Aula 3 - Dispositivos de Altas Frequências

Universidade Eduardo Mondlane
Faculdade de Engenharia – DEEL

Licenciatura em Engenharia Eletrónica
Cadeira: Telecomunicações por Microondas
Dispositivos de Altas Frequências e

Antenas para Micro-ondas
Docente:
Mestre Adélio Francisco Tembe, Eng.
Díodos e Transístores em
Altas Frequências
Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 2
Díodo
Mestre Adélio F. Tembe, Eng.

Díodo
• Schottky: junção metal-semicondutor

• Detetor
• Misturador
• Varactor: junção gradualmente dopada

• Capacitância controlada por tensão
• PIN: semicondutor não dopado na junção

• Chave controlada por corrente
• Atenuador controlado por corrente
Díodo
• Diodo Schottky: junção metal-semicondutor
• Detetor
• Misturador

Diodo
• Diodo PIN: semicondutor não dopado na junção
• Chave controlada por corrente
• Atenuador controlado por corrente

Díodo
• Díodo PIN em conexões série e shunt

Díodo
• Díodo Varactor: junção gradualmente dopada
• Capacitância controlada por tensão
•Frequência de corte dependente da Capacitância

Díodo

Transístores de Arsenieto de Gálio
(GaAs)
❖ Os transístores de arsenieto de gálio, sejam eles
FETs ou TJBs, são utilizados em CI e analógico
sempre que as aplicações requerem elevadas
frequência de trabalho.
❖ Este possibilitam uma saída de correntes elevadas
com uma entrada de pequenas variações de tensão
de entrada;
❖ Possuem um baixo valor de capacidade interna;
❖ Com que então garantem óptimo desempenho em
altas frequências…
Criação de Novos Dispositivos
Utilização de novos processos tecnológicos no tratamento dos

semicondutores!!
➢ Transístor Bipolar:
➢ Transístor com electrões de elevada mobilidade (HEMT)
➢Transístor bipolar de heterojunção (HBT) – suporta
frequências muito altas…
➢ FET:
➢ Aumento da potência de saída, eficiência e fiabilidade;
➢ Redução do factor de ruído.
➢ Integração em silício de TJBs e MOSFET:
➢ BiCMOS – Frequência de transição da ordem de 20GHz.
Transistor de Efeito de Campo com
Barreira Schottky (TECMES)
➢Z – largura da porta (75 a
300µm para aplicação de baixa
potência.
➢L – Comprimento de Porta
(0.25 a 1µm para a utilização
nas bandas S e K).
➢LGD e LGS distância entre
electrodos da porta e do dreno,
e da porta e da fonte (1 a 3 µm)
➢ d – Espessura da camada activa (0.1 a 0.4µm)

➢D – Espessura da camada tampão (3.5µm)
➢ND e ND1 – Densidade de impurezas
Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 12

TECMES
➢Estrutura constituida por uma camada de Arsenieto de galio do

tipo N (camada activa – resistividade na ordem de 10000000.cm).
➢Está separado do substrato semi-isolante por uma camada

tampão quase intrínseca que serve para evitar que propriedades
elétrica do canal sejam afectadas por uma junção directa, camada-
activa - substrato
➢Sobre a camada do tipo N são depositados os contactos óhmicos
da fonte e do dreno, quase sempre de uma liga de ouro e germânio;
➢Também o contacto da porta em ouro ou alumínio.

