Eaii 2S 2020 - Introdução A Amplificadores de Tensão

ELETRÔNICA ANALÓGICA II – UNIDADE 1
AMPLIFICADORES
AMPLIFICADOR DE TENSÃO
Professor: Cleiton Patrick Ribeiro
2S/2020
- BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos,
11ª ed, São Paulo: Pearson, 2013.
 CAPÍTULOS 3 e 4.
- SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica, 5ª ed, São Paulo: Pearson, 2007.
 CAPÍTULO 5.
- MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. Vol 1.
 CAPÍTULOS 6 e 7.
2
TBJ - TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
- TRANSISTOR
 Termo oriundo de duas palavras do inglês: transfer resistor (resistor de
transferência).
- COINVENTORES
 Dr. William Shockley (1910-1989);
 Dr. John Bardeen (1908-1991);
 Dr. Walter H. Brattain (1902-1987).
Vencedores do Prêmio Nobel de

1956 por esta contribuição.
FIGURA 1 – Co-inventores do transistor.
3
ESTRUTURA: Duas junções semicondutoras PN colocadas em oposição.
NPN
Simbologia
FIGURA 2 – Estrutura TBJ NPN.
Os catodos dos diodos formam o Emissor (E) e Coletor

(C), ambos NEGATIVOS (tipo N), e junção dos dois
anodos formam a base POSITIVA (tipo P). 4
ESTRUTURA: Duas junções semicondutoras PN colocadas em oposição.
PNP
Simbologia
FIGURA 3 – Estrutura TBJ PNP.
Os anodos dos diodos formam o Emissor (E) e Coletor

(C), ambos POSITIVOS (tipo P), e junção dos dois
catodos formam a base NEGATIVA (tipo N).
5
1. ESTRUTURA
- EMISSOR (E):
 Região mais dopada, ou seja, rica em portadores de carga, uma vez que
seu papel é enviá-los a Base (B) e posteriormente ao Coletor (C).
 Corrente (IE) na ordem de miliampères (mA).
- BASE (B):
 Região mais estreita, menos dopada e extremamente fina.
 Controla o fluxo de portadores de carga para o Coletor (C).
 Corrente (IB) na ordem de microampères (µA).
- COLETOR (C):
 Levemente dopado possui maior extensão, porque é nela que a potência se
dissipa.
 Corrente (IC) na ordem de miliampères (mA).
6
POLARIZAÇÃO DAS JUNÇÕES
- A polarização determina o modo de operação do TBJ, conforme mostra a

tabela abaixo:
MODO DE POLARIZAÇÃO POLARIZAÇÃO

CARARTERÍSTICAS
OPERAÇÃO JEB JCB
Corte Reversa Reversa Corrente ≈ 0 (circuito aberto)
Ativo Direta Reversa Amplificação
Ativo Reverso Reversa Direta Sem fins práticos
Saturação Direta Direta Tensão ≈ 0 (curto circuito)

TABELA 1 – Modos de operação do TBJ.
7
OPERAÇÃO MODO ATIVO TBJ NPN
- O emissor (E) é responsável pela injeção de portadores majoritários (tipo N) na
base (B), que por sua vez controla o fluxo desse portadores até o coletor (C).
Sentido convencional
FIGURA 4 – Fluxo de corrente no transistor NPN.

8
OPERAÇÃO MODO ATIVO TBJ NPN
- Ao contrário do NPN a corrente do PNP é constituída principalmente de
lacunas (portadores tipo P), as quais são injetadas na base pela polarização
direta VEB.
Sentido convencional
FIGURA 5 – Fluxo de corrente no transistor PNP. 9

GANHO DE CORRENTE DE EMISSOR COMUM (β)
- É uma constante para um dado transistor, também conhecido como hFE .

- Valore típicos para transistores modernos: 50 < β < 400.
- É inversamente proporcional a:
 Largura da base (W);
 Razão de dopagem nas regiões de base e emissor (NA/ND).
- Na prática varia devido a diversos fatores, (temperatura e IC principalmente),
porém assumiremos que sue valor é constante para um dado transistor ideal.
- Determina a relação entre IC e IB, conforme expressão abaixo:
𝑰𝑪
𝜷𝑪𝑪 = 𝒉𝑭𝑬 = (1)
𝑰𝑩
10
GANHO DE CORRENTE DE BASE COMUM (α)
- Fator de proporcionalidade que determina o quanto da corrente de emissor

(IE) atinge o coletor, visto que o valor da corrente de base (IB) é muito baixo.
Em outras palavras, é a relação entre IC e IE, conforme expressão abaixo:
𝑰𝑪
𝜶= (2)
𝑰𝑬
- Constante de um TBJ, cujo valor é muito próximo a unidade (1).

