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Electrónica

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2 – Transístor

2.1 – Transístor Bipolar

A história do transistor remonta, pelo menos, a 1898 data em que Thomson descobriu o
A história do transistor remonta, pelo menos, a 1898 data
em que Thomson descobriu o electrão 1 .
Para muitos, esta terá sido a descoberta mais importante
do século XX. Os seus autores, John Bardeen, Walter
Brattain e William Shockley desenvolveram um primeiro
dispositivo experimental em Dezembro de 1947 2 ,
enquanto membros da Bell Laboratories. Por esta
descoberta foi-lhes atríbuido o prémio Nobel da Física em
1956.

2.1.1 – Introdução.

Mais uma vez, interessa-nos aqui o estudo deste dispositivo do ponto de vista do seu uso como componente de circuitos electrónicos. Para este efeito, iniciamos a questão tentando compreender a sua curva característica (veremos que na realidade se trata, antes, de um família de curvas). Notemos, antes de mais, que o transistor é a primeira componente com mais de dois terminais que estudamos. Os terminais designam-se por colector (C), emissor (E) e base (B). A fig. 9 representa os símbolos dos dois tipos de transistor que existem. Apenas como nota, a existencia destes dois tipos compreende-se bem porque, tratando-se de um dispositivo construído com base num cristal semiconductor contaminado (ou dopado) de forma a apresentar três zonas distintas, de tipo P ou N, separadas por duas junções indênticas às do díodo. As três zonas podem organizar-se apenas de duas maneiras diferentes, assinaladas também na fig. 9, que originam os dois tipos de transistor bipolar:

npn e pnp.

B

C

os dois tipos de transistor bipolar: npn e pnp. B C E E B N P

E

E

B

N P N
N
P N

C

NPN

B

E

de transistor bipolar: npn e pnp. B C E E B N P N C NPN

C

E

B

P N P
P N
P

PNP

C

Fig. 2.9 – Símbolos dos transístores NPN e PNP com a indicação esquemática da forma como o cristal semi- condutor inicialmente puro (ou intrínseco) é dopado de forma a apresentar 3 zonas separadas por duas junções.

1 Ver, por exemplo

2 Ver, por exemplo

http://www.pbs.org/transistor/

http://www.pbs.org/transistor/background1/events/miraclemo.html

http://www.ideafinder.com/history/inventions/transistor.htm

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Tomando o transistor NPN como exemplo tracemos a curva que mostra a dependência da corrente no circuito,

com atensão aplicada entre o colector e o emissor,

qualquer, se injecta na base uma corrente constante

I

,

. Para este efeito, vamos admitir que, por um processo

I

C

V CE

B

, como mostra a fig. 2.10.a.

R I C I B V a) b) Fig. 2.10 – a) Circuito para estudar
R
I
C
I
B
V
a)
b)
Fig. 2.10 – a) Circuito para estudar a curva característica do transístor. b) Curva
I
(
V
)
obtida quando a
C
CE

V CE

corrente na base é constante e se varia V desde zero até um valor positivo arbitrário.

O andamento da curva pode descrever-se como sendo linear e crescente para valores de

V CE

próximos de zero,

evoluindo depois para um regime de saturação – deixa de crescer com

V CE

permanecendo num certo valor constante.

Uma boa parte do entendimento do transistor como elemento de circuitos deriva da constatação de que esta curva

conserva esta forma para diversos valores de I B , desde I B = 0
conserva esta forma para diversos valores de
I
B , desde
I
B = 0 até valores arbitrariamente elevados e positivos de
I
.
B
I
C
I
B
I
B = 0
V CE

Fig. 2.11 – Evolução da curva da fig. 10 quando o parâmetro

I

B varia desde zero até um certo valor positivo.

A forma adoptada universalmente para exprimir o funcionamento de um transistor consiste em traçar um número

razoavel de curvas

I

C

(

V

CE

)

para vários valores equidistantes de

I

B .

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O transistor

que, na prática, assume valores entre 20 e 250 1 .

É então possível analizar o jogo de correntes do transistor de acordo com o esquema da fig. 2.12

aparece assim com um dipositivo que amplifica a corrente de base, IB, multiplicando-o por um factor β

I

I

C

=β

I

B

I

+

CB

=

I

E

Definindo um factor α =

α

=

β

1

+

β

I E

I C

e

, demonstra-se facilmente que

β

=

α

1

α

I C i B I E I i C B I E
I
C
i
B
I
E
I
i
C
B
I
E

Fig. 2.12

bipolar NPN e PNP.

– Correntes no transístor

2.1.2 – Polarização.

