Electrónica

versão provisória

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2 – Transístor
2.1 – Transístor Bipolar

A história do transistor remonta, pelo menos, a 1898 data em que Thomson descobriu o electrão . Para muitos, esta terá sido a descoberta mais importante do século XX. Os seus autores, John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley desenvolveram um primeiro dispositivo experimental em Dezembro de 1947
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,

enquanto membros da Bell Laboratories. Por esta descoberta foi-lhes atríbuido o prémio Nobel da Física em 1956.

2.1.1 – Introdução.
Mais uma vez, interessa-nos aqui o estudo deste dispositivo do ponto de vista do seu uso como componente de circuitos electrónicos. Para este efeito, iniciamos a questão tentando compreender a sua curva característica (veremos que na realidade se trata, antes, de um família de curvas). Notemos, antes de mais, que o transistor é a primeira componente com mais de dois terminais que estudamos. Os terminais designam-se por colector (C), emissor (E) e base (B). A fig. 9 representa os símbolos dos dois tipos de transistor que existem. Apenas como nota, a existencia destes dois tipos compreende-se bem porque, tratando-se de um dispositivo construído com base num cristal semiconductor contaminado (ou dopado) de forma a apresentar três zonas distintas, de tipo P ou N, separadas por duas junções indênticas às do díodo. As três zonas podem organizar-se apenas de duas maneiras diferentes, assinaladas também na fig. 9, que originam os dois tipos de transistor bipolar: npn e pnp.

C B
E

B

E B

B

N

P

N

C

E

P

N

P

C

E

C

NPN

PNP

Fig. 2.9 – Símbolos dos transístores NPN e PNP com a indicação esquemática da forma como o cristal semicondutor inicialmente puro (ou intrínseco) é dopado de forma a apresentar 3 zonas separadas por duas junções.

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Ver, por exemplo Ver, por exemplo

http://www.pbs.org/transistor/ http://www.pbs.org/transistor/background1/events/miraclemo.html http://www.ideafinder.com/history/inventions/transistor.htm

2. O andamento da curva pode descrever-se como sendo linear e crescente para valores de evoluindo depois para um regime de saturação – deixa de crescer com VCE próximos de zero. 2.a. Uma boa parte do entendimento do transistor como elemento de circuitos deriva da constatação de que esta curva conserva esta forma para diversos valores de I B . . Fig. VCE permanecendo num certo valor constante. I C . se injecta na base uma corrente constante I B . desde I B = 0 até valores arbitrariamente elevados e positivos de IB . vamos admitir que. 2. VCE . 10 quando o parâmetro A forma adoptada universalmente para exprimir o funcionamento de um transistor consiste em traçar um número razoavel de curvas I C (VCE ) para vários valores equidistantes de IB . b) Curva I (V ) obtida quando a C CE corrente na base é constante e se varia V desde zero até um valor positivo arbitrário. IC IB IB = 0 VCE I B varia desde zero até um certo valor positivo. como mostra a fig. Para este efeito.10.Electrónica versão provisória 2 Tomando o transistor NPN como exemplo tracemos a curva que mostra a dependência da corrente no circuito.10 – a) Circuito para estudar a curva característica do transístor. por um processo qualquer. com atensão aplicada entre o colector e o emissor.11 – Evolução da curva da fig. R IC IB V VCE a) b) Fig.

