Materiais

Semicondutores

Aula 7 – junção
semicondutora pn

Isabel Ferreira
 Programa

•Dispositivos de junção semicondutora

1- Junção pn

•Funcionamento estático (aula 7)

•Funcionamento dinâmico (aula 8)

Isabel Ferreira –MS-2022-2023

 Díodo de junção p-n

A junção p-n é formada por um cristal de

silício cristalino sendo uma parte dopada
tipo-n e outra tipo-p

Muitos dispositivos semicondutores

são baseados na junção p-n

Transístor bipolar A célula solar

Transístores de
efeito de campo

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 Díodo de junção p-n
p - n

formação da junção p-n

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Díodo de junção p-n
q Técnicas de produção das junções p-n
Junções de liga (junção abrupta)

1. Partindo de uma bolacha semicondutora tipo-n (Si por exemplo)

2. Colocar as impurezas dopantes na superfície da bolacha (um
metal)
3. Com o aquecimento da amostra (580ºC para o Al) a impureza é
aquecida e os átomos do semicondutor debaixo Al fundido formam
uma solução sólida (Si-Al formam um eutético a 577ºC).
4. Com o arrefecimento, os átomos de Si regressam à posição inicial
da rede mas a região está agora dopada tipo-p.
5. O número máximo de átomos introduzidos por este método
depende da solubilidade sólida.
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Díodo de junção p-n
Difusão partindo do estado sólido

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Díodo de junção p-n Difusão partindo do estado sólido

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Díodo de junção p-n
Crescimento epitaxial
(junção abrupta)

Crescimento de uma camada semicondutora no topo de um

cristal semicondutor
- Aquecimento da bolacha de semicondutor hospedeiro (silício
tipo-n)
-Introdução de uma fonte gasosa de silício a elevada
temperatura (1000ºC)
-A adição de impurezas é feita na forma gasosa.

Crescimento epitaxial por vapor-VPE (vapour phase epitaxy)

Crescimento epitaxial por solução líquida – LPE (liquid-phaes

epitaxy)

Crescimento epitaxial por feixe de electrões –MBE (molecular

beam epitaxy)

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Díodo de junção p-n
Difusão térmica (junção gradual)

§ As impurezas são introduzidas juntamente com um gás inerte (gás de

transporte) o qual está em contacto com a superfície da bolacha.
§ A temperaturas elevadas as impurezas difundem para dentro do cristal.
§ A junção p-n é formada a uma certa distância da superfície da amostra
onde NA=ND e é designada de junção metalúrgica.
§ A temperatura do forno é da ordem do 900 a 1200ºC.
§ O nº de impurezas que podem ser introduzidas dependem da solubilidade
sólida, e que está relacionada com o nº máximo de impurezas que o sólido
pode acomodar a uma dada temperatura
§ Para o Si a solubilidade sólida é no caso do B, P e As de 6x1020,1021 e
2x1021cm-3.

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Díodo de junção p-n
Implantação iónica
1. Os átomos das impurezas são ionizadas e aceleradas por um
campo eléctrico forte e introduzidas no cristal por
bombardeamento directo.
2. As energias envolvidas estão na gama de 1 a 300KeV
3. Controlo preciso na concentração de impurezas, processo de
baixa temperatura e o único método que permite a dopagem de
alguns semicondutores do grupo III-V e II-VI.
4. Pela colisão dos iões é provocada alguma danificação das
ligações dos átomos no substrato, mas que pode ser reparada
por aquecimento do semicondutor

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 Dopagem de semicondutores
tipo-n e tipo-p

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Junção p-n

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Junção p-n

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Junção p-n

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Junção p-n
Classificação das junções

Baseada no tipo de transição do lado p para o lado n da junção

Junção abrupta Junção gradual

Região muita estreita na A transição da região

transição da região dopada dopada tipo-p para a tipo-n
tipo-p para a tipo-n é feita numa região mais
alargada no espaço.