 0,9< α < 0,998.
11
RELAÇÃO ENTRE AS CORRENTES DO TBJ
- A corrente de emissor (IE)

 Já que toda corrente que então no transistor tem que sair, a corrente de
emissor (IE) é dada pela soma de IB e IC como mostrado abaixo:
𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 (3)
- A corrente de base (IB)
 Dada em função da expressão 1 apresentada anteriormente:
𝑰𝑪
𝑰𝑩 =
𝜷
12
DEMAIS RELAÇÕES DE CORRENTE
𝑰𝑩 = 𝑰𝑬 𝟏 − 𝜶 𝑰𝑬 = 𝑰𝑩 𝟏 + 𝜷
𝑰𝑬 𝑰𝑩
𝑰𝑩 = 𝑰𝑬 =
𝟏+𝜷 𝟏−𝜶
13
RELAÇÃO α E β
𝜷 𝜶
𝛂= 𝛃=
𝟏+𝜷 𝟏−𝜶
Pequenas variações de α correspondem a grandes

variações de β, já grandes variações β resultam
em pequenas diferenças em α.
14
ELETRÔNICA ANALÓGICA II
MODELAGEM PARA PEQUENOS SINAIS
Professor: Cleiton Patrick Ribeiro

2S/2020
- BOYLESTAD, R.; NASHELSKY, L. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos,
11ª ed, Rio de Janeiro: Pearson, 2013.
 CAPÍTULO 5.
- SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrônica, 5ª ed, São Paulo: Pearson, 2007.
 CAPÍTULO 5.
- MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. Vol. 1.
 CAPÍTULO 8.
16
TBJ COMO AMPLIFICADOR
- Para análise ou projeto de um amplificador com TBJ, faz-se necessário o

conhecimento das respostas CC e CA do sistema.
 ANÁLISE CC: Determina o ponto de operação do circuito e a correta
polarização dos componentes (para operar como amplificador o TBJ deve
estar obrigatoriamente na região ATIVA, o que implica em VC > VB ).
 ANÁLISE CA: Estabelece o ganho em pequenos sinais, a defasagem e
respostam em frequência do circuito, quando excitado com sinais na
entrada.
Como a potência CA pode ser maior que a potência CA de entrada?
17
18
CC + CA = CC+CA 19
MODELAGEM DO TBJ
- DEFINIÇÃO: “Um modelo é a combinação de elementos de circuito,

apropriadamente escolhidos, que aproximam melhor o funcionamento real de
um dispositivo semicondutor sob condições de operação específicas”.
- METODOLOGIA BÁSICA: Substituir o símbolo do TBJ pelo circuito equivalente e

utilizar os recursos básicos de análise CA de circuito (análise de malha, análise
nodal e teorema de Thévenin), que possam ser aplicáveis para determinar sua
reposta.
20
MODELAGEM DO TBJ
21
MODELO DO TBJ – PEQUENOS SINAIS
“A aproximação para pequenos sinais implica manter a

amplitude do sinal suficientemente pequena, de modo que a
operação fique restrita ao segmento quase linear da curva
exponencial de iCxvBE”.
22
𝒗𝑩𝑬 = 𝑽𝑩𝑬 + 𝒗𝒃𝒆

𝒊𝑬 = 𝑰𝑬 + 𝒊𝒆
𝒊𝑪 = 𝑰𝑪 + 𝒊𝒄
𝒊𝑩 = 𝑰𝑩 + 𝒊𝒃
Valor instantâneo Componente CA
Componente CC
𝒊𝑪 = 𝑰𝑪 + 𝐠 𝒎 𝒗𝒃𝒆
Equação da região linear da

