Docsity Eletronica I 6 Fet Parte III v1 0 PRN PDF

Eletronica - I 6 - FET - parte -
III - v1 0 - prn
Engenharia Elétrica
Universidade Federal do Piauí (UFPI)
27 pag.
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Universidade Federal do Piauí
Centro de Tecnologia
Departamento de Engenharia Elétrica
(/(75Ð1,&$,
Transistores de Efeito de Campo
- Parte III - Aplicações
Prof. Marcos Zurita

zurita@ufpi.edu.br
Teresina - 2010
ì 1. O Efeito de Corpo
ì 2. Modelo Para Grandes Sinais em BM
ì 3. O MOSFET Como Amplificador
ì 4. Modelo Para Pequenos Sinais em BM
ì 5. Outras Configurações de Amplificadores
ì 6. Espelho de Corrente
ì 7. Chave Analógica
ì Bibliografia
2
Eletrônica I –shared
Document Prof.onMarcos Zurita
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1. O Efeito de Corpo
3
Eletrônica I – Prof. Marcos Zurita
ì A conexão direta do substrato ao terminal fonte, adotada

em muitas aplicações, garante a polarização reversa do
corpo do MOSFET e permite que sua influência no
funcionamento do dispositivo seja desprezada.
ì Entretanto, em alguns casos, não é conveniente manter
essa conexão entre o substrato e o fonte, tais como:
ì
Em circuitos integrados: muitas vezes diversos transis-
tores compartilham o mesmo substrato, que é usualmente
conectado ao ponto mais negativo da fonte de alimenta-
ção (ou ao ponto mais positivo, no caso se um pMOS).
ì Em circuitos cujo vDS pode variar de polaridade: nestes
casos é preciso estabelecer a tensão de corpo de modo a
garantir que ele esteja sempre reversamente polarizado
em relação ao canal.
4
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ì Considere um nMOS cujo substrato (corpo) é conectado
a um potencial de -vSB volts em relação ao fonte.
ì O potencial negativo do substrato aumentará a região de
depleção e cancelará parte do canal n induzido.
ì Consequentemente, um potencial maior que VT será
necessário em vGS para induzir o canal n.
Canal n induzido
VDS
G
S D
n+ n+
SS Região de depleção
do substrato
VSB 5
ì Matematicamente, o efeito desse potencial negativo no

substrato pode ser expresso como um aumento no
potencial de limiar (VT):
V T V T0 ŸƦ Ɓ 2 Ƹ f ŸV SB Ɓ 2Ƹ f (Eq. 6.1)
Onde:
ì VT0 - tensão de limiar para vSB = 0 V.
ì !f - parâmetro físico (tipicamente 2!f = 0,6 V).
ì Ȗ - parâmetro de efeito de corpo (tipicamente Ȗ = 0,5 V½),
dado por:
Ʀ
Ɓ 2 q N A İS (Eq. 6.2)
C ox
ì NA – Concentração de dopantes (aceitadores) do canal.
6
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2. Modelo do MOS Para Grandes
Sinais em Banda Média
7
Modelo Equivalente do nMOS na Região de Saturação
Modelo Equivalente do pMOS na Região de Saturação
8
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3. O MOSFET Como Amplificador
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O Amplificador de Fonte Comum

ì Possui o terminal fonte do FET como ponto comum
entre o sinal de entrada e o sinal de saída.

ì Para que a amplificação ocorra
de forma linear, duas condições

principais devem ser atendidas: RD C2
ì O FET deve ser polarizado R1
C1
na região de saturação; vin
ì A amplitude do sinal a ser
R2
amplificado (vin) deve ser
bem menor que o valor da
tensão de polarização do gate.
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ì Para que o MOS opere na região de saturação ele deve
obedecer a duas condições:
v DS ż vGS V T (Eq. 6.3)
v GS źV T (Eq. 6.4)
ì Ou seja, conforme a Eq. 6.3, o valor mínimo de vDS é:
v DSmin v GS V T (Eq. 6.5)
ì Por outro lado, o limite mínimo de vGS (vGS=VT), indicado
pela Eq. 6.4, leva à região de corte, onde iD=0.
ì Nessa condição, não há queda de tensão em RD e vDS
assume o valor máximo:
v DSmax V DD (Eq. 6.6)
11
ì A Eq. 6.6 pode ser facilmente verificada através da

