f);

Figura 3-8 - Etapas de operação do Boost Intercalado em DCM na região onde d(t) ≥ 0,5.
54
Segundo modo:
2ª ETAPA: S w1 em condução e S w 2 bloqueada com um indutor descarregado (Figura 3-9.b);
3ª ETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas com o indutor ainda descarregado (Figura 3-9.c);
4ª ETAPA: S w1 bloqueada, S w 2 em condução (Figura 3-9.d);
5ª ETAPA: S w1 bloqueada, S w 2 em condução, com outro indutor descarregado (Figura 3-9.e);
6ª ETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas, e um dos indutores descarregados (Figura 3-9.f);
Figura 3-9 - Etapas de operação do Boost Intercalado em DCM na região onde d(t) ≤ 0,5.
Terceira Etapa:
2ª ETAPA: S w1 e S w 2 bloqueada (Figura 3-10.b);
3ªETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas com um indutor descarregado (Figura 3-10.c);
4ª ETAPA: S w1 bloqueada, S w 2 em condução (Figura 3-10.d);
5ª ETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas (Figura 3-10.e);
6ª ETAPA: S w1 e S w 2 bloqueadas, e um dos indutores descarregados (Figura 3-10.f);

55
Figura 3-10 - Etapas de operação do Boost Intercalado em DCM na região onde d(t) ≤ 0,5.
Logo, pode-se perceber que o funcionamento do conversor Boost Intercalado é idêntico

ao conversor Boost com a diferença da defasagem entre suas células. Com isso, pode-ser dizer
que o ganho estático é o mesmo do conversor Boost já apresentado pela equação (2.7) para o
modo CCM e a equação (2.11) para o modo DCM.
Da mesma forma, a fronteira dos modos de condução do conversor Boost Intercalado,
mostrada na Figura 3-11, foi obtida seguindo os mesmos passos descritos no capítulo 2.
Figura 3-11 - Fronteira dos modos de condução para o conversor Boost Intercalado.
56
Em um conversor com n células intercaladas, à redução da ondulação da corrente de

entrada é inversamente proporcional ao número de células em paralelo. Sendo assim, para
sistemas com mesma amplitude de ondulação da corrente, os indutores do conversor podem
ser dimensionados para uma amplitude de ondulação n vezes maior. Logo, como mostrado em
[41] a indutância do conversor Boost pode ser definida pela equação (3.1).
TsVin sen( wt )d (t )
L= (3.1)
Δimax
Onde:
Δimax : Amplitude máxima da ondulação da corrente de entrada;
Ts : Período de comutação das chaves semicondutoras;
Vin sen( wt ) : Tensão de entrada;

d(t): Razão cíclica aplicada na chave semicondutora.
Por outro lado, no projeto dos indutores do conversor com n células em paralelo
segue-se a equação definida por (3.2).
T ' sVin sen( wt )d (t )
Ln = (3.2)
Δi 'max
Onde:
Δimax
'
: Amplitude máxima da ondulação de entrada com n células em paralelo;
Ts' : Período de comutação das n chaves semicondutoras.

Como a razão cíclica aplicada as chave semicondutoras é a mesma, tanto no conversor
Boost como no conversor Intercalado, da mesma forma que a tensão de entrada, pode-se
igualar as equações (3.1) e (3.2) conforme equacionamento a seguir.
LΔimax Ln Δi 'max
=
Ts Ts '
Como se deseja que ambos os conversores possuam a mesma característica na
ondulação da corrente de entrada, o período de comutação das células do conversor Intercalado
será n vezes menor que o período de comutação do conversor Boost, equação (3.3).
Ts = nTs ' (3.3)
Por outro lado, a especificação da amplitude máxima da ondulação nos indutores do
conversor Intercalado será menos rígida que a especificação da ondulação no indutor do
conversor Boost. Especificando uma amplitude máxima de ondulação de uma unidade no
57
conversor Boost, a amplitude de ondulação no conversor Boost Intercalado será n vezes a

unidade, equação (3.4).
Δi 'max = nΔimax (3.4)
A partir do exposto, pode-se concluir que a relação entre a indutância do conversor
Boost e a indutância das células do conversor Intercalado será igual a um, como pode ser visto
no equacionamento a seguir.
Ts ' Δimax nTs Δimax
Ln = = =1
Ts Δi 'max nTs Δimax
Apesar dos valores das indutâncias serem as mesmas nos dois sistemas, não se pode
afirmar que os volumes dos indutores serão os mesmos, já que no conversor Boost toda a
corrente de entrada flui pelo indutor, enquanto que no conversor Boost Intercalado, a corrente
será dividida entre as células do sistema.
O projeto do capacitor de saída, para o conversor Boost Intercalado, continua sendo o

mesmo do conversor Boost, já que os parâmetros de projeto, Vo e Po , são independentes do
número de células ligadas intercaladamente. Dessa forma, o projeto do capacitor de saída para
o conversor Boost Intercalado é realizado através da equação (2.19).
3.6. Análise da Corrente nos Semicondutores
A. Corrente na Chave semicondutora

O cálculo da corrente em cada chave semicondutora e cada diodo Boost, para o
conversor Boost Intercalado operando em CCM, é obtido da mesma forma que foram
realizadas para o conversor Boost. A única diferença é que se deve inserir um parâmetro de
divisão nas equações “n”, que é o número de células Boost intercaladas. Logo, a equação
(3.5) determina a corrente eficaz em cada chave semicondutora e a equação (3.6) a corrente
média.
I in _ rms 8 Vin _ pico
I S _ rms == 1− (3.5)
n 3π Vo
I in _ rms 2 2 π Vin _ pico

Is = (1 − ) (3.6)
n π 4 Vo
58
B. Corrente no Diodo
Da mesma forma que foi realizado o equacionamento para a chave semicondutora,
pode-se fazer para verificar a corrente eficaz e média do diodo. Logo, a equação (3.7)
representa a corrente eficaz do diodo Boost para o conversor Boost Intercalado e a equação
(3.8) a corrente média.
I dc 16 Vo
I D _ rms = (3.7)
n 3π Vin _ pico
I dc
ID = (3.8)
n
C. Corrente na Ponte Retificadora
O cálculo da corrente média e eficaz em cada diodo da ponte retificadora do conversor
Boost Intercalado é o mesmo que do Boost, pois a corrente de entrada para os dois
conversores é a mesma.
3.7. Conclusão
Neste capítulo apresentou-se o conversor Boost Intercalado com duas células

defasadas de 180º entre si aplicado à correção de fator de potência. Foram discutidos suas
vantagens e desvantagens. Além disso, foram descritas detalhadamente as etapas de operação
deste conversor operando em CCM e DCM. Para finalizar, foi mostrado o projeto do indutor e
capacitor, além das estimativas das correntes nos dispositivos semicondutores para o correto
dimensionamento.
Além disso, pode-se concluir que o intercalamento das células Boost, operando com
uma defasagem entre si, proporciona grandes vantagens. Dentre as inúmeras vantagens
destaca-se a redução da amplitude da ondulação da corrente de entrada, elevação da sua
freqüência e a redução dos esforços de corrente sobre os dispositivos semicondutores (chave
semicondutora e diodo Boost), além de outras vantagens citadas neste capítulo. Dessa forma,
pode-se dizer que o conversor Boost Intercalado é um bom candidato para aplicações de alta
potência na correção do fator de potência.
Capítulo 4
CONVERSOR DUAL BOOST
4.1. Introdução
Nesse capítulo é apresentado o conversor Dual Boost aplicado à correção de fator de

potência. Novamente são discutidas as vantagens e desvantagens desta topologia bem como
suas características estruturais. São apresentadas as etapas de operação deste conversor nos
modos de condução contínua e descontínua. Da mesma forma como foi apresentado
anteriormente para os outros conversores, o projeto do indutor, do capacitor de saída, e a
análise da corrente eficaz e média nos dispositivos semicondutores para especificação dos
mesmos é apresentado.
4.2. Conversor Dual Boost
Como uma das alternativas para superar algumas das desvantagens do conversor
Boost, o conversor Dual Boost (também conhecido como Bridgeless ou Semi-Boost
simétrico), mostrado na Figura 4-1, foi proposto como um forte candidato. Tal topologia
combina retificação e correção do fator de potência, com a grande vantagem da eliminação da
ponte retificadora, sendo substituída pelos diodos intrínsecos das chaves semicondutoras [10].
Isso faz com que a qualquer instante, somente dois semicondutores estejam no fluxo da
potência, reduzindo as perdas, conforme mostrado em [10] e [18].
Figura 4-1 - Conversor Dual Boost.

60
Outro fato determinante que faz com que esta topologia apresente uma redução nas
perdas nos semicondutores, é o fato de que somente uma chave semicondutora opera a cada
semi-ciclo da tensão de entrada do conversor. Dessa forma a corrente eficaz nas chaves
semicondutoras é menor, logo há uma redução dos esforços de corrente sobre as chaves
semicondutoras. Isso acarreta em um menor aquecimento das mesmas e menores perdas [43].
Como principais características desta topologia, podem-se citar ainda [43]-[46]:
¾ Alta eficiência;
¾ Aplicável para maiores níveis de potência em comparação ao Boost;
¾ Exige satisfatória regulação de tensão para variação de carga, logo é adequado para
aplicações onde ocorre significativa variação de carga;
¾ A dinâmica deste conversor é similar ao conversor Boost monofásico;
¾ As chaves semicondutoras são referenciadas ao mesmo ponto, logo, podem ser
acionadas sem a necessidade de circuitos isolados;
¾ A posição das chaves semicondutoras não permite proteção contra curto-circuito.
¾ Adição de uma chave semicondutora, um circuito de comando, um diodo rápido,
entretanto, tem-se a vantagem da eliminação da ponte retificadora;
¾ Adição de custos e complexidade no controle se comparado ao Boost;
¾ Complexidade na aquisição das variáveis (tensão de entrada, tensão de saída e corrente);
¾ Em aplicações que requerem isolação o conversor Dual Boost não é recomendado,
pois esta topologia não proporciona isolação entre a entrada e a saída;
¾ Necessidade de uso de um circuito extra para limitar a corrente de inrush.
Além disso, pode-se destacar ainda a característica elevadora de tensão deste
conversor, da mesma forma que o conversor Boost. Logo é adequado para aplicações com
entrada universal de tensão (90~260Volts). Além disso, pode-se destacar o fato do capacitor
de saída operar em alta tensão (a tensão de saída é maior do que o pico da tensão de entrada,
Vo > Vin ), permitindo dessa forma valores relativamente menores de capacitância.
A localização do indutor no lado CA é outra característica desta topologia [10], a qual

contribui na redução das interferências EMI conduzidas, localizado tanto na entrada positiva ou
negativa da fonte, ou em ambos com um indutor acoplado. Independente da configuração do
indutor, o desempenho do conversor será o mesmo. Por outro lado, a localização na entrada
positiva ou negativa ajuda na redução de ruído de modo diferencial, enquanto que o indutor
acoplado atua tanto sobre o ruído de modo comum quanto no ruído de modo diferencial [17].
Pode-se destacar ainda, como uma das maiores desvantagens deste conversor, a
presença de uma grande fonte de ruído conduzido de modo comum, como mostrado por [17] e
61
[18]. Isso ocorre devido ao fato do terra de saída do conversor Dual Boost estar conectado ao
terra da fonte CA somente no semi-ciclo positivo através do diodo da chave semicondutora
S w2 , resultando em uma diferença de potencial entre o terra da fonte e o terra da carga igual a
zero. Por outro lado, durante o semi-ciclo negativo, o terra de saída é pulsante em relação à
fonte CA com uma alta freqüência e com uma amplitude igual a tensão de saída, conforme
Figura 4-2. Nos conversores Boost e Boost Intercalado isso não ocorre, pois o terra de saída
está sempre conectado a fonte CA através do diodo D4 e D3 da ponte retificadora.
Figura 4-2 - Diferença de potencial entre o terra da fonte e o terra da carga.
Esta tensão pulsante de alta freqüência carrega e descarrega as capacitâncias parasitas

equivalentes entre o terra de saída e o terra de entrada da linha, resultando em significativo
aumento do ruído de modo comum. Esta fonte de ruído de modo comum resulta em alguns
problemas na aquisição das variáveis necessárias para o controle desta topologia.
Em [18] é proposto uma alternativa para redução desta fonte de ruído de modo comum
através da modificação desta topologia, para sempre proporcionar um caminho de baixa
impedância entre a fonte CA e o terminal negativo de saída. Entretanto, o uso desta técnica
acarreta em uma elevação dos custos de implementação, logo, o uso de outras técnicas de
redução de ruído de modo comum são mais viáveis, como a utilização de filtros.
Pode-se salientar ainda, como característica negativa desta topologia e também
presente nos outros dois conversores já discutidos, as significativas perdas de recuperação
reversa dos diodos rápidos utilizados e a geração de interferência eletromagnética conduzida.
Resumindo, a eliminação da ponte retificadora leva a uma redução do número de
semicondutores no fluxo da potência, resultando em menores nas perdas nos mesmos. Além disso,
outras vantagens fazem desta topologia uma boa solução como PFC em aplicações de alta potência.
As etapas de operação do conversor Dual Boost em CCM e DCM são descritas nesta
seção. Como mostrado por [10] e [47] e ilustrado pela Figura 4-3, este conversor se comporta,
tanto no semi-ciclo positivo quanto no semi-ciclo negativo da rede, como o conversor Boost.
62
(a) Conversor Dual Boost – Semi-ciclo positivo. (b) Conversor Dual Boost – Semi-ciclo negativo.
Figura 4-3 - etapas de operação do conversor Dual Boost.
4.3.1 Etapas de Operação - CCM
Semi-ciclo Positivo:
1ª ETAPA: Inicia quando a tensão de entrada é positiva e a chave semicondutora S w1 é
colocada em condução e o diodo D1 é polarizado reversamente. A energia armazenada no

capacitor é fornecida a carga, conforme Figura 4-4. A corrente flui através do indutor e da
chave semicondutora S w1 e através do diodo antiparalelo da chave semicondutora S w 2 . Esta
etapa termina quando a chave semicondutora é bloqueada.
Figura 4-4 - Conversor Dual Boost em CCM, 1ª etapa, semi-ciclo positivo.
2ª ETAPA: Ainda no semi-ciclo positivo, porém com as chaves semicondutoras bloqueadas e

a corrente flui através do indutor, diodo D1 , capacitor, carga e retorna pelo diodo antiparalelo
da chave semicondutora S w 2 , como ilustrado na Figura 4-5.
Figura 4-5 - Conversor Dual Boost em CCM, 2ª etapa, semi-ciclo positivo.
Semi-ciclo Negativo:
1ª ETAPA: Esta etapa de operação, agora no semi-ciclo negativo é idêntica a 1ª etapa descrita
para o semi-ciclo positivo, com a diferença que agora é a chave semicondutora S w 2 que opera
e o diodo antiparalelo da chave semicondutora S w1 . A Figura 4-6 ilustra esta etapa.

63
Figura 4-6 - Conversor Dual Boost em CCM, 1ª etapa, semi-ciclo negativo.
2ª ETAPA: Nesta etapa, ainda no semi-ciclo negativo, as chaves semicondutoras estão

bloqueadas e a corrente flui através do indutor, diodo D2 , capacitor, carga e retorna pelo
diodo antiparalelo da chave semicondutora S w1 , como ilustrado na Figura 4-7.
Figura 4-7 - Conversor Dual Boost em CCM, 2ª etapa, semi-ciclo negativo.
4.3.2 Etapas de Operação - DCM
Semi-ciclo Positivo:
1ª ETAPA: Idêntica a 1ª etapa do CCM. A tensão de entrada é positiva e a chave semicondutora
S w1 está em condução e o indutor está armazenando energia, como pode ser visto na Figura 4-8.
Figura 4-8 - Conversor Dual Boost em DCM, 1ª etapa, semi-ciclo positivo.
2ª ETAPA: Da mesma forma que a etapa anterior, esta etapa é idêntica a 2ª etapa do CCM
para o semi-ciclo positivo e é ilustrada na Figura 4-9.

64
3ª ETAPA: Nesta etapa o indutor é completamente descarregado e a energia armazenada no

capacitor é transferida para a carga, como Figura 4-10.
Semi-ciclo Negativo:
1ª ETAPA: A Figura 4-11 ilustra a 1ª etapa no semi-ciclo negativo, que como pode ser visto é
idêntico a 1ª etapa do semi-ciclo negativo em CCM.
Figura 4-11 - Conversor Dual Boost em DCM, 1ª etapa, semi-ciclo negativo.
2ª ETAPA: Novamente, esta etapa é idêntica a 2ª etapa do semi-ciclo negativo em CCM e está
ilustrada na Figura 4-12.
3ª ETAPA: A Figura 4-13 mostra a 3ª etapa em DCM para o semi-ciclo negativo onde a
energia armazenada no capacitor é transferida para a carga.