O funciocionamento do transistor bipolar como amplificador de corrente requer que a junção Base-Emissor esteja

directamente polarizada e a junção Base-Colector

inversamente polarizada.

A fig. 2.13 representa um transistor NPN correctamente

polarizado. Diz-se correctamente porque, para alem das

duas condições anteriormrnte enunciadas, o ponto de

funcionamento em repouso fica situado aproximadamente a

meio da recta de carga permitindo que, no caso de ser

introduzido um sinal, a variação consequente seja simétrica

em torno desse ponto, como veremos adiante.

A determinação do ponto de funcionamento em repouso

pode fazer-se analiticamente ou graficamente. Seja qual for

o método escolhido o cálculo analítico da corrente de base

é o primeiro passo a ser dado.

A equação que dá este parâmetro obtem-se circulando na

malha da base:

R2 1.0kohm β=220 VC R1 Q1 10V 2N2222A 470kohm VB 10V Fig. 2.13 – Circuito
R2
1.0kohm
β=220
VC
R1
Q1
10V
2N2222A
470kohm
VB
10V
Fig. 2.13 – Circuito de polarização de um
transistor NPN.

10 =⋅R

1

I

B0

+ 0 7

.

Substituindo aqui os valores da fig.2.13 vem

I B0

20µ A

O valor de I C0 calcula-se agora através de

1 Como regra, quanto maior a corrente de colector, menor o ganho. Isto deve-se à grande dimensão física que a junção tem de tomar nos disposotivos de alta corrente assumindo uma geometria que não é favoravel aos ganhos elevados.

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4

I

C

0

β I

=⋅

B

0

=

220 2010

6

=

4.2

mA

.

Finalmente, o valor de V CE calcula-se circulando na malha do colector e usando os valores já calculados

10 =⋅+R

2

I

C

I

C0

.

= 58V

V

CE

O ponto de funcionamento em repouso é, assim, dado pelo par de coordenadas (V CE =5.8V, I C =4.2 mA).

Na resolução gráfica a família de curvas I C -V CE é um dado e o primeiro passo é, aqui também e pelo mesmo

processo, o cálculo de I B . De seguida faz-se o traçado da recta

de carga – o lugar geométrico dos pontos de funcionamento

possíveis. Esta recta é facilmente traçada a partir dos seus dois

pontos em cada um dos eixos:

I

C

(mA)

(mA)

10 I C0 I B0= 20 µA 10 V CE0
10
I C0
I B0= 20 µA
10
V CE0
=→ v = V 0 10 e I C CE V v =→ 0 =
=→ v = V
0
10
e
I C
CE
V
v
=→ 0 =
I
C
=
10
mA
CE
C
R
2
Está tracada a azul na fig. 2.14.

A intersecção da recta de carga com a curva da família com o

valor de I B calculado dá o ponto de funcionamento em repouso.

Assim se obtem o ponto (V CE0 , I C0 ) assinalado na fig. 2.14.

V CE (V)

Fig. 2.14 – Determinação gráfica do ponto de funcionamento emrepouso.

Esta determinação gráfica não teria muito interesse se não

constituisse o primeiro passo para visualisar com clareza o efeito amplificador do transistor.

Este efeito exerce-se sobre um sinal que (depois de se garantir que o transistor está correctamente polarizado) se

introduz de modo adequado no circuito da fig 2.13. Uma forma de o fazer é a que se mostra nas fig. 2.15 .

A consequência óbvia de se introduzir s(t) na malha da base é que a I B vai variar em torno do valor de repouso I BO

com uma amplitude S/R 1 representado pelas curvas a tracejado correspondentes a i B1 e i B2 na fig.2.16 .

R2 1.0kohm s(t) VC R1 Q1 10V 2N2222A 470kohm VB 10V Fig. 2.15 – Circuito
R2
1.0kohm
s(t)
VC
R1
Q1
10V
2N2222A
470kohm
VB
10V
Fig. 2.15 – Circuito amplificador do sinal s(t) .
I C I B2 I B0 I B1
I C
I B2
I B0
I B1

V CE

Fig. 2.16 – O sinal introduzido no circuito da base obriga I B a variar entre os limites a tracejado e o ponto de funciona- mento a ser correspondentemente desviado.

O sinal que, por conveniência, é sinusoidal faz I B variar levando o ponto de funcionamento dinâmico a ocupar a zona

da recta de carga compreendida entre as duas curvas a tracejado e assinalada a traço forte.

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Projectando o efeito da variação introduzida pelo sinal sobre os dois eixos I C e V CE podemos obter directamente os

sinais amplificados, fig. 2.17.

2.1.3 – Transístor como conversor de energia DC-AC. Classes de funcionamento.