equação da reta de carga do dispositivo, isto é, a
equação da malha de saída do circuito:
v DS V DD R D i D (Eq. 6.7)
ì A Eq. 6.7 possui as mesmas
RD
variáveis da curva caracterís- C2
R1
tica de dreno do FET, poden- C1
vin
do ser utilizada para analisar
ou solucionar a malha de saída. R2
ì Os dois pontos notáveis da
Eq. 6.7 são:
ì vDS = 0 ĺ iD = VDD/RD.
ì iD = 0 ĺ vDS = VDD. 12
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ì Traçando a reta de carga do amplificador sobre as
curvas características de dreno do MOS temos:
Q
iDQ
VDD
vDSQ 13
ì Uma vez que o MOS foi corretamente polarizado na

região de saturação e as variáveis do ponto quiescente
(vGSQ, iDQ, vDSQ) determinadas, é possível então analisar
a resposta do amplificador ao sinal de entrada.
ì Para isto, deve-se observar a segunda condição imposta
no início da análise, isto é, que sinal de entrada (vin)
possa ser considerado um pequeno sinal frente a vGSQ:
v i n £ 2Ǝv GSQV T Ə (Eq. 6.8)
ì Aplicando o sinal de entrada à tensão de polarização do
gate determina-se a tensão total em vGS:
v GS v GSQŸv i n (Eq. 6.9)
14
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ì Naturalmente, uma variação em vGS provocada pelo sinal de
entrada implicará também numa variação da corrente de
dreno iD (Eq. 5.36):
2
i Dk Ǝv GS V T Ə
ì Aplicando a Eq. 6.9, temos:
2
i Dk Ǝv GSQ Ÿv i nV T Ə
2 2
k Ǝv GSQ V T Ə Ÿ2 k Ǝ vGSQ V T Əv i n Ÿk v i n (Eq. 6.10)
ì Desde que vin atenda à Eq. 6.8, vin2 § 0 e a Eq. 6.10 torna-se:
i Di DQ Ÿi d (Eq. 6.11)
onde id é a variação da corrente de dreno imposta por vin:
i d Ưn C ox
Ǝ Ə
W
L
Ǝv GSQ V T Ə v i n (Eq. 6.12)
15
ì O efeito da modulação iD resultante da variação do sinal

de entrada (vin) pode ser observado graficamente:
iD1
a VGS1 = +6,2 V
Q
iDQ b
VGS2 = +5,8 V
iD2
VDD
vDS1 vDSQ vDS2 16
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ì O ganho de um amplificador é definido como sendo a
relação entre a amplitude do sinal de saída e o sinal de
entrada:
vo u t
Av (Eq. 6.13)
vi n
ì Considerando a Eq. 6.13 na análise gráfica realizada, o
ganho do amplificador em questão pode ser definido
como:
ƚ v DS v v
Av DS2 DS1 (Eq. 6.14)
ƚ vGS v GS2 vGS1
Que, para o exemplo em questão, vale:

12,510
Av 6,25V V
5,86,2
17
ì A relação entre vin e vout pode ser representada através da

curva de ganho do amplificador:
18
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Transcondutância (gm)
ì A transcondutância (g ) é um parâmetro que relaciona as
m
variações em vGS com as variações resultantes em iD sob vDS
constante:
logo:
g m
∂ iD
∂ vGS v DS cte
(Eq. 6.15)
g mƯn C ox
Ǝ ƏW
L
Ǝ vGS V T ƏƎ1ŸƮ v DS Ə (Eq. 6.16)
ì A Eq. 6.16 pode ser reescrita como:

2 iD
gm (Eq. 6.17)
Ǝv GSV T Ə
19
ì Tomando id e vgs como a variação do sinal em iD e vGS,

respectivamente, pode-se reescrever a Eq. 6.15 como:
id
g m (Eq. 6.18)
v gs
ì Graficamente, a trans-
condutância (gm) pode
ser vista como a inclina-
ção da reta tangente ao
ponto de polarização (Q)
da curva de transferência
do FET.
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ì Assumindo Ȝ = 0 e reescrevendo a Eq. 6.16 em função
de iDQ, temos:
g m Ɓ 2 Ưn C ox ƎW LƏi DQ (Eq. 6.19)
ì A Eq. 6.19 evidencia duas importantes relações em um

MOSFET:
ì gm é proporcional à raiz quadrada da corrente DC de
polarização do dreno (iDQ).
ì Para uma dada corrente iDQ, gm é proporcional à raiz
quadrada da relação de aspecto do transistor (W/L).
ì Tais relações podem ser utilizadas para guiar o ajuste de
parâmetros em projetos de dispositivos envolvendo
transistores MOS.
21
Método Gráfico para Determinação de gm e ro
ǻiD1
ǻiD2
ǻvGS gm

ƚ i D1
ƚ v GS
(Eq. 6.20)

ro
ƚ v DS
ƚ i D2
ǻvDS vDS=cte (Eq. 6.21)
ì Obs.: A determinação de ro requer que as curvas caracterís-
ticas de dreno tenham sido traçadas considerando o efeito
de modulação do canal (Ȝ 0).
22
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Ganho de Tensão (Av)
ì Com base na definição de ganho expressa pela Eq. 6.13
é possível estabelecer uma uma equação para o ganho

do amplificador de fonte comum, com base em seus
parâmetros de circuito.
ì Desde que v
out é tomado a partir
do dreno, pode-se determina-lo
diretamente através de vDS.
RD C2
ì Aplicando a Eq. 6.11 na 6.7:
R 1
C1
v DS V DD R D Ǝi DQŸi d Ə (Eq. 6.22) vin
ou seja:
R2
v DS V DSQ R D i d (Eq. 6.23)
23
ì Logo, a componente do sinal da tensão de dreno (vds)

será dada por:
v ds R D i d (Eq. 6.24)
ì mas, id = gmvgs (Eq. 6.18) logo:

v ds g m R D v gs (Eq. 6.25)
ì Assumindo C2 como sendo um curto na frequência do
sinal, temos que vout = vds, podendo o ganho de tensão
do amplificador (Av) ser calculado diretamente como:
v out v
Av ds (Eq. 6.26)
vi n v gs
Av g m R D (Eq. 6.27)
24
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ì Representação gráfica dos sinais de entrada e saída de um
amplificador nMOS de fonte comum:
25
4. Modelo do MOS Para Pequenos

Sinais em Banda Média
26
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ì Com base no conceito de trans-
condutância é possível estabele-
cer um modelo para o transistor
para baixas e médias frequên-
cias (banda média).
ì O mesmo modelo pode ser
alterado a fim de considerar
também o efeito da modulação
do canal (ro).
ì Tais modelos não consideram
as capacitâncias e indutâncias
parasitas presentes nos dispositivos reais, não sendo
adequados portanto para aplicações de chaveamento ou
de frequências mais elevadas. 27
Ex.: Para o amplificador MOS esboçado abaixo tem-se:

VT=1,5 V, k'n(W/L) = 0,25 mA/V2, VA = 50 V. Determine:
a) vGSQ, vDSQ e iDQ
b) gm e ro
c) Av
d) Rin
28
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Sol.:
ì a) O primeiro passo é determinar os parâmetros do
ponto de operação do MOS, isto é, sua polarização.
ì Para o transistor dado temos que:
' 2 2
i DQ Ǝ12Ə k n ƎW LƏƎ vGSQ V T Ə 0,5·0,25Ǝv GSQ1,5Ə (I)
mas,
v GSQ v DDR D i DQ 1510*10 3 i DQ (II)
ì Resolvendo o sistema (II) em (I) temos 2 soluções:

ì iDQ = 1,059 mA ĺ vGSQ = 4,41 V ĺ vDSQ = 4,41 V
ì iDQ' = 1,721 mA ĺ vGSQ' = -2,21 V
ì A segunda solução obviamente não é realizável pois não
atende ao critério de polarização vGS > VT.
29
ì b) A transcondutância é dada por:

'
g m k n ƎW LƏƎ vGS V T Ə 0,25Ǝ4,411,5Ə 0,725 mA V
ì A resistência de saída (ro ou rDSsat) é dada por:
r o V A i DQ 47,17 k ƣ
ì c) Com base nos valores de gm e ro determinados é
possível esboçar o modelo equivalente do circuito:
30
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ì Como o valor de RG é muito elevado a corrente que
circula através dele pode-se desprezada frente a
corrente de saída.
ì Neste caso, a tensão de saída pode ser calculada como:
v o g m v gs Ǝ R DR Lr oƏ0,725 v gs Ǝ101047Ə
logo: vo
Av 0,725Ǝ101047Ə 3,28V V
v gs
ì d) A resistência de entrada (Rin) pode ser definida como:
vi
Ri n
ii
logo: vi vi RG 10
Ri n 2,33 M ƣ
Ǝ Ə
Ǝv i v o Ə vi vo 1Av 4,3
1
RG RG vi 31
5. Outras Configurações
de Amplificadores
32
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O Amplificador de Dreno Comum (Seguidor de Fonte)
ì Ganho de tensão sempre menor que a unidade.
ì Baixa impedância de saída.
ì Principal aplicação: Casador de impedâncias (buffer).
vin
vout
33
ì O circuito equivalente para pequenos sinais deste

amplificador pode ser esboçado como:
ì Com base no modelo é possível demonstrar que as

equações das tensões de entrada (vi) e de saída (vo),
são dadas por:
v iv gs Ÿv o (Eq. 6.28)
v og m v gs ƎR Sr o Ə (Eq. 6.29)

34
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ì Da mesma forma, a impedância de saída (Zo) pode ser
calculada por:
Z o RSr oƎ1 g m Ə (Eq. 6.30)
ì Das Eqs. 6.28 e 6.29 deduz-se a equação do ganho de

tensão (Av):
g m Ǝ RSr oƏ
Av (Eq. 6.31)
1Ÿg m Ǝ RSr o Ə
ì Caso a resistência do canal seja muito maior que a do
resistor de fonte (ro 10RS), a Eq. 6.31 pode ser
aproximada por:
gm RS
Av (Eq. 6.32)
1Ÿg m RS
35
Ex.: Para o amplificador MOS abaixo, determine:

a) gm
b) Zi
c) Zo
R2 1 Mȍ
d) Av
RS 2k2 ȍ
IDSS 16 mA
VP -4 V
ro 40 kȍ
ì Para o circuito em questão temos:

ì VGSQ = -2,86 V e;
ì iDQ = 4,56 mA.
36
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Sol.:
ì a) Para o MOS tipo depleção a transcondutância pode ser
calculada como:
2 I DSS
g m0 8 mA V
V P
Ǝ
g m g m0 1
v GSQ
VP Ə Ǝ
8 1
Ǝ2,86Ə
Ǝ4Ə Ə
2,28 mA V
ì b) A impedância de entrada pode ser calculada através do

circuito equivalente para pequenos sinais:
37
ì Do circuito equivalente temos que:

Z i RG 1 M ƣ
ì c) Da Eq. 6.30 temos:
Z o RSr oƎ1 g m Ə 40k ƣ2k2Ǝ12,28 mA V Ə 362,52ƣ
ì d) Como ro 10RS, o cálculo do ganho pode ser feito através
da Eq. 6.32:
gm RS Ǝ2,28 mA V ƏƎ2,2 k ƣƏ
Av 0,83V V
1Ÿg m RS 1ŸƎ 2,28 mAV ƏƎ2,2 k ƣƏ
38
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O Amplificador de Porta Comum
ì Ganho de tensão similar ao de fonte comum.
ì Resistência de entrada mais baixa que o de fonte comum.
ì Aplicação mais comum: Circuitos Cascode.
vin vout Z i RG
r oŸRD
1Ÿg m r o (Eq. 6.33)
Z o RDr o (Eq. 6.34)