2. 2. multiplicando-o por um factor que. a variação consequente seja simétrica em torno desse ponto. Seja qual for o método escolhido o cálculo analítico da corrente de base é o primeiro passo a ser dado.13 vem Como regra. assume valores entre 20 e 250 . Diz-se correctamente porque. A fig.2.13 – Circuito de polarização de um transistor NPN. Isto deve-se à grande dimensão física que a junção tem de tomar nos disposotivos de alta corrente assumindo uma geometria que não é favoravel aos ganhos elevados. O funciocionamento do transistor bipolar como amplificador de corrente requer que a junção Base-Emissor esteja directamente polarizada e a junção Base-Colector inversamente polarizada. É então possível analizar o jogo de correntes do transistor de acordo com o esquema da fig. A determinação do ponto de funcionamento em repouso pode fazer-se analiticamente ou graficamente. IB.Electrónica versão provisória 3 O transistor aparece assim com um dipositivo que amplifica a corrente de base. 2.1.2 – Polarização. A equação que dá este parâmetro obtem-se circulando na malha da base: Fig. quanto maior a corrente de colector. VB 10V 470kohm R1 R2 1. na prática.12 – Correntes no transístor bipolar NPN e PNP. 2.0kohm β=220 Q1 2N2222A VC 10V 10 = R1 ⋅ I B0 + 0. demonstra-se facilmente que iB α= β 1+ β e α β= 1−α iB IE IC IE Fig. 2.7 I B0 ≈ 20 µ A O valor de IC0 calcula-se agora através de Substituindo aqui os valores da fig. menor o ganho.13 representa um transistor NPN correctamente polarizado. no caso de ser introduzido um sinal. para alem das duas condições anteriormrnte enunciadas. como veremos adiante. o ponto de funcionamento em repouso fica situado aproximadamente a meio da recta de carga permitindo que. 1 .12 1 β ⎧ IC = β I B ⎨ ⎩ IC + I B = I E IE Definindo um factor α = IC IC .

2. A consequência óbvia de se introduzir s(t) na malha da base é que a IB vai variar em torno do valor de repouso IBO com uma amplitude S/R1 representado pelas curvas a tracejado correspondentes a iB1 e iB2 na fig.0kohm s(t) R1 470kohm VB 10V Q1 IB2 VC IB0 IB1 10V 2N2222A VCE Fig. Esta recta é facilmente traçada a partir dos seus dois pontos em cada um dos eixos: 10 IC (mA) I C = 0 → vCE = 10 V vCE = 0 → I C = VC R2 e = 10 mA IC0 IB0= 20 µA Está tracada a azul na fig.8 V O ponto de funcionamento em repouso é.14 – Determinação gráfica do ponto de funcionamento emrepouso. aqui também e pelo mesmo processo.13. De seguida faz-se o traçado da recta de carga – o lugar geométrico dos pontos de funcionamento possíveis. 2.Electrónica versão provisória 4 IC 0 = β ⋅ I B 0 = 220 ⋅ 20 10−6 = 4.15 – Circuito amplificador do sinal s(t) . assim. por conveniência. . VCE calcula-se circulando na malha do colector e usando os valores já calculados 10 = R2 ⋅ I C + VCE I C0 = 5.14. Na resolução gráfica a família de curvas IC -VCE é um dado e o primeiro passo é. Assim se obtem o ponto (VCE0 . O sinal que. 2.2. Esta determinação gráfica não teria muito interesse se não constituisse o primeiro passo para visualisar com clareza o efeito amplificador do transistor. Fig. Este efeito exerce-se sobre um sinal que (depois de se garantir que o transistor está correctamente polarizado) se introduz de modo adequado no circuito da fig 2.2 mA). 2.15 . IC R2 1.2 mA Finalmente.16 . é sinusoidal faz IB variar levando o ponto de funcionamento dinâmico a ocupar a zona da recta de carga compreendida entre as duas curvas a tracejado e assinalada a traço forte. 2. 2. dado pelo par de coordenadas (VCE=5.16 – O sinal introduzido no circuito da base obriga IB a variar entre os limites a tracejado e o ponto de funcionamento a ser correspondentemente desviado. o cálculo de IB . Uma forma de o fazer é a que se mostra nas fig. VCE (V) VCE0 10 Fig. IC0) assinalado na fig. o valor de .14. IC=4. A intersecção da recta de carga com a curva da família com o valor de IB calculado dá o ponto de funcionamento em repouso.8V.