65
Logo, pode-se concluir que o conversor Dual Boost se comporta como o conversor
Boost. Dessa forma, a equação do ganho estático deste conversor é idêntica a equação (2.7)
para o modo CCM e a equação (2.11) para o DCM.
A fronteira dos modos de condução, para o conversor Dual Boost, pode ser verificado
através da Figura 4-14, a qual foi obtida seguindo os mesmos passos descritos no capítulo 2.
Figura 4-14 - Fronteira dos modos de condução para o conversor Dual Boost.
Como foi mostrado, o conversor Dual Boost opera exatamente igual ao Boost. Logo a
obtenção do valor de sua indutância é feita exatamente igual ao conversor Boost. Por outro
lado, devido à localização do indutor no lado CA, tem-se a inversão da corrente sobre o
indutor. Essa inversão proporcionará uma melhor utilização do material magnético
acarretando em menores perdas neste elemento, como será verificado no capítulo 5.
Como já foi mostrado no capítulo 2, onde foi desenvolvido o projeto do capacitor de

saída para o Boost, o seu projeto depende da potência e tensão de saída, Po e Vo . Logo, o
projeto do capacitor de saída do conversor Dual Boost continua sendo o mesmo do conversor
Boost, já que os parâmetros para o seu projeto continuam sendo os mesmos.
4.6. Cálculo da Corrente nos Semicondutores
A. Corrente na Chave Semicondutora

Para calcular a corrente eficaz e média nas chaves semicondutoras, seguiu-se os mesmos
passos utilizados para o equacionamento do conversor Boost. A diferença deste conversor é que
66
cada chave semicondutora conduz corrente somente meio ciclo de rede. Dessa forma, obteve-se
as equações (4.1) e (4.2) para o cálculo da corrente eficaz e média.em cada chave.
1 4 Vin _ pico
I S _ rms = I in _ rms ( − ) (4.1)
2 3π Vo
2 π Vin _ pico
I = I in _ rms (1 − ) (4.2)
s π 4 Vo
B. Corrente no Diodo
As equações (4.3) e (4.4) descrevem o cálculo da corrente eficaz e média do diodo.
I D _ rms = I in _ rms − I S _ rms (4.3)
I dc
ID = (4.4)
2
C. Corrente nos diodos retificadores
Os diodos intrínsecos das chaves semicondutoras, que realizam a retificação, conduzem
corrente somente meio ciclo de rede cada, respectivamente quando a chave semicondutora não
está conduzindo. Logo através da equação (4.5) calcula-se a corrente eficaz em cada diodo, e a
corrente média é obtida através da equação (4.6).
2
ID = I in _ rms (4.5)
π
2
I D _ RMS = I in _ rms (4.6)
2
4.7. Conclusão
Neste capítulo discutiu-se o conversor Dual Boost. Foram apresentadas as etapas de

operação para cada modo de condução. Discutiram-se também as vantagens e desvantagens
deste conversor operando na correção do fator de potência, e suas similaridades com o
conversor Boost. Novamente foram abordados o projeto do indutor e do capacitor de saída,
idênticos ao apresentado para conversor Boost. Para finalizar, apresentaram-se as equações
que descrevem as correntes nos dispositivos semicondutores.
Concluindo, pode-se afirmar que o conversor Dual Boost é um bom candidato para
correção do fator de potência para aplicações de alta potência devido as suas inúmeras
vantagens já citadas. Entre as principais, destaca-se a eliminação da ponte retificadora, o que
resulta em uma diminuição das perdas nos semicondutores, pois somente dois semicondutores
estarão no caminho principal da corrente. Além disso, pode-se destacar ainda a redução dos
esforços de corrente nas chaves e diodos, já que eles operam somente meio ciclo de rede.
Capítulo 5
PERDAS NOS SEMICONDUTORES E

COMPONENTES MAGNÉTICOS
5.1. Introdução
Esse capítulo apresenta as perdas estimadas nos semicondutores para as três topologias
de conversores já mencionadas, além das perdas nos magnéticos. São abordadas
detalhadamente as perdas na ponte retificadora, nas chaves semicondutoras e nos diodos
Boost para o projeto do dissipador. Além disso, é apresentado o cálculo para as perdas dos
magnéticos dos indutores Boost. O capítulo é finalizado com uma comparação das perdas e
volume dos dissipadores e magnéticos para as três topologias.
5.2. Perdas nos Semicondutores
A quantificação das perdas é baseada nas informações dos datasheets dos dispositivos
semicondutores empregados, o que torna os resultados fortemente dependentes das
características dos dispositivos especificados. O método usado para a determinação das perdas
no conversor consiste em realizar a estimação das perdas de condução e comutação para cada
dispositivo semicondutor bem como as perdas por recuperação reversa dos diodos. Daí então,
é realizada a soma de todos os resultados para obtenção das perdas totais.
5.2.1 Perdas por condução

As perdas por condução ocorrem enquanto o dispositivo semicondutor está
conduzindo corrente e permanece entre seus terminais uma queda de tensão, Vce (θ ) para o
IGBT e V f (θ ) para o diodo. Tais valores são dependentes da corrente que os percorre e da
temperatura, e são obtidos das curvas disponíveis nos datasheets dos componentes,
Vce (θ ) xI ce (θ ) para o IGBT e V f (θ ) xI f (θ ) para o diodo. Com o valor da queda de tensão
sobre o dispositivo semicondutor, sua corrente e o tempo de condução, pode-se estimar as

perdas por condução conforme mostrado em [48] e [49], com a equação (5.1) para o IGBT e
(5.2) para o diodo, onde tcond é o tempo no qual o semicondutor permanece em condução.
68
2π
1
Pcond _ chave =
2π ∫V
0
ce (t ) I ce (t )tcond dt (5.1)
2π
1
Pcond _ diodo =
2π ∫V
0
f (t ) I f (t )tcond dt (5.2)
5.2.2 Perdas por comutação
As perdas por comutação são divididas em perdas de turn-on e de turn-off para a

chave semicondutora, e de recuperação reversa para diodos rápidos. Tais perdas são
fundamentadas em informações dos datasheets, através da energia perdida nas transições de
turn-on (( Eon ( I ce ) ) e turn-off ( Eoff ( I ce ) ), e a energia perdida na recuperação reversa do diodo
através da ( Erec ( I f ) ). As perdas de comutação são obtidas através da identificação de cada
transição de comutação e calculadas através das equações (5.3), (5.4) e (5.5) respectivamente.
1
Pturn −on =
2π
∑E on ( I ce ) (5.3)
1
Pturn −off =
2π
∑E off ( I ce ) (5.4)
1
Prec _ rev =
2π
∑E rec (I f ) (5.5)
5.3. Cálculo das perdas
Para o cálculo das perdas é necessário primeiramente realizar o equacionamento das

curvas Vce (t ) × I ce ( t ) , Eon (t ) × I ce ( t ) e Eoff (t ) × I ce ( t ) para o IGBT e V f (θ ) × I f (θ ) e
Erec (t ) × I f ( t ) para o diodo. Com o equacionamento destas curvas (Apêndice B) e a corrente
instantânea de cada dispositivo semicondutor obtém-se as perdas nos semicondutores através

das equações já descritas. Os semicondutores utilizados para a implementação dos conversores
são listados na Tabela 5-1. A forma como foram escolhidos tais semicondutores é apresentada
no capítulo dos resultados experimentais.
Tabela 5-1 - Semicondutores utilizados nos conversores.

Chave
Pré-Reguladores Semicondutora
Diodo Ponte Retificadora
Conversor Boost IRGP50B60PD1 30EPH06 KBPC50

Conversor Boost Intercalado IRGP30B60KD-E 10ETF06S KBPC50
Não há ponte
Conversor Dual Boost IRGP30B60KD-E 10ETF06S
retificadora
69
5.3.1 Perdas por Condução – Chave Semicondutora
Com o objetivo de se calcular as perdas por condução das chaves semicondutoras, há

primeiramente a necessidade de se equacionar as curvas características dos IGBT para o pior
caso de condução, isto é, temperatura de junção ( T j = 125º C ) e Vge = 15V . A Figura 5-1
descreve a queda de tensão da chave semicondutora em função da corrente de condução para

as duas chaves semicondutoras já citadas.
(a) IRGP50B60PD1 (b) IRGP30B60KD-E

Figura 5-1 - Curva Característica Vce (θ ) × I ce (θ ) do IGBT, [50].
O equacionamento das curvas Vce (θ ) × I ce (θ ) é obtido através da obtenção dos pontos
da Figura 5-1 e a manipulação de tais pontos com o software Matlab®. Tal equacionamento é
mostrado no Apêndice B.
5.3.2 Perdas por Comutação – Chave Semicondutora
Da mesma forma como foi realizado o equacionamento das perdas por condução é
feito para as perdas por comutação. A Figura 5-2 mostra a energia dissipada durante as
comutações, turn-on e turn-off, em função da corrente de condução da chave semicondutora,
para os dois modelos de IGBT. Através dessa energia dissipada são calculadas as perdas por
comutação da chave semicondutora.

Figura 5-2 - Curva Característica Eon (t ) × I ce ( t ) e Eoff (t ) × I ce ( t ) do IGBT, [50].
70
5.3.3 Perdas por Condução – Diodo
As perdas de condução do diodo são calculadas através da queda de tensão sobre o

mesmo, a qual é dependente da corrente de condução do semicondutor. Logo, as perdas de
condução do diodo são calculadas através do equacionamento das curvas características dos
diodos, V f (θ ) × I f (θ ) , mostrada na Figura 5-3, para o pior caso, que neste caso ocorre quando a
T j = 25º C .
(a) 30EPH06 (b) 10ETF06S

Figura 5-3 - Curva Característica V f (θ ) × I f (θ ) do diodo, [50].
5.3.4 Perdas por Comutação – Diodo
As perdas por comutação nos diodos Boost ocorrem devido aos problemas de
recuperação reversa durante o seu turn-off. Tal problema causará perdas em si próprio e na
chave semicondutora, pois nas topologias Boost, Boost Intercalado e Dual Boost, toda a
corrente de recuperação reversa do diodo circulará nas chaves semicondutoras, causando
perdas durante a comutação de turn-on das mesmas. Logo, há a necessidade do cálculo dessas
duas perdas durante o processo de comutação do diodo. Nos diodos da ponte retificadora esse
tipo de perda é desconsiderado devido ao fato desses diodos comutarem em baixa freqüência.
As perdas devido à recuperação reversa sobre o diodo são calculadas em função da
carga de recuperação reversa armazenada Qrr no tempo de recuperação reversa trr . Logo, Qrr
é obtida da Figura 5-4, com uma taxa de variação da corrente (dif/dt) constante de 200A/μs,
conforme mostrado por [51]. A temperatura de junção utilizada é a do pior caso, ou seja,
T j = 125º C para o diodo 30EPH06 e T j = 150º C para o diodo 10ETF06S.
71
Com a obtenção do valor de Qrr , e com o uso da equação (5.6) tem-se a energia
dissipada durante a comutação turn-off do diodo, onde Vo é a tensão do barramento CC e I f a
corrente direta do diodo.

Eturn _ off _ diodo = Qrr ( I f )Vo (5.6)
Como pode ser visto pela Figura 5-4, tem-se Qrr ( I f ) somente para alguns valores de
corrente. Logo, há a necessidade da interpolação das curvas para obtenção dos valores de Qrr
para outros valores de corrente. Dessa forma, é possível o cálculo das perdas por turn-off no
diodo. A interpolação foi realizada com o equacionamento das curvas da Figura 5-4 , através do
Método de Newton (Apêndice B) com o uso do software Matlab®, considerando um dif/dt de
200A/μs conforme realizado por [51].
(a) 30EPH06 (b) 10ETF06S

Figura 5-4 - Energia da recuperação reversa do diodo em função da corrente de condução, [50].
5.3.5 Perdas por Comutação – Diodo/Chave semicondutora
As perdas que ocorrem sobre a chave semicondutora devido aos problemas de

recuperação reversa são calculadas através da corrente de recuperação reversa do diodo.
Como o datasheet do diodo 30EPH06 não possui nenhuma relação direta da corrente de
condução do diodo com a corrente de recuperação reversa, as perdas são calculadas através da
equação(5.7) e a Figura 5-5. Com um dif/dt de 200A/μs, obtém-se o valor de trr e Qrr para a
corrente média do diodo através da interpolação das curvas da Figura 5-5. Logo, com a
equação (5.7) tem-se o valor da corrente reversa que causará perdas de comutação sobre a
chave semicondutora.
72
trr xI rr
Qrr = (5.7)
2
(a) trr xdi / dt (b) Qrr xdi / dt
Figura 5-5 - Curva Característica do diodo 30EPH06, [50].
Para o diodo 10ETF06S não há a necessidade do equacionamento das curvas

Qrr × di / dt e trr × di / dt , pois o datasheet deste dispositivo semicondutor apresenta as curvas
que relacionam diretamente a corrente direta de condução do diodo com a corrente de
recuperação reversa, Figura 5-6. No entanto, é necessária a interpolação das curvas para
obtenção da correta corrente de recuperação reversa do diodo.
Figura 5-6 - Aproximação da curva característica da corrente I f (t ) × I rr (t ) do diodo 10ETF06S, [50].
5.3.6 Perdas por Condução – Ponte Retificadora
O cálculo das perdas por condução dos diodos da ponte retificadora é similar ao
realizado para os diodos Boost. Logo através do equacionamento da Figura 5-7 determina-se o
comportamento da queda de tensão nos diodos em função da corrente que circula nos mesmos.
73
Figura 5-7 - Curva Característica V f (t ) × I f ( t ) da Ponte Retificadora KBPC50, [50].
O cálculo das perdas de condução para os diodos intrínsecos das chaves

semicondutoras, responsáveis pela retificação no conversor Dual Boost, seguem os mesmos
passos já discutidos para os diodos, conforme Figura 5-8.
Figura 5-8 - Curva característica Vce (t ) × I ce ( t ) dos diodos intrínsecos do IRGP30B60KD-E, [50].
5.4. Projeto do dissipador
Após o cálculo das perdas nos semicondutores, a obtenção da resistência térmica do

dissipador é o passo seguinte para o projeto do dissipador. O cálculo desta resistência baseou-
se no modelo térmico unidimensional, ilustrado na Figura 5-9, conforme apresentado por [49].
Este modelo apresenta como maior vantagem a sua simplicidade e pressupõe que todo o calor
será transferido para o meio pelas haletas, e que a temperatura é constante em toda superfície
do dissipador. Logo, para o projeto utilizando este modelo, a temperatura da junção é
considerada constante (em regime permanente) e apenas um dispositivo por dissipador.
Uma vez determinada à potência dissipada em cada dispositivo semicondutor e os
parâmetros térmicos de cada dispositivo determinados pelos seus datasheets, pode-se projetar
o dissipador necessário para cada topologia.
74
Figura 5-9 - Modelo Térmico Equivalente dos semicondutores.
Onde:
P : Potência dissipada pelo dispositivo semicondutor;
TJ : Temperatura de junção;
RJC : Resistência entre a junção e o case (encapsulamento);
RCD : Resistência entre o case (encapsulamento) e o dissipador;
RDA : Resistência entre o dissipador e o ambiente;
TC : Temperatura de case;
TD : Temperatura do dissipador;
TA : Temperatura ambiente.
Para obter-se RDA , deve-se primeiramente obter TD , com o uso da equação (5.8), onde
TJ , RJC e RCD são fornecidos pelo fabricante.
TD = TJ − P ( RJC + RCD ) (5.8)

Com este valor e com a potência dissipada em cada dispositivo semicondutor
determina-se a resistência entre o dissipador e o ambiente, RDA , através da equação (5.9).
TD − TA
RDA = (5.9)
P
Foram escolhidos quatro tipos de perfil de dissipador, e através do datasheet do fabricante
[52] obtiveram-se os valores da resistência térmica de cada perfil, como mostrado na Tabela 5-2.
Tabela 5-2 - Perfis de dissipadores escolhidos.

Resistência Térmica
Perfil Largura (cm) Altura (cm)
(°C/W)
14050 1.06 14 5
14376 1.11 12,16 7,6
14549 1.17 14,5 6,9
15559 0.73 15,5 5,9
Após a obtenção do valor de RDA segu-se para o passo seguinte, o comprimento do

dissipador. No entanto, tem-se que encontrar primeiramente o fator de correção do
75
comprimento para estimar-se o comprimento do dissipador. Tal fator de correção do

comprimento é determinado pela equação (5.10):
RDA
Fcc _ perfil = (5.10)
Rth _ perfil Fc _ temp
Onde:
Rth _ perfil : Resistência térmica de cada perfil de dissipador;
Fc _ temp : Fator de correção da temperatura - obtido pela equação (5.11) e a Figura 5-10.
Figura 5-10 - Variação da resistência térmica com a diferença de temperatura, [52].
Fc _ temp = 0, 655e −0,04587 Δt + 1,174e −0,002419 Δt (5.11)
Onde Δt é dado pela equação (5.12).

Δt = TD − TA (5.12)
Com o valor do fator de correção do comprimento obtido pela equação (5.10) e através
da equação (5.13), obtida através da Figura 5-11, determina-se o comprimento do dissipador.
8, 24 Fcc _ perfil − 1, 74
L perfil = (5.13)
Fcc _ perfil 3 − 0, 61Fcc _ perfil 2 + 0, 27 Fcc _ perfil − 0, 056
Figura 5-11 -Comprimento do dissipador através do fator de correção do comprimento, [52].
A Figura 5-12 mostra as perdas calculadas em cada semicondutor considerando os

dispositivos semicondutores da Tabela 5-1 e os parâmetros de projeto da Tabela 7-1. Pode-se
verificar que o conversor Boost foi o conversor que apresentou as maiores perdas. Por outro
lado, o conversor Dual Boost apresentou as menores perdas em seus semicondutores.
76
Já na Figura 5-13 é apresentado uma comparação do comprimento dos dissipadores

para as três topologias considerando 5 diferentes perfis de dissipador. Já na Figura 5-14 tem-
se o volume dos mesmos. Como pode ser visto, o conversor Boost é o conversor com o maior
volume de dissipador, enquanto que o conversor Dual Boost foi o que apresentou o menor.
Figura 5-12 - Comparação das perdas dos conversores .
Figura 5-13 - Comparação do Comprimento dos dissipadores dos conversores.
Figura 5-14 - Comparação do Volume dos dissipadores dos conversores.
5.5. Perdas Magnéticas
A maneira tradicional de se estimar as perdas no núcleo magnético consiste em fazer

uma leitura, nos ábacos fornecidos pelo fabricante, da potência perdida por unidade de
volume de material, segundo o ponto de operação que é definido pela amplitude de variação
de fluxo magnético e pela freqüência. Os ábacos fornecidos pelo fabricante são normalmente
77
levantados com o núcleo sendo excitado com uma tensão senoidal, onde a perda por unidade
de volume do núcleo é registrada para cada valor de amplitude e freqüência da tensão de
excitação. O resultado são curvas onde se fixa a freqüência e se varia a amplitude da tensão de
excitação, a qual aumenta a variação da densidade de fluxo. Tais curvas podem ser
aproximadas pela equação de Steinmetz, equação (5.14) conforme mostrado por [5].
Pnuc
= C ΔB m f n (5.14)
Vnuc
Onde:
Pnuc : Perdas no núcleo magnético;
ΔB: Variação do fluxo magnético em Tesla;
Vnuc : Volume do núcleo em cm³;
f : Freqüência em Hz;
C, m e n: Coeficientes de Steinmetz.
O valor do fluxo magnético é calculado conforme mostrado no datasheet da Magnetics
através da equação (5.15), onde os coeficientes a, b, c, d, e são constantes fornecidos no
datasheet do núcleo magnético.
a + bH (t ) + cH (t ) 2
B (t ) = (5.15)
1 + dH (t ) + eH (t ) 2
Conhecendo-se a corrente instantânea que circula pelo indutor, o número de espiras e
as características físicas e magnéticas do núcleo utilizado, pode-se estimar a força
magnetizante H(t) através da equação (5.16).
π Ni(t )
H (t ) = 4.10−3 (5.16)
le
onde:
N: Número de espiras do indutor;
i(t): Corrente a cada instante, em Ampers;
le : Comprimento médio do fluxo magnético do núcleo.
5.5.1 Perdas no cobre
As perdas de condução nos enrolamentos do indutor dependem principalmente de três

fatores: resistividade do material (resistência CC), efeito pelicular e pelo efeito de
proximidade (resistência CA). Nesse trabalho foram consideradas somente as perdas causadas
pela resistência CC, a qual depende apenas da resistividade elétrica e das dimensões do
78
condutor, e é calculada pela equação (5.17) e (5.18), onde ρ é a resistividade do material, Wi
é o comprimento do fio condutor e Aw a área da seção transversal do condutor.
ρWi
Rdc = (5.17)
Aw
Pcobre = i (t ) 2 .Rdc (5.18)

A Tabela 5-3 apresenta os valores das perdas magnéticas e as perdas nos
enrolamentos, conforme demonstrada anteriormente. É mostrado também um comparativo do
volume dos indutores. Tal volume foi determinado com o uso de uma metodologia de projeto
de indutores desenvolvida no laboratório GEPOC e apresentado em [29].
Tabela 5-3 - Comparação das perdas e volume dos magnéticos.

