Final

UNIÃO BRASILIENSE DE EDUCAÇÃO E CULTURA - UBEC
FACULDADE CATÓLICA DO TOCANTINS-FACTO

CENTRO SUPERIOR POLITÉCNICO
CURSO DE BACHARELADO EM ENGENHARIA ELÉTRICA
RELATÓRIO SEMESTRAL DE ESTÁGIO SUPERVISIONADO III
Acadêmico: Francisco Jheime de Oliveira Costa

Professor Orientador: Lázaro Marques de O. Júnior
Supervisor Técnico: Vagner Alves
Período de realização do estágio: 30/01/2016 a 28/05/2016
Palmas-Tocantins
Maio, 2016
IDENTIFICAÇÃO DA EMPRESA CEDENTE DO ESTÁGIO
Nome: Faculdade Católica do Tocantins

Bairro: Centro – Quadra 1402 sul
CEP: 77061-002
Endereço: ACSU-SE 140 Av. Joaquim Teotônio Segurado LT 01
Cidade: Palmas - TO
Telefone: (63) 3221-2100
Área na empresa onde foi realizado o estágio: Monitoria
Data de início: 30/01/2016

Data de término: 11/05/2016
Duração em horas: 60 Horas
Nome do profissional responsável pelo estágio: Vagner Alves
APRESENTAÇÃO DA EMPRESA
A Católica do Tocantins, mantida pela UBEC (União Brasiliense de

Educação e Cultura), teve sua criação em 1999. Ela está instalada em Palmas e
presta serviços educacionais indiretamente a varias cidades do estado do
Tocantins. Está voltado para a prática do ensino superior.
Autorizada pelo MEC a desenvolver as suas atividades no ano de 2002, em
2003 inicia-se na educação superior através de cursos para a sociedade local. Na
atualidade, em seus quinze anos de existência, dentre os seus vários cursos
disponíveis aos cidadãos está o de Engenharia Elétrica que é o fator
preponderante desse relatório.
A Empresa tem programas de pesquisa e extensão que dão a
possibilidade de alunos praticarem, por exemplo, a monitoria. A área do
conhecimento relacionada à monitoria realizada durante a disciplina de estágio III
é o eletromagnetismo que possui aplicação em áreas como eletrônica,
telecomunicações e eletrotécnica.
SUMÁRIO
1. INTRODUÇÃO......................................................................................................4
2. ATIVIDADES DESENVOLVIDAS.........................................................................5
2.1 LEI DE FARADAY NA FORMA INTEGRAL PARA CAMPOS VARIANTES
NO TEMPO............................................................................................................6
2.1.1. Descrição da atividade.............................................................................6
2.1.2. Objetivo....................................................................................................6
2.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade (software

utilizado; outros equipamentos; acompanhamento de obra).............................6
2.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade......8
3.1 A LEI DE FARADAY NA FORMA PONTUAL PARA CAMPOS VARIANTES

NO TEMPO............................................................................................................8
3.1.1. Descrição da atividade.............................................................................8
3.1.2. Objetivo....................................................................................................9

utilizado; outros equipamentos; acompanhamento de obra).............................9
3.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade

............................................................................Erro! Indicador não definido.
4.1 A LEI DE AMPERE NA FORMA INTEGRAL PARA CAMPOS VARIANTES

NO TEMPO..........................................................................................................12
4.1.1. Descrição da atividade...........................................................................12
4.1.2. Objetivo..................................................................................................12

utilizado; outros equipamentos; acompanhamento de obra)...........................12
4.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade....16
5.1 A LEI DE AMPERE NA FORMA PONTUAL PARA CAMPOS VARIANTES

NO TEMPO..........................................................................................................16
5.1.2. Objetivo..................................................................................................16
6.1 A LEI DE GAUSS NA FORMA INTEGRAL PARA CAMPOS VARIANTES

NO TEMPO..........................................................................................................19
6.1.2. Objetivo..................................................................................................19

7.1 A LEI DE GAUSS NA FORMA PONTUAL PARA CAMPOS VARIANTES NO

TEMPO...................................................................Erro! Indicador não definido.
7.1.2. Objetivo..................................................................................................29

8.1 CONSERVAÇÃO DE CARGA ELÉTRICA....................................................40

8.1.2. Objetivo..................................................................................................40

9.1 DENSIDADE DE POTÊNCIA NO CAMPO ELÉTRICO E VETOR DE

POYNTING..........................................................................................................51
9.1.2. Objetivo..................................................................................................51

10. CONCLUSÕES.................................................................................................57
11. REFERÊNCIAS.................................................................................................58
12. ANEXOS...........................................................................................................59
ANEXO 01 – Ficha de Frequência no Estágio e Declaração de Horas de Estágio
.............................................................................................................................59
ANEXO 02 – Avaliação do supervisor técnico....................................................59
ANEXO 03 – Avaliação do estagiário..................................................................59
ANEXO 04 – Avaliação do professor orientador.................................................59
1. INTRODUÇÃO
O presente relatório tem o caráter de representar-se como um mural

daquilo que fora realizado na monitoria em Eletromagnetismo II realizada na
Católica do Tocantins em sala de aula.
A existência de monitoria na Instituição é importante para o
desenvolvimento dos alunos. O relatório baseou-se na resolução de atividades de
livros de eletromagnetismo que são base para o curso de engenharia elétrica e
que serviram de guia de estudo, complemento e fixação das teorias aprendidas.
6
2. ATIVIDADES DESENVOLVIDAS
O estágio supervisionado III será realizado na Católica do Tocantins através

de relatório de monitoria em Eletrônica I, cujas atividades serão descritas na
sequência abaixo.
Foi apresentado aos colegas o plano de estudo conforme abaixo:
ETAPAS A SEREM DESENVOLVIDAS
ANO_2016 Jan Fev Mar Abr Mai
Materiais semicondutores, níveis de energia;

X
materiais extrínsecos – tipo N e P;
Semicondutor P e N; Diodo de junção PN; X
Diodo Retificador / Zener; X
Transistor de junção NPN X
Transistor de junção PNP X
Transistores bipolares de junção - TBJ; X
Polarização DC-TBJ; Transistores de efeito de

X
campo – construção e características;
Polarização DC-TBJ; Transistores de efeito de

X
campo – construção e características;
Polarização do FET – tipos de configurações de

X
operação.
Polarização do FET – tipos de configurações de

X
operação.
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2.1. MATERIAIS SEMICONDUTORES, NÍVEIS DE ENERGIA, MATERIAIS
EXTRÍNSECOS – TIPO N E P
2.1.1. Descrição da atividade
Estudo e resolução de atividades a respeito dos materiais semicondutores,

seus níveis de energia e os materiais extrínsecos.
2.1.2. Objetivo
Compreensão dos materiais semicondutores através da resolução de

exercícios de livros de eletrônica.
2.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade

(software utilizado; outros equipamentos; acompanhamento de obra)
Materiais semicondutores são componentes que tendem ao extremo de um

isolante e um condutor. Esses materiais são classificados pela sua resistividade,
que e dada pela equação:
Equação 01
Como podemos ver na tabela a seguir, os materiais semicondutores mais

usados são o silício e o germânio, por poderem ser fabricados com um alto nível
de pureza.
Valores típicos de resistividade
Condutor Semicondutor Isolante
8
Tabela 01 – Valores típicos de resistividade
Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos – Boylestad
Outra característica dos materiais de Ge e Si são suas estruturas atômicas

precisas (cristais) e periódicas (treliças).
Figura 01 – Estrutura de cristal singular de Ge e Si
Os átomos de Ge apresentam 32 elétrons ao todo, enquanto os átomos de

Si apresentam 14, porem ambos apresentam 4 elétrons na ultima camada, e são
chamados de tetravalentes.
Desta forma quando se fala em níveis de energia, refere-se à carga elétrica

presente nos elétrons que orbitam o núcleo, ou seja, quanto mais afastado o
elétron estiver do núcleo, maior será seu nível de energia. Dentro da estrutura
atômica existem os chamados níveis discretos de energia, esses níveis são
chamados de “gaps” e são simbolizados por , onde para o silício esse valor é de
1,1 eV (elétron-volt), e para o germânio é de 0,67 eV.
Alguns materiais que são refinados para se diminuir impurezas a um nível

muito baixo são chamados de intrínsecos. Esses materiais em seu estado
intrínseco são bastante sensíveis à temperatura e podem apresentar um aumento
significativo de elétrons livres (elétrons sensíveis a campos elétricos) sobre
temperaturas elevadas. Por esse motivo considera-se que materiais
semicondutores como Si e Ge, que apresentam uma redução na resistência com
o aumento da temperatura, possuem coeficiente de temperatura negativo.
9
A partir dos materiais intrínsecos, podemos obter os materiais extrínsecos
que são materiais semicondutores submetidos a um processo de dopagem. Essa
dopagem se dá adicionando impurezas do tipo n ou p.
O material do tipo n se da adicionando elementos pentavalente (com cinco

eletros na ultima camada) como o antimônio, o arsênio e o fosforo. Em
contrapartida, o material do tipo p é obtido adicionando-se elementos com três
elétrons na ultima camada, como o boro, gálio e índio.
(a) (b)
Figura 02 – Material extrínseco tipo n (a) e tipo p (b)
Revisão dos conteúdos a cerca da disciplina de Eletrônica I, assim como a

assimilação dos exercícios do tema.
2.2. SEMICONDUTOR P e N, DIODO DE JUNÇÃO PN
Abordar a composição e operação de um diodo. Resolução de atividades a

respeito do tema.
10
2.2.2. Objetivo
Descrever a formação de um semicondutor, bem como se da à construção e

aplicação de um diodo.

O diodo semicondutor é formado pela junção dos materiais dos tipos p e n.

Quando os materiais são unidos os elétrons e as lacunas (prótons) se combinam
formando uma camada com ausência de portadores livres (prótons e elétrons que
se deslocam de um lado para o outro no material), essa camada é chamada de
barreira de depleção.
Figura 03 – Semicondutor PN
Fonte: http://e-lee.ist.utl.pt/realisations/EnergiesRenouvelables/FiliereSolaire
/PanneauxPhotovoltaiques/Cellule/Analogie/PN.htm
O diodo é um dispositivo de dois terminais, permitindo três possibilidades de

polarização: direta, reversa e nenhuma polarização.
Quando polarizado diretamente, ou seja, potencial positivo no material tipo p

e potencial negativo em material do tipo n, ocorre uma recombinação dos elétrons
e lacunas de ambo os materiais e a barreira de depleção tende a diminuir devido
possibilitando a passagem de corrente.
11
Figura 04 – Junção p-n polarizada diretamente
Na polarização reversa ocorre o contrario da polarização direta. Com o

potencial positivo ligado ao material tipo n e o negativo ligado ao material tipo p,
haverá um aumento na camada de depleção reduzindo a passagem de corrente.
Esse aumento se da devido ao acumulo de elétrons no material tipo p e prótons
no material tipo n.
Entretanto como a corrente não se estingue completamente pode ser visto

uma corrente muito pequena chamada , ou corrente de saturação reversa.
Figura 05 – Junção p-n reversamente polarizada
Para uma condição de não polarização o fluxo de carga em qualquer sentido

para um diodo semicondutor é zero, pois os elétrons e lacunas em ambos os
materiais se mantem estáveis, sem qualquer alteração.
12
Figura 06 – Junção p-n sem polarização externa
Com o auxilio da física dos dispositivos de estado solido é possível

demonstrar que as características gerais de um diodo semicondutor podem ser
definidas para regiões de polarização direta e reversa pela seguinte formula:
1)
Equação 02
Onde corrente de saturação reversa.
K = 11600/𝜂 com 𝜂 = 1 para Ge e 𝜂 = 2 para o Si, em níveis relativamente baixos

de corrente de diodo (ou abaixo do joelho da curva) e 𝜂 = 1 para Ge e Si para
maiores de corrente de diodo (no trecho em que a curva acentua-se
rapidamente).
= + 273º
13
Figura 07 – Curva característica do diodo de silício
2.3. DIODO RETIFICADOR / ZENER
Definição e resolução de exercícios a cerda da retificação e do diodo zener.
2.3.2. Objetivo
Compreensão da retificação a partir de um diodo.

Uma das principais aplicações do diodo é na retificação de circuitos, ou

seja, converter AC para DC, sendo essas aplicações descritas a seguir.
2.3.3.1. Retificador de Meia Onda

14
Esse tipo de circuito aproveita apenas a parte positiva de onda de uma
tensão CA (senoidal), assim obtêm – se na saída um sinal pulsante, podendo ser
positivo (diodo diretamente polarizado) ou negativo (diodo reversamente
polarizado) dependendo da disposição do diodo. Ou seja, o diodo operara como
um curto para o sinal positivo e como uma chave aberta para o sinal negativo da
onda.
Esse circuito apresenta uma frequência de saída igual à de entrada.
Figura 08 – Retificador de meia onda
Fonte: Lab de garagem – Circuitos Retificadores, Ivair José de Souza
2.3.3.2. Retificador de Onda completa
2.3.3.2.1. Com Derivação Central
Também chamado de retificador de onda completa convencional, esse

circuito projeta na saída uma onda pulsante completa, ou seja, onde se tinha um
valor nulo durante a passagem da onda pelo semiciclo negativo, teremos um
pulso positivo. Isso se da pelo fato de haver uma defasagem de 180º entre as
tensões de saída Va e Vb, assim quando Va for positivo, Vb será negativo e a
corrente passa por D1 chegando a RL. Quando Vb for positivo, Va será negativo e
a corrente passa por D2 chegando a RL. Em resumo, somente os semiciclos
positivos de Va e Vb passam pelos diodos.
Para esse circuito também pode – se obter um sinal pulsante negativo na

saída invertendo o sentido de polarização dos diodos.
Nesse circuito frequência de saída nesse circuito será o dobro da frequência

de entrada.
15
Figura 09 – Retificador de onda completa com derivação central
2.3.3.2.2. Em Ponte
Esse circuito dispensa a aplicação central do transformador, podendo assim

ter um retificador ligado diretamente à rede elétrica.
Esse opera aproveitando todo o semiciclo da onda, ou seja, quando o ponto