A pergunta que surge naturalmente é a de saber de onde é que o transistor energia vai que retirar coloca a no IC sinal. em energia AC que ele disponibiliza.17 – Jogo de tensões e correntes de um transistor como amplificador de sinal. é que a retira do único sítio possível: do gerador DC que o polariza.3 – Transístor como conversor de energia DC-AC. Ora o transistor.1. IC VCE . IB2 IB0 IB1 VCE Genericamente. seguramente vai mostrar rendimentos muito baixos. Nesta perspectiva surge uma questão importante que se deve estudar – qual o rendimento dessa conversão de energia ? Fig.17 – Transístor polarizado em classe B. por outras palavras. provavelmente óbvia. É.14). a noção de rendimento de um sistema tem a ver com o quociente entre o que obtemos na saída e o que temos de fornecer para esse fim. 2. usado da forma descrita até aqui. No caso do transistor como amplificador. em que o ponto de funcionamento em repouso está no centro da recta de carga e a amplitude do sinal é suficientemente pequena para ficar sempre contido na zona linear de funcionamento (quer dizer que nunca atinge as duas zonas-limite em que as curvas deixam de ser equidistantes para o mesmo acréscimo de iB) chama-se classe A.17. e VCE podemos obter directamente os 2. Basta reparar que mesmo quando não há sinal ele consome energia DC (caso da fig.Electrónica versão provisória 5 Projectando o efeito da variação introduzida pelo sinal sobre os dois eixos IC sinais amplificados. A função básica do transistor como amplificador é conferir maior amplitude às tensões e correntes que podem ser fornecidas por um gerador de sinal. 2. reproduzir o mesmo sinal mas com maior disponibilidade energética. Esta forma de polarizar o transistor. que lhe é fornecida pelo(s) gerador(es) DC de polarização. 2. Esta classe de funcionamento é a mais natural e usaFig. fig. Classes de funcionamento. A resposta. 2. Neste sentido se pode dizer que o transistor converte energia DC. queremos obter energia AC fornecendo energia DC.

Electrónica versão provisória 6 se quase obrigatóriamente para amplificar pequenos sinais. existem outras associaçõs de transístores com propriedades interessantes e de grande valor em projecto. A configuração Darlington é uma delas e caracteriza-se pela sua simplicidade. que consiste em polarizar o transistor de mododiferente colocando o ponto de funcionamento em repouso junto do ponto IC =0 da recta de carga. Aqui.18 – Representação simplificada de um andar “push-pull”. Essa possibilidade existe e é conferida por uma montagem designada por push-pull na literatura inglesa.19 – Configurações Darlington. C C C C B B B B E a) b) E E E c) d) Fig. Fig 2. a questão do baixo rendimento da classe A assume valores pouco significativos. com a geometria apresentada na fig 2. 5 R1 2 4 Q1 Vin 6 3 R2 1 Q2 V- Configuração Darlington Tal como no caso do “push-pull. 2. V+ Estudamos aqui uma dessas técnicas designada por funcionamento em classe B. É constituida por dois BJTs complementares (ou seja. As configurações a) e b) são feitas com dois transístores da mesma polaridade enquanto que as c) e d) usam pares complementares. O funcionamento dum transistor em classe B faz mais sentido se existir a possibilidade de combinar dois transistores de tal forma que cada um deles amplifique uma das alternâncias do sinal. Consiste na ligação directa de dois transístores de forma a que o resultado seja equivalente a um único trnsístor de grande ganho. . um é NPN e o outro PNP) polarizados em classe B. Quando os sinais têm grande amplitude a questão energética e do rendimente pode assumir uma expressão mais preocupante tendo sido desenvolvidas técnicas para a melhorar.18.