curva (segmento de reta)
23
PARÂMETROS PARA MODELAGEM DO TBJ
- TENSÃO TÉRMINCA (𝑽𝑻 )
 Valor fixo (𝑽𝑻 ≅ 𝟐𝟔𝐦𝑽) determinado pela seguinte expressão:
𝒌𝑻
𝑽𝑻 =
𝒒
 Onde:
• k = Constante de Boltzmann 1,38𝑥10−23 𝐉𝐨𝐮𝐥𝐞/𝐊𝐞𝐥𝐯𝐢𝐧 [𝐉/𝐊]
• T = Temperatura absoluta em Kelvin (273) + Temperatura em Celsius.
• q = Carga do elétron 1,60𝑥10−19 𝐂𝐨𝐮𝐥𝐨𝐦𝐛 𝐂 .
24
- CORRENTE DE COLETOR (𝒊𝒄 ) E A TRANSCONDUTÂNCIA (𝐠 𝒎 )
𝑖𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝑖𝑐
𝑖𝑐 g𝑚
𝑰𝑪 𝑰𝑪
𝒊𝒄 = 𝒗𝒃𝒆 𝐠𝒎 = [S]
𝑽𝑻 𝑽𝑻
25
- CORRENTE DE BASE (𝒊𝒃 ) E RESISTÊNCIA DE ENTRADA DE BASE (𝒓π )
𝑖𝐶
𝑖𝐵 = 𝐼𝐵 + 𝑖𝑏 𝑖𝐵 =
𝛽
𝑖𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝑖𝑐
g𝑚
𝐠𝒎
𝒊𝒃 = 𝒗𝒃𝒆
𝜷 26
- CORRENTE DE BASE (𝒊𝒃 ) E RESISTÊNCIA DE ENTRADA DE BASE (𝒓π )
 A resistência de entrada de base 𝑟𝜋 é dada por:
g𝑚 𝛽 𝛽
→ 𝑖𝑏 = 𝑣𝑏𝑒 → 𝑟𝜋 = → 𝑟𝜋 =
𝛽 g𝑚 g𝑚
1 𝐼𝐶
𝐼𝐵 𝑉𝑇
𝛽 𝑽𝑻
𝑟𝜋 = 𝑉𝑇 𝒓𝝅 =
I𝐶 𝑰𝑩
27
- CORRENTE DE EMISSOR (𝒊𝒆 ) E RESISTÊNCIA DE ENTRADA DE EMISSOR (𝒓𝒆 )
 A resistência de entrada de emissor 𝑟𝑒 é dada por:
𝑉𝑇 𝑉𝑇
→ 𝑟𝑒 = 𝐼𝐸
→ 𝑠𝑒 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 → 𝑟𝑒 =
𝐼𝐶
𝐼𝐸 g 𝑚 𝑉𝑇
𝑣𝑏𝑒 𝑽𝑻 𝟏
𝑉𝑇 𝒓𝒆 = ≅
𝑰𝑬 𝐠 𝒎
28
- O βCC (hFE) é o ganho de emissor-comum.

- O βCA (hfe) é o fator de amplificação de corrente direta em emissor-comum.
𝑰𝑪
𝜷𝑪𝑪 = 𝒉𝑭𝑬 =
𝑰𝑩
∆𝑰𝑪 𝒊𝒄
𝜷𝑪𝑨 = 𝒉𝒇𝒆 = =
REGIÃO LINEAR ∆𝑰𝑩 𝑽 𝒊𝒃
𝑪𝑬=𝑪𝑶𝑵𝑺𝑻𝑨𝑵𝑻𝑬
𝜷𝑪𝑪 = 𝜷𝑪𝑨
29
MODELOS PARA PEQUENOS SINAIS
- MODELO EBERS-MOLL:
 Emprega um diodo e uma fonte controlada por

corrente.
 Sensível ao nível CC de operação, o que faz com que
a resistência de entrada varie de acordo com o ponto
de operação.
 Sua principal vantagem é que os parâmetros são
definidos para as condições reais de operação do
amplificador.
30
RELAÇÃO 𝒓π E EBERS-MOLL:
→ 𝑣𝑏𝑒 = 𝑟𝜋 𝑖𝑏 → 𝑣𝑏𝑒 = 𝑟𝑒 𝑖𝑒
𝑖𝑒 = 𝛽 + 1 𝑖𝑏
𝑖𝑒
𝑟𝜋 𝑖𝑏 = 𝑟𝑒 𝑖𝑒 → 𝑟𝜋 = 𝑟𝑒
𝑖𝑏
𝒓𝝅 = (𝜷 + 𝟏)𝒓𝒆 Para valores elevados de β → 𝒓𝝅 = 𝜷𝒓𝒆
31
MODELOS PARA PEQUENOS SINAIS
- MODELO π-HÍBRIDO:
 Modelo cujos parâmetros, definidos para um dado ponto de operação, são
disponibilizados no datasheet do transistor. A análise é realizada
simplesmente com a utilização desses valores.
 Esses valores podem refletir ou não as condições reais de operação do
amplificador.
Uma vez definidos os componentes de um modelo para um
dado ponto de operação os parâmetros do outro modelo
estarão imediatamente disponíveis.
32
MODELO π-HÍBRIDO SIMPLIFICADO (DESCONSIDERA O EFEITO EARLY)
rπ=βre
Amplificador de transcondutância Amplificador de corrente