A for positivo em relação a B, a corrente circulara pelos diodos D1 e D3 chegando
a RL. Quando o ponto A for negativo em relação a B, a corrente circulara pelos
diodos D2 e D4 chegando a RL.
Nesse circuito frequência de saída nesse circuito será o dobro da frequência

de entrada.
Figura 10 – Retificador de onda completa com derivação central
16
2.3.3.3. Diodo Zener
Diferente do diodo convencional, o zener apresenta uma corrente oposta,

como pode ser visto no gráfico.
Figura 11 – Curva característica do diodo zener
Podemos ver que quando polarizado reversamente (), a corrente cai de

forma quase vertical.
A partir do gráfico podemos dizer que o diodo zener opera na condição

reversa, trabalhando como um regulador de tensão. Temos também que o
coeficiente de temperatura reflete a variação percentual de com a temperatura.
Ele é definido pela equação:
Equação 03
Onde é a variação resultante no potencial zener devido a variação da

temperatura. Logo, um aumento da temperatura resulta em um aumento de ,
enquanto uma diminuição da temperatura resulta em um decréscimo de .
17
Retificadores são arranjos importantes para a eletrônica, pois permitem o

funcionamento dos equipamentos em CC, e o diodo zener se torna um
componente interessante pela sua aplicação reversa e pelo controle de tensão
que ele possibilita.
2.4. TRANSISTOR DE JUNÇÃO NPN E PNP
Resolução de exercícios, com abordagem teórica a cerca do conteúdo.
2.4.2. Objetivo
Compreensão da operação e forma construtiva de um transistor.

O transistor é um dispositivo semicondutor que consiste de duas camadas

do tipo n e uma camada do tipo p (NPN) ou duas camadas do tipo p e uma do tipo
n (PNP).
Figura 12 – Transistores PNP e NPN
No transistor PNP, redesenhado sem a polarização base-coletor, a região de

depleção teve a largura reduzida devido a tensão aplicada, resultando em um
fluxo denso de portadores majoritários fluindo do material do tipo p para o tipo n.
18
Figura 13 – Junção polarizada diretamente
Agora sem a polarização base-emissor, podemos ver um fluxo de portadores

minoritários, uma vez que nesse caso o fluxo de portadores majoritários é zero.
Podemos dizer que uma junção p-n é polarizada reversamente e a outra

diretamente.
Figura 14 – Junção reversamente polarizada
Com os dois potenciais de polarização aplicados, podemos observar a

largura das regiões de depleção. Muitos portadores majoritários irão se difundir no
material do tipo n através da junção do tipo p-n polarizada diretamente. A maior
parte desses portadores majori9tarios entrara através da junção polarizada
reversamente no material do tipo p conectado ao terminal do coletor.
19
O motivo da relativa facilidade com que os portadores majoritários podem
atravessar a junção polarizada reversamente polarizada pode ser facilmente
compreendida se considerarmos que para o diodo polarizado reversamente os
portadores majoritários serão como portadores minoritários no material do tipo n.
Figura 15 – Fluxo de polarização de um transistor PNP
Analisando o circuito completo, podemos chegar a definição para as

correntes onde:
Equação 04
No entanto a corrente de coletor possui dois componentes: os portadores

majoritários e os minoritários.
Equação 05
- : componente de corrente de portadores minoritários, denominada corrente

de fuga.
20
Verificou-se o funcionamento de um transistor a partir da aplicação de

tensão no sentido direto e reverso.
2.5. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO – TBJ
Resolução de exercícios com abordagem teórica do tema TBJ, levantando

suas principais características.
2.5.2. Objetivo
Tirar as dúvidas a cerca do tema, com o intuito de auxiliar os colegas na

disciplina.

O BJT, também conhecido como “o transistor”, é largamente utilizado tanto

em circuitos discretos como integrados, analógicos ou digitais.
Ele consiste de duas junções p-n, a junção emissor-base e a junção coletor-

base, habitualmente designadas simplesmente junção de emissor e junção de
coletor. Dependendo das condições de polarização (direta ou inversa), obtêm-se
diferentes modos de funcionamento do transístor.
MODO JUNÇÃO EMISSOR-BASE JUNÇÃO COLETOR-BASE
CORTE INVERSA INVERSA
ATIVO DIRETA INVERSA
SATURAÇÃO DIRETA DIRETA
21
Tabela 02 – Valores típicos de resistividade
Fonte: FERREIRA, FRANCLIM F. ELECTRÓNICA I 3º ANO – RAMO APEL
O único modo usado, caso se pretenda utilizar o transistor como

amplificador, é o modo ativo.
O TBJ opera em 3 formas diferentes, base-comum, coleto-comum e

emissor-comum. Todas as três configurações são aplicadas a dispositivos NPN e
PNP.
2.5.3.1. Base-comum
Essa configuração recebe esse nome, pois o pino da base é ligado ao terra,
ou seja, a base é comum ao terra.
Figura 16 – Configuração Base-Comum
Para se descrever totalmente o comportamento de dispositivos de 3

terminais, são necessários dois conjuntos de características: um para o ponto de
acionamento ou parâmetros de entrada, e o outro para a saída.
22
Figura 17 – Parâmetros de entrada da configuração Base-Comum
Figura 17 – Parâmetros de saída da configuração Base-Comum
No extremo inferior da região ativa a corrente de emissor é 0, e a corrente

de coletor deve-se exclusivamente à corrente de saturação reversa . Essa
corrente ( é tão pequena, na faixa de microampères, se comparada a escala
vertical de que aparece praticamente na mesma linha horizontal de
23
À medida que fica acima de zero, aumenta ate um valor essencialmente
igual aquele de . Observa-se também o efeito quase desprezível de sobre para a
região ativa, tornando assim que .
Na região de corte, definida por aquela em que é zero, as junções base-

emissor e base-coletor, ficam polarizadas reversamente.
A região de saturação fica sendo aquela das curvas a esquerda de ,

observando-se um aumento exponencial de à medida que se aproxima de zero.
Nessa região as junções base-emissor e base-coletor, ficam polarizadas
diretamente.
É possível observar a partir das curvas características da Figura 18a que,

para valores fixos de tensão (), à medida que aumenta a tensão base-emissor,
aumenta. Porem os valores de tem um efeito tão pequeno sobre as curvas
características, que na primeira aproximação são desprezados, como podemos
ver na Figura 18b. Se for feito mais uma aproximação e desprezar a inclinação, e
logo a resistência a associada à junção polarizada diretamente, teremos uma
curva igual a da Figura 18c. Assim podemos dizer que, quando o transistor estiver
ligado, a tensão base-emissor será .
Figura 18 – Curva característica da região base-emissor
24
 Alfa (
No modo CC, os valores de e , devido aos portadores majoritários são

