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PROVA 2 (P2) – OPTOELETRÔNICA PROF. AGNALDO FRESCHI

• A PROVA DEVE SER MANUSCRITA EM PAPEL TAMANHO PADRÃO (A4/Carta)

• UTILIZE CANETA AZUL OU PRETA
• ESCREVA SEU NOME COMPLETO E RA NO INÍCIO DA PROVA
• APRESENTE A SOLUÇÃO DOS PROBLEMAS EM SEQUÊNCIA. Não omita nenhuma
passagem em seus cálculos. Aproveite o longo tempo disponibilizado para realização da
prova para checar os resultados. A pontuação na prova requer raciocínio e resultados
corretos. Provas “clonadas” terão sua nota dividida pelo número de clones.
• APÓS CONCLUIR, DIGITALIZE A PROVA EM UM ARQUIVO PDF. Utilize seu nome
e sobrenome seguido de “prova2opto” (sem espaço entre eles) para nomear o arquivo. Por
exemplo, a aluna “Daniela Cristina Milani” deve gerar o arquivo
“danielamilaniprova2opto.pdf”.
• CERTIFIQUE-SE DE QUE A DIGITALIZAÇÃO ESTEJA CLARA E SEM FALHAS.
• ENVIE ATÉ A DATA LIMITE PARA agnaldo.freschi@ufabc.edu.br. Arquivos PDF não
identificados ou e-mails enviados fora do prazo serão deletados.

1) A figura abaixo ilustra a irradiância espectral (normalizada) de um dos LED’s utilizados no

laboratório didático. Considere T = 300 K. Determine a largura de linha a meia-altura (FWHM) em
termos de energia do fóton em unidades de k BT , i.e., encontre o valor de m na expressão

E  = mk BT (Expresse m com dois algarismos significativos). (2 pts).

1.0

0.9

0.8
Relative spectral irradiance

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
525 535 545 555 565 575 585 595 605 615 625
Wavelength (nm)
 2

2) Considere uma junção pn em equilíbrio. As concentrações de impurezas doadoras e aceitadoras

de elétrons são ND = 11017 cm−3 e NA = 11015 cm−3. Nas figuras abaixo, as barras horizontais nas
regiões P e N indicam as concentrações de cargas livres. Na região da junção estão representados os
íons ionizados imóveis e as larguras da junção nas regiões P e N estão indicadas por xp e xn,
respectivamente. Qual das figuras abaixo (de A a I) melhor representa a junção em questão?
Justifique sua resposta (2 pts)
(A) (B) (C)
P N P N P N
Carrier concentration

p n p n p n
(log scale)

np0 pn0 np0 pn0 np0 pn0

−xp 0 xn x −xp 0 xn x −xp 0 xn x

(D) (E) (F)

P N P N P N
Carrier concentration

p n p n p n
(log scale)

np0 pn0 np0 pn0 np0 pn0

−xp 0 xn x −xp 0 xn x −xp 0 xn x

(G) (H) (I)

P N P N P N
Carrier concentration

p n p n p n
(log scale)

np0 pn0 np0 pn0 np0 pn0

−xp 0 xn x −xp 0 xn x −xp 0 xn x

3) Uma pastilha de Si intrínseco foi inicialmente dopada com alumínio (Al) de modo a apresentar
uma resistividade de 310−2 m. Em seguida, essa pastilha foi dopada com fósforo (P) com uma
concentração de 61015 cm−3. Determine a condutividade final da pastilha. Considere a temperatura
ambiente T = 300 K, a mobilidade das lacunas  p  480 cm2V−1s−1 e a mobilidade dos elétrons  n

 1350 cm2V−1s−1. (2 pts).

 3

4) Um fotodiodo de Si tipo pin possui uma área ativa circular de diâmetro 0.4 mm. Uma radiação de
comprimento de onda 700 nm (luz vermelha) e intensidade de 0.1 mW/cm2 incide no fotodiodo,
produzindo uma fotocorrente de 56.6 nA. Qual é a responsividade (em A/W) e a eficiência quântica
do fotodiodo em 700 nm? (2 pts).

5) Uma residência familiar consome uma potência elétrica diária média de 500 W. A média diária
da irradiação solar incidente na localização geográfica dessa residência é da ordem de 6 kWh/m2.
Qual deve ser a eficiência de conversão (de energia solar para elétrica) de um painel solar com
dimensões de 3.0 m  3.0 m para suprir essa demanda? (2 pts).