Sabendo que a soma I1+I2 é constante.I2) = v1 . O entendimento do seu funcionamento pode basear-se num primeiro argumento de simetria se notarmos que as duas correntes I1 e I2 devem sempre somar IE I1+I2=IE (1) I1 R1 R2 VCC 1 I2 Sabendo que a corrente de base de cada transístor está directamente relacionada com a respectiva tensão VBE podemos adoptar uma expressão genérica que relacione VBE com IC H. A figura representa o circuito electrónico clássico que desempenha esta função. Recebeu a designação de “long tailed pair” (par de cauda longa – numa tradução livre) e constitui a base funcional do Amplificador Operacional.20 – Amplificador diferencial. . que caracteriza a relação.I2 = VB2-VE . Sabendo que o ganho de um Darlington é aproximadamente o produto dos ganhos dos seus transístores e que um transistor de pequeno sinal tem um ganho típico de cerca de 100 pode causar alguma estranheza que o ganho global do Darlington não atinja valores da ordem de 100 x 100 = 10.0000. muito frequentemente. O segundo transístor tem ganho bem menor por ter uma estrutura adequada a correntes elevadas.(IE-2.v2 usando (1) vem H. Par Diferencial Uma outra arquitectura que já se usava na época da válvula e que transitou para os transístores é o par diferencial ou “par de cauda longa” . por manipular correntes baixas.v2 1 Tradução livre de long tailed pair.0000. 2. IE vO v1 Q1 Q2 v2 em que H é uma constante. A utilidade desta configuração vem do facto de.IC = VBE .Electrónica versão provisória 7 Com estas configurações conseguem obter-se unidades com ganhos até 3. o primeiro transistor.(I1-I2) = v1 . tem ganhos da ordem de 100. O nível comum que eles partilhem é pois omitido ou anulado neta medida da diferença. em que VE é a tensão comum aos dois emissores. que tem a particulridade de ser a configuração que dá origem ao conceito de Amplificador Operacional. dimensionalmente uma resistência. Para cada transístor será Fig. calculemos a diferença H.I1 = VB1-VE e H. é mais importante amplificar a diferença entre dois sinais do que o valor absoluto de cada um deles. Isto deve-se ao facto de os dois transístores terem estrutura diferentes: geralmente. H.

14 mostra os símbolos correntes para duas dessas variantes: o FET de junção (JFET) e o FET de tecnologia Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) nas versões canal-N e canal-P. no limite. A componente AC da tensão de saída será vO = R2 ( v1 − v2 ) 2hib ou seja. A tecnologia desenvolvida ao longo dos anos foi mais prolífica para os FETs tendo-se produzido diversas variantes deste dispositivo. BJT – Bipolar Junction Transistor . Representa-se na fig. vamos reescrever esta última equação sem o termo DC que é IE i2 = 1 ( v1 − v2 ) 2hib Em que i2 é a componente AC de I2. mais simples que o do transistor bipolar. Foi no entanto desenvolvido um outro tipo de transistor que tambem se baseia em propriedades das junções P-N e cujo princípio de funcionamento é.2 . memórias.FET1 O transistor anteriormente estudado não necessita. impede completamente a passagem de corrente. 1 2 Universalizou-se a sigla inglesa FET – Field Effect Transistor. na literatura inglesa) para sublinhar o facto de ambos os tipos de portador de carga contribuirem para o processo. O efeito posto em jogo é o do estreitamento do canal por acção da polarização inversa da junção que ele forma com o resto do cristal que o envolve. D VDS S VGS 2 iD P N G VGS ) enquanto que o segundo o é por uma corrente ( iB ). 2.Electrónica versão provisória 8 Como estamos interessados apenas nas variações ao repouso (estamos afinal interessados apenas no regime AC). etc). 2.21 – Representação diagramática do FET canal N com a polarização adequada.21 o FET canal N. 2. sobretudo para os circuitos digitais (microprocessadores. Do que se disse tira-se a conclusão que uma diferença fundamental entre o FET difere e o BJT é que o primeiro é um dispositivo controlado por uma tensão ( Fig.Transístor de efeito de campo . embora seja por vezes referido como transistor bipolar (BJT . de nenhuma designação adicional. porventura. em geral. A fig 2. Este tipo de transistor tem apenas uma junção que assume a geometria de um canal duma certa polaridade rodeado de semicondutor de polaridade oposta. Esse estreitamento é proporcinal à tensão inversa aplicada e. a tensão de saída é proporcional à diferença das tensões das entradas.

.5 VDS Fig.22 . 2.Família de curvas características típicas de um FET JFET-N JFET-P MOSFET-N MOSFET-P Fig 2.5 VGS=1 VGS=1.Electrónica versão provisória 9 ID VGS=0 VGS=0.23 – Símbolos dos FETs mais comuns.5 VGS=2 VGS=2.

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