O tipo de junção afecta as propriedades de

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transporte.
 Díodo de junção p-n
A região de transição entre as regiões n e p do díodo em
equilíbrio estático e com tensão (dc) aplicada

Em equilíbrio Com polarização Com polarização

VA=0 directa inversa
VA >0 VA <0

Região de transição = Região perto da junção metalúrgica

Região de Deplecção
O número de transportadores de carga nesta região é reduzido
comparativamente com o interior do semicondutor nas regiões
afastada da junção
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Díodo de junção p-n
Tipo-n

Tipo-p

x Junção abrupta a 3D

Na aproximação unidimensional
- a junção metalúrgica é a x=0.
- regiões uniformemente dopadas.
- contactos óhmicos perfeitos

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Díodo de junção p-n
- não existe tensão aplicada
- não existe luz a incidir no dispositivo
Condições de
equilíbrio - não existem gradiente térmico
- não existe campo magnético aplicado

Assumindo que existe neutralidade de carga em todo o dispositivo

ND-NA

P N
ND
x

-NA Junção abrupta

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Díodo de junção p-n
p n

pp
nn

pn np
x x
P N P N
Buracos difundem do lado p Electrões difundem do
para o lado n lado n para o lado p

O processo de difusão continua até que a concentração

de cargas é igual dos dois lados

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Díodo de junção p-n
Densidade de carga, r

qND
-xp +
x
xn
-

-qNA junction

- A carga é negativa do lado p e positiva do lado n

O Campo eléctrico estabelece-se do lado + para o lado -

-O campo eléctrico opõe-se à difusão de buracos do lado p e

electrões do lado n

Inibe a continuação da difusão

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dos portadores majoritários
Díodo de junção p-n
Durante o processo de difusão, buracos e electrões, deixam os
átomos das impurezas, deixando as impurezas ionizadas

Buracos difundem do lado p Electrões difundem do

para o lado n deixando lado n deixando átomos
átomos aceitadores doadores ionizados
ionizados (NA-) com uma (ND+) e a densidade de
densidade de carga carga é
-q.NA q.ND

Lei de Gauss : a existência de Campo eléctrico

uma densidade de cargas Diferença de
potencial

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Díodo de junção p-n
Definição de região de deplecção

Região de carga espacial junto da junção metalúrgica onde a

concentração de carga móveis foi reduzida abaixo do seu valor
em equilíbrio térmico

A concentração de portadores maioritários foi deplectida.

Outro aspecto qualitativo : O potencial V(x)

Da teoria o campo electromagnético e = -ÑV

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Díodo de junção p-n
1
e (x ) = ò r (x )dx
x
Forma genérica do campo eléctrico
K Se 0 -¥

ρ é igual às cargas e iões dos

r (x) = q( p - n + N D - N A )
dois lados da junção

Uma integração da densidade de carga

dá a seguinte representação do campo eléctrico.

Campo eléctrico, e

-xp xn
x

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Díodo de junção p-n

V ( x ) = - ò e ( x )dx
x
A integração dá
-¥

V(x)
Representação gráfica
do campo eléctrico

Vbi
x
-xp xn

O potential Vbi é designado de

built-in potential ou
potencial embutido Vbi existe ao longo da região de
deplecção mesmo em equilíbrio
térmico.
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Díodo de junção p-n

-Ec, Ev e Ei têm declives Existe um campo eléctrico

negativos negativo na região da junção

-Não existe declive fora da Campo eléctrico nulo fora da

região de deplecção região de deplecção

De acordo com a posição em

- O campo eléctrico
que o campo eléctrico é mais
máximo é em x=0
negativo

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Díodo de junção p-n
O que acontece com as bandas de energia na junção díodo ?
Em equilíbrio térmico o nível de Fermi deve ser
constante dEF/dx=0
Construção do diagrama de bandas

EF
1. desenhar uma recta em ambos
os lados da junção
p n
2. desenhar as linhas
correspondentes a Ec,Ev e Ei
Ec fora da região de carga
espacial até xn e xp
EF
Ev Ei
3. ligar as bandas de valência e
condução de modo a que Eg
p n seja constante.