relacionados por uma quantidade chamada alfa. Onde e são os valores de
corrente no ponto de operação.
Equação 06
A partir das curvas da Figura 17, podemos dizer que , porem na pratica esse
valor fica entra 0,90 e 0,998.
O alfa CA é chamado de base-comum, curto-circuito e fator de amplificação,

e podemos dizer que uma pequena variação na corrente de coletor é dividida pela
variação correspondente de com a tensão base-coletor permanecendo constante.
Equação 07
2.5.3.2. Emissor-comum
Com o terminal do emissor comum a entrada e a saída (nesse caso os

terminais de coletor e base), essa é a configuração mais utilizada para
transistores NPN ou PNP.
Figura 19 – Configuração Emissor-Comum
25
Assim como na configuração base-comum, nessa configuração também

precisaremos de dois conjuntos de características para descrevê-lo, sendo elas
entrada, ou base-emissor, e saída, ou base-coletor.
Figura 20 – Parâmetros de (a) saída (coletor-emissor) e (b) entrada (base-emissor)
Apesar de as configurações terem mudado , as relações de correntes

desenvolvidas para o circuito base-comum ainda se aplicam, ou seja, e .
Nessa configuração as caracteristicas de saida são: corrente de saida (),

vesus tensão de saída (), para uma faixa de valores de corrente de entrada ().
Sendo assim, as caracteristicas de entrada são: corrente de entrada (), vesus
tensão de entrada (), para uma faixa de valores de tensão de saída().
Nesse circuito o valor de esta em microamperes, comparado aos

miliamperes de . É possivel notar que as curvas de não são tão horizontais
quanto as obtidas para na configuração base-comum, o que indica que a tensão
coletor-emissor influencia o valor da corrente de coletor.
26
Considera-se região ativa, para configuração emissor-comum, a região em
que as curvas de são praticamente retas e estão igualmente espaçadas. No
grafico podemos ver essa região a direita na linha vertical tracejada em e acima
da curva para , e a região a esqueda de sendo a região de saturação.
Na região ativa do emissor-comum, a junção base-coletor é polarizada

reversamente, enquanto a junção base-emissor é polarizada diretamente.
Lembrando que essas são as mesmas condições existentes da região ativa

da configuração base-comum. A região ativa da configuração emissor-comum
pode ser utilizada para amplificação de tensão, corrente ou potencia.
A região de corte da configuração emissor-comum não é tão bem definida

quanto a configuração base-comum. Pode-se observar nas características de
coletor que não é igual a zero quando é zero.
Em razão dessa diferença nas características se pode chegar, a partir das

equações e , na seguinte equação:
27
Equação 07
Considerando caso discutido anteriormente em que A e substituirmos um

valor típico de como 0,966, teremos a corrente de coletor resultante sendo:
Equação 08
Se fosse 1A, a corrente de coletor resultante com A seria 250(1A)=0,25mA,

como é possível observar na curva característica. Podemos dizer então que para
uma amplificação linear (distorção mínima), a região de corte para a configuração
emissor-comum é definida por .
Caso se deseje um sinal de saída não distorcido, deve-se evitar a região

abaixo de A. Quando aplicado como chave em um circuito logico de comutador, o
transistor terá dois pontos de operação de interesse: um na região de corte e o
outro na região de saturação.
Como o valor de é geralmente baixo para dispositivos de silício, haverá

cortes em termo de chaveamento quando A ou apenas para transistores de
silício. Para transistores de germânio, o chaveamento será definido conforme as
condições existentes quando .
Essa condição geralmente é obtida em transistor de germânio invertendo-se

a polarização da junção base-emissor em alguns décimos de volts.
28
 Beta(β)
No modo CC podemos relacionar as correntes e , onde se designa essa

relação como beta.
Equação 09
Para dispositivos práticos, o valor de β varia geralmente de 50 a mais de

400, com analises CA sendo definidas por:
Equação 10
É possível desenvolver uma relação entre β e α utilizando as relações

básicas desenvolvidas ate agora. Se e , e sabendo que , podemos dizer que:
Equação 11
Dividindo todos os lados da equação por temos:
Equação 12
Reorganizando a equação chegamos na seguinte relação:
Equação 13
2.5.3.3. Coletor-comum
29
Essa configuração é muito utilizada em casamento de impedâncias , devido
a seu alto valor de impedância de entrada e baixo valor de impedância de saída,
ou seja, o oposto das duas configurações anteriores.
Figura 21 – Configuração Coletor-Comum
A sua construção se assemelha muito a da configuração emissor-comum,

que na pratica as curvas características da configuração coletor-comum são
iguais as da configuração emissor-comum. Para a configuração coletor –comum,
as curvas de saída são das em versus para um conjunto de valores de . O eixo
horizontal de tensão para essa configuração é obtido invertendo-se simplesmente
o sinal da tensão coletor-comum das curvas características da configuração
emissor-comum.
30
Verificou-se que o BJT tem grande aplicação quanto a área de

amplificadores, apresentando três configurações, cada uma com duas vantagens
e desvantagens, que devem ser levadas em conta para melhor escolha da
configuração para aplicação pratica.
2.6. POLARIZAÇÃO CC - TBJ
Resolução de exercícios, com abordagem teórica a cerca do conteúdo.
2.6.2. Objetivo
Tirar as dúvidas a cerca do tema, com o intuito de auxiliar os colegas na

disciplina.

O valor CC de operação de um transistor é controlado por vários fatores,

incluindo uma vasta gama de pontos de operação nas curvas características do
dispositivo.
O termo polarização, aqui se refere à aplicação de valores de tensão CC em

um circuito para definir valores fixos de tensão e corrente. Para amplificadores
com transistor, a corrente e a tensão CC resultantes estabelecem um ponto de
operação nas curvas características que definem a região que será empregada
para a amplificação do sinal aplicado. O circuito de polarização deve ser projetado
para estabelecer a operação do dispositivo em qualquer outro ponto dentro da
região ativa.
31
Figura 22 – Vários pontos de operação dentro dos limites de operação de um transistor
Como o ponto de operação é fixo na curva, ele também é chamado de ponto

quiescente ou simplesmente ponto Q ou pt Q.
Para o gráfico apresentado, se não fosse usada nenhuma polarização, o

dispositivo estaria inicialmente desligado, resultando em um pt Q em A, ou seja,
corrente nula. Para o ponto B, se um sinal for aplicado ao circuito, a tensão e a
corrente do dispositivo variarão em torno do ponto de operação, permitindo que o
dispositivo responda tanto ao avanço positivo quanto negativo do sinal de
entrada. O ponto C permitiria alguma variação positiva e negativa do sinal de
saída, porem o valor de pico a pico seria limitado pela proximidade com e . O
ponto D ajusta o ponto de operação do dispositivo próximo da tensão máxima e
do nível de potencia. Outro fator que deve ser levado em conta é a temperatura,
pois ela acarreta mudanças nos paramentos do dispositivo.
Para a polarização do TBJ em sua região linear de operação, a junção base-

emissor deve estar polarizada diretamente e a junção base-coletor deve estar
polarizada reversamente.
32
2.6.3.1. Circuito com polarização fixa
Para a análise CC, o circuito deve ser isolado dos valores CA indicados
substituindo os capacitores por um circuito aberto equivalente. Além disso, é
possível dividir a fonte em duas, para permitir uma melhor analise do circuito.
Figura 23 – Circuito com polarização fixa e equivalente CC
Começamos com a análise da junção base-emissor, onde pela lei de