(Fonte de corrente controlada por tensão 𝒗𝒃𝒆 ) (Fonte de corrente controlada por corrente 𝒊𝒃 )
Onde:
 gm = Transcondutância.
 rπ=hie= Resistência de entrada de base (ou resist. CA entre base e emissor).
 VT =Tensão térmica (≅25mV na temperatura ambiente).
33
SIMILARIDARES ENTRE OS MODELOS π-HÍBRIDO SIMPLIFICADO E EBERS-MOLL
=
𝒓𝝅 = 𝜷𝒓𝒆
34
APLICAÇÃO DOS MODELOS PARA PEQUENOS SINAIS
- A análise de circuitos amplificadores com transistores deve seguir as
seguintes etapas:
1. Determinar o ponto de operação do TBJ através da análise CC.
2. Calcular o valor dos parâmetros do modelo para pequenos sinais:
𝑰𝑪 𝜷 𝑽𝑻 𝟏
𝐠𝒎 = 𝒓𝝅 = 𝒓𝒆 = ≅
𝑽𝑻 𝐠𝒎 𝑰𝑬 𝐠𝒎
3. Elimine as fontes CC, substituindo-as conforme a seguir:
 Fonte CC de tensão = curto circuito.
 Fonte CC de corrente = circuito aberto.
4. Substitua o TBJ por um dos modelos para pequenos sinais.
5. Analise o circuito resultante para determinar as grandezas de interesse.
35
CONFIGURAÇÕES BÁSICAS DO TBJ COMO AMPLIFICADOR
Mais utilizado
O termo “comum” refere-se ao terminal do TBJ que é

comum a entrada e a saída do amplificador. 36
- A impedância de entrada CA (Zi) dependerá de qual configuração transistor

estará (base-comum, emissor-comum ou coletor-comum), além da
disposição dos elementos resistivos.
- Para amplificadores de corrente a impedância de saída CA (Zo) deve ser tão
grande quanto possível, pois assim a maior parte da corrente na saída passará
pela carga (RL).
- A impedância para sinais com frequências ≤100kHz é puramente resistiva,
por isso é comum definir Zi e Zo como:
𝒁𝒊 = 𝑹𝒊 𝒁𝒐 = 𝑹𝒐
37

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ELETRÔNICA ANALÓGICA II – UNIDADE 1

Vencedores do Prêmio Nobel de

Os catodos dos diodos formam o Emissor (E) e Coletor

Os anodos dos diodos formam o Emissor (E) e Coletor

- A polarização determina o modo de operação do TBJ, conforme mostra a

MODO DE POLARIZAÇÃO POLARIZAÇÃO

Ativo Direta Reversa Amplificação

Ativo Reverso Reversa Direta Sem fins práticos

Saturação Direta Direta Tensão ≈ 0 (curto circuito)

FIGURA 4 – Fluxo de corrente no transistor NPN.

FIGURA 5 – Fluxo de corrente no transistor PNP. 9

- É uma constante para um dado transistor, também conhecido como hFE .

- Fator de proporcionalidade que determina o quanto da corrente de emissor

- Constante de um TBJ, cujo valor é muito próximo a unidade (1).

- A corrente de emissor (IE)

Pequenas variações de α correspondem a grandes

Professor: Cleiton Patrick Ribeiro

- Para análise ou projeto de um amplificador com TBJ, faz-se necessário o

Como a potência CA pode ser maior que a potência CA de entrada?

- DEFINIÇÃO: “Um modelo é a combinação de elementos de circuito,

- METODOLOGIA BÁSICA: Substituir o símbolo do TBJ pelo circuito equivalente e

“A aproximação para pequenos sinais implica manter a

𝒗𝑩𝑬 = 𝑽𝑩𝑬 + 𝒗𝒃𝒆

Valor instantâneo Componente CA

Equação da região linear da

- TENSÃO TÉRMINCA (𝑽𝑻 )

 Valor fixo (𝑽𝑻 ≅ 𝟐𝟔𝐦𝑽) determinado pela seguinte expressão:

- CORRENTE DE COLETOR (𝒊𝒄 ) E A TRANSCONDUTÂNCIA (𝐠 𝒎 )

- CORRENTE DE BASE (𝒊𝒃 ) E RESISTÊNCIA DE ENTRADA DE BASE (𝒓π )

- CORRENTE DE BASE (𝒊𝒃 ) E RESISTÊNCIA DE ENTRADA DE BASE (𝒓π )

 A resistência de entrada de base 𝑟𝜋 é dada por:

- CORRENTE DE EMISSOR (𝒊𝒆 ) E RESISTÊNCIA DE ENTRADA DE EMISSOR (𝒓𝒆 )

 A resistência de entrada de emissor 𝑟𝑒 é dada por:

- O βCC (hFE) é o ganho de emissor-comum.

 Emprega um diodo e uma fonte controlada por

Amplificador de transcondutância Amplificador de corrente

O termo “comum” refere-se ao terminal do TBJ que é

- A impedância de entrada CA (Zi) dependerá de qual configuração transistor

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