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Díodo de junção p-n

Região de deplecção

O campo eléctrico é proporcional

ao declive do diagrama
Ec
Ei qy0
qyp EF
Ev qyn
Ei

p xp xn n
x=0

qyn= qyp+ qyn

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junção p-n – diagrama de bandas

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Díodo de junção p-n
Formação da junção

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Díodo de junção p-n
Formação da junção

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Díodo de junção p-n
Densidade de carga, r
Camada limítrofe
região neutra tipo-p

+ q(ND-NA)
-xp
x
xn
-
região neutra tipo-n

junção
região de deplecção

Na região neutra, a densidade total de carga espacial é zero

dx
=0
dx
então
n-p-Nd+Na=0
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Díodo de junção p-n
Na região neutra tipo-n Na região neutra tipo-p

NA=0 e p<<n ND=0 e n<<p

Nd Na
y n = fT ln y p = -fT ln
ni ni
Na Nd
y 0 = y n - y p = fT ln 2
ni

Na região de deplecção

n=p=0

dx -q
= (Na - Nd )
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dx Ks e 0
Díodo de junção p-n
Região de deplecção Densidade de carga r
Nd-Na
ì qNd
ïK e para 0 < x < xn
s 0
dx ïï -xp
qND
=í +
dx ï xn
x
qNa -
ï- para - xp < x < 0
ïî K s e 0 -qNA junction
x=0
x p (x ) x
x
- qNa
ò dx = ò dx
x p ( -x p ) -x p
Ks e 0 xp xn x
xm

qNa yn0
x p (x ) = - (x p + x ) y0
Ks e 0 yp0
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Díodo de junção p-n

Campo eléctrico do lado n Para x=0

!"( $! ) $!
𝑞𝑁& Na x p = Nd xn
! 𝑑𝜉 = ! 𝑑𝑥
!"($) $ 𝐾' 𝜀( )
A carga negativa do
lado p é igual à carga
qNd positiva do lado n
xn (x ) = - (xn - x )
Ks e 0

xp xn x
xm

x=0
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Díodo de junção p-n
Potencial electrostático

dy
x=
dx yn0
y0
yp0
dy qNa
= (x p + x )
dx Ks e 0

y p (x ) x
qNa
ò dy = ò (x p + x )dx
y p( - x p ) -x p
Ks e 0 lado-p

qNa
y p (x ) - y p0 (x ) = ( x p + x )2
2Ks e 0

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Díodo de junção p-n
Potencial electrostático
y n ( xn ) xn
qNd lado-n
ò dy = ò (xn - x )dx
y n( x ) x
Ks e 0

qNd
y n0 (x ) - y (x ) = (xn - x )2
2Ks e 0

qNa 2 qNd 2
Na interface yn(0)=yp(0) y0 = xp + xn
2Ks e 0 2Ks e 0
1 1
é 2K s e 0y 0Na ù 2
é 2Ks e 0y 0Nd ù 2
xn = ê ú e xp = ê ú
qN
ë d a( N + N )
d û qN
ë a a(N + N )
d û

xd=xn+xp
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RESUMO: Díodo de junção p-n

junção

x d = xn + x p
Região de carga x p xn
espacial ~10-4cm
Densidade
x p N a = xn N d + de carga
Q = qN A = qN D
- x
qN D qN A Intensidade do campo eléctrico, x
x max = x (0) = xn = xp
KSe 0 KSe 0 x
x max
kT æ N A N D ö
Vbi = lnçç 2
÷÷ qy0=Vbi
q è ni ø
y=0 x
Isabel Ferreira –MS-2022-2023 Potencial embutido
Díodo de junção p-n
Exemplo

Uma junção abrupta pn de Si foi dopada com Nd=1016cm-3 e

Na=4x1018cm-3 no lados n e p respectivamente. Calcular o
potencial embutido, a largura da região de deplecção e o campo
eléctrico máximo
NN 4x 1018 x 1016
y 0 = fT ln a 2 d y 0 = 0.026 ln y 0 = 0.826V
ni (1.5x 1010 )2

1 1
é 2K s e 0y 0Na ù 2
é 2Ks e 0y 0 ù 2
xn = ê ú xn » ê ú xn » 3.28x 10-5cm
qN
ë d a( N + N )
d û ë qN d û
Na>>Nd

qNd xn
xn (0) = xm = - xm = -5x 104V /cm
Ks e 0
Ks Si = 11.8
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e 0 = 8.854x 10-14 F / m
Díodo de junção p-n
Exemplo
Uma junção abrupta pn de Si foi dopada com Nd=1016cm-3 e
Na=4x1018cm-3 no lados n e p respectivamente. Calcular o
potencial embutido, a largura da região de deplecção e o campo
eléctrico máximo Ks Si = 11.8
e 0 = 8.854x 10-14 F / m

xN qNd - y p0 = 2mV
xp = n d - y p0 = x p2
Na 2K s e 0
x p = 8.2 x10 -8 cm qNa 2 y n0 = 824mV
y n0 = xn
2K s e 0