Kirchhoff podemos definir que:
Equação 14
Como a tensão e a tensão são constantes, a escolha de um resistor , ajusta

a corrente de base para o ponto de operação.
Para a malha coletor-emissor, temos que esta diretamente relacionado a

através de:
Equação 15
É possível observar que como a corrente de base é controlada pelo valor de

e está relacionado com por uma constante , o valor não é função da
resistência , ou seja, modificando se o valor de , e não serão afetados desde que
se mantenha o dispositivo na região ativa.
33
Aplicando a lei de Kirchhoff obtemos a seguinte equação:
Equação 16
(a) (b)
Figura 24 – Malha base-emissor (a); Malha coletor-emissor (b)
2.6.3.2. Circuito de polarização estável do emissor
O circuito de polarização CC da figura 24 contém um resistor ligado ao

emissor para melhorar o nível de estabilidade da configuração com polarização
fixa.
Figura 25 – Circuito de polarização do TBJ com resistor de emissor
34
Assim como na configuração anterior, essa também será dividida em duas
malhas para melhor analise.
Iniciando pela malha base-emissor e aplicando a lei de Kirchhoff e

realizando as devidas substituições das formulas ate então apresentadas,
podemos escrever uma equação para a corrente referente ao circuito da Figura
25.a, como sendo:
Equação 17
Partindo para a malha coletor-emissor representada na Figura 25.b, e

novamente aplicando a lei de Kirchhoff, podemos determinar as tensões
presentes no circuito.
35
Equação 18
(a) (b)
Figura 26 – Malha base-emissor (a); Malha coletor-emissor (b)
2.6.3.3. Polarização por divisor de tensão
Nas configurações anteriores foram apresentados circuitos onde a corrente

e a tensão de polarização eram em função do ganho de corrente β, porem esse é
sensível a temperatura, por isso a necessidade de se desenvolver um circuito de
polarização menos dependente desse ganho.
Figura 27 – Polarização por divisor de tensão
36
Há dois métodos que podem ser empregados na análise da configuração do
divisor de tensão, o primeiro é o método da analise exata, que pode ser
empregada a qualquer divisor de tensão, o segundo é o método da analise
aproximada, que só pode ser aplicado se condições especificas forem satisfeitas.
Para a análise exata o circuito a ser trabalhado pode ser redesenhado para
o equivalente de Thévenin como mostrado na Figura 27, onde a partir desse é
possível determinar alguns parâmetros do circuito.
Figura 28 – Polarização por divisor de tensão
Com a fonte sendo substituída por um curto-circuito equivalente, é possível

determinar o valor de como sendo: . Com a retomada da tensão podemos
determinar a tensão de Thévenin de circuito aberto.
Equação 19
Redesenhando o circuito de Thévenin, podemos determinar a corrente

aplicando-se lei de Kirchhoff.
Equação 20
37
Uma vez que é conhecido, as quantidades restantes do circuito podem ser
determinadas do mesmo modo que para a configuração de polarização do
emissor.
Equação 21
(a) (b)
Figura 29 – Determinação (a); Inserção do circuito equivalente de Thévenin(b)
Na analise aproximada a tensão de entrada do divisor de tensão pode ser

representado pelo circuito da Figura 30. A resistência é a resistência equivalente
entre a base e GND, para o transistor com um resistor de emissor . Se for muito
maior que a resistência , a corrente será muito menor do que e esta será
aproximadamente igual a . Se considerarmos a possibilidade de que é
praticamente zero em relação a ou , então e e podem ser considerados
resistores em serie. A tensão através de pode ser determinada através da regra
do divisor de tensão.
Equação 22
38
Como , a condição que define se o método aproximado pode ser aplicado é
que . Em outras palavras, se o valor de β multiplicado por for no mínimo 10 vezes
maior que o valor de , o método aproximado pode ser aplicado com alto grau de
precisão nos resultados.
Uma vez que temos os parâmetros determinados, onde:
Equação 23
A tensão coletor-emissor é determinada por , mas uma vez que , podemos

definir que:
Equação 24
Figura 30 – Circuito para calculo aproximado
39
2.6.3.4. Polarização CC com Realimentação de Tensão
Podemos obter ume melhoria na estabilidade do circuito introduzindo uma

realimentação de coletor para a base, como mostra a Figura 31. A análise será
refeita analisando-se inicialmente a malha base-emissor e aplicando-se os
resultados à malha coletor-emissor.
Figura 31 – Circuito de polarização CC com realimentação
Como é mostrado na figura 32, e aplicando a lei de Kirchhoff para a malha

base-emissor, e adotando o sentido horário da corrente, temos:
Equação 25
Observando que , mas os valores de e são muito maiores que , podemos dizer
que . Fazendo as devidas substituições, levando em consideração que e , temos que:
Equação 26
40
Figura 32 – Malha base-emissor para o circuito de polarização CC com realimentação
Para a malha coletor-emissor, e aplicando a lei de Kirchhoff no sentido

horário, temos:
Equação 27
Como definimos que e , podemos reescrever a equação ficando:
Equação 29
Figura 33 – Malha coletor-emissor para o circuito de polarização CC com realimentação
41
Com diversos tipos de polarizações diferentes, é possível aplicar o TBJ a
diversos tipos de circuitos práticos. Basta escolher qual o melhor tipo de
polarização para o circuito em questão.
2.7. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO - FET
Descrever as características construtivas e o funcionamento do Transistor de

Efeito de Campo.
2.7.2. Objetivo
Sanar as duvidas da turma de Eletrônica 1 a cerca do conteúdo

apresentado.