A função básica do transistor como amplificador é conferir maior amplitude às tensões e correntes que podem ser

fornecidas por um gerador de sinal. É, por outras palavras, reproduzir o mesmo sinal mas com maior disponibilidade energética. A pergunta que

surge naturalmente é a de saber de onde é que o transistor vai retirar a energia que coloca no sinal. A resposta, prova- velmente óbvia, é que a retira do único sítio pos- sível: do gerador DC que o polariza. Neste sentido se pode dizer que o transistor converte energia DC, que lhe é fornecida pelo(s) ge- rador(es) DC de polariza- ção, em energia AC que ele disponibiliza.

I C I B2 I B0 I B1
I
C
I B2
I B0
I B1

Fig. 2.17 – Jogo de tensões e correntes de um transistor como amplificador de sinal.

V CE

Nesta perspectiva surge uma questão importante

que se deve estudar – qual

o rendimento dessa con- versão de energia ?

Genericamente, a noção de rendimento de um sistema tem a ver com o quociente entre o que obtemos na saída e o

que temos de fornecer para esse fim. No caso do transistor como amplificador, queremos obter energia AC fornecendo energia DC. Ora o transistor, usado da forma descrita até aqui, seguramente vai mostrar rendimentos muito baixos. Basta reparar que mesmo quando não há sinal ele

consome energia DC (caso da fig. 2.14). Esta forma de polarizar o transistor, em que o ponto de funcionamento em repouso está no centro da recta de carga e a amplitude do sinal é suficientemente pequena para ficar sempre contido na zona linear de funcionamento (quer dizer que nunca atinge as duas zonas-limite em que as curvas deixam de ser equi- distantes para o mesmo acréscimo de i B ) chama-se

classe A.

I C V CE
I
C
V CE

Fig. 2.17 – Transístor polarizado em classe B.

Esta classe de funcionamento é a mais natural e usa-

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se quase obrigatóriamente para amplificar pequenos sinais. Aqui, a questão do baixo rendimento da classe A assume

valores pouco significativos.

Quando os sinais têm grande amplitude a questão energética e do rendimente pode assumir uma expressão mais

preocupante tendo sido desenvolvidas técnicas

para a melhorar.

Estudamos aqui uma dessas técnicas designada

por funcionamento em classe B, que consiste em

polarizar o transistor de mododiferente colocando o

ponto de funcionamento em repouso junto do

ponto I C =0 da recta de carga.

O funcionamento dum transistor em classe B faz

mais sentido se existir a possibilidade de combinar

dois transistores de tal forma que cada um deles

amplifique uma das alternâncias do sinal.

Essa possibilidade existe e é conferida por uma

montagem designada por push-pull na literatura

inglesa. É constituida por dois BJTs complementa-

res (ou seja, um é NPN e o outro PNP) polarizados

em classe B, com a geometria apresentada na fig

2.18.

Configuração Darlington

Vin

V+

4 R1 Q1 2 6 3 R2 Q2 1 5
4
R1
Q1
2
6
3
R2
Q2
1
5

V-

Fig 2.18 – Representação simplificada de um andar “push-pull”.

Tal como no caso do “push-pull, existem outras associaçõs de transístores com propriedades interessantes e de

grande valor em projecto.

A configuração Darlington é uma delas e caracteriza-se pela sua simplicidade. Consiste na ligação directa de dois

transístores de forma a que o resultado seja equivalente a um único trnsístor de grande ganho.

C

B B
B
B

a)

E

C

lente a um único trnsístor de grande ganho. C B B a) E C b) E

b)

E

B

C

um único trnsístor de grande ganho. C B B a) E C b) E B C

E

c)

B

C

trnsístor de grande ganho. C B B a) E C b) E B C E c)

d)

E

Fig. 2.19 – Configurações Darlington. As configurações a) e b) são feitas com dois transístores da mesma polaridade enquanto que as c) e d) usam pares complementares.

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Com estas configurações conseguem obter-se unidades com ganhos até 3.0000. Sabendo que o ganho de um Darlington é aproximadamente o produto dos ganhos dos seus transístores e que um transistor de pequeno sinal tem

um ganho típico de cerca de 100 pode causar alguma estranheza que o ganho global do Darlington não atinja valores

da ordem de 100 x 100 = 10.0000. Isto deve-se ao facto de os dois transístores terem estrutura diferentes: geralmente,

o primeiro transistor, por manipular correntes baixas, tem ganhos da ordem de 100. O segundo transístor tem ganho

bem menor por ter uma estrutura adequada a correntes elevadas.