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Díodo de junção p-n
Quando Na>>Nd

æ x ö
x = xm çç 1 - ÷÷
è xn ø
qNd xn
xm = -
Ks e 0
2
é æ x ö ù
y = y 0 ê1 - çç 1 - ÷÷ ú
êë è xn ø úû
qNd xn2
y0 =
2K s e 0
1
æ 2K s e 0 ö 2
xd = xn = çç ÷
÷
è qN d ø

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 Díodo de junção p-n
Junções graduais lineares
Aproximação à situação real em
Junções graduais que as impurezas difundem
lineares ideias termicamente ou são implantadas
dentro do cristal por iões

A distribuição de impurezas (para impurezas tipo-p num substrato

tipo-n) podem ser descritas por
N A (x) - N D = -ax
NA-ND
“a” é a constante de gradiente
P N

NA-ND= -ax

xj
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 Díodo de junção p-n
A aproximação de deplecção aplicada à junção gradual

Densidade de carga r

-W/2 + x
- W/2
A densidade de carga é dada por

xj r = qax para - x p £ x £ xn
r = 0 fora
A junção metalúrgica é a xj
Correspondendo a x=0

Notar que na junção gradual linear a densidade de carga é simétrica

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 Díodo de junção p-n
A região de deplecção deve ser simétrica relativamente a xj
W W
xn = xp =
2 2
Para o campo eléctrico tem-se uma equação de segunda ordem
qa é 2 æ W ö2 ù
e (x ) = êx - ç ÷ ú for - W 2 £ x £ W 2
2K Se 0 êë è 2 ø úû

O potencial tem uma função cúbica

qa é æ W ö3 æ W ö 2 ù
V (x ) = ê2ç ÷ + 3ç ÷ x - x ú
3
-W 2 £ x £ W 2
6K Se 0 êë è 2 ø è2ø úû

A largura da região de deplecção

1/ 3
é12 K S e 0 ù 2kT é aW ù
W =ê (Vbi - VA )ú usando Vbi =
q
lnê ú W paraVA = 0
ë qa û ë 2ni û
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 Junção gradual
W W
xn = xp =
2 2
r = qax para - x p £ x £ xn

qa é æW ö ù
2

e (x ) = êx - ç ÷ ú
2

2 K S e 0 êë
for - W 2 £ x £W 2
è 2 ø úû

qa é æ W ö3 æ W ö 2 ù
V (x ) = ê2ç ÷ + 3ç ÷ x - x ú
3
-W 2 £ x £ W 2
6K Se 0 êë è 2 ø è2ø úû

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 Díodo de junção p-n
Sumário

• A diferença de concentração entre as regiões n

e p provocam a difusão das cargas.
• A difusão dá origem a uma condição de carga não
balanceada.
• Em equilíbrio térmico o fluxo de cargas é nulo.
• A região de deplecção é a região perto da junção
metalúrgica onde a concentração das carga
móveis é reduzida.

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 http://www.acsu.buffalo.edu/~wie/applet/pnformation/pnformation.html

http://fiselect2.fceia.unr.edu.ar/fisica4/simbuffalo/education/pn/bi
asedPN/index.html

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 Díodo de junção p-n

A região de transição entre as regiões n e p do díodo em

equilíbrio estático e com tensão (dc) aplicada

Em equilíbrio Com polarização Com polarização

VA=0 directa inversa
VA >0 VA <0

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 Princípio de funcionamento de um díodo

Sem polarização

Com polarização inversa

Com polarização directa

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 Díodo com polarização directa

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 1. Tipos de junções
1.2 Junção p-n Formação da junção

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 Díodo de junção p-n
Princípio de funcionamento de um díodo

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Isabel Ferreira –MS-2022-2023
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