O FET é um transistor de 3 terminais, assim como o BJT. Suas

características se assemelham muito, mas existem algumas diferenças entre eles.
A principal diferença entre eles é que o BJT é controlado por corrente, e FET
é controlado por tensão. Deve-se lembrar de que aqui também se apresentam
dispositivos de canal n e canal p, mas diferente do BJT, esse dispositivo opera de
forma unipolar, ou seja, a condução depende de elétrons (canal n) ou lacunas
(canal p).
Existem dois tipos de FETs, o primeiro chamado transistor de efeito de

campo de junção (JFET) e o segundo transistor de feito de campo de metal-óxido-
semicondutor (MOSFET).
2.7.3.1. Transistor de Efeito de Campo de Junção (JFET)
42
O JFET é um dispositivo de 3 terminais, com um deles controlando a
corrente entre os outros dois. Comparado ao BJT, o JFET apresenta uma maior
impedância de entrada, menor sensibilidade à temperatura, menor controle de
corrente de saída, menor ganho de tensão, maior estabilidade e menor ganho.
O JFET é composto, em maior parte, por um material tipo n formando um

canal entre as camadas imersas de material do tipo p. Esse dispositivo apresenta
um terminal dreno e um terminal fonte conectado nos estremos do material do tipo
n e o terminal de gate ligado às duas camadas do material do tipo p. Os três
terminais estão ligados as materiais do tipo n e p através de contatos ôhmicos.
Figura 34 – Forma construtiva do JFET, simbologia canal n (a) e canal p (b)
Fonte: Aula 01 JFET – Transistor de Efeito de Campo
Analogia mais correta a se fazer a cerca desse dispositivo é a de uma

torneira d’agua. A pressão da agua representa o a tensão aplicada do dreno para
a fonte e esta estabelecera um fluxo de agua (elétrons) do encanamento (fonte).
A porta por meio de um sinal aplicado (potencial) controla o fluxo de agua (carga)
para o dreno.
Para valores de , e conectando a porta diretamente à fonte para estabelecer

a condição de , obtemos uma região de depleção na extremidade inferior de cada
material p, semelhante à distribuição encontrada na situação de não polarização
do JFET. No instante que a tensão é aplicada, os elétrons seguem para o
terminal do dreno, estabelecendo a corrente convencional . O caminho do fluxo de
cargas revela que as correntes de dreno e fonte são equivalentes.
43
O motivo de a região de depleção ser mais larga na parte superior de ambas
os matérias do tipo p, deve-se em razão de uma resistência uniforme no canal n,
onde a corrente estabelecera níveis de tensão ao longo do canal. O resultado é
que a região superior do material do tipo p estará polarizada reversamente com
cerca de 1,5 V e a região inferior com 0,5 V.
Figura 35 – JFET para e com potenciais reversos
Conforme a tensão aumenta, a corrente aumenta, como mostrado no

gráfico da Figura 36. A relativa linearidade da curva revela que, para a região de
baixos valores de , a resistência é basicamente constante. À medida que se
aproxima do valor de , as regiões de depleção se alargam, provocando
considerável redução na largura do canal, provocando um aumento da
resistência, ou seja, quanto mais horizontal a curva maior a resistência, sugerindo
que ela atinge infinitos ohms na região horizontal. Se for levado ate um valor
onde as duas regiões de depleção pareçam se tocar, surgira a condição de pinch-
off (estrangulamento), a qual a tensão que estabelece essa condição é denotada .
44
Figura 36 – Curva característica e condição de pinch-off
É possível notar, a partir do gráfico, que mesmo com o estrangulamento

mantem um valor de saturação definido por . É possível afirmar que não foi
cortada pelo fato de haver diferentes valores de potencial através do material do
canal n para estabelecer os diversos valores de tensão de polarização reversa ao
longo da junção p-n.
Conforme aumenta além de , a região de confronto entre as duas regiões de

depleção aumenta em comprimento ao longo do canal, mas o nível de
permanece o mesmo. Portanto, uma vez que esteja estabelecido, o JFET
apresentara as características de uma fonte de corrente, e acorrente fica fixa em ,
mas a tensão (para níveis ) é determinada pela carga aplicada.
Assim podemos dizer que é a corrente máxima de dreno para um JFET e é

definida pela condição e . Bem como o valor de que resulta em é definido por ,
com sendo uma tensão negativa para dispositivos de canal n e uma tensão
positiva para JFETs de canal p.
A região a esquerda da linha de pinch-off é chamada de ôhmica ou região

de resistência controlada por tensão. Nessa região o JFET realmente pode ser
empregado como um resistor variável, cuja resistência é controlada pela tensão
porta-fonte aplicada. Conforme se torna mais negativo, a inclinação da curva se
torna mais horizontal, fazendo com que a resistência aumente. Essa resistência
pode ser definida por:
45
Equação 30
Onde é resistência com e a resistência para um valor especifico de .
O JFET de canal p tem exatamente a mesma estrutura que o dispositivo de

canal n da Figura 34, porem a localização dos materiais tipo n e p são trocados.
Os sentidos das correntes são invertidos, assim como as polaridades das tensões
e . Para o dispositivo de canal p, o canal vai se contrair para tensões positivas
crescentes da porta para a fonte, e notação dupla para resultara em tensões
negativas nas curvas características.
É possível observar que para valores elevados de a curva sobe

abruptamente para valores que parecem infinitos. O crescimento vertical indica
que houve uma ruptura, e a corrente através do canal é limitada agora apenas
pelo circuito externo.
2.7.3.2. Transistor de Efeito de Campo de Metal-óxido-semicondutor

(MOSFET)
2.7.3.2.1. Tipo Depleção
É um dispositivo de geralmente 3 terminais, composto por uma camada

grossa de material p, formada a partir de uma base de silício e é chamada de
substrato. Os terminais de fonte e dreno são conectados por meio de contatos
metálicos as regiões n dopadas tipo n, as quais são ligadas entre si por um canal
n. A porta também é ligada a superfície metálica de contato, mas permanece
isolada do canal n por uma camada muito fina de dióxido de silício. Pelo fato do
dióxido de silício ser um isolante, é possível dizer que não há conexão elétrica
direta entre o terminal de porta e o canal de um MOSFET. Bem como a camada
isolante de dióxido de silício é responsável pela desejável alta impedância de
entrada do dispositivo. No entanto alguns dispositivos discretos oferecem um
terminal adicional, denominado SS, resultando em um dispositivo de quatro
terminais.
46
Figura 37 – MOSFET tipo depleção de canal n
Partindo para a operação do dispositivo, a tensão porta-fonte é ajustada em

zero volt devido à conexão de um terminal com o outro, e a tensão é aplicada
através dos terminais dreno-fonte. Isso resulta em uma atração dos elétrons livres
no canal n para o potencial positivo do dreno.
Figura 38 – MOSFET tipo depleção de canal n com e uma tensão plicada
47
Figura 39 – Curvas características de dreno e de transferência tipo n
Para o MOSFET tipo depleção de canal p os terminais são os mesmo,

porem todas as polaridades das tensões e sentidos das correntes são invertidos.
Figura 40 – Curvas características de dreno e de transferência tipo p
2.7.3.2.2. Tipo Intensificação
Para esse tipo de MOSFET, a curva de transferência não é definida pela

equação de Shockley e a corrente de dreno para esse dispositivo é nula antes de
a tensão porta-fonte atingir determinado valor.
48
O MOSFET tipo intensificação de canal n se diferencia em sua forma
construtiva do MOSFET tipo depleção pelo fato de não existir um canal entre os
terminais de dreno e fonte.
Se V e uma tensão for aplicada ente o dreno e a fonte, a ausência do canal