Pré-Regulador Boost Boost Intercalado Dual Boost
Perdas Magnéticas (W) 12,56 6,56 11,36
Perdas no Cobre (W) 18,18 14,29 15,96
Total de Perdas (W) 30,74 20,85 27,32
Volume (cm³) 90,6 69,4 90,6
5.6. Conclusão
Nesse capítulo foi apresentado o método utilizado para o cálculo das perdas nos
dispositivos semicondutores (chaves semicondutoras, diodos e pontes retificadoras). Estes
cálculos foram realizados através do equacionamento das curvas presentes nos datasheets dos
semicondutores. Todo o equacionamento é demonstrado no Apêndice B.
Com o cálculo das perdas pode-se determinar o comprimento do dissipador necessário
para proteção dos dispositivos semicondutores quanto ao aquecimento. Logo, foi apresentado
o projeto completo do dissipador.
Além disso, foram mostrados os resultados obtidos das perdas para cada dispositivo
semicondutor, o comprimento e volume dos dissipadores para cada topologia, as perdas nos
magnéticos e em seus enrolamentos, bem como o volume dos magnéticos.
Dessa forma, pode-se concluir que o conversor Boost foi o conversor que apresentou as
maiores perdas em seus semicondutores, consequentemente, o maior volume de dissipador. Já o
conversor Dual Boost foi o que apresentou as menores perdas e o menor volume de dissipador.
Quanto às perdas nos componentes magnéticos, o conversor Boost intercalado foi o
que apresentou as menores perdas e o menor volume. Por outro lado, o conversor Boost
apresentou as maiores perdas em seus componentes magnéticos, e juntamente com o
conversor Dual Boost, o maior volume.
Capítulo 6
INTERFERÊNCIA ELETROMAGNÉTICA
6.1. Introdução
Esse capítulo aborda o problema da interferência eletromagnética gerada nos conversores

de potência operando como PFC. São apresentadas e discutidas as principais fontes geradoras de
ruído e as formas de atenuação das mesmas para conformidade com as normas vigentes. Também
são discutidas detalhadamente as etapas de projeto de filtros de EMI. O capítulo é finalizado com
resultados de simulação da interferência eletromagnética conduzida de modo diferencial
considerando somente elementos ideais, e em seguida, a apresentação das mesmas simulações
mostrando o impacto da consideração de algumas não-idealidades em alguns elementos.
6.2. Interferência Eletromagnética
A interferência eletromagnética é caracterizada por uma degradação no desempenho

de um equipamento devido a uma perturbação eletromagnética. Tal interferência é capaz de se
propagar tanto no vácuo quanto por meios físicos. Devido a isto, é possível verificar suas
conseqüências a quilômetros de distância, como no caso de uma descarga atmosférica.
Na verdade, todo circuito eletrônico produz algum tipo de campo magnético ao seu
redor e, assim, se torna gerador de EMI. Como conseqüência, tem-se a transferência de energia
eletromagnética (ou acoplamento) entre um equipamento "fonte" com o equipamento "vítima",
que pode ocorrer por radiação ou condução, ou ambos. Em todos os casos tem-se o
envolvimento de uma fonte de energia eletromagnética, um dispositivo que responde a esta
energia (vítima) e um caminho de transmissão que permite a energia fluir da fonte até a vitima.
Com isso, pode-se dizer que para ocorrer uma situação de interferência eletromagnética,
três elementos devem estar presentes. Estes três elementos incluem uma fonte de perturbação
80
eletromagnética, um percurso de acoplamento através das quais as perturbações são

transmitidas, e um receptor que sofre os efeitos adversos dos sinais recebidos.
Como fontes geradoras de perturbações eletromagnéticas podem ser citadas as fontes
naturais e não naturais (produzidas pelo homem). Fontes naturais podem ser desde ruídos
atmosféricos, decorrentes de descargas elétricas, até ruídos cósmicos provocados por explosões
do Sol. Por exemplo, no caso de quedas de raios sobre a rede de distribuição de energia elétrica,
o distúrbio é propagado pelos fios até a instalação interna, provocando diversos danos.
Já as fontes de EMI não naturais são geradas tanto dentro do ambiente predial como
fora dele, em acionamentos de cargas indutivas, como motores elétricos, cargas resistivas,
como lâmpadas fluorescentes, aquecedores, equipamentos médicos, aparelhos de microondas,
equipamentos de comunicação móvel, entre outros [54].
Como mecanismos de acoplamento, através das quais as perturbações são transmitidas,
podem-se citar três meios pelos quais a EMI pode ser transmitido da fonte para a vítima, [55]:
¾ Condução
¾ Irradiação
¾ Indução
A maioria das ocorrências de EMI se dá através de condução por meio de cabos de
alimentação, entrada de sinal e terminais de terra de proteção [54]. Já a EMI irradiada se
propaga por irradiação a partir da fonte, através do espaço para a vítima. E a indução ocorre
quando dois circuitos estão magneticamente acoplados.
Como acoplamentos magnéticos podem-se citar quatro mecanismos fundamentais de
acoplamento/propagação de distúrbios eletromagnéticos, conforme mostrados por [53]:
- Acoplamento Galvânico: ocorre através do aterramento, fazendo com que as
correntes de alta freqüência circulem por toda a instalação, via cabos de alimentação e cabos
de terra. Como se tratam de sinais de alta freqüência, as capacitâncias e indutâncias
intrínsecas do sistema tornam-se relevantes para a condução dos ruídos de alta freqüência,
permitindo a contaminação de toda a rede elétrica.
- Acoplamento Capacitivo ou Elétrico: ocorre entre trilhas, enrolamentos magnéticos,
dispositivos semicondutores e dissipadores, e cabos ao longo do trajeto. A capacitância entre
os cabos é um caminho perfeito para o acoplamento de tais sinais de alta freqüência,
induzindo tensões parasitas no sistema.
- Acoplamento Indutivo ou Magnético: ocorre de forma semelhante ao acoplamento
capacitivo, entretanto, a componente magnética agora entra em ação ao longo dos cabos em
paralelo, induzindo correntes parasitas no sistema.
81
- Acoplamento através de campos magnéticos distantes: Acoplamento entre dois

condutores quando a distância entre eles é menor do que meio comprimento de onda.
Como receptores da interferência eletromagnética pode-se citar fontes de
alimentação, computadores e periféricos, sensores analógicos e amplificadores, receptores de
rádio e televisão, equipamentos de segurança, equipamentos militares, sistemas de controle, e
qualquer equipamento, sistema ou dispositivos eletro-eletrônicos que estajam em ambientes
eletromagnéticos podem se tornar receptores de EMI.
Logo, se qualquer um destes elementos for eliminado, fonte de perturbação
eletromagnética, percurso de acoplamento e um receptor, a interferência não ocorrerá. Portanto,
pode-se obter compatibilidade eletromagnética através da redução dos níveis de emissão da
fonte de perturbação, da interrupção do percurso de acoplamento, ou da proteção do receptor a
fim de torná-lo imune as perturbações. Em alguns casos, técnicas de supressão de interferência
deverão ser aplicadas a duas ou a todas as três partes do percurso da perturbação [55].
Trabalhos de regulamentação para assegurar recepções livres de interferência
iniciaram em 1933 pela formação do International Special Committee on Radio Interference
(CISPR). Durante as décadas seguintes normas e regulamentações foram sendo
desenvolvidas. Entre os institutos e organizações responsáveis pela organização e publicação
das normas e regulamentações pode-se destacar como os principais [56]:
¾ International Electrotechnical Commission (IEC) através da International Special
Committee on Radio Interference (CISPR);
¾ Federal Communications Commission (FCC) nos Estados Unidos;
¾ European Committee for Electrotechnical Standardization (CENELEC) e o European
Telecommunications Standards Institute (ETSI) em países da Europa.
6.3. Interferência Eletromagnética Conduzida
A preocupação com a EMI tornou-se mais evidente após a popularização de

conversores comutados. Devido à presença de chaves semicondutoras que trocam de estado
muito rápido, isto é, produzem altas variações de tensão em determinados nós (dv/dt), e altas
variações de corrente em determinados laços (di/dt), altos níveis de ruído eletromagnético são
gerados. Como essas variações de tensão e corrente podem estar acopladas de alguma forma
com os terminais de alimentação do conversor, um ruído conduzido estará sendo injetado na
rede de alimentação, e poderá atingir outro equipamento que esteja sendo alimentado pela
mesma rede.
82
Tal ruído conduzido é dividido em duas formas: ruído conduzido de modo diferencial
e o ruído conduzido de modo comum. O ruído de modo diferencial (DM), mostrado na Figura
6-1(a), ou também chamado de ruído simétrico, circula sobreposta a própria corrente de
alimentação do equipamento nos terminais de entrada, com a única diferença de ter
freqüências superiores múltiplas da freqüência de comutação utilizada. Já o ruído de modo
comum (CM), ou assimétrico, por sua vez, circula pelo condutor de aterramento, como pode
ser visto na Figura 6-1(b), e utiliza como caminho os elementos parasitas que existem entre o
circuito e o chassi do equipamento, que por questões de segurança deve ser aterrado.
A Figura 6-1 apresenta a circulação do ruído conduzido para um equipamento
qualquer. No entanto, nosso objetivo nesse capítulo é a análise do ruído nos conversores
Boost, Boost Intercalado e Dual Boost operando como PFC. Logo, no item a seguir, serão
apresentados as fontes de ruído conduzido nestes conversores, bem como os caminhos pelos
quais este tipo de ruído circula.
(a) Caminho para o ruído DM (b) Caminho para ruído CM

Figura 6-1 - Interferência Eletromagnética Conduzida.
6.4. Interferência Eletromagnética Conduzida no PFC
Por ser a primeira etapa de processamento de energia, o PFC é o principal responsável

pelo ruído conduzido DM que será injetado no sistema de distribuição de energia. Na Figura
6-2(a) é ilustrado o caminho percorrido pelo ruído de DM conduzido no conversor Boost. Da
mesma forma, a Figura 6-3(a) mostra o ruído DM para o conversor Boost Intercalado, e na
Figura 6-4(a) tem-se o mesmo, para o conversor Dual Boost. Conforme foi mencionando
anteriormente, tal ruído circula sobreposto à própria corrente de alimentação do equipamento,
logo o caminho percorrido pelo ruído é o mesmo percorrido pela corrente principal do PFC.
A Figura 6-2(b), Figura 6-3(b) e a Figura 6-4(b) ilustram o circuito equivalente da
circulação do ruído conduzido DM para os três conversores, onde pode-se dizer que o ruído
DM é diretamente determinado pela forma da onda da corrente, e sofre direta influencia do
83
indutor Boost, o qual determina a forma de onda da corrente e represente um caminho de alta
impedância para o ruído.
Outro fato que deve ser salientado é a utilização de um equipamento entre a
alimentação de entrada e a etapa PFC, por onde há circulação do ruído. Tal equipamento é
necessário em medidas de EMI conduzida e representa uma rede padrão, conhecida como
“Line Impedance Stabilization Network (LISN)”, usado para proporcionar uma impedância de
carga padrão para a fonte de ruído. A tensão através desta carga é medida como emissão de
ruído conduzido do equipamento sobre teste [57].
(a) Circulação do ruído DM na etapa PFC (b) Circuito equivalente

Figura 6-2 - Caminho de circulação do ruído DM no conversor Boost.
(a) Circulação do ruído DM na etapa PFC (b) Circuito equivalente

Figura 6-3 - Caminho de circulação do ruído DM no conversor Boost Intercalado.
84
(a) Circulação do ruído DM na etapa PFC, semi-ciclo positivo e negativo (b) Circuito equivalente
Figura 6-4 - Caminho de circulação do ruído DM no conversor Dual Boost.
A forma de onda da corrente é determinada pelo indutor Boost através da determinação

da amplitude de ondulação de corrente para qual o conversor irá operar. Essa ondulação tem
uma forma de onda triangular e seu espectro é composto de harmônicos que começam na
freqüência de comutação (primeiro harmônico) seguidos de seus múltiplos, mas com um
decaimento assintótico na amplitude dos mesmos, com um relação diretamente proporcional
ao inverso quadrado da ordem do harmônico, o que significa que a amplitude dos harmônicos
terá uma taxa de decaimento igual a 40dB/dec, conforme descrito por [58]. Esse decaimento
na amplitude constitui uma característica benéfica, pois facilita a filtragem de ruídos de alta
freqüência, onde os filtros de EMI perdem grande parte da sua capacidade de atenuação
devido à suas imperfeições.
Outro fator que influencia no ruído DM é a circulação do ruído através dos parasitas
capacitivos do indutor Boost. Como pode ser visto nos circuitos equivalentes, onde foi
analisado a circulação do ruído nos conversores, pode-se notar a presença do indutor Boost no
caminho do ruído. Este indutor representa uma alta impedância para o ruído DM, logo, ajuda
a atenuá-lo. No entanto, como qualquer componente real, o indutor Boost pode deixar de se
comportar como um indutor puro, dependendo da freqüência do sinal que circula pelo mesmo
[59], e proporcionar ao ruído um caminho de baixa impedância.
A Figura 6-5(a) mostra um exemplo da curva de impedância de um indutor projetado
para um conversor PFC na faixa de 1 kHz a 30 MHz. Observa-se que o comportamento
indutivo ocorre até o primeiro pico, quando o mesmo passa a se comportar como um
capacitor. A partir desse ponto a impedância passa por sucessivos pontos de picos e vales,
85
sendo que os vales constituem pontos de baixa impedância e facilitam a transmissão do ruído
de comutação para os terminais de entrada. Esses vales são determinados pelos parasitas
capacitivos do indutor Boost. Como resultado, tem-se que o espectro do ruído DM fica
amplificado nas freqüências dos vales, como pode ser notado na Figura 6-5(b).
(a) Curva de impedância do indutor Boost (b) Impacto da capacitância parasita do indutor
Boost no ruído DM
Figura 6-5 - Análise das capacitâncias parasitas do indutor Boost sobre o ruído DM.
Há ainda outro aspecto que pode ser considerado uma fonte de ruído DM, a recuperação
reversa do diodo Boost. Esta corrente de recuperação ocorre sobre a chave semicondutora na
topologia Boost, causando oscilações de alta freqüência, conforme pode ser observado Figura
6-6 e mostrado por [60]. Estas oscilações são uma fonte de ruído DM.
Figura 6-6 - Efeito da recuperação reversa do diodo sobre o ruído DM.
Já o ruído conduzido CM produzido na etapa PFC é diretamente dependente das

capacitâncias parasitas do conversor. Podem-se verificar tais capacitâncias parasitas no layout
do circuito, entre as trilhas, e a principal delas, trata-se da capacitância que se estabelece entre
a trilha do dreno (ou coletor) da chave semicondutora principal e o chassi [60]-[63]. Essa
capacitância proporciona um caminho para circulação do ruído CM, como pode ser visto na
Figura 6-7(a) para o conversor Boost. Esse nó (ou trilha) apresenta uma grande variação da
86
tensão (dv/dt), zero volt quando a chave semicondutora está em condução e igual à tensão do
barramento CC quando a chave semicondutora está bloqueada. Devido a esse alto dv/dt nesse
ponto, poderá ocorrer maior fuga de corrente para o chassi através das capacitâncias parasitas
mencionadas anteriormente. Quanto maior a taxa de variação de tensão mais esse aspecto se
evidencia, devido ao efeito da reatância capacitiva. O resultado é o aparecimento de impulsos
(spikes) de corrente no caminho do ruído CM nos momentos em que ocorrem as comutações
da chave semicondutora principal. Dessa forma, como a corrente apresenta-se na forma de
impulsos, o ruído se espalhará no espectro, a partir da freqüência de comutação, com uma
amplitude aproximadamente uniforme.
A Figura 6-7(a) apresenta o caminho percorrido pelo ruído CM no conversor Boost
através da capacitância parasita e o terra. Não há circulação do ruído de modo comum através
do indutor Boost devido ao fato do mesmo representar um caminho de alta impedância para o
ruído. Entretanto, devido às capacitâncias parasitas do indutor, discutidas anteriormente, em
alta freqüência pode haver circulação de ruído CM pelo indutor.
(a) Circulação do ruído CM na etapa PFC (b) Circuito equivalente

Figura 6-7 - Circulação do ruído de modo comum no conversor Boost.
Na Figura 6-8(a) e Figura 6-9(a) é apresentado o caminho percorrido pelo ruído CM

para os conversores Boost Intercalado e Dual Boost. Já na Figura 6-7(b), Figura 6-8(b) e
Figura 6-9(b) é ilustrado os circuitos equivalentes da circulação do ruído conduzido CM para
os três conversores. Pode-se notar a forte dependência das capacitâncias parasitas e da fonte
de ruído sobre o ruído de CM. Como mencionado anteriormente, a fonte de ruído é
87
determinada pela variação da tensão ( dv/dt ) aplicada à trilha do dreno (ou coletor) das
chaves semicondutoras principais.
Além disso, destaca-se o fato do conversor Boost Intercalado apresentar duas
capacitâncias parasitas em paralelo, o que poderá acarretar em uma maior fonte de ruído CM.
Outro fato interessante é a presença do indutor Boost no caminho do ruído CM no conversor
Dual Boost resultando em um caminho de alta impedância para o ruído CM.
(a) Circulação do ruído CM na etapa PFC (b) Circuito equivalente

