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C ç Tecnológica
g de S Santa C
Catarina
Departamento de Eletrônica
Eletrônica Básica
Semicondutores
e
Diodos
www.cefetsc.edu.br/~petry
Materiais semicondutores
ρ ⋅l
R=
A
Níveis de energia:
energia
g :
Níveis de energia:
energia
g :
Materiais semicondutores
Portadores de carga
g nos materiais P e N:
Junções P e N
+
Junções P e N
Em condução:
Não condução:
Junção PN – Sem polarização
VD = 0V
Junção PN – Sem polarização
VD = 0V
Junção PN – Reversamente polarizada
VD < 0V
Junção PN – Reversamente polarizada
VD < 0V
Junção PN – Diretamente polarizada
VD > 0V
Junção PN – Efeito da temperatura
• Tensão reversa:
• Silício: 1000 V;
• Germânio: 400 V.
• Temperatura de operação:
• Silício: 200 oC;
• Germânio: 100 oC.
• Queda de tensão direta:
• Silício: 0,7 V;
• Germânio: 0,3 V.
Exercícios
Malvino:
Malvino:
• Lista do capítulo 2.
Diodo – Curva ID x VD
Diodo – Curva ID x VD
⎛ K ⋅VD
⎞
ID = IS ⎜ e TK
− 1⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
• ID = corrente direta;
• VD = tensão de polarização;
• IS = corrente de saturação reversa;
• K = 11
11.600/n
600/ com n = 1 para o G Ge e n = 2 para o Si
Si;
• TK = TC + 273o.
Diodo – Região zener
Resistências do diodo
Resistência CC ou estática:
estática:
VD
RD =
ID
Resistências do diodo
Resistência CA ou dinâmica:
dinâmica:
ΔVD
rD =
ΔI D
Resistências do diodo
ΔVd
rav =
ΔI d
Modelo ideal do diodo
Malvino:
Malvino:
• Lista do capítulo 3.
Matriz de contatos
R1
+
Vf R2 R3
−
R1
Vf
0 GND Saída R2 R3
Matriz de contatos
Exercícios::
Exercícios
Fontes de tensão
0 GND Saída
Na próxima aula
Seqüência
q de conteúdos:
conteúdos:
1. Características dos diodos;
2. Análise de circuitos com diodos;
3. Aplicações simples.