MOSFET: Polarização do MOSFET

Aula 4

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Eletrônica II – PSI3322
Programação para a Primeira Prova
Aula Matéria Cap./página
1ª Estrutura e operação dos transistores de efeito de campo canal n, Sedra Cap. 4
03/08 características tensão-corrente. p. 141-146

2ª Dedução da equação de corrente do MOSFET canal n, resistência de saída na Sedra, Cap. 4

05/08 saturação, Exemplo 4.1. p. 146-155
3ª Características do MOSFET canal p, efeito de corpo, sumário, exercícios. Sedra, Cap. 4
10/08 p. 155-159
4ª Polarização cc. Exemplos 4.2, 4.5 e 4.6. O MOSFET como amplificador e como Sedra, Cap. 4
12/08 chave (apenas destacar a curva de transferência) p. 160-165
5ª O MOSFET como amplificador, modelo equivalente para pequenos sinais, Sedra, Cap. 4
17/08 Exemplo 4.10. p. 175-184
6ª Configurações básicas de estágios amplificadores MOS. Conceituação. Fonte Sedra, Cap. 4
19/08 comum e fonte comum com resistência de fonte. p. 185-193
7ª Resposta em baixa frequência do fonte comum Sedra, Cap. 4 Sedra, Cap. 4
24/08 p. 206-208
8ª Resposta em alta frequência do fonte comum Sedra, Cap. 4 Sedra, Cap. 4
26/08 p. 203-206
9ª Aula de ExAula avulsa de exercícios (horário 13:00h – 15:00h)

1a. Semana de provas (29/08 a 02/09/2016)

Data: xx/xx/2016 (xx feira) – Horário: xx:xxh
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 4ª Aula:
O Transistor de Efeito de Campo
Polarização do MOSFET

- Ao final desta aula você deverá estar apto a:

- Analisar circuitos de polarização para MOSFETs
- Projetar circuitos para MOSFETS
- Explicar a diferença entre as técnicas de análise de circuitos para
MOSFETs e para bipolares
- Explicar a diferença entre transistores MOS “normais” (enriquecimento) e
MOS tipo depleção

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Características de Corrente-Tensão do
NMOSFET e do PMOSFET (tipo enriquecimento)

PMOS (Vt < 0 !!!) NMOS

VGS<Vt VGS>Vt

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μ n(superfície) =450cm 2 /Vs

PMOSFET V ,V eV <0
(enriquecimento) GS DS t
μ p(superfície) =100cm 2 /Vs
ε ox = 0,345 × 10−12 F / cm
• Região Triodo: VGS-Vt ≤ VDS < 0 e VGS < Vt ε si = 1× 10−12 F / cm

Parabólica Linear ( se |VDS | << 2| VGS-Vt | )

W
W VDS 
2 I D ≈ μ pC ox (v GS − V t )v DS
ID = k ′p (V
 GS − Vt )VDS −  L
L  2  W
rDS = 1 μ pC ox (v GS − V t )
L
(Parâmetro de Transcondu-
• Região de Saturação: VDS ≤ VGS-Vt < 0 e VGS < Vt tância do processo [A/V2])
μ pε ox
W ( VGS − Vt )
2 onde k ′p = = μ p .Cox
ID = k ′p
L 2
(1 + λVDS )e λ=
1 x ox
VA
• Região de Corte: VGS≥ Vt ou VGS-Vt ≥ 0 ID=0
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 Características de Corrente-Tensão do
NMOSFET e do PMOSFET tipo Enriquecimento

vGS ≥ Vt
v DS ≥ vGS − Vt
1 1
ro = onde λ =
λID VA

vGS ≤ Vt
v DS ≤ vGS − Vt
1 1
Prof. Seabra ro = onde λ =
PSI/EPUSP λID VA

O Efeito da Temperatura

•Tanto Vt como k’ são sensíveis à temperatura:

W VDS 
2
ID = k ′p (V
 GS − Vt )VDS − 
L  2 

•Vt diminui (em módulo) 2mV/°C (ID aumenta)

•k’ diminui com a temperatura e é o efeito dominante
•Assim, para um mesmo VDS,
ID DIMINUI com o AUMENTO da temperatura
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 Perfil de um Circuito Integrado CMOS

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Exemplo 4.2 Projete o circuito abaixo para ID=400 μA

e VD = +0,5V, sabendo-se que Vt=0,7 V, μn Cox = 100 μA/V2,
L = 1 μm e W = 32 μm (λ = 0).

ε  W ( VGS − Vt )
2

ID =  μ n ox  (1 + λVDS )
 x ox  L 2

(( V − VS ) − Vt )
2
 ε W
ID =  μ n ox 
x ox  L
G

2
(1 + λ ( V
D − VS ) )

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Exemplo 4.2 Projete o circuito abaixo para ID=400 μA
e VD = +0,5V, sabendo-se que Vt=0,7 V, μn Cox = 100 μA/V2,
L = 1 μm e W = 32 μm (λ = 0).
(( V − VS ) − Vt )
2
 ε W
ID =  μ n ox 
x ox  L
G

2
(1 − λ ( V
D − VS ) )

(( V − VS ) − Vt )
2
 ε W G
ID =  μ n ox 
 x ox  L 2
32 (VGS − 0,7 )
2

400 = (100 ) → (VGS − 0, 7 ) = ±0, 5V

1 2
→ VG − VS = 1, 2V → VG = 0V ∴VS = −1, 2V
VS − VSS (−1, 2) − (−2, 5)
RS = = = 3, 25kΩ
ID 0, 4
V − VD (2, 5) − (0, 5)
RD = DD = = 5kΩ
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ID 0, 4

Exemplo 4.4 Projete o circuito abaixo para VD= 0,1V.

