Aula8-9-11-2022-Junção pn-2

Materiais
Semicondutores
Aula 8 – junção semicondutora

pn: caraterísticas I-V
Isabel Ferreira
DEPARTAMENTO DE CIÊNCIA DOS MATERIAIS RESUMO: Díodo de junção p-n
junção
Região de carga
espacial ~10-4cm
Densidade
+ de carga
- x
Intensidade do campo eléctrico, 
q0=Vbi
=0 x embutido
Isabel Ferreira –MS-2022/2023 Potencial
Junção p-n
Formação da junção
DEPARTAMENTO DE CIÊNCIA DOS MATERIAIS
Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Junção p-n
Formação da junção

DEPARTAMENTO DE CIÊNCIA DOS MATERIAIS Díodo de junção p-n
A região de transição entre as regiões n e p do díodo em

equilíbrio estático e com tensão (dc) aplicada
Em equilíbrio Com polarização Com polarização

VA=0 directa inversa
VA >0 VA <0
Aula 7 Aula 8

Princípio de funcionamento de um díodo
Sem polarização
Com polarização inversa
Com polarização directa

DEPARTAMENTO DE CIÊNCIA DOS MATERIAIS Díodo com polarização directa

1. Tipos de junções
1.2 Junção p-n Formação da junção

Díodo de junção p-n
Princípio de funcionamento de um díodo

SEM POLARIZAÇÃO
Região de deplecção
O campo eléctrico é proporcional

ao declive do diagrama
Ec
Ei q0
qp EF
Ev qn
Ei
p xp xn n
x=
0
qn= qp+ qn
Díodo de junção p-n COM POLARIZAÇÃO
Junção pn com polarização

Tensão inversa
Tensão directa
Va<0 Va>0
Condição electrostática, polarização directa e inversa
Vp, Vn = potencial de contacto, Vj – potencial da junção

Região de deplecção
+Vp- -Vj+ +VN- +Vp- -Vj+ +VN-
P N P N
+VA- +VA-
- potencial positivo na região p

- Não há fluxo de corrente - potencial negativo na região n
- Não existe campo eléctrico
no interior das regiões VA tem polaridade oposta a Vj
nep Pelo que reduz a tensão
através da junção de deplecção
Equilibrio térmico Vj=Vbi Polarização directa VA>0, Vj=Vbi-VA

Na condição de O potencial da junção Vbi foi usado
equilíbrio térmico como condição limite para a solução
da equação de Poisson
Com tensão aplicada Substituir Vbi por Vbi-VA

Densidade de carga  Efeito da polarização directa
qND
-xp +
x
xn
-
Campo eléctrico 
-qNA
junction
-xp xn
x
V(x)
VA>0
Vbi
x
-xp xn
Vbi-VA
Densidade de carga 
Efeito da polarização inversa
qND
-xp +
x
xn
-
Campo eléctrico 
-qNA junction
-xp xn
x
V(x)
VA<0
Vbi
x
-xp xn
Díodo polarizado inversamente

Resumo díodo polarizado

Conclusões
- o potencial, o campo
Polarização directa eléctrico e a densidade de
carga são reduzidos
- O aumento no potencial da
junção devido à polarização
Polarização inversa inversa faz alargar a região de
carga espacial
- Como resultado aumenta o
campo eléctrico.
O díodo é similar a uma válvula para um líquido:

só permite a condução num sentido (directo) enquanto que
impede a passagem no sentido
Díodo ideal I
-VBR VA
-I0
Díodo real
Em muitas aplicações o díodo opera na região de ruptura

e actua com uma tensão fixa (díodo regulador)
Os mecanismo responsáveis pela tensão de ruptura são