Principio de funcionamento do
TECMES
Vgs <0; Junção Schottky inversamente polarizada, formando-se

por baixo da porta uma camada de depleção que diminui a
largura do canal.
Quando Vds começa a ser incrementada, mantendo-se no entanto
baixa, a corrente Id aumenta proporcionalmente a Vds. O
comportamento do canal se assemelha a uma resistência, o
TECMES está a operar na zona óhmica.
TECMES
Com o aumento da tensão Vds, a zona de depleção vai-se

acentuando do lado do dreno, que apresenta a zona da junçao com
uma polarização inversa maior.
Id(Vds) tem uma característica fortemente não linear, o transístor
opera na zona de transição.
15
TECMES
Quando o canal se fecha por completo o transístor entra na zona

de saturação caracterizada por uma corrente aproximadamente
constante.
Modelos Aproximados do TECMES
Existem 3 modelos para a representação do TECMES por circuitos

que podem ser simulados; eles se diferenciam pelos seus elementos
intrínsecos e extrínsecos e podem ser:
✓ Modelo em sinais fracos
✓ Modelo em sinais fortes
✓ Modelo de ruído

Modelo em Sinais Fracos
➢Cgs e Cgd representam as
capacidades distribuídas entre a
porta e o canal.
➢Ri representa a resistência do
canal entre a zona de depleção e
o terminal da fonte.
➢O inverso de Rds modela a
condutância do canal.
➢gm representa a
transcondutância que relaciona
ids com Cgs
➢Os elementos extrínsecos ou parasitas são resistência e indutâncias das
zonas de acesso aos terminais intrínsecos da porta fonte e dreno.
18
Equações do Modelo em Sinais Fracos
Para maximizar fmax, deve-se optimizar fT (frequência de ganho de

corrente unitário), e a razão Rds/Ri do TECMES intrínseco, e reduzir as
resistências série RG, RS e RD, assim como a capacidade de retroação
Cgd.
Modelo em Sinais Fortes
➢As características DC do TECMES são descritas

fundamentalmente pela fonte de corrente não linear ID(Vgs,Vds) que
é o elemento mais importante do modelo em sinais fortes.
Equações do Modelo em Sinais
Fortes
➢ A corrente de dreno é dada pela expressão:

Modelo de Ruído
➢O comportamento de ruído do transístor caracteriza-se pelo seu

modelo intrínseco linear (diporto não ruidoso) e pelas duas fontes
de corrente de ruído ing, associada a porta e ind associada ao
dreno.
Modelo de Ruído
O valor mínimo do factor de ruído, Fopt, do TEC intrínseco pode ser

expresso por:
onde fT=gm/(2πCgs). As resistências parasitas da porta, fonte e dreno

geram elas próprias ruído térmico e portanto aumentam
consideravelmente o mínimo do factor de ruído.

Modelo de Ruído
Os factores P, Q e V podem ser calculados em função das tensões

dreno-porta, fonte-porta e de limiar e do campo de saturação pode-se
concluir que:
V
C=
PQ
Valores típicos, destes coeficientes, para um HEMT (High-electron-
mobility transistor) com comprimento de porta 0,5m e largura de
200m polarizado na zona de saturação são: P=1,1, Q=0,5 e C=0,9.

Redes de Polarização para TECMES

Outros Exemplos de Desenho de
Semicondutores para Microondas
Transistor de Efeito de Campo Metal Oxido Silício (MOS)

26
Modelo em Sinais Fortes do MOS

Transistor de Junção Bipolar
Na banda de frequência abaixo de 5GHz os TJBs de Silicio

continua a ser mais preferiveis face aos de efeito de campo excepto
no que diz respeito a comcretização de amplificadore Hibridos de
muito baixo factor de Ruido.
Modelo em Sinais Fracos de um
TJB

Modelo em Sinais Fortes de um TJB

Redes de Polarização dos TJBs
No projecto de amplificadores de altas frequências, tais como nos de

baixas frequências, as redes de polarização devem proporcionar um
ponto de funcionamento em repouso (PRF) constante para uma
determinada gama de temperaturas e para os valores de disperção
fornecidos pelo fabricante.
Existem duas redes de polarização passiva dos BJTs:
Rede passiva com realimentação de tensão

Rede Passiva com realimentação de Tensão e Corrente de Base
Constante.
Rede Passiva com realimentação de
Tensão
Os Chokes servem para isolar as fontes DC do circuito AC.