Figura 6-8 - Circulação do ruído de modo comum no conversor Boost Intercalado.
(a) Circulação do ruído CM na etapa PFC,semi-ciclo positivo (b) Circuito equivalente

Figura 6-9 - Circulação do ruído de modo comum no conversor Dual Boost.
88
6.5. Controle da Emissão do Ruído Eletromagnético Conduzido
O controle da emissão de ruído conduzido se faz necessário sempre que o mesmo for
superior aos limites recomendados pela norma, na faixa de freqüência especificada pela mesma.
Dessa forma, pode-se obter o controle da emissão do ruído eletromagnético através de dois
métodos:
¾ Método Preventivo
¾ Método Corretivo
O primeiro método, preventivo, procura atacar os pontos onde o ruído é gerado ou
transmitido para os condutores de entrada, para diminuir a sua influência e a necessidade de
filtragem. O segundo método, corretivo, faz o bloqueio do ruído existente através de
filtragem. Na maior parte dos casos, ambos os métodos precisam ser utilizados, pois nem
sempre é possível um nível de minimização suficiente, através do método preventivo, para se
descartar o filtro. Entretanto, a utilização do método preventivo é essencial para o aumento da
densidade de potência do conversor, uma vez que ele pode contribuir significativamente para
reduzir a atenuação necessária na etapa da filtragem.
6.5.1 Método Preventivo
São apresentados a seguir algumas técnicas preventivas para a redução da EMI

conduzida. São discutidos também, alguns fatores que tem impacto direto sobre o ruído.
¾ Aterramento
Uma forma de se prevenir interferência eletromagnética é através da utilização de um
aterramento adequado dos equipamentos e seus cabos de interligação, bem como de filtros de
proteção. Isto é imprescindível para o escoamento de ruídos e surtos provenientes da rede
elétrica e também para a criação de uma boa referência de potencial elétrico. Adequadamente
executado, pode prevenir alguns problemas de EMI, especialmente quando se trata de
sistemas baseados em transmissão via rádio, reduzindo, por exemplo, correntes harmônicas e
ruídos elétricos no cabo de alimentação da antena [54]. É interessante o uso de malhas de
aterramento, pois apresentam baixa impedância.
¾ Blindagem
Outra forma bastante comum de se reduzir EMI é o uso de blindagem. Todo
equipamento eletrônico precisa ter um comportamento neutro em relação à radiação
eletromagnética, ou seja, seu funcionamento não deve ser afetado pela presença de campos
eletromagnéticos e, ao mesmo tempo, ele não deve gerar campos eletromagnéticos que
89
possam afetar outros equipamentos. Logo, para que se tenha imunidade à interferência
eletromagnética os equipamentos devem possuir uma blindagem, uma espécie de escudo
protetor que impeça a livre passagem das ondas eletromagnéticas. Filmes finos condutivos de
cobre trançado e folhas de metal são os materiais de blindagem mais comuns [64].
¾ Redução de dv/dt e di/dt

Muitos trabalhos de pesquisa mostram que as taxas de variação da tensão e da corrente
(dv/dt e di/dt) são grandes fontes de ruído. Quanto maior a freqüência de comutação, maior
serão as taxas dv/dt e di/dt, consequentemente, maior será a emissão de ruído. A solução para
a diminuição da emissão de EMI devido a essas comutações, é a utilizado técnicas de
comutação suave, as quais podem reduzir significativamente dv/dt e di/dt.
Essa redução nos níveis de EMI pode ser explicada de forma simples. Em conversores
operando sem circuitos de auxílio à comutação, a forma de onda da tensão sobre a chave
semicondutora, no caso do IGBT, entre o coletor e o emissor, é próxima a uma onda quadrada,
o qual apresenta tempos de subida e descida muito rápidos. Com a utilização de técnicas de
comutação suave, os tempos de subida e descida da forma de onda são aumentados, em outras
palavras, o dv/dt e di/dt são reduzidos [57], [65] e [66], consequentemente reduzindo a emissão
de EMI. Isto pode ser ilustrado na Figura 6-10.
Figura 6-10 - Tensão na chave semicondutora com e sem o uso de técnicas de comutação suave.
Além disso, as técnicas de comutação suave podem também ser utilizadas para atuar
sobre o problema de recuperação reversa do diodo reduzindo as oscilações de alta freqüência
geradas por este problema.
Através da resistência de gate das chaves semicondutoras é outra forma de reduzir a
emissão de EMI através da redução da taxa de variação da tensão e da corrente no dispositivo
semicondutor. Para baixas resistências de gate, o dv/dt e di/dt da tensão e da corrente na chave
semicondutora são maiores. Portanto, a escolha adequada do valor da resistência de gate ajudará
na redução do dv/dt e di/dt causando impacto significativo nos níveis de ruído de alta
freqüência, como mostrado por [60].
90
¾ Ondulação da Corrente
A ondulação da corrente é resultado direto do valor da indutância do indutor Boost.
Menor indutância, maior a ondulação da corrente, logo, maiores níveis de EMI. Dessa forma,
a escolha adequada desta variável resultará em uma EMI reduzida.
Grandes ondulações de corrente produzem altos níveis de EMI para baixas freqüências
(150 kHz a 1 MHz), enquanto que baixas ondulações têm-se maiores níveis de EMI para altas
freqüências (1 MHz a 30 MHz). Isto pode ser explicado devido ao fato que uma maior
ondulação proporciona uma menor indutância, portanto tem-se uma menor impedância entre a
tensão da chave semicondutora e a LISN, assim produzindo uma maior corrente de ruído
através da LISN. Além disso, uma maior ondulação também reduz os problemas da recuperação
reversa dos diodos rápidos, conforme mostrado por [60]. Esse é outro fato que explica porque
uma grande ondulação produz menos ruído nas altas freqüências (1 MHz a 30 MHz), pois se
tem a redução das oscilações de alta freqüência provocadas pela recuperação reversa do diodo.
¾ Freqüência de Comutação
A freqüência de comutação é também uma variável que determina o comportamento do
ruído de EMI. Com o aumento da freqüência de comutação, os harmônicos com maior amplitude
são alocados para a faixa de medidas das normas (0,150 – 30 MHz), assim tem-se um aumento
dos níveis de EMI. O impacto do aumento da freqüência de comutação é mais notável na faixa de
altas freqüências (1 MHz a 30 MHz); principalmente porque a partir de 1 MHz o filtro é menos
efetivo devido aos parasitas do próprio filtro [60]. Por outro lado, com uma maior freqüência de
comutação tem-se a redução do valor do indutor Boost, logo, pode-se ter uma redução nos
parasitas dos enrolamentos do indutor, o que melhora a desempenho de EMI em altas freqüências.
¾ Dispositivo Semicondutor
A escolha do dispositivo semicondutor também apresenta uma direta relação com a
EMI. Dispositivos semicondutores (MOSFET ou IGBT) apresentam diferenças nas suas
características (delay time, fall time, rise time, etc.). Logo, a EMI gerada por cada componente
será diferente, já que tais características são determinantes para as taxas de variação de tensão
e corrente sobre a chave semicondutora. Dessa forma, um estudo e uma análise comparativa
entre os dispositivos são de grande importância para se ter conhecimento de qual dispositivo
apresenta melhor desempenho com relação à interferência eletromagnética.
¾ Capacitores Feedthrough
A aplicação de capacitores do tipo feedthrough (capacitores de passagem) já é bastante
conhecida no meio técnico, sendo uma das melhores soluções de baixo custo para minimizar a
91
difusão do ruído eletromagnético pelo circuito elétrico. Capacitores convencionais multi-layers

não são apropriados para esta aplicação, pois apresentam alta indutância parasita induzida no
plano terra, até 4 vezes maior que a exibida pelos capacitores feedthrough. Logo, pode ser citado
como principais benefícios dos capacitores feedthrough a habilidade para suprimir ruídos de altas
freqüências que não podem ser suprimidos por capacitores convencionais e a grande atenuação
em decorrência da baixa indutância parasita para o terra [67].
¾ Capacitores de Desacoplamento
Na comutação dos circuitos tem-se a formação de laços de corrente que aumentam a
possibilidade de interferências eletromagnéticas. Estes laços de corrente são prejudiciais, pois
os campos magnéticos gerados podem interferir causar interferências através de indução. O
ideal é diminuir as áreas internas aos laços minimizando possíveis induções em outros ramos
dos circuitos através da utilização de capacitores de desacoplamentos. Esses capacitores
funcionam como um capacitor bypass de alta freqüência, que é utilizado para drenar a
corrente pulsada gerada durante as comutações.
Capacitores de desacoplamentos devem suportar correntes de alta freqüência e possuir
baixa indutância, por essa razão capacitores de disco cerâmicos ou capacitores multicamadas
cerâmicas são preferidos [68].
¾ Indutor Boost
Como foi apresentado no item 6.4 o indutor Boost tem papel decisivo com relação ao
ruído diferencial. Ele influencia a parte de baixa freqüência (150 kHz – 5 MHz) através da
amplitude da ondulação de corrente, além da parte de altas freqüências (5 MHz – 30 MHz)
devido a presença de parasitas capacitivos no mesmo.
No primeiro caso, na faixa de freqüência de 150 kHz a 5 MHz, a redução do ruído
gerado só é atingida se o valor da indutância for aumentado para diminuir a amplitude da
ondulação de corrente (considerando a mesma freqüência de comutação).
Já no segundo caso, na faixa de freqüência de 5 MHz a 30 MHz, o desafio é a
minimização dos parasitas capacitivos do indutor Boost, os quais estão ligados a forma como
o indutor é confeccionado e aos materiais utilizados. Uma técnica muito utilizada consiste em
enrolar os indutores com uma única camada de fio, pois isso elimina a capacitância que se
estabelece entre as camadas, que é uma das mais expressivas.
Outro técnica positiva para a redução dos parasitas capacitivos do indutor é a escolha
do material magnético, pois cada material pode apresentar características elétricas e
dielétricas diferentes. Como a primeira camada de espiras fica muito próxima do material
92
magnético, o mesmo pode afetar a capacitância entre espiras consecutivas, e

consequentemente na capacitância parasita total. Núcleos magnéticos de diferentes tipos de
material apresentaram diferenças nas curvas de impedâncias com diferenças significativas nas
freqüências dos picos e vales, como mostrado por [60].
¾ Projeto do Layout
Parasitas do layout tem um efeito significativo no ruído conduzido, especialmente nos
laços que conduzem correntes de alta freqüência de comutação e nos nós com alta variação de
tensão. Em fontes chaveadas, estes laços geralmente envolvem dispositivos semicondutores.
Para o conversor Boost, o laço de alto di/dt e o nó onde se tem um alto dv/dt, pode ser visto na
Figura 6-11, [60]. Logo, atuação sobre esses laços e nós proporcionará uma redução dos
níveis de EMI, especialmente para o ruído conduzido CM.
(a) Laço de alta di/dt, linha tracejada. (b) Nó com alto dv/dt, linha tracejada.
Figura 6-11 - Laços e nós com alta variação de corrente e tensão.
Quanto menor a área dos tracejados da Figura 6-11, menor será as áreas de emissão,
reduzindo a eficiência das antenas destes laços equivalentes. Como conseqüência, a
quantidade de ruído irradiado que pode acoplar com circuitos condutores, assim tornando-se
ruído conduzido, também será minimizado. Logo, para redução do efeito destas antenas
irradiadoras de ruído, algumas medidas podem ser tomadas como solução, como mostradas
por [67] e [68]:
a) Redução do comprimento dos fios onde há circulação de corrente;
b) Entrelaçar, se possível, todas as trilhas críticas da placa de circuito impresso (PCB), e
também os fios do enrolamento do indutor, como mostrado na Figura 6-12. Isto
mantém as áreas de emissão tão pequenas quanto possíveis, introduzindo também um
cancelamento mutuo dos fluxos.
c) Redução das áreas dos laços onde há grandes variações de corrente e tensão (di/dt e
dv/dt). A diminuição das áreas dos laços, através da aproximação das vias de ida e
retorno do sinal ajuda a diminuir a possibilidade de emissão e recepção de
interferências eletromagnéticas, como pode ser visto na Figura 6-13.
93
d) A trilha que liga o dreno do MOSFET( ou emissor do IGBT) ao diodo, onde há alta
variação de tensão durante as comutações, deve ser mantida a mais curta possível.
e) Uso de plano de terra conectado ao source (para MOSFET ou emissor para IGBT),
fazendo com que a corrente capacitiva acoplada ao dreno flui diretamente através do
terminal source sem passar pela LISN.
(a) Indutor (b) Trilhas do PCB.

Figura 6-12 - Redução das áreas de irradiação utilizando o entrelaçamentos.
Figura 6-13 - Diminuição dos loops aproximando as vias.
¾ Plano de Terra
A corrente de ruído que flui pelo circuito através das impedâncias das trilhas, ou
outras impedâncias do circuito, provocam quedas de tensão em série com o sinal, podendo
causar instabilidade e distorções. A correta localização dos planos de terra pode remove estes
problemas, pois se tem uma redução da impedância de terra, diminuindo dessa forma as
chances de instabilidade ou distorções nos sinais transmitidos nas trilhas.
Em situações em que não é possível a obtenção de um plano de terra a melhor solução
é fazer ao menos uma malha (grid) de terra no PCB. Uma outra solução para a construção de
um plano de terra é a utilização de tecnologia multi-layer. As impedâncias do plano de terra
nesta configuração são muito menores do que a de uma série de trilhas [68].
¾ Orientação dos componentes

O comportamento da EMI em sistemas de eletrônica de potência é severamente
influenciada pela localização dos componentes passivos. Particularmente componentes de filtro
são afetados pelos acoplamentos de campos magnéticos, reduzindo dessa forma o desempenho
94
dos mesmos. Dependendo da localização dos componentes na placa, têm-se diferenças

significativas no comportamento da EMI pelo uso dos mesmos componentes e topologia.
A Figura 6-14(a) ilustra a configuração de um filtro de EMI. Com esta configuração o
campo magnético dos indutores é acoplado aos capacitores. Tal acoplamento causa graves
problemas no funcionamento do filtro, reduzindo o desempenho do mesmo. Na Figura 6-14(b) é
ilustrado o mesmo filtro, mas com a diferença que agora há o desacoplamento completo dos campos
magnéticos. Os capacitores estão perpendiculares entre si e com o núcleo do indutor. Com esta
configuração é alcançado o desempenho máximo do filtro, conforme apresentado em [69].
(a) Localização incorreta dos (b) Correta localização dos componentes

componentes do filtro de EMI do filtro de EMI
Figura 6-14 - Posicionamento dos componentes do filtro, [69]..
A Figura 6-15 mostra a influência dos acoplamentos elétricos e magnéticos na

interferência eletromagnética. Na Figura 6-15(a) é mostrado o ruído gerado por um
equipamento com a utilização de um filtro com a configuração da Figura 6-14(a). Já na Figura
6-15(b) o mesmo filtro foi utilizado, mas com a posição dos componentes conforme Figura
6-14(b), como mostrado em [69]. Pode-se perceber que a simples mudança na orientação dos
componentes proporcionou o desacoplamento elétrico ou magnético dos elementos do filtro,
fazendo com que o filtro atinja seu desempenho máximo.
Figura 6-15 - Comportamento da EMI devido aos acoplamentos [69].
O desacoplamento entre dois capacitores é alcançado através posicionamento de 90º

entre eles. Já para capacitores em paralelos, grandes distâncias entre componentes é necessário
para se obter o mesmo desacoplamento. Para indutores é feito o desacoplamento da mesma
forma descrita para os capacitores.
95
¾ Redução dos Parasitas

Como mencionado no item 6.4, o ruído conduzido CM é diretamente dependente das
capacitâncias parasitas do conversor, sendo a principal delas a capacitância entre o nó central
da célula de comutação do conversor Boost e o chassi. Essa capacitância dependerá da área da
trilha desse respectivo nó, da área do dissipador e da distância desses elementos até o terminal
de aterramento, que muitas vezes está em contato com o gabinete que abriga o conversor.
Normalmente o dissipador é fixado (não necessariamente com contato elétrico) no
próprio terminal de dreno (no caso do MOSFET), ou seja, justamente ao ponto de maior dv/dt.
Isso acontece porque a parte metálica do encapsulamento das chaves semicondutoras sempre
é conectada ao terminal do dreno para melhor drenar o calor da junção para o dissipador.
Dessa forma, esta configuração apresentará uma capacitância parasita entre o dissipador e o
chassi que é aterrado por razões de segurança, conforme Figura 6-16(a). Como solução para
redução do efeito desta capacitância existe algumas medidas que podem ser tomadas:
¾ Ao desenvolver o layout da placa, tentar deixar o dissipador o mais afastado possível
das paredes da caixa, ou seja, do chassi, Figura 6-16(a) [60].
¾ Utilizar um isolante elétrico entre a chave semicondutora e o dissipador, como uma
lâmina de mica. Isso ajuda a diminuir a capacitância total, pois produz um caminho
com duas capacitâncias em série, uma da chave semicondutora até o dissipador, e
outra do dissipador até o chassi, resultando em uma diminuição da capacitância total,
conforme Figura 6-16(b), e mostrado em [5].
Dissipador Mica Dissipador

Semicondutora
Semicondutora
Chassi Chassi
D D
Chave
Chave
(a) Capacitância parasita entre o dispositivo (b) Inserção de uma capacitância série entre o
semicondutor e o chassi dispositivo semicondutor e o chassi
Figura 6-16 - Capacitâncias parasitas.
No caso de montagens dentro de gabinetes, não há necessidade de aterrar o dissipador.