n não permite que circule uma corrente de dreno. Com positivo, V e o terminal
SS conectado diretamente a fonte, há então duas junções p-n reversamente
polarizadas entre as regiões dopadas tipo n e os substratos p que se opõem a
qualquer fluxo significativo entre o dreno e a fonte.
Tanto como são tensões positivas, estabelecendo assim um potencial

positivo para o dreno e para a porta em relação à fonte. O potencial positivo na
porta pressionara as lacunas para o substrato p ao longo da camada isolante de
dióxido de silício, fazendo com que essas lacunas penetrem no substrato ate as
camadas mais profundas. Como resultado se tem uma região de depleção
próxima a camada isolante de dióxido de silício livre de lacunas. No entanto, os
elétrons no substrato p serão atraídos para a porta, que esta com um potencial
positivo, e se acumularão próximo à superfície da camada de dióxido de silício.
Figura 41 – MOSFET tipo intensificação de canal p e formação do canal
49
Quando aumenta a partir do nível de limiar, a densidade de portadores
livres no canal induzido cresce, resultando em um aumento na corrente de dreno.
Porem se for constante e aumentando o valor de , a corrente de dreno devera
atingir um nível de saturação. Aplicando a lei de Kirchhoff para as tensões dos
terminais, é possível descobrir que:
Equação 31
É possível dizer que qualquer aumento adicional de , estando fixa a tensão ,

não afetara o nível de saturação de ate que as condições de ruptura sejam
alcançadas. Podemos escrever uma equação para o nível de saturação de
relacionado ao valor da tensão aplicada por:
Equação 32
Definindo assim então que para valores de menores do que o nível de

limiar, a corrente de dreno de um MOSFET tipo intensificação é 0 mA.
Figura 42 – Alteração no canal e na região de depleção com o aumento de para um valor fixo de
50
Para valores de , a corrente de dreno pode ser relacionada com a tensão

porta-fonte pela seguinte relação não-linear:
Equação 33
A constante k pode ser definida por:
Equação 34
Figura 43 – Curvas de transferência de um MOSFET tipo intensificação de canal n a partir das

curvas características
A construção de um MOSFET tipo intensificação de canal p é inversa

daquela para o tipo n. Agra o substrato é o tipo n, e as regiões abaixo das de
dreno e fonte são tipo p. Aas polaridades de tensões e os sentidos das correntes
são invertidos.
51
Figura 44 – Forma construtiva e curvas de transferência de um MOSFET tipo intensificação de
canal p a partir das curvas características
Para circuitos onde a aplicação necessita de dispositivos

controlados por tensão, o FET se mostra a melhor opção.
2.8. POLARIZAÇÃO DO FET
Demonstração dos tipos de configurações de polarização do FET.
2.8.2. Objetivo
Esclarecer as dúvidas da turma a cerca do conteúdo.

A polarização do FET se da em três configurações diferentes: Polarização

Fixa, Autopolarização, Polarização por Divisor de Tensão.
52
2.8.3.1. Polarização Fixa
Esse é o arranjo mais simples para a polarização do JFET. Ela é composta

por valores CA de e , mais dois capacitores de acoplamento. A queda de zero
volt através de permite a substituição do mesmo por um curto-circuito
equivalente.
Levando em conta que para esse circuito o terminal negativo de esta

conectado diretamente ao potencial positivo de , é possível dizer que a polaridade
dessas tensões é oposta, permitindo a seguintes analogias:
Equação 35
Levando em consideração que como é uma fonte CC constante, a tensão é

fixa, daí o nome da configuração.
Figura 45 – Configuração com polarização fixa e circuito para analise CC
Analisando a curva da Figura 46, é possível observar que a reta vertical

representa , logo o valor de deve ser determinado sobre essa reta. É possível
observar que o nível quiescente de é determinado desenhando-se uma linha
horizontal do ponto Q ate o eixo vertical .
53
Figura 46 – Curva para a configuração de polarização fixa
A tensão dreno-fonte do circuito de saída pode ser determinada aplicando-se

a lei de Kirchhoff para tensões:
Equação 36
Contudo observa-se que e , caso V.
2.8.3.2. Polarização com Autopolarização
A configuração com Autopolarização elimina a necessidade de duas fontes

CC, permitindo com que a tensão de controle porta-fonte agora é determinada
pela tensão através do resistor colocado no terminal da fonte da configuração.
54
Figura 47 – Configuração de Autopolarização e circuito de analise
A corrente através de é a corrente de fonte , e como , é possível dizer que .
A solução matemática para pode ser definida pela equação de Shockley por
meio da substituição de .
Equação 37
A partir do gráfico da Figura 48, podemos determinar um valor para em

função de e um valor para :
Equação 38
Figura 48 – Curvas para a configuração de autopolarização
2.8.3.3. Polarização por Divisor de Tensão
55
Para esse circuito a fonte foi separada em duas fontes equivalentes para
permitir a distinção entre a região de entrada e saída do circuito. Uma vez que A,
e pela de Kirchhoff, é possível dizer que . Utilizando a regra do divisor de tensão é
possível determinar .
Equação 39
Figura 49 – Configuração da polarização por divisor de tensão e circuito de analise CC
Aplicando a lei de Kirchhoff para as tensões no sentido horário tem s que .

Para valores crescentes de resultam em valores decrescentes de e valores mais
negativos de .
Uma vez que sejam determinados os valores de e , a análise restante

poderá ser feita de maneira comum.
Equação 40
56
Assim como para o TBJ, o FET possui suas configurações de operação,
cada uma com suas características, para uma melhor aplicação pratica.
57
3. CONCLUSÕES
O estudo da Eletrônica é de extrema importância para a humanidade. Os

conceitos científicos formados mostram-se firmes e cultivados em todos os
processos de tecnologia existentes. No campo da engenharia elétrica, a sua
aplicação é indiscutível e essencial.
Durante o estágio supervisionado III, foi possível, através da monitoria,

visualizar a notória relevância da Eletrônica nos processos da engenharia elétrica.
Algumas situações teóricas foram fortalecidas durante as pesquisas, preparação
de exercícios e consulta com Professores.
O estudo em grupo mostrou-se bem proveitoso, pois houve a integração de

ideias entre os alunos e consequentemente a visualização de um mesmo
problema por diferentes dimensões.
4. REFERÊNCIAS
58
 HINDLE, T. COMO FAZER APRESENTAÇÕES. São Paulo: Publifolha,
1999;
 SEVERINO, A. J. METODOLOGIA DO TRABALHO CIENTÍFICO. 2º ed,

São Paulo: Editora Cortez. 2000;
 BOYLESTAD, ROBERT L. DISPOSITIVOS ELETRONICOS E TEORIA DE