Rede Passiva com realimentação Tensão
e Corrente de Base Constante

Exemplo

Resolução

Resolução

Transistor de Mesfet Modelo de
Pequenos Sinais

Antenas em Microondas
Espectro Electromagnético

Espectro Electromagnético

Bandas de Micro-ondas

Faixa de frequência para uso livre
❑ Bandas ISM – “Industrial, Scientific and Medical”

❑ Aplicações industriais, científicas e médicas
✓ Fornos de micro-ondas
✓ Telefone sem fio
✓ Roteador sem fio
✓ Radiômetro para detecção de câncer, etc.
✓ Identificação por rádio frequência - RFID
Máxima potência radiada 30 dBm (1 W)

Faixa de frequência do ISM

Faixa de frequência do ISM

Aplicações em frequências do ISM
❑ RFID - Identificação por meio de rádio frequência
❖ Evitar furto de produtos
❖ Controlar estoques em tempo real
❖ Monitorar veículos em movimento
✓ Pedágio eletrônico
❖ Localizar itens em depósitos
✓ Containers
✓ Alfândega
❖ Identificar objetos e animais
✓ Implante de chip
❑ Identificação de pessoas
✓ Tornozelera eletrônica
Antenas em Microondas
❑ Antenas são parte essencial de sistemas sem fio

✓ Comunicações terrestres e via satélite
✓ Radares, radiômetros, etc.
❑ Propriedades das antenas

❖ Afetam o desempenho do sistema
✓ Potência recebida e alcance do sistema
✓ Área de cobertura
❑ Dimensionar as antenas é parte do projeto do sistema

Tipos de Antenas
❑ Antenas
✓ Geralmente são estruturas metálicas
✓ Podem combinar estruturas metálicas e dielétricas
❑ Tipos de antenas
✓ Antenas de fio ou filamento
✓ Antenas de abertura
✓ Antenas de microfita
✓ Antenas refletoras
✓ Arranjos de antenas
✓ Antenas-lente

Tipos de Antenas
❑ Antenas de fio ou filamento

✓ Filamento: diâmetro (d) <<
comprimento (l)
✓ Usadas em carros, prédios, navios,
aviões, naves espaciais, ...
❑ Diversos formatos de fio
✓ Fio reto: dipolo e monopolo

Tipos de Antenas

✓ Fio em laço (loop): antena de quadro

Tipos de Antenas
❑ Fio helicoidal: antena helicoidal

Tipos de Antenas

Tipos de Antenas

Tipos de Antenas
❑ Antenas de abertura usadas em:

✓ Frequências de micro-ondas
✓ Aviões e naves espaciais – montadas na fuselagem
✓ Podem ter cobertura dielétrica – proteção – Radome;
❑ Exemplos de antenas de abertura
✓ Corneta piramidal
✓ Corneta cônica
❑ Alimentação - guia de ondas

Tipos de Antenas
❑ Antenas de abertura

Tipos de Antenas
❑ Antenas refletoras
✓ Surgiram devido à exploração do espaço
✓ Sinais viajando milhões de quilômetros facilmente recebidos
✓ São antenas de alto ganho
✓ Direcionam muito bem o feixe transmitido
✓ Operam em frequências de micro-ondas
❑ Estrutura básica
ALIMENTADOR + REFLETOR

Tipos de Antenas
❖ Refletor
✓ Metálico – sólido, tela ou grade
✓ Reflete o sinal transmitido ou recebido
✓ Focaliza o feixe transmitido de sinal
❖ Alimentador
✓ Feeder ou iluminador
✓ Elemento radiante
✓ Antena de dipolo, loop, helicoidal, corneta, etc.

Tipos de Antenas

Tipos de Antenas
❑ Antenas com reflector de canto

Tipos de Antenas
❑ Antenas com reflector de canto - VHF

Tipos de Antenas
❑ Antenas com reflector parabólico

Antenas Planares
Construídas por técnicas de circuito impresso dupla face ou face

simples.
Podem ser integradas com circuitos de rádio frequência.
Economicamente viável para frequências acima de 1GHz.