Já no caso em que o dissipador fica exposto e pode ser tocado por pessoas, ele necessita ser
conectado ao algum aterramento seguro. Nesse caso, há a necessidade do uso de um material
que isole eletricamente a chave semicondutora e o dissipador. Dessa forma uma capacitância
parasita, associada com o material isolante será gerada entre o dreno do MOSFET e o
96
dissipador, conforme Figura 6-17(a). Como solução para redução desta capacitância parasita
algumas medidas podem ser tomadas, como mostrada em [5] e [55]:
¾ Utilizar um capacitor em série entre o dissipador e o terra, conforme Figura 6-17(b).
Isso ajuda a diminuir a capacitância total, pois produz um caminho com duas
capacitâncias em série.
¾ Utilizar um material condutor entre o isolante térmico e o dissipador, Figura 6-17(c),
inserindo dessa forma mais uma capacitância, diminuindo a capacitância total.
Mica Dissipador Mica Dissipador Mica
Semicondutora
Dissipador
Semicondutora
Semicondutora
Chave
Chave
Chave
(a) Capacitância parasita entre (b) Inserção de capacitância série (c) Inserção de capacitância série
o semicondutor e o dissipador entre o dissipador e o terra entre o semicondutor e o dissipador
Figura 6-17 - Técnicas para redução das capacitância parasitas.
6.5.2 Método Corretivo
Nesta seção é apresentado o método corretivo. São ilustrados alguns filtros de EMI e o
projeto completo de um desses filtros.
6.5.2.1 Filtro de EMI
O uso do método corretivo atenua o ruído existente através de filtragem. A Figura

6-18 ilustra alguns filtros utilizados para redução das emissões de EMI.
(a) Filtro T (b) Filtro L
(c) Filtro Dissipativo (d) Filtro Dissipativo

Balanceado
Figura 6-18 - Filtros de EMI.
97
Já a Figura 6-19 apresenta a topologia de filtro mais utilizada para o controle da EMI
conduzida, chamada de filtro π balanceado. É uma topologia compacta, pois utiliza apenas um
núcleo magnético, e eficaz, pois tem ação em ambos os tipos de ruído, ruído DM e CM.
Figura 6-19 - Filtro π .Balanceado.
Os indutores são acoplados em um único núcleo com a finalidade de apresentar uma

baixa impedância ao ruído DM, mas uma alta impedância ao ruído CM, devido à polaridade
do acoplamento. Correntes em sentidos opostos nas bobinas causam fluxos em sentidos
opostos no material magnético, consequentemente o campo magnético produzido por uma
bobina anula o da outra e a impedância resultante é idealmente nula quando as correntes
tiverem a mesma magnitude e as bobinas o mesmo número de espiras. Quando ambas as
correntes entram ou saem dos pontos simultaneamente, os fluxos se somarão e as bobinas
apresentarão uma alta impedância indutiva, justamente o que acontece com as correntes CM.
Essa análise deixa clara a presença da impedância indutiva para o ruído CM.
Entretanto, idealmente não há indutância no caminho do ruído DM. Nesse caso, o que ocorre
na prática, é que a indutância de dispersão das bobinas, que em muitos casos é maléfica, aqui
é utilizada para a filtragem do ruído DM.
A Figura 6-20 contém os circuitos equivalentes do filtro π balanceado segundo o tipo de
ruído conduzido. Na Figura 6-20 (a) tem-se o circuito equivalente para a filtragem do ruído CM,
onde se observa a presença de apenas um capacitor e um indutor. Pode-se perceber, pela análise
da Figura 6-20(a), que o filtro em questão possui uma de atenuação de 40dB/dec, uma vez que a
fonte de corrente aplicada ao capacitor C y proporciona 20dB/dec de atenuação, e a tensão do
capacitor aplicada ao circuito RL os outros 20dB/dec. Por outro lado, a Figura 6-20(b), no caso
da atenuação do ruído DM, além do indutor existe ainda outros dois capacitores Cx , o que
aumenta a ordem do filtro, e faz com que o mesmo atenue a uma taxa de 60dB/dec.
(a) Circuito equivalente para filtragem do ruído CM (b) Circuito equivalente para filtragem do ruído DM
Figura 6-20 - Circuitos equivalentes para o filtro π balanceado segundo o tipo de ruído.
98
Na Figura 6-21 é ilustrado o filtro múltiplo π que consiste basicamente de dois filtros π
ligados em série, aumentando a ordem do filtro para 5ª para o ruído DM e 4ª ordem para o
ruído CM.
Figura 6-21 - Filtro Multiplo π.
6.5.2.2 Projeto do Filtro de EMI
Para o projeto do filtro de EMI há primeiramente a necessidade de se realizar a

medição do ruído gerado pelo equipamento sobre teste. A Figura 6-22 ilustra o diagrama
típico de uma medida de EMI conduzida.
Figura 6-22 - Setup para medição de EMI conduzida, [70].
A tensão do ruído medida na resistência de 50Ω contém tanto o ruído DM quanto o

ruído CM. Como já foi visto, cada modo de ruído tem seu respectivo filtro de EMI, mostrado
na Figura 6-20(a) e Figura 6-20(b). Os capacitores Cx afetam somente o ruído de modo
diferencial. Já os capacitores C y afetam tanto o ruído CM quanto o ruído DM, mas como o
valor de Cx é muito grande, esse efeito sobre o ruído DM é pequeno. No caso do indutor
acoplado de modo comum, LC , afeta somente o ruído CM idealmente, mas na prática, a

indutância de dispersão entre os dois enrolamentos afeta o ruído DM. Similarmente essa
indutância de dispersão, LD , atua sobre os dois modos de ruído, mas seu efeito no ruído CM é
muito pequena por causa do grande valor do indutor de modo comum.
99
Logo, para o projeto do filtro de EMI, há a necessidade do conhecimento da

freqüência de corte dos dois filtros. Esta freqüência de corte é obtida através da análise dos
ruídos separadamente, com o uso de um separador de ruído, e seguindo os passos a seguir,
tem-se a o projeto do filtro de EMI para ambos os ruídos.
Método de Projeto:
Passo 1: Medir o ruído diferencial e comum com a utilização do separador de ruído, sem
filtro, e obter as correntes de modo comum e diferencial de cada ruído.
Passo 2: Detecção do harmônico crítico. O primeiro harmônico que entra na faixa da norma
de interferência eletromagnética é a freqüência de pior caso (harmônico crítico), ou seja, a
necessidade de atenuação máxima para atingir conformidade com a norma.
Passo 3: Traçar uma reta, com inclinação determinada pela ordem do filtro, a partir do valor
de pico do harmônico crítico em direção à origem, até uma linha imaginária paralela ao eixo
das freqüências, que parte do limite da norma.
Passo 4: A intersecção da reta do passo 3 com a linha imaginária horizontal determina a
freqüência de corte do filtro, Figura 6-23. Com esta freqüência de corte e as equações (5.19) e
(5.20) projeta-se os componentes do cada filtro π, como mostrado por [70]. Para o projeto filtro
múltiplo π. Seguem-se os mesmos passos e mais as equações (5.21), (5.22) e (5.23).
1 1
CX = ( )2 (5.19)
2π fC _ DM LD
1 1
LC = ( )2 (5.20)
2π fC _ CM 2CY
LD1 = LD2
(5.21)
Lc1 = Lc2
(5.22)
C X1 = C X 3 = 0.5C X 2
(5.23)
Onde:
Cx : Capacitor de modo diferencial;
C y : Capacitor de modo comum;
LC : Indutância de modo comum;
LD : Indutância de modo diferencial;
fC _ CM : Freqüência de corte de modo comum;
fC _ DM : Freqüência de corte de modo diferencial.

100
Figura 6-23 - Obtenção das freqüências de corte do ruído DM e CM.
Os capacitores do filtro têm influência no fator de potência, logo, estes precisam ser
limitados. Pode-se estimar o valor máximo da capacitância equivalente de entrada do filtro
pela equação (5.24), a qual desconsidera a presença das indutâncias de modo diferencial do
filtro de EMI, já que na freqüência da rede (50/60 Hz) a influência delas é desprezível, [5].
Pmin
Cmax = tan(arccos( FPmin )) (5.24)
2π f (V fase ( rms ) ) 2
Onde:
Pmin : Potência mínima de entrada;
FPmin : Fator de potência mínima
f : Freqüência da rede;
V fase ( rms ) : Tensão eficaz de entrada.
Além disso, o uso do filtro de EMI provoca um outro problema ao PFC. O filtro de
entrada afeta a dinâmica do conversor, muitas vezes de forma que prejudique o desenpenho
do conversor. Isso acontece porque o os elementos do filtro de entrada afetam a função de
transferência do conversor. Como solução, utiliza-se um resistor em paralelo com o filtro para
amortecer as oscilações geradas pela aplicação do filtro de EMI. Contudo, esta solução
apresenta um novo problema, a potência dissipada sobre este resistor. Dessa forma, o uso de
um resistor em paralelo não é uma solução prática.
Uma outra solução é ilustrada na Figura 6-24, como mostrado por [1]. É adicionado
um capacitor Cb em série com o resistor R f , logo, nenhuma corrente CC fluirá através deste
resistor, eliminando dessa forma o problema da potência dissipada sobre o mesmo.

O projeto do resistor de amortecimento é calculado conforme [1], o qual utiliza as
equações (5.25), (5.26) e (5.27).
101
Lc
Rof = (5.25)
Cx
Cx
n= (5.26)
Cf
(2 + n)(4 + 3n)
R f = Rof (5.27)
2n 2 (4 + n)
Figura 6-24 - Resistor de Amortecimento do filtro.
6.5.2.3 Separador de Ruído
O espectro de ruído medido diretamente nos resistores da LISN é o ruído total. Para
analisar o ruído de modo diferencial e o ruído de modo comum separadamente, um separador
de ruído deve ser usado, como mostrado por [71].
O conceito do separador de ruído é muito simples. Na Figura 6-25 pode-se ver a
representação do funcionamento deste conceito. Dois sinais (A e B) derivados da LISN
consistem de ambos os ruídos, diferencial e comum. Contudo, um dos sinais é um vetor soma
destes dois modos, e o outro sinal é um vetor diferença dos dois modos.
Isso é realizado com o uso de um equipamento chamado power combiner de 0° e 180°.
A saída do 0° é a soma dos dois sinais de entrada, e a saída do 180° é a diferença dos sinais de
entrada. No separador de ruído, o 0° power combiner cancela a componente diferencial e
permite a passagem da componente comum. Já o 180° power combiner cancela a componente
comum e permite a passagem da componente diferencial. A inserção de um separador de
ruído não perturba o sistema de medição porque a impedância vista pelo ponto A em relação
ao aterramento (ou ponto B para o terra) ainda é 50Ω.
(a) Separação do ruído de modo diferencial (b) Separação do ruído de modo comum
Figura 6-25 - Princípios do Separador de Ruído, [71].
102
6.6. Simulação de EMI Conduzida
O ruído DM é dependente exclusivamente da corrente que circula no circuito, sendo

possível ser simulado. Já o ruído CM é diretamente dependente das capacitâncias parasitas de
toda montagem, sendo dessa forma muito difícil de ser estimado e simulado. Com isso, as
simulações apresentadas são de EMI conduzida DM para os três conversores, realizados com
o software MatLab®, considerando os limites da norma CISPR 22 classe B, [72].
A Figura 6-26 apresenta as simulações de EMI conduzida considerando componentes
ideais. Pode-se notar que os conversores estão fora dos limites estabelecidos pela norma.
Além disso, pode-se verificar que os conversores apresentaram a mesma característica para o
ruído DM. Isso ocorreu devido ao fato dos conversores terem sido projetados para
apresentaram a mesma THD e a mesma freqüência de ondulação para a corrente de entrada.
(a) Conversor Boost (b) Conversor Boost Intercalado
(c) Conversor Dual Boost

Figura 6-26 - Simulação de EMI conduzida e limites da norma CISPR 22.
103
Como já foi dito, os parasitas presentes no indutor Boost podem proporcionar um

caminho para circulação do ruído DM, já que o indutor pode deixar de se comportar como um
indutor puro, dependendo da freqüência do sinal que circula pelo mesmo. Para mostrar o
efeito destes parasitas sobre o ruído DM há necessidade de modelar-se o indutor.
A modelagem do indutor foi realizada de acordo com [6]. O modelo equivalente do
indutor utilizado é ilustrado na Figura 6-27. Foram levantadas as curvas de impedâncias para
os indutores projetados no laboratório, com a utilização do analisador de impedância, rede e
espectro (Agilent-4395A). A Figura 6-28 apresenta as curvas de impedância dos indutores
implementados em laboratório para os indutores dos três conversores. Com essas curvas de
impedância e com o uso do software MatLab® foi feito uma aproximação dos valores do
modelo equivalente do indutor, obtendo-se dessa forma, os valores mostrados na Tabela 6-1.
Com esses valores simulou-se novamente a interferência eletromagnética diferencial e
verificou-se o impacto dos parasitas dos indutores sobre o ruído conduzido. Pode-se perceber
na Figura 6-29 que tais parasitas têm um impacto significativo para o ruído em altas
freqüências.
2
3
1 1
2
1
Figura 6-27 - Modelo equivalente do indutor.
(a) Indutor do conversor boost (b) Indutor do conversor Dual Boost
(c) Indutor do conversor Boost Intercalado – célula 1 (d) Indutor do conversor Boost Intercalado – célula 2
Figura 6-28 - Curvas de impedância dos indutores implementados.
104
Tabela 6-1 - Valores obtidos nas aproximações das curvas – Indutores.

Parâmetros dos Indutor Boost Indutor Boost Indutor Boost Indutor Dual
Indutores Intercalado 1 Intercalado 2 Boost
L1 186μH 175μH 175 μH 145μH
L2 3.5μH 6μH 6μH 3μH
C1 80рF 125рF 118 рF 80рF
R1 3Ω 3Ω 3Ω 3Ω
R2 43k Ω 30k Ω 30k Ω 40k Ω
R3 0.5kΩ 3.5kΩ 3.5kΩ 2.5kΩ
A Figura 6-29 apresenta as simulações de EMI conduzida para os três conversores

considerando agora os valores reais do indutor e os limites da norma CISPR 22. Tais valores
foram obtidos através da modelagem do indutor e pode-se perceber o impacto dos parasitas do
indutor sobre o ruído de modo diferencial.
(a) Conversor Boost (b) Conversor Boost Intercalado
(c) Conversor Dual Boost

Figura 6-29 - Simulação de EMI conduzida considerando a modelagem do indutor .
105
6.7. Conclusão
Este capítulo abordou a interferência eletromagnética conduzida. Foram discutidos as

diferenças entre os ruído de modo comum e modo diferencial, bem como suas fontes
geradoras. Foi discutido detalhadamente o comportamento e os caminhos percorridos pelos
ruídos nos conversores Boost, Boost Intercalado e Dual Boost.
Na seqüência foram apresentados algumas técnicas para redução destes ruídos através
de métodos preventivos e corretivos.
Para finalizar, foram apresentados simulações do ruído conduzido de modo diferencial
considerando somente componentes idéias para os três conversores. Foi também abordado a
modelagem do indutor Boost com o objetivo de mostrar o impacto das capacitâncias parasitas
deste indutor sobre este ruído simulado.
Como pode ser visto nas simulações, considerando somente valores reais, os três
conversores apresentaram certa similaridade no comportamento da EMI. Isso se deve ao fato
dos conversores terem sido projetados para apresentarem a mesma THD, e dessa forma, o
mesmo filtro de EMI. Pode-se notar nestas simulações que os três conversores não estão de
acordo com os limites estabelecidos pela norma CISPR 22, necessitando-se da aplicações de
técnicas de redução de EMI para a conformidade com a mesma. Além disso, quando
considerou-se os valores reais do indutor, após a modelagem do mesmo, pode-se notar o
impacto das capacitâncias parasitas sobre a EMI. Os maiores níveis de EMI foram verificados
no conversor Dual Boost. Atribui-se a isso a forma como foi confeccionado o indutor deste
conversor.
No capítulo 7 são mostradas as medições da interferência eletromagnética conduzida
dos conversores com e sem a utilização de filtros de EMI.
Capítulo 7
RESULTADOS EXPERIMENTAIS
7.1. Introdução
Esse capítulo apresenta os resultados experimentais das três topologias abordadas

neste trabalho. Primeiramente são apresentadas as especificações de todos os dispositivos
semicondutores utilizados e os elementos passivos de cada montagem. A seguir, os resultados
de simulação são apresentados, e para finalizar, resultados experimentais.
7.2. Especificações dos protótipos
Na Tabela 7-1 é apresentado os parâmetros utilizados para o projeto dos conversores

Boost, Boost Intercalado e Dual Boost. Deve-se salientar que devido ao fato do conversor
Boost Intercalado operar com duas células intercaladas, a freqüência de comutação de cada
célula é a metade da utilizada pelos outros conversores, ou seja, 12 kHz. A escolha dessa
freqüência se deve ao fato que, dessa forma, a freqüência de ondulação da corrente de entrada
dos três conversores é idêntica.
Tabela 7-1 - Parâmetros de Projeto

Especificações
Tensão de Entrada 220V±15%
Tensão de Saída 360 V
Potência de Saída 6 kW
Freqüência de Comutação (Boost e Dual) 24 kHz
Freqüência de Comutação (Intercalado) 12 kHz
Temperatura ambiente 25ºC
107
Na Tabela 7-2 é apresentado os valores projetados dos elementos passivos para que os
conversores operarem como PFC. Tais elementos foram projetados segundo as equações
apresentadas nos capítulos 2, 3 e 4 respectivamente. Pode-se notar que os valores de
indutância são diferentes entre si. Isso se deve ao fato dos indutores terem sidos projetados
para que os três conversores apresentassem os mesmos valores de THD da corrente de
entrada, com o intuito de apresentarem o mesmo filtro de EMI.
Tabela 7-2 - Valores dos elementos passivos.

Especificações Conversor Conversor Conversor
Boost Boost Intercalado Dual Boost
Capacitor de Barramento 14,1 mF 14,1 mF 14,1 mF
Indutor 186 μH 2x175 μH 145 μH
7.3. Especificações dos Dispositivos Semicondutores
Com os parâmetros de projeto definidos na Tabela 7-1 pode-se especificar os

dispositivos semicondutores. A seguir são apresentados os valores obtidos dos cálculos de
corrente para cada dispositivo semicondutor. Todos os cálculos apresentados foram
comprovados através de simulações com o auxílio do software Psim. Dessa forma, os
dispositivos semicondutores escolhidos são ilustrados na Tabela 7-3.
A. Conversor Boost
Utilizando-se os parâmetros de projeto descritos na Tabela 7-1 e a equação (2.29),
para a corrente eficaz da chave semicondutora, e a equação (2.30), para corrente média,
obteve-se os valores apresentados a seguir.
I S _ rms = 14, 08 A
I s = 7,89 A
Da mesma forma, através da equação (2.31), corrente eficaz do diodo semicondutor, e
a equação (2.32), corrente média, tem-se:
I D _ rms = 23, 4 A
I D = 16, 667 A
Para o cálculo da corrente eficaz dos diodos semicondutores da ponte retificadora
utilizou-se a equação (2.33) e a equação (2.34) para o cálculo da corrente média.
I D _ rms = 19, 28 A
I D = 12, 27 A
108
B. Conversor Boost Intercalado

Conforme foi feito para o conversor Boost, o cálculo da corrente eficaz da chave
semicondutora do conversor Boost Intercalado foi calculado através da equação (3.5) e a
equação (3.6) para a corrente média.
I S _ rms = 7, 04 A
I = 3,95 A
s
Para o cálculo da corrente eficaz dos diodos semicondutores utilizou-se a equação
(3.7) e a equação (3.8) para o cálculo da corrente média. O cálculo da corrente eficaz e médio
na ponte retificadora é o mesmo realizado para o conversor Boost.
I D _ rms = 11, 7 A
I D = 8,34 A
C. Conversor Dual Boost

A corrente eficaz da chave semicondutora do conversor Dual Boost foi calculado
através da equação (4.1) e para a corrente média a equação (4.2).
I S _ rms = 9,95 A
I s = 3,95 A
Para o cálculo da corrente eficaz dos diodos semicondutores utilizou-se a equação

(4.3) e a equação (4.4) para o cálculo da corrente média.
I D _ rms = 17,32 A
I D = 8,33 A
Já o cálculo das correntes dos diodos intrínsecos das chaves, responsáveis pela
retificação, utilizou-se a equação (4.5), corrente eficaz, e a equação (4.6) para corrente média.
I D _ rms = 19, 28 A
I D = 12, 28 A
Tabela 7-3 - Dispositivos semicondutores utilizados nas montagens.

