Aula 14

O Diodo e a junção pn na condição de

polarização direta
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PSI 2223 – Introdução à Eletrônica

Programação para a Primeira Prova
11ª Circuito retificador em ponte. Circuito retificador de meia onda Sedra, Cap. 3
05/04 com o capacitor de filtro. p. 109-111
12ª Retificador de onda completa com capacitor de filtro, superdiodo. Sedra, Cap. 3
08/04 Exercícios (exemplo 3.9). p. 112-115
13ª Circuitos limitadores, circuitos grampeadores, dobrador de tensão, Sedra, Cap. 3
12/04 exercícios: 3.27, 3.28. p. 115-118
14ª Conceitos básicos de dispositivos semicondutores: silício dopado, Aula avulsa +
15/04 mecanismos de condução (difusão e deriva), exercícios. Sedra, Cap. 3
p. 117-121
15ª Modelos de cargas, junção pn na condição de circuito aberto, Aula avulsa +
26/04 potencial interno da junção, junção pn polarizada, exercícios. Sedra, Cap. 3
p. 121-126
16ª Distribuição de portadores minoritários na junção pn diretamente Aula avulsa +
29/04 polarizada. Dedução elementar da equação de corrente na junção Sedra, Cap. 3
pn, exercícios. p. 127-128
17ª Capacitância de difusão, largura da região de depleção da junção Sedra, Cap. 3
03/05 pn polarizada, capacitância de depleção, a junção pn na região de p. 124-125 e
ruptura (efeito zener e efeito avalanche), exercícios. p. 128-129
18ª Aula de Exercícios
06/05
2a. Semana de Provas (09/05 a 13/05/2016)
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Data: 11/05/2016 (quarta feira) – Horário: 13:10h às 15:10h
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 14ª Aula:
A junção pn Diretamente polarizada
Ao final desta aula você deverá estar apto a:

-Olhar a Lei de Ohm do lado de dentro do material, explicando os

conceitos de condutividade e mobilidade

-Explicar, através de conceitos e equações, o que é corrente de

deriva e o que é corrente de difusão

-Explicar o que é silício intrínseco e silício dopado (tipo n e tipo p)

-Calcular a concentração de portadores em silício tipo n e tipo p

-Explicar o que ocorre quando se junta um silício tipo n e um p,

criando um diodo semicondutor

-Calcular a barreira de potencial interna e a largura da região de

depleção em um diodo semicondutor

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O Diodo
(a junção pn)

NA ND

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 O Diodo
ID
+ + + +- - - - +

+ + + + - +- - -
Anodo Catodo
+ + +- +- - +- -
+ + + +- - - -
-
0 (junção)
p 0
NA IDp
n N
-IDn D

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A dinâmica
da junção pn em Aberto
Ei
p depleção de cargas n
+ + + - - - +

+ + + +- - -
Anodo Catodo
+ + +- - +- -
+ + + - - -
-
NA Is ND

ID Is= ID
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 O Diodo em Aberto

NA ND
Ei
N N 
V 0 = VT ln A 2 D 
 ni 

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O Diodo em Aberto

xp 0 xn
(junção)
xn N A
qx p N A A = qx n N D A ou =
xp ND

2ε s  1 1 
Wdep = x n + x p =  + V0
q N
 A N D 
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Exercício
3.32 Para uma junção pn com NA = 1017/cm3 e ND = 1016/cm3 a T = 300
K, determine a tensão interna, a largura da região de depleção e as
distâncias que ela se estende no lado p e no lado n. Utilize ni =
1,5 × 1010/cm3.

Resp.728 mV; 0,32 μm; 0,03 μm e 0,29 μm

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O Diodo
Polarizado Reversamente

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 O Diodo Polarizado Reversamente
 2ε  1 1 
Wdep =  s  + (V0 + VR )
 q  AN N D 

q J = q N = qN D x n A

N AN D
qJ = q AW dep
NA + ND

dq j
Cj =
dV R V R =VQ

N AN D  2ε  1 1 
qJ = q A  s  + (V 0 + V R )
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NA + ND  q  N A N D  354
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O Diodo Polarizado Reversamente

dq j
Cj =
dVR V R =VQ

N AN D  2ε  1 1 
qJ = q A  s  + (V 0 + V R )
NA + ND  q  N A N D 

C j0 ε q  N N  1 
Cj = onde C j 0 = A  s  A D  
VR  2  N A + N D  V 0 
1+
V0
Cj 0
Na prática Cj = m com m = 1/3 a 1/2
 V 
1 + R 
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 V0 
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 O Diodo Polarizado Reversamente

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Exercício
3.33 Para uma junção pn com NA = 1017/cm3 e ND = 1016/cm3 operando em T = 300 K,
determine:
(a) o valor de Cj0 por unidade de área da junção (μm2 é uma unidade conveniente) e
(b) (b) a capacitância Cj para uma tensão de polarização reversa de 2 V assumindo uma área de
junção de 2500 μm2. Considere ni = 1,5´1010/cm3, m = ½ e o valor de V0 determinado no
Exercício 3.13 (V0 = 0,728 V).

Resp.
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PSI/EPUSP (a) 0,32 fF/μm2; (b) 0,41 pF 360

O Diodo na Região de Ruptura

Quando I > IS a junção se rompe:

Ruptura por Efeito Zener (< 5V): ocorre quando o campo elétrico na camada
de depleção aumenta até quebrar ligações covalentes (pares n-p)
Ruptura por Efeito Avalanche (> 7V): ocorre quando os portadores
minoritárioos que cruzam a região de depleção quebram as ligações
covalentes, e podem em seguida quebrar outras ligações
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