Antena Microstrip
É uma extensão da linha de transmissão microstrip.

Suas dimensões se definem de forma que a “patch” dissipe a
potência em forma de radiação.
Dependendo do tipo de substrato e

das dimensões a estrutura pode
ser utilizada como:
✓ linha de transmissão, para
guiar energia eletromagnética;
✓ antena, para radiar energia
eletromagnética.

Aplicações
❖ Antenas embarcadas em misseis;

❖ Altímetros de radares em aviões e naves aeroespaciais;
❖ Como antenas de exploração radar em satélites ;
❖ Sistemas GPS ;
❖ Telefonia móvel;
❖ Telemetria;
❖ Comunicações móveis por satélite;
❖ Aplicadores de calor em medicina (hipertermia)

Características Geométricas

Funcionamento
Comporta-se como um arranjo de duas fendas estreitas

alimentadas com mesmas amplitudes e fases.
Vista em prespectiva de diferentes antenas

Microstrip Retangular
Geometria
Métodos de análise
Dada a sua heterogeneidade, a estrutura só pode ser estudada com métodos
aproximados:
❖ Método da cavidade
❖ Método da linha de transmissão
❖ Métodos numéricos

Método da cavidade (1)
Uma antena impressa tem um comportamento que se
aproxima ao de uma cavidade ressonante.
O campo forma-se entre as placas condutoras e “escapa” pelas paredes laterais, ou

seja, trata-se de uma radiação por aberturas.
O processo utilizado para calcular o campo radiado consiste em:
1. Estimar os campos no interior da cavidade
2. Formar correntes equivalentes nas paredes laterais
3. Determinar os campos produzidos por estas correntes
A estrutura suporta diferentes distribuições de campo, ou modos,

identificado por um conjunto (mnp).
A cada modo corresponde uma frequência de ressonância dada por:

Como se tem sempre h<W e h<L, a frequência de ressonância mais

baixa será a do modo (010) ou a do modo (001).
Distribuição de campo eléctrico para os dois primeiros modos
Note-se que um modo é

uma versão “rodada” do
outro. Logo, os resultados
de um modo podem ser
extrapolados para o outro.
Para o primeiro modo associado à dimensão L (TM010) tem-se:
Os campos e as correntes equivalentes são:

Campo total radiado pelas fendas 1 e 3
Campo total radiado pelas fendas 2 e 4

Diagrama de radiação
A radiação das fendas 2 e 4, quando comparada com a das fendas 1 e 3
é muito menor . Por este motivo chamam-se fendas radiantes às fendas
1 e 3 e fendas não radiantes às fendas 2 e 4.

Diretividade
A partir das expressões dos campos obtidas
anteriormente, pode-se mostrar que:
O parâmetro g12 contabiliza o acoplamento entre as duas fendas radiantes. Como este
parâmetro é de cálculo complexo e consideravelmente menor que 1, numa primeira
aproximação pode-se considerar g12=0;

Método da linha de transmissão (1)
Antena rectangular no modo fundamental (1º modo)
Duas fendas radiantes separadas de uma distância L
Visão mais realista do campo

❑ O campo estende-se para lá das dimensões da camada condutora superior;
❑ Este prolongamento (campo de fuga) era desprezado no método na cavidade.