Chave Ponte
Pré-regulador semicondutora
Diodo
Retificadora
Conversor Boost IRGP50B60PD1 30EPH06 KBPC50
Conversor Boost Intercalado IRGP30B60KD-E 10ETF06S KBPC50
Não há ponte
Conversor Dual Boost IRGP30B60KD-E 10ETF06S
retificadora
109
7.4. Simulações dos Conversores
As simulações foram realizadas com o uso dos parâmetros descritos pela Tabela 7-1 e
Tabela 7-2 através do software Psim. A Figura 7-1 apresenta os resultados de simulação para
o conversor Boost operando como PFC para a carga de 6 kW, 220V de tensão de entrada e
400V a tensão do barramento. O controle utilizado para essas simulações está descrito no
Apêndice A. A Figura 7-1(a) mostra a tensão de entrada e a corrente de entrada do conversor.
Já a Figura 7-1(b) apresenta a corrente do indutor Boost.
Vin
Iin
(a) Corrente de entrada e tensão de entrada
(b) Corrente no indutor

Figura 7-1 - Conversor Boost operando como PFC.
Na Figura 7-2 é apresentado o conversor Boost Intercalado operando para as mesmas

parâmetros de simulação utilizados para o conversor Boost. Pode ser visto na Figura 7-2(a) a
tensão de entrada e a corrente de entrada do conversor. Na Figura 7-2(b) é mostrado a
corrente no indutor Boost L1 e na Figura 7-2(c) a corrente do indutor L2 .
110
Vin
Iin
(b) Corrente no indutor L1.
(c) Corrente no indutor L2 .

Figura 7-2 - Conversor Boost Intercalado operando como PFC.
Da mesma forma, a Figura 7-3 apresenta o conversor Dual Boost operando como PFC,
onde na Figura 7-3(a) tem-se a tensão e a corrente de entrada, e na Figura 7-3(b), a corrente
do indutor Boost para este conversor.
111
Vin
Iin
(b) Corrente no indutor

Figura 7-3 - Conversor Dual Boost operando como PFC.
7.5. Análise dos custos de implementação
É apresentado nesta seção os custos de implementação. Primeiramente todos os

componentes utilizados para a implementação de cada conversor são descritos e, em seguida,
na Tabela 7-4 são apresentados os gastos detalhados.
A. Conversor Boost
¾ Chave Semicondutora: 1x IRGP50B60PD1
¾ Diodo Semicondutor: 1x 30EPH06
¾ Ponte Retificadora: KBPC5010
¾ Capacitor de Barramento: 3 x EPCOS B43875 A5478 Q000- 4700μF/450V
¾ Núcleo Magnético: 2x 77908 – Magnetics
¾ Sensor de Corrente: 1x Transdutor de Corrente Por Efeito Hall – LA 55-P
¾ Placa de controle: 1x PIC24HJ32GP502
¾ Dissipador: HS Dissipador - Perfil 17232
112
B. Conversor Boost Intercalado

¾ Chave Semicondutora: 2x IRGP30B60KD-E
¾ Diodo Semicondutor: 2x 10ETF06S
¾ Ponte Retificadora: KBPC5010
¾ Núcleo Magnético: 2x 77868 - Magnetics
C. Conversor Dual Boost
¾ Chave Semicondutora: 2x IRGP30B60KD-E
¾ Diodo Semicondutor: 2x 10ETF06S
¾ Núcleo Magnético: 2x 77908 - Magnetics
¾ Sensor de Tensão: 1x Transdutor de Tensão Por Efeito Hall – LV 20-P
Tabela 7-4 - Comparação detalhada dos preços de implementaçõo.

Pré-Reguladores Boost Boost Intercalado Dual Boost
Chave Semicondutora R$ 84,00 2x R$ 76,00 2x R$ 76,00
Diodo Semicondutor R$ 25,00 2x R$ 24,00 2x R$ 24,00
Ponte Retificadora R$ 12,00 R$ 12,00 0
Capacitor de Saída 3x R$ 201,00 3x R$ 201,00 3x R$ 201,00
Núcleo Magnético 2x R$ 15,20 2x R$ 9,90 2x R$ 15,20
Driver R$ 16,00 2x R$ 16,00 2x R$ 16,00
Fontes Auxiliares R$ 16,00 R$ 16,00 2x R$ 16,00
Sensor de Corrente R$ 55,37 2x R$ 55,37 R$ 55,37
Sensor de Tensão R$ 0,20 R$ 0,20 R$ 135,75
Placa de Controle RS 28,00 RS 28,00 RS 28,00
Dissipador R$ 30,71 R$ 16,58 R$ 17,80
Total R$ 900,68 R$ 1038,32 R$ 1134,32
Pode-se verificar que o conversor Boost foi o conversor que apresentou o menor custo
de implementação. Por outro lado, o conversor Dual Boost foi o mais caro devido aos
problemas de ruído desta topologia, o que resultou na inserção de um sensor de tensão de alto
custo para a medição da tensão de saída.
113
7.6. Resultados Experimentais
Nesta seção são apresentados os resultados experimentais dos três conversores

operando na correção do fator de potência. Os três conversores foram colocados em
funcionamento utilizando-se as leis de controle descritas no Apêndice A. Primeiramente, com
o objetivo de validação das leis controle utilizadas, os três protótipos foram implementados
em escala reduzida. Dessa maneira, os três conversores foram ensaiados para uma carga de
300W. Na Figura 7-4, o conversor Boost é apresentado, e na Figura 7-5 tem-se o conversor
Boost Intercalado para a mesma carga.
Vin
Iin
Figura 7-4 - Boost operando como PFC, Po = 300W. Escalas:100V/div, 5A/div, 5ms/div.
Vin
Iin
Figura 7-5 - Boost Intercalado como PFC, Po = 300W. Escalas:100V/div, 5A/div, 5ms/div.
Já para o conversor Dual Boost, a fonte de ruído de modo comum presente neste
conversor interferiu no sinal amostrado da tensão de entrada, fazendo com que o
microcontrolador não conseguisse ler o sinal de entrada. Na Figura 7-6 pode ser verificado tal
interferência. Pode-se perceber pela figura, que o sinal ruidoso acontece somente no semi-
ciclo negativo. A solução utilizada para contornar o problema, foi a isolação da parte de
114
potência do controle, o que não acontecia nos conversores Boost e Boost Intercalado, fazendo
com que a tensão de saída seja agora medida isoladamente através de um sensor de tensão.
Além disso, outras técnicas para eliminação do ruído de modo comum foram aplicadas, como
utilização de filtros RC, planos de terra, filtro de ruído de modo comum para o sinal
amostrado e blindagem do indutor Boost. Feito isso, obteve-se a Figura 7-7 a qual mostra o
conversor Dual Boost operando como PFC, para a mesma carga dos demais.
Figura 7-6 - Sinal amostrado da tensão de entrada. Escalas:500mV/div, 10ms/div.
Vin
Iin
Figura 7-7 - Dual Boost operando como PFC, Po = 300W. Escalas:100V/div, 5A/div, 5ms/div.
Após a obtenção dos resultados experimentais dos três conversores operando como
PFC, para a potência de 300 W, realizou-se a medição da interferência eletromagnética
conduzida gerada por esses conversores. Tais resultados foram realizados no laboratório de
EMI do GEPOC/UFSM com o uso do equipamento EMC Analyzer E7400A. Logo, a Figura
7-8 mostra o resultado experimental do conversor Boost quanto à interferência
eletromagnética conduzida sem a utilização de filtros. Já a Figura 7-9 e Figura 7-10
apresentam os mesmos resultados para os conversores Boost Intercalado e Dual Boost,
respectivamente.
115
Figura 7-8 - Interferência eletromagnética conduzida sem filtro– Conversor Boost.
Figura 7-9 - Interferência eletromagnética conduzida sem filtro – Conversor Boost Intercalado.
Figura 7-10 - Interferência eletromagnética conduzida sem filtro – Conversor Dual Boost.
Pode-se perceber que os três conversores estão fora dos limites estabelecidos pela
norma, e que o conversor Dual Boost mostrou-se o conversor mais ruidoso. Logo, projetou-se
o filtro de EMI seguindo-se as etapas de projeto apresentadas no capítulo 6. A Figura 7-11
ilustra o filtro múltiplo π implementado.
116
Os resultados obtidos com a utilização do filtro múltiplo π são mostrados na Figura

7-12 a Figura 7-14. Nota-se que a utilização do filtro de EMI fez com que os conversores
Boost e Boost Intercalado atendessem aos limites da norma. Por outro lado, o mesmo não
ocorreu com conversor Dual Boost. Associa-se isto ao fato deste conversor apresentar uma
fonte pulsante de ruído de alta freqüência que carrega e descarrega as capacitâncias do
conversor, resultando em uma grande fonte de ruído de modo comum. Dessa forma, apenas a
utilização do filtro não é suficiente para fazer com que este conversor atenda aos limites da
norma. Outras técnicas de redução de EMI devem ser aplicadas com o intuito de tentar
atenuar os problemas causados pela fonte pulsante de alta freqüência deste conversor.
Figura 7-11 - Filtro de EMI implementado.
Figura 7-12 - Interferência eletromagnética conduzida com filtro – Conversor Boost.
Figura 7-13 - Interferência eletromagnética conduzida com filtro – Conversor Boost Intercalado.
117
Figura 7-14 - Interferência eletromagnética conduzida com filtro – Conversor Dual Boost.
Terminado os testes de validação das leis de controle e EMI, iniciou-se a elevação da

potência, mas agora com os conversores projetados para a carga de 6 kW. Primeiramente,
para comprovação da parte térmica, testou-se os conversores operando na carga de 6 kW
aplicando-se uma tensão de entrada CC e uma razão cíclica fixa. Comprovou-se que os
dispositivos semicondutores operaram com uma temperatura aceitável para a carga máxima,
validando com isso a parte térmica.
Em seguida iniciaram-se os testes com os conversores operando como PFC. Elevou-se
a potência de forma gradativa, obtendo-se com isso as curvas de rendimento dos três
conversores. No entanto, a potência máxima obtida foi de 1600W devido à limitação das
fontes de alimentação utilizadas.
O conversor Boost operando como PFC para uma carga de 1600W é apresentado na
Figura 7-15, onde é mostrada a corrente e a tensão de entrada do conversor em fase. Para essa
carga o conversor Boost já esta operando em modo de condução misto.
Vin
Iin
Figura 7-15 - Conversor Boost, Po = 1600W. Escalas:100V/div, 20A/div, 5ms/div.

118
A Figura 7-16 mostra o conversor Boost Intercalado operando como PFC nas mesmas
condições de testes do conversor Boost. Pode-se perceber que a tensão e a corrente estão
totalmente em fase. A corrente nos dois indutores do conversor Boost Intercalado, as quais estão
operando intercaladamente com uma defasagem de 180º entre si, é ilustrada na Figura 7-17.
Vin
Iin
Figura 7-16 - Conversor Boost Intercalado, Po = 1600W. Escalas:100V/div, 20A/div, 5ms/div.
Figura 7-17 - Corrente nos indutores operando intercaladamente. Escalas: 5A/div, 5ms/div.
Na Figura 7-18 tem-se o conversor Dual Boost operando como PFC para a mesma
carga dos demais.
Vin
Iin
Figura 7-18 - Conversor Dual Boost, Po = 1600W. Escalas:100V/div, 20A/div, 5ms/div.

119
Como mencionado anteriormente, a curva de rendimento dos conversores foi obtida

enquanto era elevada a potência dos conversores. Esses resultados foram obtidos com a
utilização do equipamento Yokogawa WT1600 Digital Power Meter. Logo, a Figura 7-19
apresenta o rendimento dos conversores, com uma variação da potência de 0W até 1600W.
Pode-se notar pelas curvas de rendimento que o conversor Boost Intercalado mostrou-se o mais
eficiente para essa faixa de potência, enquanto que o conversor Dual Boost o menos eficiente.
Figura 7-19 - Análise comparativa do rendimento dos conversores.
O espectro harmônico de cada conversor para a carga de 1600W pode ser visto na
Figura 7-20, do 2º ao 40º harmônico, conforme estipulado pela norma. A obtenção destes
resultados foi realizada com o uso do equipamento Yokogawa WT1600 Digital Power Meter.
Pode-se perceber que o conversor Dual Boost foi o que apresentou os maiores valores de seus
harmônicos, enquanto que o Boost Intercalado apresentou os menores valores.
Figura 7-20 - Harmônicos da corrente de entrada dos conversores.

120
Para finalizar, é ilustrado na Tabela 7-5 uma comparação dos conversores, com alguns
parâmetros avaliados neste trabalho, onde é destacado qual conversor mostrou-se mais
satisfatório para cada quesito.
Tabela 7-5 - Comparação dos conversores.

Conversor Boost Conversor Dual
Pré-Regulador Conversor Boost
Intercalado Boost
Fator de potência 0,9993 0,9990 0,9972
THD 4,35 4,08 7,98
Perdas nos
Semicondutores 122.1 W 119.5 W 91 W
Volume dos
dissipadores
1361,69 cm³ 779,26 cm³ 717,72 cm³
Perdas nos
Magnéticos
12.56 W 6.56 W 11.36 W
Perdas no cobre 18.18 W 14.29 W 15.96 W
Volume dos
magnéticos
90.6 cm³ 69.4 cm³ 90.6 cm³
N° quedas de tensão
nos semicondutores
3 4 2
N° de chave 1 2 2
semicondutoras
N° de diodos rápidos 1 2 2
N° de diodos
retificadores
4 4 0
Custo R$ 884,49 R$ 1023,27 R$ 1102,32
Pode-se concluir pela tabela que se for levado em consideração o alto fator de
potência, reduzido número de componentes e baixo custo de implementação deve-se utilizar o
conversor Boost. Já se for levado em consideração a baixa THD e reduzidas perdas e volume
dos magnéticos deve-se utilizar o conversor Boost Intercalado. E se a preocupação for o valor
reduzido das perdas nos semicondutores, menor número de queda de tensões nos dispositivos
semicondutores e eliminação da ponte retificadora, o conversor Dual Boost é o mais
recomendado.
7.7. Conclusão
Este capítulo apresentou todos os resultados experimentais obtidos neste trabalho. Além
disso, foram especificados os dispositivos semicondutores e apresentado simulações dos
conversores operando como PFC, com o uso das leis de controle utilizadas. Análise detalhada
dos custos de implementação das três topologias foi descrita, além dos resultados experimentais
e medições de interferência eletromagnética conduzida sem e com a utilização de filtro.
121
Foram apresentados primeiramente resultados experimentais em uma escala reduzida,

com o objetivo de colocar em funcionamento os conversores antes da elevação da potência.
Dessa forma, pode-se validar as leis de controle e adquirir um melhor entendimento dos
conversores operando como PFC e seus problemas nas medições.
Pode-se concluir que os três conversores obtiveram fator de potência muito próximo
da unidade e seus harmônicos da corrente de entrada estão em conformidade com a norma.
O conversor Dual Boost foi o que apresentou a maior THD, e os maiores níveis dos
harmônicos, devido aos problemas da fonte de ruído de modo comum presente nesta
topologia. Este problema fez com que este conversor apresentasse também os maiores níveis
de EMI.
Quanto ao rendimento, o conversor Boost Intercalado obteve os melhores resultados
para a faixa de potência analisada. Por outro lado, o conversor Dual Boost foi o que
apresentou o menor rendimento. Já quanto a análise de custos, o conversor Boost mostrou-se
o mais barato para implementação. Para finalizar, foi apresentada uma tabela comparativa de
alguns dos parâmetros de comparação, onde nas conclusões gerais, cada item é discutido
individualmente com maior ênfase, além de outros parâmetros.
CONCLUSÕES GERAIS
Foi apresentada nesta dissertação uma análise comparativa de conversores monofásicos