Ruptura por avalanche e Ruptura de Zener
Curva I-V do díodo

Curva I-V do díodo
Em equilibrio, sem polarização
Corrente de difusão com

polarização aplicada
Assumindo a corrente de deriva
Corrente do díodo ideal

Junção- Equilíbrio térmico.
- o declive das bandas de
Jn,drift Jn,diff energia são proporcionais
ao campo eléctrico.
- a pirâmide de cargas no
Ec interior das regiões n e p
EF representa a distribuição
da densidade de cargas
qVbi (produto da densidade de
estados e função de
Ev
Fermi)
Jp,diff Jp,drift - A corrente de difusão e
de deriva são iguais em
amplitude e diretamente
interior da região p Região de Interior da região n opostas
deplecção
- A corrente total é nula

Junção- Polarização directa: VA>0
- A barreira de energia
Jn,diff imposta às cargas é
Jn,drift reduzida de qVbi para

q(Vbi-VA)
- Mais buracos difundem
Ec’
para a região n
Ec
- Mais electrões
EF
q(Vbi-VA) difundem para a região p
qVbi -Existe um aumento na
Ev’ corrente de difusão
Ev - A corrente de deriva
mantém-se uma vez que
Jp,diff Jp,drift
que a altura da barreira
não tem efeito no nº de
cargas e na sua
capacidade de deriva
Junção-Polarização inversa: VA <0
-O declive das bandas de
energia aumenta e a região
Jn,drift Jn,diff de deplecção aumenta

(aumento do campo
eléctrico)
- Aumenta a diferença de
Ec
q(Vbi-VA) Ec’ potencial
EF - a corrente de difusão é
qVbi reduzida para além do
equilíbrio térmico uma vez
Ev que poucas cargas têm
Ev’ energia suficiente para
Jp,diff Jp,drift ultrapassar a barreira de
potencial

Díodo polarizado

Díodo polarizado
1 2 3
B
A
C

Corrente no díodo –portadores
minoritários

Derivação da equação IV ideal do
díodo
 Assumindo que:
 O díodo está a operar em condições de

equilibrio
 O perfil de dopagem é em degrau
 O díodo é unidimensional
 Na região neutra prevalece um baixo nível

de injecção de cargas
 Não existem outros processos para além
de deriva, difusão, geração-recombinação
térmica em espcial GL=0
Derivação da equação ideal do
díodo
 Equações genéricas
Num semicondutor a corrente é devida ao

movimento do electrões e dos buracos
Num semicondutor
pode existir corrente
de deriva e de
difusão

díodo
 Regiões de quasi-neutralidade
=0 
0 =0
Região -xp xn Região

quasi- quasi-
neutra p neutra n
Considerando as
equações de
continuidade para os
portadores
minoritários

díodo
 Regiões de quasi-neutralidade
=0 
0 =0

quasi- quasi-
neutra p neutra n
Como e=0;
dn0/dx=dp0/dx=0

díodo
 Região de deplecção
=0 
0 =0

quasi- quasi-
neutra p neutra n
Equação de
continuidade para
portadores
maioritários

díodo
=0 
0 =0

quasi- quasi-
neutra p neutra n
Se a componente R-
G for nula, então
dJ/dx=0 pelo que

díodo
Para a solução das equações da

continuidade é necessário saber qual a
variação de Dn e Dp do lado p e n
respectivamente
Junto à região de deplecção
Junto aos contactos

díodo
Junto à região de deplecção

díodo
Soluções da equação de continuidade na região quasi-neutra

-xp xn
x
x’
0
Solução
geral

díodo
Soluções da equação de continuidade na região quasineutra
Quando x’ tende para infinito exp(x’/Lp) tende par infinito o que acontece quando
A2=0

díodo
x=0



Curva I-V díodo

Curvas I-V díodo

díodo
𝐼 = 𝐼 0 exp (
𝑞𝑉 𝐴
𝜂 𝑘𝑇
−1 )
h é factor de qualidade do díodo :
idealmente é 1 mas pode tomar valores
entre 1 e 2 em díodos reais

Curva I-V
díodo

Curva I-V ideal

Tensão de rutura
 Curva IV díodo


Desvio relativamente à idealidade
Para a polarização inversa a concentração de cargas é inferior

à concentração de equilíbrio (pn<ni2)