CIRCUITOS, 8º Ed, São Paulo: Prentice Hall 2004;
 SOUZA, IVAIR JOSÉ DE. CIRCUITOS RETIFICADORES. <

http://labdegaragem.com/forum/attachment/download?
id=6223006%3AUploadedFile%3A333872> Acessado em 16/03/16;
 FERREIRA, FRANCLIM F. ELECTRÓNICA I 3º ANO – RAMO APEL. <

http://paginas.fe.up.pt/~fff/Homepage/Ficheiros/E1_Cap4.pdf> Acessado
em 10/04/16;
 TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO – I. <

http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAV-oAB/transistor-bipolar-juncao>
Acessado em 10/04/16;
 NICOLETT, Prof. Dr. Aparecido. AULA 01 JFET – TRANSISTOR DE

EFEITO DE CAMPO. <http://www.pucsp.br/~elo2eng/Aula_01.pdf>.
Acessado em 16/05/2016.
5. ANEXOS
59
 ANEXO 01 – Ficha de Frequência no Estágio e Declaração de Horas de
Estágio
 ANEXO 02 – Avaliação do supervisor técnico
 ANEXO 03 – Avaliação do estagiário
 ANEXO 04 – Avaliação do professor orientador
AVALIAÇÃO – SUPERVISOR TÉCNICO RESPONSÁVEL PELO ESTÁGIO
Estagiário: Francisco Jheime de Oliveira Costa Matricula: FC201200994

Curso: ENGENHARIA ELÉTRICA Período: 8º
60
Data de Início: 30/01/2016 Data de Termino: 11/05/2016
Professor Supervisor de Estágio: Vagner Alves
FATORES DE JULGAMENTO 1 2 3 4 5
1. Profundidade dos conhecimentos específicos.
2. Domínio de conhecimentos conexos.
3. Elaboração pessoal/Capacidade crítica.
4. Elaboração de avaliação dos significados econômico, social, político e
técnico das experiências proporcionadas pelo estágio.
5. Auto-avaliação de desempenho.
6. Percepção das características e problemas da área em que atuou.
7. Capacidade de transferir e relacionar soluções de problemas específicos
e problemas amplos e diferentes.
SUB TOTAL
ITENS PARA AVALIAÇÃO DO RELATÓRIO DE ESTÁGIO 1 2 3 4 5

1. Relevância do tema.
2. Valor técnico do tratamento do tema.
3. Desenvolvimento do plano de trabalho.
4. Redação do texto.
5. Formalização do texto.
6. Disponibilidade, exploração e propriedade de utilização do material
bibliográfico.
SUB TOTAL
TOTAL
_____________, ____de_____________de _____. _________________________
Cedente do Estágio
AVALIAÇÃO DO PROFESSOR ORIENTADOR DE ESTÁGIO

61
7. Capacidade de transferir e relacionar soluções de problemas específicos e
problemas amplos e diferentes.
SUB TOTAL

bibliográfico.
SUB TOTAL
TOTAL
AVALIAÇÃO FINAL
Avaliação
Avaliação Cedente
Supervisor
Notas
Parciais
Nota Final
_________, ____de_____________de _____. _________________________________

Professor Supervisor
AVALIAÇÃO DO ESTÁGIÁRIO

62
7. Capacidade de transferir e relacionar soluções de problemas específicos
e problemas amplos e diferentes.
SUB TOTAL

bibliográfico.
SUB TOTAL
TOTAL
AVALIAÇÃO FINAL
Avaliação Cedente Avaliação Supervisor
Notas Parciais
Nota Final
_________, ____de_____________de _____. _________________________________

Aluno Estagiário
63

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UNIÃO BRASILIENSE DE EDUCAÇÃO E CULTURA - UBEC

FACULDADE CATÓLICA DO TOCANTINS-FACTO

RELATÓRIO SEMESTRAL DE ESTÁGIO SUPERVISIONADO III

Acadêmico: Francisco Jheime de Oliveira Costa

Nome: Faculdade Católica do Tocantins

Área na empresa onde foi realizado o estágio: Monitoria

Data de início: 30/01/2016

A Católica do Tocantins, mantida pela UBEC (União Brasiliense de

2.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade (software

2.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade......8

3.1 A LEI DE FARADAY NA FORMA PONTUAL PARA CAMPOS VARIANTES

3.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade (software

3.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade

4.1 A LEI DE AMPERE NA FORMA INTEGRAL PARA CAMPOS VARIANTES

4.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade (software

4.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade....16

5.1 A LEI DE AMPERE NA FORMA PONTUAL PARA CAMPOS VARIANTES

6.1 A LEI DE GAUSS NA FORMA INTEGRAL PARA CAMPOS VARIANTES

6.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade (software

6.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade....20

7.1 A LEI DE GAUSS NA FORMA PONTUAL PARA CAMPOS VARIANTES NO

7.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade (software

7.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade....40

8.1 CONSERVAÇÃO DE CARGA ELÉTRICA....................................................40

8.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade (software

8.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade....50

9.1 DENSIDADE DE POTÊNCIA NO CAMPO ELÉTRICO E VETOR DE

9.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade (software

9.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade....56

O presente relatório tem o caráter de representar-se como um mural

O estágio supervisionado III será realizado na Católica do Tocantins através

Foi apresentado aos colegas o plano de estudo conforme abaixo:

ETAPAS A SEREM DESENVOLVIDAS

ANO_2016 Jan Fev Mar Abr Mai

Materiais semicondutores, níveis de energia;

Semicondutor P e N; Diodo de junção PN; X

Diodo Retificador / Zener; X

Transistor de junção NPN X

Transistor de junção PNP X

Transistores bipolares de junção - TBJ; X

Polarização DC-TBJ; Transistores de efeito de

Polarização DC-TBJ; Transistores de efeito de

Polarização do FET – tipos de configurações de

Polarização do FET – tipos de configurações de

2.1.1. Descrição da atividade

Estudo e resolução de atividades a respeito dos materiais semicondutores,

Compreensão dos materiais semicondutores através da resolução de

2.1.3. Descrever os métodos utilizados para desenvolver a atividade

Materiais semicondutores são componentes que tendem ao extremo de um

Como podemos ver na tabela a seguir, os materiais semicondutores mais

Valores típicos de resistividade

Condutor Semicondutor Isolante

Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos – Boylestad

Outra característica dos materiais de Ge e Si são suas estruturas atômicas

Figura 01 – Estrutura de cristal singular de Ge e Si

Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos – Boylestad

Os átomos de Ge apresentam 32 elétrons ao todo, enquanto os átomos de

Desta forma quando se fala em níveis de energia, refere-se à carga elétrica

Alguns materiais que são refinados para se diminuir impurezas a um nível

O material do tipo n se da adicionando elementos pentavalente (com cinco

Figura 02 – Material extrínseco tipo n (a) e tipo p (b)

Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos – Boylestad

2.1.4. Qual foi sua aprendizagem com o desenvolvimento desta atividade

Revisão dos conteúdos a cerca da disciplina de Eletrônica I, assim como a