aplicados à correção do fator de potência para aplicações de alta potência. Os conversores
estudados foram: o conversor Boost, o conversor Boost Intercalado e o conversor Dual Boost.
Dessa forma, os capítulos 2, 3 e 4 foram dedicados à apresentação dos conversores em
análise, mostrando suas vantagens e desvantagens em aplicações para correção do fator de
potência. Foram descritos também as etapas de operação destes conversores e o equacionamento
das correntes nos semicondutores para o correto dimensionamento dos mesmos.
Em seguida, no capítulo 5, foi realizada uma análise das perdas nos dispositivos
semicondutores (chave semicondutora, diodo e ponte retificadora) para o projeto dos
dissipadores. Foram também abordadas, neste capítulo, as perdas nos magnéticos para cada
conversor e uma análise do volume dos mesmos.
Já no capítulo 6 foi apresentada a análise da interferência eletromagnética conduzida
produzida pelos conversores. Foram discutidos detalhadamente os ruídos de modo diferencial
e modo comum para cada conversor e os caminhos percorridos pelos mesmos. Em seguida
foram descritas algumas formas para atenuação da interferência eletromagnética conduzida
através de métodos preventivos e corretivos, o que é realizado através de filtragem. Logo, foi
apresentado o projeto do filtro de EMI.
Para finalizar, o capítulo 7 mostrou os resultados experimentais obtidos. Primeiramente
foi especificado os dispositivos semicondutores e elementos passivos utilizados na
implementação dos protótipos. Em seguida, resultados de simulação dos conversores. Além
disso, uma análise dos custos de implementação foi descrita. Finalmente, resultados
experimentais dos três conversores foram apresentados. Como já mencionado, os conversores
foram implementados, primeiramente, em uma escala reduzida de potência. Isso foi feito com o
objetivo de colocar os conversores em funcionamento aplicando-se as leis de controle. Depois
disso, resultados experimentais foram obtidos elevando-se a potência aos poucos e obtendo-se,
dessa forma, as curvas de rendimento dos conversores. Medições da EMI conduzida foram
também apresentadas, com e sem filtro de EMI. Ao final do capítulo, uma tabela foi
apresentada mostrando todos os parâmetros comparativos obtidos neste trabalho.
123
Com isso, após o estudo dos conversores Boost, Boost Intercalado e Dual Boost
aplicados à correção do fator de potência, pode-se citar as seguintes conclusões:
Quanto ao Fator de Potência
Os três conversores apresentaram bons resultados quanto ao fator de potência,
resultando em valores muito próximos do valor unitário, estando totalmente de acordo com o
Artigo nº. 64 da Resolução ANEEL nº456, que estabelece um fator de potência mínimo de 0,92.
Quanto à Taxa de Distorção Harmônica da Corrente de Entrada (THD)
O projeto inicial dos conversores foi realizado com o intuito dos mesmo apresentarem
a mesma taxa de distorção harmônica, tendo dessa forma o mesmo filtro de entrada para as
três topologias. Para os conversores Boost e Boost Intercalado isso realmente ocorreu na
prática, pois ambos apresentaram valores de THD muito próximos. Já o conversor Dual
Boost, apresentou a maior THD e muito diferente dos outros dois conversores. Isso aconteceu
devido à presença da fonte de ruído de alta freqüência de modo comum presente nesta
topologia que resultou na elevação do THD.
Quanto aos Harmônicos da corrente de entrada
Como pode ser visto nos harmônicos mostrados nas figuras do capítulo 7 o conversor
Dual Boost apresentou os maiores valores para os harmônicos de corrente de entrada devido
aos problemas de ruído já mencionado.
Quanto às Perdas nos Magnéticos
Quanto às perdas nos magnéticos, o conversor Boost Intercalado foi o que apresentou as
menores perdas. Isso se deve ao fato deste conversor ter sua corrente de entrada dividida entre
as duas células Boost, fazendo com que a corrente no indutor seja a metade da presente nos dois
outros conversores. Além disso, cada célula Boost opera com a metade da freqüência de
comutação dos outros conversores, reduzindo dessa forma as perdas sobre os magnéticos.
Quanto às Perdas no cobre
Da mesma forma que as perdas nos magnéticos, o conversor Boost Intercalado foi o
que apresentou as menores perdas no cobre, já que estas perdas são diretamente proporcionais
a corrente que circula nos fios e suas resistências.
Quanto às Perdas nos Semicondutores
Quanto às perdas nos semicondutores, o conversor Dual Boost foi o conversor que
apresentou as menores perdas nos semicondutores. Isso pode ser justificado devido a dois fatores:
i) A eliminação da ponte retificadora proporcionou a redução de componentes, o que resultou
na diminuição no número de quedas de tensão (perdas) sobre os dispositivos semicondutores,
sendo nesta topologia somente 2 quedas de tensão a cada instante, enquanto que nos outros
124
conversores há 3 ou 4 quedas de tensão. ii) A forma como as chaves semicondutoras e diodos

conduzem a corrente. Como foi mostrado, as chaves semicondutoras e os diodos conduzem
somente meio ciclo de rede por vez, fazendo com que a corrente eficaz sobre elas seja reduzida,
tendo reduzidas perdas sobre elas, se comparado com os outros conversores.
Já o conversor Boost foi o que apresentou as maiores perdas, e isso é justificável
devido a fato de todo o fluxo de potência desta topologia passa pela chave semicondutora e
pelo diodo, resultando em elevadas perdas e esforços de corrente.
Quanto ao Rendimento
Quanto ao rendimento, pode-se verificar que o conversor Boost Intercalado é o
conversor com o melhor rendimento. Isso se deve ao fato deste conversor ter sua corrente de
entrada dividida entre as células Boost. Já o conversor Dual Boost é o que apresentou o menor
rendimento devido à alta THD presente neste conversor.
Quanto ao Volume dos Dissipadores
O volume dos dissipadores está diretamente ligado às perdas nos dispositivos
semicondutores. Logo, como o conversor Dual Boost foi o que apresentou as menores perdas
neste quesito, consequentemente foi o que utilizou o menor volume de dissipador.
Quanto ao Volume dos Magnéticos
Devido ao fato do conversor Boost Intercalado ter sua corrente de entrada dividida
entre as duas células boost e como o volume dos magnéticos é determinando pela corrente que
circula pelos mesmos, este conversor apresentou o menor volume dos magnéticos. Já os
conversores Boost e Dual Boost apresentaram o mesmo volume de magnético já que suas
correntes nos indutores foram às mesmas.
Quanto à Interferência Eletromagnética Conduzida
O conversor Dual Boost mostrou-se o mais ruidoso entre os três conversores analisados.
Isso aconteceu devido à presença da fonte de ruído de alta freqüência presente nesta topologia.
Essa fonte de ruído resultou em um elevado nível de ruído em alta freqüência para este conversor.
Já os conversores Boost e Boost Intercalado apresentaram certa similaridade em seu
desempenho quanto ao EMI até 1 MHz, onde é predominante o ruído de modo diferencial. Isso
se deve ao fato de ambos os conversores terem sidos projetados para apresentar à mesma THD,
além de possuírem a mesma corrente de entrada. Por outro lado, a presença da fonte de ruído de
modo comum no conversor Dual Boost aumentou sua THD, logo o ruído de modo diferencial
nesta topologia não teve esta similaridade com relação aos outros conversores mesmo tendo
sido projetado para apresentar a mesma THD.
125
Quanto ao ruído de modo comum, predominante acima de 1 MHz, não houve

semelhança, pois este ruído depende das capacitâncias parasitas de todo o conversor, não
sendo possível haver similaridade entre topologias com montagens diferentes.
Quanto ao filtro de EMI
A utilização do filtro de EMI resultou na conformidade com os limites da norma para
os conversores Boost e Boost Intercalado. Já para o conversor Dual Boost isto não foi
possível devido aos problemas da fonte pulsante de ruído de alta freqüência que carrega e
descarrega as capacitâncias do conversor. Apenas a utilização do filtro não é suficiente para
fazer com que este conversor atenda aos limites da norma.
Quanto ao Número de componentes
O conversor Dual Boost foi o que apresentou o menor número de componentes em sua
implementação. Isto se deve à eliminação da ponte retificadora, já que neste conversor, o
processo de retificação é realizado pelos os diodos intrínsecos das chaves semicondutoras.
Quanto à Instrumentação
Quanto à instrumentação utilizada, descrita no Apêndice C, pode-se afirmar que a
maior complexidade na aquisição das variáveis necessárias para o controle do PFC ( iL , Vin e
Vo ) ocorreu com o conversor Dual Boost.

Começando pela aquisição da corrente do indutor, pode-se dizer que devido ao fato
desta corrente ser CA, e não CC como é para o Boost e Boost Intercalado, levou a utilização
de uma instrumentação diferenciada com relação à medição dos outros conversores.
Já a tensão de entrada foi a que apresentou as maiores dificuldades para aquisição do
conversor Dual Boost. Isso ocorreu devido à presença da fonte de ruído de modo comum
neste conversor. Essa fonte de ruído interferiu na aquisição dos valores da tensão de entrada
pelo microcontrolador. Como alternativa, isolou-se a medição da tensão de saída, fazendo
com que toda a parte de potência deste conversor estaja isolada da parte do controle, o que
não ocorre para os conversores Boost e Boost Intercalado. Isso resultou em um acréscimo
considerável nos custos de implementação desta instrumentação para este conversor e uma
maior complexidade, já que a aquisição do valor da tensão de saída era realizada através de
um divisor resistivo.
Quanto ao Controle
A maior dificuldade para a implementação do controle digital utilizado foi verificada
para o conversor Boost Intercalado. Isso se deve ao fato deste conversor operar com duas
células Boost intercaladas com uma defasagem de 180º. Já para os outros dois conversores a
126
implementação do controle não apresentou muitas dificuldades, pois os dois conversores

apresentam o mesmo comportamento dinâmico, logo o controle usado é o mesmo para ambos.
Quanto aos custos
Como era esperado, devido à simplicidade e baixo número de componentes, o conversor
Boost foi o que apresentou o menor custo para implementação. Por outro lado, o conversor Dual
Boost apresentou os maiores gastos para implementação. Isso é justificado devido a maior
complexidade da instrumentação, o que levou a necessidade da inserção do sensor de tensão
para a medição isolada desta variável, ocasionando um aumento significativo nos gastos.
Portando, após essa discussão individual de cada parâmetro de comparação estudado
neste trabalho, pode-se concluir que o conversor Boost é o mais recomendado para aplicações
de alta potência, se for considerado sua simplicidade (controle e instrumentação), baixo custo,
alto fator de potência, baixa THD e níveis aceitáveis de interferência eletromagnética,
facilmente reduzidos com a utilização do filtros.
Já o conversor Boost Intercalado é o mais recomendado para aplicações de alta
potência se for levado em conta o reduzido volume e perdas em seus componentes
magnéticos, perdas no cobre, alto fator de potência, baixa THD, baixo esforços de corrente
nas chaves semicondutoras, e como o conversor Boost, níveis aceitáveis de interferência
eletromagnética conduzida, facilmente reduzidos.
Quanto ao conversor Dual Boost pode-se dizer que é o mais recomendado para
aplicações de alta potência se for considerado as reduzidas perdas nos semicondutores,
reduzido volume de dissipadores, menor número de semicondutores no caminho principal do
fluxo de potência, alto fator de potência, simplicidade do controle e reduzido número de
componentes.
Propostas para trabalhos futuros:
¾ Desenvolver uma metodologia de projeto para conversores aplicados à correção do
fator de potência visando à redução de volume e custos.
¾ Analisar separadamente o ruído gerado pelas topologias em estudo utilizando-se
separadores de ruído e implementar as técnicas preventivas de EMI apresentadas neste
trabalho.
¾ Buscar alternativas de baixo custo para redução do ruído de modo comum presente na
topologia Dual Boost.
¾ Desenvolver estudos comparativos de técnicas de controle aplicadas à correção de
fator de potência para as topologias implementadas.
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APÊNDICE A
CONTROLE IMPLEMENTADO
O controle digital de conversores Boost para correção do fator de potência

normalmente emprega a estrutura mostrada na Figura A - 1. Esta estrutura de controlador
emprega duas malhas de controle: uma para regulação da tensão do barramento CC diante de
diferentes cargas e tensões de entrada e uma para assegurar que a corrente no indutor Boost
tenha a forma senoidal. Para tanto, são necessárias medidas da tensão de entrada e da saída, e
da corrente no indutor Boost.
As duas malhas de controle podem ser analisadas de forma independente, pois ambas
apresentam comportamento dinâmico distinto. Enquanto a malha de corrente apresenta uma
resposta dinâmica rápida para rastrear a referência de corrente, a malha de tensão possui
resposta dinâmica lenta para não introduzir distorções na referência para a malha de corrente.
Neste trabalho será tratado somente da malha de corrente, pois a malha de tensão não foi
implementada.
É importante ressaltar que o conversor Boost apresenta um comportamento dinâmico
não-linear, que depende do ponto de operação. Além disso, a corrente no indutor Boost, em
um período de amostragem, pode ser contínua ou descontínua.
iL L iD io
vac vin C R vout
+ + +
d
_
v*
o + ev Voltage iL* i* L + ei Current u d
+ control
x + PWM
- - control
vo
v in |vin| pu iL vo iL vin
PU
DSP/uC
Figura A - 1 - Conversor Boost PFC e sistema de controle.

133
Controle Digital da Malha de Corrente
Conversores para correção de fator de potência para aplicações em baixas potências, até
uma determinada faixa de potência, normalmente operam no DCM. No entanto, devido à
exposição dos componentes a grandes esforços além de problemas com emissão de ruído
conduzido, o uso de conversores operando neste modo é limitado à faixa de baixas potências.
Portanto, muitos conversores para correção de fator de potência para uma faixa de potência
mais elevada são operados no CCM.
Porém, quando o conversor opera com cargas leves, o DCM está presente em certos
momentos, fazendo com que o conversor atue em ambos os modos de condução (operação em
modo de condução mista – MCM). Como resultado, a dinâmica do conversor muda
bruscamente quando este muda de um modo de condução para outro durante o semi-ciclo de
tensão da rede, provocando a distorção da corrente de entrada. Além disso, quando a carga
diminui muito, o conversor poderá operar no DCM durante todo o período da rede,
deteriorando a qualidade da corrente de entrada, uma vez que ela seguirá a referência de
maneira insatisfatória.
Desta forma, se torna necessário um algoritmo de controle que seja capaz de lidar com
mudanças súbitas na dinâmica do conversor, fazendo com que o conversor opere em ambos os
modos, determinando qual lei de controle será utilizada a cada instante. Com isso, são
apresentadas separadamente as leis de controle para o DCM e CCM e em seguida a forma
como foi feita a detecção dos modos de condução.
Controle em Modo de Condução Descontínua
Considerando-se que o conversor opere apenas em DCM, o modelo médio do

conversor correspondente pode ser obtido pelo uso do método proposto por [73], e a ação de
controle para o DCM, na forma digital, é dada pela equação (A.1).
2 L iL* ( k ) ( vo ( k ) − vin ( k ) )
ud ( k ) = (A.1)
vo ( k ) vin ( k ) T
onde k é o índice da amostra e iL∗ * é a referência de corrente gerada pela malha de tensão. A
ação de controle preditiva em DCM é dada por (A.2).
ud (k + 1) =
(
2 L iL* v o ( k + 1) − v in ( k + 1)
.
) (A.2)
v o ( k + 1) v in ( k + 1) T
134
Controle em Modo de Condução Contínua - Controle por Modelo Preditivo
O controlador por modelo preditivo emprega o conhecimento do comportamento não-

linear do conversor e, através de uma equação matemática, calcula a ação de controle
requerida para obtenção da corrente de referência, conforme mostrado por [19].
Seja a tensão média no indutor em cada intervalo de amostragem dada por (A.3).
L ΔiL ( k + 1)
vL ( k + 1) = . (A.3)
T
O objetivo é obter uma ação de controle tal que a variação da corrente no indutor seja
nula, equação (A.4).
e ( k + 1) = iL* ( k + 1) − iL ( k + 1) (A.4)
Considerando-se que as tensões Vin (k + 1) e Vo (k + 1) são aproximadamente constantes

em cada intervalo de amostragem, a tensão média no indutor em um intervalo de amostragem
pode ser obtida por (A.5), resultando na equação (A.6).
vL ( k + 1) = u ( k + 1)vin ( k + 1) − ( vo (k + 1) − vin ( k + 1) )(1 − u (k + 1) ) , (A.5)
vL ( k + 1) = vin (k + 1) − vo (k + 1) (1 − u (k + 1) ) . (A.6)
Substituindo-se (A.4) e (A.6) em (A.3) , chega-se a seguinte ação de controle que

resulta em erro nulo, conforme equação (A.7).
vin (k + 1) L
uc (k + 1) = 1 − +
vo (k + 1) vo (k + 1)T
(
iL* ( k + 1) − iL ( k + 1) . ) (A.7)
Observa-se que a equação (A.7) depende do valor médio de iL no período de

amostragem, o qual pode ser adquirido diretamente. Analisando-se a equação (A.7), verifica-
se que a mesma não está na forma preditiva. Os valores podem ser substituídos pelos valores
estimados, resultando na equação (A.8).
v in (k + 1)
u (k + 1) = 1 − +
L
v o (k + 1) v o (k + 1)T L ((
i * k + 1) − i L ( k + 1) . ) (A.8)
Nesta equação, as tensões de saída e entrada estimadas são dadas, respectivamente, por
(A.9) e (A.10), enquanto a corrente no indutor é estimada por (A.11).
v o ( k + 1) = vo (A.9)
v in ( k + 1) = Vin (k ) + [Vin (k ) − Vin (k − 1)] , (A.10)
T
iˆL (k + 1) = iL (k ) + s ⋅ [Vin (k ) − Vo (k ) + Vo (k ) ⋅ D ] , (A.11)
L
135
Controle em Modo de Condução Mista
Após serem apresentados os projetos dos controladores de corrente em ambos os modos

de condução, é discutida a utilização de uma única lei de controle para ambos os modos de
operação. Em muitos casos, a freqüência correspondente ao pólo da função de transferência
para o modo descontínua é maior que a freqüência de comutação, e certamente muito maior que
a freqüência de corte da malha de controle de corrente em CCM. Conseqüentemente, o ganho
de malha aberta no DCM será muito menor que no CCM, resultando em um pobre rastreamento
da corrente do indutor e graves distorções na corrente de entrada, caso o conversor opere em
ambos os modos. Isso pode ser visto nas simulações da Figura A - 2, onde os conversores estão
operando nos dois modos de condução, com uma carga de 3kW, mas com a atuação de somente
a lei de controle para o CCM, ocasionando uma elevada THD.
(a) Conversor Boost (b) Conversor Boost Intercalado (c) Conversor Dual Boost
Figura A - 2 - Atuação da lei de controle em CCM para carga de 3kW.
Desde que a função de transferência da planta é diferente em DCM e CCM, uma escolha
óbvia seria detectar o modo de condução e mudar os parâmetros do sistema quando o mesmo
transita de um modo de condução para outro. Para a operação em ambos os modos de condução,
essa aproximação garante baixa distorção da corrente de entrada. Deve-se ter em mente que a
fronteira entre os modos de condução é atravessada lentamente (pode levar alguns ciclos de
comutação) e pode fazer com que o controlador do modo descontínua atue durante o modo
contínua e vice-versa. Sendo o ganho do controlador no modo descontínua muito maior que o
ganho do controlador modo contínua, o sistema se torna instável no primeiro caso, enquanto
que no caso do controlador do modo contínua atuando na parte descontínua do semi-ciclo
resulta em um rastreamento muito pobre.
Logo, é desejável um controlador que opere em modo de condução mista, onde o ganho
da função de transferência no DCM depende da razão cíclica em regime permanente e da tensão
de entrada. Em CCM, o valor da razão cíclica alimentada diretamente (feedforward) pode ser
obtido a partir da equação (A.12). Já em DCM utiliza-se a equação (A.13).
136
v in (k + 1)
uc (k + 1) = 1 − . (A.12)
v o (k + 1)
ud (k + 1) =
(
2 L iL* v o ( k + 1) − v in ( k + 1) ) (A.13)
v o ( k + 1) v in ( k + 1) T
Desta forma, quando ocorre a interseção de ud e uc ocorre mudança de modo.