Qual a resistência efetiva entre dreno e fonte?
Considere Vt= 1 V e kn´(W/L) = 1 mA/V2

VDS = 0,1V  2(VGS − Vt ) = 2(5 − 1) = 8V

I D = 0, 4mA ou I D = 0, 395mA se não linearizarmos

VDD − VD 5 − 0,1
RD = = = 12, 25kΩ
ID 0, 4
V 0,1
rDS = DS = = 253Ω
ID 0, 395
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Exemplo 4.7 O PMOS e o NMOS do circuito abaixo são casados, isto é,
kn´(W/L)= kp´(W/L) = 1 mA/V2 e Vtn = - Vtp = 1V. Considerando λ = 0 para
ambos, determine IDN e IDP e vo para vi = +2,5V, −2,5V e 0V.

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Exemplo 4.7 O PMOS e o NMOS do circuito abaixo são casados, isto é,

kn´(W/L)= kp´(W/L) = 1 mA/V2 e Vtn = - Vtp = 1V. Considerando λ = 0 para
ambos, determine IDN e IDP e vo para vi = +2,5V, −2,5V e 0V.

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Exemplo 4.7 O PMOS e o NMOS do circuito abaixo são casados, isto é,
kn´(W/L)= kp´(W/L) = 1 mA/V2 e Vtn = - Vtp = 1V. Considerando λ = 0 para
ambos, determine IDN e IDP e vo para vi = +2,5V, −2,5V e 0V.

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Exemplo 4.7 O PMOS e o NMOS do circuito abaixo são casados, isto é,

kn´(W/L)= kp´(W/L) = 1 mA/V2 e Vtn = - Vtp = 1V. Considerando λ = 0 para
ambos, determine IDN e IDP e vo para vi = +2,5V, −2,5V e 0V.

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Exemplo 4.7 O PMOS e o NMOS do circuito abaixo são casados, isto é,
kn´(W/L)= kp´(W/L) = 1 mA/V2 e Vtn = - Vtp = 1V. Considerando λ = 0 para
ambos, determine IDN e IDP e vo para vi = +2,5V, −2,5V e 0V.

Como resolver esse

problema
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PSI/EPUSP graficamente?

Como resolver esse problema graficamente:

As Análises que fizemos anteriormente (resistor, diodo)
Aplicando a lei das malhas:
VDD = R1.I + VR 2 VDD
(2)
R1
V − VR 2
resistor
1
I = DD (1)
R1
2
Aplicando a lei do resistor: (1)

V (2)
I = R2
1

R2
I D = I S e vD / nVT Aplicando a lei das malhas:
VDD = R .I D + V D
VDD − VD
ID = (1)
R
Aplicando a lei do diodo:
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 E para o MOSFET?
(se na região de saturação)
Aplicando a lei das malhas: Aplicando a lei do MOSFETna saturação:
VDD = RD .I D + VDS
W ( VGS − Vt )
2

ID = k n′ (2)
V − VDS
I D = DD (1) L 2
RD

= 10V

= 18kΩ
0,333mA
= 4V
VGS = 1,816V

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Resolvendo esse problema graficamente

Exemplo 4.7 O PMOS e o NMOS do circuito abaixo são casados, isto é,
kn´(W/L)= kp´(W/L) = 1 mA/V e Vtn = - Vtp = 1V. Considerando λ = 0 para
2
ambos, determine IDN e IDP e vo para vi = +2,5V, −2,5V e 0V.

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Exemplo 4.7 O PMOS e o NMOS do circuito abaixo são casados, isto é,
kn´(W/L)= kp´(W/L) = 1 mA/V e Vtn = - Vtp = 1V. Considerando λ = 0 para
2
ambos, determine IDN e IDP e vo para vi = +2,5V, −2,5V e 0V.

0V

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Resolvendo esse problema graficamente

Exemplo 4.7 O PMOS e o NMOS do circuito abaixo são casados, isto é,
kn´(W/L)= kp´(W/L) = 1 mA/V e Vtn = - Vtp = 1V. Considerando λ = 0 para
2
ambos, determine IDN e IDP e vo para vi = +2,5V, −2,5V e 0V.

0V

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 Exemplo 4.8!!!!! e 4.12!!!

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OS MOSFET tipo Depleção

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NMOSFET Tipo Depleção
apresenta canal implantado entre fonte e dreno)

Porta
(G-Gate)
Fonte Dreno
(S-Source) M (D-Drain)
O NMOSFET Tipo Enriquecimento
N
N+ S N+

Substrato
(B-Body) Canal implantado
NMOSFET Tipo Depleção
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NMOSFET Tipo Depleção (Vt < 0)

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 NMOSFET Tipo Depleção (Vt < 0)

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Características ID-VGS
(Tipo Enriquecimento e tipo Depleção)

Figura 5.23
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