Pelo método da cavidade tem-se:
Contabilizando o campo de fuga vem:

Constante dieléctrica efectiva

EXEMPLO
Desenhar uma antena Microstrip, pelo método da LT, usando um

substrato cuja constante dielétrica seja igual a 2.2 com uma altura
h=0.1588cm, para ressonar a 10GHz.
Solução

Parâmetros da Antena Microstrip (1)

Considerando o slot1 e slot2 identicos:
A condutancia para um unico slot pode ser obtida pela

expressao do campo derivado pelo modelo da cavidade:


Admitância ressonante de entrada
Impedância ressonante de entrada
Resistencia ressonante de entrada




Exemplos de Aplicação de Antena
Microstrip

Microstrip

Microstrip

Microstrip

Exercício
Determinar a impedância de entrada de uma antena Microstrip que

foi construída pelo método da LT, usando um substrato cuja constante
dielétrica seja igual a 2.2 com uma altura h=0.1588cm, para ressonar
a 10GHz, com comprimento L=0.906cm e espessura W=1.186cm.
Determinar, também, a diretividade da antena.

INVESTIGAR
❖ Díodo PIN:
✓ Princípio de funcionamento;
✓ Aplicações.
❖ Filtros de Microondas:
✓ Análise das funções de filtragem (Aproximação
de Butterworth e de Chebishev);
✓ Determinação do coeficientes de Chebishev
para n=3, 5 e 9;
✓ Apresntar as tabelas com valores de gk para
atenuações específicas;
Eng.º Adélio Francisco Tembe, MSc.
INVESTIGAR
❖ Filtros de Microondas:
✓ Desenhar filtros passa-baixo para n=3, 5 e 9
usando aproximação de Butterworth e
Chebishev;
✓ Para cada caso simular o circuito no multsim e
apresentar o gráfico da atenução;
✓ Para n=5, converter os filtros passa-baixo para
passa-alto e passa-banda.
❖ O trabalho deve ter como título “ANÁLISE EM
ALTAS FREQUÊNCIAS”.
Eng.º Adélio Francisco Tembe, MSc.

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Faculdade de Engenharia – DEEL

Dispositivos de Altas Frequências e

Mestre Adélio F. Tembe, Eng.

• Schottky: junção metal-semicondutor

• Varactor: junção gradualmente dopada

• PIN: semicondutor não dopado na junção

Mestre Adélio F. Tembe, Eng.

Mestre Adélio F. Tembe, Eng.

• Díodo PIN em conexões série e shunt

Mestre Adélio F. Tembe, Eng.

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Utilização de novos processos tecnológicos no tratamento dos

➢ d – Espessura da camada activa (0.1 a 0.4µm)

Eng.º Adélio F. Tembe, MSc. 12

➢Estrutura constituida por uma camada de Arsenieto de galio do

➢Está separado do substrato semi-isolante por uma camada

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 13

Vgs <0; Junção Schottky inversamente polarizada, formando-se

Com o aumento da tensão Vds, a zona de depleção vai-se

Quando o canal se fecha por completo o transístor entra na zona

Existem 3 modelos para a representação do TECMES por circuitos

✓ Modelo em sinais fracos

✓ Modelo em sinais fortes

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 17

Para maximizar fmax, deve-se optimizar fT (frequência de ganho de

➢As características DC do TECMES são descritas

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 21

➢O comportamento de ruído do transístor caracteriza-se pelo seu

O valor mínimo do factor de ruído, Fopt, do TEC intrínseco pode ser

onde fT=gm/(2πCgs). As resistências parasitas da porta, fonte e dreno

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 23

Os factores P, Q e V podem ser calculados em função das tensões

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Transistor de Efeito de Campo Metal Oxido Silício (MOS)

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Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 27

Na banda de frequência abaixo de 5GHz os TJBs de Silicio

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 29

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 30

No projecto de amplificadores de altas frequências, tais como nos de

Existem duas redes de polarização passiva dos BJTs:

Rede passiva com realimentação de tensão

Os Chokes servem para isolar as fontes DC do circuito AC.

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 32

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 33

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 34

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 35

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Mestre Adélio F. Tembe, Eng.

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Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 42

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 43

❑ Bandas ISM – “Industrial, Scientific and Medical”

Máxima potência radiada 30 dBm (1 W)

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 44

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 45

Mestre Adélio F. Tembe, Eng. 46

❑ Antenas são parte essencial de sistemas sem fio

❑ Propriedades das antenas