Portanto, a determinação do modo de operação pode ser feita através da comparação de
(A.12) e (A.13), sendo o modo de operação correto aquele cujo valor for o menor. Como
resultado, a troca entre os dois modos de condução não causa nenhum salto no valor do
feedforward da razão cíclica. A Figura A - 3 ilustra um exemplo comparativo desta forma de
determinação dos modos de operação e a Figura A - 4. mostra os três conversores para uma
carga de 3 kW, onde agora é utilizado o algoritmo para detecção dos modos de condução.
Figura A - 3- Ação feedforward durante um semi-ciclo da tensão da rede para CCM e DCM.
(a) Conversor Boost (b) Conversor Boost Intercalado (c) Conversor Dual Boost
Figura A - 4 - Atuação das leis de controle em modo misto para 3kW.
APÊNDICE B
EQUACIONAMENTO PARA CÁLCULO DAS

PERDAS NOS SEMICONDUTORES
Este apêndice apresenta as curvas características dos semicondutores empregados na

análise de perdas dos conversores. Os pontos das curvas características foram obtidos dos
datasheets. A partir destes pontos e através da técnica de regressão de curvas foram definidas
as funções matemáticas que melhor descrevem estas funções. Logo, a Figura B - 1 e as
equações (B.1) e (B.2) mostram a aproximação da Figura 5-1 que apresenta o comportamento
da queda de tensão do IGBT em função da corrente. As expressões foram obtidas por ajuste
de curvas usando o software MatLab®. .
Perdas por condução – Chaves semicondutoras

Figura B - 1 - Aproximação curva característica Vce (θ ) × I ce (θ ) do IGBT.
¾ IGBT IRGP50B60PD1 - Vce (θ ) × I ce (θ )

Vce ( I ce ) = 7,6e-14 I ce7 − 5,5e-11 I ce6 + 1,6e-8 I ce5 -2,3e-6 I ce4 − 1,9e-4 I ce3 + 8e-3 I ce2 + 0,2I ce + 0,19 (B.1)
¾ IGBT IRGP30B60KD-E - Vce (θ ) × I ce (θ )

Vce ( I ce ) = 4e −9 I ce5 − 7,5e −7 I ce 4 + 5,5e−5 I ce3 − 1,9e −3 I ce 2 + 0, 06 I ce (B.2)
138
Perdas por Comutação – Chaves semicondutoras

Na Figura B - 2 e Figura B - 3, e as equações (B.3) a (B.6) descrevem o
comportamento da energia de turn-on e turn-off dos IGBT.
a) IRGP50B60PD1 (b) IRGP30B60KD-E

Figura B - 2 - Aproximação das curva característica de turn on Eon (θ ) × I c (θ ) do IGBT.
¾ Turn-On - IGBT IRGP50B60PD1 - Eon (θ ) × I c (θ )

Eon ( I c ) = 2,3e −4 I c 4 − 0, 028I c 3 + 1, 2 I c 2 + 1,5I c − 4,33 (B.3)
¾ Turn-On - IGBT IRGP30B60KD-E - Eon (θ ) × I c (θ )

Eon ( I c ) = 1203-139 cos( I c 0,08)-1032sin( I c 0,08)-173cos(2 I c 0,08)-132sin(2 I c 0,08) -
(B.4)
79 cos(3I c 0,08) + 49sin(3I c 0,08)-12 cos(4 I c 0,08) + 35,5sin(4 I c 0,08)

Figura B - 3 - Aproximação das curva característica de turn off Eoff (θ ) × I c (θ ) do IGBT.
¾ Turn-Off - IGBT IRGP50B60PD1 - Eoff (θ ) × I c (θ )

Eoff ( I c ) = −1, 4e −4 I c 4 + 0, 016 I c 3 − 0, 25 I c 2 + 0,9 I c + 254, 7 (B.5)
¾ Turn-Off - IGBT IRGP30B60KD-E - Eoff (θ ) × I c (θ )

Eoff ( I c ) = 1558-591cos( I c 0,07)-973sin( I c 0,07)-229 cos(2 I c 0,07) + 38,4sin(2 I c 0,07) +
(B.6)
6,4 cos(3I c 0,07) + 94,9sin(3I c 0,07) + 25,07 cos(4 I c 0,07) + 15,7 sin(4 I c 0,07)
139
Perdas por Condução – Diodo

A queda de tensão dos diodos em função da corrente é mostrado na Figura B - 4 e as
equações (B.7) e (B.8).
(a) 30EPH06 (b) 10ETF06S

Figura B - 4 - Aproximação das curvas característica V f (θ ) × I f (θ ) do diodo.
¾ Diodo 30EPH06 - V f (θ ) × I f (θ )
V f ( I f ) = 1,56 exp(7,5e −3 I f ) − 0, 78exp(−0, 23I f ) (B.7)
¾ Diodo 10ETF06S - V f (θ ) × I f (θ )
V f ( I f ) = 1,23exp(6,5e-3 I f ) − 0,55exp(-0,21I f ) (B.8)
Perdas por Comutação – Diodo

Para as perdas por comutação dos diodos, há a necessidade da interpolação das curvas
da energia de recuperação reversa, Qrr , e o tempo de recuperação reversa trr . Assim, a Figura
B - 5, Figura B - 6 e Figura B - 7, e as equações (B.9) a (B.16) representam esses
equacionamentos para os dois diodos utilizados.
(a) 30EPH06 (b) 10ETF06S

Figura B - 5 - Aproximação das curvas característica Qrr ( I f ) × di / dt do diodo para interpolação.
140
¾ Diodo 30EPH06 - Qrr ( I f ) × di / dt

Curva de 15A
Qrr (di / dt ) = 2,2e-16 (di / dt )3 -7e-13 (di / dt ) 2 + 1,1e-9 (di / dt ) + 1,07e-5 (B.9)
Curva de 30A
Qrr (di / dt ) = 2,3e-16 (di / dt )3 − 7,97e-13 (di / dt ) 2 +1,4e-9 (di / dt ) + 7,9e-9 (B.10)
¾ Diodo 10ETF06S - Qrr ( I f ) × di / dt

Curva de 20A
Qrr (di / dt ) = 3,4e-13 (di / dt )3 -1,7e-10 (di / dt ) 2 + 3,1e-8 (di / dt ) + 2,6e-7 (B.11)
Curva de 5A
Qrr (di / dt ) = -8,3e-14 (di / dt )3 + 1,3e-11 (di / dt ) 2 + 4,3e-9 (di / dt ) + 3,9e-7 (B.12)
(a) Qrr × di / dt (b) trr × di / dt
Figura B - 6 - Aproximação das curvas Qrr × di / dt e trr × di / dt para o diodo 30EPH06.
¾ Diodo 30EPH06 - trr × di / dt

Curva de 15A
Qrr (di / dt ) = 36,05exp(-5,94e-3 di / dt ) + 63,16 exp(-2e-4 di / dt ) (B.13)
Curva de 30A
Qrr (di / dt ) = 26,39 exp(-6,2e-3 di / dt ) + 71,83exp(-1,48e-4 di / dt ) (B.14)
Figura B - 7 - Curva característica da corrente I f (θ ) × I rr (θ ) do diodo 10ETF06S.

141
¾ Diodo 10ETF06S - I rr ( I f ) × di / dt
Curva de 20A
I rr (di / dt ) = 2,1e-6 (di / dt )3 -9,6e-4 (di / dt ) 2 + 0,198(di / dt ) + 0,1932 (B.15)
Curva de 1A
I rr (di / dt ) = 1e-6 (di / dt )3 -3,86e-4 (di / dt ) 2 + 0,198(di / dt ) + 0,1932 (B.16)
Perdas por Condução – Ponte Retificadora

Para finalizar, a Figura B - 8 e as equações (B.17) e (B.18) descrevem o
comportamento das perdas por condução para os diodos responsáveis pela retificação dos
conversores e para ponte retificadora.
(a) Diodos intrínsecos do IGBT IRGP30B60KD-E (b)KBPC50.

Figura B - 8 - Curvas V f (θ ) × I f (θ ) . (a) Diodos intrínsecos do IRGP30B60KD-E, (b) KBPC 50.
¾ Ponte Retificadora KBPC50 - V f (θ ) × I f (θ )

V f ( I f ) = 0,832 exp(0,003801I f ) − 0,1227 exp(-0,752I f ) (B.17)
¾ Diodo Intrínseco do IGBT IRGP30B60KD-E - V f (θ ) × I f (θ )

V f ( I f ) = 1,046 exp(0,006828I f ) − 1,046 exp(-0,3435I f ) (B.18)
APÊNDICE C
INSTRUMENTAÇÃO APLICADA À
MEDIÇÃO DAS GRANDEZAS
Este apêndice apresenta a instrumentação utilizada para a medição das grandezas

necessárias para realização do controle dos pré-reguladores eletrônicos operando como
correção de fator de potência. Tais grandezas são citadas a seguir:
¾ Corrente do Indutor;
¾ Tensão de Entrada (CA);
¾ Tensão de Saída (CC);
C.1. MEDIÇÃO DA CORRENTE DO INDUTOR
Com o objetivo de selecionar os circuitos que devem compor a instrumentação

necessária para medição da corrente de entrada deve-se primeiramente conhecer as
características deste sinal. Desta forma, o sinal da corrente de entrada a ser medido tem as
seguintes características:
¾ Onda com forma triangular;
¾ Valor máximo de 45A;
¾ Sinal com freqüência de 24kHz;
Analisando as características do sinal, conclui-se que a instrumentação deverá conter os
seguintes componentes:
¾ Estágio amplificador com função de ajuste do nível de tensão e eliminação de ruídos;
¾ Aquisição por sensor de efeito Hall;
¾ Estágio inversor para correção da polaridade para o conversor Dual Boost.
Logo, a instrumentação utilizada para a medição da corrente de entrada é ilustrada na
Figura C - 1 para o conversor Boost, Figura C - 2, Boost Intercalado e Figura C - 3 para o
conversor Dual Boost.
143
Figura C - 1 - Medição da Corrente do Indutor – Conversor Boost.
Figura C - 2 - Medição da Corrente do Indutor – Conversor Boost Intercalado.
Figura C - 3 - Medição da Corrente do Indutor – Conversor Dual Boost.

144
C.2. MEDIÇÃO DA TENSÃO DE ENTRADA

Com o objetivo de selecionar os circuitos que devem compor a instrumentação
necessária para adquirir a tensão de entrada deve-se primeiramente conhecer as características
deste sinal:
¾ Onda com forma senoidal;
¾ Pico de 311V±15%;
¾ Freqüência de 60Hz;
¾ Sinal com presença de pouco ruído devido à existência de um filtro de grande porte
para minimização dos efeitos de interferência eletromagnética;
Analisando as características do sinal, conclui-se que a instrumentação deverá conter
os seguintes componentes:
¾ Transformador com função de isolação e de rebaixar o valor da tensão;
¾ Divisor resistivo com função de ajustar o valor do pico de tensão, proveniente do
secundário do transformador, para um valor inferior ao nível máximo aceitável pela
porta AD do microcontrolador utilizado;
¾ Estágio amplificador com funções de ajuste do nível de tensão e eliminação de algum
ruído que permaneça;
¾ Retificador de precisão para o rebatimento do semi-ciclo negativo da onda de tensão.
A Figura C - 4 mostra a instrumentação utilizada para a medição da tensão de entrada
para o conversor Boost. Na Figura C - 5 para o Boost Intercalado e na Figura C - 6 para o
conversor Dual Boost.
Figura C - 4 - Medição da Tensão de Entrada – Conversor Boost.

145
Figura C - 5 - Medição da Tensão de Entrada – Conversor Boost Intercalado.
Figura C - 6 - Medição da Tensão de Entrada – Conversor Dual Boost.
C.3. MEDIÇÃO DA TENSÃO DE SAÍDA

A fim de selecionar os circuitos que devem compor a instrumentação necessária para
adquirir a tensão de saída deve-se conhecer as características deste sinal. Desta forma, o sinal
de tensão de saída tem as seguintes características:
¾ Onda com característica contínua (CC);
¾ Valor médio de 360V;
¾ Sinal com presença de pequena ondulação de tensão;
Analisando as características do sinal que deve ser adquirido conclui-se que a
instrumentação deverá conter os seguintes componentes:
146
¾ Divisor resistivo com função de ajustar o valor de tensão proveniente do barramento

de saída, para um valor inferior ao nível máximo de tensão aceitável pela porta AD do
microcontrolador utilizado;
¾ Estágio amplificador com função de ajuste do nível de tensão;
¾ Estágio inversor para correção da polaridade.
| Dessa forma, a Figura C - 7 ilustra a instrumentação utilizada para medição da tensão do
barramento para o conversor Boost, Figura C - 8, Boost Intercalado. A Figura C - 9 ilustra a
medição da tensão isolada para o conversor Dual Boost. Tal isolação foi necessária devido a
fonte de ruído de modo comum presente nesta topologia.
Figura C - 7 - Medição da Tensão de Saída – Conversor Boost.
Figura C - 8 - Medição da Tensão de Saída – Conversor Boost Intercalado.
Figura C - 9 - Medição da Tensão de Saída – Conversor Dual Boost.

Dissetacao Fernando Beltrame

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UFSM

ANÁLISE COMPARATIVA DE CONVERSORES

Santa Maria, RS, Brasil

Dissertação apresentada ao Curso de Mestrado do Programa

Santa Maria, RS, Brasil

A Comissão Examinadora, abaixo assinada,

ANÁLISE COMPARATIVA DE CONVERSORES MONOFÁSICOS

como requisito parcial para obtenção do grau de

Santa Maria, 12 de Agosto de 2009.

Agradeço especialmente ao professor José Renes Pinheiro, por ter me concedido a

Esse trabalho apresenta um estudo e uma análise comparativa de conversores

Palavras-Chave: Boost, Boost Intercalado, Dual Boost, Correção do Fator de Potência.

Keywords: Boost, Interleaved Boost, Dual Boost, Power Factor Correction.

Figura 5-2 - Curva Característica Eon (t ) × I ce ( t ) e Eoff (t ) × I ce ( t ) do IGBT, [50].....................................69

Figura 5-3 - Curva Característica V f (θ ) × I f (θ ) do diodo, [50]...............................................................70

Figura 5-7 - Curva Característica V f (t ) × I f ( t ) da Ponte Retificadora KBPC50, [50]...........................73

Figura 5-9 - Modelo Térmico Equivalente dos semicondutores. ...........................................................74

Figura B - 2 - Aproximação das curva característica de turn on Eon (θ ) × I c (θ ) do IGBT. ..................138

Figura B - 3 - Aproximação das curva característica de turn off Eoff (θ ) × I c (θ ) do IGBT...................138

Figura B - 4 - Aproximação das curvas característica V f (θ ) × I f (θ ) do diodo. ...................................139

Figura B - 5 - Aproximação das curvas característica Qrr ( I f ) × di / dt do diodo para interpolação......139

Figura B - 6 - Aproximação das curvas Qrr × di / dt e trr × di / dt para o diodo 30EPH06.....................140

Figura B - 8 - Curvas V f (θ ) × I f (θ ) . (a) Diodos intrínsecos do IRGP30B60KD-E, (b) KBPC 50......141

Figura C - 1 - Medição da Corrente do Indutor – Conversor Boost.....................................................143

ΔB Fluxo magnético (T)

LISTA DE FIGURAS ................................................................................................................. 10

Nesse capítulo é discutido o tema “correção do fator de potência” bem como os

1.2 Motivação e Justificativa

Durante muitos anos, as cargas conectadas aos sistemas elétricos constituíam-se

Figura 1-1 - Estágio de entrada – retificação passivo tradicional.

Define-se a taxa de distorção harmônica como sendo a relação entre o somatório do

Em um sistema com formas de onda senoidais, a equação (1.2) torna-se igual ao

• Alguns componentes (por exemplo, 5º e 7º) podem produzir oscilações mecânicas

No sentido de limitar os níveis de distorção harmônica da corrente injetada à rede

Tabela 1-1 - Limites das correntes harmônicas da norma IEC 61000-3-4.

1.3 Correção do Fator de Potência

A fim de reduzir os níveis de harmônicos na corrente da rede de alimentação e a

Circuitos passivos utilizam uma associação de capacitores e indutores e apresentam como

Como circuitos ativos de alta freqüência, podem-se citar os conversores estáticos

Buck-Boost. É importante ressaltar que na literatura existem outros conversores, derivados

Figura 1-4 - Conversor Boost.

Figura 1-5 - Conversor Boost Intercalado operando como PFC.

semicondutores em condução a cada instante. Outra vantagem desta topologia é a eliminação

Figura 1-6 - Conversor Dual Boost operando como PFC.

pode-se concluir que os conversores Boost, Flyback e Buck-boost apresentam excelente

O objetivo principal desta dissertação é desenvolver um estudo comparativo de

1.5 Organização do trabalho

Capítulo 1: O capítulo 1 introduz o tema PFC, salientando sua importância e crescente

Esse capítulo apresenta o conversor Boost aplicado à correção do fator de potência.

2.2. Conversor Boost

Características como simplicidade, alto desempenho e rendimento tornaram o conversor

Figura 2-1 - Conversor Boost aplicado correção do fator de potência.

Entre as principais vantagens deste conversor, que o tornaram o conversor mais

Como desvantagens desta topologia, podem-se citar, [3], [22]-[26]:

¾ A posição da chave semicondutora não permite proteção contra curto-circuito na carga

recuperação reversa circula sobre a chave semicondutora resultando em perdas sobre a

2.3. Modos de Condução do Conversor Boost

Considerando-se um período de chaveamento, onde a tensão de entrada é

está conduzindo, a corrente no indutor L cresce linearmente. Quando S w é bloqueada, a

corrente no indutor decresce de forma linear. Se a chave semicondutora S w entra em

2.3.1 Conversor Boost - CCM

O conversor Boost operando em CCM caracteriza-se pelo fato da corrente instantânea

¾ Apresente uma melhor qualidade na forma de onda da corrente de entrada e com