vG g m R DŸRD r o
Av (Eq. 6.35)
1ŸR D r o
ì Se ro10RD, as Eqs. 6.33 e 6.35 podem ser aproximadas por:
Z i RSƎ1 g m Ə (Eq. 6.36) Avg m R D (Eq. 6.37)
39
6. Espelho de Corrente
40
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Espelho de Corrente MOS
ì Trata-se basicamente de uma fonte de corrente constante
cujo valor da corrente fornecida (Io) proporcional a uma
corrente de referência (Iref).
V DDvGS
I ref (Eq. 6.38)
R
Iref Io
I ref i D1
1 ' W1
2
kn
Ǝ Ə
L1
Ǝ vGS V T Ə
2
I o i D2
1 ' W2
2
kn
Ǝ Ə
L2
Ǝ vGS V T Ə2
I o ƎW 2 L2 Ə
(Eq. 6.39)
vGS I ref ƎW 1 L1Ə
L1 W 2
I oI ref (Eq. 6.40)
W 1 L2
41
Espelho de Corrente MOS Tipo Wilson

ì Maior impedância de saída em relação ao espelho de
corrente simples.
ì Menor variação da corrente de saída em função da variação
da carga.
V DDV SS 2 v GS
I ref (Eq. 6.41)
R
I o ƎW 2 L2 Ə
(Eq. 6.42)
I ref ƎW 1 L1Ə
42
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7. Chave Analógica
43
Chave Analógica nMOS
ì Quando fechada, deve conduzir com a menor resistência

possível.
ì Quando aberta, deve oferecer a maior resistência possível
entre seus terminais.
ì Deve ser capaz de conduzir corrente nos dois sentidos
(bidirecional).
44
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ì Admita um sinal de entrada senoidal do tipo:
v i5 senƎƻ tƏ
ì Para assegurar que o substrato do nMOS permaneça rever-
samente polarizado para toda a faixa de tensões do sinal de
entrada, este deverá ser polarizado com uma tensão igual ou
inferior a menor tensão possível de vi :
v BŻV iƎ minƏ n v B Ż5 V
45
Operação como chave fechada:

ì Para garantir que o nMOS conduza para toda a faixa da
tensão de entrada, a tensão de controle (vc) deve atender à

condição (vGS > VT), logo:
v cƎ onƏżV i Ǝmax ƏŸV T n v cƎonƏż7 V
ì O funcionamento da chave para a faixa positiva e negativa
de vi pode ser analisado com base em circuitos equivalentes:
46
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ì Deve-se notar que a tensão mínima de controle necessária
para fechar a chave (vc(on)) não leva a uma boa condutividade
do nMOS nas tensões próximas a vi(max).
ì Na prática, para garantir uma baixa resistência de operação
para toda a faixa de tensões de entrada, a tensão de
controle deverá ser bem maior que esse valor mínimo.
Operação como chave aberta:

ì Para garantir que o nMOS não conduza para toda a faixa da
tensão de entrada, a tensão de controle (vc) deve atender à

condição (vGS < VT), logo:
v cƎ off Ə ŻV i ƎminƏŸV T n v cƎoff ƏŻ3 V
47
Porta de Transmissão CMOS

ì Implementada a partir de uma chave analógica nMOS e uma
pMOS em paralelo.
Simbologia
48
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Operação como chave aberta:
ì Aplicando v = -5V (v = +5V) temos:
c c
ì O nMOS permanece em corte para toda a faixa de tensões de
vi, já que vGSn mantém-se inferior a VT, pois,
v GSn vGnV Sn v c v i 55 sen Ǝƻt Ə
ì O pMOS permanece em corte para toda a faixa de tensões de
vi, já que -vGSp mantém-se inferior a -VT, pois,
v GSp vGp V Sp vƋc vi Ÿ55 sen Ǝƻ t Ə
Operação como chave fechada:
ì Aplicando v = +5V (v = -5V) temos:
c c
ì O nMOS conduz para vi < +3V já que vGSn mantém-se superior
a VT nessa faixa.
ì O pMOS conduz para vi > -3V já que -vGSp mantém-se superior
a -VT nessa faixa. 49
ì O funcionamento da chave para a faixa positiva e negativa

de vi pode ser analisado com base em circuitos equivalentes:
50
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ì Ou seja, para a chave fechada (vc = +5V) temos que:
ì Para -5 < vi -3 V: A condução é feita somente pelo nMOS.
ì Para -3 < vi < +3 V: A condução é realizada pelos dois
transistores ao mesmo tempo.
ì Para 3 vi < 5 V: A condução é feita somente pelo pMOS.
ì Contribuição das resistências de canal de cada um dos
transistores para a resistência de condução da chave (RON):
rDS
nMOS pMOS
RON = rDSn || rDSp
-5 -3 0 3 5 vi (V) 51
ì Vantagens sobre a chave analógica simples:

ì vc na mesma faixa de tensão do sinal analógico;
ì Baixa resistência de condução (RON) devido ao paralelo
entre as resistências de canal do nMOS e do pMOS;
ì RON sofre pouca variação devido à vi.
ì Desvantagens:
ì Exige um transistor a mais na condução (transistor de
grande porte);
ì Exige ao menos um inversor lógico para gerar a tensão
complementar de controle (vc) (dois transistores de
pequeno porte);
52
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ì Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky,
“Dispositivos Eletrônicos e Teoria de
Circuitos”, 8º Edição, Prentice Hall, 2004.
ì A. S. Sedra, K. C. Smith, “Microeletrônica”, 4ª
Edição, Makron Books, 1999.
ì David Comer, Donald Comer, “Fundamentos de
Projeto de Circuitos Eletrônicos”, LTC, 2005.
ì Paul R. Gray, Robert G. Meyer, “Analysis
and Design of Analog Integrated Circuits”, 4th
Edition, John Wiley & Sons, 2001.
ì Y. T. Tsividis, “Design considerations in single
channel MOS analog integrated circuits – A
tutorial”, IEEE JSSC SC 13, pp 383-391, 1978.
53
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ì A conexão direta do substrato ao terminal fonte, adotada

ì Matematicamente, o efeito desse potencial negativo no

Modelo Equivalente do nMOS na Região de Saturação

Modelo Equivalente do pMOS na Região de Saturação

O Amplificador de Fonte Comum

entre o sinal de entrada e o sinal de saída.

de forma linear, duas condições

ì A Eq. 6.6 pode ser facilmente verificada através da

ì Uma vez que o MOS foi corretamente polarizado na

ì O efeito da modulação iD resultante da variação do sinal

Que, para o exemplo em questão, vale:

ì A relação entre vin e vout pode ser representada através da

ì A Eq. 6.16 pode ser reescrita como:

ì Tomando id e vgs como a variação do sinal em iD e vGS,

ì A Eq. 6.19 evidencia duas importantes relações em um

Método Gráfico para Determinação de gm e ro

é possível estabelecer uma uma equação para o ganho

ì Logo, a componente do sinal da tensão de dreno (vds)

ì mas, id = gmvgs (Eq. 6.18) logo:

4. Modelo do MOS Para Pequenos

Ex.: Para o amplificador MOS esboçado abaixo tem-se:

ì Resolvendo o sistema (II) em (I) temos 2 soluções:

ì b) A transcondutância é dada por:

ì O circuito equivalente para pequenos sinais deste

ì Com base no modelo é possível demonstrar que as

v og m v gs ƎR Sr o Ə (Eq. 6.29)

ì Das Eqs. 6.28 e 6.29 deduz-se a equação do ganho de

Ex.: Para o amplificador MOS abaixo, determine:

ì Para o circuito em questão temos:

ì b) A impedância de entrada pode ser calculada através do

ì Do circuito equivalente temos que:

Z o RDr o (Eq. 6.34)

Espelho de Corrente MOS Tipo Wilson

Chave Analógica nMOS

ì Quando fechada, deve conduzir com a menor resistência

Operação como chave fechada:

tensão de entrada, a tensão de controle (vc) deve atender à

Operação como chave aberta:

tensão de entrada, a tensão de controle (vc) deve atender à

Porta de Transmissão CMOS

ì O funcionamento da chave para a faixa positiva e negativa

RON = rDSn || rDSp

ì Vantagens sobre a chave analógica simples:

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Z o RDr o (Eq. 6.34)