Par Diferencial

Uma outra arquitectura que já se usava na época da válvula e que transitou para os transístores é o par diferencial ou “par de cauda longa” 1 , que tem a particulridade de ser a configuração que dá origem ao conceito de Amplificador Operacional.

A utilidade desta configuração vem do facto de, muito frequentemente, é mais importante amplificar a diferença entre

dois sinais do que o valor absoluto de cada um deles. O nível comum que eles partilhem é pois omitido ou anulado neta

medida da diferença.

A figura representa o circuito electrónico clássico que desempenha esta função. Recebeu a designação de “long tailed

pair” (par de cauda longa – numa tradução livre) e constitui a base funcional do Amplificador Operacional.

O entendimento do seu funcionamento pode basear-se num

primeiro argumento de simetria se notarmos que as duas correntes I 1 e I 2 devem sempre somar I E

VCC I 1 R1 R2 I 2 Q1 Q2 I E
VCC
I 1
R1
R2
I 2
Q1
Q2
I E

I 1 +I 2 =I E

(1)

Sabendo que a corrente de base de cada transístor está directamente relacionada com a respectiva tensão V BE podemos adoptar uma expressão genérica que relacione V BE com I C

H.I C = V BE ,

em que H é uma constante, dimensionalmente uma resistência, que caracteriza a relação. Para cada transístor será

v O

v 2

v 1

Fig. 2.20 – Amplificador diferencial.

H.I 1 = V B1 -V E

e

H.I 2 = V B2 -V E

,

em que V E é a tensão comum aos dois emissores. Sabendo que a soma I 1 +I 2 é constante, calculemos a diferença

H.(I 1 -I 2 ) = v 1 - v 2

usando (1) vem

H.(I E -2.I 2 ) = v 1 - v 2

1 Tradução livre de long tailed pair.

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Como estamos interessados apenas nas variações ao repouso (estamos afinal interessados apenas no regime AC),

vamos reescrever esta última equação sem o termo DC que é IE

i

2

=

1

2

h ib

(

vv

12

)

Em que i 2 é a componente AC de I 2 .

A componente AC da tensão de saída será

v

O

=

R

2

2

h ib

(

vv

1

2

)

ou seja, a tensão de saída é proporcional à diferença das tensões das entradas.

2.2 - Transístor de efeito de campo - FET 1

O transistor anteriormente estudado não necessita, em geral, de nenhuma designação adicional, embora seja por

vezes referido como transistor bipolar (BJT 2 , na literatura inglesa)

para sublinhar o facto de ambos os tipos de portador de carga

contribuirem para o processo.

Foi no entanto desenvolvido um outro tipo de transistor que

tambem se baseia em propriedades das junções P-N e cujo

princípio de funcionamento é, porventura, mais simples que o do

transistor bipolar.

i D S VGS VDS P N G D
i
D
S VGS
VDS
P
N
G
D

Fig. 2.21 – Representação diagramática do FET canal N com a polarização adequada.

V GS

) enquanto que

Este tipo de transistor tem apenas uma junção que assume a

geometria de um canal duma certa polaridade rodeado de

semicondutor de polaridade oposta. Representa-se na fig. 2.21 o

FET canal N.

O efeito posto em jogo é o do estreitamento do canal por acção

da polarização inversa da junção que ele forma com o resto do

cristal que o envolve. Esse estreitamento é proporcinal à tensão

inversa aplicada e, no limite, impede completamente a passagem

de corrente.

Do que se disse tira-se a conclusão que uma diferença funda-

mental entre o FET difere e o BJT é que o primeiro é um dispositivo controlado por uma tensão (

o segundo o é por uma corrente ( i

B ). A tecnologia desenvolvida ao longo dos anos foi mais prolífica para os FETs

tendo-se produzido diversas variantes deste dispositivo, sobretudo para os circuitos digitais (microprocessadores,

memórias, etc).

A fig 2.14 mostra os símbolos correntes para duas dessas variantes: o FET de junção (JFET) e o FET de tecnologia

Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) nas versões canal-N e canal-P.

1 Universalizou-se a sigla inglesa FET – Field Effect Transistor.

2 BJT – Bipolar Junction Transistor

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I D V =0 GS V =0.5 GS V =1 GS V GS =1.5 =2
I D
V
=0
GS
V
=0.5
GS
V
=1
GS
V
GS =1.5
=2
V GS
=2.5
V GS
V DS

Fig. 2.22 - Família de curvas características típicas de um FET

- Família de curvas características típicas de um FET JFET-N JFET-P Fig 2.23 – Símbolos dos

JFET-N

JFET-P

Fig 2.23 – Símbolos dos FETs mais comuns.

MOSFET-N

MOSFET-P