A geração na região de deplecção domina a recombinação
Os pares electrão buracos gerados na região de deplecção conseguem

derivar pelo barreira de potencial
Para valores de polarização inversa elevada a corrente aumenta

acentuadamente e a tensão onde a corrente tende para o infinito é
designada de tensão de ruptura.
“The breakdown voltage”

Tensão de rutura
 Curva IV díodo
VBR1/NB0.75

Díodo ideal I
-VBR VA
-I0
Díodo real
Em muitas aplicações o díodo opera na região de ruptura

e actua com uma tensão fixa (díodo regulador)
Os mecanismo responsáveis pela tensão de ruptura são

Ruptura por avalanche e Ruptura de Zener
Junção pn com polarização
Tensão inversa
Va<0
Processo de Avalanche
A corrente gerada
devido ao impacto-
ionização é
3<m<6
Tensão inversa baixa Tensão inversa próxima de VBR

Processo de Avalanche

Ruptura de Zener
Processo de Zener Os electrões conseguem atravessar a

= tunelamento barreira de potencial
Especialmente em junções p-n que são fortemente dopadas em

ambos os lados
Requisitos para o tunelamento
- A existência de uma barreia de potencial

- Um elevado número de electrões disponíveis de um lado da barreira e
um largo números de espaços vazios do outro lado, com energia igual

Ecp Desvio da banda de condução
abaixo da banda de valência da
Altura da barreira região-p
Estados vazios
Evp
Ecn
Estados preenchidos
Evn
Tunelamento
Quando o tunelamento começa, uma corrente inversa

adicional faz aumentar a diferença entre a banda de
condução do lado n e a banda de valência do lado p
Mais electrões ficam disponíveis para atravessar a

barreira
Corrente inversa elevada

Processo de Zener-díodo de Zener
Tunelamento num junção
díodo polarizada
inversamente
Condições para haver

tunelamento:
1) A barreira de potencial
ser estreita e elevada
2) Haver estados
preenchido de um lado
da junção e vazios do
outro lado
3) A largura da barreira
deve ser tipicamente
<10nm

Díodo de Zener

Díodo de Zener-algumas características

Geração-recombinação
Díodo ideal I
-VBR VA
-I0
Díodo real

Geração-recombinação
Para tensão inversa > alguns kT/q

Resistência Série

Díodo em Polarização inversa
 Carga armazenada na junção
C=edA/d
Num condensador plano

Carga
Capacidade da região de deplecção
conductância
Y=AX+B
Y=1/C2
X=VR
y=Kx+Ky0

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Aula 8 – junção semicondutora

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

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A região de transição entre as regiões n e p do díodo em

Em equilíbrio Com polarização Com polarização

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Com polarização inversa

Com polarização directa

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

O campo eléctrico é proporcional

Junção pn com polarização

Vp, Vn = potencial de contacto, Vj – potencial da junção

+Vp- -Vj+ +VN- +Vp- -Vj+ +VN-

- potencial positivo na região p

Equilibrio térmico Vj=Vbi Polarização directa VA>0, Vj=Vbi-VA

Com tensão aplicada Substituir Vbi por Vbi-VA

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

carga são reduzidos

O díodo é similar a uma válvula para um líquido:

Em muitas aplicações o díodo opera na região de ruptura

Os mecanismo responsáveis pela tensão de ruptura são

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Em equilibrio, sem polarização

Corrente de difusão com

Assumindo a corrente de deriva

Corrente do díodo ideal

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

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Jn,drift reduzida de qVbi para

Jn,drift Jn,diff de deplecção aumenta

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

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Isabel Ferreira –MS-2022/2023

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 O díodo está a operar em condições de

 Na região neutra prevalece um baixo nível

Num semicondutor a corrente é devida ao

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Região -xp xn Região

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Região -xp xn Região

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Região -xp xn Região

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Região -xp xn Região

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Para a solução das equações da

Isabel Ferreira –MS-2022/2023

Junto à região de deplecção

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Soluções da equação de continuidade na região quasi-neutra

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